KR19990003605A - 전원단을 통한 소자특성 측정방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 전원단을 통한 소자특성 측정방법에 관한 것으로서, VDD, VSS 및 다수의 입력단 I1∼In을 지니는 반도체 소자의 리키지 특성을 검사하는 방법에 있어서: 다수의 입력단 I1∼In에 각각의 파워 서플라이 P1∼Pn만 연결하고, 5V가 인가되는 VDD 및 0V가 인가되는 VSS에 각각 전류계를 연결하고, 출력단을 오픈시킨 상태로 측정하는 것을 특징으로 한다.
이에따라 본 발명은 반도체 소자의 입력핀에 대한 리키지 특성 등을 검사하는 공정을 개선하여 작업공수 절감에 따른 생산성 향상을 도모하는 효과가 있다.
Description
본 발명은 전원단을 통한 소자특성 측정방법에 관한 것으로서, 상세하게는 반도체 소자의 입력핀에 대한 리키지 특성 등을 검사하는 공정을 개선하여 작업공수 절감에 따른 생산성 향상을 도모하는 전원단을 통한 소자특성 측정방법에 관한 것이다.
일반적으로 반도체 소자의 입출력 핀은 제품의 기능 및 성능 품질을 구현하는 구성 요소로서 제품이 다기능 고품질화 됨에 따라 다핀으로 구성할 수밖에 없다. 그리고 제품 품질이 중요함과 동시에 경제성이 요구된다.
도 1의 구성도는 종래의 입력 리키지 측정을 위한 배선을 나타내는 바, 다수의 입력단 I1∼In은 각각의 파워 서플라이 P1∼Pn 및 각각의 전류계 A1∼An가 연결된다. 입력 리키지(leakage) 하이를 측정할 때 모든 입력단 I1∼In은 5V를 인가하고 출력단은 오픈시켜 두며 VDD단 및 VSS단은 각각 5V 및 0V를 인가한다.
이러한 방법에 의한 측정은 전류계가 많이 소요되고 측정 개소도 많아 소자의 핀수가 증가할수록 많은 시간을 소요하므로 원가상승에 따른 제품 경쟁력 약화의 원인이 되는 단점이 있다.
따라서, 본 발명은 반도체 소자의 입력핀에 대한 리키지 특성 등을 검사하는 공정을 개선하여 작업공수 절감에 따른 생산성 향상을 도모하는 전원단을 통한 소자특성 측정방법을 제공하는 것을 그 목적으로 한다.
도 1은 종래의 입력 리키지 측정을 위한 배선을 나타내는 구성도,
도 2는 본 발명에 따른 입력 리키지 측정을 위한 배선을 나타내는 구성도.
* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명
A:전류계 P: 파워 서플라이
I: 입력단 VDDIIH: 입력리키지 하이
VDDIIL: 입력리키지 로우
이러한 목적을 달성하기 위해 본 발명은 VDD, VSS 및 다수의 입력단 I1∼In을 지니는 반도체 소자의 리키지 특성을 검사하는 방법에 있어서: 다수의 입력단 I1∼In에 각각의 파워 서플라이 P1∼Pn만 연결하고, 5V가 인가되는 VDD 및 0V가 인가되는 VSS에 각각 전류계를 연결하고, 출력단을 오픈시킨 상태로 측정하는 것을 특징으로 하는 전원단을 통한 소자특성 측정방법을 제공한다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세하게 설명한다.
도 2의 구성도를 참조하면, 본 발명은 전류계 A11 및 A12를 이용하여 VDD, VSS 및 다수의 입력단 I1∼In을 지니는 반도체 소자의 리키지 특성을 검사하는 방법에 적용한다. 리키지 특성에 대한 측정은 입력 리키지 하이(VDDIIH) 측정 및 입력 리키지 로우(VDDIIL) 측정으로 대별된다.
본 발명에 따르면 다수의 입력단 I1∼In에 각각의 파워 서플라이 P1∼Pn만 연결하고, 종래처럼 다수의 전류계 A1∼An를 배선하지 않는다. 본 발명에서 각각의 파워 서플라이 P1∼Pn는 모두 같이 동작하기 때문에 동일한 것으로 간주하는 것도 가능하다. 5V가 인가되는 VDD 및 0V가 인가되는 VSS에 각각 전류계 A11 및 A12를 연결한다. 종래에 비해 전류계의 수량이 적어 측정 개소도 줄어든다. 출력단(도시 생략)은 종래와 마찬가지로 오픈시킨 상태로 측정한다.
이때, 입력 리키지 하이는 모든 입력단 I1∼In에 5V를 인가하고, VSS측의 전류계 A12로 측정한다. 입력 리키지 로우는 모든 입력단 I1∼In에 0V를 인가하고, VDD측의 전류계 A11로 측정한다. 전류계 A1, A12 중 측정되지 않는 부분은 회로를 구성하지 않도록 단속하는 바이패스 회로를 두는 것이 바람직하다. 이러한 방법에 의해 반도체 칩 내부의 스태틱 커런트(static current), 스탠바이 커런트(standby current) 등을 측정하는 것도 가능하다.
이상의 실시예는 풀업(pull-up), 풀다운(pull-down) 등이 없는 순수 입력핀에 대한 것이고, 기타의 입력핀은 종래와 동일한 방식으로 측정한다.
이상의 실시예를 통해 살펴본 바와 같이 본 발명의 전원단을 통한 소자특성 측정방법은 반도체 소자의 입력핀에 대한 리키지 특성 등을 검사하는 공정을 개선하여 작업공수 절감에 따른 생산성 향상을 도모하는 효과가 있다.
Claims (3)
- VDD, VSS 및 다수의 입력단 I1∼In을 지니는 반도체 소자의 리키지 특성을 검사하는 방법에 있어서: 다수의 입력단 I1∼In에 각각의 파워 서플라이 P1∼Pn만 연결하고, 5V가 인가되는 VDD 및 0V가 인가되는 VSS에 각각 전류계를 연결하고, 출력단을 오픈시킨 상태로 측정하는 것을 특징으로 하는 전원단을 통한 소자특성 측정방법.
- 제 1 항에 있어서, 입력 리키지 하이는 모든 입력단 I1∼In에 5V를 인가하고, VSS측의 전류계로 측정하는 것을 특징으로 하는 전원단을 통한 소자특성 측정방법.
- 제 1 항에 있어서, 입력 리키지 로우는 모든 입력단 I1∼In에 0V를 인가하고, VDD측의 전류계로 측정하는 것을 특징으로 하는 전원단을 통한 소자특성 측정방법.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019970027499A KR19990003605A (ko) | 1997-06-26 | 1997-06-26 | 전원단을 통한 소자특성 측정방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019970027499A KR19990003605A (ko) | 1997-06-26 | 1997-06-26 | 전원단을 통한 소자특성 측정방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR19990003605A true KR19990003605A (ko) | 1999-01-15 |
Family
ID=65987549
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019970027499A KR19990003605A (ko) | 1997-06-26 | 1997-06-26 | 전원단을 통한 소자특성 측정방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR19990003605A (ko) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100506969B1 (ko) * | 1997-12-12 | 2005-11-01 | 삼성전자주식회사 | 반도체 소자의 리키지 테스트 방법 |
-
1997
- 1997-06-26 KR KR1019970027499A patent/KR19990003605A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100506969B1 (ko) * | 1997-12-12 | 2005-11-01 | 삼성전자주식회사 | 반도체 소자의 리키지 테스트 방법 |
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