KR19990087896A - 모노-및/또는비스(모노-및/또는디-및/또는트리클로로메틸)벤젠의연속제조방법 - Google Patents

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엘프 아토켐 소시에떼아노님
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Abstract

본 발명은 케스케이드의 몇 개의 반응기에서 모노메틸벤젠 또는 디메틸벤젠을 점진적으로 염소화해서 모노- 및/또는 비스(모노- 및/또는 디- 및/또는 트리클로로메틸)벤젠을 제조하는 방법에 관한 것인데, 첫 번째 반응기의 체적은 각 다른 반응기의 체적보다 더 크다.

Description

모노- 및/또는 비스(모노- 및/또는 디- 및/또는 트리클로로메틸)벤젠의 연속 제조 방법 {PROCESS FOR THE CONTINUOUS PREPARATION OF MONO- AND/OR BIS(MONO- AND/OR DI- AND/OR TRICHLOROMETHYL)BENZENES}
본 발명은 모노- 및/또는 비스(모노- 및/또는 디- 및/또는 트리클로로메틸)벤젠의 연속 제조 방법에 관한 것이다.
모노- 및/또는 비스(모노- 및/또는 디- 및/또는 트리클로로메틸)벤젠은 농약, 착색제, 제초제 및 플라스틱용 부가제 (UV 안정화제) 의 제조에서 중요한 중간물질이다.
이들 염소화된 중간물질을 얻기 위한 통상의 기술은 메틸벤젠의 화학적으로 또는 광화학적으로 개시된 염소화를 수행하는데 있다.
이러한 반응은 통상 염소 가스와 함께 공업적으로 수행된다. 이러한 반응은 기체와 액체의 반응이기 때문에, 반응의 전체 키네틱스(kinetics)는 화학적 키네틱스 및 물리적 키네틱스 (즉, 염소 가스의 확산) 모두에 의해 조절된다. 화학적 키네틱스은 개시 방법 뿐만 아니라 치환체 또는 벤젠 상의 치환체의 본질에 필수적으로 의존한다.
이것은 라디칼 사슬 반응이고, 수율은 염소화의 각 단계 사이 (즉, 개시 -CH3에서 모노염소화된 화합물 -CH2Cl, 그 다음 디염소화된 화합물 -CHCl2그리고 최종적으로 트리염소화된 화합물 -CCl3까지) 에서 크게 감소한다.
결과적으로, 반응의 말기로 향해서, 치환될 수 있는 -CH3에 대한 수소 원자의 함량이 비교적 낮을 때, 부반응, 예컨대 고리상의 염소화가 일어날 수 있다.
특히, 이들 부반응은 이용가능한 염소의 양이 증가함에 따라 그리고 충분한 양의 라디칼이 더 이상 존재하지 않을 때 상당히 증가할 것이다.
이들 불리한 점을 줄이기 위해, 원하지 않는 부반응을 감소시키기 위해 질소와 같은 불활성 가스로 과량의 염소를 희석시키는 것이 트리클로로메틸벤젠의 제조에 관한 특허출원 FR 2,156,911 에 기재되어 있다.
또한, 이 출원에서, 염소 하의 중간물질의 완전한 염소화를 달성하기 위해 긴 잔류 시간 (접촉 시간)이 사용된다.
그러나, 이러한 조작은 지나친 양의 염소가 불활성 가스와 함께 유출물을 통과하는 불리한 점이 있고, 이는, 반응 동안에 제조된 기상 염산을 회수하는 것이 바람직한 경우 상기 유출물에 대한 연속적인 처리 조작; 또는 파괴 조작, 또는 상기 출원에서와 같이 제2 염소화 플랜트의 사용을 필요로 한다. 이는 출원 FR 2,156,911 에서 톨루엔의 광화학 염소화가 두 개의 구역으로 분리되어 있는 반응기의 케스케이드 (cascade)에서 수행되기 때문이다.
5 개의 반응기로 이루어진 제1 구역에서, 톨루엔 1 몰에 대해 2.3 내지 2.9 몰의 염소, 즉, 트리클로로메틸 벤젠을 제조하는데 이론적으로 필요한 86 내지 96 % 의 염소의 양의 염소를 주입한다.
계속해서, 수득한 혼합물을 4개의 반응기로 이루어진 제2 구역에서 불활성 기체로 희석된 과량의 염소로 염소화한다.
마지막 반응기로부터의 유출물은 제1 구역의 첫 번째 반응기로 통과한다. 배출되는 HCl 중 염소 함량은 1 % 미만이다.
제2 구역에서, 마지막 반응기의 체적은 두 개의 구역의 모든 이전 반응기의 체적의 2 내지 3 배이다.
그러나, 이러한 장치는 부산물을 충분히 제거할 수 없다. 수득한 최종 생성물은 약 5 % 의 고리 염소화 부산물을 포함한다.
특허 US 4,056,455 에, 10 개의 반응기의 케스케이드에서 반응을 수행하는 톨루엔의 연속 광염소화 방법이 기재되어 있다.
톨루엔은 제1 반응기에 도입되고, 예정된 양의 염소 가스는 반응기 2 내지 9 에 공급된다.
염소가 풍부한 반응기 5 내지 10 의 유출물은 반응기 2 및 3 으로 되돌아간다.
마찬가지로, 반응기 2 내지 4 의 유출물은 고농도의 톨루엔을 포함하는 반응기 1 로 도입되어, HCl 에 존재하는 대부분의 염소는 전환된다.
그러나, 이러한 공정으로, 기상 염산은 여전히 상당한 양, 즉 2 중량 % 이하의 염소를 포함한다.
이러한 양의 염소로 인해 물로 염산을 세정(scrubbing)할 때 비말동반된 메틸벤젠의 고리 상에서 염소화가 일어난다. 이로써, 박리로 메틸클로로벤젠(중(重)생성물)을 제거하기 어렵고 존재하는 상을 실질적으로 재순환할 수 없기 때문에 염산 용액의 양은 부족하게 된다.
또한, 플랜트를 도식적으로 나타낸 도 1 에서, 10 개의 반응기가 동일한 방식으로 나타나 있다. 결과적으로, 상기 반응기는 크기에만 차이가 있다.
또한, 산소는 라디칼 반응, 특히 방향족 또는 지방족 유기 화합물의 염소화 반응에 영향을 미치고, 이러한 영향은 반응의 진행에 유익하거나 유익하지 않을 수 있다.
따라서, Serguchev Jv. A. 등 (Zhurnal org. khim, (1983) IXI, Vol. 5, p. 1020 - 1023) 은 톨루엔의 측쇄의 라디칼 염소화 속도에 대한 산소의 작용을 연구했다.
90 내지 130 ℃ 의 온도에서 주의깊게 탈산화된 톨루엔과의 반응을 수행해서 그리고 약 0.02 체적 % 의 O2함량과 함께 염소를 사용해서 톨루엔의 트리클로로메틸벤젠으로의 염소화는 화학 개시제와 광조사의 존재에서 26 시간 후 95 % 수율로 수행된다.
연속적인 방법은 케스케이드의 몇 개의 (적어도 두 개의) 반응기에서 모노메틸벤젠 또는 디메틸벤젠을 점진적으로 염소화해서 하나 이상의 할로겐 원자에 의해 벤젠 고리 상에 치환될 수 있는 모노- 및/또는 비스(모노- 및/또는 디- 및/또는 트리클로로메틸)벤젠을 제조하기 위한 것인데, 첫 번째 반응기의 체적은 각 다른 반응기의 체적보다 더 크고 다른 반응기로부터 배출되는 모든 폐기가스가 상기 첫 번째 반응기로 전달되는 것을 특징으로 한다.
도 1 은 케스케이드 중 에나멜을 입힌 6 개의 반응기를 포함하는 플랜트를 나타내는 것이다.
도 2 는 케스케이드 중 에나멜을 입힌 2 개의 반응기를 포함하는 플랜트를 나타내고 있다.
본 발명에 따라, 반응은 50 ℃ 내지 180 ℃, 바람직하게는 75 ℃ 내지 145 ℃ 의 온도에서 광조사 하에서 수행된다.
반응은 또한 가스 (염소와 HCl) 중 50 vpm 이하, 바람직하게는 20 vpm 이하의 산소의 존재에서 수행된다.
본 발명에 따라, 첫 번째 반응기에 도입된 모노메틸벤젠 또는 디메틸벤젠은 공비 건조에 의해, 바람직하게는 첫 번째 반응기로부터 나오는 기상 유출액 (주로 형성된 염화수소로 이루어짐) 로 박리해서 미리 탈산화된다.
첫 번째 반응기의 체적은 단른 반응기 또는 반응기들의 체적보다 더 크다.
염소 가스는 당업자에게 공지되어 있는 전통적인 방법, 예컨대 탈가스에 으해 정제된다. 산소를 거의 함유하지 않는 염소가 생기는 제조 방법 (예컨대, 멤브레인 전기분해 공정) 에서 유래한 재증발된 염소를 이용할 수 있다.
본 발명에 따라, 첫 번째 반응기의 체적은 두 번째 반응기의 체적에 대해 1.5 내지 2 배, 적당하게는 세 번째 반응기의 체적의 2.5 내지 3 배 및 각 다른 반응기의 체적의 8 내지 10 배이다.
본 발명에 따라, 반응기의 수는 크게 변하는데 특히 원하는 염소화도 및 최종 생성물에 필요한 명세에 달려있다.
모노- 또는 비스(트리클로로메틸)벤젠을 얻기를 원하는 경우, 5 개 이상, 바람직하게는 6 개의 반응기를 이용할 수 있다. 이러한 구조에서, 모든 반응기에 새로운 염소를 공급하는데, 첫 번째 반응기는 제외한다.
모노- 또는 비스(모노- 또는 디클로로메틸)벤젠을 얻기를 원하는 경우, 2 또는 실로 3 개의 반응기를 사용할 것이다. 이러한 구조에서, 모든 반응기에 새로운 염소 가스를 공급한다.
본 발명에 따라, 광조사의 공급원으로서, 1 내지 15 kw , 바람직하게는 3 내지 10 kW 의 파워의 수은 증기 램프를 이용할 수 있다.
반응기에 대한 이들 램프의 수는 크게 변할 수 있다. 원하는 파워에 달려있다. 램프의 수는 반응기에 대해 1 내지 5 이다. 이들 램프는 바람직하게는 반응 혼합물에 잠기는 것이 바람직하다.
본 발명에 따라, 첫 번째 반응기 또는 반응기들은 통상의 반응기인데, 가스 스트림에 의해 교반되는 배플을 포함할 수 있다. 하기 및 최종 반응기는 플러그 플루우(plug-flow) 흐름형의 반응기가 바람직하다.
반응기는 적어도 하나의 축램프가 설치되어 있는데, 이 램프는 상부에 지지되어 있고 실질적으로 반응기 전체를 통과한다. 액체와 염소는 하부에 도입되고 추출되는 곳으로부터 반응기의 상부를 향해 상승한다.
염소화에 의해 방출된 반응열은 임의의 방법에 의해, 예컨대 재킷에서 순환하는 냉수의 연속 스트림에 의해 또는 반응기의 내부 또는 외부에 위치한 교환기에 의해 또는 휘발성 화합물의 증발에 의해 반응기로부터 제거될 수 있다.
통상, 반응은 대기압에서 수행되는 것이 바람직하다. 고압 또는 저압이 사용되지만 통상 과정 상에 실질적인 향상은 없다. 압력은 바람직하게 선택되어 염소는 각 반응기에 사용된 온도에서 항상 기상 형태이다.
본 발명에 따라, 각 반응기에 동일하거나 상이한 온도는 50 ℃ 내지 180 ℃, 바람직하게는 75 ℃ 내지 145 ℃ 이다.
본 발명에 따라, 액체 염소화 반응 혼합물은 하나의 반응기에서 다른 반응기로 중력으로 통과하는 것이 바람직하고 최종 반응기 후에 저장 탱크 내로 전달된다.
형성된 염화 수소, 미반응 염소 및 임의로 비말동반된 염소화 생성물을 포함하는 모든 반응기 (첫번째 반응기 제외) 로부터의 폐기가스는 첫 번째 반응기 내로 도입된다.
염산은 0.2 중량 % 미만의 염소 함량을 갖는 첫 번째 반응기로부터 배출된다.
염소/염소화된 화합물의 몰비는 원하는 염소화된 생성물(들)에 달려있다.
따라서, 비는, 트리클로로메틸 벤젠을 얻기를 원할 때, 약 3/1 이다.
바람직하게는 디클로로메틸벤젠을 얻기를 원하는 경우, 이러한 비는 2/1 초과, 바람직하게는 2.01/1 내지 2.05/1 이 될 것이다.
모노- 및 디클로로메틸벤젠의 혼합물을 얻기를 원하는 경우, 이 비는 크게 변할 것이고 원하는 모노- 및 디클로로메틸벤젠의 양에 달려있다.
반응 생성물이 고체, 예를 들어 1,4-비스(트리클로로메틸)벤젠인 경우, 플루오르화된 용매 또는 염소화된 용매에서 선택되는 것이 바람직한 가벼운 불활성을 사용할 수 있다. 그와 같은 용매로서, 카본 테트라클로라이드, 클로로포름 또는 1,4-클로로트리플루오로메틸벤젠을 언급할 수 있다.
따라서, 벤질 클로라이드가 풍부한 혼합물을 얻기를 원하는 경우, 톨루엔에 대한 염소의 몰비 0.4 내지 0.6 로 반응을 수행하는 것이 유익하다.
본 발명에 따라 사용될 수 있는 모노메틸벤젠 또는 디메틸벤젠의 예로서, 톨루엔, 클로톨루엔, 플루오로톨루엔, 2,4- 및 2,6-디클로로톨루엔, 자일렌 및 둘 이상의 이들 화합물의 혼합물을 언급할 수 있다.
방법은 특히 톨루엔, 자일렌 및 파라클로로톨루엔에 적용된다.
이러한 방법은 고수율의 모노- 및/또는 비스(모노- 및/또는 디- 및/또는 트리클로로메틸)벤젠을 얻을 수 있는 이점이 있다.
또한, 얻은 HCl 은 ≤ 0.2 중량 % 의 염소 함량을 갖는다.
이러한 방법은 또한 유연성이 큰 것은 반응기의 수를 변화시켜 모노- 및 비스(트리클로로메틸)벤젠 또는 모노- 또는 비스(모노- 및/또는 트리클로로메틸)벤젠을 제조할 수 있기 때문이다.
하기 실시예로 본 발명을 설명한다.
실시예 1
톨루엔의 염소화에 의한 트리클로로메틸벤젠의 제조
도 1 에 나타낸 바와 같이 케스케이드 중 에나멜을 입힌 6 개의 반응기를 포함하는 플랜트를 사용하고, 상기 반응기는 반응 혼합물에 담겨져 있는 수은 증기 램프가 설치되어 있다 (이들 램프는 도 1 에 나타나 있다).
반응기의 체적, 반응기에 대한 램프의 수 및 이들 램프의 파워는 표 1 에 나타나 있다. 이 플랜트에서, 6.82 kmol 의 톨루엔 및 20.7 kmol 의 새로운 염소는 계속해서 시간에 대해 반응하는데, 이는 톨루엔에 대한 염소의 몰비 3.03 에 상응한다.
각 반응기의 온도는 표 1 에 나타나 있다.
새로운 염소는 표 1 에 나타나 있는 (시간당) 유속으로 파이프 12.1, 12.2, 12.3, 12.4 및 12.5를 통해 각 반응기 2 내지 6 에 도입된다.
미리 탈산화되고 5 mg/kg 미만의 산소 함량을 갖는 톨루엔은 627.44 kg/h 의 유속으로 파이프 11을 통해 반응기 1 로 전달된 다음, 파이프 13.1, 13.2, 13.3, 13.4 및 13.5 를 통해 각 반응기 2 내지 6 을 통해 중력으로 통과한다.
반응기 체적(m3) 수은 증기 램프 온도(℃) 공급물
반응기에 대한 수 각 램프의 파워 (w) 톨루엔(kg/h) 새로운 염소(kg/h)
1 2.5 3 4 96.1 627.44 -
2 1.5 3 4 151.8 - 783.7
3 1 3 4 135.9 - 392.9
4 0.3 1 8 144.3 - 224.9
5 0.3 1 8 143.5 - 57.9
6 0.3 1 8 138.1 - 11.1
1335.48 kg 의 트리클로로메틸벤젠을 파이프 16 을 통해 시간당 얻는다.
톨루엔을 반응기 1 에 공급하는 유속 및 새로운 염소를 반응기 2 내지 6 에 공급하는 유속은 표 1 에 나타나 있다.
파이프 14.1, 14.2, 14.3, 14.4 및 14.5 를 통해 반응기 2 내지 6 를 배출되는 폐기가스는 파이프 15 에 모이고 반응기 1 에 도입된다. 반응기 1 에 들어가는 이들 폐기가스는 약 40 중량 % 의 HCl 가스 및 13 중량 % 의 미반응 염소를 포함한다. 이들은 또한 미전환 톨루엔 (약 8 %) 및 비말동반된 모노-, 디- 및 트리클로로메틸벤젠을 포함한다.
각 반응기로부터 나오는 액체 반응 생성물의 중량 조성은 표 2 에 나타나 있다. 표 2에서, Y1 는 클로로메틸벤젠을 나타내고, Y2 는 디클로로메틸벤젠을 나타내고, Y3 는 트리클로로메틸벤젠을 나타낸다.
"중생성물"은 고리 상에서 염소화된 생성물을 나타낸다.
파이프 17 을 통해 반응기 1 로부터 나오는 염화 수소는 0.2 중량 % 미만의 염소 함량을 갖는다.
수득한 트리클로로메틸벤젠의 순도는 97.7 % 이고, 디클로로메틸벤젠의 함량은 0.11 중량 % 이고, 부산물의 잔류물은 고리 상에 염소화되거나 이중 결합에의 첨가에 의해 염소화된 트리클로로메틸벤젠 및 두 개의 방향족 고리를 갖는 커플링 생성물로 실질적으로 구성된다.
반응기 각 반응기에서 나오는 액체 생성물의 조성 (중량 %)
톨루엔 Y1 Y2 Y3 중생성물
1 38.23 23.11 16.22 20.54 0.16
2 2.3 17.78 41.71 36.72 0.28
3 0.03 2.15 27.60 68.95 0.61
4 0.01 0.75 11.99 86.05 0.56
5 - - 0.73 97.36 0.93
6 - - 0.11 97.74 1.22
실시예 2
클로로메틸벤젠 및 디클로로메틸벤젠의 제조
도 2 에 나타낸 바와 같이 케스케이드 중 에나멜을 입힌 2 개의 반응기를 포함하는 플랜트를 사용하고, 상기 반응기는 반응 혼합물에 담겨져 있는 수은 증기 램프가 설치되어 있다 (이들 램프는 도 2 에 나타나 있다). 두 개의 반응기의 체적, 반응기에 대한 램프의 수 및 이들 램프의 파워는 표 3 에 나타나 있다.
이 플랜트에서, 33.15 kmol 의 톨루엔 및 18.31 kmol 의 새로운 염소는 계속해서 시간에 대해 반응하는데, 이는 톨루엔에 대한 염소 몰비 0.55 에 상응한다.
각 반응기의 온도는 표 3 에 나타나 있다.
새로운 염소는 파이프 표 3 에 나타나 있는 (시간당) 유속에서 파이프 22.1 및 22.2 를 통해 각 반응기 1a 및 2a 에 도입된다.
미리 탈산화되고 약 3 mg/kg 미만의 산소 함량을 갖는 톨루엔은 3050 kg/h 의 유속으로 파이프 21 을 통해 반응기 1a 로 전달된 다음, 파이프 23.1 를 통해 반응기 2a 에 중력으로 들어가고, 그때, C6H5CH2Cl 및 C6H5CHCl 의 혼합물을 형성한다.
51.93 중량 % 의 클로로메틸벤젠, 6.78 중량 % 의 디클로로메틸벤젠 및 41.12 중량 % 의 미전환 톨루엔을 포함하는 3681.7 kg 의 혼합물을 파이프 25 를 통해 시간당 얻는다. 이러한 혼합물은 계속해서 감압하에서 분별 증류를 수행한다.
반응기 체적 (m3) 수은 증기 램프 온도(℃) 공급물 (새로운 염소, kg/h)
반응기에 대한 수 각 램프의 파워 (w)
1a 2.5 3 4 100 767.1
2a 1.5 3 4 116.6 533.5
파이프 24를 통해 반응기 2a 에서 나오는 폐기가스는 반응기 1a 에 도입된다. 이들 가스는 약 42 중량 % 의 HCl 가스 및 1 중량 % 미만의 미반응 염소를 포함한다.
각 반응기에서 나오는 액체 반응 생성물의 중량 조성은 표 4 에 나타나 있다.
표 4 에서, Y1 은 클로로메틸벤젠을 나타내고, Y2 는 디클로로메틸벤젠을 나타내고 Y3 는 트리클로로메틸벤젠을 나타낸다.
각 반응기에서 나오는 액체 생성물의 조성 (중량 %)
톨루엔 Y1 Y2 Y3
1a 61.84 35.09 3 0.05
2a 41.12 51.93 6.78 0.17
파이프 26 을 통해 반응기 1a 에서 나오는 염화 수소는 0.2 중량 % 미만의 염소 함량을 갖는다.
본 발명의 방법으로 모노- 및 비스(모노- 및/또는 디- 및/또는 트리클로로메틸)벤젠을 연속적으로 제조할 수 있다.

Claims (9)

  1. 케스케이드의 몇 개의 반응기에서 모노메틸벤젠 또는 디메틸벤젠을 점진적으로 염소화해서 하나 이상의 할로겐 원자에 의해 벤젠 고리 상에 치환될 수 있는 모노- 및/또는 비스(모노- 및/또는 디- 및/또는 트리클로로메틸)벤젠의 연속 제조 방법에 있어서, 첫 번째 반응기의 체적은 각 다른 반응기의 체적보다 더 크고 다른 반응기로부터 배출되는 모든 폐기가스가 상기 첫 번째 반응기로 전달되는 것을 특징으로 하는 방법.
  2. 제 1 항에 있어서, 반응이 광조사 하에서 수행되는 것을 특징으로 하는 방법.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 반응이 50 ℃ 내지 180 ℃ 의 온도에서 수행되는 것을 특징으로 하는 방법.
  4. 제 1 항 내지 제 3 항 중의 어느 한 항에 있어서, 반응이 가스 중 50 vpm 이하의 산소의 존재에서 수행되는 것을 특징으로 하는 방법.
  5. 제 1 항 내지 제 4 항 중의 어느 한 항에 있어서, 첫 번째 반응기의 체적이 두 번째 반응기의 체적에 대해 1.5 내지 2 배, 적당하게는 세 번째 반응기의 체적의 2.5 내지 3 배 및 각 다른 반응기의 체적의 8 내지 10 배인 것을 특징으로 하는 방법.
  6. 제 1 항 내지 제 5 항 중의 어느 한 항에 있어서, 반응이 케스케이드 중 6 개의 반응기에서 수행되는 것을 특징으로 하는 트리클로로메틸벤젠의 연속 제조 방법.
  7. 제 6 항에 있어서, 반응이 첫번째 반응기를 제외한 반응기에 새로운 염소를 도입해서 반응을 수행하는 하는 것을 특징으로 하는 방법.
  8. 제 1 항 내지 제 5 항 중의 어느 한 항에 있어서, 반응을 두 개의 반응기에서 수행하는 것을 특징으로 하는 (모노- 및 디클로로메틸)벤젠의 연속 제조 방법.
  9. 제 8 항에 있어서, 두 개의 반응기에 새로운 염소를 도입해서 반응을 수행하는 것을 특징으로 하는 방법.
KR1019990012435A 1998-04-09 1999-04-09 모노-및/또는비스(모노-및/또는디-및/또는트리클로로메틸)벤젠의연속제조방법 KR19990087896A (ko)

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FR9804460 1998-04-09
FR9804460A FR2777277A1 (fr) 1998-04-09 1998-04-09 Procede de preparation en continu de mono et/ou bis(mono-, et/ou di-, et/ou trichloromethyl) benzenes

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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DE10101150A1 (de) * 2001-01-12 2002-07-18 Bayer Ag Verfahren zur Herstellung trifluormethyl-substituierter Biphenylcarbonsäuren und neue trichlormethyl-und trifluormethyl-substituierte Biphenylcarbonitrile
CN104592000B (zh) * 2014-12-22 2017-01-11 上海方纶新材料科技有限公司 制备氯甲酰基取代苯的清洁工艺
CN104591958B (zh) * 2015-02-03 2016-09-07 上海方纶新材料科技有限公司 连续化生产三氯甲基取代苯的方法和装置
CN107417490B (zh) * 2017-05-23 2021-09-10 方圆化工有限公司 塔式连续光氯化法制氯苄
CN109970507B (zh) * 2019-04-30 2022-09-27 山东道可化学有限公司 一种3,4-二氯三氟甲苯的连续化生产方法及连续生产设备

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB583634A (en) * 1943-11-11 1946-12-23 Du Pont Production of chlorinated hydrocarbons
US2810688A (en) * 1954-08-20 1957-10-22 Dow Chemical Co Process for preparation of poly(perchloromethyl) benzenes
DE2139779B1 (de) * 1971-08-09 1972-12-07 Farbwerke Hoechst AG, vormals Mei ster Lucius & Bruning, 6000 Frankfurt Verfahren zur Herstellung von chlorsubstituierten Benzyl und Benzal Chloriden
US3816287A (en) * 1971-10-22 1974-06-11 Bayer Ag Photolytic process for the continuous production of benzotrichloride with a low benzal chloride content
DE2530094C2 (de) * 1975-07-05 1979-06-07 Hoechst Ag, 6000 Frankfurt Verfahren zur kontinuierlichen Herstellung von Mono- oder DKtrichlormethyl)benzolen

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