KR19990004428A - 플래쉬 이이피롬의 소거 방법 - Google Patents

플래쉬 이이피롬의 소거 방법 Download PDF

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KR19990004428A
KR19990004428A KR1019970028519A KR19970028519A KR19990004428A KR 19990004428 A KR19990004428 A KR 19990004428A KR 1019970028519 A KR1019970028519 A KR 1019970028519A KR 19970028519 A KR19970028519 A KR 19970028519A KR 19990004428 A KR19990004428 A KR 19990004428A
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Inventor
이종상
Original Assignee
김영환
현대전자산업 주식회사
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Abstract

1. 청구범위에 기재된 발명이 속한 기술분야
메모리 소자의 소거 방법에 관한 것으로, 특히 플래쉬 이이피롬의 소거 방법에 관한 것임.
2. 발명이 해결하고자 하는 기술적 과제
종래의 소거 방법은 소거할 셀들에 대해 먼저 프로그램을 실시한 후 셀을 소거하는 방법을 사용함으로써 소수의 비정상적인 소거 특성을 갖는 셀로 인하여 정상적인 셀들이 과도 소거될 수 있어 비정상적인 셀이 검증에 통과될 수 있고, 이 비정상적인 셀들로 인하여 다른 대부분의 셀들이 과도 소거됨으로써 반드시 회복 모드가 필요하게 되어 소거 시간이 증가하게 되는 문제점을 해결하여 함.
3. 발명의 해결 방법의 요지
상술한 문제점을 해결하기 위해 본 발명에서는 복구 모드를 소거 검증을 실시하기 전에 실시함.

Description

플래쉬 이이피롬의 소거 방법
본 발명은 메모리 소자의 소거 방법에 관한 것으로, 특히 과도 소거(over erase)의 문제를 가지며 셀을 검증(verify)하는 방법을 갖는 모든 메모리 소자의 프로그램 소거 방법에 사용될 수 있는 플래쉬 이이피롬(Flash EEPROM)의 소거 방법에 관한 것이다.
종래의 플래쉬 이이피롬의 소거 방법의 문제점을 도 1을 참조하여 설명하면 다음과 같다. 소거하고자 하는 셀들의 어드레스를 리셋한 후(101) 첫 번째 어드레스에 프로그램을 실시한다(102). 그리고 프로그램이 되었는지를 검증하여(103) 프로그램되지 않았을 경우 단계 (102)를 반복한다. 단계 (103)의 검증 결과 프로그램되었을 경우 프로그램된 어드레스가 마지막 어드레스인지를 검증하여(104) 마지막 어드레스가 아닐 경우 다음 어드레스를 프로그램한다(105). 단계 (104)의 검증 결과 마지막 어드레스까지 프로그램되었을 경우 다시 셀의 어드레스를 리셋하고(106) 소거를 실시한다(107). 그리고 어드레스가 소거되었는지를 검증하여(108) 소거되지 않았을 경우 단계 (107)을 반복하고 소거되었을 경우 소거된 어드레스가 마지막 어드레스인지를 검증한다(109). 검증 결과 마지막 어드레스가 아닐 경우 다음 어드레스(110)가 소거되었는지를 검사하고(108), 마지막 어드레스까지 소거되었을 경우 다시한번 어드레스를 리셋한다(111). 그리고난 후 리셋된 어드레스가 마지막 어드레스인지를 검증하여(112) 마지막 어드레스일 경우 소거 동작을 종료하고, 마지막 어드레스가 아닐 경우 과도 소거되었는지를 검증한다(113). 단계 (113)의 검증 결과 과도 소거되지 않았을 경우 다음 어드레스로 진행하고(114), 과도 소거되었을 경우 문턱 전압을 복구한 후(115) 단계 (112)로 진행한다. 단계 (112) 내지 단계 (115)를 마지막 어드레스가 될 때까지 반복 수행한다.
이상에서 살펴본 바와 같이 종래의 소거 방법은 소거할 셀들에 대해 먼저 프로그램을 실시한 후 셀을 소거하는 방법을 사용하였다. 스택 셀(stack cell)은 셀을 먼저 프로그램한 후 소거함으로써 셀이 과도 소거되는 것을 방지하고 소거를 실시한 후 존재할 수 있는 과도 소거 셀들을 확인하고 복구하는 방법을 사용한다. 그러나 이 방법은 한 두 개의 소거 특성이 좋지 않은 셀로 인하여 정상적인 셀들이 과도 소거될 수 있다. 이로 인하여 비정상적인 소거 특성을 갖는 셀들이 아직 소거되지 않았음에도 불구하고 같은 비트 라인(bit-line)의 정상적인 소거 특성을 갖는 셀들이 비정상적인 소거 특성을 갖는 셀을 소거하기 위해 여러번 소거 펄스가 가해지는 동안 과도 소거됨으로써 비정상적인 셀이 검증에 통과될 수 있다. 그리고 이 비정상적인 셀들로 인하여 다른 대부분의 셀들이 과도 소거됨으로써 반드시 회복 모드(recovery mode)가 필요하게 되어 소거 시간(erase time)이 증가하게 된다. 또한 회복시 드레인 전류의 증가로 인해 활성 전류(active current)가 증가하게 되고 많은 드레인 전류로 인하여 셀들이 정상적으로 복구되지 않을 수 있다.
따라서, 본 발명은 과도 소거 셀들에 의해 소거되는 셀들이 검증 과정에서 통과되는 것을 방지할 수 있는 플래쉬 이이피롬의 소거 방법을 제공하는데 그 목적이 있다.
상술한 목적을 달성하기 위한 본 발명은 셀에 대해 프로그램 및 프로그램 검증을 실시하여 소거할 셀들의 문턱 전압이 일정 문턱 전압 이상이 될 때까지 프로그램을 실시한 후 셀을 소거하는 단계와, 상기 소거한 셀이 과도 소거되었는지를 검증하여 과도 소거되었을 경우 어드레스의 문턱 전압을 복구하는 단계와, 상기 소거한 셀이 과도 소거되었는지의 검증 결과 과도 소거되지 않았을 경우 마지막 어드레스가 소거될 때까지 소거를 반복하는 단계와, 상기 마지막 어드레스까지 소거한 후 소거 동작이 성공적으로 수행되었는지를 검증하는 단계와, 상기 소거 동작이 성공적으로 수행되었는지의 검증 결과 성공적으로 수행되지 않았을 경우 소거 및 과도 소거 검증을 반복 실시하는 단계와, 상기 소거 동작이 성공적으로 수행되었는지의 검증 결과 마지막 어드레스까지 소거 동작이 성공적으로 수행되었을 경우 종료하는 단계로 이루어진 것을 특징으로 한다.
도 1은 종래의 플래쉬 이이피롬의 소거 방법을 설명하기 위한 흐름도.
도 2는 본 발명에 따른 플래쉬 이이피롬의 소거 방법을 설명하기 위한 흐름도.
첨부된 도면을 참조하여 본 발명을 상세히 설명하기로 한다.
도 2는 본 발명에 따른 플래쉬 이이피롬의 프로그램 소거 방법을 설명하기 위해 도시한 흐름도이다. 소거하고자 하는 셀들의 어드레스를 리셋한 후(201) 리셋된 어드레스에 프로그램을 실시한다(202). 여기서 프로그램이란 셀의 문턱 전압을 상승시키는 것이다. 그리고 프로그램이 되었는지를 검증하여(203) 프로그램되지 않았을 경우 단계 (202)를 반복한다. 프로그램되었는지의 검증은 프로그램에 의해 셀의 문턱 전압이 일정한 문턱 전압 이상으로 상승되었는지를 검사하는 것이다. 단계 (203)의 검증 결과 프로그램되었을 경우 프로그램된 어드레스가 마지막 어드레스인지를 검증하여(204) 마지막 어드레스가 아닐 경우 다음 어드레스를 프로그램한다(205). 단계 (204)의 검증 결과 마지막 어드레스까지 프로그램되었을 경우 다시 셀의 어드레스를 리셋한 후(206) 소거를 실시한다(207). 여기서 소거는 셀의 문턱 전압을 낮추는 것이다. 그리고 과고 소거되었는지를 검증하여(208) 과도 소거되었을 경우 문턱 전압을 복구한 후(209) 단계 (208)을 재수행한다. 단계 (208)의 검증 결과 과도 소거되지 않았을 경우 마지막 어드레스까지 소거되었는지를 검증하여(210) 마지막 어드레스까지 소거되지 않았을 경우 다음 어드레스를 소거한다(211). 마지막 어드레스까지 소거되었을 경우 또다시 어드레스를 리셋하고(212) 소거가 되었는지를 검증한다(213). 소거가 되었는지의 검증은 소거 동작에 의해 셀의 문턱 전압이 일정 문턱 전압 이하로 되었는지를 검사하는 것이다. 단계 (213)의 검증 결과 소거되지 않았을 경우 단계 (207)로 천이하여 소거 동작을 반복 수행하고 소거되었을 경우 마지막 어드레스까지 소거되었는지를 검증한다(214). 단계 (214)의 검증 결과 마지막 어드레스까지 소거되지 않았을 경우 다음 어드레스가 소거되었는지를 검사하고(215) 마지막 어드레스까지 소거되었을 경우 소거 동작을 종료한다.
상술한 바와 같이 본 발명에 의하면 복구 모드를 소거 검증 이전에 실시함으로써 과도 소거 셀들에 의해 소거되지 않은 셀들이 검증 과정에서 통과되는 것을 방지할 수 있다.

Claims (1)

  1. 셀에 대해 프로그램 및 프로그램 검증을 실시하여 소거할 셀들의 문턱 전압이 일정 문턱 전압 이상이 될 때까지 프로그램을 실시한 후 셀을 소거하는 단계와, 상기 소거한 셀이 과도 소거되었는지를 검증하여 과도 소거되었을 경우 어드레스의 문턱 전압을 복구하는 단계와, 상기 소거한 셀이 과도 소거되었는지의 검증 결과 과도 소거되지 않았을 경우 마지막 어드레스가 소거될 때까지 소거를 반복하는 단계와, 상기 마지막 어드레스까지 소거한 후 소거 동작이 성공적으로 수행되었는지를 검증하는 단계와, 상기 소거 동작이 성공적으로 수행되었는지의 검증 결과 성공적으로 수행되지 않았을 경우 소거 및 과도 소거 검증을 반복 실시하는 단계와, 상기 소거 동작이 성공적으로 수행되었는지의 검증 결과 마지막 어드레스까지 소거 동작이 성공적으로 수행되었을 경우 종료하는 단계로 이루어진 것을 특징으로 하는 플래쉬 이이피롬의 소거 방법.
KR1019970028519A 1997-06-27 1997-06-27 플래쉬 이이피롬의 소거 방법 KR19990004428A (ko)

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100521321B1 (ko) * 1997-11-27 2006-01-12 삼성전자주식회사 플래시 메모리 장치의 소거 방법

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