KR19990076266A - 세정 효과를 향상시키는 반도체 세정 장치 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 세정 효과를 향상시키는 반도체 세정 장치를 개시한다. 이는 피세정물이 놓이는 패드, 및 상기 피세정물에 세정물을 분사하며 회전하는 노즐(nozzle)을 구비하여 상기 피세정물 상에 세정물이 분사되지 않는 부분이 발생하거나 상기 피세정물이 일정 방향으로만 세정되는 현상이 억제되므로 세정 효과가 향상된다.

Description

세정 효과를 향상시키는 반도체 세정 장치
본 발명은 반도체 제조 장치에 관한 것으로, 특히 원통형 노즐로부터 피세정물 표면 모두에 세정물이 분사되지 않아 피세정물 표면에 부착된 오염물질이 완전히 제거되지 않는 현상을 방지하는 세정 효과를 향상시키는 반도체 세정 장치에 관한 것이다.
반도체 세정 장치는 습식 세정(wet cleaning) 또는 건식 세정(dry cleaning) 방법으로 반도체 공정과 관련된 피세정물을 세정하여 상기 피세정물에 부착된 오염 물질을 제거하는 장치이다.
특히 상기 건식 세정 공정은 건식 식각(dry etching) 공정과 비교해볼 때 그 공정 진행 조건이 다른데, 즉 상기 건식 식각 공정은 진공 상태에서 화학적 작용에 의해 진행되는 반면 상기 건식 세정 공정은 일반 대기압 상태에서 물리적 작용에 의해 진행된다.
도 1은 종래 기술에 의한 반도체 세정 장치이다.
상기 도 1을 참조하면, 종래 기술에 의한 반도체 세정 장치(10)는 피세정물(14)이 놓이는 패드(pad, 11), 및 상기 피세정물(14) 상에 세정물(15)을 분사하는 노즐(nozzle, 13)을 다수개 구비하는 노즐 박스(12)를 포함한다.
다시말해서 상기 노즐(13)은 상기 피세정물(14)에 일정한 물리적 힘으로 상기 세정물(15)을 분사함으로써 상기 피세정물(14) 상에 부착된 오염 물질(16)을 제거하는 역할을 한다.
도 2는 상기 도 1에 도시된 노즐 박스(12)이다.
상기 도 2를 참조하면, (a)는 상기 노즐 박스(12)를 위에서 본 모양을 나타내고 (b)는 상기 노즐 박스(12)를 정면에서 본 모양을 나타낸다.
상기 노즐 박스(12)는 다수개의 원통형 노즐(13)을 구비하고, 상기 노즐(13)은 일정한 두께를 가짐으로써 상기 노즐(13)들 사이에 세정물이 분사되지 않는 부분(A)이 발생한다.
피세정물(도 1의 14)이 상기 A 부분까지 상기 노즐(13)에 근접할 경우 상기 노즐(13)을 통해 분사되는 세정물(15)은 피세정물에 부분적으로만 분사되는 단점이 있다.
따라서 상기 노즐(13)로부터 상기 세정물이 상기 피세정물에 분사되는 분사 거리를 수 ㎝로 증가시킨다. 그러나 세정물이 분사되는 물리적 힘은 분사 거리의 제곱에 반비례하므로 피세정물과 상기 노즐(13)간의 거리가 멀어질수록 상기 노즐(13)에서 분사되는 세정물이 피세정물에 분사되는 물리적 힘이 감소된다.
도 3은 상기 도 1에 도시한 반도체 세정 장치에서 소정의 패턴을 가진 피세정물이 세정되는 것을 나타낸다.
상기 도 3을 참조하면, 노즐(13)이 피세정물(14) 상에서 일정한 각도(θ)로 기울어짐으로써 상기 피세정물(14)에 분사되는 세정물(15)은 상기 피세정물(14)에 상기 각도(θ)로 분사된다.
따라서 상기 피세정물(14) 표면에 형성된 패턴의 양측벽 중 어느 하나, 예컨대 오른쪽 측벽(B)에는 상기 세정물(15)이 분사되지 않음으로써 세정 효과가 억제되는 단점이 있다.
다시말해서 종래의 반도체 세정 장치는 다음과 같은 문제점이 있다.
첫째, 피세정물과 노즐간의 거리를 작게함에따라 노즐들간의 간격으로 인해 피세정물 표면 중 세정물이 분사되지 않는 부분이 발생한다.
둘째, 피세정물과 노즐간의 거리를 크게함에따라 세정물이 피세정물에 분사되는 물리적 힘이 감소된다.
셋째, 노즐의 방향성으로 인해 피세정물이 일정 방향으로만 세정된다.
본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는, 상기 문제점을 제거하여 세정 효과를 향상시키는 반도체 세정 장치를 제공하는데 있다.
도 1은 종래 기술에 의한 반도체 세정 장치이다.
도 2는 상기 도 1에 도시된 노즐 박스(12)이다.
도 3은 상기 도 1에 도시한 반도체 세정 장치에서 소정의 패턴을 가진 피세정물이 세정되는 것을 나타낸다.
도 4는 본 발명에 의한 세정 효과를 향상시키는 반도체 세정 장치이다.
도 5는 상기 도 4에 도시된 노즐(112)이다.
도 6은 상기 도 4에 도시한 반도체 세정 장치에서 소정의 패턴을 가진 피세정물이 세정되는 것을 나타낸다.
상기 과제를 이루기 위하여 본 발명은 피세정물이 놓이는 패드, 및 상기 피세정물에 세정물을 분사하며 회전하는 노즐(nozzle)을 구비하고, 상기 피세정물은 상기 노즐에서 분사된 세정물의 물리적 힘에 의해 세정되는 것을 특징으로하는 세정 효과를 향상시키는 반도체 세정 장치를 제공한다.
상기 노즐은 평판형이고, 상기 패드는 회전축을 구비하여 회전되는 것이 바람직하다.
그리고 상기 반도체 세정 장치는 상기 노즐과 상기 피세정물 사이의 거리를 감지하는 센서를 더 구비하는 것이 바람직하고, 예컨대 상기 센서는 광원에서 조사된 빛 중 상기 피세정물에서 반사된 빛의 세기를 감지하는 광다이오드(photodiode)로 형성된다.
상기 피세정물은 웨이퍼 또는 반도체 소자 제조용 포토 마스크이고 습식 세정 또는 건식 세정되는 것이 바람직하다.
따라서 본 발명에 의한 세정 효과를 향상시키는 반도체 세정 장치는, 피세정물 상에 세정물이 분사되지 않는 부분이 발생하거나 피세정물이 일정 방향으로만 세정되는 현상이 억제되어 세정 효과가 향상된다.
이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명한다.
도 4는 본 발명에 의한 세정 효과를 향상시키는 반도체 세정 장치이다.
상기 도 4를 참조하면, 본 발명에 의한 반도체 세정 장치(100)는 피세정물(114)이 놓이는 패드(pad, 111), 상기 피세정물(114) 상에 세정물(115)을 분사하는 노즐(nozzle, 112), 및 센서(sensor, 116)를 포함한다.
상기 패드(111) 및 상기 노즐(112)은 회전축을 구비함으로써 360。 회전이 가능하고, 상기 노즐(112)은 일정한 물리적 힘으로 상기 세정물(115)을 상기 피세정물(114)에 분사하여 상기 피세정물(114) 상에 부착된 오염 물질을 제거한다.
상기 피세정물(114)은 반도체 제조 공정에 사용되는 것, 예컨대 웨이퍼 또는 반도체 소자 제조용 포토 마스크이고, 상기 세정물(115)은 액체, 즉 세정액 또는 기체이다.
따라서 상기 피세정물(114)은 습식 세정되거나 건식 세정된다.
상기 센서(116)는 상기 노즐(112)과 상기 피세정물(114) 사이의 거리(d)를 감지하는 것으로서, 예컨대 광다이오드(photodiode)로 형성된다.
즉, 광원(113)에서 나온 빛이 상기 피세정물(114) 상에 전달되면 상기 센서(116)는 상기 피세정물(114)에서 반사된 빛의 세기를 감지하여 전기적 신호로 변환한다. 따라서 상기 센서(116)에 나타난 전기적 신호에따라 관찰자는 상기 노즐(112)과 상기 피세정물(114) 사이의 거리(d)를 조절한다. 예컨대 상기 센서(116)에서 감지된 값이 일정 값보다 클 경우에는 상기 거리(d)를 작게 조절하고 상기 센서(116)에서 감지된 값이 일정 값보다 작을 경우에는 상기 거리(d)를 크게 조절한다.
이때 상기 반도체 세정 장치(116)는 상기 센서(116)에따라 상기 노즐(112)과 상기 피세정물(114) 사이의 거리(d)를 자동으로 조절하는 제어 수단을 더 구비할 수 있고 그 결과 상기 노즐(112)이 상기 피세정물(114)을 스크레치(scratch)하는 현상이 방지되고 상기 세정물(115)이 상기 피세정물(114)에 분사되는 물리적 힘을 일정하게 유지할 수 있다.
도 5는 상기 도 4에 도시된 노즐(112)이다.
상기 도 5를 참조하면, (a)는 상기 노즐(112)을 위에서 본 모양을 나타내고 (b)는 상기 노즐(112)을 정면에서 본 모양을 나타낸다.
상기 노즐(112)은 평판형(flat type)이므로 세정물(115)은 상기 노즐(112)로부터 일정한 물리적 힘으로 분사된다. 따라서 종래의 원통형 노즐에서 세정물(115)이 피세정물에 부분적으로 분사되는 현상은 발생하지 않는다.
도 6은 상기 도 4에 도시한 반도체 세정 장치에서 소정의 패턴을 가진 피세정물이 세정되는 것을 나타낸다.
상기 도 6을 참조하면, 노즐(112)은 일정한 각도(θ)로 기울어짐으로써 상기 노즐(112)에서 분사되는 세정물(115)은 상기 피세정물(114)에 상기 각도(θ)로 분사된다.
그러나 이때 상기 축(111) 및 상기 노즐(112)이 회전축을 구비하고 상기 회전축을 중심으로 회전한다. 따라서 상기 노즐(112)에서 분사되는 세정물(115)은 상기 피세정물(114) 표면에 형성된 패턴의 양측벽을 포함한 모두에 골고루 분사되어 상기 피세정물(114) 상에 부착된 오염 물질은 모두 제거된다.
본 발명은 도면에 도시된 일 실시예를 참고로 설명되었으나 이는 예시적인 것에 불과하며, 본 기술 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서, 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 등록청구범위의 기술적 사상에 의해 정해져야 할 것이다.
이상, 설명된 바와 같이 본 발명에 의한 세정 효과를 향상시키는 반도체 세정 장치는, 평판형이고 회전되는 노즐과 회전되는 패드를 구비함으로써 피세정물 상에 세정물이 분사되지 않는 부분이 발생하거나 피세정물이 일정 방향으로만 세정되는 현상이 억제되어 세정 효과가 향상되고 노즐과 피세정물 사이의 거리를 감지하는 센서를 구비함으로써 노즐에 의해 피세정물이 스크레치되는 것이 억제된다.

Claims (7)

  1. 피세정물이 놓이는 패드(pad); 및
    상기 피세정물에 세정물을 분사하며 회전하는 노즐(nozzle)을 구비하고,
    상기 피세정물은 상기 노즐에서 분사된 세정물의 물리적 힘에 의해 세정되는 것을 특징으로하는 세정 효과를 향상시키는 반도체 세정 장치.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 노즐은
    평판형인 것을 특징으로하는 세정 효과를 향상시키는 반도체 세정 장치.
  3. 제 1 항에 있어서, 상기 패드는
    회전축을 구비하여 회전되는 것을 특징으로하는 세정 효과를 향상시키는 반도체 세정 장치.
  4. 제 1 항에 있어서, 상기 반도체 세정 장치는
    상기 노즐과 상기 피세정물 사이의 거리를 감지하는 센서를 더 구비하는 것을 특징으로하는 세정 효과를 향상시키는 반도체 세정 장치.
  5. 제 4 항에 있어서, 상기 센서는
    광원에서 조사된 빛 중 상기 피세정물에서 반사된 빛의 세기를 감지하는 광다이오드(photodiode)로 형성되는 것을 특징으로하는 세정 효과를 향상시키는 반도체 세정 장치.
  6. 제 1 항에 있어서, 상기 피세정물은
    웨이퍼 또는 반도체 소자 제조용 포토 마스크인 것을 특징으로하는 세정 효과를 향상시키는 반도체 세정 장치.
  7. 제 1 항에 있어서, 상기 피세정물은
    습식 세정 또는 건식 세정되는 것을 특징으로하는 세정 효과를 향상시키는 반도체 세정 장치.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100835514B1 (ko) * 2003-12-16 2008-06-04 동부일렉트로닉스 주식회사 제트 스크러버 및 이를 이용한 세정방법

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5226437A (en) * 1990-11-28 1993-07-13 Tokyo Electron Limited Washing apparatus
KR960008669U (ko) * 1994-08-29 1996-03-16 포항종합제철주식회사 집진기 메인 브로워의 팬베어링 자가 흡입 냉각장치
KR960043054A (ko) * 1995-05-11 1996-12-21 이시다 아키라 회전식 기판세정장치
KR200173904Y1 (ko) * 1994-10-13 2000-03-02 김영환 웨이퍼 저면 세척장치

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5226437A (en) * 1990-11-28 1993-07-13 Tokyo Electron Limited Washing apparatus
KR960008669U (ko) * 1994-08-29 1996-03-16 포항종합제철주식회사 집진기 메인 브로워의 팬베어링 자가 흡입 냉각장치
KR200173904Y1 (ko) * 1994-10-13 2000-03-02 김영환 웨이퍼 저면 세척장치
KR960043054A (ko) * 1995-05-11 1996-12-21 이시다 아키라 회전식 기판세정장치

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100835514B1 (ko) * 2003-12-16 2008-06-04 동부일렉트로닉스 주식회사 제트 스크러버 및 이를 이용한 세정방법

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