KR20010058609A - 메모리모듈의 ａｃ특성 테스트 보드 - Google Patents

메모리모듈의 ａｃ특성 테스트 보드 Download PDF

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KR20010058609A
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signal
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memory module
test board
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이동림
박근우
김영철
이현철
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박종섭
주식회사 하이닉스반도체
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    • G—PHYSICS
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Abstract

본 발명은 메모리모듈의 AC특성 테스트 보드에 관한 것으로서, 제어신호를 입력으로 하는 논리회로 조합으로써 AC 특성 파악을 하기 위한 초기점과 끝점을 설정하여 로직스코프의 트리거 조건을 입력하여 로직스코프를 이용하여 AC 특성을 측정할 수 있도록 함으로써 SDRAM 및 DDR SDRAM에서 사용가능하며 메모리모듈 및 AGP(Accerlated Graphics Port)에 장착된 메모리 또는 기타 온보드 타입의 메모리에서도 AC특성을 파악할 수 있는 이점이 있다.

Description

메모리모듈의 ＡＣ특성 테스트 보드{AC CHARACTERISTIC TEST BOARD OF A MEMORY MODULE}
본 발명은 메모리모듈의 AC특성 테스트 보드에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 제어신호를 입력으로 하는 논리회로 조합으로써 AC 특성 파악을 하기 위한 초기점과 끝점을 설정하여 로직스코프의 트리거 조건을 입력하여 로직스코프를 이용하여 AC 특성을 측정할 수 있도록 한 메모리모듈의 AC특성 테스트 보드를 제공함에 있다.
메모리는 컴퓨터, 통신시스템, 화상처리시스템 등에서 사용되는 데이터나 명령 등을 일시적 또는 영구적으로 저장하기 위하여 사용되는 것을 총칭하는 것으로써 대표적으로 반도체, 테이프, 디스크, 광학방식 등이 있는데 현재 반도체 메모리가 대부분을 차지하고 있다. 이런 반도체 메모리는 데이터 저장방식의 전기적 특성 등에 따라 구분되는 DRAM, SRAM, Flash Memory, ROM 등의 여러 종류가 있는데 이중 DRAM이 차지하는 비중이 가장 크다.
상기 DRAM(Dynamic Random Access Memory)은 저장전위가 시간에 따라 변화하기 때문에 주기적으로 저장전위를 원래의 상태로 회복하기 위해 주기적인 리프레쉬동작이 필요하며, 캐패시터에 저장된 전하량이 데이터 판정기준이 되므로 읽기동작에서 이 전하량의 차이에 따른 전압 차이를 유기하고 이 전압차이를 감지 증폭하여 데이터를 출력하기 때문에 파괴된 저장 데이터를 다시 복구하여 셀에 저장시켜야 하는 동적인 특성을 갖고 있다.
위와 같은 메모리를 실제적으로 시스템에 사용할 때는 모듈로 만들어서 생산되는 데 모듈(module)이라는 것은 하나의 기능을 가진 소자의 집합으로 인쇄회로기판(PCB)상에 여러 가지 반도체소자 등의 패키지장치가 탑재되어 다수의 접속핀인 탭에 의해 패널 등에 연결되어 설치된다.
이와 같은 만들어진 메모리모듈의 정상작동 여부나 불량이 발생했을 경우 불량의 원인을 분석하기 위해 신호분석기(Logic Analyzer)나, 오실로스코프 등을 이용하여 패턴, 타이밍, 신호등을 관찰하여 불량의 원인을 분석하게 된다.
또한, 메모리모듈의 규격에 규정된 AC 특성대로 실제 응용시스템에서도 규격을 만족하는 것을 파악하기 위해서 로직스코프를 이용하여 원하는 AC 특성을 파악할 때 개별적인 특성 신호만으로 AC 특성을 파악해야 하는 어려움이 있다.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위해 창작된 것으로서, 본 발명의 목적은 제어신호를 입력으로 하는 논리회로 조합으로써 AC 특성 파악을 하기 위한 초기점과 끝점을 설정하여 로직스코프의 트리거 조건을 입력하여 로직스코프를 이용하여 AC 특성을 측정할 수 있도록 한 메모리모듈의 AC특성 테스트 보드를 제공함에 있다.
도 1은 본 발명에 의한 메모리모듈의 AC 특성 테스트 보드를 나타낸 블록구성도이다.
도 2는 본 발명에 의한 트리거 조건을 나타낸 그래프이다.
도 3은 본 발명에 의한 tRCD값을 구하기 위한 테스트 보드를 나타낸 회로구성도이다.
도 4는 본 발명에 의한 tRP값을 구하기 위한 테스트 보드를 나타낸 회로구성도이다.
도 5는 본 발명에 의한 tRRD값을 구하기 위한 테스트 보드를 나타낸 회로구성도이다.
도 6은 본 발명에 의한 tMRD값을 구하기 위한 테스트 보드를 나타낸 회로구성도이다.
도 7은 본 발명에 의한 메모리모듈의 AC 특성 테스트 보드를 통해 tRCD타이밍 조건을 측정한 로직스코프의 화면을 나타낸 도면이다.
도 8은 본 발명에 의한 메모리모듈의 AC 특성 테스트 보드를 통해 tRP타이밍 조건을 측정한 로직스코프의 화면을 나타낸 도면이다.
- 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 -
10 : 제 1트리거 발생부 20 : 제 2트리거 발생부
30 : 로직스코프
41,42,43,44,45,46,47,48 : 제 1내지 제 8앤드게이트
상기와 같은 목적을 실현하기 위한 본 발명은 제어신호를 입력으로 받아 AC 특성 파악을 위한 시작점을 설정하기 위한 트리거신호를 출력하는 제 1트리거 발생부와, 제어신호를 입력으로 받아 AC 특성 파악을 위한 끝점을 설정하기 위한 트리거신호를 출력하는 제 2트리거 발생부로 이루어진 것을 특징으로 한다.
위와 같이 이루어진 본 발명은 CS, RAS, CAS, WE의 제어신호를 입력으로 받아 AC 특성을 파악하기 위한 조건의 초기점과 끝점을 제 1트리거 발생부와 제 2트리거 발생부에서 출력된 신호를 로직스코프의 트리거 입력단으로 입력함으로써 로직스코프에서 AC 특성을 용이하게 파악할 수 있게 된다.
이하, 본 발명의 바람직한 실시예를 첨부된 도면을 참조하여 설명한다. 또한 본 실시예는 본 발명의 권리범위를 한정하는 것은 아니고, 단지 예시로 제시된 것이다.
도 1은 본 발명에 의한 메모리모듈의 AC 특성 테스트 보드를 나타낸 블록구성도이다.
여기에 도시된 바와 같이 CS, RAS, CAS, WE의 제어신호를 입력으로 받아 AC 특성 파악을 위한 시작점을 설정하기 위한 트리거신호를 출력하는 제 1트리거 발생부(10)와, CS, RAS, CAS, WE의 제어신호를 입력으로 받아 AC 특성 파악을 위한 끝점을 설정하기 위한 트리거신호를 출력하는 제 2트리거 발생부(20)로 이루어져 제 1트리거 발생부(10)의 출력값(G1)과 제 2트리거 발생부(20)의 출력값(G2)을 로직스코프(30)의 트리거 입력단에 입력하여 로직스코프(30)에서 tRCD(RAS to CAS Delay), tRP(RAS Precharge Time), tRRD(RAS to RAS Delay), tMRD(Mode Register set Delay time) 등의 AC 특성을 파악할 수 있도록 한다.
심볼 최소 최대 단위
tRCD 15/20 - ns
tRP 15 - ns
tRRD 2 - tCK
tMRD 2 - tCK
표 1은 64M DDR SDRAM의 스펙을 나타낸 것으로써 도 2에 도시된 제 1트리거 신호(G1)가 입력된 시점부터 제 2트리거 신호(G2)가 입력되기까지의 시간 및 클럭의 수 등을 로직스코프(30)를 통해 파악할 수 있게 된다.
도 3은 본 발명에 의한 tRCD값을 구하기 위한 테스트 보드를 나타낸 회로구성도이다.
여기에 도시된 바와 같이 제 1트리거 발생부(10)는,, CAS, WE 신호가 동시에 'H'일 때 'H'값을 발생할 수 있도록,, CAS, WE 신호를 입력으로 하는 제 1앤드게이트(41)로 이루어진다. 그리고, 제 2트리거 발생부(20)는, RAS,, WE 신호가 동시에 'H'일 때 'H'값을 발생할 수 있도록, RAS,, WE 신호를 입력으로 하는 제 2앤드게이트(42)로 이루어진다.
따라서, 제 1앤드게이트(41)의 출력이 'H'일 때부터 제 2앤드게이트(42)의 출력이 'H'가 될 때까지의 시간을 로직스코프(30)로 측정하여 tRCD의 타이밍 조건을 측정할 수 있다.
도 4는 본 발명에 의한 tRP값을 구하기 위한 테스트 보드를 나타낸 회로구성도이다.
여기에 도시된 바와 같이 제 1트리거 발생부(10)는,, CAS,신호가 동시에 'H'일 때 'H'값을 발생할 수 있도록,, CAS,신호를 입력으로 하는 제 3앤드게이트(43)로 이루어진다. 그리고, 제 2트리거 발생부(20)는,,, WE 신호가 동시에 'H'일 때 'H'값을 발생할 수 있도록,,, WE 신호를 입력으로 하는 제 4앤드게이트(44)로 이루어진다.
따라서, 제 3앤드게이트(43)의 출력이 'H'일 때부터 제 4앤드게이트(44)의 출력이 'H'가 될 때까지의 시간을 로직스코프(30)로 측정하여 tRP의 타이밍 조건을 측정할 수 있다.
도 5는 본 발명에 의한 tRRD값을 구하기 위한 테스트 보드를 나타낸 회로구성도이다.
여기에 도시된 바와 같이 제 1트리거 발생부(10)는,, CAS, WE 신호가 동시에 'H'일 때 'H'값을 발생할 수 있도록,, CAS, WE 신호를 입력으로 하는 제 5앤드게이트(45)로 이루어진다. 그리고, 제 2트리거 발생부(20)는,, CAS, WE 신호가 동시에 'H'일 때 'H'값을 발생할 수 있도록,, CAS, WE 신호를 입력으로 하는 제 6앤드게이트(46)로 이루어진다.
따라서, 제 5앤드게이트(45)의 출력이 'H'일 때부터 제 6앤드게이트(46)의 출력이 'H'가 될 때까지의 클럭시간을 로직스코프(30)로 측정하여 tRRD의 타이밍 조건을 측정할 수 있다.
도 6은 본 발명에 의한 tMRD값을 구하기 위한 테스트 보드를 나타낸 회로구성도이다.
여기에 도시된 바와 같이 제 1트리거 발생부(10)는,,,신호가 동시에 'H'일 때 'H'값을 발생할 수 있도록,,,신호를 입력으로 하는 제 7앤드게이트(47)로 이루어진다. 그리고, 제 2트리거 발생부(20)는,, CAS, WE 신호가 동시에 'H'일 때 'H'값을 발생할 수 있도록,, CAS, WE 신호를 입력으로 하는 제 8앤드게이트(48)로 이루어진다.
따라서, 제 7앤드게이트(47)의 출력이 'H'일 때부터 제 8앤드게이트(48)의출력이 'H'가 될 때까지의 클럭시간을 로직스코프(30)로 측정하여 tMRD의 타이밍 조건을 측정할 수 있다.
도 7은 본 발명에 의한 메모리모듈의 AC 특성 테스트 보드를 통해 tRCD타이밍 조건을 측정한 로직스코프의 화면을 나타낸 도면이다.
여기에서 보는 바와 같이 G1은,, CAS, WE 신호가 모두 'H' 신호를 나타내는 지점으로 제 1트리거 신호(G1)가 입력된 지점이고, G2는, RAS,, WE 신호가 모두 'H' 신호를 나타내는 지점으로 제 2트리거 신호(G2)가 입력된 지점으로써 이 두 신호간의 간격은 19.508ns를 나타내고 있다.
도 8은 본 발명에 의한 메모리모듈의 AC 특성 테스트 보드를 통해 tRP타이밍 조건을 측정한 로직스코프의 화면을 나타낸 도면이다.
여기에서 보는 바와 같이 G1은,, CAS,신호가 모두 'H' 신호를 나타내는 지점으로 제 1트리거 신호(G1)가 입력된 지점이고, G2는,,, WE 신호가 모두 'H' 신호를 나타내는 지점으로 제 2트리거 신호(G2)가 입력된 지점으로써 이 두 신호간의 간격은 19.961ns를 나타내고 있다.
상기한 바와 같이 본 발명은 메모리모듈의 제어신호를 이용하여 AC특성의 시작점 및 끝점을 트리거신호로 발생하여 응용시스템에서 로직스코프를 통해 AC특성을 체크할 수 있는 이점이 있다.
또한, 제어신호를 입력으로 받아들여 AC특성을 파악할 수 있기 때문에 SDRAM 및 DDR SDRAM에서 사용가능하며 메모리모듈 및 AGP(Accerlated Graphics Port)에 장착된 메모리 또는 기타 온보드 타입의 메모리에서도 AC특성을 파악할 수 있는 이점이 있다.

Claims (5)

  1. 제어신호를 입력으로 받아 AC 특성 파악을 위한 시작점을 설정하기 위한 트리거신호를 출력하는 제 1트리거 발생부와,
    제어신호를 입력으로 받아 AC 특성 파악을 위한 끝점을 설정하기 위한 트리거신호를 출력하는 제 2트리거 발생부를 포함하고,
    상기 제 1트리거 발생부 및 제 2트리거 발생부의 출력값을 로직스코프의 트리거 입력단으로 인가할 수 있도록 구성한 것을 특징으로 하는 메모리모듈의 AC특성 테스트 보드.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 제 1트리거 발생부는,, CAS, WE 신호를 입력으로 하는 제 1앤드게이트로 이루어지고, 상기 제 2트리거 발생부는, RAS,, WE 신호를 입력으로 하는 제 2앤드게이트로 이루어져 AC특성 중 tRCD특성을 측정할 수 있도록 구성된 것을 특징으로 하는 메모리모듈의 AC특성 테스트 보드.
  3. 제 1항에 있어서,
    상기 제 1트리거 발생부는,, CAS,신호를 입력으로 하는 제 3앤드게이트로 이루어지고, 상기 2트리거 발생부는,,, WE 신호를 입력으로 하는 제 4앤드게이트로 이루어져 AC특성 중 tRP특성을 측정할 수 있도록 구성된 것을 특징으로 하는 메모리모듈의 AC특성 테스트 보드.
  4. 제 1항에 있어서,
    상기 제 1트리거 발생부는,, CAS, WE 신호를 입력으로 하는 제 5앤드게이트로 이루어지고, 상기 제 2트리거 발생부는,, CAS, WE 신호를 입력으로 하는 제 6앤드게이트로 이루어져 AC특성 중 tRRD특성을 측정할 수 있도록 구성된 것을 특징으로 하는 메모리모듈의 AC특성 테스트 보드.
  5. 제 1항에 있어서,
    상기 제 1트리거 발생부는,,,신호를 입력으로 하는 제 7앤드게이트로 이루어지고, 상기 제 2트리거 발생부는,, CAS, WE 신호를 입력으로 하는 제 8앤드게이트로 이루어져 AC특성 중 tMRD특성을 측정할 수 있도록 구성된 것을 특징으로 하는 메모리모듈의 AC특성 테스트 보드.
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