KR20000040294A - 메모리 모듈의 불량 감지기 - Google Patents

Abstract

본 발명은 메모리모듈의 실장테스트시 오류가 발생한 메모리모듈을 불량이 발생되는 시점에서 육안으로 확인가능하도록 하며 메모리 모듈의 작동 전원전압의 변동이 따른 불량원인을 분석할 수 있도록 하는 메모리 모듈의 불량 감지기에 관한 것으로, 실장장비와 접속되는 접속패드와, 접속패드로부터 입력되는 전원단과 접지단을 단속하고 전원전압을 조절하기 위한 전원공급부와, 접속패드와 모든 핀이 일대일로 연결된 제 1슬롯과, 제 1슬롯과 모든 핀이 일대일로 연결된 제 2슬롯과, 제 1슬롯과 제 2슬롯의 데이터 라인에 매개되어 데이터값을 서로 비교하는 비교부와, 비교부의 값을 입력받아 표시하는 표시부로 이루어져 불량 메모리 모듈에서 오류가 발생되는 시점을 육안으로 확인하여 테스트할 수 있다는 이점이 있다.

Description

메모리 모듈의 불량 감지기

본 발명은 메모리모듈의 불량 감지기에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 메모리모듈의 실장테스트시 오류가 발생한 메모리모듈을 불량이 발생되는 시점에서 육안으로 확인가능하도록 하며 메모리 모듈의 작동 전원전압의 변동이 따른 불량원인을 분석할 수 있도록 하는 메모리 모듈의 불량 감지기에 관한 것이다.

메모리는 컴퓨터, 통신시스템, 화상처리시스템 등에서 사용되는 데이타나 명령 등을 일시적 또는 영구적으로 저장하기 위하여 사용되는 것을 총칭하는 것으로써 대표적으로 반도체, 테이프, 디스크, 광학방식 등이 있는데 현재 반도체 메모리가 대부분을 차지하고 있다. 이런 반도체 메모리는 데이타 저장방식의 전기적 특성 등에 따라 구분되는 DRAM(Dynamic Random Access Memory), SRAM(Static Random Access Memory), Flash Memory, ROM(Read Only Memory) 등의 여러 종류가 있는데 이중 DRAM이 차지하는 비중이 가장 크다.

상기 DRAM은 저장전위가 시간에 따라 변화하기 때문에 주기적으로 저장전위를 원래의 상태로 회복하기 위해 주기적인 리프레쉬 동작이 필요하며, 캐패시터에 저장된 전하량이 데이타 판정기준이 되므로 읽기 동작에서 이 전하량의 차이에 따른 전압 차이를 유기하고 이 전압차이를 감지 증폭하여 데이타를 출력하기 때문에 파괴된 저장 데이타를 다시 복구하여 셀에 저장시켜야 하는 동적인 특성을 갖고 있다.

위와 같은 메모리를 실제적으로 시스템에 사용할 때는 모듈로 만들어서 생산되는데 모듈(module)이라는 것은 하나의 기능을 가진 소자들의 집합으로 인쇄회로기판(PCB:Printed Circuit Board)상에 여러 가지 반도체소자 등의 패키지장치가 탑재되어 다수의 접속 핀에 의해 패널 등에 연결되어 설치된다.

EDO(Extended Data Output) DRAM은 최근 각광받고 있는 고속 동작 모드를 수행할 수 있는 메모리로 하이퍼 페이지 모드라고도 부르며, 패스트 페이지 모드의 사이클시간을 더욱 고속으로 하기 위해서 데이터 래치의 개념을 도입한 동작 모드이다. 그리고 EDO DRAM은 데이터의 유효시간을 길게 함으로서 엄격한 메모리의 액세스 타이밍에 손쉽게 대응할 수 있다. 이로 인해 EDO DRAM의 패스트 페이지 모드는 이용하면 연속한 열에 대한 액세스를 최대 20ns까지 단축할 수 있다는 특징이 있다.

도 1은 일반적인 메모리모듈을 나타낸 도면으로서 인쇄회로기판(5)상에 메모리소자(30)들을 앞뒷면에 장착하여 구성된 DIMM(20)(Dual Input Memory Module)이다.

이러한 EDO DRAM 모듈을 PC에 실장하여 테스트시 불량이 발생될 경우 불량의 원인을 찾기 위해 신호분석기(Logic Analyzer)나, 오실로스코프 등을 이용하여 패턴, 타이밍, 신호등을 관찰하여 불량의 원인을 분석하게 된다.

그런데, 이와 같이 신호분석기나 오실로스코프를 이용하여 불량원인을 분석할 때 랜덤하게 출력되는 데이터를 포착하기 어려워 정확하게 불량이 발생되는 시점을 측정할 수가 없을 뿐만아니라 페일되는 조건이 전원전압이 높거나 낮은 상태에서 페일이 발생하게 될 때 이 조건을 형성할 수 없어 정확한 테스트를 할 수 없다는 문제점이 있다.

본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위해 창작된 것으로서, 본 발명의 목적은 실장테스트시 불량이 발생한 메모리 모듈의 불량 원인을 분석할 때 불량 데이터가 출력되는 순간을 확인하여 그 순간에 테스트를 할 수 있도록 하며 전원전압을 가변시켜 전원전압의 레벨에 따른 불량 분석을 할 수 있도록 한 메모리 모듈의 불량감지기를 제공함에 있다.

도 1은 일반적인 메모리모듈을 나타낸 도면이다.

도 2는 본 발명에 의한 메모리 모듈의 불량 감지기를 나타낸 회로 구성도이다.

- 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 -

200 : 접속패드 210 : 제 1슬롯

220 : 제 2슬롯 230 : 비교부

240 : 표시부 250 : 전원공급부

상기와 같은 목적을 실현하기 위한 본 발명은 실장장비와 접속되는 접속패드와, 접속패드로부터 입력되는 전원전압단과 접지전압단을 단속하고 전원전압을 조절하기 위한 전원공급부와, 접속패드와 모든 핀이 일대일로 연결된 제 1슬롯과, 제 1슬롯과 모든 핀이 일대일로 연결된 제 2슬롯과, 제 1슬롯과 제 2슬롯의 데이터 라인에 매개되어 데이터값을 서로 비교하는 비교부와, 비교부의 값을 입력받아 표시하는 표시부로 이루어진다.

위와 같이 이루어진 본 발명의 작동을 설명하면 다음과 같다.

제 1슬롯에 불량 메모리 모듈을 삽입하고 제 2슬롯에 양품 메모리 모듈을 삽입한 상태에서 접속패드를 실장장비에 연결한 상태에서 테스트를 진행한다. 이때 모든 핀이 서로 연결되어 있기 때문에 제 1슬롯의 불량 메모리 모듈과 제 2슬롯의 양품 메모리 모듈을 동일한 작동을 수행하다가 불량 메모리 모듈에 의해 서로 다른 데이터값을 출력하게 되면 비교부에서 이를 감지하여 불량이 발생된 시점에서 불량이 발생된 비트를 표시부에 의해 표시하도록 작동된다. 또한, 전원공급부를 통해 실장장비에서 입력되는 전원전압과 접지전압을 차단한 후 전압을 가변하여 불량이 발생되는 조건이 전원전압의 변동에 의한 경우에도 테스트를 하게 된다.

이하, 본 발명의 바람직한 실시예를 첨부된 도면을 참조하여 설명한다. 또한 본 실시예는 본 발명의 권리범위를 한정하는 것은 아니고, 단지 예시로 제시된 것이다.

도 2는 본 발명에 의한 메모리 모듈의 불량 감지기를 나타낸 회로 구성도이다.

여기에 도시된 바와 같이 실장장비와 접속되는 접속패드(200)와, 접속패드(200)로부터 입력되는 전원전압단(Vcc)과 접지전압단(GND)을 단속하고 전원전압을 조절하기 위한 전원공급부(250)와, 접속패드(200)와 모든 핀이 일대일로 연결된 제 1슬롯(210)과, 제 1슬롯(210)과 모든 핀이 일대일로 연결된 제 2슬롯(220)과, 제 1슬롯(220)과 제 2슬롯(220)의 데이터 라인에 매개되어 데이터값을 서로 비교하는 비교부(230)와, 비교부(230)의 값을 입력받아 표시하는 표시부(240)로 이루어진다.

전원공급부(250)는 실장장비로부터 입력되는 전원전압과 접지전압을 사용할 경우에는 접속단 251과 252간을 서로 연결하고, 접속단 253과 254간을 서로 연결하여 실장장비로부터 입력되는 전원전압과 접지전압이 제 1슬롯(210)과 제 2슬롯(220)으로 입력되도록 한다. 그러나 전원전압의 가변하여 오류 조건을 달리 설정할 경우에는 실장장비로부터 입력되는 전원전압과 접지전압을 차단하고 전원공급부(250)에서 전원전압을 공급하여 오류 조건을 다르게 설정할 수 있다.

비교부(230)는 제 1슬롯(210)과 제 2슬롯(220)의 모든 데이터 라인 사이에 감지저항(232)을 삽입하고, 감지저항(232) 양단의 전압차를 비교하기 위한 배타적 논리합 게이트(234)를 각각 설치하여 감지저항(232)의 양단의 전압차가 발생할 경우 고전위 출력을 발생시켜 오류가 발생된 시점을 검출하게 된다.

표시부(240)는 비교부(230)에서 출력되는 데이터를 입력으로 받아들임과 동시에 다중 논리합 게이트(244)의 입력으로 받아 들여 작동신호로 사용하는 D-플립플롭(242)과, D-플립플롭(242)의 출력단에 각각 설치된 발광 다이오드(248)로 이루어져 비교부(230)에서 오류가 발생된 것을 감지하여 출력하게 되면 이 신호에 의해 D-플립플롭(242)이 동작하여 입력된 데이터를 출력시키게 된다. 이때 입력된 데이터중 오류가 발생된 비트의 값만 고전위가 되어 발광 다이오드(248)를 점등시키게 된다.

또한, D-플립플롭(242)의 출력값에 발생되는 이상전압을 차단하기 위해 신호와 다중 논리합 게이트(244)의 출력값을 논리곱 게이트(246)에 의해 신호가 상승할 경우에만 비교부(230)의 값을 인식할 수 있도록 하여 정확한 결과를 얻을 수 있도록 하였다.

위와 같이 이루어진 본 실시예의 작동을 설명하면 다음과 같다.

먼저, 제 1슬롯(210)에 불량 메모리 모듈을 삽입하고 제 2슬롯(220)에 양품 메모리 모듈을 삽입한 상태에서 접속패드(200)를 통해 실장장비에서 출력되는 제어신호(CONT)와 어드레스(ADDR)를 입력받도록 하고 데이터(I/O)를 입출력시키며 작동시킨다.

이렇게 작동되는 동안 제 1슬롯(210)에서 출력되는 데이터와 제 2슬롯(220)에서 출력되는 데이터가 서로 동일한 값을 갖을 경우에는 감지저항(232)의 양단 전위가 서로 동일하기 때문에 배타적 논리합 게이트(234)의 출력은 저전위가 되기 때문에 표시부(240)의 D-플립플롭(242)을 작동시키지 못하게 되어 점등되는 발광 다이오드(248)는 하나도 없게 된다.

그러나, 제 1슬롯(210)에서 출력되는 데이터와 제 2슬롯(220)에서 출력되는 데이터가 서로 다른 값을 갖게되면 감지저항(232)의 양단 전위가 서로 달라지게 되어 배타적 논리합 게이트(234)가 고전위 값을 갖게 된다. 따라서, 다중 논리합 게이트(244)의 입력에 고전위가 입력되어 D-플립플롭(242)을 작동시키게 된다. 그래서, 입력되는 배타적 논리합 게이트(234)의 출력값을 출력하게 된다. 그러면, 제 1슬롯(210)의 출력데이터와 제 2슬롯(220)의 출력데이터가 서로 다른 비트의 배타적 논리합 게이트(234)는 고전위가 되어 표시부(240)의 발광 다이오드(248)를 점등시키게 된다.

한편, 전원공급부(250)의 접속단 151과 152간의 연결을 차단하고 접속단 153과 154간의 연결을 차단한 후 전원공급부(250)에서 임의의 전원전압(Vcc)과 접지전압(GND)을 인가함으로써 전원전압(Vcc)을 가변시키면서 불량이 발생되는 원인을 분석할 수 있게 한다.

상기한 바와 같이 본 발명은 불량 메모리 모듈과 양품 메모리 모듈을 동시에 작동시켜 서로 다른 데이터를 출력할때의 시점을 육안으로 확인하여 테스트할 수 있다는 이점이 있다.

또한, 전원전압과 접지전압을 외부에서 입력할 수 있도록 하여 원하는 전압에서 불량 분석을 행할 수 있어 전원전압의 변동에 의한 오류 분석도 행할 수 있다는 이점이 있다.

Claims (3)

1. 실장장비와 접속되는 접속패드와,

   상기 접속패드로부터 입력되는 전원단과 접지단을 단속하고 전원전압을 조절하기 위한 전원공급부와,

   상기 접속패드와 모든 핀이 일대일로 연결된 제 1슬롯과,

   상기 제 1슬롯과 모든 핀이 일대일로 연결된 제 2슬롯과,

   상기 제 1슬롯과 제 2슬롯의 데이터 라인에 매개되어 데이터값을 서로 비교하는 비교부와,

   상기 비교부의 값을 입력받아 표시하는 표시부

   로 이루어진 것을 특징으로 하는 메모리 모듈의 불량 감지기.
2. 제 1항에 있어서, 상기 비교부는

   상기 제 1슬롯과 제 2슬롯의 모든 데이터 라인 사이에 매개된 감지저항과,

   상기 감지저항 양단의 전압차를 비교하기 위한 배타적 논리합 게이트

   로 이루어진 것을 특징으로 하는 메모리 모듈의 불량 감지기.
3. 제 1항에 있어서, 상기 표시부는

   입력값으로 상기 비교부에서 출력되는 데이터를 받아들이고, 작동신호로 상기 비교부에서 출력되는 데이터를 논리합하값과 칩선택신호와 논리곱하여 사용하는 D-플립플롭과,

   상기 D-플립플롭의 출력단에 각각 설치된 발광 다이오드

   로 이루어진 것을 특징으로 하는 메모리 모듈의 불량 감지기.