KR19990063418A

KR19990063418A - 저항기 및 이를 사용한 음극선관용 전자총, 및 저항기의 제조방법

Info

Publication number: KR19990063418A
Application number: KR1019980058166A
Authority: KR
Inventors: 야스노부 아마노; 가쓰유키 요도카와; 가즈오 가지와라; 나루히코 엔도; 가즈타카 나카야마
Original assignee: 이데이 노부유끼; 소니 가부시끼가이샤
Priority date: 1997-12-26
Filing date: 1998-12-24
Publication date: 1999-07-26
Also published as: EP0928009A3; JPH11191501A; EP0928009A2; JP3673906B2; KR100543423B1; US6184616B1

Abstract

본 발명은 저항패턴의 단락(短絡)을 억제함으로써, 수명이 길고 소형화를 도모할 수 있는 저항기, 및 이 저항기를 구비한 음극선관용(陰極線管用) 전자총, 및 저항기의 제조방법을 제공한다.

본 발명의 저항기(2)에서는, 저항패턴(5)을 피복하여 표면에 코팅되는 오버코트유리(4)의 나트륨농도가 500ppm 이하이고, 오버코트유리(4)를 제작할 때에, 오버코트유리(4)의 원재료인 유리컬릿(glass cullet)을 분쇄하는 공정 S2 후에, 분쇄한 유리분말을 순수(純水)로 세정하여 나트륨농도가 500ppm 이하가 되도록 하는 방식으로 저항기(2)를 제조한다.

Description

저항기 및 이를 사용한 음극선관용 전자총, 및 저항기의 제조방법

본 발명은 저항패턴을 피복하여 표면에 오버코트유리를 도포하여 이루어지는 저항기, 및 이를 사용한 음극선관용(陰極線管用) 전자총, 및 저항기의 제조방법에 관한 것이다.

근년에, 텔레비젼, 디스플레이 등에 있어서 고해상도화의 요구가 매우 높아지고 있다.

그러므로, 예를 들면 도 1에 나타낸 바와 같은, 공유전계확장(共有電界擴張)렌즈(EFEAL:Extended Field Elliptical Aperture Lens) 구조의 전자총(31)이 개발되어, 상품화되고 있다.(SID '97 DIGEST p347-350(1997) 참조).

이 전자총(31)에서는 도시하지 않지만 적 R, 녹 G, 청 B의 3색에 대응하는 전자빔을 발생시키는 3개의 음극 K, 전자빔을 가속 및 제어하는 각 전극 즉 제1 전극 G₁, 제2 전극 G_2,제3 전극 G₃, 제4 전극 G₄, 제5 전극 G₅, 후술하는 중간전극 GM, 제6 전극 G₆, 및 컨버전스컵(35)을 가지고, 전자총(31)의 길이방향과 대략 평행으로 저항기(32)가 부착되어 이루어진다. 도 1 중 (33)은 스템, (34)는 스템핀이다.

이 EFEAL 구조의 전자총(31)에는 종래의 포커스전압(예를 들면 6kV)과 애노드전압(예를 들면 27kV)의 중간전압(예를 들면 14kV)을 인가하는 신규의 전극이 필요하게 된다.

그래서, 양극측의 제6 전압 G₆과 포커스전극인 제5 전극 G₅와의 사이에 중간전극 GM을 배설하고 있다. EFEAL형 구조의 전자총(31)에서는, 제5 전극 G₅, 중간전극 GM, 제6 전극 G₆이, 도시하지 않지만 각각 3개의 전자빔에 대응한 빔투과공을 가지는 전계보정(電界補正)전극판을 내부에 가지고, 각 전극 G₅, GM, G₆은 단면이 장원형(長圓形)의 통체(筒體)로 되어 있다.

그리고, 이 중간전극 GM에 전술한 예를 들면 14kV의 중간전압을 인가함으로써, 중간전극 GM의 전계보정전극판(도시하지 않음)의 빔투과공에의 전계의 투과로 전자빔의 형상이나 컨버전스를 제어하여, 이들을 최적화할 수 있다.

여기에서, 음극선관의 외부로부터 전자총에 전압을 공급하는 스템핀(34)으로부터 공급할 수 있는 전압은 핀간의 내전압(耐電壓) 특성 때문에 10kV 정도가 한계이다.

따라서, 중간전극 GM에 예를 들면 14kV 등의 중간전압을 공급하기 위해, 스템핀(34)으로부터의 낮은 전압과, 양극측의 높은 전압 사이를 접속하여 분압(分壓)하는, 저항(32)이 불가결하게 되어 있다.

도 2는 도면의 전자총(31)의 저항기(32)이다. 도 2 (A)에 단면도, 도 2 (B)에 평면도를 나타냈다. 이 저항기(32)는, 예를 들면 알루미나 등의 세라믹기판(36)의 일면에 도전막을 소정의 패턴으로 도포 형성한 저항패턴(37)이 인쇄 소성(燒成)되어 있다.

그리고, 저항패턴(37)의 위 및 세라믹기판(36)의 이면에는 저항패턴(37)을 보호하기 위한 오버코트유리(38)가 형성되어 저항기(32)가 구성되어 있다.

저항기(32)는 세라믹기판(36)의 저항패턴(37)이 형성된 면을 전자총(31)측, 반대측의 면을 외측, 즉 음극선관의 네크유리(neck-glass)측으로 하여 전자총(31)에 부착된다.

저항기(32)의 좌단(左端)의 고압전극부(39)에는 애노드전압 예를 들면, 25∼32kV 정도의 고압이 인가되고, 우단의 어스전극부(41)는 접지되거나, 또는 음극선관 외부의 외측 부착 저항에 접속된다.

도 1의 전차총(31)에서는 고압전극부(39)가 컨버전스컵(35)에 접속되고, 어스전극부(41)가 스템핀(34)을 통해 접지되고, 중간전극부(40)가 중간전극 GM에 접속된다.

전술한 바와 같은 저항기(32)는, 예를 들면 이른바 내부분할저항기(IBR:Inner Breeder Resistor), IMR(Inner Middle voltage breeder Resister), IFR(Inner Forcus breeder Resistor) 등이 있고, 전술한 중간전극 GM에의 중간전압의 공급 외에도, 음극선관 전자총의 컨버전스 특성을 얻기 위한 컨버전스전압의 공급, 음극선관 전자총의 포커스전압의 공급, 또한 텔레비젼수상기의 포커스컨트롤러 등에도 사용된다.

그러나, 이와 같은 저항기(32)의 경우, 동작 중에 나트륨의 이온 이동에 의한 덴드라이트(dendrite)의 성장이 발생하여, 저항패턴(37)간이 도통(導通)되어 버리는 일이 있었다.

예를 들면, 도 2 (B)에 나타낸 바와 같이, 오버코트유리(38)와 세라믹기판(36)과의 계면(界面)에 있어서, 오버코트유리(38)의 에지부분으로부터 저항패턴(37)으로 향해 덴드라이트(42)의 성장이 생긴다.

이 덴드라이트(42)의 성장은 다음과 같이 설명할 수 있다.

도 3에 나타낸 바와 같이, 오버코트유리, 세라믹기판 및 저항패턴 중에 불순물로서 함유되는 Na₂O로부터 나트륨원자가 이온화하여, 나트륨이온 Na⁺가 발생한다. 이 나트륨이온 Na⁺가 전위구배(電位句配)에 따라 이온 이동을 일으키고, 음극측(저전위측) K로 이동한다.

또한, 음극측 K에서 주위의 산화물로부터 산소를 빼앗아, 산화 나트륨 Na₂O의 층으로서 석출(析出)하고, 음극측 K로부터 양극측(고전위측) A로 향해 산화 나트륨 Na₂O로부터 이루어지는 덴드라이트(42)가 성장해 간다.

이 덴드라이트(42)의 성장이 음극선관의 동작 중에 진행하면, 전술한 바와 같이 저항패턴(37) 간의 도통이 생긴다. 예를 들면 도 2 (B)의 경우, 본래는 중간전극부(40)로부터 14kV를 공급해 온 것이, 저전압측의 저항패턴(37)이 단락하여 실질적 저항이 짧아짐으로써, 중간전극 GM의 전위가 15kV 등의 전압으로 올라가 버려 포커스의 불량을 일으켜 버린다.

특히 최근에는 전술한 EFEAL형의 전자총(31) 등과 같이, 전기적, 기계적으로 지나치게 가혹한 조건 하에서 저항기가 사용되는 요구가 높아져, 저항패턴(37)간 도통의 문제가 심각화되고 있다.

또, 전자총(31)의 소형화를 도모하려고 하면, 저항기(32)에 있어서 저항패턴(37)의 간격이 좁아져, 단락이 생기기 쉽게 되므로, 전자총(31)의 소형화가 어려웠다.

전술한 문제의 해결을 위해, 본 발명에 있어서는 저항패턴간의 단락을 억제함으로써, 수명이 길고 소형화를 도모할 수 있는 저항기, 및 이 저항기를 구비한 음극선관용 전자총, 및 저항기의 제조방법을 제공하는 것이다.

도 1은 EFEAL형의 음극선관형 전자총의 개략구성도(평면도).

도 2는 도 1의 전자총에 사용하는 저항기의 개략구성도로, (A)는 단면도, (B)는 평면도.

도 3은 덴드라이트(dendrite)의 성장을 설명하는 도면

도 4는 본 발명의 저항기의 실시형태의 개략구성도로, (A)는 단면도, (B)는 평면도.

도 5는 본 발명의 저항기의 제조방법에 관한 오버코트유리의 페이스트(paste)의 제조공정도.

도 6은 본 발명에 관한 음극선관용(陰極線管用) 전자총의 개략구성도(평면도).

도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명

1: 전자총, 2: 저항기, 4: 오버코트유리, 5: 저항패턴, 6: 절연기판, 7: 고압전극부, 8: 중간전극부, 9: 저압전극부, 10: 스템(stem), 11: 스템핀(stem pin), 12: 컨버전스컵(convergence cup), 21: 유리컬릿(glass cullet), 22: 물, 23: 알루미나, 24: 비히클(vihicle), 25: 페이스트, 31:전자총, 32: 저항기, 33: 스템, 34: 스템핀, 35: 컨버전스컵, 36: 세라믹기판, 37: 저항패턴, 38: 오버코트유리, 39: 고압전극부, 40: 중간전극부, 41: 어스전극부, 42: 덴드라이트, G₁: 제1 전극, G₂: 제2 전극, G₃: 제3 전극, G₄: 제4 전극, G₅: 제5 전극, G₆: 제6 전극, GM: 중간전극.

본 발명의 저항기는 저항패턴을 피복하여 표면에 코팅되는 오버코트유리의 나트륨농도를 500ppm 이하로 하는 것이다.

본 발명의 음극선관용 전자총은 저항패턴을 피복하여 표면에 코팅되는 오버코트유리의 나트륨농도가 500ppm 이하인 저항기를 구비하여 이루어지는 것이다.

본 발명의 저항기의 제조방법은 저항패턴을 피복하여 표면을 코팅하는 오버코트유리를 제작할 때에, 오버코트유리의 원재료인 유리컬릿을 분쇄하는 공정 후에, 분쇄한 유리분말을 순수(純水)로 세정하여 나트륨을 500ppm 이하로 하는 공정을 가진다.

전술한 본 발명의 저항기에 의하면, 오버코트유리의 나트륨농도를 500ppm 이하로 함으로써, 오버코트유리와 저항패턴과의 사이 등에 있어서의 나트륨이온 등의 이동에 의한 댄드라이트의 성장을 저감할 수 있다.

전술한 본 발명의 음극선관용 전자총에 의하면, 그 소요 전극에 소요 전압을 인가하기 위한 저항기에 있어서, 그 오버코트유리의 나트륨농도를 500ppm 이하로 함으로써, 오버코트유리와 저항패턴과의 사이 등에 있어서의, 나트륨이온의 이동에 의한 덴드라이트의 성장을 저감할 수 있어, 소요 전압의 변동이 억제된다.

또, 전술한 본 발명의 저항기의 제조방법에 의하면, 분쇄한 유리분말을 순수로 세정함으로써, 나트륨농도를 저감하여, 나트륨농도가 낮은 오버코트유리를 제조할 수 있다.

본 발명은 저항패턴을 피복하여 표면에 코팅되는 오버코트유리의 나트륨농도가 500ppm 이하의 저항기이다.

본 발명은 저항패턴을 피복하여 표면에 코팅되는 오버코트유리의 나트륨농도가 500ppm 이하인 저항기를 구비하여 이루어지는 음극선관용 전자총이다.

본 발명은 저항패턴을 피복하여 표면을 코팅하는 오버코트유리를 제작할 때에, 오버코트유리의 원재료인 유리컬릿을 분쇄하는 공정 후에, 분쇄한 유리분말을 순수로 세정하여 나트륨을 500ppm 이하로 하는 공정을 가지는 저항기의 제조방법이다.

도 4는 본 발명에 관한 저항기의 개략구성을 나타냈다. 도 4 (A)에 단면도, 도 4 (B)에 평면도를 나타냈다. 이 저항기(2)는 절연기판(6), 예를 들면 알루미나기판 등의 세라믹기판의 일면에 도전막, 예를 들면 Pb₂Ru₂O₇을 주체로 한 도전막을 소정의 패턴으로 도포 형성한 저항패턴(5)이 인쇄 소성 등에 의해 형성되어 있다. 저항패턴(5)의 일단에는, 저전압을 공급하기 위한 단자(端子)로 되는 저압전극부(9)가 형성되고, 저항패턴(5)의 타단에는 고전압을 공급하기 위한 단자로 되는 고압전극부(7)가 형성되고, 저항패턴의 중간에는 분압된 중간전압이 얻어지는 단자로 되는 중간전극부(8)가 형성된다.

그리고, 저항패턴(5)의 위(도 4 (A)에서는 절연기판(6)의 양면)에는, 저항패턴(5)을 보호하기 위한 오버코트유리(4)가, 예를 들면 소성에 의해 소정의 두께, 예를 들면 수10∼수100㎛의 두께로 형성되어 저항기(2)가 구성되어 있다. 본 발명에서는, 특히 오버코트유리(4)에 함유되는 나트륨농도가 500ppm 이하로 설정된다.

이 저항기(2)에서는 저압전극부(9)에 저압, 예를 들면 어스전압을 공급하고, 고압전극부(7)에 고압을 공급함으로써, 중간전극부(8)로부터 어스전압과 고압과의 중간전압이 꺼내진다.

여기에서, 저항기에서의 덴드라이트(10) 성장에 대하여 더욱 상세히 설명한다.

전술한 오버코트유리의 에지부분으로부터 저항패턴으로 향하는 성장의 경우 외에, 직접 저항패턴 상호간, 중간전극부와 저항패턴간, 및 저압전극부와 저항패턴간에 있어서도, 조건에 따라서는 전술한 덴드라이트(10) 성장의 현상이 일어날 수 있다.

이 덴드라이트(10)의 성장은 다음의 수학식 1에 나타낸 이온 이동식에 의해 설명할 수 있다.

J_Na=A₀ㆍN_Naㆍexp(-Q/kT)ㆍdE/dxㆍf(dT/dx)

J_Na:Na⁺이온의 이동

A₀:정수(定數)

N_Na:단위퇴적당의 Na원자수(atoms/㎤)

Q :활성화 에너지(eV)

k :볼츠만(Boltzmann)승수(乘數)

T :동작온도(K)

dE/dx :전위구배

f(dT/dx):온도구배 dT/dx의 함수

따라서, 수학식 1에 의해, 나트륨의 이온 이동을 억제하여 Dendrite성장을 억제하는 데는, 다음과 같은 대책이 고려된다.

(1) 단위체적당의 나트륨원자수(나트륨농도) N_Na를 줄인다.

(2) 전위구배 dE/dx를 완만하게 한다.

(3) 동작온도 T 및 온도구배 dT/dx를 억제한다.

(4) 저항패턴(5)간의 거리를 넓혀, 덴드라이트에 의한 저항패턴(5)간의 단락을 생기기 어렵게 한다.

그러나, 전술한 (2) 및 (3)은 x를 크게 하는, 또 (4)는 저항패턴(5)간을 넓게 하므로, 모두 저항기(2)를 크게 형성하는 것이 필요하게 된다. 이로써, 저항기(2) 전체의 크기에 제약이 생기는 등의 단점이 발생한다.

이에 대하여, (1)는 저항기의 전체를 크게 할 필요가 없어, 후술하는 예를 들면 음극선관에 내장하는 소형의 저항기(2)에 적합한 수법이다.

전술한 수학식 1로부터, 동작온도 T나 전위구배 dE/dx 등 다른 조건이 동일(일정)하면, 나트륨이온의 이동 J_Na는, 나트륨농도 N_Na에 비례함을 알 수 있다.

따라서, 도 4의 저항기(2)에 있어서, 오버코트유리(4)의 나트륨농도 N_Na를 저감함으로써, 수학식 1로부터 나트륨이온의 이동 J_Na도 저감된다.

나트륨이온의 이동 J_Na가 저감되면, 덴드라이트(10)의 성장이 억제되므로, 저항패턴(5)간의 도통을 억제하고, 이로써 저항기(2)의 수명을 길게 할 수 있다.

전술한 나트륨농도의 저감에는 오버코트유리(4), 절연기판(6), 및 저항패턴(5)의 재료 각각에 있어서 나트륨농도를 저감함으로써 효과를 기대할 수 있다.

특히, 그 중에서도 오버코트유리(4)의 나트륨농도는 통상 1000ppm으로 높아, 이를 500ppm 이하로 함으로써, 나트륨이온의 이동 J_Na를 저감시켜, 덴드라이트의 성장을 억제하여, 저항패턴(5)간의 도통에 이를 때까지의 시간을 대폭 연장할 수 있다.

이와 같이, 본 실시형태의 저항기(2)에 의하면, 오버코트유리(4)의 나트륨농도를 500ppm 이하로 함으로써, 덴드라이트의 성장을 억제하여, 저항패턴(5)간의 도통을 억제할 수 있으므로, 저항기(2)의 수명을 길게 할 수 있다.

또, 저항기(2)를 크게 하지 않아도 저항패턴(5)간의 도통을 억제할 수 있으므로, 종래보다도 저항기(2)의 소형화를 도모하는 것이 가능하게 된다.

다음에, 본 발명의 저항기에 사용되는 나트륨농도 200ppm 이하의 오버코트유리(4)를 실현하기 위해서는, 다음과 같은 제조수법이 있다. 도 5에 제조공정을 나타냈다.

먼저, 원재료의 유리컬릿(21)에 가능한 한 나트륨농도가 낮은 것을 사용한다.

이 원재료의 유리컬릿(21)을 물(22)과 혼합하여(혼합공정 S1), 분쇄한다(분쇄공정 S2).

다음에, 분쇄공정 S2 후에, 특히, 물(22)과 혼합하여 분쇄한 유리컬릿(21)을 순수에 의해 세정한다(순수세정공정 S10). 이 순수세정공정 S10을 설치함으로써, 많은 나트륨이온이 씻겨 흐르므로, 나트륨농도를 저감할 수 있다.

그리고, 이 원료를 사용하여, 분쇄 후의 여과(여과공정 S3)를 행하고, 다시 원심침강기(遠心沈降機)에 의해 분리를 행한다(원심침강공정 S4).

다음에, 건조하여(건조공정 S5), 재차 여과(여과공정 S6)를 행한다.

또한 알루미나(23)와 혼합(혼합공정 S7)한다.

한편, 페이스트화하기 위한 비히클(24)을 조정한다.

마지막으로, 비히클(24)과 유리를 혼합하여(혼합공정 S8) 페이스트화하고(페이스트화 공정 S9), 오버코트유리(4)를 도포하기 위한 페이스트(25)를 형성한다.

이 오버코트유리(4)용의 페이스트(25)를 사용함으로써, 전술한 나트륨농도 2`00ppm 이하의 오버코트유리(4)를 제조할 수 있다.

저항기(2)는 전술한 오버코트유리(4)용의 페이스트(25)를 사용하여, 예를 들면 다음과 같이 하여 제조할 수 있다.

먼저, 절연기판(6), 예를 들면 알루미나 등의 세라믹기판에 도전페이스트, 예를 들면 금(金)페이스트 등의 전극재를 구워 붙여, 고압전극부(7), 중간전극부(8), 어스전극부(9)를 형성한다.

그 후, 예를 들면 Pb₂Ru₂O₇등 도전막의 페이스트를, 소정의 패턴으로 인쇄 도포하여, 용제를 증발시킨 후에 소성하여 저항패턴(5)을 형성한다.

또한, 전술한 오버코트유리(4)용의 페이스트(25)를 저항패턴(5) 상에 인쇄 도포한다. 그리고, 도 5의 경우에는 세라믹기판(6)의 이면에도 도포한다.

그리고, 페이스트(25)를 건조한 후에 소성함으로써, 저항패턴(5)을 피복하여 오버코트유리(4)를 형성할 수 있다.

이와 같이 하여, 저항기(2)를 구성할 수 있다.

전술한 저항기(2)는 음극선관 전자총의 예를 들면 중간전극에의 중간전압의 공급, 전자총의 포커스전극에의 포커스전압의 공급, 전자총의 컨버전스 특성을 얻기 위한 컨버전스전압 공급용 등의 저항기, 또한 텔레비젼수상기의 포커스컨트롤러용의 저항기에도 적용할 수 있다.

도 6은 전술한 저항기를 구비한 본 발명에 관한 음극선관용 전자총의 개략구성을 나타냈다. 이 도 6은 전술한 EFEAL형의 전자총에 적용한 경우를 나타내고 있다.

이 전자총(1)은 도시하지 않지만 적 R, 녹 G, 청 B의 3색에 대응하는 전자빔을 발생시키는 3개의 음극 K, 전자빔을 가속 및 제어하는 각 전극 즉 제1 전극 G₁, 제2 전극 G₂, 제3 전극 G₃, 제4 전극 G₄, 제5 전극 G₅, 중간전극 GM, 제6 전극 G₆, 및 컨버전스컵(12)을 가지고 이루어진다. 도 6 중 (10)은 스템, (11)은 스템핀이다. 제5 전극 G₅에 포커스전압이, 제6 전극 G₆에 애노드전압이, 또 중간전극 GM에 포커스전압과 애노드전압의 중간전압이 공급되고, 여기에 공유전계확장렌즈가 구성된다.

이 EFEAL형 구조의 전자총(1)에서는 전술한 도 1의 전자총(31)과 동일하게, 제5 전극 G₅, 중간전극 GM, 제6 전극 G₆이, 도시하지 않지만 각각 3개의 전자빔에 대응한 빔투과공을 가지는 전계보정전극판을 내부에 가지고, 각 전극 G₅, GM, G₆이 단면 장원형의 통체로 되어 있다.

그리고, 본 발명에서는 특히, 중간전극 GM에 도 4에서 나타낸 저항기(2)로부터 중간전압을 공급하기 위해, 전자총(1)의 한 쪽에 저항기(2)가 배치된다.

저항기(2)는 절연기판(6)의 저항패턴(5)이 형성된 면을 외측, 즉 음극선관의 네크유리측, 반대측의 면을 전자총(1)측으로 하여 전자총(1)에 부착되어 있다.

저항기(2)의 좌단의 고압전극부(7)에는 애노드전압, 예를 들면 25∼32kV 정도의 고압이 인가되고, 우단의 저압전극부(9)는 어스전극부로 되어, 접지되거나, 또는 음극선관 외부의 외측 부착 저항에 접속된다.

도 6의 전자총(1)에서는 저항기(2)의 고압전극부(7)가 컨버전스컵(12)에 접속되고, 어스전극부(9)가 스템핀(11)을 통해 접지되고, 중간전극부(8)가 중간전극 GM에 접속된다.

그리고, 저항기(2)의 중간전극부(8)로부터 포커스전압과 애노드전압의 중간전압, 예를 들면 고압의 절반 정도인 14kV의 중간전압이 꺼내져, 전자총(1)의 중간전압 GM에 공급된다.

전술한 음극선관용 전자총(1)에 의하면, 수명이 길고 소형화를 도모할 수 있는 저항기(2)를 구비하여 구성함으로써, 중간전극 GM에의 중간전압의 변동이 억제되어, 음극선관의 고장을 억제하고, 또 음극선관의 소형화, 장수명화(長壽命化), 고신뢰성화를 도모할 수 있다. 또, 저항기(2)가 소형화되므로 전자총의 설계에 제약이 생기기 어렵다.

그리고, 본 발명은 포커스전압을 전술한 저항기(2)의 중간전극부(8)로부터 공급하도록 한 전자총, 컨버전스전압을 전술한 저항기(2)의 중간전극부(8)로부터 공급하도록 한 전자총에도 적용할 수 있다. 도 4의 저항기(2)를 전자총의 포커스전압용 저항으로 하는 경우에는, 예를 들면 고압의 25% 전후, 전자총의 컨버전스전압용 저항으로 하는 경우에는, 예를 들면 95% 전후의 전압이 각각 중간전극부(8)로부터 꺼내진다.

본 발명의 저항기, 음극선관용 전자총 및 저항기의 제조방법은 전술한 실시형태에 한정되는 것이 아니고, 본 발명의 요지를 일탈하지 않는 범위에서 그 밖의 여러 가지의 구성을 취할 수 있다.

전술한 본 발명의 저항기에 의하면, 저항기의 저항막 상에 형성되는 오버코트유리의 나트륨농도를 500ppm 이하로 함으로써, 덴드라이트의 성장을 억제하여, 저항패턴간의 도통이 생길 때까지의 시간을 길게 할 수 있다.

따라서, 저항기의 수명을 연장할 수 있다.

또, 본 발명의 저항기에 의해, 저항기를 크게 하지 않아도 저항패턴간의 도통을 억제할 수 있으므로, 종래보다도 저항기의 소형화를 도모하는 것이 가능하게 된다.

또, 본 발명의 음극선관용 전자총에 의하면, 수명이 길고 소형화를 도모할 수 있는 저항기를 구비함으로써, 음극선관의 고장을 저감하고, 또 음극선관의 소형화도 도모할 수 있다.

또, 본 발명의 저항기 제조방법에 의하면, 유리컬릿을 분쇄한 후에 순수에 의한 세정공정을 행함으로써, 나트륨농도가 낮은 오버코트유리를 제조할 수 있다.

이로써, 전술한 저항기의 장수명화 및 소형화를 도모할 수 있다.

Claims

저항패턴을 피복하여 표면에 코팅되는 오버코트유리의 나트륨농도가 500ppm 이하인 것을 특징으로 하는 저항기.
저항패턴을 피복하여 표면에 코팅되는 오버코트유리의 나트륨농도가 500ppm 이하인 저항기를 구비하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 음극선관용(陰極線管用) 전자총.
저항패턴을 피복하여 표면을 코팅하는 오버코트유리를 제작할 때에, 상기 오버코트유리의 원재료인 유리컬릿(glass cullet)을 분쇄하는 공정 후에, 분쇄된 유리분말을 순수(純水)로 세정하여 나트륨 농도가 500ppm 이하인 것을 특징으로 하는 저항기의 제조방법.