KR19990057270A - Sdram모듈의 불량소자 검출기 - Google Patents

Sdram모듈의 불량소자 검출기 Download PDF

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이상선
윤용식
박승운
임두용
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김영환
현대전자산업 주식회사
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Abstract

본 발명은 메모리모듈의 실장테스트시 불량한 메모리모듈에서 불량소자를 검출할 수 있도록 하며 불량이 발생될 때의 데이터값과 어드레스값을 표시하도록 하는 메모리모듈의 불량소자 검출기에 관한 것으로, 실장시 외부와 접속되는 접속패드와, 접속패드와 일대일로 연결된 모듈슬롯과, 모듈슬롯의 데이터라인과 연결되어 테스트하고자 하는 메모리소자를 선택하기 위한 스위칭부와, 테스트하고자 하는 메모리소자와 비교하기 위한 양호한 메모리소자를 삽입하기 위한 소자소켓부와, 스위칭부와 소자소켓부의 데이터라인 사이에 각각 연결된 감지저항과, 감지저항의 전후단에 각각 연결되어 불량한 데이터가 발생될 경우 이를 표시하기 위한 데이터표시부와, 불량한 데이터가 발생될 경우 모듈슬롯에서 어드레스를 받아 표시하기 위한 어드레스표시부와, 어드레스표시부를 초기화시키기 위한 리셋스위치와, 소자소켓부와 어드레스표시부에 콘트롤선이나 동기신호를 모듈슬롯에서 입력받아 작동을 조절하기 위한 신호를 상기 소자소켓부와 어드레스표시부로 출력하는 조절부로 이루어져 SDRAM 모듈에서 불량소자를 PCB나 소자에 손상없이 쉽게 찾을 수 있으며, 불량이 발생되는 시점에서의 타이밍, 어드레스 변화, 데이터 변화 등의 상황을 알아내므로서 메모리의 품질을 향상시키기 있다.

Description

SDRAM 모듈의 불량소자 검출기
본 발명은 메모리모듈의 불량소자 검출기에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 메모리모듈의 실장테스트시 불량한 메모리모듈에서 불량소자를 검출할 수 있도록 하며 불량이 발생될 때의 데이터값과 어드레스값을 표시하도록 하여 불량이 발생시점에서의 타이밍이나, 어드레스변화, 데이터변화, 각종 신호들의 변화를 알아내어 메모리의 품질을 향상시킬 수 있도록 한 메모리모듈의 불량소자 검출기에 관한 것이다.
메모리는 컴퓨터, 통신시스템, 화상처리시스템 등에서 사용되는 데이타나 명령 등을 일시적 또는 영구적으로 저장하기 위하여 사용되는 것을 총칭하는 것으로써 대표적으로 반도체, 테이프, 디스크, 광학방식 등이 있는데 현재 반도체 메모리가 대부분을 차지하고 있다. 이런 반도체 메모리는 데이타 저장방식의 전기적 특성 등에 따라 구분되는 DRAM(Dynamic Random Access Memory), SRAM(Static Random Access Memory), Flash Memory, ROM(Read Only Memory) 등의 여러 종류가 있는데 이중 DRAM이 차지하는 비중이 가장 크다.
상기 DRAM은 저장전위가 시간에 따라 변화하기 때문에 주기적으로 저장전위를 원래의 상태로 회복하기 위해 주기적인 리프레쉬 동작이 필요하며, 캐패시터에 저장된 전하량이 데이타 판정기준이 되므로 읽기 동작에서 이 전하량의 차이에 따른 전압 차이를 유기하고 이 전압차이를 감지 증폭하여 데이타를 출력하기 때문에 파괴된 저장 데이타를 다시 복구하여 셀에 저장시켜야 하는 동적인 특성을 갖고 있다.
위와 같은 메모리를 실제적으로 시스템에 사용할 때는 모듈로 만들어서 생산되는데 모듈(module)이라는 것은 하나의 기능을 가진 소자들의 집합으로 인쇄회로기판(PCB:Printed Circuit Board)상에 여러 가지 반도체소자 등의 패키지장치가 탑재되어 다수의 접속 핀에 의해 패널 등에 연결되어 설치된다.
SDRAM(Synchronous Dynamic Random Access Memory)은 열어드레스의 취득, 데이터의 읽기, 출력 포트의 출력을 3단 파이프 라인으로 분담해 각각 클럭에 동기해서 처리할 수 있는 특징으로 갖는 DRAM이다.
일반적인 DRAM은 열어드레스를 받은 후 출력이 종료될때까지 처리할 수 있는 데이터는 한 개뿐이였으나 SDRAM은 3단 파이프 라인으로 분담해 각각 클럭에 동기되어 처리되기 때문에 최초의 데이터 출력까지는 3클럭이 걸리지만 이후부터는 1클럭마다 출력이 가능하기 때문에 고속 액세스가 가능하다는 특징이 있다.
도1은 일반적인 메모리모듈을 나타낸 도면으로서 인쇄회로기판(5)상에 메모리소자(30)들을 앞뒷면에 장착하여 구성된 DIMM(20)(Dual Input Memory Module)이다.
이때 인쇄회로 기판(5)상에 장착되는 메모리소자들의 종류에 따라 1M 메모리소자를 16개 장착한 16M SDRAM 1M×16 베이스 언버퍼드 DIMM과, 2M 메모리소자 8개를 장착한 16M SDRAM 2M×8 베이스 언버퍼드 DIMM과, 4M 메모리소자 4개를 장착한 16M SDRAM 4M×4 베이스 언버퍼드 DIMM과, 64M SDRAM 베이스 언버퍼드 DIMM 등 여러종류로 구분되며 버퍼가 장착한 버퍼드 DIMM도 있다.
이러한 SDRAM 모듈을 PC에 실장하여 테스트시 불량이 발생될 경우 불량소자를 찾기 위해서는 양호한 메모리소자를 이용하여 불량한 소자라고 예측되는 메모리소자와 양호한 소자를 교체하고 다시 PC에 장착하여 불량한 소자를 찾을 때까지 반복 실시하게 된다.
그러한 경우 양호한 메모리소자와 불량한 메모리소자를 반복하여 교체하기 때문에 교체과정에서 인쇄회로기판이나 메모리소자에 손상을 가할 수 있다는 문제점이 있다. 또한 불량이 발생될 때의 PC동작 상황을 파악하기 어렵다는 문제점이 있다.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위해 창작된 것으로서, 본 발명의 목적은 불량한 SDRAM 모듈의 임의의 메모리소자와 양호한 메모리소자가 동시에 작동되도록 스위칭하여 SDRAM 모듈의 메모리소자를 양호한 메모리소자와 비교하여 불량한 데이터가 발생될 때의 데이터와 어드레스를 표시할 수 있도록 하는 SDRAM 모듈의 불량소자 검출기를 제공함에 있다.
도1은 일반적인 메모리모듈을 나타낸 도면이다.
도2는 본 발명에 의한 SDRAM 모듈의 불량소자 검출기를 개략적으로 나타낸 회로도이다.
- 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 -
10 : 접속패드 20 : 모듈
25 : 모듈슬롯 30 : 소자
35 : 소자소켓부 40 : 스위칭부
50 : 데어터표시부 52 : XOR게이트
60 : 어드레스표시부 61 : 플립플롭
62 : 열어드레스표시부 64 : 행어드레스표시부
70 : 조절부 80 : 리셋스위치
상기와 같은 목적을 실현하기 위한 본 발명은 실장시 외부와 접속되는 접속패드와, 접속패드와 일대일로 연결된 모듈슬롯과, 모듈슬롯과 연결되어 테스트하고자 하는 메모리소자를 선택하기 위한 스위칭부와, 테스트하고자 하는 메모리소자와 비교하기 위한 양호한 메모리소자를 삽입하기 위한 소자소켓부와, 스위칭부와 소자소켓부의 데이터라인 사이에 각각 연결된 감지저항과, 감지저항의 전후단에 각각 연결되어 불량한 데이터가 발생될 경우 이를 표시하기 위한 데이터표시부와, 불량한 데이터가 발생될 경우 모듈슬롯에서 어드레스를 받아 표시하기 위한 어드레스표시부와, 어드레스표시부를 초기화시키기 위한 리셋스위치와, 소자소켓부와 어드레스표시부에 콘트롤선이나 동기신호를 모듈슬롯에서 입력받아 공급하기 위한 조절부로 이루어진다.
상기와 같이 이루어진 본 발명의 작동을 설명하면 다음과 같다.
실장테스트를 위해 불량한 메모리모듈을 모듈스롯에 삽입하고 양호한 메모리소자를 소자소켓부에 장착한 상태에서 불량한 메모리모듈에서 테스트하고자 하는 메모리소자와 양호한 메모리소자가 동시에 작동될 수 있도록 스위칭부의 접속점을 와이어로 연결하면 메모리모듈과 메모리소자가 동시에 작동되면서 다른 값이 출력될 때 감지저항의 양단에 다른 전압이 걸려 데이터표시부에 표시되고 이때의 어드레스값이 조절부의 동기에 따라 모듈스롯에서 입력받아 어드레스표시부에 표시된다.
이하, 본 발명의 바람직한 실시예를 첨부된 도면을 참조하여 설명한다. 또한 본 실시예는 본 발명의 권리범위를 한정하는 것은 아니고, 단지 예시로 제시된 것이다.
도2는 본 발명에 따른 실시예로서 SDRAM 모듈의 불량소자 검출기를 간략하게 도시한 회로도이다.
도2에 도시된 바와 같이 SDRAM 모듈을 실장테스트시 PC의 메모리 슬롯(미도시)에 삽입될 수 있도록 하는 접속패드(10)와, 접속패드(10)와 일대일로 모듈슬롯의 모든 핀을 연결한다.
또한 불량소자를 선별하기 위해 양호한 메모리소자를 삽입하고 정상동작할 수 있도록 모듈슬롯(25)과 어드레스선이 연결된 소자소켓부(35)를 형성하고, 소자소켓부(35)에 삽입되는 양호한 메모리소자의 데이터라인과 모듈슬롯(25)에 삽입된 메모리모듈의 메모리소자중 테스트하기 위한 메모리소자의 데이터라인과 일대일로 연결할 수 있도록 스위칭하는 스위칭부(40)가 형성된다.
그리고 스위칭부(40)와 소자소켓부(35)사이에는 감지저항(R)이 설치되어 테스트시 메모리모듈의 메모리소자와 양호한 메모리소자가 다른 값을 출력할 경우 양단간에 다른 전압값이 걸리도록 하며, 감지저항(R)의 양단과 연결되어 서로 다른 전위의 값이 발생될 경우 이를 표시하기 위한 데이터표시부(50)가 형성된다.
한편 불량이 발생할 경우 발생된 데이터의 어드레스값을 표시하기 위해 모듈슬롯(25)에서 어드레스값을 입력받아 표시하는 어드레스표시부(60)가 형성된다.
그리고, 모듈슬롯(25)에서의 클럭신호와 콘트롤신호 등을 입력받아 소자소켓부(35)와 어드레스표시부(60)로 공급하여 불량한 데이터가 출력될 때와 동기되어 출력되도록 하는 조절부(70)가 설치된다.
또한 어드레스표시부(60)를 초기화시키기 위한 리셋스위치(80)가 설치된다.
소자소켓부(35)는 SDRAM 모듈을 구성한 메모리소자와 동일한 메모리소자를 장착할 수 있도록 다양하게 구성될 수 있다. 그리고, DIMM인 경우에는 2BANK로 이루어져 앞면 메모리소자와 뒷면 메모리소자를 장착할 수 있도록 2개의 소켓이 설치되며 RAS(Row Address Strobe)신호에 의해 어느 BANK에서 불량이 발생했는지를 규정할 수 있다.
스위칭부(40)는 메모리모듈의 첫 번째 메모리소자를 테스트하고자 할 때 첫 번째 메모리소자의 데이터라인과 양호한 메모리소자의 데이터라인이 일대일로 연결되도록 각 핀(44)을 와이어(42)로 연결할 수 있도록 하고, 또 두 번째 메모리소자를 테스트하고자 할 때 두 번째 메모리소자의 데이터라인과 양호한 메모리소자의 데이터라인이 일대일로 연결되도록 각 핀(44)을 와이어(42)로 연결할 수 있도록 이루어진다.
또한 CAS(Column Address Strobe)신호도 스위칭하도록 하여 테스트하고자 하는 메모리소자와 양호한 메모리소자가 동일하게 작동되도록 한다.
상기 감지저항(R)의 값은 메모리모듈의 메모리소자의 데이터라인과 양호한 메모리소자의 데이터라인에 전위가 다를 경우 감지저항(R)의 양단에 전위가 전달될 수 있고, 쓰기 동작시 입력데이터를 받아들일 수 있는 값을 선택함이 바람직하다.
데이터표시부(50)는 감지저항(R)의 양단 값의 전위를 입력값으로 받는 XOR게이트(52)와, XOR게이트(52)의 출력단과 안정을 위한 저항을 매개로 접지에 연결된 발광다이오드(LED)로 이루어진다.
XOR게이트(52)와 발광다이오드(LED)의 개수는 데이터라인의 개수와 동일한 개수를 설치한다.
어드레스표시부(60)는 모듈슬롯(25)에서 입력받은 어드레스를 클럭신호에 따라 출력하도록 한 SR플립플롭(66)과, SR플립플롭(66)의 출력단과 안정을 위한 저항을 매개로 접지에 연결된 발광다이오드(LED)로 이루어진다.
SR플립플롭(66)과 발광다이오드(LED)의 개수는 열어드레스와 행어드레스를 표시하기 위해 어드레스라인의 두배 만큼의 개수로 이루어진다.
SR플립플롭(66)의 리셋단에 연결되어 SR플립플롭(66)을 리셋시키기 위한 리셋스위치(80)가 연결된다.
조절부(70)는 버퍼와 논리게이트 등으로 이루어져 모듈슬롯(25)의 각종 콘트롤신호와, 클럭신호를 입력받아 소자소켓부(35)에 삽입된 양호한 메모리소자가 모듈슬롯(25)에 삽입된 메모리모듈과 동일하게 동작하도록 콘트롤신호와 클럭신호를 공급하며, 불량데이터가 발생되었을 때와 동기되어 어드레스표시부(60)의 SR플립플롭(66)의 클럭단자에 입력되도록 연결된다.
상기와 같이 이루어진 본 실시예의 작동을 설명하면 다음과 같다.
먼저 불량한 메모리모듈을 모듈슬롯(25)에 삽입하고 양호한 메모리소자를 소자소켓부(35)에 삽입한 상태에서 불량한 메모리모듈에서 테스트하고자 하는 메모리소자에 해당하는 핀(44)을 스위칭부에서 양호한 메모리소자의 핀(44)과 와이어(42)로 연결하고 CAS신호도 연결한다.
그런 다음 PC내의 메모리슬롯에 검출기를 삽입하고 동작시키면 감지저항(R)의 양단으로 양호한 메모리소자의 데이터와 불량한 메모리모듈의 메모리소자에서 출력되는 데이터가 출력된다. 그러나 동일한 데이터가 출력될 경우에는 감지저항(R) 양단에 전압차가 발생하기 않아 데이터표시부(50)의 XOR게이트(52)의 입력단에 동일한 값이 입력되어 발광다이오드(LED)가 점등되지 않지만 불량한 메모리모듈의 메모리소자와 양호한 메모리소자가 다른 값을 출력할 경우에는 감지저항(R)의 양단에 다른 전압이 걸리게 되어 XOR게이트(52)의 출력은 고전위가 되어 발광다이오드(LED)를 점등시키게 된다.
발광다이오드(LED)는 메모리소자의 데이터라인의 수만큼 설치되어 있기 때문에 해당되는 메모리소자의 각 셀에 저장된 데이터값을 표시할 수 있다.
또한 불량한 데이터가 출력될 경우 조절부(70)에서 CAS신호에 따라 어드레스표시부(60)의 행어드레스표시부(64)의 클럭단에 신호가 입력되어 SR플립플롭(66)이 작동됨으로서 모듈슬롯(25)의 어드레스신호가 SR플립플롭(66)의 출력단으로 출력되어 고전위인 라인은 발광다이오드(LED)가 점등되고 저전위인 라인은 발광다이오드(LED)가 점등되지 않는다.
그리고 RAS신호에 따라 어드레스표시부(60)의 열어드레스표시부(62)의 클럭단에 신호가 입력되어 SR플립플롭(66)이 작동됨으로서 모듈슬롯(25)의 어드레스신호가 SR플립플롭(66)의 출력단으로 출력되어 고전위인 라인은 발광다이오드(LED)가 점등되고 저전위인 라인은 발광다이오드(LED)가 점등되지 않는다.
이렇게 스위칭부(40)의 와이어(42)로 각 메모리소자의 데이터라인과 CAS신호를 연결하여 테스트함으로서 불량한 메모리소자를 찾게된다.
상기한 바와 같이 본 발명은 SDRAM 모듈과 기준이 되는 양호한 메모리소자와 동시에 작동시킴으로서 서로 다른 값을 출력할 때의 출력데이터와 어드레스가 출력되도록 하여 불량이 발생된 어드레스와 셀을 찾을 수 쉽게 찾을 수 있어 불량분석이 용이해지며 분석시간도 단축시킬 수 있다는 이점이 있다.
또한, 스위칭부의 와이어의 전환으로 테스트를 반복할 수 있기 때문에 인쇄회로기판이나 소자에 손상을 주지 않고 불량소자를 검출할 수 있다는 이점이 있다.
그리고 불량한 데이터가 발생되는 순간을 측정장비 등으로 연결하여 불량이 발생될 때의 PC의 동작상황을 분석할 수 있어 메모리소자의 품질을 향상시킬 수 있다는 이점이 있다.

Claims (7)

  1. 실장시 외부와 접속되는 접속패드와,
    상기 접속패드와 일대일로 연결된 모듈슬롯과,
    상기 모듈슬롯과 연결되어 테스트하고자 하는 메모리소자를 선택하기 위한 스위칭부와,
    상기 테스트하고자 하는 메모리소자와 비교하기 위한 양호한 메모리소자를 삽입하기 위한 소자소켓부와,
    상기 스위칭부와 상기 소자소켓부의 데이터라인 사이에 각각 연결된 감지저항과,
    상기 감지저항의 전후단에 각각 연결되어 불량한 데이터가 발생될 경우 이를 표시하기 위한 데이터표시부와,
    불량한 데이터가 발생될 경우 상기 모듈슬롯에서 어드레스를 받아 표시하기 위한 어드레스표시부와,
    상기 어드레스표시부를 초기화시키기 위한 리셋스위치와,
    상기 소자소켓부와 상기 어드레스표시부에 콘트롤선이나 동기신호를 상기 모듈슬롯에서 입력받아 작동을 조절하기 위한 신호를 상기 소자소켓부와 어드레스표시부로 출력하는 조절부
    로 이루어진 것을 특징으로 하는 SDRAM 모듈의 불량소자 검출기.
  2. 제1항에 있어서, 소자소켓부는
    SDRAM 모듈을 구성한 메모리소자와 동일한 메모리소자를 장착할 수 있도록 다양하게 구성된 것을 특징으로 하는 SDRAM 모듈의 불량소자 검출기.
  3. 제1항에 있어서, 상기 스위칭부는
    메모리모듈의 메모리소자의 데이터라인과 CAS라인이 상기 소자소켓부의 데이터라인과 CAS라인에 일대일로 연결되도록 된 핀과,
    상기 핀을 연결할 수 있는 와이어
    로 이루어진 것을 특징으로 하는 SDRAM 모듈의 불량소자 검출기.
  4. 제1항에 있어서, 상기 감지저항은
    메모리모듈의 메모리소자의 데이터라인과 양호한 메모리소자의 데이터라인에 전위가 다를 경우 감지저항의 양단에 전위가 전달될 수 있고, 쓰기 동작시 입력데이터를 받아들일 수 있는 값으로 설정되는 것
    을 특징으로 하는 SDRAM 모듈의 불량소자 검출기.
  5. 제1항에 있어서, 상기 데이터표시부는
    상기 감지저항의 양단값의 전위를 입력값으로 받는 XOR게이트와,
    상기 XOR게이트의 출력단과 안정을 위한 저항을 매개로 접지에 연결된 발광다이오드
    로 이루어진 것을 특징으로 하는 SDRAM 모듈의 불량소자 검출기.
  6. 제1항에 있어서, 상기 어드레스표시부는
    상기 모듈슬롯에서 입력받은 어드레스를 클럭신호에 따라 출력하도록 한 SR플립플롭과,
    상기 SR플립플롭의 출력단과 안정을 위한 저항을 매개로 접지에 연결된 발광다이오드
    로 이루어진 것을 특징으로 하는 SDRAM 모듈의 불량소자 검출기.
  7. 제1항에 있어서, 상기 리셋스위치는
    SR플립플롭의 리셋단에 연결된 것을 특징으로 하는 SDRAM 모듈의 불량소자 검출기.
KR1019970077319A 1997-12-29 1997-12-29 Sdram모듈의 불량소자 검출기 KR19990057270A (ko)

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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KR100504428B1 (ko) * 1997-12-30 2005-09-26 주식회사 하이닉스반도체 Edo dram 모듈의 불량소자 검출기

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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