KR19980069737A - 리이드프레임, 반도체장치 및 그 제조방법 - Google Patents

Abstract

다수의 리이드의 리이드프레임 및 반도체장치에 적용해서 유효한 기술에 관한 것으로, 동일한 반도체칩에 의해서 봉지형상이 다른 다품종의 반도체장치의 제조를 가능하게 하기 위해, 봉지체의 한 변에서 외부리이드가 돌출하는 여러개의 리이드의 내부리이드의 일부의 선단을 봉지체의 한 변과 대응하는 반도체칩의 변과는 반도체칩의 코너를 사이에 두고 인접하는 다른 변에 대향시키는 구성으로 하였다.

이러한 구성으로 하는 것에 의해, 동일한 반도체칩을 예를 들면 봉지형상이 정방형인 것과 장방형인 것 등의 외부리이드의 배치가 다른 반도체장치에 사용하는 것이 가능하게 된다.

Description

리이드프레임, 반도체장치 및 그 제조방법

본 발명은 리이드프레임 및 반도체장치에 관한 것으로, 특히 다(多)리이드의 리이드프레임 및 반도체장치에 적용해서 유효한 기술에 관한 것이다.

LSI등의 반도체장치는 집적도의 향상에 따라서 보다 복잡한 회로가 탑재되고 그 기능도 고도의 것으로 되고 있다. 이러한 고기능화에 따라서 반도체 장치에는 보다 많은 외부단자가 필요로 되고, 이 때문에 반도체칩에 마련되는 패드전극 및 반도체장치의 외부단자인 리이드의 수도 그것에 대응해서 증가하게 된다. 예를 들면, 로직 반도체장치에서는 외부단자의 수는 수백개에나 이르고 있다. 이와 같은 다수의 리이드의 반도체장치로서는 QFP(Quad Flat Package)형의 반도체장치가 알려져 있다. 이 QFP형의 반도체장치에서는 반도체칩을 봉지하는 봉지체의 4측면에 각각 여러개의 리이드를 마련하기 때문에 다수의 리이드화에 적합하고, 반도체장치를 실장기판에 실장하는 경우에 반도체장치 주위의 공간을 유효하게 이용할 수 있다는 이점이 있다.

이와 같은 QFP형의 반도체장치의 조립에 사용되는 리이드프레임으로서는 예를 들면 닛케이BP사 간행 「VLSI 패키징기술(상)」, 1993년 5월 31일 발행, pp. 155~pp. 164에 개시되어 있고, 특히 pp.157 및 pp.159에는 구체적인 패턴이 개시되어 있다.

또, 상기 미세하에 따라서 반도체칩에 형성되는 소자수가 증가하고 그들 소자가 보다 고속으로 동작하므로, 반도체칩으로부터의 발열도 증대하게 된다. 이 문제에 대처하기 위해 방열성을 향상시킨 반도체장치로서, 예를 들면 상기 「VLSI 패키징기술(하)」, pp. 200~pp. 203에 열신장기(heat spreader)를 마련한 반도체장치가 기재되어 있다. 이 반도체장치에서는 반도체칩에 열신장기를 부착하는 것에 의해서 반도체장치의 방열성을 향상시키고 있다.

상기 다수의 리이드화에 대응하기 위해, 리이드 프레임에서는 각 리이드 사이의 간격인 리이드피치 및 리이드의 폭치수를 작게하는 것이 요구되고 있다.

또, 마찬가지로 반도체칩에는 상기 고기능화에 의해서 많은 패드전극이 마련되어 있고, 각 패드전극 사이의 간격인 패드피치도 작게 되어 있다. 일반적으로 반도체칩의 패드전극의 피치는 여러가지의 것이 있지만, 웨이퍼당의 칩의 취득수를 향상시키기 위해 칩사이즈는 작은 것이 바람직하고,이를 위해 각 패드 전극 사이의 피치도 한층 작게 설정되는 경향이 있다.

이러한 이유 때문에, 다수의 리이드와 각 패드전극 사이를 Au등의 와이어를 사용해서 본딩하는 경우, 간격이 작아진 것에 의해 인접하는 와이어 상호가 접촉하는 단락이 발생하기 쉬워진다는 문제가 있다. 특히, 반도체칩의 코너부분에서는 패드전극에 본딩된 와이퍼가 반도체칩에 대해서 경사진 방향으로 와이어가 연장하기 때문에 패드피치가 동일하더라도 와이어 상호간의 간격이 작아지므로 그 경향이 강해진다.

또, 와이어본딩 후의 수지몰드시에 각 리이드의 기계적 강도의 저하 또는 와이어간격의 감소에 의해서 몰드수지의 유동에 의해 와이어가 변형하는 와이어 흐름이 발생하는 경우가 있고, 이 변형에 의해 와이어의 단락이 발생한다는 문제가 있다.

게다가, QFP에서는 중앙에 탑재된 반도체칩에 접근해감에 따라서 리이드의 배치영역이 좁아진다. 이 때문에, 리이드의 가공정밀도의 함께 때문에 리이드피치를 반도체칩의 패드피치에 대해서 충분히 미세화할 수 없는 경우에는 리이드의 선단을 반도체칩에 접근시킬 수 없게 되므로, 패드전극과 리이드를 본딩하는 와이어를 길게하지 않으면 안된다. 이와 같이 와이어를 길게한 경우에는 상기 단락 또는 와이어흐름의 발생 확률이 높아진다.

또, 이와 같은 리이드의 미세화에 따라서 각 리이드의 기계적 강도는 저하하기 때문에 약간의 힘에 의해 변경하기 쉬워지고, 이러한 변형에 의해서도 상기 단락이 발생한다.

또, 반도체장치의 용도가 확대되어 여러가지 전자장치에 조립되게 되었기 때문에 동일한 기능의 반도체장치라도 봉지형상이 다른 것이 제조되고 있다. 이들 반도체장치의 각각에 전용의 반도체칩을 사용하는 경우에는 반도체칩의 종류가 증가하여 생산효율이 저하하게 된다.

본 발명의 과제는 다수의 리이드의 반도체장치의 단락 또는 와이어흐름의 발생을 방지하고, 본딩을 안정하게 하는 것이 가능한 기술을 제공하는 것이다.

본 발명의 다른 과제는 동일한 반도체칩에 의해서 봉지형상이 다른 다품종의 반도체장치가 제조가 가능한 기술을 제공하는 것이다.

본 발명의 다른 과제는 다수의 리이드의 반도체장치의 방열특성을 향상시키는 것이 가능한 기술을 제공하는 것이다.

본 발명의 상기 및 그밖의 과제와 새로운 특징은 본 명세서의 기술 및 첨부도면에 의해 명확하게 될 것이다.

도 1은 본 발명의 1실시형태인 반도체장치의 리이드프레임 절단전의 상태를 도시한 평면도,

도 2는 도 1에 도시한 상태의 종단면도,

도 3은 본 발명의 1실시형태에 사용하는 리이드프레임의 제조방법을 도시한 종단면도,

도 4는 본 발명의 1실시형태인 반도체장치를 도시한 종단면도,

도 5는 본 발명의 다른 실시형태인 반도체장치에 사용되는 반도체칩을 도시한 평면도,

도 6은 도 5를 부분적으로 확대해서 도시한 평면도,

도 7은 본 발명의 다른 실시형태인 QFP형 반도체장치에 사용되는 리이드 프레임을 부분적으로 도시한 평면도,

도 8은 본 발명의 다른 실시형태인 리이드프레임을 도시한 단면도,

도 9는 도 8에 도시한 리이드프레임을 사용해서 제조한 반도체장치를 도시한 종단면도,

도 10은 본 발명의 다른 실시형태인 리이드프레임을 도시한 단면도,

도 11은 도 10에 도시한 리이드프레임을 사용해서 제조한 반도체장치를 도시한 종단면도,

도 12는 본 발명의 다른 실시형태인 리이드프레임을 도시한 단면도,

도 13은 도 12에 도시한 리이드프레임을 사용해서 제조한 반도체장치를 도시한 종단면도,

도 14는 본 발명의 다른 실시형태인 리이드프레임에 사용되는 지지체(8)을 도시한 평면도,

도 15는 도 14에 도시한 지지체(8)에 반도체칩(10)을 탑재한 상태를 도시한 평면도,

도 16은 본 발명의 다른 실시형태인 반도체장치를 부분적으로 도시한 평면도,

도 17은 본 발명의 다른 실시형태인 리이드프레임을 도시한 평면도,

도 18은 본 발명자가 본 발명에 도달하는 단계에서 검토한 반도체장치를 부분적으로 도시한 평면도,

도 19는 본 발명의 다른 실시형태인 반도체장치를 부분적으로 도시한 평면도.

본 원에 있어서 개시되는 발명중 대표적인 것의 개요를 간단히 설명하면 다음과 같다.

봉지체의 한 변에서 외부리이드가 돌출하는 여러개의 리이드의 내부리이드의 일부의 선단을 상기 봉지체의 한 변과 대응하는 반도체칩의 변과는 반도체 칩의 코너를 사이에 두고 인접하는 다른 변에 대향시킨다.

또, 봉지체의 코너부에 대응하는 내부리이드 사이에 더미 리이드를 마련하고, 이 더미리이드의 한쪽 끝을 인접하는 상기 내부리이드의 선단까지 연장시키고, 그 다른쪽 봉지체 밖으로 도출시키지 않는다.

또, 지지체에 반도체칩을 탑재하고 이 지지체에 절연체를 거쳐서 내부리이드를 고정시킨 반도체장치에 대해서, 상기 지지체의 전면에 마련한 접착제층에 의해서 내부리이드를 선단을 상기 반도체칩 탑재영역의 전체 주위에 고정시킨다.

또, 각 내부리이드 선단의 리이드피치에 대해서 최대의 리이드피치를 최소의 리이드피치의 2배 미만으로 한다.

또, 반도체칩의 코너부에 대응하는 내부리이드 선단의 리이드피치를 다른 리이드 선단의 리이드피치보다 넓게 한다.

또는 반도체칩의 코너부에 대응하는 내부리이드 사이에 봉지체 밖으로 도출되지 않는 더미 리이드를 마련한다.

또, 반도체칩의 코너부에 위치하는 패드전극의 패드피치를 다른 패드전극의 패드피치보다 넓게 한다.

상술한 수단에 의하면, 봉지체의 한 변에서 외부리이드가 돌출하는 여러개의 리이드의 내부리이드의 일부의 선단을 상기 봉지체의 한 변과 대응하는 반도체칩의 변과는 반도체칩의 코너를 사이에 두고 인접하는 다른 변에 대향시킨 것에 의해서 동일한 반도체칩을 사용한 봉지체형상의 제약이 적어진다.

또, 봉지체의 코너부에 대응하는 내부리이드 사이에 더미 리이드를 마련하는 것에 의해 수지의 흐름에 흐트러짐이 거의 발생하지 않으므로, 보이드에 의한 수지주입 불량이 감소한다.

또, 내부리이드 선단을 상기 반도체칩 탑재영역의 전체 주위에 고정시키는 것에 의해 상기 내부리이드의 선단을 더욱 반도체칩 탑재영역에 접근시키는 것이 가능하게 되므로, 인접하는 와이어 상호가 접촉하는 단락 또는 몰드수지의 유동에 의해 와이어가 변형하는 와이어 흐름이 감소한다.

또, 코너부에 대응하는 내부리이드 선단의 리이드피치를 다른 내부리이드 선단의 리이드피치보다 넓게 하는 것이 가능하게 되므로, 인접하는 와이어 상호가 접촉하는 단락 또는 몰드수지의 유동에 의해 와이어가 변형하는 와이어 흐름이 감소한다.

또, 탭지지용 리이드가 없기 때문에 크로스본딩을 용이하게 실행하는 것이 가능하게 된다.

또, 미리 지지체의 전면에 접착제층을 형성하고 이것에 의해서 내부리이드를 고정시키는 것에 의해, 지지체를 갖는 리이드프레임의 제조공정을 용이하게 하고 제조코스트를 저감할 수 있다.

또, 반도체칩을 지지체에 탑재하는 것에 의해, 반도체칩에서 발생한 열은 지지체를 통해서 외부로 방열가능하게 되어 있어 반도체칩의 방열특성을 향상시키는 것이 가능하게 된다.

이하, 본 발명의 실시형태를 설명한다.

또한, 실시형태를 설명하기 위한 모든 도면에 있어서 동일한 기능을 갖는 것에는 동일한 부호를 붙이고 그의 반복적인 설명은 생략하다.

[실시형태 1]

도 1은 본 발명의 1실시형태인 QFP형 반도체장치의 리이드프레임 절단전의 상태를 도시한 평면도이고, 도 2는 도 1에 도시한 상태의 종단면도이다. 리이드프레임(1)은 예를 들면 Fe-Ni계 합금으로 이루어지고, 중앙에 탑재된 반도체 칩(10)의 전체 주위에 걸쳐서 여러개의 리이드(3)의 내부리이드(4)의 선단이 배치되어 있다. 또, 상기 리이드프레임(1)은 Cu계 합금이라도 좋다.

각 리이드(3)은 댐바(dam bar)(6)에 의해 또는 리이드프레임의 프레임으로 되는 타이바(19)에 의해 일체로 되어 있고, 각 리이드(3)의 댐바(6)의 내측부분 및 외측부분이 각각 내부리이드(4) 및 외부리이드(5)로 된다.

종래에는 내부리이드(4)를 일체화하는 1개의 댐바(6)에 형성된 여러개의 내부리이드(4)의 선단은 그 댐바(6)과 대응하는 반도체칩의 한 변과 대향시켜져 있지만, 본 실시형태에서는 내부리이드(4)를 일체화하는 1개의 댐바(6)에 형성된 여러개의 내부리이드(4)의 일부의 선단을 댐바(6)과 대응하는 반도체칩(10)의 한변과는 반도체칩(10)의 코너를 사이에 두고 인접하는 다른 변에 대향시키고 있다.

이와 같이 상기 다른 변과 대향시킨 내부리이드(4)는 반도체칩(10)의 대향하는 변에 형성된 패드전극과 본딩와이어에 의해서 접속된다. 따라서, 동일한 반도체칩(10)을 예를 들면 봉지형상이 정방형인 것과 장방형인 것 등의 외부리이드(5)의 배치가 다른 반도체장치에 사용하는 것이 가능하게 된다.

이와 같은 리이드패턴은 주지의 에칭기술 또는 프레스기술 등에 의해서 형성되고, 통상의 QFP형 반도체장치에서 리이드(3)은 수십개~수백개가 배치되고, 본 실시형태에서는 104개의 리이드(3)이 배치되어 있다. 각 리이드(3)의 내부리이드(4)의 선단은 지지체의 전면에 형성된 절연성의 접착제(7)에 의해서 지지체(8)의 표면에 고정되어 있다.

본 발명의 리이드프레임(1)에서는 내부리이드(4)에 고정된 지지체(8)의 반도체칩 탑재영역(2)에 반도체칩을 고정시킨다. 이 때문에 반도체칩을 탑재하는 탭(다이패드)를 지지하는 탭지지용 리이드는 마련되어 있지 않아 탭지지용 리이드가 마련되어 있던 영역을 내부리이드(4)의 배치에 이용하고 있다.

이 때문에, 종래 탭지지용 리이드가 마련되어 있던 코너부에도 내부리이드(4)가 배치되어 있고, 이 부를 포함하는 전체 주위에서 각 내부리이드 선단의 간격인 리이드피치에 대해서는 최대의 리이드피치가 최소의 리이드피치의 2배 미만으로 되어 있어 각 내부리이드(4) 사이에는 다른 리이드를 배치할 여유 공간이 없다. 즉, 인접하는 내부리이드의 선단에 있어서의 허용할만한 최대 리이드간격(L)과 리이드프레임의 가공정밀도 또는 설계값에 따라 미리 결정되는 최소의 내부리이드 간격(W1) 및 최소 내부리이드폭(W2)의 관계가 다음의 식 1을 만족시키도록 본 형태의 리이드프레임은 작성되어 있다.

[식 1]

(L) 2×(W1)+(W2)

그래서, 본 실시형태에서는 상기 내부리이드(4)를 이 탭지지용 리이드가 마련되어 있던 위치를 포함한 상기 반도체칩 탑재영역의 전체 주위에 걸쳐서 등간격으로 배치하는 것에 의해, 동일한 리이드피치라도 내부리이드(4)의 선단을 더욱 반도체칩(10)에 접근시키는 것이 가능하게 된다. 이 때문에, 반도체칩(10)의 탑재후에 와이어본딩을 실행할 때 와이어길이를 단축하는 것이 가능하게 되고, 수지봉지시의 와이어흐름을 저감하여 와이어 사이의 단락이 적감된다.

여기에서, 지지체(8)에는 열전도성이 양호한 재료 예를 들면 Cu계 재료, Aℓ계 재료등을 사용하는 것에 의해서 반도체장치의 방열성을 향상시킬 수 있다.

또, 여러개의 리이드(3)의 내부리이드(4)를 지지체(8)에 고정시키는 것에 의해 각 리이드(3)의 기계적 강도가 개선되므로, 내부리이드(4)의 리이드피치를 작게하더라도 외부로부터의 힘에 의한 내부리이드(4)의 변형이 거의 발생하지 않게 된다. 이 때문에, 본딩와이어 사이의 단락을 방지하는 것이 가능하게 된다.

다음에, 도 1에 도시한 리이드프레임 및 그것을 사용한 반도체장치의 제조방법에 대해서 도 2, 도 3 및 도 4를 사용해서 설명한다.

먼저, 도 3a에 도시하 바와 같이, 미리 지지체(8)의 내부리이드(4)와 접착되는 면의 전면에 접착제(7)을 도포형성한다. 접착제로서는 예를 들면 에폭시 수지, 페놀수지 등의 열경화성수지 또는 폴리에틸렌, 염화비닐수지 등의 열가소성 수지 등이 사용된다. 지지체(8)은 금속의 박판을 펀칭 등에 의해서 가공한 것이지만, 접착제(7)의 도포는 이 가공전이라도 가공후라도 좋다.

전면에 접착제(7)을 도포하는 것에 의해, 접착제 도포시의 미스킹 등을 불필요하게 하여 지지체(8)을 갖는 리이드프레임의 제조코스트를 저감할 수 있다.

다음에, 도 3b에 도시한 바와 같이, 패터닝된 리이드프레임(1)의 각 내부리이드(4)를 접착제(7)에 의해서 지지체(8)에 접착한다. 이 상태가 도 2로 된다. 본 형태의 경우는 300℃정도의 열처리에 의해서 접착제(7)을 경화시켜 접착하였다.

다음에, 도 3c에 도시한 바와 같이, 반도체칩(10)을 Ag페이스트(12)에 의해서 지지체(8)의 반도체칩 탑재영역(2)에 접착한다. 종래에는 내부리이드(4)에 접착제(7)을 도포하고 지지체(8)에 접착하는 방법이 채용되고 있었지만, 이 방법에서는 접착제의도포시에 내부리이드를 변형시켜 버리기 때문에 불량품으로 되는 등의 문제가 있었지만, 본 발명에서는 미리 지지체(8)에 도포한 접착제(7)에 의해서 내부리이드(4)의 접착을 실행하는 것에 의해,상술한 문제를 해결하는 것이 가능하게 된다.

이 후, 도 4에 도시한 바와 같이, 반도체칩(10)의 패드전극(11)과 내부리이드(4)를 Au등의 본딩와이어(13)에 의해서 접속하지만, 이 와이어본딩시에 본 실시형태에서는 내부리이드(4)가 지지체(8)에 고정되어 있기 때문에 이 지지체(8)의 이면을 진공흡인하는 것에 의해서 내부리이드(4)를 고정시키고 와이어본딩을 실행할 수 있으므로, 종래의 리이드프레임과 같이 내부리이드를 압압고정시키는 윈드 클램퍼(wind clamper)를 사용할 필요가 없다.

와이어본딩 종료후에 반도체칩(10), 지지체(8), 본딩와이어(13) 및 내부리이드(4)가 예를 들면 에폭시수지로 이루어지는 봉지체(14)에 의해서 봉지되고, 상술한 댐바(6) 및 타이바(19)가 절단되어 각 리이드(3)은 전기적으로 분리된다. 이 후, 봉지체(14)에서 연장하는 외부리이드(5)는 일예로서 도 4에서는 갈매기날개(gull wing)형상으로 성형되어 반도체장치(9)가 완성된다.

[실시형태 2]

다음에, 본 발명의 다른 실시형태인 반도체장치를 도 5 및 도 6을 사용해서 설명한다. 도 5는 반도체칩(10)의 패드전극(11)의 배치를 설명하는 평면도이고, 도 6은 반도체칩(10)의 코너부분의 본딩상태를 설명하는 부분확대단면도이다.

본 실시형태의 반도체장치에서는 내부리이드(4)에 고정된 지지체(8)의 반도체칩 탑재영역에 반도체칩(10)을 고정시킨다. 이 때문에, 반도체칩(10)을 탑재하는 탭(다이패드)를 지지하는 탭지지용 리이드는 마련되어 있지 않아 탑지지용 리이드가 마련되어 있던 영역을 내부리이드(4)의 배치에 이용하고 있다.

이 때문에, 종래 탭지지용 리이드가 마련되어 있던 코너부에도 내부리이드(4)가 배치되어 있고, 이 부를 포함하는 전체 주위에서 각 내부리이드 선단의 간격인 리이드피치에 대해서는 전체 주위에 걸쳐서 대략 등간격으로 배치되어 있고, 동일한 리이드피치라도 내부리이드(4)의 선단을 더욱 반도체칩(10)에 접근시키는 것이 가능하게 된다. 또한, 각 내부리이드(4)의 선단의 리이드피치P는 180~220㎛ 정도로 설정된다.

반도체칩(10)의 외부단자로 되는 패드전극(11)은 반도체칩(10)의 둘레가장자리부에 여러개 마련되어 있지만, 본 실시형태에서는 반도체칩의 코너에 접근함에 따라서 패드피치를 넓게 마련하고 있다.

도 6에 도시한 예에서는 반도체칩(10)의 패드전극(11)의 내부 둘레가장자리 중앙으로부터의 패드위치를 P1로 한 경우에 이후의 패드위치를 코너에 접근함에 따라서 P2=1, 1P1, P3=1. 2P1, P4=1.3P1으로 0.1P1씩 넓게 하는 구성으로 되어 있다. 또한, 고집적도의 반도체장치에 사용되는 반도체칩(10)에서는 패드전극(11)의 피치는 80~100㎛정도로 설정되다.

패드전극(11)과 내부리이드(4)의 선단은 와이어(13)에 의해서 접속본딩이 실행되고 있지만, 패드전극(11)은 코너에 접근함에 따라서 패드피치가 넓게 배치되어 있으므로, 코너부분의 와이어(13)이 와이어 흐름 등에 의해서 변형된 경우라도 인접하는 와이어(13)과 접촉하여 단락하는 것을 방지할 수 있다. 또한, 본딩와이어(13)으로서는 직경이 25~35㎛정도인 Au세선 등이 사용되고 있다.

또, 반도체칩(10)은 와이어(13)의 처리 등의 점에서 둘레가장자리부 바깥쪽 끝의 패드전극(11)과 반도체칩(10)의 코너를 사이에 두고 인접하는 다른 둘레 가장자리부 바깥쪽 끝의 패드전극(11)의 패드피치P5는 다른 패드피치보다 넓게 되어 있고, 이 부분에서는 리이드피치P6보다 넓게 되어 있다.

또, 와이어본딩시에 본 실시형태에서는 내부리이드(4)가 지지체(8)에 고정되어 있기 때문에 이 지지체(8)의 이면을 진공흡인하는 것에 의해서 내부리이드(4)를 고정시키고 와이어본딩을 실행할 수 있으므로, 종래의 내부프레임과 같이 내부리이드를 압압고정시키는 윈드 클램퍼를 사용할 필요가 없다.

와이어본딩 종료후에 반도체칩(10), 지지체(8), 본딩와이어(13) 및 내부리이드(4)가 예를 들면 에폭시수지로 이루어지는 봉지체(14)에 의해서 봉지되고, 댐바(6) 및 상기 타이바(19)가 절단되어 각 리이드(3)은 전기적으로 분리되고, 봉지체(14)에서 연장하는 외부리이드(5)는 일예로서 도 4에서는 갈매기날개형상으로 성형되어 반도체장치(9)가 완성된다.

이와 같은 본 실시형태의 반도체장치에서는 와이어 흐르에 의한 불량품의 발생을 종래에 비해 대략 1/2로 저감할 수 있다.

또한, 상기 패드피치의 확대법으로서는 상술한 둘레가장자리부 중앙에서 일률적으로 넓히는 방법 이외에 코너부를 부분적으로 넓히는 방법 등에 의해서도 본 발명은 실시가 가능하다.

[실시형태 3]

다음에, 본 발명의 다른 실시형태인 반도체장치를 도 7 및 도 16을 사용해서 설명한다.

도 7은 본 발명의 다른 실시형태인 QFP형 반도체장치에 사용되는 리이드 프레임을 부분적으로 도시한 평면도이고, 도 16은 반도체장치를 부분적으로 도시한 평면도이다.

리이드프레임(1)은 예를 들면 Fe-Ni계 합금 또는 Cu계 합금으로 이루어지고, 중앙의 반도체칩(점선으로 도시) 탑재영역(2)의 전체 주위에 걸쳐서 여러개의 리이드(3)의 내부리이드(4)의 선단이 배치되어 있다.

각 리이드(3)의 내부리이드(4) 및 반도체칩(10)은 절연성의 접착제에 의해서 지지체(8)의 표면에 고정되어 있다. 접착제로서는 예를 들면 에폭시수지, 페놀수지 등의 열경화성수지 또는 폴리에틸렌, 염화비닐수지 등의 열가소성수지 등이 사용된다.

본 실시형태의 반도체장치에서는 내부리이드(4)에 고정된 지지체(8)의 반도체칩 탑재영역에 반도체칩(10)을 고정시킨다. 이 때문에, 반도체칩(10)을 탑재하는 탭(다이패드)를 지지하는 탭지지용 리이드는 마련되어 있지 않아 탭지지용 리이드가 마련되어 있던 영역을 내부리이드(4)의 배치에 이용할 수 있다.

그래서, 본 실시형태에서는 내부리이드(4)의 선단을 반도체칩 탑재영역(2)의 전체 주위에 배치하고, 반도체칩 탑재영역(2)의 코너부에 대응하는 내부리이드(4)의 선단의 리이드피치를 다른 내부리이드(4)의 선단의 리이드피치보다 넓게 하는 것이 가능하게 된다. 이 때문에, 반도체칩의 탑재후에 와이어본딩을 실행할 때 와이어(13) 상호의 간격이 넓어져 와이어(13) 사이의 단락이 저감된다.

여기에서, 지지체(8)에는 열전도성이 양호한 재료 예를 들면 Cu계 재료, Aℓ계 재료 등을 사용하는 것에 의해서 반도체장치의 방열성을 향상시킬 수 있다.

또, 여러개의 리이드(3)의 내부리이드(4)를 지지체(8)에 고정시키는 것에 의해 각 리이드(3)의 기계적 강도가 개선되므로, 내부리이드(4)의 리이드피치를 작게해도 외부로부터의 힘에 의한 변형이 거의 발생하지 않게 된다. 이 때문에, 본딩와이어(13) 사이의 단락을 방지하는 것이 가능하게 된다.

또, 패드전극(11)은 반도체칩(10)의 둘레가장자리부에 여러개 마련되어 있지만, 본 실시형태에서는 반도체칩의 코너에 접근함에 따라서 패드피치를 넓게 마련하고 있다. 또한, 고집적도의 반도체장치에 사용되는 반도체칩(10)에서는 패드전극(11)의 피치는 80~100㎛정도로 설정된다.

패드전극(11)과 내부리이드(4)의 선단은 와이어(13)에 의해서 접속하는 본딩이 실행되고 있지만, 패드전극(11)은 코너에 접근함에 따라서 패드피치가 넓게 배치되어 있으므로, 코너부분의 와이어(13)이 와이어 흐름 등에 의해서 변형된 경우라도 인접하는 와이어(13)과 접촉하여 단락하는 것을 방지할 수 있다. 또한, 본딩와이어(13)으로서는 직경이 25~35㎛정도인 Au세선 등이 사용되고 있다.

또, 반도체칩(10)은 어느 정도의 범용성을 갖도록 하기 위해 둘레가장자리부 바까쪽 끝의 패드전극(11)과 인접하는 다른 둘레가장자리부 바깥쪽 끝의 패드전극(11)의 패드피치는 다른 패드피치보다 넓게 되어 있고, 리이드피치보다 넓게 되는 경우도 있다. 이러한 경우에 상기 바깥쪽 끝의 패드전극(11)을 더욱 코너에 접근시켜 패드피치의 확대를 도모하는 것도가능하다.

또, 와이어본딩시에 본 실시형태에서는 내부리이드(4)가 지지체(8)에 고정되어 있기 때문에 이 지지체(8)의 이면을 진공흡인하는 것에 의해서 내부리이드(4)를 고정시키고 와이어본딩을 실행할 수 있으므로, 종래의 내부프레임과 같이 내부리이드를 압압고정시키는 윈드 클램퍼를 사용할 필요가 없다.

와이어본딩 종료후에 반도체칩(10), 지지체(8), 본딩와이어(13) 및 내부리이드(4)가 예를 들면 에폭시수지로 이루어지는 봉지체(14)에 의해서 봉지되고, 댐바(6) 및 상기 타이바(19)가 절단되어 각 리이드(3)은 전기적으로 분리되고, 봉지체(14)에서 연장하는 외부리이드(5)는 성형되어 반도체장치(9)가 완성된다.

이와 같은 본 실시형태의 반도체장치에서는 와이어 흐름에 의한 불량품의 발생을 종래에 비해 대략 1/2로 저감할 수 있다.

또한, 상기 패드피치의 확대법으로서는 상술한 둘레가장자리부 중앙에서 일률적으로 넓히는 방법 이외에 코너부를 부분적으로 넓히는 방법 등에 의해서도 본 발명은 실시가 가능하다.

[실시형태 4]

다음에, 본 발명의 다른 실시형태인 리이드프레임을 도 17을 사용해서 설명한다. 도 17은 리이드프레임을 설명하는 평면도이다.

본 실시형태의 리이드프레임(1)에서는 내부리이드(4)에 고정된 지지체(8)의 반도체칩 탑재영역(2)에 반도체칩(점선으로 도시)을 고정시킨다. 이 때문에, 반도체칩(10)을 탑재하는 탭(다이패드)을 지지하는 탭지지용 리이드는 마련되어 있지 않다.

이와 같은 내부리이드(4)의 배치를 실행한 경우, 코너부에 있어서의 외부리이드(5)의 배치에 대해서는 외부리이드(5)의 보호 또는 수지주입유로의 확보등을 위해 봉지체(14)의 코너에서 약간 떨어져서 외부리이드(5)가 배치되게 된다. 이 때문에, 봉지체(14)의 코너부에서는 내부리이드(4)가 배치되지 않는 공간이 생기게 되는 경우가 있다.

이와 같은 공간이 생긴 경우에는 수지주입시에 이 부분에서 주입된 수지의 흐름에 흐트러짐이 발생하기 때문에 보이드가 발생하여 수지주입 불량의 원인으로 되는 경우가 있다.

이와 같은 문제를 해결하기 위해, 본 실시형태에서는 종래 탭지지용 리이드가 마련되어 있던 코너부에서 봉지체(14)의 코너부에 대응하는 내부리이드(4) 사이에 더미의 내부리이드인 더미리이드(20)을 마련하고, 이 더미리이드(20)의 한쪽 끝이 인접하는 내부리이드(4)의 선단까지 연장하고 그 다른쪽 끝이 절제후에는 봉지체(14) 밖으로 도출되지 않는 구성으로 한다.

본 실시형태에서는 이 더미리이드(20)에 의해서 수지의 흐름에 흐트러짐이 발생하는 것을 방지한다. 따라서, 이와 같은 본 실시형태의 반도체장치에서는 보이드에 의한 수지 주입 부량품의 발생을 저감할 수 있다.

또, 지지판(8)의 4모서리를 더미리이드(20)에 의해 고정시키는 것에 의해 지지판(8)을 강고하게 지지하는 것이 가능하게 된다. 또한, 더미리이드(20)은 다른 내부리이드(4)보다 폭을 넓게 하는 것에 의해서 지지판(8)을 더욱 강고하게 지지하는 것이 가능하게 된다.

또, 리이드프레임의 상태에서 공정간을 반송하는 리이드프레임 반송에서는 리이드프레임 절단전의 이 더미리이드(20)의 봉지체 도출부를 유지하는 것에 의해 반송을 실행하는 것이 가능하고, 외부리이드(5)를 유지해서 반송하는 것에 의해 발생하는 외부리이드(5)의 변형을 방지할 수 있다.

[실시형태 5]

다음에, 본 발명의 다른 실시형태인 반도체장치를 도 18 및 도 19를 사용해서 설명한다. 도 18은 본 발명자가 본 발명에 도달하는 단계에서 검토한 반도체장치를 설명하는 부분확대평면도이고, 도 19는 본 실시형태의 반도체장치를 설명하는 부분확대평면도이다.

도 18에 도시한 반도체장치에서는 내부리이드와 반도체칩의 패드전극의 접속은 내부리이드와 이 내부리이드에 대향하는 반도체칩의 변에 마련된 패드전극이 접속되어 있다.

그러나, 동일한 반도체치을 종류가 다른 봉지제에 봉지할 필요가 있는 경우 등에 상기 반도체칩의 코너부에 대응하는 내부리이드의 선단이 이 내부리이드와 대향하는 반도체칩의 변과 코너를 사이에 두고 인접하는 다른 변에 마련된 반도체칩의 패드전극과 접속되는 교차 본딩이 요구되는 경우가 있다.

이와 같은 경우에, 도 18에 도시한 바와 같이 반도체칩(10)을 탭(21)에 고정시키고, 이 탭(21)을 탭지지용 리이드(22)에 의해서 지지하는 종래의 반도체장치에서는 본딩와이어(13)이 탭지지용 리이드(22)상을 횡단하게 된다. 이 때문에, 본딩와이어(13)과 탭지지용 리이드(22)의 접촉에 의한 불량 발생을 방지하기 위해 이와 같은 본딩에는 여러가지의 제한이 마련되어 있어 본딩이 곤란하였다.

본 실시형태의 반도체장치에서는 내부리이드(4)에 고정된 지지체(8)에 반도체칩(10)을 고정시킨다. 이 때문에, 반도체칩(10)의 탑재하는 탭(21)(다이패드) 및 이 탭을 지지하는 탭지지용 리이드(22)는 마련되어 있지 않아 더미리이드(20)을 마련한 것이라도 그 선단이 다른 내부리이드(4)보다 돌출하는 일이 없다.

이와 같은 내부리이드(4)의 배치를 실행하는 것에 의해서 상술한 교차본딩을 실행하더라도 본딩와이어(13)과 탭지지용 리이드(22)의 접촉에 의한 불량 발생이 없어져 제품의 신뢰성이 향상하게 된다.

또, 상기 교차 본딩을 용이하게 실행하는 것이 가능하게 되어 본딩의 자유도가 향상하게 된다.

[실시형태 6]

도 8은 본 발명의 다른 실시형태인 리이드프레임을 도시한 단면도이고, 도 9는 이 리이드프레임을 사용해서 제조한 반도체장치를 도시한 종단면도이다.

본 실시형태에 의한 리이드프레임(1)은 이미 기술한 실시형태에 의한 리이드프레임의 구성에 부가해서 지지체(8)의 반도체칩 탑재영역(2)와 내부리이드(4)의 선단 사이에 와이어지지부(15)를 마련한 것을 특징으로 하고 있다.

이 와이어지지부(15)는 지지체(8)의 탑재영역(2)의 주위에 배치되고, 반도체장치를 조립할 때 반도체칩의 각 리이드 사이에 본딩하는 와이어의 루프를 일정한 높이로 지지할 수 있다. 와이어지지부(15)는 예를 들면 폴리이미드수지, 에폭시수지 등의 절연재료를 접착제 등에 의해서 지지체(8)에 고정시키거나 또는 지지체(8)을 부분적으로 가공해서 적어도 와이어가 접하는 부분을 절연처리하는 것에 의해서 형성한다.

이와 같은 실시형태에 의한 리이드프레임(1)에 의하면, 본딩와이어를 지지하는 와이어지지부(15)를 갖고 있기 때문에 와이어의 루프높이를 일정하게 확보할 수 있으므로, 와이어 상호의 단락을 저감할 수 있다는 효과가 얻어진다.

[실시형태 7]

도 10은 본 발명의 다른 실시형태인 리이드프레임을 도시한 단면도이고, 도 11은 이 리드프레임을 사용해서 제조한 반도체장치를 도시한 종단면도이다.

본 실시형태에 의한 리이드프레임(1)은 이미 기술한 실시형태에 의한 리이드프레임의 구성에 부가해서, 지지체(8)의 반도체칩 탑재영역(2)와 내부리이드(4)의 선단 사이에 지지체(8)을 유지하는 지그(16)에 마련한 와이어지지부(15)를 돌출시키는 슬릿(17)을 마련한 것을 특징으로 하고 있다.

리이드프레임(1)을 지그(16)에 의해 유지했을 때 지그(16)에 마련된 와이어지지부(15)가 이 슬릿(17)에서 돌출하게 된다. 와이어지지부(15)는 와이어본딩 종료후에 슬릿(17)에서 퇴피하게 되므로 절연성의 유무와는 관계없다.

본 실시형태에서는 지그(16)에 마련한 와이어지지부(15)를 리이드프레임(1)의 슬릿(17)에 삽입하는 것에 의해 본딩이 안정하다는 효과가 얻어진다.

[실시형태 8]

도 12는 본 발명의 다른 실시형태인 리이드프레임을 도시한 단면도이고, 도 13은 이 리이드프레임을 사용해서 제조한 반도체장치를 도시한 종단면도이다.

본 실시형태에 의한 리이드프레임(1)은 이미 기술한 실시형태에 의한 리이드프레임의 구성에 부가해서, 지지체(8)의 반도체칩 탑재영역(2)가 탑재할 반도체 칩(10)의패드전극(11)과 내부리이드(4)의 표면이 대략 동일한 높이로 되도록 오프세트되어 있는 것을 특징으로 하고 있다. 이와 가은 오프세트형상은 주지의 프레스기술 등을 이용하는 것에 의해 용이하게 가공할 수 있다.

이와 같은 가공을 실행하는 것에 의해서 내부리이드(4)의 표면의 높이위치H1과 탑재된 반도체칩(10)의 표면의 높이위치H2를 대략 동일하게 하는 것에 의해, 반도체칩(10)의 패드전극(11)과 각 내부리이드(4)의 와이어본딩시에 본딩되는 와이어(13)의 루프의 안정성을 높일 수 있다. 와이어(13)의 루프의 안정성을 높이는 것에 의해서 루프형상이 일정하게 되므로, 와이어(13)의 루프의 안정성을 높이는 것에 의해서 루프형상이 일정하게 되므로, 수지몰드시에 있어서의 와이어 흐름을 감소시키는 것이 가능하게 된다.

[실시형태 9]

도 14는 본 발명의 다른 실시형태인 리이드프레임에 사용되는 지지체(8)을 도시한 평면도이고, 도 15는 이 지지체(8)에 반도체칩(10)을 탑재한 상태를 도시한 평면도이다.

본 실시형태에 의한 리이드프레임(1)은 이미 기술한 실시형태에 의한 리이드프레임(1)의 구성에 부가해서, 지지체(8)의 표면에 탑재되는 반도체칩(10)의 각종 치수에 대응한 여러개의 마커(marker)(18)을 마련한 것을 특징으로 하고 있다. 이와 같은 마커(18)은 인쇄, 프레스 등의 기술에 의해서 용이하게 마련할 수 있다.

이와 같이 탑재되는 반도체칩의 사이즈에 대응한 마커(18)을 마련하는 것에 의해, 반도체칩을 탑재할 때 반도체칩을 탑재할 정확한 위치의 확인이 용이하게 되므로, 반도체칩의 칩 본딩작업의 효율이 향상한다.

또, 반도체칩의 위치결정 정밀도가 향상하므로, 와이어의 길이를 일정하게 유지하는 것이 가능하게 되고, 본딩와이어의 루프를 안정하게 유지할 수 있다. 와이어의 루프의 안정성을 높이는 것에 의해서, 루프형상이 일정하게 되므로 수지몰드시에 있어서의 와이어흐름을 감소시키는 것이 가능하게 된다.

이상, 본 발명자에 의해서 이루어진 발명을 상기 실시형태에 따라 구체적으로 설명했지만, 본 발명은 상기 실시형태에 한정되는 것은 아니고 그 요지를 이탈하지 않는 범위에 있어서 여러가지로 변경가능한 것은 물론이다.

예를 들면, 상기 실시형태에서는 각 리이드가 고정되는 지지체로서 방형상의 것을 예시하였지만, 지지체로서 원형상의 것을 사용하는 것도 가능하다. 이와 가은 원형상의지지체를 사용한 경우에는 수지몰드시에 수지의 흐름이 원활하게 되므로, 보이드의 발생을 감소시킬 수 있다는 효과가 얻어진다.

또, 상기 실시형태에서는 사용한 지지체에 접지 본딩을 목적으로 한 본딩에리어를 마련하는 것에 의해서, 접지 본딩에 대응가능한 리이드프레임으로서 더욱 넓은 용도로의 적용이 가능하게 된다.

또, 지지체에 대해서 탑재할 반도체칩은 1개에 한정되지 않고 여러개의 반도체칩을 탑재하는 것도 가능하며, 이것에 의해 멀티칩의 반도체장치에 본 발명을 적용하는 것도 가능하다.

이상의 설명에서는 주로 본 발명자에 의해서 이루어진 방법을 그 배경으로 된 이용분야인 반도체장치에 적용한 경우에 대해서 설명했지만, 그것에 한정되는 것은 아니고 본 발명은 리이드프레임을 사용해서 전자부품을 실장하는 것에는 널리 적용이 가능하다.

본원에 있어서 개시되는 발명중 대표적인 것에 의해서 얻어지는 효과를 간단히 설명하면 다음과 같다.

[1] 본 발명에 의하면, 여러개의 리이드의 내부리이드의 일부의 선단을 봉지체의 한 변과 대응하는 반도체칩의 변과는 반도체칩의 코너를 사이에 두고 인접하는 다른 변에 대향시킨 것에 의해서, 동일한 반도체칩을 사용한 봉지체형상의 제약이 적어진다는 효과가 있다.

[2] 본 발명에 의하면, 내부리이드의 선단을 상기 반도체칩 탑재영역의 전체주위에 걸쳐서 등간격으로 배치하는 것에 의해, 상기 내부리이드의 선단을 더욱 반도체칩 탑재영역에 접근시킬 수 있다는 효과가 있다.

[3] 본 발명에 의하면, 상기 효과[2]에 의해, 본딩와이어의 길이를 단축할 수 있다는 효과가 있다.

[4] 본 발명에 의하면, 내부리이드의 선단을 상기 반도체칩 탑재영역의 전체 주위에 배치하고, 반도체칩 탑재영역의 코너부에 대응하는 내부리이드 선다의 리이드피치를 다른 내부리이드 선단의 리이드피치보다 넓게 할 수 있다는 효과가 있다.

[5] 본 발명에 의하면, 상기 효과 [4]에 의해 코너부에서 본딩와이어 상호의 간격이 넓어진다는 효과가 있다.

[6] 본 발명에 의하면, 상기 효과 [3], [5]에 의해 인접하는 와이어 상호가 접촉하는 단락 또는 몰드수지의 유동에 의해 와이어가 변형하는 와이어흐름이 감소한다는 효과가 있다.

[7] 본 발명에 의하면, 반도체칩을 지지체에 탑재하는 것에 의해, 반도체칩에서 발생한 열은 지지체를 통해서 외부로 방열가능하게 되어 있어 반도체칩의 방열특성을 향상시키는 것이 가능하게 된다는 효과가 있다.

[8] 본 발명에 의하면, 더미리이드를 마련하는 것에 의해 주입하는 수지의 흐름의 흐트러짐에 의한 보이드의 발생을 방지하는 것이가능하게 된다는 효과가 있다.

[9] 본 발명에 의하면, 탭지지용 리이드를 없애는 것에 의해 교차 본딩을 용이하게 실행하는 것이 가능하게 된다는 효과가 있다.

[10] 본 발명에 의하면, 지지체에 미리 접착제를 형성하는 것에 의해, 지지체를 갖는 리이드프레임의 제조공정을 용이하게 하고, 제조코스트를 저감하는 것이 가능하게 된다는 효과가 있다.

Claims (23)

1. (a) 그의 주면에 절연체가 형성된 지지체,

   (b) 상기 지지체의 절연체상에 탑재되고, 제1방향으로 연장하는 제1의 쌍의 평행한 둘레가장자리부와 상기 제1방향과 대략 직각방향의 제2방향으로 연장하는 제2의 쌍의 평행한 둘레가장자리부를 갖고, 그의 주면에 형성된 여러개의 본딩패드를 갖는 4각형상의 반도체칩,

   (c) 상기 반도체칩을 둘러싸도록 배치되고, 그의 한쪽 끝이 상기 지지체의 절연체상에 배치되고 그의 다른쪽 끝이 상기 지지체에서 외측을 향해서 연장하는 여러개의 리이드,

   (d) 상기 여러개의 리이드의 한쪽 끝과 상기 여러개의 본딩패드를 전기적으로 접속하는 여러개의 본딩와이어 및

   (e) 상기 지지체, 상기 반도체칩, 상기 여러개의 본딩와이어 및 상기 여러개의 리이드의 일부를 봉지하고, 상기 제1의 쌍의 평행한 둘레가장자리부와 대략 평행한 제3의 쌍의 평행한 둘레가장자리부 및 상기 제2의 쌍의 평행한 둘레가장자리부와 대략 평행한 제4의 쌍의 평행한 둘레가장자리부를 갖는 대략 4각형상의 봉지체를 포함하고,

   상기 여러개의 본딩패드는 상기 제1의 쌍의 평행한 둘레가장자리부를 따라서 배치되는 제1본딩패드열과 상기 제2의 쌍이 평행한 둘레가장자리부를 따라서 배치되는 제2본딩패드열을 포함하며,

   상기 여러개의 리이드는 상기 봉지체의 상기 제3의 쌍의 평행한 둘레가장자리부에서 돌출하는 제1리이드군과 상기 봉지체의 상기 제4의 쌍의 평행한 둘레가장자리부에서 돌출하는 제2리이드군을 포함하고,

   상기 제1리이드군은 한쪽 끝은 상기 제1본딩패드열에 상기 본딩와이어에 의해서 전기적으로 접속되며,

   상기 제2리이드군의 한쪽 끝은 상기 제2본딩패드열 및 상기 제1본딩패드열의 일부에 상기 본딩와이어에 의해서 전기적으로 접속되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체장치.
2. 제1항에 있어서,

   상기 봉지체는 대략 장방형이고, 상기 제3의 쌍의 평행한 둘레가장자리부는 상기 봉지체의 짧은 변에 대응하고, 상기 제4의 쌍의 평행한 둘레가장자리부는 상기 봉지체의 긴변에 대응하는 것을 특징으로 하는 반도체장치.
3. 제2항에 있어서,

   상기 반도체칩은 대략 정방형인 것을 특징으로 하는 반도체장치.
4. 지지체에 반도체칩을 탑재하고, 이 지지체에 절연체를 거쳐서 내부리이드를 고정시키고 상기 반도체칩 및 내부리이드를 봉지체내에 봉지한 반도체장치로서,

   상기 봉지체의 한 변에서 외부리이드가 돌출하는 여러개의 리이드의 내부리이드의 일부의 선단을 상기 봉지체의 한 변과 대응하는 반도체칩의 변과는 반도체칩의 코너를 사이에 두고 인접하는 다른 변에 대향시킨 것을 특징으로 하는 반도체장치.
5. 지지체에 반도체칩을 탑재하고, 이 지지체에 절연체를 거쳐서 내부리이드를 고정시키고 상기 반도체칩 및 내부리이드를 봉지체내에 봉지한 반도체장치로서,

   상기 봉지체의 코너부에 대응하는 내부리이드 사이에 더미리이드를 마련하고, 이 더미리이드의 한쪽 끝이 인접하는 상기 내부리이드의 선단까지 연장하고 그의 다른쪽 끝이 봉지체 밖으로 돌출되지 않는 것을 특징으로 하는 반도체장치.
6. 제4항에 있어서,

   상기 내부리이드 선단이 상기 지지체 전면에 마련한 접착체층에 의해서 상기 반도체칩의 전체 주위에 고정되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체장치.
7. 제4항에 있어서,

   상기 각 내부리이드 선단의 리이드피치에 대해서 최대의 리이드피치가 최소의 리이드피치의 2배 미만으로 되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체장치.
8. 제4항에 있어서,

   상기 반도체칩의 코너부에 대응하는 내부리이드 선단의 리이드피치를 다른 리이드선단의 리이드피치보다 넓게 한 것을 특징으로 하는 반도체장치.
9. 제8항에 있어서,

   상기 반도체칩의 코너부에 대응하는 내부리이드 선단의 리이드피치를 반도체칩의 코너에 접근함에 따라서 넓게 한 것을 특징으로 하는 반도체장치.
10. 제4항에 있어서,

    상기 반도체칩의 코너부에 위치하는 패드전극의 패드피치를 다른 패드전극의 패드피치보다 넓게 한 것을 특징으로 하는 반도체장치.
11. 제10항에 있어서,

    상기 반도체칩의 여러개의 패드전극의 패드피치를 반도체칩의 코너에 접근함에 따라서 넓게 한 것을 특징으로 하는 반도체장치.
12. 제5항에 있어서,

    상기 반도체칩의 코너부에 대응하는 내부리이드 선단이 이 내부리이드와 대향하는 반도체칩의 변과 코너를 사이에 두고 인접하는 다른 변에 마련된 반도체칩의 패드전극에 교차 본딩되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체장치.
13. 제4항에 있어서,

    상기 내부리이드는 절연성의 접착제를 거쳐서 지지체에 고정된 것을 특징으로 하는 반도체장치.
14. 제4항에 있어서,

    상기 지지체는 열전도성이 양호한 재료로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체장치.
15. 제4항에 있어서,

    상기 지지체의 반도체칩과 내부리이드 선단 사이에 와이어지지부를 마련한 것을 특징으로 하는 반도체장치.
16. 제4항에 있어서,

    상기 지지체의 반도체칩과 내부리이드 선단 사이에 와이어지지부를 돌출시키는 슬릿을 마련한 것을 특징으로 하는 반도체장치.
17. 제4항에 있어서,

    상기 지지체의 반도체칩 탑재영역이 탑재할 반도체칩의 패드전극과 내부리이드 표면이 대략 동일한 높이로 되도록 오프세트되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체장치.
18. 지지체에 반도체칩을 탑재하고, 이 지지체에 절연체를 거쳐서 내부리이드를 고정시키고 상기 반도체칩 및 내부리이드를 봉지체내에 봉지한 반도체장치의 제조방법으로서,

    상기 내부리이드를 일체화하는 1개의 댐바에 형성된 여러개의 내부리이드의 일부를 선단을 상기 댐바와 대응하는 반도체칩 탑재영역의 한 변과는 반도체 칩 탑재영역의 코너를 사이에 두고 인접하는 다른 변에 대향시킨 리이드프레임을 사용하고,

    상기 반도체칩을 상기 지지체의 반도체칩 탑재영역에 고정시키는 공정 및

    상기 반도체칩의 다른 변과 선단을 대향시킨 상기 내부리이드와 상기 반도체칩의 다른 변에 마련된 패드전극을 본딩하는 공정을 갖는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 제조방법.
19. 지지체에 반도체칩을 탑재하고, 이 지지체에 절연체를 거쳐서 내부리이드를 고정시키고 상기 반도체칩 및 내부리이드를 봉지체내에 봉지한 반도체장치의 제조방법으로서,

    상기 내부리이드를 일체화하는 댐바의 코너부에 대응하는 내부리이드 사이에 더미리이드를 마련하고, 이 더미리이드의 한쪽 끝이 인접하는 상기 내부리이드의 선단까지 연장하고 그의 다른쪽 상기 댐바에서 종단되어 있는 리이드프레임을 사용하고,

    상기 반도체칩을 상기 지지체의 반도체칩 탑재영역에 고정시키는 공정,

    상기 내부리이드와 상기 반도체칩을 본딩하는 공정 및

    상기 반도체칩, 내부리이드 및 더미리이드를 수지봉지하는 공정을 갖는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 제조방법.
20. 제18항에 있어서,

    상기 내부리이드 선단이 상기 지지체의 전면에 마련한 접착제층에 의해서 상기 반도체칩 탑재영역이 전체 주위에 고정되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 제조방법.
21. 반도체칩을 탑재하는 반도체칩 탑재영역을 지지체에 마련하고, 이 반도체 칩 탑재영역의 주위에 절연체를 거쳐서 내부리이드를 고정시킨 리이드프레임으로서,

    상기 내부리이드를 일체화하는 1개의 댐바에 형성된 여러개의 내부리이드의 일부의 선단을 상기 댐바와 대응하는 반도체칩 탑재영역의 한 변과는 반도체 칩 탑재영역의 코너를 사이에 두고 인접하는 다른 변에 대향시킨 것을 특징으로 하는 리이드프레임.
22. 반도체칩을 탑재하는 반도체칩 탑재영역을 지지체에 마련하고, 이 반도체 칩 탑제영역의 주위에 절연체를 거쳐서 내부리이드를 고정시킨 리이드프레임으로서,

    상기 내부리이드를 일체화하는 댐바의 코너부에 대응하는 내부리이드 사이에 더미리이드를 마련하고, 이 더미리이드의 한쪽 끝이 인접하는 상기 내부리이드의 선단까지 연장하고 그의 다른쪽 끝이 상기 댐바에서 종단되어 있는 것을 특징으로 하는 리이드프레임.
23. 제21항에 있어서,

    상기 내부리이드의 선단이 상기 지지체의 전면에 마련한 접착체층에 의해서 상기 반도체칩 탑재영역의 전체 주위에 고정되어 있는 것을 특징으로 하는 리이드프레임.