KR19980087141A - 잔류 오염물의 제거장치 및 방법 그리고 그에 사용되는 클리너 - Google Patents

잔류 오염물의 제거장치 및 방법 그리고 그에 사용되는 클리너 Download PDF

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KR19980087141A
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Abstract

본 발명에 따르면, 수지봉지 금형의 세정방법 및 그 장치에 있어서, 가혹한 인적인 작업을 필요로 하지 않고 비교적 단시간에 유기계 물질 및 무기계 물질을 함유하는 오염물질을 인체에 악영향을 주지 않고 금형으로부터 제거한다.
또한, 이격되는 상형 (11a) 과 하형 (11b) 과의 사이에 케이싱 (9) 을 삽입하여, 오존을 발생시키는 단파장 광을 포함치 않는 자외선을 조사함과 동시에, 압축공기를 금형면에 분사하여 금형면에 부착된 오염물인 유기물 및 무기물을 제거한다.

Description

잔류 오염물의 제거장치 및 방법 그리고 그에 사용되는 클리너
본 발명은 반도체소자 등의 전자부품을 수지봉지하는 수지봉지 금형에 부착되는 유기계 물질이나 무기계 물질 등의 오염물을 제거하는 수지봉지 금형의 세정방법 및 그 장치에 관한 것이다.
통상, 반도체소자를 수지봉지하는데는, 수지봉지 금형에 의한 몰드 성형방법이 이용되고 있다. 또한, 수지봉지에 사용되는 수지에는, 여러 가지의 유기계 물질과 무기계 물질이 혼합 제조된 것이며, 금형으로부터 이형 (離型) 되기 쉽도록 왁스 등의 이형재가 함유되어 있다. 이와 같은 여러 가지의 물질이 혼합하여 존재하는 수지로 반도체수지를 수지봉지하는 경우에, 이들 물질이 화학반응하고 중합하여, 표면에 석출된다. 이 표면 석출물의 일부가 수지성형 후에 금형의 표면에 부착하여, 오염물로서 오목부 (凹部) 에 잔류한다.
이와 같은 금형에 잔류하는 오염물질은, 반복하여 실시되는 수지봉지성형 때마다 퇴적되어 덩어리처럼 커져, 수지성형체를 금형으로부터 이형할 때, 이 퇴적물에 의해 수지성형체가 부식되어, 수지성형체를 손상시키는 등의 외관불량을 일으킨다. 또한, 이 퇴적물이 금형의 오목부에 똑같이 부착된 경우에도, 수지성형체인 패키지체의 두께 불균일을 일으켜 내습성의 문제도 발생하게 된다. 이 때문에, 이를 피하기 위해 정기적으로 금형의 세정을 실시하였다.
이 금형의 세정에서는, 금형표면에 흠집 등을 내기쉬운 끌 등에 의한 기계적 제거방법을 적용할 수 없어, 기계적으로 금형에 타격을 주지 않는 방법으로 행하였다. 예를 들면, 세정액 도포후에 오염물인 수지 잔류물과 고착력이 강한 멜라민 수지 등을 사용하여 수지봉지하고, 성형된 수지체를 오염물인 퇴적물을 성형수지체와 함께 금형에서 이형시켜 제거하거나, 또는, 오염물질에 강한 접착력을 갖는 시트상 합성고무를 붙여, 오염물과 함께 금형표면에서 떼어내었다.
그러나, 이 방법은 많은 시간을 낭비하고, 게다가 동일 작업을 반복하여 실시하지 않으면, 금형표면의 오염물을 완전히 제거할 수 없는 결점이 있었다. 또한, 이 작업자체는, 고온중에서의 작업이므로 작업자에게 가혹한 작업이었다. 이러한 결점을 해소하는 세정방법이, 예를들면, 일본 공개특허 평6-216175 호 공보에 개시되어 있다. 이 방법은 수지봉지 공정 중에 편성된 방법으로, 상형과 하형 사이에 클리너로 불리는 세정장치를 끼우도록 하여 실시하고 있다.
도 5 는 종래의 수지봉지 금형의 세정방법의 일례를 설명하기 위한 도면이다. 이 일본 공개특허 평6-216175 호 공보에 개시된 방법은, 도 5 에 나타낸 바와 같이, 상형 (20a) 과 하형 (20b) 과의 사이에 클리너 (19) 를 삽입하고, 오존 공급파이프 (18) 로부터 오존을 상형 (20a) 과 하형 (20b) 에 공급하여, 금형 내부를 고농도의 오존 분위기 (약 10000 ppm) 로 하고, 자외선 공급파이프 (18) 로부터 자외선을 오존 분위기 중에 조사하며, 산소라디칼을 다량으로 생성하여 그 산화작용으로 오염물인 유기계물질을 분산시켜 금형면으로부터 제거하여 세정한 후, 필요에 따라, 클리너를 이동시킴으로써, 브러쉬 (21) 로 금형면을 청소하는 것을 특징으로 하고 있다.
상술한 오존을 공급하여 자외선에 의해 여기 (勵起) 된 산소라디칼에 의한 산화작용으로 세정하는 방법은 유기계물질의 분해제거가 가능하지만, 오염물에 함유되는 무기계물질이 분해되지 않고 금형 표면에 잔류하는 문제가 있다. 또, 일본 공개특허 평6-216175 호 공보에는, 금형의 이형제를 손상하지 않고 세정할 수 있다는 기재가 있지만, 산화작용이 금형면으로부터 어느 정도 깊게 작용하는지를 검지하는 것이 곤란하므로, 금형면의 장소에 따라서는, 이형제가 제거될 우려가 있다. 만약, 이 이형제의 박리가 수지성형을 만드는 오목부 내에서 발생하게 되면, 수지체를 금형으로부터 박리할 때, 그 박리된 부분의 수지가 이형되지 않고, 성형수지체가 부식되어 외관불량을 일으키게 된다.
또한, 이와 같이 클리너의 주위를 브러쉬만으로 둘러싸 형 내부를 밀폐하여도, 금형 내부의 오존이 누설되거나, 또는, 클리너를 이동시켰을 때, 분진이 누설되거나, 금형에 오존이 잔류하거나 하여, 어느 것으로 하여도 분진이나 오존을 대기중으로 산란시켜 인체에 유해하다. 한편, 금형내에 잔류하는 오존은 금속인 금형자체를 산화시켜, 금형에 녹을 발생시켜 형의 수명을 현저하게 저하시키는 문제가 있다. 또한, 브러쉬로 청소하는데에 클리너 자체를 이동시키지 않으면 안되므로 장치가 복잡해지는 결점이 있다.
따라서, 본 발명의 목적은 가혹한 인적인 작업을 필요로 하지 않고 비교적 단시간에 유기계 물질 및 무기계 물질을 포함하는 오염물질을 인체에 악영향을 미치지 않고, 금형으로부터 제거할 수 있는 수지봉지 금형의 세정방법 및 그 장치를 제공하는데 있다.
본 발명의 특징은, 수지봉지 금형의 표면에 부착되는 유기계물질 및 무기계물질을 함유하는 오염물을 제거하는 수지봉지 금형의 세정방법에 있어서, 상기 수지봉지 금형의 상형 및 하형을 이격시켜, 상기 상형의 표면과 상기 하형의 표면과의 사이에 폐쇄공간을 형성하고, 상기 상형 및 상기 하형의 각각의 상기 표면에 상기 폐쇄공간 내부에서 200 ㎚ 이하의 파장의 광을 포함하지 않은 자외광선을 조사함과 동시에, 상기 자외광선이 조사되는 상기 오염물을 상기 폐쇄공간 내부에서 압축공기로 불어날려 상기 폐쇄공간 외부로 배출하는 수지봉지 금형의 세정방법이다. 또한, 상기 오염물을 상기 압축공기로 불어날린 후에, 상기 상형 및 상기 하형의 상기 표면을 브러쉬로 연마하는 것이 바람직하다.
본 발명의 다른 특징은, 이격하는 상형 및 하형의 각 표면에 개구를 접촉키켜, 상기 상형과 상기 하형과의 사이에 삽입되는 케이싱과, 이 케이싱에 수납되어 상기 상형 및 상기 하형의 표면에 200 ㎚ 이하의 파장의 광을 포함하지 않은 자외광선을 조사하는 자외선램프와, 상기 상형 및 상기 하형의 표면에 압축공기를 분사하는 블로어와, 상기 케이싱 내부를 배기하는 배기유니트를 구비하는 수지봉지 금형의 세정장치이다. 또한, 상기 케이싱은 상기 자외선 램프가 수납되어 있는 실과 상기 블로어가 수납되어 있는 실로 구분되어 있는 것이 바람직하다. 또한, 상기 상형 및 상기 하형의 표면을 한방향으로 왕복주행하면서 상기 표면을 연마하는 회전브러쉬를 구비하는 것이 바람직하다.
도 1a 및 1b 는 본 발명의 일 실시형태에서의 수지봉지 금형의 세정방법 및 그 장치를 설명하기 위한 세정장치의 평면도 및 AA 단면도.
도 2 는 도 1 의 자외선램프의 분광방사조도를 나타낸 도면.
도 3a 및 3b 는 도 1 의 세정장치의 변형예를 설명하기 위한 세정장치의 부분도.
도 4 는 종래기술에 의한 세정과 본 발명에 의한 세정을 비교한 도면.
도 5 는 종래의 수지봉지 금형의 세정방법의 일례를 설명하기 위한 도면.
*도면의 주요부분에 대한 부호의 설명*
1 : 자외선램프 2 : 반사거울
2a : 오목 거울 3 : 에어블로어
4 : 롤러브러쉬 5 : 배기유니트
6 : 투과창 7 : 세정실
8 : 광투사실 9 : 케이싱
9a, 9b : 개구 10 : 배기구
11a, 20a : 상형 11b, 20b : 하형
12 : 주행헤드 13 : 로프
14 : 견인모터 15 : 인장롤러
16 : 안내판 17 : 자외선공급 파이프
18 : 오존공급 파이프 19 : 클리너
21 : 브러쉬
다음으로, 본 발명에 대하여 도면을 참조하여 설명한다.
도 1a 및 1b 는 본 발명의 일 실시형태에서의 수지봉지 금형의 세정방법 및 그 장치를 설명하기 위한 세정장치의 평면도 및 AA 단면도이다.
이 세정장치는 도 1 에 나타낸 바와 같이, 소정간격으로 이격하는 상형 (11a) 과 하형 (11b) 의 사이에 삽입되어 상형 (11a) 및 하형 (11b) 의 표면에 개구 (9a, 9b) 를 접촉시켜 상형 (11a) 과 하형 (11b) 과의 사이의 공간부를 기밀하게 폐쇄하는 케이싱 (9) 과, 이 케이싱 (9) 이 거의 중심위치에 배치되어 반사거울 (2) 을 통하여 자외광선을 개구 (9a, 9b) 로부터 노출되는 상형 (11a) 및 하형 (11b) 의 표면에 조사하는 자외선 램프 (1) 와, 자외선 램프 (1) 및 반사거울 (2) 이 배치되는 케이싱 (9) 의 광투사실 (8) 의 양측에 있어 광투사실 (8) 과 구분되는 세정실 (7) 로부터 압축공기를 상형 (11a) 및 하형 (11b) 의 표면에 분사하는 에어블로어 (3) 와, 압축공기의 분사에 의해 박리된 오염물을 압축공기와 함께 케이싱 (9) 의 배기구 (10) 로부터 흡인하는 배기유니트 (5) 를 구비하고 있다.
또, 세정실 (7) 과 광투사실 (8) 을 구분하여 자외광선을 투과하는 투과창 (6) 은 파장이 짧은 자외광선에서도 투과하는 유리판재를 사용한다. 예를들면, 철분의 함유율이 적은 소다라임 유리나 또는 석영판을 사용하는 것이 바람직하다. 에어블로어 (3) 는 한방향으로 연장되는 배관에 의해 형성되어 복수의 분출구를 갖고 있다. 그리고, 그들의 분출구는 금형면의 오목부 (16a) 를 향하여, 오목부 (16a) 내의 오염물이 제거되도록 압축공기를 분출한다. 자외선 램프 (1) 로부터의 광은 오목면 거울 (2a) 에서 효율적으로 반사되고, 또한, 반사거울 (2) 에서 오목부 (16a) 로 투사된다. 배기유니트 (5) 는 배기구 (10) 로부터 세정실 (7) 내의 오염물을 함유하는 기체를 배기하는 블로어펌프와 보충된 오염물을 모으는 트랩을 구비하고 있다.
도 2 는 도 1 의 자외선 램프의 분광 방사조도를 나타낸 도면이다.
다음으로, 자외선에 의한 세정작용에 대하여 설명한다.
통상, 반도체장치를 수지봉지하는 에폭시수지의 조성은 벤젠고리와 메틸기를 기초로 하여 이들이 연쇄한 구성으로 되어 있다. 이 벤젠고리와 메틸기를 구성하고 있는 결합기를 C=C, C-C, C-H, C-O 등으로 하면, 각각은 145 ㎉ 이하의 결합에너지로 구성된다. 여기서, 예를 들면, C-C 와 C-H 의 조합으로된 어느 유기물에 자외선을 조사하면, -H 가 끊어진 후, 다시 결합하여 H2를 형성한다. 이 결합을 해리하는데는 95 ㎉/㏖ 과 85 ㎉ 의 에너지를 투입하는 것이 필요하고, 이 에너지로서 파장 254 ㎚ 과 300 ㎚ 의 광을 조사하는 것이 자외선 세정의 기본원리이다.
또한, 자외선 램프 (1) 는, 도 2 에 나타낸 바와 같이, 파장 200 ㎚ 이하의 광강도는 0 이다. 즉, 작업자에게 위험한 오존을 발생하지 않도록 하고 있다. 만약, 200 ㎚ 이하의 파장의 광이 발생한다면, 원통형의 커트필터를 설치하여, 200 ㎚ 이하의 파장의 광을 차단하는 것이다. 또한, 파장 254 ㎚ 과 300 ㎚ 의 광으로 유기물질을 해리반응시켜 분해하고, 파장 365 ㎚ 부근과 540 ㎚ 부근의 장파장대 에너지에 의해 유기물질을 가열하여 분해를 촉진하고 있다.
다음으로, 도 1을 참조하여, 이 세정장치의 동작을 설명한다.
먼저, 상형 (11a) 과 하형 (11b) 이 개방된 상태에서, 케이싱 (9) 을 삽입한다. 그리고, 케이싱 (9) 과 상형 (11a) 및 하형 (11b) 과의 사이에 간극이 있으면, 케이싱 (9) 으로부터 기체가 누설되지 않도록 점토상의 고무 실 (seal) 등을 붙여 간극을 메운다. 다음으로, 자외선 램프 (1) 를 점등하여 상형 (11a) 및 하형 (11b) 의 금형면에 광을 조사한다. 그리고, 에어블로어 (3) 로부터 건조공기 또는 건조질소를 분사한다. 이로써, 금형면에 피착된 유기물질은 분해되어 약해져 압축공기로 제거된다. 또, 자외선으로는 분해할 수 없는 무기물도 가열되어 압축공기에 의해 제거된다. 또한, 자외선조사에 의해 금형은 가열되지만, 에어 블로어 (3) 로부터의 압축공기에 의해 냉각된다. 또, 이 건조공기에 의해 금형면으로부터 박리된 오염물질이 건조되어 있으므로, 다시 금형면이나 투과창 (6) 에 부착되지 않고 배기유니트 (5) 에 의해 케이싱 (9) 밖으로 배출된다.
도 3a 및 3b 는 도 1 의 세정장치의 변형예를 설명하기 위한 세정장치의 부분도이다.
이 세정장치는, 도 3 에 나타낸 바와 같이, 자외선조사 및 압축공기의 분사로도 제거할 수 없었던 오염물을 제거하기 위해, 롤러브러쉬 (4) 가 한방향으로 왕복주행하여 회전하면서 금형면을 연마하는 회전브러쉬 주행기구를 설치한 것이다. 또한, 도면에서는, 상형 (11a) 의 면을 연마하도록 회전브러쉬 주행기구가 설치되어 있는데, 하형에도 동일한 기구가 설치되어 있다.
이 회전브러쉬 주행기구는 롤러브러쉬 (4) 를 고속으로 회전시키는 데이터 내장의 주행헤드 (12) 와, 이 주행헤드 (12) 를 견인하는 로프 (13) 와, 로프 (13) 를 인장롤러 (15) 를 통하여 견인하는 정역회전이 가능한 견인모터 (14) 와, 주행헤드 (12) 의 주행시의 상하이동을 규제하는 안내판 (16) 을 구비하고 있다. 또한, 롤러브러쉬 (4) 의 브러쉬는 금형면에 흠집을 발생시키지 않도록, 유연한 브러쉬가 롤러에 매입되어 있다.
이 세정장치의 동작은, 자외선조사 및 압축공기의 분사 후에, 롤러브러쉬 (4) 를 예를 들면 5000부터 30000 rpm 으로 회전시키고, 견인모터 (14) 를 정회전시켜 주행헤드 (12) 를 지면에 대하여 좌에서 우로 이동시킨다. 주행헤드 (12) 의 이동에 따라서 롤러브러쉬 (4) 는 상형 (11a) 의 표면을 연마한다. 주헹헤드 (12) 가 상형 (11a) 의 오목부에 대응하는 위치에 오면, 안내판 (16) 에 의해 주행헤드 (12) 가 위로 이동하여, 롤러브러쉬 (4) 가 오목부를 연마하고, 더욱 이동하면, 주행헤드 (12) 가 하강하여 금형면을 연마한다. 그리고, 다시 상승하여 롤러브러쉬 (4) 는 다른 오목부를 연마하고, 그 후 하강하여 금형면을 연마한다. 최우측단에 주행헤드 (12) 가 도달하면, 견인모터 (14) 가 역회전하고, 주행헤드 (12) 가 지면에 대하여 우에서 좌로 주행하여, 상형 (11a) 의 면을 연마한다.
도 4 는 종래기술에 의한 세정과 본 발명에 의한 세정을 비교한 도면이다.
여기서, 종래기술에서 서술한 오염물 박리용의 세정전용 수지에 의한 세정방법과 본 발명의 자외선조사 및 압축공기 또는 브러쉬와 조합한 세정방법을 비교하기 위한 실험을 행하였다. 그 결과, 도 4 에 나타낸 바와 같이, 자외선조사, 압축공기 및 브러쉬의 조합에 의한 세정방법이 가장 효과가 있었다. 그리고, 세정시간도 종래기술 보다 1/3 이하로 단축할 수 있었다.
이상 설명한 바와 같이 본 발명은 이격되는 상형과 하형과의 사이의 공간부를 폐쇄한 상태로 하여, 오존을 발생시키지 않고 금형면에 부착되는 유기물을 분해하는 자외선의 조사 및 무기물을 박리시키는 압축공기의 분사를 그 공간부 내부에서 실시하고, 또한 필요에 따라 자동적으로 브러쉬에 의한 금형면의 연마를 실시함으로써, 오염물인 유기물은 물론, 무기물도, 유해물질에 노출되는 일 없고 또한 가혹한 인적인 작업을 필요로 하지 않고, 비교적으로 단시간에 제거할 수 있으며, 관리가 필요한 공정수의 저감을 도모할 수 있음과 동시에, 몰드 성형기의 가동율이 향상되는 효과가 있다.

Claims (52)

  1. 금형의 내표면으로부터 유기물과 무기물 중의 어느 하나 이상을 함유하는 잔류 오염물을 제거하는 장치로서, 상기 장치는, 상기 금형의 사이에서 사용되며, 상기 금형의 상기 표면상의 상기 잔류 오염물상으로 자외선으로 주로 이루어진 광선을 조사하는 수단을 갖는 것을 특징으로 하는 잔류 오염물 제거장치.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 광선은 200nm 보다 짧지 않은 파장을 가지는 자외선으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 장치.
  3. 제 3 항에 있어서, 상기 광선을 조사하는 수단은, 상기 자외선을 방출하는 자외선 램프; 상기 자외선 램프로부터 방출되어진 상기 자외선을 반사하기 위하여, 상기 자외선 램프의 둘레에 위치되는 한쌍의 오목거울; 및 상기 오목거울로부터 상기 금형 방향으로 반사되어진 상기 자외선을 반사하기 위하여 상기 자외선 램프의 둘레에 위치된 한쌍의 반사거울을 포함하는 것을 특징으로 하는 장치.
  4. 제 1 항에 있어서, 상기 금형의 상기 내부 표면상의 상기 잔류 오염물상으로 가스를 분출하는 수단을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 장치.
  5. 제 4 항에 있어서, 상기 가스를 분출하는 수단은, 상기 금형의 상기 내부표면상으로 공기를 분출하기 위한 한쌍의 상부 및 하부 에어 블로어를 포함하는 것을 특징으로 하는 장치.
  6. 제 5 항에 있어서, 상기 상부 및 하부 에어블로어는, 상기 금형에 접속된 부실 (subordinate room) 에 수납되며, 상기 광선을 조사하는 상기 수단을 수납하는 주실 (main room) 로부터 이격되는 것을 특징으로 하는 장치.
  7. 제 6 항에 있어서, 상기 주실은 상기 부실로부터 광선 투과창에 의해 분리되어, 상기 광선이 상기 광선 투과창을 통해 상기 금형의 상기 내부표면상의 상기 잔류 오염물상으로 투과되도록 하는 것을 특징으로 하는 장치.
  8. 제 4 항에 있어서, 상기 가스는 압축공기인 것을 특징으로 하는 장치.
  9. 제 1 항에 있어서, 상기 상형의 상기 내부 표면을 털어내는 하나 이상의 상부 브러쉬 및 상기 하형의 상기 내부표면을 털어내는 하나 이상의 하부 브러쉬를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 장치.
  10. 제 9 항에 있어서, 상기 상부 브러쉬와 상기 하부 브러쉬는 상기 금형에 평행한 방향으로 이동가능한 롤러 브러쉬를 구비하여, 상기 롤러 브러쉬가 상기 금형의 전체 상기 내부표면에 도달할 수 있도록 하는 것을 특징으로 하는 장치.
  11. 금형의 내표면으로부터 유기물과 무기물 중의 어느 하나 이상을 함유하는 잔류 오염물을 제거하는 장치로서, 상기 장치는, 상기 금형의 사이에서 사용되며, 상기 금형의 상기 표면상의 상기 잔류 오염물에 레이저빔을 조사하는 수단을 갖는 것을 특징으로 하는 잔류 오염물 제거장치.
  12. 제 11 항에 있어서, 상기 레이저 빔을 조사하는 수단은, 상기 레이저 빔을 방출하는 하나 이상의 레이저 장치; 및 상기 금형의 상기 내부표면 방향으로 상기 레이저 장치로부터 방출되어진 상기 레이저빔을 반사하는 하나 이상의 반사거울을 구비하고, 상기 반사거울은, 상기 반사된 레이저 빔의 투과방향이 상기 금형의 상기 내부표면들 사이에서 변화되도록, 그 거울 표면의 방향으로 변화가 가능하며, 또한, 상기 반사거울은, 상기 레이저 빔이 상기 금형의 상기 내부표면 전체를 스캔할 수 있도록 상기 금형의 표면에 평행하게 이동가능한 것을 특징으로 하는 장치.
  13. 제 11 항에 있어서, 상기 금형의 상기 내부표면상의 상기 잔류 오염물상으로 가스를 분출하는 수단을 더 구비하는 것을 특징으로 하는 장치.
  14. 제 13 항에 있어서, 상기 가스를 분출하는 수단은, 상기 금형의 상기 내부표면상으로 공기를 분출하기 위한 한쌍의 상부 및 하부 에어블로어를 포함하는 것을 특징으로 하는 장치.
  15. 제 14 항에 있어서, 상기 상부 및 하부 에어블로어는, 상기 금형에 접속된 부실에 수납되며, 상기 레이저 빔을 조사하는 상기 수단을 수납하는 주실로부터 이격되는 것을 특징으로 하는 장치.
  16. 제 15 항에 있어서, 상기 주실은, 상기 레이저 빔이 상기 금형의 상기 내부표면상의 상기 오염물상으로 광선투과창을 통하여 투과하도록 상기 광선투과창에 의해 상기 부실로부터 이격되도록 하는 것을 특징으로 하는 장치.
  17. 제 13 항에 있어서, 상기 가스는 압축공기인 것을 특징으로 하는 장치.
  18. 제 1 항에 있어서, 상기 상형의 상기 내부표면을 털어내기 위한 하나 이상의 상부 브러쉬 및 상기 하형의 상기 내부표면을 털어내기 위한 하나 이상의 하부 브러쉬를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 장치.
  19. 제 18 항에 있어서, 상기 상부 브러쉬와 상기 하부 브러쉬는 상기 금형의 상기 내부표면 전체에 도달할 수 있도록 상기 금형의 상기 표면에 평행한 방향으로 이동가능한 롤러 브러쉬를 구비하는 것을 특징으로 하는 장치.
  20. 금형의 내부표면을 세정하기 위해 금형 사이에서 사용되는 클리너로서, 상기 클리너는, 상기 금형의 상기 내부표면으로부터의 잔류 오염물을 이후에 용이하게 제거하기 위해, 상기 금형의 상기 내부표면상에 부착된 하나 이상의 유기물을 함유하는 잔류 오염물을 분해시킬 수 있도록, 상기 금형의 상기 내부표면상의 상기 잔류 오염물상으로 자외선으로 주로 이루어진 광선을 조사하는 수단을 갖는 것을 특징으로 하는 클리너.
  21. 제 20 항에 있어서, 상기 광선은 200nm 보다 더 짧은 파장을 갖는 자외선을 포함하는 것을 특징으로 하는 클리너.
  22. 제 21 항에 있어서, 상기 광선을 조사하는 상기 수단은, 상기 자외선을 방출하는 자외선 램프; 상기 자외선 램프로부터 방출되어진 상기 자외선을 반사하기 위하여, 상기 자외선 램프의 둘레에 위치되는 한쌍의 오목거울; 및 상기 오목거울로부터 상기 금형 방향으로 반사되어진 상기 자외선을 반사하기 위하여 상기 자외선 램프의 둘레에 위치된 한쌍의 반사거울을 포함하는 것을 특징으로 하는 클리너.
  23. 제 20 항에 있어서, 상기 금형의 상기 내부 표면상의 상기 잔류 오염물상으로 가스를 분출하는 수단을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 클리너.
  24. 제 23 항에 있어서, 상기 가스를 분출하는 수단은 상기 금형의 상기 내부표면상으로 공기를 분출하기 위한 한쌍의 상부 및 하부 에어 블로어를 포함하는 것을 특징으로 하는 클리너.
  25. 제 24 항에 있어서, 상기 상부 및 하부 에어블로어는, 상기 금형에 접속된 부실 (subordinate room) 에 수납되며, 상기 광선을 조사하는 상기 수단을 수납하는 주실 (main room) 로부터 이격되는 것을 특징으로 하는 클리너.
  26. 제 25 항에 있어서, 상기 주실은, 상기 부실로부터 광선 투과창에 의해 분리되어, 상기 광선이 상기 광선 투과창을 통해 상기 금형의 상기 내부표면상의 상기 잔류 오염물상으로 투과되도록 하는 것을 특징으로 하는 클리너.
  27. 제 23 항에 있어서, 상기 가스는 압축공기인 것을 특징으로 하는 클리너.
  28. 제 20 항에 있어서, 상기 상형의 상기 내부 표면을 털어내는 하나 이상의 상부 브러쉬 및 상기 하형의 상기 내부표면을 털어내는 하나 이상의 하부 브러쉬를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 클리너.
  29. 제 28 항에 있어서, 상기 상부 브러쉬와 상기 하부 브러쉬는 상기 금형에 평행한 방향으로 이동가능한 롤러 브러쉬를 구비하여, 상기 롤러 브러쉬가 상기 금형의 전체 상기 내부표면에 도달할 수 있도록 하는 것을 특징으로 하는 클리너.
  30. 금형의 내표면으로부터 유기물과 무기물 중의 어느 하나 이상을 함유하는 잔류 오염물을 제거하는 클리너로서, 상기 클리너는, 상기 금형의 상기 내부표면으로부터의 잔류 오염물을 이후에 용이하게 제거하기 위해, 상기 금형의 상기 내부표면상에 부착된 하나 이상의 유기물을 함유하는 잔류 오염물을 분해시킬 수 있도록, 상기 금형의 상기 내부표면상의 상기 잔류 오염물상으로 레이저 빔을 조사하는 수단을 갖는 것을 특징으로 하는 클리너.
  31. 제 30 항에 있어서, 상기 레이저 빔을 방출하는 수단은, 상기 레이저 빔을 방출하는 하나 이상의 레이저 장치; 및 상기 금형의 상기 내부표면 방향으로 상기 레이저 장치로부터 방출되어진 상기 레이저빔을 반사하는 하나 이상의 반사거울을 구비하고, 상기 반사거울은, 상기 반사된 레이저 빔의 투과방향이 상기 금형의 상기 내부표면들 사이에서 변화되도록, 그 거울 표면의 방향으로 변화가 가능하며, 또한, 상기 반사거울은, 상기 레이저 빔이 상기 금형의 상기 내부표면 전체를 스캔할 수 있도록, 상기 금형의 표면에 평행한 방향으로 이동가능한 것을 특징으로 하는 클리너.
  32. 제 30 항에 있어서, 상기 금형의 상기 내부표면상의 상기 잔류 오염물상으로 가스를 분출하는 수단을 더 구비하는 것을 특징으로 하는 클리너.
  33. 제 32 항에 있어서, 상기 가스를 분출하는 수단은 상기 금형의 상기 내부표면상으로 공기를 분출하기 위한 한쌍의 상부 및 하부 에어블로어를 포함하는 것을 특징으로 하는 클리너.
  34. 제 33 항에 있어서, 상기 상부 및 하부 에어블로어는, 상기 금형에 접속된 부실에 수납되며, 상기 레이저 빔을 조사하는 상기 수단을 수납하는 주실로부터 이격되는 것을 특징으로 하는 클리너.
  35. 제 34 항에 있어서, 상기 주실은, 상기 레이저 빔이 상기 금형의 상기 내부표면상의 상기 오염물상으로 광선투과창을 통하여 투과하도록 상기 광선투과창에 의해 상기 부실로부터 이격되도록 하는 것을 특징으로 하는 클리너.
  36. 제 32 항에 있어서, 상기 가스는 압축공기인 것을 특징으로 하는 클리너.
  37. 제 30 항에 있어서, 상기 상형의 상기 내부표면을 털어내기 위한 하나 이상의 상부 브러쉬 및 상기 하형의 상기 내부표면을 털어내기 위한 하나 이상의 하부 브러쉬를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 클리너.
  38. 제 37 항에 있어서, 상기 상부 브러쉬와 상기 하부 브러쉬는 상기 금형의 상기 내부표면 전체에 도달할 수 있도록 상기 금형의 상기 표면에 평행한 방향으로 이동가능한 롤러 브러쉬를 구비하는 것을 특징으로 하는 클리너.
  39. 금형의 내부표면으로부터 잔류 오염물의 후속 제거를 용이하게 하기 위하여, 금형의 내부표면상에 부착된 하나 이상의 유기물을 함유하는 잔류 오염물을 분해하는 방법으로서, 상기 금형의 상기 표면상의 상기 잔류 오염물상으로 자외선으로 주로 이루어진 광선을 조사하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 잔류 오염물의 분해방법.
  40. 제 39 항에 있어서, 상기 광선은 200nm 보다 짧은 파장을 가지는 자외선을 포함하는 것을 특징으로 하는 잔류 오염물의 분해방법.
  41. 금형의 내부표면으로부터 유기 및 무기물질 중의 어느 하나 이상을 함유하는 잔류 오염물을 제거하는 방법에 있어서, 상기 금형의 상기 표면상의 상기 잔류 오염물상으로 자외선으로 주로 구성된 광선을 조사하는 단계; 및 상기 금형의 상기 표면상의 상기 잔류 오염물상으로 가스를 분출하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 잔류 오염물의 제거방법.
  42. 제 41 항에 있어서, 상기 광선은 200nm 보다 더 짧은 파장을 가지는 자외선을 포함하는 것을 특징으로 하는 잔류 오염물의 제거방법.
  43. 제 41 항에 있어서, 상기 가스는 한쌍의 상부 및 하부 에어블로어에 의해 상기 금형의 상기 내부표면상으로 각각 분출되는 것을 특징으로 하는 잔류 오염물의 제거방법.
  44. 제 43 항에 있어서, 상기 가스는 압축공기인 것을 특징으로 하는 잔류 오염물의 제거방법.
  45. 제 41 항에 있어서, 상기 가스가 분출된 후에, 상기 상형의 상기 내부표면을 브러쉬로 털어내는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 잔류 오염물의 제거방법.
  46. 제 45 항에 있어서, 상기 브러쉬는 상기 금형의 상기 내부표면 전체에 도달할 수 있도록 상기 금형의 상기 표면에 평행한 방향으로 이동가능한 롤러 브러쉬를 구비하는 것을 특징으로 하는 잔류 오염물의 제거방법.
  47. 금형의 내부표면으로부터 잔류 오염물의 후속 제거를 용이하게 하기 위하여, 금형의 내부표면상에 부착된 하나 이상의 유기물을 함유하는 잔류 오염물을 분해하는 방법으로서, 상기 금형의 상기 표면상의 상기 잔류 오염물상으로 레이저 빔을 조사하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 잔류 오염물의 분해방법.
  48. 금형의 내부표면으로부터 유기 및 무기물질 중의 어느 하나 이상을 함유하는 잔류 오염물을 제거하는 방법에 있어서, 상기 금형의 상기 표면상의 상기 잔류 오염물상으로 레이저 빔을 조사하는 단계; 및 상기 금형의 상기 표면상의 상기 잔류 오염물상으로 가스를 분출하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 잔류 오염물의 제거방법.
  49. 제 48 항에 있어서, 상기 가스는 한쌍의 상부 및 하부 에어블로어에 의해 상기 금형의 상기 내부표면상으로 각각 분출되는 것을 특징으로 하는 잔류 오염물의 제거방법.
  50. 제 49 항에 있어서, 상기 가스는 압축공기인 것을 특징으로 하는 잔류 오염물의 제거방법.
  51. 제 48 항에 있어서, 상기 가스가 분출된 후에, 상기 상형의 상기 내부표면을 브러쉬로 털어내는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 잔류 오염물의 제거방법.
  52. 제 51 항에 있어서, 상기 브러쉬는 상기 금형의 상기 내부표면 전체에 도달할 수 있도록 상기 금형의 상기 표면에 평행한 방향으로 이동가능한 롤러 브러쉬를 구비하는 것을 특징으로 하는 잔류 오염물의 제거방법.
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