KR19980086913A - 동축 플러그 절연체 - Google Patents

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KR19980086913A
KR19980086913A KR1019980016701A KR19980016701A KR19980086913A KR 19980086913 A KR19980086913 A KR 19980086913A KR 1019980016701 A KR1019980016701 A KR 1019980016701A KR 19980016701 A KR19980016701 A KR 19980016701A KR 19980086913 A KR19980086913 A KR 19980086913A
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조아킨 레스터 레스터
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토마스 엘. 피터슨
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    • H01R2103/00Two poles

Abstract

본 발명에 따라서, 전방부(12)에서 내측 전도체(14)가 소정 직경(A)(1 mm)의 핀(M)을 수용하기 위한 소켓을 형성하고, 외측 전도체는 소정 외경(B)(3.7 mm)의 전방 단부를 갖는 형태의 동축 접속기가 제공되어 접속기의 전방부에서 특성 임피던스를 접속기 중앙부(16)의 임피던스와 좀 더 가깝게 증가시킬 수 있다. 내측 전도체를 외측 전도체 내부에 위치시키는 유전체 지지부(30)는 전방부에서 주로 공기를 포함하여 전방부의 직경을 변화시키지 않고 전방부의 특성 임피던스를 증가시킨다. 절연성 지지부는 바람직하게는 링 형태의 위치설정부(62,64)를 구비한 중앙부(72)를 포함하는데, 상기 위치설정부는 외측 전도체 내에 밀접하게 수용되어 있고 내측 전도체를 밀접하게 에워싸며, 내측 전도체의 방사상 방향 및 축방향 위치를 고정하는 내측 전도체 상의 쇼울더와 인접한다. 상기 지지부는 또한 또한 링 형태의 위치설정부(56)를 구비하는 전방부(55)를 포함하는데, 상기 위치설정부는 외측 전도체의 전방 단부(60) 내에 밀접하게 수용되어 있지만 내측 전도체와는 맞물리지 않고, 인입부(58)를 형성하며, 로드(66)들이 지지부의 전방 링으로부터 중앙부까지 축방향으로 연장한다.

Description

동축 플러그 절연체
동축 접속기(coaxial connector)들은 내측 전도체와, 외측 전도체와, 그리고 그 사이에 놓이는 절연체(insulator), 또는 유전체(dielectric)를 포함한다. 이러한 접속기들은 통상적으로 소정의 특성 임피던스(characteristic impedance)를 갖도록 구성되는데, 상기 임피던스는 정재파비(standing wave ratio) 및 결과로서 생기는 손실을 최소화하기 위하여 케이블 및 짝을 이루는 접속기의 임피던스와 일치하는 통상 50 ohms, 종종 75 ohms이다. 널리 사용되고 대체로 표준 크기의 소형 플러그 동축 접속기는 전방 단부를 갖는데, 상기 전방 단부에서 내측 전도체는 1 mm 직경의 핀을 수용하기 위한 소켓(socket)을 형성하고, 외측 전도체는 짝을 이루는 접속기의 외측 전도체와 맞물리도록 3.7 mm의 외경을 갖는다. 테프론(Teflon)과 같은 유전체 재료가 내측 전도체와 외측 전도체 사이의 거의 모든 공간을 차지한다. 접속기 중앙부는 더 큰 외측 전도체 직경을 가지며, (내측 전도체부는 핀을 수용할 필요가 없기 때문에) 실질적으로 임의의 내측 전도체 직경을 가질 수 있어 원하는 임피던스를 달성한다.
상기 종래의 표준 플러그 접속기의 전방부에서, 내측 전도체는 1.4 mm의 직경을 가지고, 외측 전도체는 약 3 mm의 내경을 가지며, 내측 전도체와 외측 전도체 사이의 공간은 2.55의 유전 상수를 갖는 테프론으로 채워진다. 그 결과, 접속기 전방부는 28 ohms의 특성 임피던스를 갖는다. 접속기 전방부가 28 ohms의 특성 임피던스를 갖고 있어, 50 또는 75 ohms의 임피던스를 갖는 접속기 중앙부의 특성 임피던스와 심각한 불일치가 있게 된다. 그 결과, 종래의 접속기는 약 1.13 내지 약 1.15의 상당한 VSWR(전압 정재파비, voltage standing wave ratio)을 야기하여, 상당한 손실이 생기게 된다. 이러한 불일치 및 그 결과 생기는 손실들은 알려져 있지만, 특성 임피던스의 불일치를 감소시키려는 어떠한 조치도 취해지지 않았다.
동축 접속기에 여러 유전체 재료가 사용될 수 있지만, (유전 상수가 2.55인)테프론이 가장 흔히 사용된다는 것에 유의하여야 하는데, 왜냐하면 테프론은 특히 높은 진동수(1 GHz 또는 그 이상의 진동수)에서 비교적 손실이 작기 때문이다. 예컨대, 트루옹(Truong)의 특허 제5,100,344호는 전방부가 후방부도다 훨씬 큰 내경을 갖는 동축 접속기 플러그를 개시하는데, 그러한 불일치는 상기 특허가 비록 유전체로서 주로 공기를 사용하지만, 고체의 유전체만을 갖고 있는 경우에는 문제가 되지 않는다. 바처(Bacher) 등의 미국 특허 제4,981,445호는 후방부가 약 50%의 공기와 50%의 고체 유전체를 갖고 있고, 전방부는 외측 전도체에 의해 둘러싸이지 않은 동축 플러그를 개시한다. 이들 특허 중 어떤 특허도, 전방 단부의 직경이 감소하여 후방부보다 낮은 임피던스를 나타내는 동축 플러그 동축 접속기를 개시하지 않으며, 또는 상기한 것과 같은 문제를 해결할 수 있는 방법도 개시하지 않는다.
본 발명의 일실시예에 따라서, 전방부의 직경이 감소된 형태의 동축 접속기가 제공되는데, 특히 전방부는 1 mm 직경의 핀을 수용하기 위한 소켓 내측 전도체를 구비하며, 외측 전도체의 직경은 약 3.7 mm 이며, 이로 인해 전방부의 임피던스를 증가시킬 수 있어 중앙부(후방부)의 특성 임피던스와 좀 더 가깝게 일치시킬 수 있게 된다. 감소된 직경의 전방부에서 내측 전도체와 외측 전도체 사이의 공간은 주로 공기로 충전되어 있어, 전방부에서의 내측 전도체의 직경을 감소시키지 않고도 또는 전방부에서의 외측 전도체의 직경을 증가시키지 않고도 전방부의 특성 임피던스를 증가시킬 수 있다.
고체 유전체 재료로 성형된 지지부가 내측 전도체와 외측 전도체 사이의 공간에 놓여 있고, 내측 전도체가 접속기의 축선 상에 있도록 그리고 내측 전도체가 축방향으로 이동하지 못하도록 내측 전도체를 위치시킨다. 한 쌍의 링 형태의 위치설정부(locating part)는, 내측 전도체의 소켓 바로 뒤에서 내측 전도체를 밀접하게 에워싸고 외측 전도체에 의해 밀접하게 에워싸이는 중앙 위치설정부와, 내측 전도체를 밀접하게 에워싸고 외측 전도체에 의해 밀접하게 에워싸이는 후방 위치설정부를 포함한다. 접속기 축선과 평행하게 연장하는 로드들이 중앙 위치설정부와 후방 위치설정부를 접속시킨다. 로드들은 바람직하게는 내측 전도체를 밀접하게 에워싸지 않고 외측 전도체에 의해 밀접하게 에워싸이지 않아, 로드들은 내측 전도체를 방사상 위치시키지 않고 단순히 링 형태의 위치설정부를 이격시킨다. 인입부(lead-in)를 형성하는 링 형태의 전방 위치설정부는 외측 전도체의 전방 단부의 내부에 밀접하게 놓여 있지만 내측 전도체로부터 이격되어 있다. 전방 위치설정부는 로드들에 의해 중앙의 위치설정부에 연결된다.
본 발명의 신규한 특징들은 첨부된 청구항들에 개시되어 있다. 본 발명은 첨부 도면과 함께 다음의 상세한 설명을 읽으면 가장 잘 이해할 수 있을 것이다.
도 1은 본 발명에 따라 구성된 플러그 동축 접속기의 측면 입면도.
도 1a는 도 1에 도시한 동축 접속기의 사시도.
도 2는 도 1에 도시한 동축 접속기의 분해 측면도.
도 3은 도 5의 3-3선을 따라 절취한 도 1의 동축 접속기의 단면도.
도 4는 도 3 및 도 5의 4-4선을 따라 절취한 도 3의 동축 접속기의 단면도.
도 5는 도 1의 5-5선을 따라 절취한 도 1의 동축 접속기의 단면도.
도 6은 도 1의 6-6선을 따라 절취한 단면도.
도 7은 도 1 내지 도 6에 도시한 접속기의 지지부의 사시도.
도 8은 도 4에 도시한 것과 같은 지지부의 측단면도.
도 9는 도 3에 도시한 것과 같은 지지부의 단면도.
도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명
10 : 동축 접속기
12 : 전방부
14 : 내측 전도체
24 : 외측 전도체
30 : 유전체 지지부
66,74 : 로드
도 1은 흔히 사용되고, 본 출원인에 의해 대량 판매되며, 크기가 표준 크기인 소형의 플러그 동축 접속기(10)를 도시한다. 즉, 상기 접속기는 전방부(12)를 구비하고, 1 mm 직경(A)의 핀(M)을 수용하도록 구성된 전방부를 구비한 내측 동축 접속기(14)를 구비한다. 또한, 상기 전방부(12)는 짝을 이루는 접속기의 외측 전도체(N)와 짝을 이루도록 구성되어 있으며, 전방부의 외경(B)은 약 3.7 mm이다. 접속기(10)는 외경이 특정되지 않는 중앙부 또는 후방부(16)(다른 접속기와 짝을 이루지 않는다)를 구비한다. 케이블의 중심 전도체를 내측 전도체의 후단부(20)에 맞물리게 함으로써, 그리고 케이블의 외측 전도체를 접속기의 셸 또는 외측 전도체(24)의 연장부(22)에 맞물리게 함으로써, 동축 케이블이 접속기에 조립된다. 대부분의 연결이 이루어진 후에, 셸의 다른 연장부(26)는 연장부(22)에 대해 하측으로 구부려진다는 것에 유의하여야 한다.
도 3 및 도 4에 도시한 것처럼, 내측 전도체(14)는 접속기 축선(26)을 따라 셸 형태의 외측 전도체(24)와 동심원적으로 놓여 있다. 유전체 지지부(30)는 동축의 전도체들이 동심원적으로 남아 있도록 동축의 전도체들을 위치시키고, 내측 전도체가 외측 전도체에 대해 전방(F) 또는 후방(R)으로 이동하지 않도록 해준다. 내측 전도체(14)는 전방 및 후방으로 향해 있는 쇼울더(shoulder)(32,34)를 구비하며, 상기 지지부(30)는 내측 전도체가 축방향으로 이동하는 것을 방지하는 대응 쇼울더(36,38)를 구비한다. 외측 전도체는 절연체가 후방으로 이동하는 것을 방지해 주는 탭(tab)(41)을 구비하며, 절연체가 전방으로 이동하는 것을 방지하기 위하여 절연체의 표면(44)과 접하는 쇼울더(42)를 구비한다. (내측 전도체 쇼울더(32)와 맞물리는) 지지부의 후방에 놓인 접속기 부분(46)은 이하의 설명에서 접속기의 후방부로 고려된다.
동축 케이블 및 접속기들은 보통 소정의 특성 임피던스를 갖도록 설계되는데, 가장 흔한 임피던스는 50 ohms이고, 다음으로 흔한 임피던스는 75 ohms이다. VSWR 및 결과로서 생기는 손실을 최소화하기 위하여, 접속기가 가능한 한 회로의 다른 구성품의 임피던스와 근접한 임피던스를 갖도록 접속기를 구성하는 것이 바람직하다. 즉, 접속기 전체에 걸쳐 50 ohms 또는 75 ohms의 특성 임피던스를 갖도록 접속기를 구성한다. 외경(C)이 통상 4.6 mm(4.1 mm 이상)인 접속기의 중앙부(16)는 원하는 임피던스를 만들어내도록 쉽게 어떤 크기로 만들어질 수 있다(후방부도 마찬가지이다). 일반적으로, 내측 전도체 중앙부(49)의 직경(D)은 특정의 유전체를 내측 전도체와 외측 전도체 사이에 놓아, 원하는 특성 임피던스(50 또는 75 ohms)가 얻어지도록 조정된다. 그러나, 이전에는 접속기 설계자는 접속기가 50 ohms와 같은 원하는 수준의 임피던스를 갖도록 접속기 전방부(12)를 구성할 수 없었다.
상기한 바와 같이, 내측 전도체의 전방부(40)는 1 mm 직경의 핀(M)을 수용해야만 한다. 내측 전도체 전방부(40)는 각각 0.008 inch(0.2 mm)의 두께를 갖는 두 개의 빗살부(tine)로 나뉘어져, 외경(F)은 약 1.4 mm로 된다. 접속기 전방부의 외경(B)은 약 3.7 mm(3.9 mm 미만)이고, 셸 벽의 두께(G)는 약 0.014 inch(0.36 mm)이기 때문에, 셸의 내경(H)은 약 3 mm이다. 테프론(유전 상수: 2.55)이 접속기 전방부(12)에서 내측 전도체와 외측 전도체 사이의 공간을 채울 때, 전방부의 특성 임피던스는 약 28 ohms 이다. 50 ohms의 회로 및 접속기 중앙부와 함께 사용될 때, 접속기 전방부에 대한 28 ohms의 특성 임피던스는 VSWR 및 대응 손실을 크게 한다. 접속기 설계자들이 이러한 특성 임피던스의 차이 및 그 결과 생기는 손실을 알고 있었지만, 이전에 설계자들은 그러한 상황을 수정할 수 없었다.
본 발명에 따라서, 본 출원인은 플러그 접속기 전방부(12)의 특성 임피던스를 접속기 중앙부(16)의 특성 임피던스 및 플러그 접속기에 전기적으로 연결되는 회로 소자(케이블 및 짝을 이루는 접속기 포함)의 특성 임피던스와 훨씬 가깝게 일치하도록 하기 위하여 28 ohms에서 45 ohms으로 현저히 상승시켰다. 본 출원인은 내측 전도체와 외측 전도체 사이 공간(52)의 전방부(50)에 최소한의 고체 유전 재료가 있도록 유전체 지지부(30)를 구성함으로써 이를 달성하였다. 즉, 전방 링(56)과 로드(66)를 포함하는 유전체 지지부 전방부(55)에 의해 형성되는 고체 재료는 전방 공간부(50)(내경이 H인 외측 전도체의 전방부(35) 내의 공간)의 1/3 미만을 차지한다. 전방 공간부(50)를 절연이 완전히 없도록 할 수 있었지만, 본 출원인은 (58)에서 인입부를 형성하는 전방 링부 또는 전방 위치설정부(56)를 제공하는 것을 선호한다.
전방 위치설정부(56)는 외측 전도체 전방부(25)의 전방 단부(60)에 의해 밀접하게 둘러싸이지만, 바람직하게는 내측 전도체의 편향가능한 빗살부(70)를 밀접하게 둘러싸지는 않는다. 유전체 지지부는 또한 중앙 및 후방의 링 형태의 위치설정부(62,64)를 포함하는데, 각각의 위치설정부는 외측 전도체(24)의 중앙부(67)에 의해 밀접하게 둘러싸이고, 각각의 위치설정부는 내측 전도체(14)를 밀접하게 둘러싼다. 중앙의 위치설정부(62)는 빗살부(70)와의 간섭을 피하기 위하여 내측 전도체 전방부의 후방에 놓인다. 위치설정부 각각은 축선 둘레로 거의 360°(320°이상) 연장하는 링을 포함한다. 위치설정부(62,64)는 내측 전도체의 축방향 위치를 고정하는 쇼울더(36,38)를 형성한다는 것을 유의하여야 한다.
본 출원인은 축방향으로 연장하는 복수개의 로드(66)에 의해 주로 형성된 전방의 유전체부(65)(도 8)에 의하여 전방 위치설정부(56)를 중앙의 위치설정부(62)에 연결하였다. 도 5에 도시한 바와 같이, 세 개의 로드들(66A,66B,66C)이 접속기 축선(26)을 중심으로 원주 둘레에 이격되어 있다. 상기 로드들은 빗살부(70)에서 내측 전도체를 밀접하게 에워싸지 않으며, 외측 전도체(24)의 전방부(25)에 의해 밀접하게 에워싸이지 않는다. 로드의 목적은 전방의 위치설정부를 (축선(26)에 대해) 방사상 어떤 위치로 위치시키기 보다는 축방향으로 위치시키는 것이다. 도 5에 도시된 바와 같이, 세 개의 로드들은 접속기 전방부 단면적의 단지 약 20% 만을 차지한다. 공기가 나머지 부분을 차지한다. 그 결과, 전방부의 특성 임피던스는 전방부 공간에 단지 공기만을 제공함으로써 달성될 수 있는 수준의 임피던스에 가깝게 된다. 상기한 바와 같이, 이와 같이 구성함으로써, 전방부는 45 ohms의 특성 임피던스를 갖게 되고, 이는 접속기의 중앙부 및 가장 흔히 특정되는 수준인 50 ohms에 가까운 수준이다.
동축 접속기 부분의 특성 임피던스(I)는 다음과 같다. 즉,
상기 식에서, D는 외측 전도체의 내경이고, d는 내측 전도체의 외경이며, e는 전도체들 사이의 재료의 유전 상수이다. 접속기 전방부(12)에 대하여, 짝을 이루는 소정 크기의 접속기들이 맞물리도록 하기 위한 구조가 고정되어 있기 때문에 전도체들의 직경을 변화시킴으로써 특성 임피던스를 변화시키는 것은 불가능하였다. 그러나, 본 출원인은 테프론(2.55의 유전 상수)과 같은 고체 재료를 주로 공기로 대체함으로써, 특성 임피던스를 원하는 수준과 좀 더 가깝게 일치하도록 증가시킬 수 있었다.
유전체 지지부는 전체가 고체의 유전체 재료일 수 있는 중앙부(72)를 구비한다. 그러나, 본 출원인은 중앙부 직경(D)이 내측 전도체 전방부의 직경(F)과 좀 더 가깝도록 중앙부의 직경을 증가시키기 위하여, 중앙부(72)조차도 주로 공기로 형성시키는 것을 선호한다. 직경(D,F)의 차이를 감소시킴으로써, 반사에 의한 손실이 이전에 크게 불일치된 임피던스에 의한 손실과 비교하여 2차적이기는 하지만, 본 출원인은 더 큰 진동수(약 750 MHz 이상)에서 손실을 증가시킬 수 있는 반사를 감소시켰다. 본 출원인의 접속기는 이제 2 GHz 까지의 진동수에 대해 주로 사용되는데, 이는 사실이다. 도 6에 도시한 바와 같이, 유전체 지지부의 중앙부(72)는 세 개의 로드들(74A,74B,74C)를 포함하는데, 이들 로드들은 함께, 외측 전도체 탭(41)에 쇼울더를 제공하는 중앙의 플랜지(76)를 제외하고는, 중앙 및 후방 위치설정부(62,64)(도 3) 사이 단면적의 약 20%를 차지한다.
도 5와 도 6에는 로드들 중 두 로드 사이에 약 180°의 간격(80,82)을 두고세 개의 로드들이 90°씩 서로 이격되어 있다는 것을 유의하여야 한다. 이러한 구조는 지지부를 일체형의 플라스틱 성형부로서 형성함으로써 지지부를 구성하는 것을 도와준다. (66A,66B,66C)와 같은 세 개의 로드들은 간격이 약 180°미만인 경우보다는 좀 더 쉽게 주형(mold)으로부터 빼내어질 수 있다. 로드의 (84,86)과 같은 수직의 측면들은 평행하여 주형으로부터 쉽게 제거할 수 있다.
본 출원인은 상기한 구조의 접속기와, 종래의 디자인 중 하나(전방의 외경이 약 3.7 mm이고, 1 mm의 핀을 수용하는 전방 소켓 단부)를 제작하여 시험하였다. 68.8 ohms의 외부 임피던스와 1000 MHz의 진동수에 대하여, 그리고 부하(load)는 없이, 종래의 구조(전도체 사이의 공간이 고체 유전체로 채워짐)는 1.145의 VSWR을 나타내었고, 반면에 상기한 새로운 구조는 1.087의 VSWR을 발생시켰다. 부하가 연결되었을 때, 종래의 구조는 1.132의 VSWR을, 새로운 구조는 1.081의 VSWR을 발생시켰다.
따라서, 본 발명은 내측 전도체의 전방 단부가 소정 크기의 핀을 수용하는 소켓을 형성하고, 외측 전도체는 그 중앙부에서보다는 전방 단부가 직경이 더 작은 형태의 동축 접속기를 제공하는데, 이에 의해 접속기 전방부의 특성 임피던스를 증가시킬 수 있다. 이는 접속기의 전방부에서 내측 전도체와 외측 전도체 사이에 놓이는 유전체로서 주로 공기를 제공함으로써 달성된다. 유전체는 바람직하게는 소켓으로의 인입부를 형성하고, 축방향으로 연장하는 로드에 의해 접속기 중앙부의 전방에서 링 형태의 중앙 위치설정부에 연결되는 전방의 위치설정부를 구비하는 유전체 지지부에 의해 형성될 수 있다. 지지부는 바람직하게는 복수개의 로드들에 의해 상기 중앙 위치설정부에 연결되는 링 형태의 후방 위치설정부를 포함하여, 접속기 중앙부의 공간에는 주로 공기가 있게 되어 반사를 낮추기 위하여 접속기의 중앙부에서 내측 전도체의 직경을 더 크게 할 수 있다. 상기 접속기 구조는 내측 전도체의 전방부에서의 소켓 접촉부가 1 mm 직경의 핀을 수용하도록 설계되고, 전방부의 외경이 약 3.7 mm의 직경을 갖는 접속기 구조에 대해 특히 유용하다. 비다공성(nonporous) 고체 유전체가 지지부에 대해 도시되었지만, 경질의 폼(rigid foam)을 사용하는 것도 가능한데, 상기 폼은 공간 전체를 채우지만 공기와 같은 가스가 폼 체적의 대부분을 차지한다.
본 발명의 특정 실시예가 본원에서 설명되고 도시되었지만, 당업자는 쉽게 변형 및 수정을 할 수 있다는 것을 알 수 있으며, 따라서 청구범위는 그러한 변형 및 등가물을 포함하도록 의도된다.
내측 전도체의 전방 단부가 소정 크기의 핀을 수용하는 소켓을 형성하고, 외측 전도체는 중앙부에서보다는 전방 단부에서 더 직경이 작은 동축 접속기를 제공함으로써 접속기 전방부의 특성 임피던스를 증가시킬 수 있다.

Claims (8)

  1. 접속기 축선(26)을 따라 연장하는 내측의 전기 전도체(14)와, 상기 내측 전도체와의 사이에 환상의 공간(52)을 두고 상기 내측 전도체를 둘러싸는 외측의 전기적 전도체(24)를 포함하는 동축 접속기로서,
    상기 외측 전도체는 제1 외경(B)의 전방부(60)와, 상기 제1 외경보다 20% 이상 큰 제2 외경(C)의 중앙부(67)를 구비하며,
    상기 내측 전도체는 소정 직경(A)의 핀(M)을 수용하기 위한 소정 크기의 소켓을 형성하는 전방 단부(40)를 구비하고,
    상기 환상 공간은 상기 외측 전도체 전방부 내에 위치하는 전방 공간부(50)와, 상기 외측 전도체 중앙부 내에 위치하는 중앙 공간부를 포함하며,
    상기 동축 접속기는 상기 환상 공간(52) 내에 놓이고, 상기 외측 전도체 내의 상기 내측 전도체를 지지하는 고체의 유전 재료로 구성된 유전체 지지부(30)를 포함하고,
    상기 유전체 지지부는 상기 전방 공간부 내에 놓이고, 상기 내측 전도체의 상기 소켓의 전방 단부 앞으로 놓여 있는 인입부(58)를 형성하는 전방부(55)를 포함하며,
    상기 유전체 지지부 전방부(55)는 상기 전방 공간부(50) 체적의 절반 미만을 차지하고,
    상기 전방 공간부(50) 체적의 나머지는 공기가 차지하고 있는 것을 특징으로 하는 동축 접속기.
  2. 제1항에 있어서, 상기 유전체 지지부 전방부는 전방 링(56)을 형성하는 전방 단부를 구비하고, 상기 전방 링은 상기 외측 전도체 전방부의 내부와 맞물리고, 상기 지지부는 상기 외측 전도체 중앙부(67)의 내부 및 상기 내측 전도체와 맞물리는 중앙 링(62)을 구비하는 중앙 지지부(72)와, 상기 전방 링과 상기 중앙 링을 접속하는 접속부(65)를 포함하며, 상기 접속부는 상기 내측 전도체 및 외측 전도체와 맞물리지 않고 축방향으로 연장하는 하나 이상의 로드(66)를 포함하는 것을 특징으로 하는 동축 접속기.
  3. 제1항에 있어서, 상기 유전체 지지부는, 상기 외측 전도체 전방부의 전방 단부(60) 내부에 밀접하게 위치하고 상기 인입부를 형성하는 전방 링(56)과, 상기 외측 전도체 중앙부(67)의 전방 단부 내부에 밀접하게 위치하는 중앙 링(62)과, 상기 외측 전도체 내부에 밀접하게 위치하고 상기 중앙 링의 후방에 위치하는 후방 링(64)과, 상기 링들을 연결하고 상기 축선과 평행하게 연장되지만 상기 내측 전도체 및 외측 전도체와 밀접하게 접촉하지 않는 복수개의 로드(66,74)를 포함하는 접속부를 포함하는 것을 특징으로 하는 동축 접속기.
  4. 제3항에 있어서, 상기 내측 전도체 전방부(40)는 후방 단부들을 구비한 복수개의 빗살부(70)를 형성하고, 상기 중앙 링은 상기 빗살부 후방 단부들 바로 뒤의 위치에서 상기 내측 전도체 둘레에 밀접하게 위치하며, 상기 내측 전도체는 상기 중앙 링에 접하고 후방으로 향하는 쇼울더(34)와, 상기 후방 링과 접하고 전방으로 향하는 쇼울더(32)를 형성하는 것을 특징으로 하는 동축 접속기.
  5. 제1 평균 내경(H)의 전방부(25)와 상기 제1 내경보다 큰 제2 평균 내경(C)의 중앙부(67)를 구비하는 외측 전도체(24)의 내부에, 제1 평균 외경(F)의 전방부(40) 및 제2 평균 외경(D)의 중앙부를 구비하는 내측 전도체(14)를 지지하도록, 축선(26)을 갖는 동축 접속기 내에 사용하기 위한 장치로서,
    각각 상기 내측 전도체 및 상기 외측 전도체와 맞물려 상기 내측 전도체를 상기 외측 전도체 내의 중앙에 위치시키도록 구성되어 있고, 축방향으로 이격된 복수개의 위치설정부(62,64)를 구비하는 성형된 유전체 지지부(30)를 포함하며,
    상기 지지부는 또한 상기 축방향으로 이격된 위치설정부들을 접속하는 접속부를 포함하고,
    상기 접속부는 주로 축방향으로 연장하는 하나 이상의 로드(74)를 포함하고, 평균적으로 상기 내측 전도체와 외측 전도체 사이 공간의 단면적의 1/3 미만을 차지하며, 상기 하나 이상의 전도체와 밀접하게 접촉하지 않는 것을 특징으로 하는 동축 접속기 내에 사용하기 위한 장치.
  6. 제5항에 있어서, 상기 복수개의 로드들은 상기 로드들 중 두 개의 로드 사이에 180°의 간격을 두면서 상기 축선을 중심으로 90°씩 이격된 세 개의 로드를 포함하는 것을 특징으로 하는 장치.
  7. 제5항에 있어서, 상기 하나 이상의 로드는, 원주 둘레로 평행하게 이격되어 있고 각각이 상기 외측 전도체 및 상기 내측 전도체와 접촉하지 않는 복수개의 로드를 포함하는 것을 특징으로 하는 장치.
  8. 전방부(12)와 중앙부(16)를 구비하는 동축 플러그 접속기로서,
    상기 접속기의 전방부(12)에서 3.9 mm 미만의 외경(B)을 갖는 전방부(25)와, 외경(C)이 4.1 mm 이상인 외측 전도체 중앙부(67)를 구비하는 외측 전도체(24)와,
    상기 접속기의 전방부(12)에서 1 mm 직경의 핀을 수용하기 위한 복수개의 빗살부(70)를 갖는 소켓을 형성하는 전방부(40)와, 상기 전방부(40)의 후방에 위치하고 상기 외측 전도체(67) 중앙부 내부에 위치하는 중앙부(49)를 구비하는 내측 전도체(14)와,
    상기 내측 전도체 및 외측 전도체와 맞물려 상기 내측 전도체 중앙부의 위치를 상기 외측 전도체 내부에 고정시키는 위치설정부(62,64)를 구비하며,
    상기 접속기 중앙부의 특성 임피던스는 50 ohms이고, 상기 전방부의 특성 임피던스는 상기 전도체 전방부들 사이의 전방 공간(50)이 2.55의 유전 상수를 갖는 고체의 유전체로 완전히 채워질 때 35 ohms미만이며,
    상기 전방 공간(50) 체적의 1/3 미만은 고체의 유전체 재료를 포함하고, 나머지는 공기를 포함하며, 상기 전방부의 특성 임피던스는 전방부가 상기 고체의 유전체로 완전히 채워지는 경우의 특성 임피던스보다 10 ohms 이상 큰 것을 특징으로 하는 동축 플러그 접속기.
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