KR20000015313A - 액정 표시 장치 및 그 제조 방법 - Google Patents

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Abstract

기판 위에 게이트선 및 게이트선과 평행한 공통 전극선이 형성되어 있고, 공통 전극선에 대해 수직하게 다수의 공통 전극이 형성되어 있으며, 절연막을 매개로 하여 게이트선과 수직하게 데이터선이 형성되어 있다. 데이터선으로부터 소스 전극이 연장되어 게이트선의 한쪽 가장자리와 중첩되어 있으며, 드레인 전극이 게이트선을 중심으로 소스 전극과 반대쪽에서 게이트선과 중첩되어 있다. 드레인 전극으로부터 화소 전극선이 공통 전극선과 중첩되도록 연장되어 있으며, 화소 전극선으로부터 다수의 화소 전극이 공통 전극과는 서로 엇갈리는 형태로 연장되어 있다. 이러한 평면 구동 액정 표시 장치에서, 게이트선의 하부에 절연막을 매개로 하여 보조 금속선이 형성되어 있으며, 이 보조 금속선으로부터 연장된 가지 패턴이 보조 패턴에 의해 게이트선(200)과 접촉되어 있다.

Description

액정 표시 장치 및 그 제조 방법
본 발명은 액정 표시 장치 및 그 제조 방법에 관한 것으로서, 특히 이중막 게이트 배선 구조를 가지는 평면 구동 액정 표시 장치 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
평면 구동 방식 액정 표시 장치는 한 기판 위에 공통 전극과 화소 전극이 서로 평행하게 형성되어 있는 액정 표시 장치이다.
각 전극에 전압이 인가되면 기판 면에 대해 수평한 방향의 전계가 두 전극 사이에서 형성되고, 이 수평 전계에 따라 액정 분자가 기판면과 평행하게 동작한다. 따라서, 거시적으로 관찰되는 액정의 굴절율이 작아 대비비가 좋고 시야각이 넓은 장점이 있다.
그러나, 현재 사용되고 있는 평면 구동 액정 표시 장치는 단일 게이트 배선 방식을 채용하고 있어서, 기판이 대면적화되고 고정세화됨에 따라 게이트 배선의 단선에 의한 결함 등이 발생하는 문제점이 있다.
그러면, 첨부한 도면을 참고로 종래의 기술에 따른 평면 구동 방식의 액정 표시 장치를 설명한다.
도 1은 종래의 기술에 따른 평면 구동 액정 표시 장치의 배치도이다.
도 1에 도시한 바와 같이, 기판 위에 한 방향으로 게이트선(200)이 형성되어 있다. 서로 나란한 제1 및 제2 공통 전극선(210, 212)이 게이트선(200)에 평행하게 형성되어 있으며, 두 공통 전극선(210, 212)을 다수의 공통 전극(211)이 연결하고 있다.
게이트선(200), 공통 전극선(210, 212) 및 공통 전극(211) 위를 게이트 절연막(도시하지 않음)이 덮고 있으며, 그 위에는 게이트선(200)과 수직하게 데이터선(400)이 형성되어 있다. 게이트 절연막 위에는 게이트선(200)의 일부와 중첩되는 반도체 패턴(300)이 형성되어 있는데, 이 패턴(300)의 하부에 놓인 게이트선(200)이 게이트 전극이 된다.
데이터선(400)으로부터 소스 전극(410)이 연장되어 게이트 전극의 한쪽 가장자리와 중첩되고, 소스 전극(410)과 대응되는 드레인 전극(420)이 게이트 전극의 반대쪽 가장자리와 중첩되어 있으며, 드레인 전극(420)이 연장되어 제1 화소 전극선(430)을 이룬다. 화소 전극선(430)으로부터 다수의 화소 전극(431)이 공통 전극(211)과 서로 엇갈리는 형태로 공통 전극선(212)쪽으로 연장되어 있으며, 화소 전극(431)의 연장된 끝에서 제2 화소 전극선(432)이 제2 공통 전극선(212)과 중첩되는 형태로 형성되어 있다.
데이터선(400), 소스 및 드레인 전극(410, 420), 화소 전극선(430, 432) 및 화소 전극(431) 위에 보호 절연막(도시하지 않음)이 덮여 있고, 보호 절연막에는 데이터선(400)을 일부 드러내는 접촉구(C1)가 뚫려 있다. 데이터선(400) 상부의 보호 절연막 위에는 데이터선(400) 패턴을 따라 보조 데이터선(500)이 형성되어 있는데, 접촉구(C1)를 통해 데이터선(400)과 연결되어 있어서, 데이터선(400)이 단선되었을 경우 보조 게이트선(500)을 통해 데이터 신호가 전달될 수 있도록 한다.
그러나, 게이트선(200)이 크롬(Cr), 알루미늄(Al) 또는 네오디늄(Nd) 등의 단일막으로 형성되어 있는 종래의 구조에서는 데이터 배선을 식각하기 위한 식각액에 의한 침식이나 파티클(particle) 등에 의해 게이트선(200)이 단선(D) 될 수 있다.
게이트선(100)의 단선에 의한 결함을 막기 위해서 게이트선을 사다리 모양으로 형성하는 구조가 제안되었으나, 이러한 구조는 개구율을 감소시키는 단점이 있다.
본 발명의 과제는 개구율을 감소시키지 않으면서 게이트선의 단선을 효과적으로 방지하는 것이다.
도 1은 종래의 기술에 따른 평면 구동 액정 표시 장치의 배치도이고,
도 2는 본 발명의 제1 실시예에 따른 평면 구동 액정 표시 장치의 배치도이고,
도 3은 도 2의 III-III' 선에 대한 단면도이고,
도 4는 도 2의 IV-IV' 선에 대한 단면도이고,
도 5a 내지 도 5f는 본 발명의 제1 실시예를 제조하는 방법을 공정 순서에 따라 도시한 단면도 및 평면도이다.
이러한 과제를 해결하기 위하여 게이트선 및 그 하부의 보조 금속선으로 게이트 배선이 이중화되어 있고, 보조 금속선으로부터 연장된 가지 패턴이 보조 패턴에 의해 게이트선과 전기적으로 연결되어 있다.
따라서, 게이트 배선의 단선을 방지하기 용이하며 보조 금속선을 넓게 형성할 필요가 없어 개구율에 있어서도 유리하다.
본 발명의 실시예에 따른 평면 구동 액정 표시 기판에서는 기판 위에 보조 게이트선 및 보조 게이트선으로부터 연장된 가지 패턴이 형성되어 있고, 그 위에는 제1 절연막이 형성되어 있고, 제1 절연막 위에는 게이트선이 보조 게이트선을 따라 형성되어 있다. 게이트선을 제2 절연막이 덮여 있고, 그 위에는 게이트선과 수직으로 교차하는 데이터선이 형성되어 있으며, 그 위를 보호막이 덮고 있다. 보호막 위에는 가지 패턴 및 게이트선과 동시에 중첩하는 형태로 보조 패턴이 형성되어 있는데, 이 보조 패턴은 가지 패턴과 게이트선을 전기적으로 연결한다.
여기에서, 제1 및 제2 절연막 및 보호막에는 가지 패턴 및 게이트선을 동시에 드러내는 형태로 접촉구가 뚫려 있고, 이 접촉구를 통해 보조 패턴이 가지 패턴 및 게이트선을 연결할 수 있다.
또한, 보호막 위에는 데이터선을 따라 보조 데이터선이 형성되어 있을 수 있으며, 이 경우, 보조 데이터선은 데이터선을 드러내는 형태로 보호막에 뚫려 있는 접촉구를 통해 데이터선과 접촉하도록 하는 것이 바람직하다.
이러한 구조의 평면 구동 액정 표시 장치의 제조 방법에서는 보조 게이트선 및 보조 게이트선으로부터 연장된 가지 패턴을 형성하고, 그 위에 절연막을 증착한 다음, 절연막 위에 보조 게이트선을 따라 위치하는 게이트선, 게이트선과 평행한 공통 전극선 및 공통 전극선으로부터 수직으로 연장되어 있는 공통 전극을 형성한다. 다음, 게이트선 및 공통 전극선 및 공통 전극을 덮는 절연막을 증착하고, 그 위에 데이터선 및 소스 및 드레인 전극 및 화소 전극선 및 화소 전극 등의 데이터 배선을 형성한 다음, 보호막을 증착한다. 그 후, 보호막 및 절연막을 패터닝하여 가지 패턴 및 게이트 패턴을 동시에 드러내는 접촉구를 형성한 후에 이 접촉구를 통해 가지 패턴 및 게이트 패턴과 접촉하는 보조 패턴을 보호막 위에 형성한다.
데이터선의 상부에 중첩되는 보조 데이터선을 형성하는 것도 가능한데, 이 경우 보조 데이터선은 보호막에 형성되어 있는 접촉구를 통해 데이터선과 접촉할 수 있다.
그러면, 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시예에 따른 평면 구동 방식의 액정 표시 장치 및 그 제조 방법에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세하게 설명한다.
먼저, 도 2 내지 도 4를 참고로 하여 본 발명에 따른 평면 구동 액정 표시 장치를 설명한다.
도 2는 본 발명에 따른 평면 구동 액정 표시 장치의 배치도이고, 도 3은 도 2의 III-III' 선에 대한 단면도이고, 도 4는 도 2의 IV-IV' 선에 대한 단면도이다.
도 2 내지 도 4에 도시한 바와 같이, 기판(1) 위에 한 방향으로 알루미늄-네오디늄(Al-Nd) 등의 금속으로 보조 금속선(100)이 형성되어 있고, 보조 금속선(100)으로부터 제1 및 제2 가지(101, 102)가 연장되어 있다.
보조 금속선(100) 및 제1 및 제2 가지(101, 102)가 질화 규소(SiNx)막 등의 제1 절연막(2)이 덮고 있으며, 제1 절연막(2) 위에는 보조 금속선(100) 패턴을 따라 게이트선(200)이 형성되어 있다.
제1 절연막 (2) 위에는 게이트선(200)과 평행하게 제1 공통 전극선(210)이 형성되어 있고, 제1 공통 전극선(210)으로부터 수직하게 다수의 공통 전극(211)이 연장되어 있으며, 다수의 공통 전극(211)을 하나로 잇는 제2 공통 전극선(212)이 제 1 공통 전극선(210)과 평행하게 형성되어 있다.
이러한 게이트선(200), 제1 및 제2 공통 전극선(210, 212) 및 공통 전극(211)위에는 제2 절연막(3)이 덮여 있다.
일부 게이트선(200) 상부의 제2 절연막(3) 위에는 비정질 규소층(301)과 오믹 접촉(Ohmic contact)층인 도핑된 비정질 규소층(302)으로 이루어진 반도체 패턴(300)이 형성되어 있다. 이때, 반도체 패턴(300)과 중첩하는 게이트선(200)이 게이트 전극의 역할을 한다.
또한, 게이트선(200)과 수직하게 데이터선(400)이 형성되어 있는데, 데이터선(400)의 일부가 연장된 소스 전극(410)이 게이트 전극(200)의 한쪽 가장자리와 중첩되는 형태로 반도체 패턴(300)과 접하며, 게이트 전극(200)의 반대쪽에서는 드레인 전극(420)이 반도체 패턴(300)과 접하고 있다. 드레인 전극(420)으로부터 제1 화소 전극선(430)이 연장되어 제1 공통 전극선(210)과 중첩되고 있으며, 제1 화소 전극선(430)으로부터 연장된 다수의 화소 전극(431)이 공통 전극(211)의 사이에 위치하고 있다. 또한, 화소 전극(431)의 연장된 끝부분을 하나로 잇는 제2 화소 전극선(432)이 제2 공통 전극선(212)과 중첩되어 있다.
데이터선(400), 소스 및 드레인 전극(410, 420), 제1 및 제2 화소 전극선(430, 432) 및 화소 전극(431)을 보호 절연막(4)이 덮고 있다. 이때, 데이터선(400)을 드러내는 접촉구(C1, C2)가 보호 절연막(4)에 뚫려 있으며, 제1 및 제2 가지(101, 102)와 게이트선(200)의 일부가 동시에 각각 드러나도록 접촉구(C3, C4)가 보호 절연막(4) 및 제1 및 제2 절연막(2, 3)에 뚫려 있다.
보호 절연막(4) 위에는 데이터선(400)의 패턴을 따라 보조 데이터선(500)이 형성되어 있으며, 제1 및 제2 가지(101, 102)와 게이트선(200)의 일부를 덮는 형태로 제1 및 제2 보조 패턴(501, 502)이 형성되어 있다. 이 보조 데이터선(500)은 접촉구(C1, C2)를 통해서 데이터선(400)과 연결되며, 제1 및 제2 보조 패턴(501, 502)은 각각 제1 및 제2 가지(101, 102)와 게이트선(200)을 접촉구(C3, C4)를 통해 연결하고 있다.
이처럼, 게이트선(200) 및 보조 금속선(100)으로 게이트 배선이 이중화되어 있어서 게이트 배선의 단선을 방지하기 좋은 구조이며, 특히 보조 금속선(100)으로부터 연장된 제1 및 제2 가지(101, 102)를 보조 패턴(501, 502)을 이용하여 게이트선(200)과 접촉시켜 게이트선(200) 및 금속선(100)을 전기적으로 연결시키기 때문에, 보조 금속선(100)을 넓게 형성할 필요가 없어 개구율에 있어서도 유리하다.
그러면, 이러한 평면 구동 액정 표시 장치의 제조 방법을 도 4 및 도 5a 내지 도 5f를 참고로 하여 설명한다.
도 5a 내지 도 5f는 본 발명의 제1 실시예에 따른 평면 구동 액정 표시 장치의 제조 방법을 공정 순서에 따라 도시한 단면도 및 평면도이다.
도 5a에 도시한 바와 같이, 기판(1) 위에 알루미늄-네오디늄(Al-Nd)과 같은 게이트 배선용 금속을 500Å 정도 증착하고 패터닝하여 보조 금속선(100) 및 제1 및 제2 가지(101, 102)를 형성한다.
다음, 도 5b에 도시한 바와 같이, 제1 절연막(2)을 증착한 후, 그 위에 알루미늄-네오디늄막을 2000Å 정도 증착하고 패터닝하여 보조 금속선(100)과 중첩하는 게이트선(200) 및 제1 및 제2 공통 전극선(210, 212) 및 공통 전극(211)을 형성한다.
도 5c에 도시한 바와 같이, 그 위에 제2 절연막(3)을 4500Å 정도의 두께로 형성하고, 이어 비정질 규소(a-si)와 도핑된 비정질 규소(n+a-si)를 각각 2000Å, 500Å 정도로 증착한 다음, 비정질 규소와 도핑된 비정질 규소를 패터닝하여 비정질 규소 패턴(301)과 도핑된 비정질 규소 패턴(302)으로 이루어진 반도체 패턴(300)을 형성한다.
도 5d에서와 같이, 크롬(Cr) 등의 데이터 배선용 금속을 500Å 정도로 증착하고 패터닝하여, 데이터선(400), 소스 및 드레인 전극(410, 420), 제1 및 제2 화소 전극선(430, 432) 및 화소 전극(431)을 형성한 다음, 소스 및 드레인 전극(410, 420)을 마스크로 도핑된 비정질 규소 패턴(302)의 드러난 부분을 제거한다.
도 5e에서와 같이, 질화 규소를 2000Å 정도의 두께로 증착하여 보호 절연막(4)을 형성한 후, 패터닝하여 데이터선(400)을 드러내는 접촉구(C1, C2)를 형성한다. 이 단계에서, 제1 및 제2 가지(101, 102) 및 게이트선(100)을 동시에 드러내는 접촉구(C3, C4)를 보호 절연막(4) 및 제1 및 제2 절연막(2, 3)에 형성한다.
마지막으로, 도 5f에 도시한 바와 같이, 크롬(Cr)/ITO(indium-tin-oxide)를 각각 1500/400Å으로 증착하고 패터닝하여 접촉구(C1, C2)를 통해 데이터선(400)과 연결되는 보조 데이터선(500)을 데이터선(400)을 덮는 형태로 형성한다. 또한, 이 단계에서 제1 및 제2 가지(101, 102) 상부에 보조 패턴(501, 502)을 형성하여 접촉구(C3, C4)를 통해 제1 및 제2 가지(101, 102)가 게이트선(200)이 보조 패턴(501, 502)을 매개로 하여 연결되도록 한다.
이상에서와 같이, 게이트선 하부에 단선 수리를 보조하기 위한 보조 금속선을 두고, 이 보조 금속선으로부터 연장된 가지 부분을 게이트선과 보조 패턴으로 연결시킴으로써, 보조 금속선의 폭을 넓게 가져가지 않고도 게이트선의 단선에 의한 결함을 방지할 수 있다. 따라서, 개구율을 줄이지 않고도 용이하게 게이트 단선을 수리할 수 있다.

Claims (7)

  1. 투명한 절연 기판,
    상기 기판 위에 형성되어 있는 보조 게이트선,
    상기 보조 게이트선으로부터 연장된 가지 패턴,
    상기 보조 게이트선 및 상기 가지 패턴을 덮는 제1 절연막,
    상기 제1 절연막 위에 상기 보조 게이트선을 따라 형성되어 있는 게이트선,
    상기 제1 절연막 위에 상기 게이트선과 평행하게 형성되어 있는 공통 전극선,
    상기 공통 전극선으로부터 수직하게 연장되어 있는 공통 전극,
    상기 게이트선 및 상기 공통 전극선 및 상기 공통 전극이 형성되어 있는 상기 제1 절연막을 덮고 있는 제2 절연막,
    상기 제2 절연막 위에 상기 게이트선과 수직으로 형성되어 있는 데이터선,
    상기 데이터선이 형성되어 있는 상기 제2 절연막을 덮고 있는 보호막,
    상기 가지 패턴 및 상기 게이트선과 동시에 중첩하는 형태로 상기 보호막 위에 형성되어 있으며 상기 가지 패턴과 상기 게이트선을 전기적으로 연결하는 보조 패턴
    을 포함하는 액정 표시 장치.
  2. 제1항에서,
    상기 데이터선을 따라 상기 보호막 위에 형성되어 있는 보조 데이터선을 더 포함하며, 상기 보조 데이터선은 상기 보호막에 상기 데이터선을 드러내는 형태로 뚫려 있는 제1 접촉구를 통해 상기 데이터선과 접촉하는 액정 표시 장치.
  3. 제2항에서,
    상기 보조 데이터선은 상기 보조 패턴과 같은 물질로 형성되어 있는 액정 표시 장치.
  4. 제1항에서,
    상기 가지 패턴 및 상기 게이트선을 동시에 드러내는 형태로 상기 제1 및 제2 절연막 및 상기 보호막에 뚫려 있는 제2 접촉구를 통해 상기 보조 패턴이 상기 가지 패턴 및 상기 게이트선과 접촉하는 액정 표시 장치.
  5. 제1항에서,
    상기 게이트선 상부의 상기 제2 절연막 위에 형성되어 있는 반도체 패턴, 상기 데이터선으로부터 연장되어 상기 게이트선의 한쪽 가장자리와 중첩되는 형태로 상기 반도체 패턴과 접촉되는 소스 전극, 상기 게이트선의 반대쪽 가장자리와 중첩되는 형태로 상기 반도체 패턴과 접촉하는 드레인 전극, 상기 공통 전극선과 중첩되는 형태로 상기 드레인 전극으로부터 연장되어 있는 화소 전극선, 상기 화소 전극선으로부터 수직으로 연장되며 상기 공통 전극의 사이에 위치하는 화소 전극을 더 포함하는 액정 표시 장치.
  6. 투명 절연 기판 위에 보조 게이트선 및 보조 게이트선으로부터 연장된 가지 패턴을 형성하는 단계,
    상기 보조 게이트선 및 상기 가지 패턴 위에 제1 절연막을 증착하는 단계,
    상기 제1 절연막 위에 제1 금속막을 증착하는 단계,
    상기 제1 금속막을 패터닝하여 상기 보조 게이트선을 따라 위치하는 게이트선, 상기 게이트선과 평행한 공통 전극선 및 상기 공통 전극선으로부터 수직으로 연장되어 있는 공통 전극을 형성하는 단계,
    상기 게이트선 및 상기 공통 전극선 및 상기 공통 전극을 덮는 제2 절연막을 증착하는 단계,
    상기 제2 절연막 위에 데이터선 및 소스 및 드레인 전극 및 화소 전극선 및 화소 전극 등의 데이터 배선을 형성하는 단계,
    상기 데이터 배선을 덮는 보호막을 증착하는 단계,
    상기 보호막 및 상기 제1 및 제2 절연막을 패터닝하여 상기 가지 패턴 및 상기 게이트 패턴을 동시에 드러내는 제1 접촉구를 형성하는 단계,
    상기 보호막 위에 제2 금속막을 증착하는 단계,
    상기 제2 금속막을 패터닝하여 상기 제1 접촉구를 통해 상기 가지 패턴 및 상기 게이트 패턴과 접촉하는 보조 패턴을 형성하는 단계
    를 포함하는 액정 표시 장치의 제조 방법.
  7. 제6항에서,
    상기 보호막을 패터닝하여 상기 데이터선을 드러내는 제2 접촉구를 형성하는 단계, 상기 제2 금속막을 패터닝하여 상기 제2 접촉구를 통해 상기 데이터선과 접촉하는 보조 데이터선을 형성하는 단계를 더 포함하는 액정 표시 장치의 제조 방법.
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JP3072326B2 (ja) * 1990-09-25 2000-07-31 セイコーインスツルメンツ株式会社 半導体単結晶薄膜基板光弁装置とその製造方法

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