KR19990006376A - 폴리싱 장치 - Google Patents
폴리싱 장치 Download PDFInfo
- Publication number
- KR19990006376A KR19990006376A KR1019980010967A KR19980010967A KR19990006376A KR 19990006376 A KR19990006376 A KR 19990006376A KR 1019980010967 A KR1019980010967 A KR 1019980010967A KR 19980010967 A KR19980010967 A KR 19980010967A KR 19990006376 A KR19990006376 A KR 19990006376A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- upper ring
- workpiece
- polishing
- turntable
- semiconductor wafer
- Prior art date
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
- B24B37/005—Control means for lapping machines or devices
- B24B37/0053—Control means for lapping machines or devices detecting loss or breakage of a workpiece during lapping
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
- B24B37/04—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B49/00—Measuring or gauging equipment for controlling the feed movement of the grinding tool or work; Arrangements of indicating or measuring equipment, e.g. for indicating the start of the grinding operation
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B55/00—Safety devices for grinding or polishing machines; Accessories fitted to grinding or polishing machines for keeping tools or parts of the machine in good working condition
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
Abstract
Description
Claims (11)
- 가공물을 폴리싱처리하는 폴리싱 장치에 있어서,폴리싱 표면을 갖는 턴테이블;가공물을 유지시키면서 상기 턴테이블의 상기 폴리싱 표면에 대하여 가공물을 가압하는 상부링; 및폴리싱처리 도중에 상기 상부링으로부터 가공물이 이탈한 것을 검출하는 가공물 이탈 검출기를 포함하는 것을 특징으로 하는 폴리싱 장치.
- 제 1항에 있어서,상기 가공물 이탈 검출기는 상기 상부링에 인접하여 배치되고 상기 턴테이블이 회전하는 방향에 대하여 상기 상부링의 뒷쪽에 배치되는 센서를 포함하는 것을 특징으로 하는 폴리싱 장치.
- 제 1항에 있어서,상기 센서는 광선을 방출하고, 반사되는 광선을 받아들여 상기 반사되는 광선량의 변화에 기초하여 가공물이 상기 상부링으로부터 이탈된 것을 검출하는 광전센서를 포함하는 것을 특징으로 하는 폴리싱 장치.
- 제 3항에 있어서,상기 광전 센서는 글로스 센서를 포함하는 것을 특징으로 하는 폴리싱 장치.
- 제 4항에 있어서,상기 글로스 센서는 적색광을 방출하는 적색광-방출 다이오드, 상기 적색광-방출 다이오드로부터 S파 광선만이 통과하도록 하는 편광 필터, 및 상기 반사된 광선을 S파와 P파로 분리하는 빔 분할기를 포함하여, 광택도 차이에 기초하여 상기 상부링으로부터 가공물이 이탈된 것을 검출하는 것을 특징으로 하는 폴리싱 장치.
- 제 1항에 있어서,상기 가공물 이탈 검출기는 상기 상부링을 지지하는 상부링 헤드에 직접 장착되거나 또는 연결장치에 의해 장착되는 것을 특징으로 하는 폴리싱 장치.
- 제 1항에 있어서,상기 가공물 이탈 검출기가 상기 상부링으로부터 가공물이 이탈된 것을 검출하였을 때 상기 턴테이블과 상기 상부링의 회전을 정지시키는 기구를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 폴리싱 장치.
- 제 1항에 있어서,상기 가공물 이탈 검출기가 상기 상부링으로부터 가공물이 이탈된 것을 검출하였을 때 상부링을 상승시키는 기구를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 폴리싱 장치.
- 제 1항에 있어서,상기 상부링으로부터 이탈된 가공물을 완충시키도록 상기 턴테이블의 주위에 배치되는 범퍼를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 폴리싱 장치.
- 가공물을 폴리싱처리하는 방법에 있어서,턴테이블 상의 폴리싱 표면에 대하여 상부링에 의해 지지되는 가공물을 가압함으로써 가공물을 폴리싱처리하는 단계;폴리싱처리 도중에 상기 상부링으로부터 가공물의 이탈을 검출하는 단계; 및상기 가공물의 이탈이 검출되었을 때 상기 턴테이블과 상기 상부링의 회전을 정지시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 폴리싱 장치.
- 가공물을 폴리싱처리하는 방법에 있어서,턴테이블 상의 폴리싱 표면에 대하여 상부링에 의해 지지되는 가공물을 가압함으로써 가공물을 폴리싱처리하는 단계;폴리싱처리 도중에 상기 상부링으로부터 가공물의 이탈을 검출하는 단계; 및가공물의 이탈이 검출되었을 때 상기 상부링을 상승시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 폴리싱 장치.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP9-177613 | 1997-06-17 | ||
JP17761397A JP3761673B2 (ja) | 1997-06-17 | 1997-06-17 | ポリッシング装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR19990006376A true KR19990006376A (ko) | 1999-01-25 |
KR100563123B1 KR100563123B1 (ko) | 2006-09-20 |
Family
ID=16034075
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1019980010967A KR100563123B1 (ko) | 1997-06-17 | 1998-03-30 | 폴리싱장치 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6293846B1 (ko) |
EP (1) | EP0885691B1 (ko) |
JP (1) | JP3761673B2 (ko) |
KR (1) | KR100563123B1 (ko) |
DE (1) | DE69815952T2 (ko) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100721755B1 (ko) * | 2006-06-08 | 2007-05-25 | 두산디앤디 주식회사 | 웨이퍼 표면연마장비의 웨이퍼 이탈 감지장치 |
Families Citing this family (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000288927A (ja) * | 1999-04-07 | 2000-10-17 | Sony Corp | 平坦化研磨装置及び平坦化研磨方法 |
JP2001096455A (ja) * | 1999-09-28 | 2001-04-10 | Ebara Corp | 研磨装置 |
TWI255485B (en) * | 2001-12-31 | 2006-05-21 | Calitech Co Ltd | Wafer protection method and system |
JP4102081B2 (ja) | 2002-02-28 | 2008-06-18 | 株式会社荏原製作所 | 研磨装置及び研磨面の異物検出方法 |
JP4703141B2 (ja) | 2004-07-22 | 2011-06-15 | 株式会社荏原製作所 | 研磨装置、基板処理装置、基板飛び出し検知方法 |
SE528539C2 (sv) * | 2005-05-20 | 2006-12-12 | Aros Electronics Ab | Metod och anordning för återvinningsbart upptagande av elektrisk retardationsenergi från ett industrirobotsystem |
JP4814677B2 (ja) * | 2006-03-31 | 2011-11-16 | 株式会社荏原製作所 | 基板保持装置および研磨装置 |
JP5080930B2 (ja) * | 2007-10-11 | 2012-11-21 | 株式会社東京精密 | ウェーハ研磨装置 |
JP5511190B2 (ja) * | 2008-01-23 | 2014-06-04 | 株式会社荏原製作所 | 基板処理装置の運転方法 |
JP5191312B2 (ja) * | 2008-08-25 | 2013-05-08 | 東京エレクトロン株式会社 | プローブの研磨方法、プローブ研磨用プログラム及びプローブ装置 |
DE102012100680A1 (de) * | 2012-01-27 | 2013-08-01 | Technische Universität Kaiserslautern | Verfahren zum Polieren einer ebenen Oberfläche eines Werkstücks aus einem spröden Werkstoff sowie eine Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens |
US9240042B2 (en) * | 2013-10-24 | 2016-01-19 | Globalfoundries Inc. | Wafer slip detection during CMP processing |
JP6141814B2 (ja) * | 2014-10-30 | 2017-06-07 | 信越半導体株式会社 | 研磨装置 |
JP6546845B2 (ja) * | 2015-12-18 | 2019-07-17 | 株式会社荏原製作所 | 研磨装置、制御方法及びプログラム |
EP3765238A4 (en) * | 2018-03-13 | 2021-12-08 | Applied Materials, Inc. | MONITORING A CONSUMABLES IN A CHEMICAL-MECHANICAL POLISHER |
JP7406980B2 (ja) | 2019-12-24 | 2023-12-28 | 株式会社荏原製作所 | 研磨ユニット、基板処理装置、および研磨方法 |
Family Cites Families (21)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS60146674A (ja) * | 1984-01-05 | 1985-08-02 | Canon Inc | チヤツク装置 |
US4789294A (en) * | 1985-08-30 | 1988-12-06 | Canon Kabushiki Kaisha | Wafer handling apparatus and method |
DE3639329C1 (de) * | 1986-11-18 | 1988-02-25 | Heesemann Karl Masch | Bandschleifmaschine |
JPS63167281U (ko) * | 1987-04-21 | 1988-10-31 | ||
US4830504A (en) * | 1987-06-24 | 1989-05-16 | Measurex Corporation | Gloss gauge |
DE3739866A1 (de) * | 1987-11-25 | 1989-06-08 | Schael Wilfried | Verfahren zur schleif- und laeppbearbeitung |
JPH02106269A (ja) * | 1988-10-12 | 1990-04-18 | Toshiba Mach Co Ltd | 異状装填検知器を有する研磨機 |
US4945253A (en) * | 1988-12-09 | 1990-07-31 | Measurex Corporation | Means of enhancing the sensitivity of a gloss sensor |
US5222329A (en) * | 1992-03-26 | 1993-06-29 | Micron Technology, Inc. | Acoustical method and system for detecting and controlling chemical-mechanical polishing (CMP) depths into layers of conductors, semiconductors, and dielectric materials |
US5499733A (en) * | 1992-09-17 | 1996-03-19 | Luxtron Corporation | Optical techniques of measuring endpoint during the processing of material layers in an optically hostile environment |
US5733171A (en) * | 1996-07-18 | 1998-03-31 | Speedfam Corporation | Apparatus for the in-process detection of workpieces in a CMP environment |
US5823853A (en) * | 1996-07-18 | 1998-10-20 | Speedfam Corporation | Apparatus for the in-process detection of workpieces with a monochromatic light source |
JPH0740234A (ja) * | 1993-08-05 | 1995-02-10 | Hitachi Ltd | 研磨装置及び研磨量測定方法 |
JPH07148660A (ja) * | 1993-11-29 | 1995-06-13 | Nippon Steel Corp | ウェーハ貼付け方法とウェーハ貼付け装置 |
US5413941A (en) * | 1994-01-06 | 1995-05-09 | Micron Technology, Inc. | Optical end point detection methods in semiconductor planarizing polishing processes |
US5838447A (en) * | 1995-07-20 | 1998-11-17 | Ebara Corporation | Polishing apparatus including thickness or flatness detector |
JP3298770B2 (ja) * | 1995-09-28 | 2002-07-08 | 東芝機械株式会社 | 研磨方法およびその装置 |
US6074287A (en) * | 1996-04-12 | 2000-06-13 | Nikon Corporation | Semiconductor wafer polishing apparatus |
US5733176A (en) * | 1996-05-24 | 1998-03-31 | Micron Technology, Inc. | Polishing pad and method of use |
DE69739038D1 (de) | 1996-05-30 | 2008-11-20 | Ebara Corp | Poliervorrichtung mit Verriegelungsfunktion |
US5872633A (en) * | 1996-07-26 | 1999-02-16 | Speedfam Corporation | Methods and apparatus for detecting removal of thin film layers during planarization |
-
1997
- 1997-06-17 JP JP17761397A patent/JP3761673B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1998
- 1998-03-27 EP EP98105640A patent/EP0885691B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1998-03-27 DE DE69815952T patent/DE69815952T2/de not_active Expired - Lifetime
- 1998-03-30 KR KR1019980010967A patent/KR100563123B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1998-03-30 US US09/050,087 patent/US6293846B1/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100721755B1 (ko) * | 2006-06-08 | 2007-05-25 | 두산디앤디 주식회사 | 웨이퍼 표면연마장비의 웨이퍼 이탈 감지장치 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR100563123B1 (ko) | 2006-09-20 |
EP0885691A2 (en) | 1998-12-23 |
EP0885691B1 (en) | 2003-07-02 |
EP0885691A3 (en) | 2001-08-08 |
US6293846B1 (en) | 2001-09-25 |
JP3761673B2 (ja) | 2006-03-29 |
JPH1110525A (ja) | 1999-01-19 |
DE69815952T2 (de) | 2004-04-22 |
DE69815952D1 (de) | 2003-08-07 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR100563123B1 (ko) | 폴리싱장치 | |
US6301006B1 (en) | Endpoint detector and method for measuring a change in wafer thickness | |
US8128458B2 (en) | Polishing apparatus and substrate processing method | |
US5733171A (en) | Apparatus for the in-process detection of workpieces in a CMP environment | |
KR20000070934A (ko) | 가공품 표면을 클리닝하고 가공품 처리중에 프로브를 감시하는방법 및 장치 | |
JP3011113B2 (ja) | 基板の研磨方法及び研磨装置 | |
US6201253B1 (en) | Method and apparatus for detecting a planarized outer layer of a semiconductor wafer with a confocal optical system | |
US6042454A (en) | System for detecting the endpoint of the polishing of a semiconductor wafer by a semiconductor wafer polisher | |
JP5037974B2 (ja) | 研磨加工ステージにおける半導体基板の監視機器および監視方法 | |
US6014218A (en) | Device and method for end-point monitoring used in the polishing of components, in particular semiconductor components | |
US5834645A (en) | Methods and apparatus for the in-process detection of workpieces with a physical contact probe | |
US6503766B1 (en) | Method and system for detecting an exposure of a material on a semiconductor wafer during chemical-mechanical polishing | |
JP2009088073A (ja) | 研削ステージでの半導体基板の厚み測定方法 | |
KR20010027131A (ko) | Cmp 공정을 수행하기 위한 반도체 제조 장치 | |
WO2022091532A1 (ja) | 研磨装置及び研磨方法 | |
KR20050050189A (ko) | 웨이퍼 결함을 검출하는 웨이퍼 연마장치 및 그 제어 방법 | |
TWI272998B (en) | Method for detecting wafer skidding in CMP apparatus | |
KR20010003518A (ko) | 웨이퍼의 플랫존 감지장치 | |
JP2005259967A (ja) | 化学機械研磨装置及び化学機械研磨方法 | |
JPH11135465A (ja) | 半導体研磨装置 | |
KR100570443B1 (ko) | 화학 기계적 연마 장비에서의 다이아몬드 그리드에 의한웨이퍼 손상 감지 장치 | |
JP2009026905A (ja) | 研削ステージでの半導体基板の厚み測定方法 | |
KR20060086067A (ko) | 화학 기계적 연마 장치 | |
JPH1073420A (ja) | 面形状測定装置及びそれを用いた研磨装置 | |
KR20020013126A (ko) | 반도체 웨이퍼의 폴리싱 시 웨이퍼 손상방지장치 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
AMND | Amendment | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
AMND | Amendment | ||
E601 | Decision to refuse application | ||
J201 | Request for trial against refusal decision | ||
AMND | Amendment | ||
B701 | Decision to grant | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20130227 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20140220 Year of fee payment: 9 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20150224 Year of fee payment: 10 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20160218 Year of fee payment: 11 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20170220 Year of fee payment: 12 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20180219 Year of fee payment: 13 |
|
EXPY | Expiration of term |