KR19980086516A - 기판세정방법 및 기판세정장치 - Google Patents

기판세정방법 및 기판세정장치 Download PDF

Info

Publication number
KR19980086516A
KR19980086516A KR1019980006693A KR19980006693A KR19980086516A KR 19980086516 A KR19980086516 A KR 19980086516A KR 1019980006693 A KR1019980006693 A KR 1019980006693A KR 19980006693 A KR19980006693 A KR 19980006693A KR 19980086516 A KR19980086516 A KR 19980086516A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
substrate
alkaline ionized
main surface
water
ionized water
Prior art date
Application number
KR1019980006693A
Other languages
English (en)
Inventor
노부오 야나기사와
쯔구오 나카무라
야스마사 시마
Original Assignee
이시다 아키라
다이닛뽕스크린 세이조오 가부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 이시다 아키라, 다이닛뽕스크린 세이조오 가부시키가이샤 filed Critical 이시다 아키라
Publication of KR19980086516A publication Critical patent/KR19980086516A/ko

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041—Cleaning
    • H01L21/02043—Cleaning before device manufacture, i.e. Begin-Of-Line process
    • H01L21/02052—Wet cleaning only
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B3/00—Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
    • B08B3/04—Cleaning involving contact with liquid
    • B08B3/10—Cleaning involving contact with liquid with additional treatment of the liquid or of the object being cleaned, e.g. by heat, by electricity or by vibration
    • B08B3/12—Cleaning involving contact with liquid with additional treatment of the liquid or of the object being cleaned, e.g. by heat, by electricity or by vibration by sonic or ultrasonic vibrations
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Cleaning By Liquid Or Steam (AREA)
  • Weting (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)

Abstract

기판에 부착한 파티클을 다량의 순수를 사용하지 않고 단시간에 제거하는 것이 가능한 기판세정방법 및 기판세정장치를 제공하는 것을 목적으로 한다. 기판세정장치는, 반송롤러(2)에 의해 반송되는 기판(1)의 주면에, 전해질을 미량첨가한 물을 전기분해하여 얻어지는 환원성을 가지는 알칼리 이온수를 공급하기 위한 복수의 알칼리 이온수 공급부(3)와, 순수공급관(4)에서 토출되는 순수에 대해서 초음파발진자(5)에 의해 메가헬쯔 단위의 초음파 진동을 부여함으로써 초음파수를 생성하고, 이 초음파수를 반송롤러(2)에 의해 반송되는 기판(1)의 주면에 공급하는 초음파수 공급부(6)를 갖는다.

Description

기판세정방법 및 기판세정장치
본 발명은 액정표시 패널용 유리기판이나 반도체제조장치용 마스크 기판 또는 반도체 웨이퍼 등의 기판을 세정하기 위한 기판세정방법 및 기판세정장치에 관한 것이다.
예를 들면, 액정표시 패널용 유리기판 등의 기판을 세정하는 방법으로서, 초음파발진자에 의해 초음파진동이 부여된 순수(이하 초음파수라 한다)를 기판에 공급하여 기판을 세정하는 세정방법이 알려져 있다. 그러나, 기판이 소수성(疏水性)으로 되어 있는 상태에서 기판에 초음파수를 공급하여 세정한 경우에는, 기판의 주면상에서 초음파수가 막(膜) 형태로 넓혀지지 않으므로 파티클을 충분히 제거할 수 없다고 하는 문제가 생긴다.
이 때문에, 계면활성제를 포함하는 세정액을 기판에 공급하여 기판에 부착한 유기물을 제거함으로써 기판표면을 친수화(親水化)한 후, 이 기판에 순수를 공급함으로써 기판에 부착한 세정액을 순수로 씻어내어 제거하도록 하고 있다.
이와 같은 종래의 세정액을 사용하는 세정방법에 의하면, 기판에 부착한 세정액을 순수로 씻어내기 위해 시간이 걸리므로, 제품의 생산성이 저하하고 또한 다량의 순수가 필요하게 된다고 하는 문제가 있다.
더욱이, 기판을 세정액으로 세정한 후, 이 기판에 초음파수를 공급하여 기판상의 파티클을 제거하는 경우에는, 기판에 초음파수를 공급하기 전에 기판상에 잔존하는 세정액을 충분히 제거해두지 않으면 초음파발진자가 파손한다고 하는 결점이 있다. 즉, 초음파수는 일반적으로 순환사용되고 있지만, 이 순환사용되는 초음파수중에 세정액이 혼입하면, 세정액은 발포성을 가지고 있으므로 초음파수중에 기포를 발생시키고, 이 기포에 의해 순수에 초음파진동을 부여하는 초음파발진자가 파손한다.
이 때문에, 기판을 세정액으로 세정한 후 이 기판에 초음파수를 공급하여 기판상의 파티클을 제거하는 경우에는, 기판상에서 세정액을 확실히 제거하기 위해 순수를 사용하여 더 충분히 세정액을 제거하는 것이 필요하게 되고, 제품의 생산성이 더욱 저하하고 또, 보다 다량의 순수가 필요하게 된다고 하는 문제가 있다.
본 발명은 상기 과제를 해결하기 위해 이루어진 것으로서, 기판에 부착한 파티클을 다량의 순수를 사용하지 않고 단시간에 제거하는 것이 가능한 기판세정방법 및 기판세정장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
도 1은 본 발명의 제1실시형태에 관한 기판세정장치의 측면개요도,
도 2는 기판세정장치의 주요한 전기적 구성을 나타내는 블록도,
도 3은 제1실시형태에 관한 기판세정장치의 변형예를 보여주는 측면개요도,
도 4는 본 발명의 제2실시형태에 관한 기판세정장치의 측면개요도이다.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
1 : 기판, 2 : 반송롤러,
3 : 알칼리 이온수 공급부, 4 : 순수공급관,
5 : 초음파진동자, 6 : 초음파수 공급부,
7 : 기체공급노즐, 10 : 제어부,
15 : 알칼리 이온수 공급기구, 16 : 초음파수 공급기구.
청구항 1에 기재된 발명은, 전해질을 미량첨가한 물을 전기분해하여 얻어지는 환원성을 가지는 알칼리 이온수를 기판의 주면상에 채우는 제1세정공정과, 상기 제1세정공정 후의 기판의 주면에 초음파진동을 부여한 순수를 공급하는 제2세정공정을 포함하는 것을 특징으로 한다.
청구항 2에 기재된 발명은, 청구항 1에 기재된 발명에 있어서, 제1세정공정과 제2세정공정과의 사이에, 기판의 주면에 부착하는 알칼리 이온수를 제거하는 제거공정을 포함하고 있다.
청구항 3에 기재된 발명은, 청구항 1 또는 청구항 2에 기재된 발명에 있어서, 제1세정공정은 기판의 주면에 알칼리 이온수를 30초 이상 채우도록 하고 있다.
청구항 4에 기재된 발명은, 청구항 1 내지 청구항 3중 어느 한 항에 기재된 발명에 있어서, 제2세정공정을 상기 제1세정공정의 종료후 60초 이내에 개시하도록 하고 있다.
청구항 5에 기재된 발명은, 전해질을 미량첨가한 물을 전기분해하여 얻어지는 환원성을 가지는 알칼리 이온수를 기판의 주면상에 채우는 알칼리 이온수 공급수단과, 알칼리 이온수 공급수단에 의해 알칼리 이온수가 공급된 후의 기판의 주면에 초음파진동이 부여된 순수를 공급하는 초음파수 공급수단을 구비하는 것을 특징으로 한다.
청구항 6에 기재된 발명은, 청구항 5에 기재된 발명에 있어서, 기판의 주면에 부착하는 알칼리 이온수를 제거하는 제거수단을 더 구비하고 있다.
청구항 7에 기재된 발명은, 청구항 5 또는 청구항 6에 기재된 발명에 있어서, 알칼리 이온수 공급수단은 기판의 주면에 알칼리 이온수를 30초 이상 채우도록 하고 있다.
청구항 8에 기재된 발명은, 청구항 5 내지 청구항 7중 어느 한 항에 기재된 발명에 있어서, 초음파수 공급수단은 상기 알칼리 이온수 공급수단에 의해 기판의 주면에 공급된 알칼리 이온수에 의한 세정종료후, 60초 이내에 초음파 진동이 부여된 순수의 공급을 개시하도록 하고 있다.
이하, 본 발명의 실시의 형태를 도면에 기초하여 설명한다. 도 1은 본 발명의 제1실시형태에 관한 기판세정장치의 측면개요도이다.
본 기판세정장치는, 각형(角形)의 액정표시패널용 유리기판을 기판(1)으로 사용한 것이고, 서로 동기해서 회전하는 복수의 반송롤러(2)와, 전해질을 미량첨가한 물을 전기분해하여 얻어지는 환원성을 가지는 알칼리 이온수(이하, 간단히 알칼리 이온수라 한다)를 공급하기 위한 복수의 알칼리 이온수 공급부(3)와, 초음파수 공급부(6)를 갖는다.
반송롤러(2)는 기판(1)의 하면(下面) 양단부(兩端部)에 맞닿는 플랜지부를 가지고, 이 플랜지부에 의해 기판(1)을 그 하면에서 지지하며, 도 1에 나타낸 화살표 방향으로 일정한 속도로 반송하는 것이다.
알칼리 이온수 공급부(3)는 도 1에 도시한 것처럼 노즐모양의 형상을 가지며, 반송롤러(2)에 의해 반송되는 기판(1)의 주면에, 도시하지 않은 알칼리 이온수 공급원으로부터 공급되는 알칼리 이온수를 공급하도록 구성되어 있다. 이 알칼리 이온수 공급부(3)는, 도 1의 지면에 직교하는 방향을 따라, 예를 들면 10개씩 지그재그 배치로 마련되어 있다. 또한, 알칼리 이온수 공급부(3)의 하단부는 반송롤러(2)에 의해 반송되는 기판(1)의 주면과 근접하는 위치에 배치되어 있다. 이 때문에, 기판(1) 주면으로의 알칼리 이온수 공급시의 알칼리 이온수의 기포발생을 방지하는 것이 가능하다.
한편, 알칼리 이온수는 예를 들어 특개평7-256261호 공보에도 기재되어 있는 것처럼, 전해활성수라고도 불린다. 이 알칼리 이온수를 기판(1)의 주면과 접촉시킴으로써 기판(1)의 주면에 부착한 유기물을 분해하고, 이것에 의해 기판(1) 주면을 친수화시키는 작용을 갖는다.
또, 알칼리 이온수를 생성하기 위해 사용되는 전해질은, 기판(1)상에 미량이 잔존하였다고 하여도 기판(1)에의 영향이 없고 또한 전기분해를 촉진하는 작용이 있는 것이 사용된다. 이러한 전해질로서는, 예를 들면 염화암모늄을 사용하는 것이 가능하다.
초음파수 공급부(6)는, 도시하지 않은 순수의 공급원에 접속하는 순수공급관(4)과, 초음파발진자(5)로 구성된다. 이 초음파수 공급부(6)는, 순수공급관(4)에서 토출되는 순수에 대하여 초음파발진자(5)에 의해 메가헬쯔 단위의 초음파진동을 부여함으로써 초음파수를 생성하고, 이 초음파수를 반송롤러(2)에 의해 반송되는 기판(1)의 주면에 공급하도록 구성되어 있다.
도 2는 전술한 기판세정장치의 주요한 전기적 구성을 보여주는 블록도이다.
기판세정장치는, 장치의 제어에 필요한 동작 프로그램이 저장된 ROM(11)과, 제어시에 데이터 등이 일시적으로 저장되는 RAM(12)과, CPU(13)로 이루어지는 제어부(10)를 구비한다. 이 제어부(10)는 인터페이스(14)를 거쳐서, 알칼리 이온수 공급기구(15) 및 초음파수 공급기구(16)와 접속되어 있다.
이 알칼리 이온수 공급기구(15)는 전술한 알칼리 이온수 공급부(3)나 알칼리 이온수의 공급원, 게다가 알칼리 이온수의 공급원으로부터 알칼리 이온수 공급부(3)에 알칼리 이온수를 공급하기 위한 펌프 등으로 구성된다. 또한 초음파수 공급기구(16)는 전술한 초음파수 공급부(6)에서의 순수공급관(4) 및 초음파발진자(5)나 순수의 공급원, 게다가 순수의 공급원에서 초음파수 공급부(6)에 순수를 공급하기 위한 펌프 등으로 구성된다. 이들 알칼리 이온수 공급기구(15) 및 초음파수 공급기구(16)는 제어부(10)의 제어에 의해 기판(1)의 주면에 대한 알칼리 이온수 또는 초음파수의 공급동작을 실행한다.
이 기판세정장치에 의해 기판(1)을 세정할 때에는, 반송롤러(2)에 의해 기판(1)을 도 1에 나타내는 화살표 방향으로 일정한 속도로 반송한다. 그리고, 기판(1)의 주면에 알칼리 이온수 공급부(3)에서 알칼리 이온수를 공급한다. 이것에 의해, 기판(1)의 주면에서는 알칼리 이온수의 작용에 의해 기판(1)에 부착한 유기물이 분해되고, 기판(1)의 주면이 친수화된다.
계속해서, 반송롤러(2)에 의해 더욱 반송된 기판(1)의 주면에 대하여 초음파수 공급부(6)에서 초음파수를 공급한다. 이것에 의해 기판(1)의 주면에 부착한 파티클이 초음파수의 작용에 의해 물리적으로 제거된다. 이때, 기판(1)의 주면은 알칼리 이온수에 의해 미리 친수화되어 있기 때문에, 기판(1)의 주면상에서 초음파수가 막 형태로 넓혀지고, 파티클을 충분히 제거할 수 있다.
전술한 알칼리 이온수에 의한 기판(1)의 세정공정에 있어서는, 기판(1)의 주면을 친수화하기 위해 기판(1)의 주면이 알칼리 이온수와 30초 이상 접촉하는 상태로 하는 것이 바람직하고, 60초 이상 접촉하는 상태로 하는 것이 보다 바람직하다. 기판(1)의 주면과 알칼리 이온수와의 접촉시간이 이 시간보다 짧게 되면, 기판(1)의 주면을 충분히 친수화하는 것이 곤란하게 된다. 또한, 기판(1)의 주면과 알칼리 이온수와의 접촉시간은 길어도 90초로 족하다. 이 이상의 시간동안 접촉상태를 유지하여도 친수화가 촉진되는 것이 아니므로, 단지 생산성이 저하하게 되기 때문이다.
도 1에 도시한 것처럼, 알칼리 이온수 공급부(3)와 초음파수 공급부(6)가 비교적 근접하고 있으면, 기판(1)에 알칼리 이온수가 공급된 직후에 초음파수가 기판(1)에 공급되므로, 기판(1)의 주면이 충분한 친수성을 가진 상태에서 초음파수에 의한 세정을 실행하는 것이 가능하다. 또한, 알칼리 이온수 공급부(3)와 초음파수 공급부(6)가 떨어져 있는 경우에는, 알칼리 이온수의 공급후 60초 이내에 초음파수의 공급을 개시하는 것이 바람직하다. 기판(1)의 주면이 충분한 친수성을 가진 상태에서 초음파수에 의한 세정을 실행하는 것이 바람직하기 때문이다.
한편, 전술한 세정시간의 관리는, 제어부(10)에 의해 알칼리 이온수 공급기구(15) 및 초음파수 공급기구(16)에서 일정 속도로 반송되는 기판(1)에 대하여 알칼리 이온수 또는 초음파수를 공급하는 타이밍을 제어함으로써 행해진다. 다만, 반송롤러(2)에 의한 기판(1)의 반송속도를 제어하도록 하여도 좋고, 또한 전술한 시간으로 세정을 실행할 수 있도록, 단지 반송롤러(2)에 의한 기판(1)의 반송속도와 알칼리 이온수 공급부(3) 및 초음파수 공급부(6)의 배치관계를 결정하도록 하여도 좋다.
전술한 실시형태에서는, 기판(1)의 주면과 알칼리 이온수와의 접촉시간을 일정 이상으로 유지하기 때문에, 알칼리 이온수 공급부(3)에서 기판(1)의 주면상으로 알칼리 이온수를 계속 공급하고 있지만, 본 발명은 이와 같은 형태에 한정되는 것은 아니다. 즉, 도 3에 도시한 것처럼, 기판(1)의 주면상에 알칼리 이온수를 그 표면장력에 의해 액이 가득 차게 한 후, 이 상태에서 기판(1)을 반송하고, 기판(1)의 주면과 알칼리 이온수와의 접촉시간이 전술한 소정 시간이 된 후에 초음파수 공급부(6)에서 기판의 주면으로 초음파수를 공급하도록 하여도 좋다. 이 명세서에서 말하는 알칼리 이온수를 기판의 주면에 채운다라는 것은, 도 1에 도시한 것처럼 알칼리 이온수를 연속적으로 공급하는 형태와, 도 3에 도시한 것처럼 알칼리 이온수를 액이 가득 차게 한 상태를 유지하는 형태와의 양쪽의 형태를 포함하는 개념이다.
다음에, 본 발명의 다른 실시형태를 도면에 기초하여 설명한다. 도 4는 본 발명의 제2실시형태에 관한 기판세정장치의 측면개요도이다. 한편, 도 1에 도시하는 실시형태와 동일한 부재에 대해서는 동일한 부호를 붙이고 있다.
이 제2실시형태에 관한 기판세정장치에 있어서는, 알칼리 이온수 공급부(3)와 초음파수 공급부(6)는 서로 다른 방향으로 알칼리 이온수 또는 초음파수를 공급할 수 있도록, 역방향으로 경사져서 배치되어 있다. 그리고, 알칼리 이온수 공급부(3)와 초음파수 공급부(6)와의 사이에는, 기판(1)의 주면에 대하여 압축공기 또는 질소가스 등의 불활성 가스로 된 기체를 내뿜음으로써 기판(1)의 주면에 부착된 알칼리 이온수를 제거하는 제거수단으로서의 기체분출 노즐(7)이 마련되어 있다.
한편, 이 제2실시형태에 관한 기판처리장치도, 제1실시형태에 관한 기판처리장치와 마찬가지로, 도 2에 도시한 전기적 구성을 가지고 있고, 제어부(10)에 의해 제어된다.
이 기판세정장치에 의해 기판(1)을 세정할 때에는, 반송롤러(2)에 의해 기판(1)을 도 4에 나타내는 화살표 방향으로 일정한 속도로 반송한다. 그리고, 기판(1)의 주면에 알칼리 이온수 공급부(3)에서 알칼리 이온수를 공급한다. 이것에 의해, 기판(1)의 주면에 있어서는, 알칼리 이온수의 작용에 의해 기판(1)에 부착한 유기물이 분해되고, 기판(1)의 주면이 친수화된다.
기판(1)의 주면을 친수화한 알칼리 이온수는, 기판(1)의 주면에서 채임버(8) 안으로 흘러내린다. 이 알칼리 이온수는, 다시 알칼리 이온수 공급부(3)에 공급됨으로써 재사용된다.
다음에, 반송롤러(2)에 의해 더 반송된 기판(1)의 주면에 대해, 기체분출노즐(7)에서 압축공기 또는 불활성 가스 등의 기체를 공급한다. 이 기체의 공급에 의해 기판(1)의 주면에 부착한 알칼리 이온수가 제거된다.
계속해서, 반송롤러(2)에 의해 더 반송된 기판(1)의 주면에 대해, 초음파수 공급부(6)에서 초음파수를 공급한다. 이것에 의해 기판(1)의 주면에 부착한 파티클이 초음파수의 작용에 의해 물리적으로 제거된다. 이때, 기판(1)의 주면은 알칼리 이온수에 의해 미리 친수화되어 있기 때문에, 기판(1)의 주면상에서 초음파수가 막 형태로 넓혀지고, 파티클을 충분히 제거할 수 있다.
기판(1)의 주면을 세정한 초음파수는, 기판(1)의 주면에서 채임버(9)내로 흘러내린다. 이 초음파수는 다시 초음파수 공급부(6)에 공급됨으로써 재사용된다.
이 실시형태에 관한 기판세정장치에 의하면, 기판(1)의 주면에 부착한 알칼리 이온수를 기체분출노즐(7)에 의해 제거하기 때문에, 알칼리 이온수의 반출이 방지되고, 알칼리 이온수와 초음파수를 따로따로 회수하여 재사용하는 것이 가능하다. 이 때문에, 초음파수중으로의 알칼리 이온수의 혼입을 방지하는 것이 가능하다.
한편, 전술한 알칼리 이온수에 의한 기판(1)의 세정공정에서도, 제1실시형태의 경우와 마찬가지로 기판(1)의 주면을 친수화하기 위해, 기판(1)의 주면이 알칼리 이온수와 30초 이상 접촉하는 상태로 하는 것이 바람직하고, 60초 이상 접촉하는 상태로 하는 것이 보다 바람직하다. 또한, 기판(1)의 주면과 알칼리 이온수와의 접촉시간은 길어도 90초면 된다.
전술한 제2실시형태에 있어서는, 제1실시형태와 달리, 알칼리 이온수가 기판(1)의 주면에서 제거된 후, 소정의 시간이 경과된 후에 기판(1)의 주면에 초음파수가 공급되게 된다. 즉, 전술한 제1실시형태에서는 알칼리 이온수에 의한 기판(1)의 세정공정과 초음파수에 의한 기판의 세정공정이 연속해서 실행되었지만, 이 제2실시형태에서는 알칼리 이온수에 의한 기판(1)의 세정공정과 초음파수에 의한 기판의세정공정의 사이에 소정의 공백시간이 존재하게 된다. 이 알칼리 이온수에 의한 세정종료후 초음파수의 공급개시까지의 공백시간은 60초 이하로 하는 것이 바람직하다. 이 공백시간이 60초 이상으로 된 경우에는, 알칼리 이온수에 의한 기판(1) 주면의 친수화의 효과가 감소되기 때문이다.
한편, 도 4에 도시한 제2실시형태에서는, 기판(1)의 주면에 기체를 분출함으로써 기판(1)의 주면에 부착하는 알칼리 이온수를 제거하는 경우에 대해서 설명하였지만, 본 발명은 이와 같은 형태에 한정되는 것은 아니다. 예를 들면, 기판(1)을 스핀척에 의해 유지하여 회전시킨 상태에서 기판(1)의 주면에 알칼리 이온수를 공급한 후, 기판(1)으로의 알칼리 이온수의 공급을 정지하고 계속 기판(1)의 회전을 유지함으로써 기판(1)에 부착한 알칼리 이온수를 제거하도록 하여도 좋다.
전술한 제1, 제2 실시형태에서는, 어느 것도 알칼리 이온수를 이용하여 기판(1)의 주면을 친수화하고 있으므로, 계면활성제를 포함하는 세정액을 사용한 경우와 같이 세정액을 충분히 씻어내릴 필요가 없다. 또한, 알칼리 이온수는 세정액과 같은 강한 발포성을 가지지 않으므로, 초음파발진자(5)의 파손을 방지하는 것이 가능하다.
청구항 1에 기재된 발명에 의하면, 전해질을 미량첨가한 물을 전기분해하여 얻어지는 환원성을 가지는 알칼리 이온수를 기판의 주면상에 채우는 제1세정공정과, 상기 제1세정공정 후의 기판의 주면에 초음파진동을 부여한 순수를 공급하는 제2세정공정을 포함하므로, 기판의 주면을 알칼리 이온수에 의해 친수화한 상태에서 초음파진동이 부여된 순수에 의해 파티클을 제거하도록 되어 있으므로, 파티클을 확실히 제거하는 것이 가능하다. 이때, 세정액을 사용할 필요가 없으므로, 다량의 순수를 사용할 필요는 없고, 또한, 세정처리에 긴 시간을 요하지도 않는다.
청구항 2에 기재된 발명에 의하면, 제1세정공정과 제2세정공정과의 사이에, 기판의 주면에 부착하는 알칼리 이온수를 제거하는 제거공정을 포함하고 있으므로, 알칼리 이온수의 반출이 방지가능하고, 알칼리 이온수와 초음파수를 따로따로 회수하는 것이 가능하게 된다. 이 때문에, 초음파수중으로의 알칼리 이온수의 혼입을 방지할 수 있다.
청구항 3에 기재된 발명에 의하면, 제1세정공정에서 기판의 주면에 알칼리 이온수를 30초 이상 채우므로, 기판의 주면을 충분히 친수화하는 것이 가능하다.
청구항 4에 기재된 발명에 의하면, 제2세정공정을 상기 제1세정공정의 종료후 60초 이내에 개시하므로, 알칼리 이온수에 의한 기판(1)의 주면의 친수화의 효과가 감소하기 전에 초음파수에 의해 파티클을 제거하는 것이 가능하다.
청구항 5에 기재된 발명에 의하면, 전해질을 미량첨가한 물을 전기분해하여 얻어지는 환원성을 가지는 알칼리 이온수를 기판의 주면상에 채우는 알칼리 이온수 공급수단과, 알칼리 이온수 공급수단에 의해 알칼리 이온수가 공급된 후의 기판의 주면에 초음파진동이 부여된 순수를 공급하는 초음파수 공급수단을 구비하므로, 기판의 주면을 알칼리 이온수에 의해 친수화한 상태에서 초음파진동이 부여된 순수에 의해 파티클을 제거하게 되기 때문에, 파티클을 확실하게 제거할 수 있다. 이때, 세정액을 사용할 필요가 없으므로 다량의 순수를 사용할 필요는 없고, 또한 세정처리에 긴 시간을 요하지도 않는다.
청구항 6에 기재된 발명에 의하면, 기판의 주면에 부착하는 알칼리 이온수를 제거하는 제거수단을 더 구비하므로, 알칼리 이온수의 반출이 방지가능하고, 알칼리 이온수와 초음파수를 따로따로 회수하는 것이 가능하게 된다. 이 때문에, 초음파수중으로의 알칼리 이온수의 혼입을 방지하는 것이 가능하다.
청구항 7에 기재된 발명에 의하면, 알칼리 이온수 공급수단은 기판의 주면에 알칼리 이온수를 30초 이상 채우므로, 기판의 주면을 충분히 친수화하는 것이 가능하다.
청구항 8에 기재된 발명에 의하면, 초음파수 공급수단은 상기 알칼리 이온수 공급수단에 의해 기판의 주면에 공급된 알칼리 이온수에 의한 세정종료후, 60초 이내에 초음파 진동이 부여된 순수의 공급을 개시하므로, 알칼리 이온수에 의한 기판(1) 주면의 친수화의 효과가 감소하기 전에 초음파수에 의해 파티클을 제거하는 것이 가능하다.

Claims (8)

  1. 전해질을 미량첨가한 물을 전기분해하여 얻어지는 환원성을 가지는 알칼리 이온수를 기판의 주면상에 채우는 제1세정공정과, 상기 제1세정공정 후의 기판의 주면에 초음파진동을 부여한 순수를 공급하는 제2세정공정과를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판세정방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 제1세정공정과 제2세정공정과의 사이에, 기판의 주면에 부착하는 알칼리 이온수를 제거하는 제거공정을 포함하는 기판세정방법.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 제1세정공정은 기판의 주면에 알칼리 이온수를 30초 이상 채우는 것인 기판세정방법.
  4. 제1항 내지 제3항중 어느 한 항에 있어서, 상기 제2세정공정을 상기 제1세정공정의 종료후 60초 이내에 개시하는 것인 기판세정방법.
  5. 전해질을 미량첨가한 물을 전기분해하여 얻어지는 환원성을 가지는 알칼리 이온수를 기판의 주면상에 채우는 알칼리 이온수 공급수단과, 상기 알칼리 이온수 공급수단에 의해 알칼리 이온수가 공급된 후의 기판의 주면에 초음파진동이 부여된 순수를 공급하는 초음파수 공급수단과를 구비하는 것을 특징으로 하는 기판세정장치.
  6. 제5항에 있어서, 기판의 주면에 부착하는 알칼리 이온수를 제거하는 제거수단을 더 구비하는 기판세정장치.
  7. 제5항 또는 제6항에 있어서, 상기 알칼리 이온수 공급수단은 기판의 주면에 알칼리 이온수를 30초 이상 채우는 것인 기판세정장치.
  8. 제5항 내지 제7항중 어느 한 항에 있어서, 상기 초음파수 공급수단은 상기 알칼리 이온수 공급수단에 의해 기판의 주면에 공급된 알칼리 이온수에 의한 세정종료후, 60초 이내에 초음파 진동이 부여된 순수의 공급을 개시하는 것인 기판세정장치.
KR1019980006693A 1997-05-16 1998-03-02 기판세정방법 및 기판세정장치 KR19980086516A (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP97-143512 1997-05-16
JP9143512A JPH10314686A (ja) 1997-05-16 1997-05-16 基板洗浄方法および基板洗浄装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR19980086516A true KR19980086516A (ko) 1998-12-05

Family

ID=15340468

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019980006693A KR19980086516A (ko) 1997-05-16 1998-03-02 기판세정방법 및 기판세정장치

Country Status (2)

Country Link
JP (1) JPH10314686A (ko)
KR (1) KR19980086516A (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100827796B1 (ko) * 2001-08-02 2008-05-07 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 기판처리장치

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4127926B2 (ja) 1999-04-08 2008-07-30 株式会社荏原製作所 ポリッシング方法
JP3707026B2 (ja) * 1999-12-28 2005-10-19 東京エレクトロン株式会社 基板洗浄方法及び基板洗浄装置
JP2007103956A (ja) * 2006-11-06 2007-04-19 Tokyo Electron Ltd 基板処理装置
JP5457386B2 (ja) * 2011-02-23 2014-04-02 富士フイルム株式会社 ヘッドクリーニング装置及び方法並びにインクジェット記録装置

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100827796B1 (ko) * 2001-08-02 2008-05-07 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 기판처리장치

Also Published As

Publication number Publication date
JPH10314686A (ja) 1998-12-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN101114578B (zh) 基板处理方法及基板处理装置
KR19980086516A (ko) 기판세정방법 및 기판세정장치
US6497240B1 (en) Ultrasound cleaning device and resist-stripping device
KR100527307B1 (ko) 기판처리장치
KR100670687B1 (ko) 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치
JP2002096030A (ja) ノズルを用いた処理装置
JP2006080417A (ja) 基板処理方法および基板処理装置
US7396416B2 (en) Substrate cleaning device
KR100699787B1 (ko) 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치
KR101035051B1 (ko) 버블을 이용한 기판 세정장치 및 방법
JP2001170584A (ja) 超音波処理装置
JPH11165136A (ja) レジスト除去方法およびレジスト除去装置
JP2001104897A (ja) 超音波洗浄装置及び洗浄方法
JPH11300300A (ja) 基板処理方法および同装置
JPH1071375A (ja) 洗浄方法
KR100567833B1 (ko) 기판 처리 장치
JP2003229356A (ja) 基板処理装置
JP2001007017A (ja) レジスト剥離装置
JP2001327935A (ja) 板状体洗浄方法および板状体洗浄装置
US20060134923A1 (en) Semiconductor substrate cleaning apparatus and method
JPH11297605A (ja) 剥離方法および同装置
US20030041876A1 (en) Method and device for removing particles on semiconductor wafers
JP3715171B2 (ja) 基板処理装置および基板処理方法
JP2001170582A (ja) 超音波処理装置およびこれを用いた電子部品の製造方法
JP2003300024A (ja) 基板洗浄方法及び基板洗浄装置

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E601 Decision to refuse application