KR19990069050A - 이에스씨(esc:electro staic chuck)장치 - Google Patents
이에스씨(esc:electro staic chuck)장치 Download PDFInfo
- Publication number
- KR19990069050A KR19990069050A KR1019980003069A KR19980003069A KR19990069050A KR 19990069050 A KR19990069050 A KR 19990069050A KR 1019980003069 A KR1019980003069 A KR 1019980003069A KR 19980003069 A KR19980003069 A KR 19980003069A KR 19990069050 A KR19990069050 A KR 19990069050A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- wafer
- esc
- voltage
- electrostatic chuck
- applying
- Prior art date
Links
- 238000007599 discharging Methods 0.000 claims abstract description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 13
- 238000005530 etching Methods 0.000 abstract description 14
- 230000006378 damage Effects 0.000 abstract description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 1
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
Description
Claims (4)
- 정전척을 이용하는 ESC장치에 있어서,웨이퍼 홀딩을 위해 상기 정전척에 ESC전압을 인가하는 제 1 전압인가부와,상기 ESC전압에 의해 상기 웨이퍼에 대전된 전하를 방전시키기 위한 부(-)전압을 인가하는 제 2 전압인가부와,상기 정전척과 제 1, 제 2 전압인가부를 선택적으로 절환시키는 스위칭부를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 이에스씨(ESC)장치.
- 제 1 항에 있어서,상기 스위칭부는 상기 정전척에 ESC전압이 오프된 후 컨트롤신호에 의해 상기 부(-)전압을 정전척에 인가하는 것을 특징으로 하는 이에스씨(ESC)장치.
- 제 1 항에 있어서,상기 웨이퍼에 대전된 전하의 방전이 완료된 후 웨이퍼의 로딩을 위해 상기 정전척을 통해 웨이퍼의 배면으로 접근하는 핀(Pin)이 더 구비되는 것을 특징으로 하는 이에스씨(ESC)장치.
- 제 1 항에 있어서,상기 정전척에 인가되는 부(-)전압의 범위는 -500V∼2500V범위로 조절하고, 인가되는 시간은 0.5초∼15초범위로 조절하는 것을 특징으로 하는 이에스씨(ESC)장치.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1019980003069A KR100282421B1 (ko) | 1998-02-04 | 1998-02-04 | 이에스씨(esc:electrostaicchuck)장치 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1019980003069A KR100282421B1 (ko) | 1998-02-04 | 1998-02-04 | 이에스씨(esc:electrostaicchuck)장치 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR19990069050A true KR19990069050A (ko) | 1999-09-06 |
KR100282421B1 KR100282421B1 (ko) | 2001-03-02 |
Family
ID=65893013
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1019980003069A KR100282421B1 (ko) | 1998-02-04 | 1998-02-04 | 이에스씨(esc:electrostaicchuck)장치 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR100282421B1 (ko) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20030056521A (ko) * | 2001-12-28 | 2003-07-04 | 동부전자 주식회사 | 웨이퍼 잔류전하 제거 장치 |
KR100619581B1 (ko) * | 1999-07-28 | 2006-09-01 | 삼성전자주식회사 | 플라즈마 공정챔버의 정전기제거장치 |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101295776B1 (ko) | 2007-08-02 | 2013-08-12 | 삼성전자주식회사 | 직류 및 교류 전압들을 교대로 사용하는 웨이퍼의 디척킹방법 및 이를 채택하는 반도체 소자의 제조 장치 |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR970053315A (ko) * | 1995-12-27 | 1997-07-31 | 김광호 | 정전척의 구조및 디척킹 방법 |
-
1998
- 1998-02-04 KR KR1019980003069A patent/KR100282421B1/ko not_active IP Right Cessation
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100619581B1 (ko) * | 1999-07-28 | 2006-09-01 | 삼성전자주식회사 | 플라즈마 공정챔버의 정전기제거장치 |
KR20030056521A (ko) * | 2001-12-28 | 2003-07-04 | 동부전자 주식회사 | 웨이퍼 잔류전하 제거 장치 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR100282421B1 (ko) | 2001-03-02 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US6243251B1 (en) | Electrostatic chuck, and method of and apparatus for processing sample using the chuck | |
KR100378187B1 (ko) | 정전척을 구비한 웨이퍼 지지대 및 이를 이용한 웨이퍼 디척킹 방법 | |
US7060531B2 (en) | Method of cutting semiconductor wafer and protective sheet used in the cutting method | |
US6646857B2 (en) | Semiconductor wafer lifting device and methods for implementing the same | |
JP2004047511A (ja) | 離脱方法、処理方法、静電吸着装置および処理装置 | |
KR980012817A (ko) | 정전 척으로부터 제품을 인출시키기 위한 장치 및 방법 | |
US20030037882A1 (en) | Plasma treating apparatus and plasma treating method | |
US20030236004A1 (en) | Dechucking with N2/O2 plasma | |
JP2004095909A (ja) | プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置 | |
JPH077072A (ja) | 静電チャック装置における基板の脱着方法および脱着機構 | |
KR100282421B1 (ko) | 이에스씨(esc:electrostaicchuck)장치 | |
KR0171062B1 (ko) | 드라이에칭장치 | |
KR100304981B1 (ko) | 웨이퍼 표면의 잔류 전하 제거 방법 | |
JP3315197B2 (ja) | プラズマ処理方法 | |
JPH11111830A (ja) | 静電吸着装置および静電吸着方法、ならびにそれを用いた処理装置および処理方法 | |
JP2004047513A (ja) | 静電吸着構造および静電吸着方法ならびにプラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 | |
JPH0216749A (ja) | 電子ビーム露光装置用ウェハーホルダ | |
JP2001077186A (ja) | 真空処理方法 | |
KR100214501B1 (ko) | 유니포울러 정전척 | |
TWI725406B (zh) | 電漿蝕刻方法及裝置 | |
KR20020017366A (ko) | 반도체장치 제조설비의 정전척 | |
KR100244280B1 (ko) | 바이폴라 정전척의 척킹방법 | |
KR100541540B1 (ko) | 반도체 웨이퍼의 정전 척 | |
KR20050121334A (ko) | 정전척을 구비한 웨이퍼 지지대와 정전척에서 웨이퍼를디척킹하는 방법 | |
KR19980047006U (ko) | 웨이퍼의 잔류전하 방전장치 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
PA0109 | Patent application |
Patent event code: PA01091R01D Comment text: Patent Application Patent event date: 19980204 |
|
PA0201 | Request for examination |
Patent event code: PA02012R01D Patent event date: 19980204 Comment text: Request for Examination of Application |
|
PG1501 | Laying open of application | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
PE0902 | Notice of grounds for rejection |
Comment text: Notification of reason for refusal Patent event date: 20000330 Patent event code: PE09021S01D |
|
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
PE0701 | Decision of registration |
Patent event code: PE07011S01D Comment text: Decision to Grant Registration Patent event date: 20001013 |
|
GRNT | Written decision to grant | ||
PR0701 | Registration of establishment |
Comment text: Registration of Establishment Patent event date: 20001128 Patent event code: PR07011E01D |
|
PR1002 | Payment of registration fee |
Payment date: 20001129 End annual number: 3 Start annual number: 1 |
|
PG1601 | Publication of registration | ||
PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20031017 Start annual number: 4 End annual number: 4 |
|
PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20041018 Start annual number: 5 End annual number: 5 |
|
PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20051019 Start annual number: 6 End annual number: 6 |
|
PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20061026 Start annual number: 7 End annual number: 7 |
|
PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20071025 Start annual number: 8 End annual number: 8 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20081027 Year of fee payment: 9 |
|
PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20081027 Start annual number: 9 End annual number: 9 |
|
LAPS | Lapse due to unpaid annual fee | ||
PC1903 | Unpaid annual fee |