KR19980055927A - 웨이퍼 건조방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 웨이퍼 건조방법에 관한 것으로, 소정의 공정을 거쳐 폴리실리콘층 또는 금속층이 패터닝된 실리콘 기판에 세정공정을 실시하고, 순수린스시 잔류하는 파티클을 아이소 프로필 알코올을 사용한 건조기를 이용하여 제거함으로써 소자의 특성을 향상시킬 수 있는 효과가 있다.
Description
본 발명은 웨이퍼 건조방법에 관한 것으로 특히, 소정의 공정을 거쳐 소정층이 패터닝된 실리콘 기판에 세정공정시 잔류하는 파티클을 건조시 제거하기 위한 웨이퍼 건조방법에 관한 것이다.
일반적으로 반도체 소자의 제조공정중 마스크를 이용하여 패턴을 형성한 다음 감광막 패턴을 제거한 후 실리콘 기판의 표면에 잔류하는 불순물 및 폴리머를 제거하기 위하여 세정공정을 실시한다. 그러나 세정공정 단계에서 순수린스(DI Rinse)시 도 1b에 도시된 바와 같은 결함(Defect)이 발생되는데, 종래의 웨이퍼 건조방법을 설명하면 다음과 같다. 도 1a는 실리콘 기판(1) 상에 절연막(2) 및 소정층(3)을 형성한 후 소정층(3) 상에 감광막 패턴(4)을 형성한 상태를 도시한다. 상기 소정층(3)은 폴리실리콘층 또는 금속층으로 이루어진다. 도 1b는 감광막 패턴(4)을 마스크로 이용하여 소정층(3)을 패터닝한 후 감광막 패턴(4)을 제거하고, 세정공정을 실시한 후 회전 건조기로 건조한상태를 도시한다. 이때, 세정공정 중 순수린스시 발생된 파티클(5)이 소정층 패턴(3A) 상에 잔류하게 된다. 이와 같은 파티클(5)은 탄소로 이루어지며 256M D램급 이상의 소자에서 후속 공정의 브리지(Bridge) 현상을 유발하거나 또는 찌꺼기로 남게 되어 소자의 특성을 저하시키게 된다.
따라서 본 발명은 소정의 공정을 거쳐 소정층이 패터닝된 실리콘 기판에 순수를 이용한 세정공정을 실시한 후 순수린스시 잔류하는 파티클을 아이소 프로필 알코올(IPA)을 사용한 건조기를 이용하여 제거할 수 있는 웨이퍼 건조방법을 제공하는 것을 그 목적으로 한다.
상술한 목적을 실현하기 위한 본 발명에 따른 웨이퍼 건조방법은 소정의 공정을 거친 실리콘 기판 상에 절연막 및 소정층을 형성한 후 소정층 상에 감광막 패턴을 형성하는 단계와, 감광막 패턴을 마스크로 이용하여 소정층을 패터닝한 후 감광막 패턴을 제거하는 단계와, 실리콘 기판에 세정공정을 실시하는 단계와, 세정공정시 발생된 파티클을 아이소 프로필 알코올을 사용한 건조기를 이용하여 제거하는 단계로 이루어지며 상기 소정층은 폴리실리콘층 및 금속층 중 어느 하나로 이루어진다.
도 1a 및 1b는 종래 웨이퍼 건조방법을 설명하기 위한 소자의 단면도.
도 2a 및 2b는 본 발명에 따른 웨이퍼 건조방법을 설명하기 위한 소자의 단면도.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 *
1 및 11 : 실리콘 기판2 및 12 : 접합영역
3 및 13 : 소정층4 및 14 : 감광막 패턴
5 : 파티클
이하, 본 발명에 따른 웨이퍼 건조방법을 첨부한 도면을 참조하여 상세히 설명하면 다음과 같다.
도 2a 및 2b는 웨이퍼 건조방법을 설명하기 위한 소자의 단면도로서, 도 2a는 실리콘 기판(11) 상에 절연막(12) 및 소정층(13)을 형성한 후 소정층(13) 상에 감광막 패턴(14)을 형성한 상태를 도시한다. 상기 소정층(13)은 폴리실리콘층 또는 금속층으로 이루어진다.
도 2b는 감광막 패턴(14)을 마스크로 이용하여 소정층(13)을 패터닝한 후 감광막 패턴(14)을 제거하고, 세정공정을 실시한 후 아이소 프로필 알코올을 사용한 건조기를 이용하여 실리콘 기판(11)을 건조한 상태를 도시한다. 이때, 세정공정 중 순수린스시 발생된 파티클은 탄소가 주성분이므로 아이소 프로필 알코올과 반응하여 제거된다.
상술한 바와 같이 본 발명에 의하면 소정의 공정을 거쳐 소정층이 패터닝된 실리콘 기판에 세정공정을 실시하고, 순수린스시 잔류하는 파티클을 아이소 프로필 알코올을 사용한 건조기를 이용하여 제거함으로써 소자의 특성을 향상시킬 수 있는 효과가 있다.
Claims (2)
- 웨이퍼 건조방법에 있어서,소정의 공정을 거친 실리콘 기판 상에 절연막 및 소정층을 형성한 후 상기 소정층 상에 감광막 패턴을 형성하는 단계와,상기 감광막 패턴을 마스크로 이용하여 상기 소정층을 패터닝한 후 상기 감광막 패턴을 제거하는 단계와,상기 실리콘 기판에 세정공정을 실시하는 단계와,상기 세정공정시 발생된 파티클을 아이소 프로필 알코올을 사용한 건조기를 이용하여 제거하는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 건조방법.
- 제1항에 있어서,상기 소정층은 폴리실리콘층 및 금속층 중 어느 하나로 이루어지는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 건조방법.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019960075164A KR19980055927A (ko) | 1996-12-28 | 1996-12-28 | 웨이퍼 건조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019960075164A KR19980055927A (ko) | 1996-12-28 | 1996-12-28 | 웨이퍼 건조방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR19980055927A true KR19980055927A (ko) | 1998-09-25 |
Family
ID=66396402
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019960075164A KR19980055927A (ko) | 1996-12-28 | 1996-12-28 | 웨이퍼 건조방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR19980055927A (ko) |
-
1996
- 1996-12-28 KR KR1019960075164A patent/KR19980055927A/ko not_active Application Discontinuation
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