KR19990087019A

KR19990087019A - 자기검출장치_

Info

Publication number: KR19990087019A
Application number: KR1019980057678A
Authority: KR
Inventors: 마사히로 요코타니; 이즈루 신죠; 야스요시 하타자와; 나오키 히라오카
Original assignee: 다니구찌 이찌로오, 기타오카 다카시; 미쓰비시덴키 가부시키가이샤
Priority date: 1998-05-11
Filing date: 1998-12-23
Publication date: 1999-12-15
Also published as: KR100323906B1; DE19853482B4; JP3411502B2; DE19853482A1; JPH11325959A; US6211669B1

Abstract

GMR 소자를 한정된 자계범위에서 동작시킴으로써, 저항치 변화를 최적화하고, 노이즈 내량을 향상할 수가 있는 자기검출장치를 얻는다.

자계를 발생하는 자석(4)과 이 자석과 소정의 간격을 갖고 배치되고, 자석에 의해 발생된 자계를 변화시키는 돌기형상을 구비한 자성회전체(2)와, 이 자성회전체에서 변화된 자계에 따라 저항치가 변화하는 거대자기저항소자(3)를 구비하고 거대자기저항소자를 거대자기저항소자에 큰 저항변화율을 부여하는 소정범위의 자계강도 예를들면 100±50[Oe]의 바이어스자계가 인가되는 위치에 자석과 소정의 간극을 갖고 배치되어 있다.

Description

자기검출장치

본 발명은, 인가자계의 변화를 검출하는 자기검출장치에 관해, 특히 예를들면 내연기관의 회전정보를 검출할때에 사용해서 호적한 자기검출장치에 관한 것이다.

일반적으로 GMR소자는 일본응용자기학회지 Vd. 15, No 51991, P813~821 인공격자의 자기저항효과에 기재되어 있는 수옹스트롬에서 수십옹스트롬의 두께의 자성충과 비자성충을 교호로 적층시킨 적층체, 소위 인공 격자막이고,(Fe/Cr)n, (퍼말로이/Cu/Co/Cu)n, (Co/Cu)n 가 알려져 있고 이는 종래의 자기저항소자(이하, MR소자라고 한다)와 비교해서 특히 큰 MR효과(MR변화율)을 갖는 동시에 인접한 자성층의 자화의 향의 상대각도에만 의존하므로, 외부자계의 향이 전류에 대해 어떤 각도차를 갖고 있어도, 같은 저항치변화가 얻어지는 면내 감자의 소자이다.

그래서 자계의 변화를 검출하기 위해 거대자기저항소자(이하, GMR소자라고 한다)로 감자면을 형성하고 그 감자면의 각단에 전극을 형성해서 브리지를 형성하고 이 브리지가 대향하는 2개의 전극간에 정전압, 정전류의 전원을 접속하고, GMR 소자의 저항치변화를 전압변화로 변환해서, 이 GMR소자에 작용하고 있는 자계변화를 검출하는 방식이 있다.

도 12 는 상기 일반적인 GMR소자를 사용한 종래의 자기검출장치를 표시하는 구성도이고, 도 12 의 (a)는 그 측면도, 도 12 의 (b)는 그 평면도이다.

이 자기검출장치는 회전축(1)과 자계를 변화시키는 돌기형상을 구비하고, 회전축(1)과 동기해서 회전하는 자성회전체(이하 플레이트라고 함)(2)와, 이 플레이트(2)와 소정의 간극을 갖고 배치된 GMR소자(3)과 GMR소자(3)에 자계를 부여하는 자석(4)로 구성되고, GMR소자(3)은 감자면 부분에 자기저항패턴(3a)(3b)가 형성되어 있다.

또 이 GMR소자(3)은 비자성체의 고정부재(도시않음)에 의해 자석(4)에 소정의 간극을 갖고 부착된다.

그래서 플레이트(2)가 회전함으로써 GMR소자(3)에 인가되는 자계가 변화해 자기저항패턴(3a),(3b)의 저항치가 변화한다.

도 13 은, 종래의 자기검출장치를 표시하는 블록도이다.

이 자기검출장치는, 플레이트(2)와 소정의 간극을 두고 배치되고 자석(4)로부터 자계가 부여되는 GMR소자를 사용한 휘트스톤브리지회로(11)와, 이 휘트스톤브리지회로(11)의 출력을 증폭하는 차동증폭회로(12)와, 이 차동증폭회로(12)의 출력을 기준치와 비교하는 비교회로(13)와, 이 비교회로(13)의 출력을 "O" 또는 "1"의 신호를 출력단자(15)에 출력하는 파형정형회로(14)를 구비한다.

도 14 는 도 13 의 블록도의 구체적 회로구성의 한예를 표시하는 도면이다.

휘트스톤브리지회로(11)는 예를들면 각변에 각 GMR소자저항 10A,10B,10C 및 10D를 갖고, GMR소자 10A 와 10C 의 각 1단은 공통접속되고, 접속점(16)을 통해서 전원단자 Vcc 에 접속되고, GMR소자 10B 와 10D 의 각 1단은 공통접속되고, 접속점(17)을 통해서 접지되고, GMR소자 10A 와 10B 의 각 단자는 접속점(18)에 접속되고, GMR소자 10C 와 10D 의 각 단자는 접속점(19)에 접속된다.

그리고 휘르스톤브리지회로(11)에 접속점(18)이 저항기를 통해서 차동증폭회로(12)의 앰프(12a)의 반전입력단자에 접속되고, 접속점(19)이 저항기를 통해서 앰프(12a)의 비반전 입력단자에 접속되는 동시에 다시 저항기를 통해서 기준전원을 구성하는 분압회로에 접속된다.

또 앰프(12a)의 출력단자는 비교회로(13)의 반전입력단자에 접속되고 비교회로(13)의 비반전 입력단자는 기준전원을 구성하는 분압회로에 접속되는 동시에 저항기를 통해서 자기의 출력단자에 접속된다.

그리고 비교회로(13)의 출력측이 파형정형회로(14)의 트랜지스터(14a)의 베이스에 접속되고, 그 콜렉터는 출력단자(15)에 접속하는 동시에 저항기를 통해서 전원단자 Vcc 에 접속되고, 그 이미터는 접지된다.

다음 동작에 대해 도 15를 참조해서 설명한다.

플레이트(2)가 회전함으로써, 도 15 의 (a)에 표시한 요철에 대응해서 휘트스톤브리지회로(11)를 구성하는 GMR소자 10A 와 10D 에는 같은 자계변화가 부여되고, GMR소자 10B 와 10C 에는 GMR소자 10A,10D 하고는 다른 자계변화가 부여되게 된다.

이 결과 플레이트(2)의 요철에 대응해서 GMR소자 10A,10D 와 10B,10C 의 저항치가 변화하고, GMR소자 10A,10D 와 10B,10C 의 저항치의 최대 최소가 되는 위치가 역이 되고 휘트스톤브리지회로(11)의 접속점(18),(19)의 종점전압도 같이 변화한다.

그리고 이 중점전압의 차가 차동증폭회로(12)에 의해 증폭되고, 그 출력측에는 도 15 의 (b)에 표시하는바와같은, 도 15 의(a)에 표시하는 플레이트(2)의 요철에 대응한 실선으로 표시하는바와같은 출력 V_DO가 얻어진다.

이 차동증폭회로(12)의 출력은, 비교회로(13)에 공급되어서 그 비교레벨인 기준치 V_TH와 비교되고, 이 신호는 다시 파형정형회로(14)에서 파형정형되고, 이 결과 출력단자(15)에는 도 15 의 (c)에 실선으로 표시하는바와같은 "O" 또는 "1"의 출력이 얻어진다.

그런데, 종래의 자기검출장치에서는, GMR소자에 자계를 인가하는 자석의 사이즈와, GMR소자에 자계변화를 부여하는 자성회전체의 돌기폭, 돌기피치와 GMR소자의 저항 패턴사이즈, 패턴피치의 최적화가 불충분하므로, GMR소자 메리트인 큰 저항변화가 얻어지지 않고, 큰 게인을 취할 수 없으므로, 노이즈의 영향을 받기 쉽고, 노이즈 내량이 낮다는 문제점이 있었다.

본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위해 된 것으로, 검출해야할 자성회전체의 돌기형상에 대응해서, GMR소자의 저항치 변화를 최대한으로 사용하고, 노이즈 내량을 향상할 수 있는 자기검출장치를 얻는 것을 목적으로 한다.

청구항 1 기재의 발명에 관한 자기검출장치는 자게를 발생하는 자계발생수단과, 이 자계발생수단과 소정의 간극을 갖고 배치되고, 이 자계발생수단에 의해 발생된 자계를 변화시키는 돌기형상을 구비한 자성회전체와, 이 자성회전체에서 변화된 자계에 따라 저항치가 변화하는 거대자기저항소자를 구비하고, 상기 거대자기저항소자를 이 거대자기저항소자에 큰 저항변화를 부여하는 소정범위의 자계강도를 갖는 바이어스 자계가 인가되는 위치에 상기 자계발생수단과 소정의 간극을 갖고 배치하도록 한 것이다.

청구항 2 기재의 발명에 관한 자기검출장치는 청구항 1 의 발명에서, 상기 자계발생수단의 상기 자성회전체의 회전방향 사이즈를 L로 하고, 상기 거대자기저항소자에 인가되는 바이어스 자계의 자계 벡터방향을 θ(상기 거대자기저항소자의 감자면에 수직인 벡터를 O⁰)로 할 때, θ={(L/2)+4}±2[⁰]가 성립되도록 상기 거대자기저항소자의 자기저항패턴을 배치하도록 한 것이다.

청구항 3 기재의 발명에 관한 자기검출장치는 청구항 1 의 발명에서 브리지회로를 구성하는 상기 거대자기저항소자의 자기저항패턴간의 피치를 P라 하고, 상기 거대자기저항소자에 바이어스자계를 인가하는 상기 자계발생수단의 상기 자성회전체의 회전방향 사이즈를 L로 하고, 상기 자성회전체의 돌기폭을 M라고 했을 때,

P={L×(0.25×M+0.4)/7}±0.3[mm]

가 성립되도록 상기 거대자기저항소자의 자기저항패턴을 배치하도록 한 것이다.

도 1 은 본 발명에 관한 자기검출장치에 사용되는 GMR 소자의 인가자계 ±1000[Oe]에서의 MR특성을 표시하는 도면.

도 2 는 본 발명에 관한 자기검출장치에 사용되는 GMR 소자의 인가자계 0~300[Oe]의 50[Oe]스텝마다의 저항치변화의 온도특성을 표시하는 도면.

도 3 은 본 발명에 관한 자기검출장치의 실시의 형태 1 에서의 GMR 소자의 인가자계 0~300[Oe]의 50[Oe]스텝마다의 MR비의 온도특성을 표시하는 도면.

도 4 는 본 발명에 관한 자기검출장치의 실시의 형태 2 의 요부를 표시하는 배치도.

도 5 는 본 발명에 관한 자기검출장치의 실시의 형태 2 에서의 자석사이즈와 인가자계 벡터방향의 관계를 표시하는 도면.

도 6 은 본 발명에 관한 자기검출장치의 실시의 형태 3 의 요부를 표시하는 배치도.

도 7 은 본 발명에 관한 자기검출장치의 실시의 형태 3 에서의 자석사이즈와 GMR소자의 저항변화의 비율 △R의 관계를 표시하는 도면.

도 8 은 본 발명에 관한 자기검출장치의 실시의 형태 3 에서의 플레이트 돌기폭과 GMR 소자의 저항변화의 비율 △R의 관계를 표시하는 도면.

도 9 는 본 발명에 관한 자기검출장치의 실시의 형태 3 에서의 플레이트 돌기피치와 GMR소자의 저항변화의 비율 △R의 관계를 표시하는 도면.

도 10 은 본 발명에 관한 자기검출장치의 실시의 형태 3 에서의 자석사이즈, GMR소자의 자기저항 패턴피치 및 플레이트의 돌기폭의 관계를 표시하는 도면.

도 11 은 본 발명에 관한 자기검출장치의 실시의 형태 3 에서의 자석사이즈, GMR소자의 자기저항 패턴피치, 및 플레이트의 돌기폭 및 플레이트의 돌기피치의 관계를 표시하는 그래프.

도 12 는 종래의 자기검출장치를 표시하는 구성도.

도 13 은 GMR 소자를 사용한 자기검출장치의 회로구성을 개략적으로 표시하는 블록도.

도 14 는 도 13 의 구체적 회로구성의 한예를 표시하는 회로도.

도 15 는 도 14 의 동작설명에 제공하기 위한 파형도.

<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명>

2. 자성회전체(플레이트) 3. GMR소자,

3a,3b. 자기저항패턴, 4. 자석,

10A,10B,10C,10D. GMR소자저항,

11. 휘트스톤브리지회로, 12. 차동증폭회로,

13. 비교회로, 14. 파형정형회로,

15. 최종출력,

이하 본 발명에 관한 자기검출장치의 각 실시형태를 도면을 참조해서 설명한다.

실시형태 1

본 발명의 실시형태 1을 표시하는 구성도, 회로블록도, 구체적회로구성도 및 동작에 대해서는 후술되는 GMR소자의 자기저항패턴의 자석에 대한 배치의 방법이 다른 이외는 종래와 같으므로, 그 상세 설명은 생략한다.

본 실시의 형태에서는 GMR소자에 인가되는 바이어스자계, 즉 자성회전체인 플레이트에서 변화된 자계의 강도를 100±50[Oe]가 되도록, GMR소자의 감자면 부분에 형성되어 있는 자기저항패턴을 자석에 대해 배치하는 것이다.

도 1 에 GMR 소자에 0~1000[Oe]의 자계를 인가한 경우의 저항변화율(이하, MR비라고 함)의 그래프를 표시한다.

MR비={(Rmax-Rmin)/Rmin}×100[%]

로 표시하고, Rmax 는 저항최대치, Rmin 는 저항최소치이다.

다음, 자성회전체의 요철에 의한 자계변화를 상정하고, 도 2 에 GMR소자에 0~50, 50~100, 100~150, 150~200, 200~250 , 250~300 의 50[Oe]스텝의 자계를 인가한 경우의 저항변화율 특성의 그래프를 표시한다.

여기서 상 50[Oe]스텝의 인가자계에 대한 저항변화율 특성에 착안해, 도 3 에 그 특성을 그래프에 표시한다.

이 그래프로부터 가장 좋은 MR비가 얻어지는 GMR소자의 인가자계범위는 50~150[Oe]이고, 자석에서 발생되는 자성회전체의 요철에 의해 자계변화를 받은 GMR소자에 인가되는 바이어스자계는 100[Oe]에 설정함으로써 가장 좋은 MR비가 얻어지는 것을 알수 있다.

그래서, GMR소자를 GMR소자에 100±50[Oe]의 바이어스 자계가 인가하는 위치에 자석과 소정의 간극을 갖고 배치한다.

이로써 GMR소자의 저항변화를 최대한으로 사용해서 노이즈내량을 향상시킬수가 있다.

이와같이 본 실시의 형태에서는, GMR소자를 이 GMR소자에 100±50[Oe]의 바이어스 자계가 인가되는 위치에 자석과 소정의 간극을 갖고 배치함으로써 GMR소자의 저항변화를 최대한으로 사용해서 노이즈내량의 향상이 도모된다.

실시의 형태 2

도 4 는 본 발명의 실시형태 2 의 요부를 표시하는 배치도이다.

도면에서 L 는 자석의 플레이트회전방향사이즈, R 는 자석(4)의 플레이트 대향방향사이즈, S 는 자석(4)의 플레이트 수직축방향 사이즈, Q 는 자석(4)와 GMR소자(3)의 거리를 각각 표시한다.

상술한 실시의 형태 1 에서는 GMR소자에 인가되는 바이어스자계를 100±50[Oe]에 설정하였으나, 본 실시의 형태에서는 도 4 에 표시한바와같이 GMR소자(3)의 자기저항패턴(3a),(3b)에 100[Oe]의 바이어스 자계가 인가되는 위치에서 가장 좋은 MR비가 얻어지는 포인트는, 자석(4)의 플레이트 회전방향 사이즈(자석사이즈)L의 치수와, GMR 소자에 인가되는 바이어스 자계의 자계벡터방향(인가자계각) θ(상기 GMR 소자의 감자면에 수직인 벡터를 O⁰)에 상관이 있는 것에 착안하는 것으로, 도 5 는 그 상관관계를 표시하고 있다.

이 관계를 식으로 표시하면 다음식으로 표시된다.

θ={(L/2)+4}±2[⁰] --------- (1)

여기서 자석(4)의 플레이트 회전방향 사이즈와 GMR소자 3 에 인가되는 바이어스 자계의 자계벡터방향의 관계에서 상기(1)식이 성립하도록 GMR소자(3)의 자기저항패턴(3a),(3b)를 자석(4)에 대해 배치한다.

이로써, GMR소자(3)의 저항치 변화를 최대한으로 사용해서, 노이즈내량을 향상시킬수 있다.

또, 자석(4)의 플레이트 회전방향 사이즈 L 이외의 사이즈 R 및 S 의 치수에 대해서는 자석(4)과 GMR소자(3)의 거리 Q 에 의해 임의로 설정가능하다.

이와같이 본 실시형태에서는 자석의 플레이트 회전방향사이즈와 GMR 소자에 인가되는 바이어스 자계의 자계 벡터방향의 관계에서, 상기 (1)식이 성립하도록 GMR소자의 자기저항패턴을 자석에 대해 배치함으로써 GMR소자의 저항치 변화를 최대한 사용하고, 노이즈내량의 향상이 도모된다.

실시의 형태 3

도 6 은 본 발명의 실시의 형태 3 의 요부를 표시하는 배치도이고, 도면에서 L 는 자석(4)의 플레이트 회전방향사이즈, M 는 플레이트(2)의 돌기폭, N 는 플레이트(2)의 돌기피치, P 는 GMR소자(3)의 자기저항패턴(3a),(3b)의 피치를 각각 표시한다.

전술한 실시의 형태 2 에서는, 자석에 의해 발생된 자게를 변화시키는 플레이트의 돌기형상에 의해, GMR소자의 저항치변화를 최대한으로 사용할 수 없을때가 있다.

그래서, 본 실시의 형태에서는 플레이트의 돌기형상을 고려한 GMR소자의 자기저항패턴의 최적배치를 하는 것이다.

우선 플레이트(2)의 돌기폭 M, 돌기피치 N 의 영향이 없어지도록 충분히 넓게하고, GMR소자(3)의 자기저항패턴(3a),(3b)의 피치 P 와 자석(4)의 플레이트 회전방향사이즈(자석사이즈)L를 최적배치한 경우의 GMR소자의 저항 변화의 비율 △R를 도 7 의 그래프에 표시한다.

이 그래프로부터 L>7mm에서 GMR소자의 저항변화는 포화되어 있는 것을 알수 있다.

다음에 자석(4)의 플레이트 회전방향 사이즈 L를 L>7 플레이트 돌기피치 N를 충분히 넓게 하고, GMR소자(3)의 자기저항패턴(3a),(3b)의 피치 P를 최적 배치한 경우의 플레이트(2)의 돌기폭 M 과 GMR 소자의 저항변화의 비율 △R 의 관계를 도 8 의 그래프에 표시한다.

이 그래프로부터 M>4mm에서 GMR소자의 저항변화는 포화되어 있는 것을 알수 있다.

또, 자석(4)의 플레이트회전방향 사이즈 L>7, 플레이트 돌기폭 M를 충분히 넓게 하고, GMR소자(3)의 자기저항패턴(3a),(3b)의 피치 P를 회적하게 배치했을때의 플레이트(2)의 돌기피치(N)과 GMR소자의 저항변화의 비율 △R의 관계를 도 9 의 그래프에 표시한다.

이 그래프로부터 N>6mm에서 GMR소자의 저항변화는 포화되어 있는 것을 알수 있다.

다음에, 자석(4)의 플레이트 회전방향사이즈 L 과 GMR소자(3)의 자기저항패턴(3a),(3b)의 피치(소자피치) P 및 플레이트(2)의 돌기폭 M 의 관계를 도 10 의 그래프에 표시한다.

이 그래프에 의해, 다음식이 성립된다.

P = {L×(0.25×M+0.4)/7}±0.3(mm) ------- (2)

단, L>7 의 경우는, 도 7 의 그래프로부터 △R 는 포화하기 때문에 상기(2)식에 L=7을 대입하고, 또 M>4 인 경우는 도 8 의 그래프에 의해 △R 는 포화되기 때문에 마찬가지로 상기 (2)식에 M=4를 대입하는 것으로 한다.

다음에, GMR소자(3)의 자기저항패턴(3a),(3b)피치(소자피치)P, 플레이트(2)의 돌기폭 M, 플레이트(2)의 돌기피치 N 의 관계를 도 11 의 그래프에 표시한다.

이 그래프와 (2)식으로부터 자석(4)의 플레이트 회전방향사이즈 L , GMR소자(3)의 자기저항패턴(3a),(3b)의 피치 P, 플레이트(2)의 돌기폭 M, 플레이트(2)의 돌기피치 N 에 관해서 다음식이 성립된다.

P=[(N-3)/4×{(0.3×M+0.3)×L/7-0.6}+0.6]±0.3[mm] ---- (3)

단, L>7 의 경우는, 도 7 의 그래프로부터 △R 는 포화하므로, 상기 (3)식에 L=7을 대입하고, M>4 인 경우는 도 8 의 그래프로부터 △R 는 포화하므로, 마찬가지로 상기(3)식에 M=4를 대입하고, N>7 의 경우는 도 11 의 그래프로부터 자기저항 패턴피치는 포화하므로, 상기 (3)식에 N=7을 대입하고, N<3 의 경우도 같이 도 11 의 그래프로부터 자기저항패턴피치는 포화하므로, 상기 (3)식에 N=3을 대입하는 것으로 한다.

그래서, 자석(4)의 플레이트 회전방향 사이즈 L, GMR 소자(3)의 자기저항패턴(3a),(3b)의 피치 P, 플레이트(2)의 돌기폭 M, 플레이트(2)의 돌기피치 N 의 관계에서 상기 (3)식이 성립되도록 GMR소자(3)의 자기저항패턴(3a),(3b)를 배치한다.

이로써 GMR 소자의 저항치변화를 최대한으로 사용해서 노이즈내량을 향상시킬수 있다.

이와같이 본 실시형태에서는 자석의 플레이트 회전방향사이즈, GMR소자의 자기저항 패턴의 피치, 플레이트의 돌기폭, 플레이트의 돌기피치의 관계에서 상기 (3)식이 성립하도록 GMR소자의 자기저항패턴을 배치함으로써 GMR소자의 저항치 변화를 최대한으로 사용하고, 노이즈내량의 향상이 도모된다.

이상과 같이 청구항 1 의 발명에 의하면 자계를 발생하는 자계발생수단과, 이 자계발생수단과 소정의 간극을 갖고 배치되고, 자계발생수단에 의해 발생된 자계를 변화시키는 돌기형상을 구비한 자성회전체와 이 자성회전체에서 변화된 자계에 따라 저항치가 변화하는 거대자기저항 소자를 구비하고, 이 거대자기저항소자를, 이에 큰 저항변화율을 부여하는 소정범위의 자계강도를 갖는 바이어스 자계가 인가되는 위치에 자계발생수단과 소정의 간극을 갖고 배치하도록 하였으므로 거대 자기저항소자의 저항치 변화를 최대한으로 사용함으로써 게인을 올릴수가 있고, 따라서 노이즈의 영향을 받기 어렵게 되고, 노이즈내량을 향상시킬수 있다는 효과가 있다.

청구항 2 기재의 발명에 의하면, 자계발생수단의 자성회전체 회전방향 사이즈를 L로 하고, 거대자기저항소자에 인가되는 바이어스 자계의 자계벡터방향을 θ(거대자기저항소자의 감자면에 수직인 벡터를 O⁰)로 했을 때, θ={(L/2)+4}±2[⁰]가 성립하도록 거대자기저항소자의 자기저항패턴을 배치하도록 하였으므로, 거대자기저항소자의 저항치 변화를 최대한으로 효과적으로 사용할 수 있고, 노이즈 내량을 보다 향상시킬수 있다는 효과가 있다.

청구항 3 기재의 발명에 의하면 브리지회로를 구성하는 거대자기저항소자의 자기저항패턴간의 피치를 P 로 하고, 거대자기저항소자에 바이어스 자계를 인가하는 자계발생수단의 자성회전체의 회전방향 사이즈를 L로 하고 자성회전체의 돌기폭을 M 라고 했을 때,

P={L×(0.25×M+0.4)/7}±0.3[mm]가 성립하도록 거대자기저항소자의 자기저항패턴을 배치하도록 하였으므로, 거대자기저항소자의 저항치변화를 최대한으로 효과적으로 사용할 수가 있고, 노이즈내량을 보다 향상시킬수 있다는 효과가 있다.

Claims

자계를 발생하는 자계발생수단과, 이 자계발생수단과 소정의 간극을 갖고 배치되고, 이 자계발생수단에 의해 발생된 자계를 변화시키는 돌기형상을 구비한 자성회전체와, 이 자성회전체에서 변화된 자계에 따라 저항치가 변화하는 거대자기저항소자를 구비하고, 상기 거대자기저항소자를, 이 거대자기저항소자에 큰 저항변화율을 부여하는 소정범위의 자계강도를 갖는 바이어스 자계가 인가되는 위치에 상기 자계발생수단과 소정의 간극을 갖고 배치하도록 한 것을 특징으로 하는 자기검출장치.
제 1 항에 있어서,

상기 자계발생수단의 상기 자성회전체의 회전방향 사이즈를 L 로 하고, 상기 거대자기저항소자에 인가되는 바이어스자계의 자계벡터 방향을 θ(상기 거대자기저항소자의 감자면에 수직인 벡터를 O⁰)로 한 경우

θ={(L/2)+4}±2[⁰]

가 성립하도록 상기 거대자기저항소자의 자기저항패턴을 배치하도록 한 것을 특징으로 하는 자기검출장치.
제 1 항에 있어서,

브리지회로를 구성하는 상기 거대자기저항소자의 자기저항 패턴간의 피치를 P로 하고, 상기 거대자기저항소자에 바이어스자계를 인가하는 상기 자계발생수단의 상기 자성회전체의 회전방향 사이즈를 L로 하고, 상기 자성회전체의 돌기폭을 M라고 했을 때,

P={L×(0.25×M+0.4)/7}±0.3[mm]

가 성립하도록 상기 거대자기저항소자의 자기저항패턴을 배치하도록 한 것을 특징으로 하는 자기검출장치.