KR19980045637A

KR19980045637A - 메모리 모듈 확장장치

Info

Publication number: KR19980045637A
Application number: KR1019960063844A
Authority: KR
Inventors: 최진구
Original assignee: 유기범; 대우통신 주식회사
Priority date: 1996-12-10
Filing date: 1996-12-10
Publication date: 1998-09-15

Abstract

본 발명은 컴퓨터 등에 사용되는 메모리 모듈에서 다양한 메모리 모듈을 수용하여 보다 확장된 메모리 모듈을 구성할 수 있도록 된 메모리 모듈 확장장치에 관한 것으로, 각각 메모리 모듈을 실장하기 위한 소켓이 적어도 하나 이상 설치됨과 더불어 소정의 배선 패턴을 구비하고, 그 일단에 다수의 접속 핀이 설치되어 있는 것을 특징으로 한다.

본 발명에 의하면 기존의 메모리 모듈이나 현재 사용하는 메모리 모듈간에 상호 호환성을 가지게 됨과 더불어 기존의 메모리 모듈로도 보다 확장된 메모리 모듈을 실현할 수 있게 되며, 또한 기존의 메모리 모듈을 재활용 할 수 있게 된다.

Description

메모리 모듈 확장장치

본 발명은 컴퓨터 등에 사용되는 메모리 모듈에 관한 것으로, 특히 다양한 메모리 모듈을 수용하여 보다 확장된 메모리 모듈을 구성할 수 있도록 된 메모리 모듈 확장장치에 관한 것이다.

최근, 컴퓨터에 관련된 기술이 급속도로 발전되면서 그 사용범위도 일반적인 워드프로세서용에서부터 그래픽이나, 또는 대량의 데이터 처리를 위한 것에 이르기까지 폭발적으로 확대되고 있다.

이러한 추세에 걸맞게 많은 데이터를 저장할 수 있는 메모리 분야도 그 집적도의 증가와 더불어 저장량이나 데이터 처리 능력에 있어 비약적으로 발전되고 있다.

일반적으로 컴퓨터용 메모리는 모듈화되어 메인보드상에 실장하도록 구성되어 있다.

도 1은 일반적으로 사용되고 있는 30핀 메모리 모듈의 구성을 나타낸 것으로서, 도1의 (a)는 30핀 메모리 모듈의 외관사시도이고, 도1의 (b)는 도1의 (a)에 도시된 30핀 메모리 모듈의 핀 사양을 나타낸 도표이며, 도 1의 (c)는 도1 (a)에 도시된 메모리 모듈의 내부 회로구성을 나타낸 회로구성도이다.

도1의 (a)에서, 참조번호 10은 PCB(Printed Circuit Board)기판이고, 11은 이 PCB기판(10)상에 실장됨과 더불어 각각 1M bit의 저장용량을 갖춘 메모리장치이며, 12는 본 메모리 모듈을 메인보드상에 실장할 때 메인보드상의 회로와 전기적으로 결합되는 모듈핀이다.

그리고, 상기 모듈핀(12)은 도1의 (b)에 나타낸 바와 같이 메모리 번지의 열을 지정하기 위한 1개의 라스(RAS: Row Address Strobe)핀과, 메모리 번지의 행을 지정하기 위한 1개의 카스(CAS: Colum Address Strobe)핀, 메모리의 번지를 지정하기 위한 10개의 어드레스(ADDRESS)핀, 데이터의 전송을 위한 8개의 데이터(DATA)핀, 데이터를 저장하기 위한 신호가 입력되는 기록 인에이블(WE: Write Enable)핀, 전원공급을 위한 2개의 전원인가(VCC)핀, 접지를 위한 2개의 그라운드(GND)핀, 그리고 데이터 페리티 비트를 위한 피큐(PQ)핀과 피디(PD)핀, 기타 피카스(PCAS)핀, 엔씨(NC)핀 등 모두 30개의 핀으로 구성된다.

한편, 상기한 구성으로 된 상기 메모리 모듈의 동작은 카스신호()와 라스신호()가 인가되는 상태에서 소정의 10비트의 어드레스(ADDRESS) 데이터가 입력되게 되면 해당하는 번지에 저장되어 있는 데이터가 데이터라인(DQ0∼DQ7)을 통해 출력되고, 또한 상기와 같이 카스신호()와 라스신호() 및 10비트의 어드레스데이터가 인가되면서 기록 인에이블신호()가 인가되는 경우에는 해당하는 번지에 데이터라인(DQ0∼DQ7)을 통해 인가되는 데이터가 기록되게 된다.

한편, 도 2는 현재 사용되고 있는 72핀 메모리 모듈의 구성을 나타낸 것으로서, 도2의 (a) 및 (b)는 70핀 메모리 모듈의 전면 및 배면을 나타낸 외관사시도이고, 도2의 (c)는 도2의 (a)에 나타낸 메모리 모듈의 핀 사양을 나타낸 도표이며, 도2의 (d)는 도2의 (a)에 도시된 메모리 모듈의 내부 회로구성을 나타낸 회로구성도이다.

72핀 메모리 모듈에 있어서는 PCB기판(20)상에 8개의 8M비트DRAM(21)과 4개의 1M 비트 DRAM(22)을 구비하여 전체적으로 36M 비트의 저장용량을 갖는다.

또한, 상기 PCB기판(20)의 일측에는 메모리 번지의 열을 지정하기 위한 2개의 라스(RAS)핀과, 메모리 번지의 행을 지정하기 위한 4개의 카스(CAS)핀, 메모리의 번지를 지정하기 위한 10개의 어드레스핀, 데이터의 전송을 위한 36개의 데이터핀, 데이터를 저장하기 위한 신호가 입력되는 1개의 기록 인에이블(WE)핀, 전원공급을 위한 3개의 전원인가(VCC)핀, 접지를 위한 3개의 그라운드(GND)핀, 9개의 엔씨(NC)핀 및, 4개의 피디(PD)핀을 구비한다.

그리고, 상기한 72핀 메모리 모듈의 동작은 상술한 32핀 메모리 모듈과 동일한 방식으로 이루어지는데, 다만 32핀 메모리 모듈의 경우에는 데이터 송수신이 8비트 단위로 실행되는 반면에 72핀 메모리 모듈의 경우에는 데이터 송수신이 32비트 단위로 실행된다.

또한, 상기 데이터 전송에 있어서 패리티 비트가 존재할 경우에는 32핀 메모리 모듈의 경우에는 데이터 송수신이 데이터 8비트, 패리티 1비트, 모두 9비트 단위로 실행되고, 72핀 메모리 모듈의 경우에는 데이터 32비트, 패리티 4비트 모드 36비트 단위로 실행된다.

한편, 최근 컴퓨터 기술이 발전되면서 예컨대, 화상정보 등과 같이 대량의 데이터를 처리할 수 있는 컴퓨터가 개발되고 있는 바, 이러한 컴퓨터에 있어서는 대량의 정보를 저장하고 또한 정보의 입출력이 고속으로 실행될 수 있는 메모리가 요구된다.

따라서, 컴퓨터에 사용되는 메모리 모듈의 경우에는 종래의 30핀 메모리 모듈에서 점차 72핀 메모리 모듈로 그 주력 제품이 변경되고 있고, 이는 다시 168핀 메모리 모듈로 발전될 것으로 예측되고 있다.

그런데, 이와 같이 메모리 모듈의 사용환경이 변경되면 기존의 메모리 모듈은 그 사용처가 상실되게 되는 바, 이는 경제적으로 큰 손실을 초래하게 된다.

이에, 본 발명은 상기한 사정을 감안하여 창출된 것으로서, 다양한 종류의 메모리 모듈을 수용하여 보다 확장된 메모리 모듈을 구성할 수 있도록 된 메모리 모듈 확장장치를 제공함에 그 목적이 있다.

도 1a는 30핀 메모리 모듈의 외관사시도.

도 1b는 도1a에 도시된 30핀 메모리 모듈의 핀 사양을 나타낸 도표.

도 1c는 도1a에 도시된 메모리 모듈의 내부 회로구성을 나타낸 회로구성도.

도 2a는 70핀 메모리 모듈의 전면을 나타낸 외관사시도.

도 2b는 70핀 메모리 모듈의 배면을 나타낸 외관사시도.

도 2c는 도2a에 도시된 메모리 모듈의 핀 사양을 나타낸 도표.

도 2d는 도2a에 도시된 메모리 모듈의 내부 회로구성을 나타낸 회로구성도.

도 3a는 본 발명의 1실시예에 따른 메모리 모듈 확장장치의 구성을 나타낸 외관사시도.

도 3b는 도3a에 도시된 PCB기판(30)상에 배설되는 배선구성을 나타낸 구성도.

도 4는 30핀 메모리 모듈을 조합하여 실현한 168핀 메모리 모듈.

도 5는 72핀 메모리 모듈을 조합하여 실현한 168핀 메모리 모듈.

*** 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 ***

10, 20, 30 : PCB(Printed Circuit Board)기판

11 : 1M bit IC(Intergrated Circuit)

12 : 모듈핀

31∼34 :소켓(socket)

RAS(Row Address Strobe:열) : 라스핀

CAS(Colum Address Strobe:행) : 카스핀

A0∼A11 : 어드레스(ADDRESS)핀

D0∼D63 : 데이터(DATA)핀

WE(Write Enable) : 기록 인에이블핀

상기 목적을 실현하기 위한 본 발명에 따른 메모리 모듈 확장장치는 각각 메모리 모듈을 실장하기 위한 소켓이 적어도 하나 이상 설치됨과 더불어 소정의 배선 패턴을 구비하고, 그 일단에 다수의 접속 핀이 설치되어 있는 것을 특징으로 한다.

상기한 구성으로 된 본 발명에 의하면, 기존의 메모리 모듈이나 현재 사용하는 메모리 모듈간에 상호 호환성을 가지게 됨과 더불어 기존의 메모리 모듈로도 보다 확장된 메모리 모듈을 실현할 수 있게 되며, 또한 기존의 메모리 모듈을 재활용 할 수 있게 된다.

이하, 도면을 참조하여 본 발명에 따른 실시예를 설명한다.

도3의 (a)는 본 발명의 1실시예에 따른 메모리 모듈 확장장치의 구성을 나타낸 것으로, 이는 소정의 회로가 인쇄되어 있는 PCB기판(30)상에 각각 30핀 메모리 모듈을 수용하기 위한 소켓(31∼34)이 실장되고, 이 PCB기판(30)의 일단부에는 마더보드상에 실장되는 72핀 소켓(도시되지 않음)에 대응되도록 72개의 핀(35)이 배설되어 있다.

한편, 도3의 (b)는 상기 PCB기판(30)상에 배설되는 배선구성을 나타낸 것으로, 이는 입출력되는 데이터의 번지를 정하기 위한 12개의 어드레스(ADDRESS)라인이 제1 및 제2, 제3, 제4 소켓(socket)에 각각 공통으로 접속되고, 또한 제1 소켓의 라스(RAS)라인이 제2 소켓의 라스에 접속되어 하나의 핀을 이루며, 제3 소켓의 라스라인도 제4 소켓의 라스에 연결돼 외부로부터 메모리 번지의 열에 대한 명령을 받도록 된 하나의 라스핀을 이룬다.

또한, 데이터 번지의 행에 대한 명령을 받도록 각각의 소켓에 독립적으로 연결된 카스핀(CAS0∼CAS3)과, 외부장치에 데이터를 전송하기 위한 각각의 소켓에 연결된 8개의 데이터 라인(D0∼D7, D8∼D15, D16∼D23, D24∼D31)핀, 각각의 소켓에 구비된 1개의 패리티아웃 라인(PQ0∼PQ3)핀, 그리고 기록 인에이블(WE)핀과 전원인가(Vcc)핀, 그라운드(GND)핀 및 패리티카스(PCAS)핀 등으로 하여 72개 핀을 구성하게 된다.

이어, 도 3을 참조하여 본 발명에 따른 장치의 동작을 설명한다.

먼저, 사용자가 종래에 사용되던 4개의 30핀 메모리 모듈을 본 발명에 따른 메모리 모듈 확장장치에 삽입하고, 이 메모리 모듈(30)을 72핀 메모리 모듈에 장착하여 컴퓨터를 사용하게 되면, 상기 메모리 모듈은 컴퓨터의 중앙처리장치(도시되지 않음)의 제어를 받아 데이터를 메모리하거나 독출하여 리드(READ)하는 동작이 다음과 같이 이루어지게 된다.

상기 중앙처리장치(CPU)의 제어를 받아 상기 메모리 모듈에 데이터가 저장된다고 할 때, 먼저는 카스(CAS:행) 신호와 어드레스(ADDRESS) 신호를 동시에 받게 되어 행에 대한 번지가 정하여지게 된다. 상기 행에 대한 번지의 지정은 각각의 소켓에 지정된 카스핀(CAS0∼CAS3)중 하나가 선택되어지게 되는데, 하나의 소켓에는 종래 3개의 카스핀이 하나의 카스핀을 이루므로 상기 하나의 카스핀을 통해 메모리되는 양이 확장되게 된다.

다음으로 라스(RAS:열)신호와 어드레스(ADDRESS) 신호를 동시에 받게되고 해당하는 열에 대한 번지가 정하여져 상기 중앙처리장치로부터 받은 데이터를 메모리하게 된다. 상기 열에 대한 번지의 지정은 두 소켓의 라스가 하나의 라스핀을 이룬 두 개의 라스핀에 지정되므로, 이는 열에 대한 번지도 종래에 비해 확장되어 지정되게 된다.

한편, 상기 메모리 장치에서 데이터를 리드(READ)할 때도 상기와 마찬가지로, 먼저는 카스(CAS:행) 신호와 어드레스 신호를 동시에 받아서 중앙처리장치의 지정 명령에 따라 해당하는 번지의 행이 정하여지게 되며, 다음으로 라스(RAS:열)신호와 어드레스 신호를 동시에 받아서 해당하는 번지의 열이 정하여지게 되어 상기 지정되어진 행과 열 번지에서 해당하는 데이터를 리드하게 되는 것이다.

또한, 본 발명은 상기 실시예에 한정하지 않고 본 발명의 기술적 요지를 벗어나지 않는 범위내에서 다양하게 변경 실시할 수 있다.

예컨대, 상기 실시예에 있어서는 30핀 메모리 모듈을 이용하여 72핀 메모리 모듈을 실현하였으나, 본 발명은 도 4에 나타낸 바와 같이 30핀 메모리 모듈을 8개 조합하여 168핀 메모리 모듈을 실현하거나, 또는 도 5에 나타낸 바와 같이 72핀 메모리 모듈을 4개 조합하여 168핀 메모리 모듈을 실현하는 경우에도 동일한 방식으로 적용할 수 있게 된다.

본 발명에 따른 메모리모듈 확장장치에 의하면, 기존의 메모리 모듈이나 현재 사용하는 메모리 모듈간에 상호 호환성을 가지게 됨과 더불어 기존의 메모리 모듈로도 보다 확장된 메모리 모듈을 실현할 수 있게 되며, 또한 기존의 메모리 모듈을 재활용 할 수 있게 된다.

Claims

각각 메모리 모듈을 실장하기 위한 소켓이 적어도 하나 이상 설치됨과 더불어 소정의 배선 패턴을 구비하고, 그 일단에 다수의 접속 핀이 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 메모리 모듈 확장장치.