JPH117907A - 電子銃 - Google Patents
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- JPH117907A JPH117907A JP15997897A JP15997897A JPH117907A JP H117907 A JPH117907 A JP H117907A JP 15997897 A JP15997897 A JP 15997897A JP 15997897 A JP15997897 A JP 15997897A JP H117907 A JPH117907 A JP H117907A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 電位勾配を緩やかにすることにより、スポッ
トサイズを小さくすることができると共に、電子ビーム
のずれがなく、また簡便な工程で製造ができる電子銃を
提供する。 【解決手段】 フォーカス電極Ｇ3 とアノード電極Ｇ4
との間に中間電極ＧＭが設けられ、抵抗値の異なる２種
類の抵抗体Ｒ1 ，Ｒ2 のうち、一方の抵抗体Ｒ1がフォ
ーカス電極Ｇ3 と中間電極ＧＭとの間に配され、他方の
抵抗体Ｒ2 が中間電極ＧＭとアノード電極Ｇ4 との間に
配されて成る電子銃１０を構成する。
トサイズを小さくすることができると共に、電子ビーム
のずれがなく、また簡便な工程で製造ができる電子銃を
提供する。 【解決手段】 フォーカス電極Ｇ3 とアノード電極Ｇ4
との間に中間電極ＧＭが設けられ、抵抗値の異なる２種
類の抵抗体Ｒ1 ，Ｒ2 のうち、一方の抵抗体Ｒ1がフォ
ーカス電極Ｇ3 と中間電極ＧＭとの間に配され、他方の
抵抗体Ｒ2 が中間電極ＧＭとアノード電極Ｇ4 との間に
配されて成る電子銃１０を構成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、例えばプロジェク
タ管、カラー受像管、インデックス管等の陰極線管に用
いられる電子銃に係わる。
タ管、カラー受像管、インデックス管等の陰極線管に用
いられる電子銃に係わる。
【０００２】
【従来の技術】従来のバイポテンシャル構造の電子銃の
基本的な構造の模式図を図９に示す。この電子銃５０
は、それぞれ赤（Ｒ）、緑（Ｇ）及び青（Ｂ）の３色に
対応する３つのカソードＫ（ＫR ，ＫG ，ＫB ）に対し
て共通の第１電極Ｇ1 、第２電極Ｇ2 、第３電極Ｇ3 、
第４電極Ｇ4 が順次配列されて成る。そして、フォーカ
ス電極である第３電極Ｇ3 と、アノード電極である第４
電極Ｇ4 によりバイポテンシャル型の主電子レンズが構
成される。
基本的な構造の模式図を図９に示す。この電子銃５０
は、それぞれ赤（Ｒ）、緑（Ｇ）及び青（Ｂ）の３色に
対応する３つのカソードＫ（ＫR ，ＫG ，ＫB ）に対し
て共通の第１電極Ｇ1 、第２電極Ｇ2 、第３電極Ｇ3 、
第４電極Ｇ4 が順次配列されて成る。そして、フォーカ
ス電極である第３電極Ｇ3 と、アノード電極である第４
電極Ｇ4 によりバイポテンシャル型の主電子レンズが構
成される。
【０００３】各電極に供給される電圧は、例えば第１電
極Ｇ1 は０Ｖ、第２電極Ｇ2 は１００〜８００Ｖ、第３
電極Ｇ3 は４〜８ｋＶ（フォーカス電圧ＦＶ）、第４電
極Ｇ4 は２０〜３０ｋＶ（アノード電圧ＨＶ）とされ
る。
極Ｇ1 は０Ｖ、第２電極Ｇ2 は１００〜８００Ｖ、第３
電極Ｇ3 は４〜８ｋＶ（フォーカス電圧ＦＶ）、第４電
極Ｇ4 は２０〜３０ｋＶ（アノード電圧ＨＶ）とされ
る。
【０００４】第１電極Ｇ1 〜第４電極Ｇ4 は、全て例え
ば材質がステンレスから成る構成とされる。また、第３
電極Ｇ3 と第４電極Ｇ4 との間隔は、通常１ｍｍ〜２ｍ
ｍとされる。
ば材質がステンレスから成る構成とされる。また、第３
電極Ｇ3 と第４電極Ｇ4 との間隔は、通常１ｍｍ〜２ｍ
ｍとされる。
【０００５】ここで、画面上のスポットサイズを小さく
するためには、主電子レンズの球面収差係数（Ｃso）を
小さくする必要がある。球面収差係数を小さくすること
により、スポットサイズが小さくなる原理は、次の数１
で表される。
するためには、主電子レンズの球面収差係数（Ｃso）を
小さくする必要がある。球面収差係数を小さくすること
により、スポットサイズが小さくなる原理は、次の数１
で表される。
【０００６】
【数１】 スポットサイズ2 ＝（Ｍｄｃ＋０．５ＭＣsoθ3 ）2 ＋ｄｒｅｐ2 θ：発散角 Ｃso：球面収差係数 ｄｒｅｐ：空間電荷 ｄｃ：クロスオーバー径 Ｍ：増倍率
【０００７】従来、上述の球面収差係数Ｃsoを小さくす
る手段としては、例えば図１０に示すように、第３電極
Ｇ3 と第４電極Ｇ4 との間に中間電極ＧＭを配置し、第
３電極Ｇ3 −第４電極Ｇ4 間でなだらかな電位勾配即ち
拡張電界を作っていた。
る手段としては、例えば図１０に示すように、第３電極
Ｇ3 と第４電極Ｇ4 との間に中間電極ＧＭを配置し、第
３電極Ｇ3 −第４電極Ｇ4 間でなだらかな電位勾配即ち
拡張電界を作っていた。
【０００８】このとき、電極上での電位勾配は図１２Ｂ
のようになる。尚、図１２Ａに図９の場合の電位勾配を
示す。図１２Ａのように第３電極Ｇ3 と第４電極Ｇ4 と
を狭い距離ｄで配置した場合には、電位勾配が大きく、
電界が強くなる。これに対して、図１２Ｂのように第３
電極Ｇ3 と第４電極Ｇ4 との間に中間電極ＧＭを設けて
拡張電界を形成した場合には、第３電極Ｇ3 と第４電極
Ｇ4 との間隔が広い距離ｄM となるため、電位勾配がな
だらかになる。このように中間電極ＧＭを設けた場合に
は、球面収差係数は約半分になり、スポットサイズは約
１／３になる。
のようになる。尚、図１２Ａに図９の場合の電位勾配を
示す。図１２Ａのように第３電極Ｇ3 と第４電極Ｇ4 と
を狭い距離ｄで配置した場合には、電位勾配が大きく、
電界が強くなる。これに対して、図１２Ｂのように第３
電極Ｇ3 と第４電極Ｇ4 との間に中間電極ＧＭを設けて
拡張電界を形成した場合には、第３電極Ｇ3 と第４電極
Ｇ4 との間隔が広い距離ｄM となるため、電位勾配がな
だらかになる。このように中間電極ＧＭを設けた場合に
は、球面収差係数は約半分になり、スポットサイズは約
１／３になる。
【０００９】ここで、中間電極ＧＭに供給される電圧の
大きさは、例えば各電極に供給される電圧を、第３電極
Ｇ3 が１０ｋＶ、中間電極ＧＭが１５ｋＶ、第４電極Ｇ
4 が３０ｋＶとなるように、第３電極Ｇ3 と第４電極Ｇ
4 の中間の電圧でなく、第３電極Ｇ3 の電圧に近くした
方が球面収差係数は小さくなる。例えば、第３電極Ｇ3
に供給されるフォーカス電圧ＦＶの約２０〜５０％増と
する。最適な中間電極ＧＭの電圧は、要求されるスポッ
トサイズ特性や電子銃の全長によって決まる。
大きさは、例えば各電極に供給される電圧を、第３電極
Ｇ3 が１０ｋＶ、中間電極ＧＭが１５ｋＶ、第４電極Ｇ
4 が３０ｋＶとなるように、第３電極Ｇ3 と第４電極Ｇ
4 の中間の電圧でなく、第３電極Ｇ3 の電圧に近くした
方が球面収差係数は小さくなる。例えば、第３電極Ｇ3
に供給されるフォーカス電圧ＦＶの約２０〜５０％増と
する。最適な中間電極ＧＭの電圧は、要求されるスポッ
トサイズ特性や電子銃の全長によって決まる。
【００１０】従来は、図１０に示すように、アノード電
極に供給されるアノード電圧ＨＶを内蔵抵抗器６１で分
圧して、中間電極ＧＭに電圧を供給する方法が採られて
いた。この内蔵抵抗器６１を用いた電子銃６０の実際の
概略構成図を図１１に示す。図１１Ａは、ビードガラス
の側から見た平面図、図１１Ｂは、図１１Ａとは直角を
なす方向から見た平面図である。各電極Ｇ1 〜Ｇ4 及び
ＧＭを挟むようにビードガラス６４が形成され、その一
方のビードガラス６４に沿って内蔵抵抗器６１が配置さ
れている。そしてこの内蔵抵抗器６１は、一方の端子が
ステム６６に設けられた接地電位が印加されるステムピ
ンとの接続線に接続され、他方の端子がアノード電圧が
印加される第４電極Ｇ4 に接続され、中間の端子が中間
電極ＧＷに接続されている。図中６５は陰極線管に電子
銃６０を入れる際に陰極線管内壁に形成される導電膜と
接続すると共に電子銃６０の位置を調節するスプリング
である。
極に供給されるアノード電圧ＨＶを内蔵抵抗器６１で分
圧して、中間電極ＧＭに電圧を供給する方法が採られて
いた。この内蔵抵抗器６１を用いた電子銃６０の実際の
概略構成図を図１１に示す。図１１Ａは、ビードガラス
の側から見た平面図、図１１Ｂは、図１１Ａとは直角を
なす方向から見た平面図である。各電極Ｇ1 〜Ｇ4 及び
ＧＭを挟むようにビードガラス６４が形成され、その一
方のビードガラス６４に沿って内蔵抵抗器６１が配置さ
れている。そしてこの内蔵抵抗器６１は、一方の端子が
ステム６６に設けられた接地電位が印加されるステムピ
ンとの接続線に接続され、他方の端子がアノード電圧が
印加される第４電極Ｇ4 に接続され、中間の端子が中間
電極ＧＷに接続されている。図中６５は陰極線管に電子
銃６０を入れる際に陰極線管内壁に形成される導電膜と
接続すると共に電子銃６０の位置を調節するスプリング
である。
【００１１】図１１Ｃは、内蔵抵抗器６１の拡大図であ
る。図１１Ｃに示すように、内蔵抵抗器６１は、基板と
して例えばアルミナ基板６２にルテニウムペースト等に
より抵抗線のパターン６３を形成し、さらに図示しない
がガラス材等による保護層で接続用端子を除く部分の抵
抗線のパターン６３が覆われて構成される。抵抗線のパ
ターン６３は、両端が接地端子ｔ1 と高圧用端子ｔ2 に
接続され、途中の部分に中間電極用端子ｔ3 が接続され
ている。高圧用端子ｔ2 は第４電極Ｇ4 、中間電極用端
子ｔ3 は中間電極ＧＭにそれぞれ接続され、第４電極Ｇ
4 にはアノード電圧ＨＶが供給されると共に、中間電極
ＧＭには分圧された電圧が供給される。
る。図１１Ｃに示すように、内蔵抵抗器６１は、基板と
して例えばアルミナ基板６２にルテニウムペースト等に
より抵抗線のパターン６３を形成し、さらに図示しない
がガラス材等による保護層で接続用端子を除く部分の抵
抗線のパターン６３が覆われて構成される。抵抗線のパ
ターン６３は、両端が接地端子ｔ1 と高圧用端子ｔ2 に
接続され、途中の部分に中間電極用端子ｔ3 が接続され
ている。高圧用端子ｔ2 は第４電極Ｇ4 、中間電極用端
子ｔ3 は中間電極ＧＭにそれぞれ接続され、第４電極Ｇ
4 にはアノード電圧ＨＶが供給されると共に、中間電極
ＧＭには分圧された電圧が供給される。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、この方
法では、電極の外部に内蔵抵抗器６１を取り付けるた
め、内蔵抵抗器６１と第１電極Ｇ1 から第４電極Ｇ4 と
の間で放電したり、電極からストレーが発生する等の問
題がある。
法では、電極の外部に内蔵抵抗器６１を取り付けるた
め、内蔵抵抗器６１と第１電極Ｇ1 から第４電極Ｇ4 と
の間で放電したり、電極からストレーが発生する等の問
題がある。
【００１３】また、図９に示した従来のバイポテンシャ
ル構造の電子銃５０では、主電子レンズを構成する第３
電極Ｇ3 −第４電極Ｇ4 間において、図１０の拡張電界
を形成した構造の電子銃６０では、第３電極Ｇ3 −中間
電極ＧＭ間、中間電極ＧＭ−第４電極Ｇ4 間において、
それぞれ電極の間の隙間から電子が洩れて電界が変化し
てしまうことにより、スクリーン上で電子ビームのスポ
ットが移動してしまう原因となる。
ル構造の電子銃５０では、主電子レンズを構成する第３
電極Ｇ3 −第４電極Ｇ4 間において、図１０の拡張電界
を形成した構造の電子銃６０では、第３電極Ｇ3 −中間
電極ＧＭ間、中間電極ＧＭ−第４電極Ｇ4 間において、
それぞれ電極の間の隙間から電子が洩れて電界が変化し
てしまうことにより、スクリーン上で電子ビームのスポ
ットが移動してしまう原因となる。
【００１４】また内蔵抵抗器は、基板上に抵抗体を形成
してさらにガラス等の保護層を形成する必要があるの
で、製造工程が複雑になる。
してさらにガラス等の保護層を形成する必要があるの
で、製造工程が複雑になる。
【００１５】上述した問題の解決のために、本発明にお
いては、電位勾配を緩やかにすることにより、スポット
サイズを小さくすることができると共に、電子ビームの
ずれがなく、また簡便な工程で製造ができる電子銃を提
供するものである。
いては、電位勾配を緩やかにすることにより、スポット
サイズを小さくすることができると共に、電子ビームの
ずれがなく、また簡便な工程で製造ができる電子銃を提
供するものである。
【００１６】
【課題を解決するための手段】本発明の電子銃は、フォ
ーカス電極とアノード電極との間に中間電極が設けら
れ、抵抗値の異なる２種類の抵抗体のうち、一方の抵抗
体がフォーカス電極と中間電極との間に配され、他方の
抵抗体が中間電極とアノード電極との間に配されて成る
構成である。
ーカス電極とアノード電極との間に中間電極が設けら
れ、抵抗値の異なる２種類の抵抗体のうち、一方の抵抗
体がフォーカス電極と中間電極との間に配され、他方の
抵抗体が中間電極とアノード電極との間に配されて成る
構成である。
【００１７】上述の本発明の構成によれば、電極の間に
抵抗体が設けられたことにより、電極間の隙間が埋めら
れて電子の漏れを生じることがない。また、フォーカス
電極と中間電極との間及び中間電極とアノード電極との
間に抵抗値が異なる抵抗体を配することにより、アノー
ド電極からの高圧がこの抵抗体により分圧されて中間電
極に所要の電圧を供給することができる。
抵抗体が設けられたことにより、電極間の隙間が埋めら
れて電子の漏れを生じることがない。また、フォーカス
電極と中間電極との間及び中間電極とアノード電極との
間に抵抗値が異なる抵抗体を配することにより、アノー
ド電極からの高圧がこの抵抗体により分圧されて中間電
極に所要の電圧を供給することができる。
【００１８】
【発明の実施の形態】本発明は、フォーカス電極とアノ
ード電極との間に中間電極が設けられ、抵抗値の異なる
２種類の抵抗体のうち、一方の抵抗体がフォーカス電極
と中間電極との間に配され、他方の抵抗体が中間電極と
アノード電極との間に配されて成る電子銃である。
ード電極との間に中間電極が設けられ、抵抗値の異なる
２種類の抵抗体のうち、一方の抵抗体がフォーカス電極
と中間電極との間に配され、他方の抵抗体が中間電極と
アノード電極との間に配されて成る電子銃である。
【００１９】また本発明は、上記電子銃において、２種
類の抵抗体が、セラミックに導電性の物質が添加されて
成る構成とする。
類の抵抗体が、セラミックに導電性の物質が添加されて
成る構成とする。
【００２０】また本発明は、上記電子銃において、２種
類の抵抗体のセラミックと導電性の物質の比率が異なる
構成とする。
類の抵抗体のセラミックと導電性の物質の比率が異なる
構成とする。
【００２１】また本発明は、上記電子銃において、２種
類の抵抗体の内、高い抵抗値の抵抗体が低い抵抗値の抵
抗体の２〜１０倍の抵抗値である構成とする。
類の抵抗体の内、高い抵抗値の抵抗体が低い抵抗値の抵
抗体の２〜１０倍の抵抗値である構成とする。
【００２２】また本発明は、上記電子銃において、２種
類の抵抗体の抵抗値が、それぞれ０．１〜１０００ＧΩ
・ｃｍの範囲内である構成とする。
類の抵抗体の抵抗値が、それぞれ０．１〜１０００ＧΩ
・ｃｍの範囲内である構成とする。
【００２３】また本発明は、上記電子銃において、アノ
ード電極に供給された高い電圧が、２種類の抵抗体によ
り分圧されて、中間電極に所要の電圧が供給される構成
とする。
ード電極に供給された高い電圧が、２種類の抵抗体によ
り分圧されて、中間電極に所要の電圧が供給される構成
とする。
【００２４】以下、図面を参照して本発明に係る電子銃
を説明する。図１及び図２に本発明に係る電子銃の一例
を示す。図１は電子銃の概略構成図を示し、図１Ａはビ
ードガラスの側から見た平面図、図１Ｂはビードガラス
の側方から見た図を示す。また図２Ａに電極の配置の模
式図を示す。
を説明する。図１及び図２に本発明に係る電子銃の一例
を示す。図１は電子銃の概略構成図を示し、図１Ａはビ
ードガラスの側から見た平面図、図１Ｂはビードガラス
の側方から見た図を示す。また図２Ａに電極の配置の模
式図を示す。
【００２５】この電子銃１０は、それぞれ赤（Ｒ）、緑
（Ｇ）及び青（Ｂ）の３色に対応する３つのカソードＫ
（ＫR ，ＫG ，ＫB ）に対して共通の第１電極Ｇ1 、第
２電極Ｇ2 、第３電極Ｇ3 、第４電極Ｇ4 が順次配列さ
れて成る。この第１電極Ｇ1 〜第４電極Ｇ4 の各電極
は、金属例えばステンレスから成る。そして、フォーカ
ス電極である第３電極Ｇ3 と、アノード電極である第４
電極Ｇ4 によりバイポテンシャル型の主電子レンズが構
成される。
（Ｇ）及び青（Ｂ）の３色に対応する３つのカソードＫ
（ＫR ，ＫG ，ＫB ）に対して共通の第１電極Ｇ1 、第
２電極Ｇ2 、第３電極Ｇ3 、第４電極Ｇ4 が順次配列さ
れて成る。この第１電極Ｇ1 〜第４電極Ｇ4 の各電極
は、金属例えばステンレスから成る。そして、フォーカ
ス電極である第３電極Ｇ3 と、アノード電極である第４
電極Ｇ4 によりバイポテンシャル型の主電子レンズが構
成される。
【００２６】各電極に供給される電圧は、例えば第１電
極Ｇ1 は０Ｖ、第２電極Ｇ2 は１００〜８００Ｖ、第３
電極Ｇ3 は４〜８ｋＶ（フォーカス電圧ＦＶ）、第４電
極Ｇ4 は２０〜３０ｋＶ（アノード電圧ＨＶ）とされ
る。
極Ｇ1 は０Ｖ、第２電極Ｇ2 は１００〜８００Ｖ、第３
電極Ｇ3 は４〜８ｋＶ（フォーカス電圧ＦＶ）、第４電
極Ｇ4 は２０〜３０ｋＶ（アノード電圧ＨＶ）とされ
る。
【００２７】そして、本例では特に、図１０及び図１１
に示した従来の電子銃６０で用いていた内蔵抵抗器６１
の代わりに、厚さ１ｍｍ〜２ｍｍの抵抗体Ｒ1 ，Ｒ2 を
設け、一方の抵抗体Ｒ1 を第３電極Ｇ3 −中間電極ＧＭ
間に挟み、他方の抵抗体Ｒ2を中間電極ＧＭ−第４電極
Ｇ4 間に挟み、第４電極Ｇ4 からのアノード電圧ＨＶを
抵抗体Ｒ1 ，Ｒ2 によって分圧して、中間電極ＧＭへ所
定の電圧を供給する。これら抵抗体Ｒ1 ，Ｒ2 は、好ま
しくは例えば導電性を付与したアルミナ等のセラミック
により構成し、図２Ｂ及び図２Ｃに示すように、隣接す
る電極Ｇ3 ，Ｇ4 ，ＧＭと同様のリング状の形状に形成
する。
に示した従来の電子銃６０で用いていた内蔵抵抗器６１
の代わりに、厚さ１ｍｍ〜２ｍｍの抵抗体Ｒ1 ，Ｒ2 を
設け、一方の抵抗体Ｒ1 を第３電極Ｇ3 −中間電極ＧＭ
間に挟み、他方の抵抗体Ｒ2を中間電極ＧＭ−第４電極
Ｇ4 間に挟み、第４電極Ｇ4 からのアノード電圧ＨＶを
抵抗体Ｒ1 ，Ｒ2 によって分圧して、中間電極ＧＭへ所
定の電圧を供給する。これら抵抗体Ｒ1 ，Ｒ2 は、好ま
しくは例えば導電性を付与したアルミナ等のセラミック
により構成し、図２Ｂ及び図２Ｃに示すように、隣接す
る電極Ｇ3 ，Ｇ4 ，ＧＭと同様のリング状の形状に形成
する。
【００２８】さらに、本例では、２つの抵抗体Ｒ1 ，Ｒ
2 は、互いに抵抗値が異なる抵抗体から成り、抵抗体Ｒ
1 が低抵抗に、抵抗体Ｒ2 が高抵抗に構成される。高抵
抗の抵抗体Ｒ2 の抵抗値は、低抵抗の抵抗体Ｒ1 の２〜
１０倍の抵抗値を有することが望ましい。２倍より少な
いと抵抗値を異ならせる効果が充分でなくなり、１０倍
を越えるとチャージアップしやすくなる。
2 は、互いに抵抗値が異なる抵抗体から成り、抵抗体Ｒ
1 が低抵抗に、抵抗体Ｒ2 が高抵抗に構成される。高抵
抗の抵抗体Ｒ2 の抵抗値は、低抵抗の抵抗体Ｒ1 の２〜
１０倍の抵抗値を有することが望ましい。２倍より少な
いと抵抗値を異ならせる効果が充分でなくなり、１０倍
を越えるとチャージアップしやすくなる。
【００２９】導電性を付与したアルミナからなる抵抗体
は、製造する際のアルミナと導電性物質（鉄・マンガン
等）との比率を変えて、抵抗値をおよそ０．１ＧΩ・ｃ
ｍ〜１０００ＧΩ・ｃｍまでの範囲で制御することがで
きる。０．１ＧΩ・ｃｍより小さいと電流が大きく温度
上昇により熱平衡が保たれなくなり、１０００ＧΩ・ｃ
ｍより大きいと充分な導電性が得られずチャージアップ
しやすくなる。また、導電性物質の比率は、好ましくは
約１０〜３０％程度の範囲とする。
は、製造する際のアルミナと導電性物質（鉄・マンガン
等）との比率を変えて、抵抗値をおよそ０．１ＧΩ・ｃ
ｍ〜１０００ＧΩ・ｃｍまでの範囲で制御することがで
きる。０．１ＧΩ・ｃｍより小さいと電流が大きく温度
上昇により熱平衡が保たれなくなり、１０００ＧΩ・ｃ
ｍより大きいと充分な導電性が得られずチャージアップ
しやすくなる。また、導電性物質の比率は、好ましくは
約１０〜３０％程度の範囲とする。
【００３０】このような抵抗体Ｒ1 ，Ｒ2 は、次のよう
な工程で作製することができる。まず、セラミックが粉
末の状態で、導電性物質の粉末を所定の比率で添加し
て、充分混合する。原料を混合した後、金型等により所
定の寸法形状に成形してから、このセラミックを焼成し
て導電性セラミックからなる抵抗体を形成する。
な工程で作製することができる。まず、セラミックが粉
末の状態で、導電性物質の粉末を所定の比率で添加し
て、充分混合する。原料を混合した後、金型等により所
定の寸法形状に成形してから、このセラミックを焼成し
て導電性セラミックからなる抵抗体を形成する。
【００３１】さらに、好ましくは金属製の電極や他の導
電性セラミックとのコンタクトを良くする目的で、導電
性セラミックからなる抵抗体の断面に電極ペーストを塗
布する。この電極ペーストには、例えば酸化ルテニウム
（ＲｕＯ2 ）ペースト、又は金ペーストを用い、成形を
行った後セラミックの断面に塗布して焼成を行う。
電性セラミックとのコンタクトを良くする目的で、導電
性セラミックからなる抵抗体の断面に電極ペーストを塗
布する。この電極ペーストには、例えば酸化ルテニウム
（ＲｕＯ2 ）ペースト、又は金ペーストを用い、成形を
行った後セラミックの断面に塗布して焼成を行う。
【００３２】上述のようにして２種類の抵抗体Ｒ1 、Ｒ
2 を形成することができるため、内蔵抵抗器と比較し
て、大量に生産することが容易であり、電子銃１０をよ
り簡便な製造工程で製造することができるようになる。
2 を形成することができるため、内蔵抵抗器と比較し
て、大量に生産することが容易であり、電子銃１０をよ
り簡便な製造工程で製造することができるようになる。
【００３３】ここで、中間電極ＧＭの電圧は、第３電極
Ｇ3 −中間電極ＧＭ間に配される抵抗体Ｒ1 の抵抗値
と、中間電極ＧＭ−第４電極Ｇ4 間に配される抵抗体Ｒ
2 の抵抗値との比によって決まる。例えば第３電極Ｇ3
の電位が１０ｋＶ、第４電極Ｇ4 の電位が３０ｋＶのと
き、中間電極ＧＭの電位を１５ｋＶにするためには、第
３電極Ｇ3 −中間電極ＧＭ間に配される低抵抗の抵抗体
Ｒ1 の抵抗値を１００ＧΩ、中間電極ＧＭ−第４電極Ｇ
4 間に配される高抵抗の抵抗体Ｒ2 の抵抗値を３００Ｇ
Ωというように、抵抗値の比を１：３とすればよい。
Ｇ3 −中間電極ＧＭ間に配される抵抗体Ｒ1 の抵抗値
と、中間電極ＧＭ−第４電極Ｇ4 間に配される抵抗体Ｒ
2 の抵抗値との比によって決まる。例えば第３電極Ｇ3
の電位が１０ｋＶ、第４電極Ｇ4 の電位が３０ｋＶのと
き、中間電極ＧＭの電位を１５ｋＶにするためには、第
３電極Ｇ3 −中間電極ＧＭ間に配される低抵抗の抵抗体
Ｒ1 の抵抗値を１００ＧΩ、中間電極ＧＭ−第４電極Ｇ
4 間に配される高抵抗の抵抗体Ｒ2 の抵抗値を３００Ｇ
Ωというように、抵抗値の比を１：３とすればよい。
【００３４】このようにすることにより、中間電極ＧＭ
により拡張電界を形成して、図３に電極上の電位を示す
ように、第３電極Ｇ3 と第４電極Ｇ4 との間が広い距離
ｄMとなることから、前述の図１０及び図１２Ｂに示し
た従来例と同様に、電位勾配を緩やかにすることができ
るので、球面収差係数Ｃsoを小さくして、スポットサイ
ズを小さくすることができる。
により拡張電界を形成して、図３に電極上の電位を示す
ように、第３電極Ｇ3 と第４電極Ｇ4 との間が広い距離
ｄMとなることから、前述の図１０及び図１２Ｂに示し
た従来例と同様に、電位勾配を緩やかにすることができ
るので、球面収差係数Ｃsoを小さくして、スポットサイ
ズを小さくすることができる。
【００３５】また、図４に本発明に係る他の電子銃２０
の電極の配置を示すように、中間電極ＧＭ−第４電極Ｇ
4 間に配置される高抵抗の抵抗体Ｒ2 を、例えば２つの
１５０ＧΩの抵抗体Ｒ21，Ｒ22を重ねて３００ＧΩとす
るように構成してもよい。この場合、高抵抗の抵抗体Ｒ
2 を構成する２つの抵抗体Ｒ21，Ｒ22は、金属製の電極
との接触面だけでなく互いの抵抗体に接触する面にも前
述の電極ペーストを形成しておく。
の電極の配置を示すように、中間電極ＧＭ−第４電極Ｇ
4 間に配置される高抵抗の抵抗体Ｒ2 を、例えば２つの
１５０ＧΩの抵抗体Ｒ21，Ｒ22を重ねて３００ＧΩとす
るように構成してもよい。この場合、高抵抗の抵抗体Ｒ
2 を構成する２つの抵抗体Ｒ21，Ｒ22は、金属製の電極
との接触面だけでなく互いの抵抗体に接触する面にも前
述の電極ペーストを形成しておく。
【００３６】また、従来のバイポテンシャル構造の電子
銃では、陰極線管の蛍光面のコーナー部のスポットサイ
ズの歪みを補正するために、電極に板状の電界補正電極
を取り付けていたが、本例の電子銃でも同様に電界補正
電極を取り付けることができる。その例を次に示す。
銃では、陰極線管の蛍光面のコーナー部のスポットサイ
ズの歪みを補正するために、電極に板状の電界補正電極
を取り付けていたが、本例の電子銃でも同様に電界補正
電極を取り付けることができる。その例を次に示す。
【００３７】図５は、本発明に係る別の電子銃３０の電
極の配置を示す。この電子銃３０は、図４に示した電子
銃２０と比較して、さらに高抵抗の抵抗体Ｒ2 を構成す
る２つの抵抗体Ｒ21，Ｒ22の間に電界補正電極３１を間
に入れて構成されている。この電界補正電極３１は、そ
の他の電極Ｇ1 〜Ｇ4 ，ＧＭと同様に金属等の材料で構
成される。
極の配置を示す。この電子銃３０は、図４に示した電子
銃２０と比較して、さらに高抵抗の抵抗体Ｒ2 を構成す
る２つの抵抗体Ｒ21，Ｒ22の間に電界補正電極３１を間
に入れて構成されている。この電界補正電極３１は、そ
の他の電極Ｇ1 〜Ｇ4 ，ＧＭと同様に金属等の材料で構
成される。
【００３８】尚、１種類の抵抗体を使用する方法は、本
発明者等が先に提案している（特開平６−２７５２１１
号参照）。
発明者等が先に提案している（特開平６−２７５２１１
号参照）。
【００３９】この先に提案した１種類の抵抗体を用いて
電極間に抵抗体を形成した電子銃の主電子レンズ付近の
概略構成図を図６Ａに示す。この図６Ａに示す電子銃９
０では、第３電極Ｇ3 と第４電極Ｇ4 とその間を挟むよ
うに絶縁体もしくは抵抗体からなる円筒体９１が形成さ
れ、円筒体９１の内壁に導電性ペーストを塗布すること
により中間電極ＧＭを形成している。また、第３電極Ｇ
3 及び第４電極Ｇ4 の近傍にも良好なコンタクトを採る
ために導電性ペースト９２が塗布されている。中間電極
ＧＭと第４電極Ｇ4 との間の部分には、筋状に導電性ペ
ースト９２が塗布され、電極間の円筒体９１のチャージ
アップを防止している。
電極間に抵抗体を形成した電子銃の主電子レンズ付近の
概略構成図を図６Ａに示す。この図６Ａに示す電子銃９
０では、第３電極Ｇ3 と第４電極Ｇ4 とその間を挟むよ
うに絶縁体もしくは抵抗体からなる円筒体９１が形成さ
れ、円筒体９１の内壁に導電性ペーストを塗布すること
により中間電極ＧＭを形成している。また、第３電極Ｇ
3 及び第４電極Ｇ4 の近傍にも良好なコンタクトを採る
ために導電性ペースト９２が塗布されている。中間電極
ＧＭと第４電極Ｇ4 との間の部分には、筋状に導電性ペ
ースト９２が塗布され、電極間の円筒体９１のチャージ
アップを防止している。
【００４０】図６Ａに示すように、この電子銃９０にお
いては、中間電極ＧＭの電圧は、フォーカス電極Ｇ3 −
中間電極間ＧＭの距離Ｌ1 と、中間電極ＧＭ−アノード
電極Ｇ4 との距離Ｌ2 との比によって規定される。しか
しながら、中間電極ＧＭに所望の中間電圧を供給するた
めには、中間電極ＧＭ−アノード電極Ｇ4 間の距離Ｌ2
を長くする必要があり、電子銃全体が長くなってしま
う。
いては、中間電極ＧＭの電圧は、フォーカス電極Ｇ3 −
中間電極間ＧＭの距離Ｌ1 と、中間電極ＧＭ−アノード
電極Ｇ4 との距離Ｌ2 との比によって規定される。しか
しながら、中間電極ＧＭに所望の中間電圧を供給するた
めには、中間電極ＧＭ−アノード電極Ｇ4 間の距離Ｌ2
を長くする必要があり、電子銃全体が長くなってしま
う。
【００４１】例えば、第３電極Ｇ3 に供給される電圧が
１０ｋＶ、第４電極Ｇ4 に供給される電圧が３０ｋＶで
あるときに、中間電極ＧＭに供給する電圧を１５ｋＶに
するためには、中間電極ＧＭ−第４電極Ｇ4 間の距離Ｌ
2 を第３電極Ｇ3 −中間電極ＧＭ間の距離Ｌ1 の３倍に
しなければならず、その分電子銃９０の全長が長くなっ
てしまう。
１０ｋＶ、第４電極Ｇ4 に供給される電圧が３０ｋＶで
あるときに、中間電極ＧＭに供給する電圧を１５ｋＶに
するためには、中間電極ＧＭ−第４電極Ｇ4 間の距離Ｌ
2 を第３電極Ｇ3 −中間電極ＧＭ間の距離Ｌ1 の３倍に
しなければならず、その分電子銃９０の全長が長くなっ
てしまう。
【００４２】また、この図６Ａの例では、円筒体９１の
内面に精度よく電極パターンを印刷、描画しなければな
らない問題がある。
内面に精度よく電極パターンを印刷、描画しなければな
らない問題がある。
【００４３】これに対して、本発明に係る電子銃におい
ては、例えば図４に示した電子銃２０の主電子レンズ付
近の概略構成図を図６Ｂに示すように、中間電極ＧＭ−
アノード電極Ｇ4 間に高抵抗の抵抗体Ｒ2 を配すること
により、この間の距離を短くすることができる。
ては、例えば図４に示した電子銃２０の主電子レンズ付
近の概略構成図を図６Ｂに示すように、中間電極ＧＭ−
アノード電極Ｇ4 間に高抵抗の抵抗体Ｒ2 を配すること
により、この間の距離を短くすることができる。
【００４４】本発明は、ユニポテンシャル構造の電子銃
にも適用することができる。その場合の例を次に示す。
にも適用することができる。その場合の例を次に示す。
【００４５】図７は、本発明の電子銃のさらに他の例の
構成図である。この電子銃４０は、それぞれ赤（Ｒ）、
緑（Ｇ）及び青（Ｂ）の３色に対応する３つのカソード
Ｋ（ＫR ，ＫG ，ＫB ）に対して共通の第１電極Ｇ1 、
第２電極Ｇ2 、第３電極Ｇ3 、第４電極Ｇ4 、第５電極
Ｇ5 が順次配列され、さらに後段に静電コンバージェン
スを行う４枚の偏向電極板４１ａ〜４１ｄからなるコン
バージェンス手段４１を有して成る。また、第４電極Ｇ
4 がフォーカス電極とされ、アノード電極が第３電極Ｇ
3 と第５電極Ｇ5 の２つの電極により構成される。従っ
て、中間電極ＧＭは第３電極Ｇ3 と第４電極Ｇ4 の間、
及び第４電極Ｇ4 と第５電極Ｇ5 との間の２箇所に設け
る必要がある。そして、これらの電極Ｇ3 〜Ｇ5 ，ＧＭ
により主電子レンズが形成されたユニポテンシャル型の
電子銃を構成している。
構成図である。この電子銃４０は、それぞれ赤（Ｒ）、
緑（Ｇ）及び青（Ｂ）の３色に対応する３つのカソード
Ｋ（ＫR ，ＫG ，ＫB ）に対して共通の第１電極Ｇ1 、
第２電極Ｇ2 、第３電極Ｇ3 、第４電極Ｇ4 、第５電極
Ｇ5 が順次配列され、さらに後段に静電コンバージェン
スを行う４枚の偏向電極板４１ａ〜４１ｄからなるコン
バージェンス手段４１を有して成る。また、第４電極Ｇ
4 がフォーカス電極とされ、アノード電極が第３電極Ｇ
3 と第５電極Ｇ5 の２つの電極により構成される。従っ
て、中間電極ＧＭは第３電極Ｇ3 と第４電極Ｇ4 の間、
及び第４電極Ｇ4 と第５電極Ｇ5 との間の２箇所に設け
る必要がある。そして、これらの電極Ｇ3 〜Ｇ5 ，ＧＭ
により主電子レンズが形成されたユニポテンシャル型の
電子銃を構成している。
【００４６】そして、本例の電子銃４０においては、第
３電極Ｇ3 及び第５電極Ｇ5 と中間電極ＧＭとの間に、
高抵抗の抵抗体Ｒ2 例えば３００ＧΩの抵抗セラミック
が配され、一方第４電極Ｇ4 と両側の中間電極ＧＭとの
間に、低抵抗の抵抗体Ｒ1 例えば１００ＧΩの抵抗セラ
ミックが配される。２種類の抵抗値の抵抗セラミックＲ
1 ，Ｒ2 は、前述の例と同様にリング状に形成され、金
属製の電極Ｇ3 ，Ｇ4 ，Ｇ5 及びＧＭの間に隙間がない
ように取り付けられる。これにより、２種類の抵抗値の
抵抗セラミックＲ1 ，Ｒ2 により、中間電極ＧＭに供給
される電圧を、フォーカス電圧ＦＶとアノード電圧ＨＶ
の間の、所定の電圧値とすることができる。
３電極Ｇ3 及び第５電極Ｇ5 と中間電極ＧＭとの間に、
高抵抗の抵抗体Ｒ2 例えば３００ＧΩの抵抗セラミック
が配され、一方第４電極Ｇ4 と両側の中間電極ＧＭとの
間に、低抵抗の抵抗体Ｒ1 例えば１００ＧΩの抵抗セラ
ミックが配される。２種類の抵抗値の抵抗セラミックＲ
1 ，Ｒ2 は、前述の例と同様にリング状に形成され、金
属製の電極Ｇ3 ，Ｇ4 ，Ｇ5 及びＧＭの間に隙間がない
ように取り付けられる。これにより、２種類の抵抗値の
抵抗セラミックＲ1 ，Ｒ2 により、中間電極ＧＭに供給
される電圧を、フォーカス電圧ＦＶとアノード電圧ＨＶ
の間の、所定の電圧値とすることができる。
【００４７】この例では、図８に電極上の電位を示すよ
うに、主電子レンズを構成する各電極に供給される電圧
は、例えば第４電極Ｇ4 は１０ｋＶ（フォーカス電圧Ｆ
Ｖ）、第３電極Ｇ3 及び第５電極Ｇ5 は３０ｋＶ（アノ
ード電圧ＨＶ）とされ、これらの間の中間電極ＧＭには
例えば１５ｋＶの電圧が供給される。
うに、主電子レンズを構成する各電極に供給される電圧
は、例えば第４電極Ｇ4 は１０ｋＶ（フォーカス電圧Ｆ
Ｖ）、第３電極Ｇ3 及び第５電極Ｇ5 は３０ｋＶ（アノ
ード電圧ＨＶ）とされ、これらの間の中間電極ＧＭには
例えば１５ｋＶの電圧が供給される。
【００４８】ここで、比較のために、図１３に従来のユ
ニポテンシャル型の電子銃を示す。図１３Ａは、電子銃
の概略構成図、図１３Ｂは電極の配置と電子ビームの経
路を示す模式図である。図中７１はコンバージェンス手
段、７２はビードガラス、７３はスプリング、７４はス
テムを示す。この電子銃７０は中間電極ＧＭを形成しな
い例を示している。この電子銃７０においても、従来の
図９〜図１１に示したバイポテンシャル型の電子銃５
０，６０と同様に、主電子レンズを構成する電極Ｇ3 〜
Ｇ5 間の隙間から電子の漏れを生じて電子ビームのず
れ、及びスポットの移動を生じることがある。
ニポテンシャル型の電子銃を示す。図１３Ａは、電子銃
の概略構成図、図１３Ｂは電極の配置と電子ビームの経
路を示す模式図である。図中７１はコンバージェンス手
段、７２はビードガラス、７３はスプリング、７４はス
テムを示す。この電子銃７０は中間電極ＧＭを形成しな
い例を示している。この電子銃７０においても、従来の
図９〜図１１に示したバイポテンシャル型の電子銃５
０，６０と同様に、主電子レンズを構成する電極Ｇ3 〜
Ｇ5 間の隙間から電子の漏れを生じて電子ビームのず
れ、及びスポットの移動を生じることがある。
【００４９】これに対して、図７に示す本発明に係る電
子銃４０においては、主電子レンズを構成する電極Ｇ3
〜Ｇ5 、ＧＭの隙間が抵抗体Ｒ1 ，Ｒ2 で埋められるた
め、電極間からの電子の漏れをなくして、電子ビームの
ずれを防止することができる。
子銃４０においては、主電子レンズを構成する電極Ｇ3
〜Ｇ5 、ＧＭの隙間が抵抗体Ｒ1 ，Ｒ2 で埋められるた
め、電極間からの電子の漏れをなくして、電子ビームの
ずれを防止することができる。
【００５０】本発明の電子銃は、上述の例に限定される
ものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲でその他
様々な構成が取り得る。
ものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲でその他
様々な構成が取り得る。
【００５１】
【発明の効果】上述の本発明によれば、電極の隙間を抵
抗体で塞ぐことができるので、ビーム漏れによるストレ
ー、放電、スポット移動等の問題を防ぐことができる。
抗体で塞ぐことができるので、ビーム漏れによるストレ
ー、放電、スポット移動等の問題を防ぐことができる。
【００５２】また本発明によれば、抵抗体によって中間
電極への電圧を供給することができるので、内蔵抵抗器
が必要なく、電子銃の製造工程の単純化が図られる。
電極への電圧を供給することができるので、内蔵抵抗器
が必要なく、電子銃の製造工程の単純化が図られる。
【００５３】また、抵抗値の異なる２種類の抵抗体を用
いるので、中間電極に供給される電圧の調整が容易にな
り、１種類の抵抗体により電子銃を構成した場合よりも
全長を短くすることができる。さらに、１種類の抵抗体
により電子銃を構成した場合のように抵抗体の内壁に精
度良くパターンを印刷描画する必要がないので、この点
でも製造工程の簡略化が図られる。
いるので、中間電極に供給される電圧の調整が容易にな
り、１種類の抵抗体により電子銃を構成した場合よりも
全長を短くすることができる。さらに、１種類の抵抗体
により電子銃を構成した場合のように抵抗体の内壁に精
度良くパターンを印刷描画する必要がないので、この点
でも製造工程の簡略化が図られる。
【図１】本発明に係る電子銃の一例の概略構成図であ
る。 Ａ ビードガラスが配された側から見た平面図である。 Ｂ 図１Ａとは直交する方向から見た平面図である。
る。 Ａ ビードガラスが配された側から見た平面図である。 Ｂ 図１Ａとは直交する方向から見た平面図である。
【図２】Ａ 図１の電子銃の電極と抵抗体の配置を示す
模式図である。 Ｂ、Ｃ 抵抗体の形状を示す図である。
模式図である。 Ｂ、Ｃ 抵抗体の形状を示す図である。
【図３】図１の電子銃における電極上の電位を示す図で
ある。
ある。
【図４】本発明に係る電子銃の他の例の概略構成図であ
る。
る。
【図５】Ａ 本発明に係る電子銃の別の例の概略構成図
である。 Ｂ 電界補正電極の形状を示す図である。
である。 Ｂ 電界補正電極の形状を示す図である。
【図６】図４の電子銃と先に提案した電子銃とを比較し
た図である。 Ａ 先に提案した電子銃の主電子レンズ付近の概略構成
図である。 Ｂ 図４の電子銃の主電子レンズ付近の概略構成図であ
る。
た図である。 Ａ 先に提案した電子銃の主電子レンズ付近の概略構成
図である。 Ｂ 図４の電子銃の主電子レンズ付近の概略構成図であ
る。
【図７】本発明に係る電子銃のさらに他の例の概略構成
図である。
図である。
【図８】図７の電子銃における電極上の電位を示す図で
ある。
ある。
【図９】従来のバイポテンシャル型の電子銃の一例の電
極の配置を示す模式図である。
極の配置を示す模式図である。
【図１０】中間電極と内蔵抵抗器を設けたバイポテンシ
ャル型の電子銃の例の電極の配置を示す模式図である。
ャル型の電子銃の例の電極の配置を示す模式図である。
【図１１】図１０と同様の構成の電子銃の概略構成図で
ある。 Ａ ビードガラスが配された側から見た平面図である。 Ｂ 図１１Ａとは直交する方向から見た平面図である。 Ｃ 内蔵抵抗器の拡大図である。
ある。 Ａ ビードガラスが配された側から見た平面図である。 Ｂ 図１１Ａとは直交する方向から見た平面図である。 Ｃ 内蔵抵抗器の拡大図である。
【図１２】Ａ 従来のバイポテンシャル型の電子銃の電
極上の電位を示す図である。 Ｂ 拡張電界を形成したバイポテンシャル型の電子銃の
電極上の電位を示す図である。
極上の電位を示す図である。 Ｂ 拡張電界を形成したバイポテンシャル型の電子銃の
電極上の電位を示す図である。
【図１３】Ａ 従来のユニポテンシャル型の電子銃の概
略構成図である。 Ｂ 図１３Ａの電子銃の電極の配置と電子ビームを示す
模式図である。
略構成図である。 Ｂ 図１３Ａの電子銃の電極の配置と電子ビームを示す
模式図である。
１ ビードガラス、２ スプリング、３ ステム、１
０，２０，３０，４０ 電子銃、３１ 電界補正電極、
４１ コンバージェンス手段、５０，６０，７０電子
銃、６１ 内蔵抵抗器、６２ アルミナ基板、６３ 電
極パターン、６４，７２ ビードガラス、６５，７３
スプリング、６６，７４ ステム、７１ コンバージェ
ンス手段、Ｋ，ＫR ，ＫG ，ＫB カソード、Ｇ1 第
１電極、Ｇ2第２電極、Ｇ3 第３電極、Ｇ4 第４電
極、Ｇ5 第５電極、ＧＭ 中間電極、Ｒ1 抵抗体
（低抵抗）、Ｒ2 ，Ｒ21，Ｒ22 抵抗体（高抵抗）、ｔ
1 接地端子、ｔ2 高圧用端子、ｔ3 中間電極用端
子
０，２０，３０，４０ 電子銃、３１ 電界補正電極、
４１ コンバージェンス手段、５０，６０，７０電子
銃、６１ 内蔵抵抗器、６２ アルミナ基板、６３ 電
極パターン、６４，７２ ビードガラス、６５，７３
スプリング、６６，７４ ステム、７１ コンバージェ
ンス手段、Ｋ，ＫR ，ＫG ，ＫB カソード、Ｇ1 第
１電極、Ｇ2第２電極、Ｇ3 第３電極、Ｇ4 第４電
極、Ｇ5 第５電極、ＧＭ 中間電極、Ｒ1 抵抗体
（低抵抗）、Ｒ2 ，Ｒ21，Ｒ22 抵抗体（高抵抗）、ｔ
1 接地端子、ｔ2 高圧用端子、ｔ3 中間電極用端
子
Claims (6)
- 【請求項１】 フォーカス電極とアノード電極との間に
中間電極が設けられ、 抵抗値の異なる２種類の抵抗体のうち、一方の該抵抗体
が上記フォーカス電極と上記中間電極との間に配され、
他方の該抵抗体が上記中間電極と上記アノード電極との
間に配されて成ることを特徴とする電子銃。 - 【請求項２】 上記２種類の抵抗体が、セラミックに導
電性の物質が添加されて成ることを特徴とする請求項１
に記載の電子銃。 - 【請求項３】 上記２種類の抵抗体の上記セラミックと
上記導電性の物質の比率が異なることを特徴とする請求
項２に記載の電子銃。 - 【請求項４】 上記２種類の抵抗体の内、高い抵抗値の
抵抗体が、低い抵抗値の抵抗体の２〜１０倍の抵抗値で
あることを特徴とする請求項１に記載の電子銃。 - 【請求項５】 上記２種類の抵抗体の抵抗値が、それぞ
れ０．１〜１０００ＧΩ・ｃｍの範囲内であることを特
徴とする請求項１に記載の電子銃。 - 【請求項６】 上記アノード電極に供給された高い電圧
が、上記２種類の抵抗体により分圧されて、上記中間電
極に所要の電圧が供給されることを特徴とする請求項１
に記載の電子銃。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15997897A JPH117907A (ja) | 1997-06-17 | 1997-06-17 | 電子銃 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15997897A JPH117907A (ja) | 1997-06-17 | 1997-06-17 | 電子銃 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH117907A true JPH117907A (ja) | 1999-01-12 |
Family
ID=15705336
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15997897A Pending JPH117907A (ja) | 1997-06-17 | 1997-06-17 | 電子銃 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH117907A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4818961A (en) * | 1987-04-15 | 1989-04-04 | Hitachi, Ltd. | Surface acoustic wave filter with capacitive phase shifter |
-
1997
- 1997-06-17 JP JP15997897A patent/JPH117907A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4818961A (en) * | 1987-04-15 | 1989-04-04 | Hitachi, Ltd. | Surface acoustic wave filter with capacitive phase shifter |
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