KR19980044247A - Molding method of semiconductor package - Google Patents

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Abstract

본 발명은 반도체 패키지의 몰딩방법에 관한 것으로, 원자재검사, 소잉공정, 반도체칩 본딩공정, 와이어 본딩공정, 몰딩공정으로 이루어지는 반도체 패키지의 제조공정에 있어서, 상기 몰딩공정 전에 수지봉지재의 저면으로 노출되는 리드에 미리 테이프를 부착시키는 테이프 부착공정을 포함하여 몰딩공정 후에 발생되는 프래쉬(Flash)를 방지하도록 함으로서 패키지의 불량을 방지함은 물론, 패키지의 성능을 향상시켜서, 패키지를 경박단소화 하여 고집적화 및 고성능화 할 수 있도록 된 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a molding method of a semiconductor package, wherein the manufacturing method of a semiconductor package including a raw material inspection, a sawing process, a semiconductor chip bonding process, a wire bonding process, and a molding process is exposed to the bottom surface of the resin encapsulant before the molding process. Including the tape attaching process to attach the tape to the lead in advance to prevent the flash generated after the molding process, it prevents defects of the package and improves the performance of the package. It is to enable high performance.

Description

반도체 패키지의 몰딩방법Molding method of semiconductor package

본 발명은 반도체 패키지의 몰딩방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 입출력 단자가 패키지의 저면으로 노출되는 반도체 패키지를 몰딩할 때 프래쉬(Flash)의 발생을 방지하도록 함으로서 패키지의 불량을 방지함은 물론, 패키지의 성능을 향상시켜, 패키지를 경박단소화 하여 고집적화 및 고성능화 할 수 있도록 된 것이다.The present invention relates to a method of molding a semiconductor package, and more particularly, to prevent the occurrence of a flash (Flash) when molding the semiconductor package exposed to the bottom surface of the package, as well as to prevent defects of the package, By improving the performance of the package, the package can be made lighter and thinner for high integration and high performance.

일반적으로 반도체패키지는 그 종류에 따라 수지밀봉 패키지, TCP(Tape Carrier Package)패키지, 글래스밀봉 패키지, 금속밀봉 패키지 등이 있다. 이와같은 반도체 패키지는 실장방법에 따라 삽입형과 표면실장(Surface Mount Technology, SMT)형으로 분류하게 되는데, 삽입형으로서 대표적인 것은 DIP(Dual In-line Package), PGA(Pin Grid Array) 등이 있고, 표면실장형으로서 대표적인 것은 QFP(Quad Flat Package), PLCC(Plastic Leaded Chip Carrie), CLCC(Ceramic Leaded Chip Carrier), BGA(Ball Grid Array) 등이 있다.Generally, semiconductor packages include resin sealing packages, tape carrier packages (TCP), glass sealing packages, and metal sealing packages. Such semiconductor packages are classified into insertion type and surface mount technology (SMT) type according to the mounting method. Representative types of insertion type include DIP (Dual In-line Package) and PGA (Pin Grid Array). Typical examples of the mounting type include QFP (Quad Flat Package), PLCC (Plastic Leaded Chip Carrie), CLCC (Ceramic Leaded Chip Carrier), and BGA (Ball Grid Array).

최근에는 전자제품의 소형화에 따라 인쇄회로기판의 부품 장착도를 높이기 위해서 삽입형 반도체패키지 보다는 표면실장형 반도체패키지가 널리 사용되고 있는데, 이러한 종래의 패키지에 대한 구조를 도 1과 도 2를 참조하여 QFP와, BGA패키지에 대하여 설명하면 다음과 같다.Recently, in order to increase the mounting degree of components of a printed circuit board according to the miniaturization of electronic products, surface mount type semiconductor packages are widely used rather than insert type semiconductor packages. The structure of such a conventional package is described with reference to FIGS. 1 and 2. The following describes the BGA package.

도 1은 종래의 일반적인 반도체 패키지의 QFP로서, 그 구조는 전자회로가 집적되어 있는 반도체칩(11)과, 상기 반도체칩(11)이 에폭시(16)에 의해 부착되는 탑재판(15)과, 상기 반도체칩(11)의 신호를 외부로 전달할 수 있는 다수의 리드(12)와, 상기 반도체칩(11)과 리드(12)를 연결시켜 주는 와이어(13)와, 상기 반도체칩(11)과 그 외 주변구성품들을 외부의 산화 및 부식으로부터 보호하기 위하여 그 외부를 감싼 수지봉지지(14)로 이루어지는 것이다.1 is a QFP of a conventional general semiconductor package, the structure of which is a semiconductor chip 11 in which an electronic circuit is integrated, a mounting plate 15 to which the semiconductor chip 11 is attached by an epoxy 16, and A plurality of leads 12 capable of transmitting signals of the semiconductor chip 11 to the outside, wires 13 connecting the semiconductor chips 11 and the leads 12, the semiconductor chips 11, In order to protect other peripheral components from external oxidation and corrosion, it is made of a resin rod support 14 wrapped around the outside thereof.

그러나, 상기의 QFP는 반도체칩이 점차적으로 고성능화되어 가면서 핀의 수가 더욱 더 많아지게 되는데 비하여, 핀과 핀 사이의 거리를 일정치 이하로 좁히는 것은 기술적으로 어려움이 있기 때문에 많은 핀을 모두 수용하기 위해서는 패키지가 커지게 되는 단점이 있다. 이것은 반도체패키지의 소형화 추세에 역행하는 결과를 낳는 문제점이 있는 것이다.However, the above QFP has a higher number of pins as the semiconductor chip is gradually improved in performance. However, it is technically difficult to narrow the distance between the pins to a certain value or less. The disadvantage is that the package becomes large. This is a problem that results in the contrary to the trend of miniaturization of semiconductor packages.

이와같이 다핀화에 따른 기술적 요구를 해결하기 위해서 등장한 것이 BGA패키지로서, 이는 입출력 수단으로서 반도체패키지의 일면전체에 융착된 솔더볼을 이용함으로써 QFP 보다 많은 수의 입출력 신호를 수용할 수 있음은 물론, 그 크기도 QFP 보다 작게 형성된 것이다.The BGA package, which emerged to solve the technical demands of the multi-pinning method, can accept a larger number of input / output signals than the QFP by using solder balls fused to the entire surface of the semiconductor package as an input / output means. Is smaller than QFP.

이러한 BGA 패키지의 구성은 도 2에 도시된 바와 같이 표면에 회로패턴(25a)이 형성되고, 이 회로패턴(25a)을 보호하기 위해 솔더마스크(25b)가 코팅된 회로기판(25)과, 상기 회로기판(25)의 상면 중앙에 부착된 반도체칩(21)과, 상기 반도체칩(21)과 상기 회로기판(25)의 회로패턴(25a)을 전기적으로 연결하여 신호를 전달하는 와이어(23)와, 상기 회로기판(25)의 회로패턴(25a)에 융착되어 외부로 신호를 전달하는 솔더볼(22)과, 상기 반도체칩(21)과 그 외 주변구성품들을 외부의 산화 및 부식으로부터 보호하기 위하여 그 외부를 감싼 수지봉지제(24)로 구성되는 것이다.As shown in FIG. 2, the BGA package includes a circuit board 25 having a circuit pattern 25a formed thereon, and a solder mask 25b coated thereon to protect the circuit pattern 25a. The semiconductor chip 21 attached to the center of the upper surface of the circuit board 25 and the wire 23 for electrically connecting the semiconductor chip 21 and the circuit pattern 25a of the circuit board 25 to transmit a signal. And solder balls 22 fused to the circuit patterns 25a of the circuit board 25 to transmit signals to the outside, and to protect the semiconductor chip 21 and other peripheral components from external oxidation and corrosion. It consists of a resin encapsulation agent 24 wrapped around the outside.

그러나, 이러한 BGA패키지는 내부에 내장된 반도체칩의 크기에 비해서 패키지의 크기가 몇 배 이상 크기 때문에 전자제품들을 소형화시키기에는 한계가 있었던 것이다. 또한, 상기의 BGA패키지는 회로기판이 고가이므로 제품의 가격이 상승되는 요인이 됨은 물론, 상기 회로기판을 통해서 습기가 침투됨으로써 크랙이 발생하게 되는 문제점이 있다.However, such a BGA package has a limitation in miniaturizing electronic products because the package size is several times larger than the size of a semiconductor chip embedded therein. In addition, the BGA package has a problem that the price of the product is increased because the circuit board is expensive, as well as cracks are generated by the penetration of moisture through the circuit board.

이와 같은 문제점을 해결하기 위하여, BGA 방식이 아니면서도 기판 접속리드를 패키지의 외부로 돌출 시키지 않고 패키지의 하면으로 노출시킴으로써 실장면적을 줄임과 동시에, 반도체 패키지의 크기를 반도체칩의 크기로 형성하여 패키지를 경박단소화 한 BLP(Bottom Leaded Package)형 CSP(Chip Scale Package)가 도 3에 도시되어 있다.In order to solve such a problem, the mounting area is reduced by exposing the board connection lead to the bottom surface of the package without protruding the outside of the package without forming a BGA method, and the size of the semiconductor package is formed as the size of the semiconductor chip. A BLP (Bottom Leaded Package) type Chip Scale Package (CSP) having a light weight and short size is shown in FIG. 3.

이러한 종래의 BLP형 CSP의 구조는 전자회로가 집적되어 있는 반도체칩(31)과, 상기 반도체칩(31)을 지지함과 아울러 반도체칩(31)의 신호를 외부로 전기적 접속 경로를 이루는 리드(32)와, 상기 반도체칩(31)을 전기적으로 연결시키는 와이어(33)와, 상기의 반도체칩(31), 리드(32)및 와이어(33)를 외부환경으로 부터 보호하기 위한 수지봉지재(34)를 포함하며, 상기의 리드(32)는 내측으로 수지봉지재(34)의 저면에 노출되도록 리드(32)를 절곡 형성하여서 된 것이다.The structure of the conventional BLP type CSP includes a semiconductor chip 31 in which an electronic circuit is integrated, a lead that supports the semiconductor chip 31 and forms an electrical connection path to an external signal of the semiconductor chip 31 ( 32, a wire 33 electrically connecting the semiconductor chip 31, and a resin encapsulant for protecting the semiconductor chip 31, the lead 32, and the wire 33 from an external environment ( 34), and the lead 32 is formed by bending the lead 32 to be exposed to the bottom surface of the resin encapsulant 34 inward.

그러나, 상기한 BLP형 CSP는 리드(32)를 절곡하여 수지봉지재(34)의 저면 외부로 노출되도록 되어 이 노출된 리드(32)를 입출력 단자로 사용하는데, 이는 프래쉬가 발생되어 즉, 수지봉지재(34)가 리드(32)의 노출된 부분을 가리게 되는 등의 이유로 불량이 발생되는 문제점이 있었던 것이다.However, the BLP type CSP is bent the lead 32 to be exposed to the outside of the bottom surface of the resin encapsulant 34, so that the exposed lead 32 is used as an input / output terminal. There was a problem that a defect occurs because the encapsulant 34 covers the exposed portion of the lid 32.

본 발명의 목적은 이와같은 문제점을 해결하기 위하여 발명된 것으로서, 입출력 단자가 패키지의 저면으로 노출되는 반도체 패키지를 수지봉지재로 몰딩할 때 프래쉬(Flash)의 발생을 방지하도록 한 반도체 패키지의 몰딩방법을 제공함에 있다.An object of the present invention has been invented to solve such a problem, a molding method of a semiconductor package to prevent the occurrence of flash (Flash) when molding the semiconductor package exposed to the bottom surface of the package with a resin encapsulation material. In providing.

도 1은 종래의 일반적인 반도체 패키지의 구조를 나타낸 단면도1 is a cross-sectional view showing the structure of a conventional semiconductor package in the related art

도 2는 종래의 BGA패키지의 구조를 나타낸 단면도Figure 2 is a cross-sectional view showing the structure of a conventional BGA package

도 3은 종래의 BLP형 CSP의 구조를 나타낸 단면도Figure 3 is a cross-sectional view showing the structure of a conventional BLP type CSP

도 4는 본 발명에 따른 몰딩공정 전의 상태를 나타낸 패키지의 단면도Figure 4 is a cross-sectional view of a package showing a state before the molding process according to the present invention

도 5는 본 발명에 따른 몰딩공정 후의 상태를 나타낸 패키지의 단면도5 is a cross-sectional view of a package showing a state after the molding process according to the present invention.

* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 *Explanation of symbols on the main parts of the drawings

41:반도체칩42:리드41: semiconductor chip 42: lead

43:와이어44:수지봉지재43: wire 44: resin encapsulant

45:테이프45: Tape

이하, 본 발명을 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

본 발명에 따른 반도체 패키지의구조는 전자회로가 집적되어 있는 반도체칩(41)과, 상기 반도체칩(41)의 신호를 전기적으로 접속시키는 와이어(43)와, 상기 와이어(43)에 연결되어 반도체칩(41)의 신호를 외부로 전달하는 리드(42)와, 상기의 반도체칩(41), 와이어(43) 및 리드(42)를 외부환경으로 부터 보호하기 위하여 몰딩된 수지봉지재(44)를 포함하며, 상기의 리드(42)는 수지봉지재(44)의 저면으로 다수의 열과 행을 가지면서 배열되도록 노출된 반도체 패키지이다.The structure of the semiconductor package according to the present invention includes a semiconductor chip 41 in which an electronic circuit is integrated, a wire 43 for electrically connecting signals of the semiconductor chip 41, and a semiconductor connected to the wire 43. A lead 42 for transmitting the signal of the chip 41 to the outside, and a molded resin encapsulant 44 to protect the semiconductor chip 41, the wire 43, and the lead 42 from an external environment. The lead 42 is a semiconductor package exposed to be arranged with a plurality of columns and rows on the bottom surface of the resin encapsulant 44.

이와같이 구성된 반도체 패키지의 제조공정은 크게 웨이퍼의 불량을 체크하는 원자재검사, 웨이퍼를 절단하여 반도체칩(41)을 낱개로 분리하는 소잉공정, 낱개로 분리된 반도체칩(41)을 리드프레임에 부착시키는 반도체칩 본딩공정, 반도체칩(41)의 신호를 리드(42)에 전기적으로 접속시키는 와이어 본딩공정, 반도체칩(41)와 와이어(43) 및 리드(42)를 외부환경으로 부터 보호하기 위하여 수지봉지재로 감싸는 몰딩공정 등으로 이루어진다.The manufacturing process of the semiconductor package structured as described above is a raw material inspection to check wafer defects largely, a sawing process of cutting the wafer to separate the semiconductor chips 41 individually, and attaching the separated semiconductor chips 41 to the lead frame. A semiconductor chip bonding process, a wire bonding process for electrically connecting a signal of the semiconductor chip 41 to the lead 42, and a resin for protecting the semiconductor chip 41, the wire 43, and the lead 42 from the external environment. It consists of a molding process and the like wrapped with an encapsulant.

이때, 상기 몰딩공정 후에는 프래쉬(Flash)가 발생되어 패키지의 불량을 초래하는데, 이와같은 프래쉬를 방지하기 위하여 상기 몰딩공정 전에 미리 수지봉지재(44)의 저면으로 노출되는 리드(42)에 테이프(45)를 부착시키는 테이프 부착공정을 포함함으로서, 몰딩공정 후에 발생되는 프래쉬를 방지할 수 있는 것이다.In this case, after the molding process, a flash is generated to cause a defect of the package. In order to prevent such a flash, the tape on the lead 42 exposed to the bottom surface of the resin encapsulant 44 before the molding process is prevented. By including the tape attaching step of attaching (45), the flash generated after the molding step can be prevented.

상기의 테이프(45)는 자외선 테이프(Ultra-Violet Tape), 열경화성 테이프(Thermoset Tape) 또는 열가소성 테이프(Thermoplastic Tape) 등을 사용할 수 있는 것으로, 이러한 테이프(45)를 몰딩 공정 후에 제거하기 위해서는, 상기의 자외선 테이프는 자외선을 조사하여 용이하게 제거할 수 있는 것이고, 상기의 열 경화성이나, 열 가소성 테이프는 화학약품을 사용하여 용이하게 제거할 수 있는 것이다. 또한, 이러한 테이프(45)는 수지봉지재(44)의 저면 전체에 부착되거나, 수지봉지재(44)의 저면으로 노출되는 리드(42)에만 부착될 수 있는 것이다.The tape 45 may be an ultraviolet-ray tape, a thermoset tape, a thermoplastic tape, or the like. In order to remove the tape 45 after the molding process, the tape 45 may be used. The ultraviolet ray tape of the present invention can be easily removed by irradiation with ultraviolet rays, and the above-mentioned thermosetting or thermoplastic tape can be easily removed using a chemical agent. In addition, the tape 45 may be attached to the entire bottom surface of the resin encapsulant 44 or may be attached only to the lead 42 exposed to the bottom surface of the resin encapsulant 44.

이와같이 몰딩공정 전에 수지봉지재(44)의 저면으로 노출되는 리드(42)에 테이프(45)를 부착시킨 상태로 몰딩공정을 하고, 테이프(45)를 제거함으로서 몰딩공정시에 발생되는 프래쉬를 완전히 방지할 수 있는 것이다.As such, the molding process is performed with the tape 45 attached to the lid 42 exposed to the bottom surface of the resin encapsulant 44 before the molding process, and the tape 45 is removed to completely remove the flash generated during the molding process. It can be prevented.

이상의 설명에서와 같은 본 발명에 의하면, 입출력 단자가 패키지의 저면으로 노출되는 반도체 패키지를 수지봉지재로 몰딩할 때 프래쉬의 발생을 방지하도록 미리 테이프를 리드에 부착시킨 상태로 몰딩함으로서 불량을 방지하고, 패키지의 성능을 향상시키며, 고집적화 및 고성능화 할 수 있는 효과가 있다.According to the present invention as described above, when molding the semiconductor package exposed to the bottom surface of the package with the resin encapsulant to prevent the occurrence of a flash when molding the tape attached to the lead in advance to prevent defects In addition, it improves the package performance and has the effect of high integration and high performance.

Claims (3)

원자재검사, 소잉공정, 반도체칩 본딩공정, 와이어 본딩공정, 몰딩공정으로 이루너지는 반도체 패키지의 제조공정에 있어서, 상기 몰딩공정 전에 수지봉지재의 저면으로 노출되는 리드에 미리 테이프를 부착시키는 테이프 부착공정을 포함하여 몰딩공정 후에 발생되는 프래쉬(Flash)를 방지하도록 된 반도체 패키지의 몰딩방법.In the manufacturing process of a semiconductor package consisting of raw material inspection, sawing process, semiconductor chip bonding process, wire bonding process, and molding process, a tape attaching process for attaching the tape to the lead exposed to the bottom surface of the resin encapsulation material before the molding process Molding method of a semiconductor package to prevent the flash (Flash) generated after the molding process, including. 청구항 1에 있어서, 상기의 테이프 부착공정은 수지봉지재의 저면 전체에 부착하는 것을 특징으로 하는 반도체 패키지의 몰딩방법.The method of molding a semiconductor package according to claim 1, wherein the tape attaching step is attached to the entire bottom surface of the resin encapsulant. 청구항 1에 있어서, 상기의 테이프는 자외선 테이프(Ultra-Violet Tape), 열경화성 테이프(Thermoset Tape) 또는 열 가소성 테이프(Thermoplastic Tape)를 사용하는 것을 특징으로 하는 반도체 패키지의 몰딩방법.The method of claim 1, wherein the tape is formed of an ultra-violet tape, a thermoset tape, or a thermoplastic tape.
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