KR19990003534A - 액정 표시 소자 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 IPS 모드의 액정 표시 소자에 관한 것이다. 본 발명의 구성은, 액정 표시 소자는, 하부 기판과, 하부 기판상에 형성되는 게이트 전극과 일체인 다수개의 게이트 라인과, 상기 게이트 라인과 수직 교차되며 소오스 전극과 일체인 다수개의 데이타 라인과, 상기 게이트 라인과 데이타 라인의 교차점 부근에 형성되는 게이트 전극, 소오스 전극 및 드레인 전극을 포함하는 박막트랜지스터와, 상기 게이트 라인과 데이타 라인으로 둘러싸인 공간에 형성되며, 상기 게이트 라인과 동일면상에 형성하는 카운터 전극 및 상기 박막 트랜지스터의 동작에 따라 구동되며, 상기 카운터 전극과 기판에 수평한 전계를 형성하는 화소 전극을 포함하는 액정 표시 소자에 있어서, 상기 카운터 전극은 화소 전극과 오버랩되는 부분없이 동일면상에 형성되고, 상기 드레인 전극은 상기 데이타 라인과 동일면상에형성되며, 상기 화소 전극은 드레인 전극과 콘택되는 것을 특징으로 한다.

Description

액정 표시 소자
본 발명은 액정 표시 소자에 관한 것으로, 보다 구체적으로는, 액정을 구동시키는 화소 전극과, 상기 화소 전극과 평행한 전기장을 형성하기 위하여 동일 기판에 일정 거리를 두고 이격되어 형성되는 카운터 전극을 포함하는 액정 표시 소자에 관한 것이다.
일반직으로, 액정 표시 소자는 텔레비젼, 그래픽 디스플레이등의 표시 장치를 구성하고, 특히 액티브 매트릭스형의 액정 표시 장치는 고속 응답 특성을 갖으며, 높은 화소수에 적합하여, 디스플레이 화면의 고화질화, 대형화, 컬러 화면화등을 실현하는데 크게 기여하고 있다.
이러한 액정 표시 소자는, 투명한 한쌍의 절연 기판, 적어도 하나의 기판에 형성되는 박막 트랜지스터와 화소 전극이 형성되고, 다른 하나의 기판에는 컬러 필터와 카운터 전극이 형성되며, 한쌍의 유리기판 사이에는 액정 물질이 봉입되어 이루어진다.
이 액정 표시 소자는 화소 전극과, 카운터 전극 사이에 전계가 형성되어, 이 전계 방향에 따라 구동된다.
액정 표시 소자는 전계 무인가시 화면의 밝기에 대한 전계 인가시의 화면의 밝기인 콘트라스트비와, 좌우 시야각등은 액정 표시 소자의 특성을 결정하는 중요한 요소가 된다.
종래에는 콘트라스트비와 좌우 시야각이 우수한 IPS(In Plane Swiching mode)가 제안되었다.
IPS 모드는 도 1에 도시된 바와 같이, 화소 전극(5A)과, 카운터 전극(2B)이 동일 기판에 형성되어, 평행한 전기장을 이루도록 되어 있다.
이때, 카운터 전극(2B)은 게이트 라인(2A)과 동일 선상에 형성되고, 카운터 전극(2B)과 화소 전극(5B)은 게이트 절연막을 사이에 두고 오버랩되어 있다. 이때, 화소 전극(5B)은 게이트 라인(2A)과 수직·교차하는 데이타 라인(5A)과 동일선상에 위치한다. 아울러, 화소 전극∠5B)은 박막 트랜지스터의 드레인 전극과 일체이다. 여기서, 미설명 부호 4는 게이트라인(2A)과 데이타 라인(5A)의 교차점에 형성되는 박막 트랜지스터의 채널 영역이다.
도 2는 도 1의 Ⅱ-Ⅱ' 선으로 절단하여 나타낸 도면으로서, 카운터 전극(2B)과 게이트 라인(도시되지 않음)은 하부 기판(1)이 소정 위치에 형성된다. 하부 기판(1) 상부에는 이후에 형성될 전도층과의 절연을 위하여 게이트 절연막(3)이 형성된다. 게이트 절연막(3) 상부에 금속막이 소정 두께로 증착되고, 소정 부분 패터닝되어, 데이타 라인(5A)과, 화소 전극(5B)이 형성된다. 이때, 화소 전극(5B)은 카운터 전극(2B)과 소정 간격을 두고 형성된다.
그러나, 상기와 같이 IPS 모드의 액정 표시 소자를 형성하게 되면, 카운터 전극(2B)과 화소 전극(5B)의 사이에 게이트 절연막(3)이 개재되어, 사이에 두고 형성되어 있어, 소정의 높이차를 갖는다. 이로 인하여, 카운터 전극(2B)와 화소 전극(5B)사이에는 소망하는 평행한 전계가 형성되지 않고, 타원 형태의 프린지 필드(fringe field)가 형성된다. 따라서, 액정 분자들이 불안정하게 동작하는 문제점이 있다.
따라서, 종래에는 카운터 전극(2B)과 화소 전극(5B)이 동일선상에 위치하도록, 일체이었던 드레인 전극과, 화소 전극 및 스토리지 전극을 각각 형성하는 기술이 제안된다.
도 3을 참조하여, 액정 표시 소자의 하부 기판(도시되지 않음) 상에 게이트 라인(2A)과, 데이타 라인(5A)은 수직·교차되어, 격자 형태로 배치된다. 이때, 게이트 라인(2A)과 데이타 라인(5A)사이에는 게이트 절연막(도시되지 않음)이 개재되어, 두라인(2A, 5A)이 절연된다.
카운터 전극(2B)은 게이트 라인(2A)과 데이타 라인(5A)로 둘러싸인 공간에 사각의 틀 형태로 형성된다.
화소 전극(2C)은 카운터 전극(2B)의 틀내에 카운터 전극(2B)과 소정거리만큼 이격되도록 형성되며, 데이타 라인(5A)과 평행하도록 형성된다. 여기서, 게이트 라인(2A)과, 카운터 전극(2B) 및 화소 전극(2C)은 동일면상에 형성된다.
드레인 전극(5B)과, 액정 보유 전압을 일정시간동안 유지시키는 스토리지 전극(5C)은 게이트 라인(2A)과 평행하는 카운터 전극(2B)과 각각 오버랩되도록 형성된다.
여기서, 드레인 전극(5B)은 화소 전극(5A)의 일측단과 콘택되고, 스토리지 전극(5C)은 제 1 화소 전극(5A)의 타측단과 콘택된다. 여기서, 미설명 부호 C는 제 1화소 전극(2A)과 제 2 화소 전극(5B), 제 1 화소 전극(2A)과 제 3 화소 전극(5C)이콘택되는 콘택 영역을 나타내며, 도면 부호 4는 박막 트랜지스터의 채널 역할을 하는 반도체층을 나타낸다.
도 4는 도 3의 Ⅳ-Ⅳ' 선을 절단하여 나타낸 것으로, 하부 기판(1) 상부에 카운터 전극(2B)과 제 1 화소 전극(2C)은 동일선상에 형성되어 있으며, 이 하부 기판상부에 게이트 절연막(3)이 형성된다. 게이트 절연막(3)은 상기 제 1 화소 전극(2C)의 소정 부분이 노출되도록 소정 부분 식각되고, 결과물 상부에 금속막이 증착된다. 이 금속막은 데이타 라인 및 제 2 화소 전극의 형태로 패터닝되어, 데이타 라인(5A)과 제 2 화소 전극(도시되지 않음)이 형성된다.
이와같이 화소 전극을 부분적으로 카운터 전극과 동일 선상에 형성함으로서, 카운터 전극(2B)과 화소 전극(2C) 사이에 수평한 전계를 얻을 수 있다.
그러나, 상기와 같이, 화소 전극을 부분적으로 카운터 전극과 동일선상에 형성하게 되면, 평행한 전계를 형성한다는 점에서 액정 분자의 동작을 안정적으로 할 수 있다는 장점이 있으나, 콘택 부분의 수가 적어도 2개 이상이 요구되므로, 공정이 복잡해지는 문제점이 있다.
따라서, 본 발명의 목적은, 상기한 종래의 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로, 카운터 전극과 화소 전극의 소정 부분을 동일선상에 형성함과 아울러, 콘택수를 감소시킬 수 있는 액정 표시 소자를 제공하는 것을 목적으로 한다.
도 1 내지 도 4는 종래의 액정 표시 소자를 설명하기 위한 도면.
도 5 및 도 6은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 액정 표시 소자를 설명하기 위한 도면.
도 7 및 도 8은 본 발명의 제 2 실시예에 따른 액정 표시 소자를 설명하기 위한 도면.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
12A, 22A : 게이트 라인 12B, 22B : 카운터 전극
12C, 22C : 화소 전극 14 : 반도체층
15A, 25A : 데이타 라인 15B, 25B : 드레인
상기한 본 발명의 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 액정 표시 소자는, 하부 기판과, 하부 기판상에 형성되는 게이트 전극과 일체인 다수개의 게이트 라인과, 상기 게이트 라인과 수직 교차되며 소오스 전극과 일체인 다수개의 데이타 라인과, 상기 게이트 라인과 데이타 라인의 교차점 부근에 형성되는 게이트 전극, 소오스 전극 및 드레인 전극을 포함하는 박막 트랜지스터와, 상기 게이트 라인과 데이타 라인으로 둘러싸인 공간에 형성되며, 상기 게이트 라인과 동일면상에 형성하는 카운터 전극 및 상기 박막 트랜지스터의 동작에 따라 구동되며, 상기 카운터 전극과 기판에 수평한 전계를 형성하는 화소 전극을 포함하는 액정 표시 소자에 있어서, 상기 카운터 전극은 화소 전극과 오버랩되는 부분없이 동일면상에 형성되고, 상기 드레인 전극은 상기 데이타 라인과 동일면상에 형성되며, 상기 화소 전극은 드레인 전극과 콘택되는 것을 특징으로 한다.
또한, 하부 기판과, 하부 기판상에 형성되는 게이트 전극과 일체인 다수개의 게이트 라인과, 상기 게이트 라인과 수직 교차되며 소오스 전극과 일체인 다수개의 데이타 라인과, 상기 게이트 라인과 데이타 라인의 교차점 부근에 형성되는 게이트전극, 소오스 전극 및 드레인 전극을 포함하는 박막 트랜지스터와, 상기 게이트 라인과 데이타 라인으로 둘러싸인 공간에 형성되며, 상기 게이트 라인과 동일면상에 형성하는 카운터 전극 및 상기 박막 트랜지스터의 동작에 따라 구동되며, 상기 카운터 전극과 기판에 수평한 전계를 형성하는 화소 전극을 포함하는 액정 표시 소자에 있어서, 상기 드레인 전극은 상기 데이타 라인과 동일면상에 형성되고, 상기 카운터 전극은 상기 게이트 라인과 평행하는 몸체와, 몸체로부터 데이타 라인과 평행하게 연장된 적어도 하나 이상의 브렌치를 포함하고, 상기 화소 전극은 상기 브렌치 사이의 공간내에 데이타 라인과 평행하도록 각각 형성되고, 그것의 외측단은 연결되어 있으며, 상기 드레인과 화소 전극이 콘택된 것을 특징으로 한다.
본 발명에 의하면, IPS 모드의 액정 표시 소자에서, 화소 전극과 카운터 전극을 동일면상에 형성하기 위하여, 일체이었던 드레인 전극과 화소 전극을 층을 달리 형성하고, 이 화소 전극과 드레인 전극을 콘택시키므로서, 하나의 콘택만으로 화소전극과 카운터 전극을 동일 평면에 형성할 수 있다.
[실시예]
이하 첨부한 도면에 의거하여 본 발명의 바람직한 실시예를 자세히 설명 하도록 한다.
본 발명은, 카운터 전극과 화소 전극을 동일면상에 형성함과 아울러, 화소 전극의 콘택수를 감소시키기 위하여, 화소 전극과 드레인 전극을 층을 달리하여 형성하고, 드레인 전극이 스토리지 전극의 역할을 하도록 한다.
제1 실시예
첨부한 도면 도 5 및 도 6은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 액정 표시 소자를 설명하기 위한 도면이다.
먼저, 도 5를 참조하여, 본 발명에 따른 IPS 모드의 액정 표시 소자의 구조를 설명한다.
다수개의 게이트 라인(12A)과 다수개의 데이타 라인(15A)은 수직·교차되어 하부 기판상에 격자 형태로 배열된다. 본 도면에서는, 하나의 단위셀만이 도시되어 있으며, 게이트 라인(12A)과 데이타 라인(15A)의 사이에는 게이트 절연막(도시되지않음)이 개재되어, 이들 두 라인(12A, 15A)을 절연시킨다.
게이트 라인(12A)과 데이타 라인(15A)으로 둘러싼 공간에는 카운터 전극(12B)이 형성된다. 카운터 전극(12B)은 게이트 라인(12A)과 동일면상에 형성되고, 데이타 라인(15A)과 평행하는 수개의 브렌치(122B, 123B)를 포함한다. 본 실시예에서의 카운터 전극(12B)은 게이트 라인(12A)과 평행한 몸체 부분(121B)과, 몸체 부분(121B)에서 데이타 라인과 평행하게 연장된 한 쌍의 브렌치(122B, 123B)을 포함한다. 여기서, 브렌치(122B, 123B)는 몸체 부분(121B)의 양측단부로 부터 연장된다.
화소 전극(12C)은 카운터 전극(12B)의 브렌치(122B, 123B) 사이에 삽입되고, 브렌치(122B, 123B)와 평행하게 형성되며, 카운터 전극과 오버랩되는 부분이 없도록 형성된다. 이때, 화소 전극(12C)과 카운터 전극(12B) 및 게이트 라인(12A)은 동일면상에 형성된다. 여기서, 화소 전극(12C)의 길이는 브렌치(122B, 123B)의 길이와 동일 또는 그 보다 짧다.
드레인 전극(15B)은, 반도체층(14)과 소정 부분 오버랩되며 데이타 라인과 평행한 제 1 전극부(151B)와, 제 1 전극부(151B)와 연결되고 카운터 전극(12B)의 몸체부분(121B)과 오버랩되는 제 2 전극부(152B)와, 카운터 전극(12B)의 몸체 부분(121B)과 인접한 화소 전극(12C)단과 콘택되도록 제 2 전극부(152B)로 부터 화소 전극(12C)과 소정 부분 오버랩되도록 연장된 제 3 전극부(153B)를 포함한다. 여기서, 제 3 전극부(153B)와 화소 전극(12C)은 소정 부분 콘택되어 있고, 콘택된 영역이C로 표시된다. 또한, 카운터 전극(12B)의 몸체 부분(121B)과, 이와 오버랩되는 제2 전극부(152B)는 액정 구동시, 전압을 소정 시간동안 유지시키는 스토리지 전극의 역할을 겸한다. 이때, 드레인 전극(15B)은 데이타 라인(15A)과 동일면상 즉, 게이트 절연막 상에 형성된다.
도 6는 도 5를 Ⅵ-Ⅵ' 선으로 절단하여 나타낸 단면으로, 하부 기판(11) 상부에 제 1 금속막(도시되지 않음)을 증착하고, 소정 부분 식각하여, 게이트 라인(도시되지 않음), 카운터 전극(122B, l23B) 및 화소 전극(12C)을 형성한다. 이어서, 하부기판(11) 상부에 게이트 절연막(13)이 형성되고, 게이트 절연막(13) 상부의 소정 부분에는 도면에는 도시되지 않았지만, 반도체층이 비정질 실리콘막으로 형성된다. 그후, 화소 전극(12C)의 소정 부분이 노출되도록 게이트 절연막(13)이 소정 부분 식각된다. 이때, 화소 전극(12C)의 소정 부분을 노출시키는 공정은 반도체층(14) 형성 이전에 형성할 수 있다.
그리고 나서, 하부 기판(11) 상부에 제 2 금속막(도시되지 않음)이 증착된 다음, 이 제 2 금속막을 소정 부분 식각하여, 데이타 라인(15A)과, 노출된 화소 전극(12C)과 콘택되는 드레인 전극(도시되지 않음)이 형성된다.
이와같이, 카운터 전극(12B)을 데이타 라인(15A)과 평행하는 한 쌍의 브렌치를 포함하도록 형성하고, 이 브렌치 사이에 삽입되도록 카운터 전극(12B)과 동일면상에 화소 전극을 형성한다. 이 화소 전극은 데이타 라인과 동일면상에 형성된 드레인 전극(15B)과 콘택시키므로서, 하나의 콘택 영역만으로, 카운터 전극과, 화소 전극 을 동일면상에 형성하게 된다.
제 2 실시예
첨부한 도면 도 7 및 도 8은 본 발명의 제 2 실시예를 설명하기 위한 도면이다.
도 7을 참조하여, 본 발명에 따른 IPS 모드의 액정 표시 소자의 구조를 설명한다.
게이트 라인(22A)과, 데이타 라인(25A)은 수직·교차되어 격자 형태로 배열된다. 여기서, 본 도면에서는 하나의 단위셀만이 도시되며, 게이트 라인(22A)과 데이타 라인(25A)은 게이트 절연막(도시되지 않음)을 사이에 두고 절연되어 있다.
카운터 전극(22B)은 전술한 제 1 실시예와 동일하게 게이트 라인(22A)과 데이타 라인(25A)으로 둘러싸여진 공간부에 형성된다. 카운터 전극(22B)은 데이타 라인과 평행하는 다수의 브렌치를 포함하도록 형성된다. 본 실시예에서는, 게이트 라인(22A)과 평행한 몸체 부분(221B)과, 몸체 부분(221B)에서 데이타 라인과 평행하게 연장된 3개의 브렌치(222B, 223B, 224B)를 포함한다. 여기서, 브렌치들(222B, 223B, 224B)은 일정 간격을 두고 이격 배치된다.
화소 전극(22C)은 카운태 전극(22B)의 브렌치(222B, 223B, 224B) 사이에, 브렌치(222B, 223B, 224B)와 평행하게 삽입되고, 일측 단부가 서로 연결되어 있다. 이때, 화소 전극(22C)과 카운터 전극(22B) 및 게이트 라인(22A)은 동일면상 즉, 하부기판 상부에 형성된다.
게이트 라인(22A)과 데이타 라인(25B)의 교차 부분에는 박막 트랜지스터의 채널 역할을 하는 반도체층(24)이 구비된다. 여기서, 게이트 라인(22A)은 박막 트랜지스터의 게이트 전극과 일체(一體)이고, 데이타 라인(25A)은 박막 트랜지스터의 소오스 전극과 일체(一體)이다.
드레인 전극(25B)은, 반도체층(24)과 소정 부분 오버랩되고 데이타 라인과 평행하게 형성된 제 1 전극부(251B)와, 제 1 전극부(251B)와 연결되고 카운터 전극(22B)의 몸체 부분(221B)과 오법랩되는 제 2 전극부(252B)와, 카운터 전극(22B)의 몸체 부분(221B)과 인접하는 화소 전극(252B) 부분이 콘택되도록 제 2 전극부(252B)로 부터 연장된 제 3 전극부(253B)를 포함한다. 여기서, 제 3 전극부(253B)과 화소 전극(22C)은 소정 부분 콘택되어 있다. 여기서, 콘택된 영역이 C로 표시된다. 또한, 카운터 전극(22B)의 몸체 부분(221B)과, 이와 오버랩되는 제 2 전극부(252B)는 본 실시예의 액정에 인가되는 전압을 소정 시간동안 유지하도록 하는 스토리지 캐패시터의 역할을 한다.
따라서, 하나의 콘택 영역만으로, 화소 전극과 카운터 전극을 동일면상에 형성할 수 있다.
도 8은 도 7를 Ⅷ-Ⅷ'선으로 절단하여 나타낸 단면으로, 하부 기판(21) 상부에 제 1 금속막(도시되지 않음)을 증착하고, 소정 부분 식각하여, 게이트 라인(도시되지 않음), 카운터 전극(222B, 223B, 224B) 및 화소 전극(22C)을 형성한다. 이어서, 하부 기판(21) 상부에 게이트 절연막(23)이 형성되고, 게이트 절연막(23) 상부의 소정 부분에는 도면에는 도시되지 않았지만, 반도체층이 비정질 실리콘막으로 형성된다. 그후, 카운터 전극(22B)의 몸체(221B)에 인접하는 화소 전극(22C)의 소정 부분이 노출되도록 게이트 절연막(23)을 소정 부분 식각된다. 이때, 화소 전극(22C)의 소정부분을 노출시키는 공정은 반도체층 형성 이전에 형성할 수 있다.
그리고 나서, 하부 기판(21) 상부에 제 2 금속막(도시되지 않음)이 증착된 다음, 이 제 2 금속막을 소정 부분 식각하여, 데이타 라인(25A)과, 노출된 화소 전극(22C)과 콘택되는 드레인 전극(도시되지 않음)이 형성된다.
이와 같이하여, 화소 전극과 카운터 전극을 동일면에 형성함과 아울러, 콘택수 또한 감소시킬 수 있다.
본 발명은 상기한 실시예에 국한되는 것은 아니다.
상기한 실시예에서는 카운터 전극의 브렌치를 1개 또는 3개를 형성하였으나, 이에 국한되지 않고, 다수개를 형성하여도 동일한 효과를 얻을 수 있다.
이상에서 자세히 설명된 바와 같이, 본 발명에 의하면, IPS 모드의 액정 표시소자에서, 화소 전극과 카운터 전극을 동일면상에 형성하기 위하여, 일체이었던 드레인 전극과 화소 전극을 층을 달리 형성하고, 이 화소 전극과 드레인 전극을 콘택시키므로서, 하나의 콘택만으로화소 전극과 카운터 전극을 동일 평면에 형성할 수 있다.
또한, 화소 전극과 드레인 전극과의 콘택수를 2개에서 1개 줄일수 있어, 공정이 간소화된다.
기타, 본 발명은 그 요지를 일탈하지 않는 범위에서 다양하게 변경하여 실시할 수 있다.

Claims (8)

  1. 하부 기판과, 하부 기판상에 형성되는 게이트 전극과 일체인 다수개의 게이트 라인과, 상기 게이트 라인과 수직 교차되며 소오스 전극과 일체인 다수개의 데이타 라인과, 상기 게이트 라인과 데이타 라인으로 둘러싸인 공간에 형성되며 상기 게이트 라인과 동일면상에 형성하는 카운터 전극과, 상기 박막 트랜지스터의 동작에 따라 구동되며, 상기 카운터 전극과 기판에 수평한 전계를 형성하는 화소 전극 및상기 게이트 라인과 데이타 라인의 교차점 부근에 형성되며 게이트 전극, 소오스 전극 및 상기 화소 전극과 연결된 드레인 전극을 포함하는 박막 트랜지스터를 포함하는 액정 표시 소자에 있어서, 상기 카운터 전극은 화소 전극과 오버랩되는 부분없이 동일면상에 형성되고, 상기 드레인 전극은 상기 데이타 라인과 동일면상에 형성되며, 상기 화소 전극은 드레인 전극은 층이 달리 형성되고, 서로 소정 부분 콘택되는 것을 특징으로 하는 액정 표시소자.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 카운터 전극은 게이트 라인과 평행하는 몸체 부분과, 몸체 부분으로 부터 연장되고 상기 데이타 라인과 평행하는 한 쌍의 브렌치를 포함 하는 액정 표시 소자.
  3. 제 2 항에 있어서, 상기 화소 전극은 상기 카운터 전극의 브렌치와 소정 거리만큼 거리를 두고, 브렌치 사이에 삽입되는 것을 특징으로 하는 액정 표시 소자.
  4. 제 1 항에 있어서, 상기 가귄떠 전극은 게이트 라인과 평행하는 몸체 부분과, 몸체 부분으로 부터 연장되고 상기 데이타 라인과 평행하는 다수개의 브렌치를 포함하는 액정 표시 소자.
  5. 제 4 항에 있어서, 상기 화소 전극은 상기 카운터 전극의 브렌치 사이에 브렌치와 평행되도록 각각 삽입되고, 이들의 일측 단부가 연결된 것을 특징으로 하는 액정 표시 소자.
  6. 제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 드레인 전극은 카운터 전극과 소정 부분 오버랩되는 것을 특징으로 하는 액정 표시 소자.
  7. 하부 기판과, 하부 기판상에 형성되는 게이트 전극과 일체인 다수개의 게이트 라인과, 상기 게이트 라인과 수직 교차되며 소오스 전극과 일체인 다수개의 데이타 라인과, 상기 게이트 라인과 데이타 라인으로 둘러싸인 공간에 형성되며, 상기 게이트 라인과 동일면상에 형성하는 카운터 전극과 상기 박막 트랜지스터의 동작에 따라 구동되며, 상기 카운터 전극과 기판에 수평한 전계를 형성하는 화소 전극 및 상기 게이트 라인과 데이타 라인의 교차점 부근에 형성되는 게이트 전극, 소오스 전극 및 드레인 전극을 포함하는 박막 트랜지스터를 포함하는 액정 표시 소자에 있어서, 상기 드레인 전극은 상기 데이타 라인과 동일면상에 형성되고, 상기 카운터 전극은 상기 게이트 라인과 평행하는 몸체와, 몸체로 부터 데이타 라인과 평행하게 연장된 적어도 하나 이상의 브렌치를 포함하고, 상기 화소 전극은 상기 브렌치 사이의 공간내에 데이타 라인과 평행하도록 각각 형성되고, 그것의 외측단은 연결되어 있으며, 상기 드레인과 화소 전극이 콘택된 것을 특징으로 하는 액정 표시 소자.
  8. 제 7 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 드레인 전극은 카운터 전극과 소정 부분 오버랩되는 것을 특징으로 하는 액정 표시 소자.
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