KR19980041650A - 반도체처리장치 - Google Patents

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히로키츠토무
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히가시데츠로
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Abstract

본 발명은 LCD기판이나 반도체웨이퍼에 반도체처리를 실시하기 위한 반도체처리장치에 관한 것으로서,
반도체처리장치에 있어서, 제 1 간격에서 복수의 피처리기판을 상하로 정렬하여 수납하는 수납카세트와 기판에 반도체처리를 실시하기 위한 처리부의 사이에서 외부반송기구에 의해 기판이 반송되고, 외부반송기구는 각각 기판의 하나를 지지 가능한 제 1 및 제 2 지지면을 규정하는 동시에 상대적으로 상하운동 가능한 제 1 및 제 2 아암을 갖고, 제 1 및 제 2 아암을 상대적으로 이동시켜서 제 1 및 제 2 지지면의 상하방향의 간격을 조정하기 위해 간격어져스터가 설치되며, 또 제 1 및 제 2 아암을 수납카세트에 대면하는 위치와 처리부에 대면하는 위치의 사이에서 이동시키기 위해 아암구동베이스가 설치되고, 제 1 및 제 2 아암의 각각의 상하방향의 두께는 제 1 간격보다도 작고, 또 제 1 및 제 2 아암은 간격어져스터에 의해 수평방향으로 겹쳐지는 중합상태로 설정 가능하며 제 1 및 제 2 아암의 동시조작에 의해 수납카세트에 대하여 처리완료의 기판과 미처리의 기판의 교체동작을 동시에 실시할 수 있는 것을 특징으로 한다.

Description

반도체처리장치
본 발명은 LCD(Liquid Crystal Display)기판이나 반도체웨이퍼에 반도체처리를 실시하기 위한 반도체처리장치에 관한 것이다. 여기에서 반도체처리란 LCD기판, 반도체웨이퍼 등의 피처리기판상에 반도체디바이스를 제조하기 위해 실시되는 여러가지 처리를 의미한다.
종래부터 예를 들면 LCD기판의 제조공정에 있어서는 감압분위기하에서 LCD기판에 대하여 에칭이나 어싱 등의 소정의 처리를 실시하는 진공처리용기를 복수 구비한, 이른바 멀티챔버형의 진공처리장치가 사용되고 있다.
이와 같은 멀티챔버형의 진공처리장치는 각 처리실과 게이트밸브를 통하여 인접한 반송실과, 반송실과 게이트밸브를 통하여 인접한 로드록실을 갖는다. 또한 진공처리장치는 LCD기판을 다수 수용한 대기분위기에 놓여져 있는 카세트로부터 1장씩 LCD기판을 꺼내어 로드록실에 반송하는 반송아암 등의 외부반송기구와, 감압분위기에 있는 반송실내에 설치되어 로드록실과 각 처리실의 사이에서 LCD기판을 반송하는 내부반송기구를 갖는다.
이와 같은 LCD기판의 진공처리장치에 있어서는 일정한 시간내에 가능한 한 많은 기판을 처리하는 것, 즉 시스템효율을 가능한 한 높이는 것이 요구되고 있다. 멀티챔버형으로 되어 있는 것도 동시에 복수의 기판을 처리하여 시스템효율을 향상시키기 위함이다.
반송계에 있어서도 당연히 시스템효율의 향상이 요구되고 있다. 그 때문에 외부반송기구로서 LCD기판을 직접 지지하는 상하 2단의 아암을 갖는 것이 사용되고 상단에 미처리기판, 하단에 처리완료기판을 재치하여 이를 지지하게 되어 있다.
처리완료기판을 카세트내로 반송하고 다음의 미처리기판을 카세트로부터 꺼낼 때에는 우선 하아암이 카세트내의 소정의 슬롯내에 진출하고 반송아암 전체가 소정분 강하하여 처리완료기판을 해당 슬롯내의 재치부분에 재치시키고, 다음으로 하아암이 일단 카세트밖으로 퇴피한다. 계속해서 반송아암 전체가 상승하고 이번에는 상아암이 소정의 슬롯내에 진출한다. 다음으로 또한 반송아암 전체가 상승하여 슬롯의 재치부에 재치되어 있는 미처리기판을 상아암으로 지지한다. 그리고 상아암을 카세트내로부터 퇴피시킨다.
그러나 이와 같은 기판의 반출입조작에서도 시간단축에는 한계가 있으며, 더한층의 시스템효율의 향상이 요구되고 있다.
또 내측반송기구에 상하 2단의 반송아암을 이용하여 진공처리실내의 서셉터에 액세스하는 경우는 다음과 같은 순서를 취하고 있다. 우선 상아암에 미처리기판을 재치한 상태에서 반송아암을 진공처리실내에 진출시킨다. 그리고 하아암을 진출시켜서 서셉터로부터 처리완료기판을 받은 후 하아암을 퇴피시키며, 다음으로 상아암을 진출시켜서 미처리기판을 서셉터상에 반송한다.
그러나 이와 같은 기판의 교환동작에서도 시간단축에도 일정한 한계가 있으며, 더한층의 시스템효율향상이 요구되고 있다.
따라서 본 발명은 피처리기판의 반송효율을 향상시킴으로써 시스템효율이 높은 반도체처리장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명의 제 1 시점에 관련되는 반도체처리장치는,
제 1 간격으로 복수의 피처리기판을 상하로 정렬하여 수납하는 수납부와,
상기 수납부로부터 상기 기판을 꺼내기 위한 외부반송기구와,
상기 외부반송기구에 의해 상기 기판을 반입시키는 동시에 상기 기판에 반도체처리를 실시하기 위한 처리부를 구비하고, 여기에서 상기 외부반송기구가,
각각 상기 기판의 하나를 지지 가능한 제 1 및 제 2 지지면을 규정하는 동시에 상대적으로 상하운동 가능한 제 1 및 제 2 아암과,
상기 제 1 및 제 2 아암을 상대적으로 이동시켜서 상기 제 1 및 제 2 지지면의 상하방향의 간격을 조정하기 위한 간격어져스터와,
상기 제 1 및 제 2 아암을 상기 수납부에 대면하는 위치와 상기 처리부에 대면하는 위치의 사이에서 이동시키기 위한 아암구동베이스를 갖고, 상기 제 1 및 제 2 아암의 각각의 상하방향의 두께는 상기 제 1 간격보다도 작고, 또 상기 제 1 및 상기 제 2 아암은 상기 간격어져스터에 의해 수평방향으로 겹쳐지는 중합상태로 설정 가능한 것을 구비한다.
본 발명의 제 2 시점에 관련되는 반도체처리장치는,
복수의 피처리기판을 상하로 정렬하여 수납하는 수납부와,
상기 수납부로부터 상기 기판을 꺼내기 위한 외부반송기구와,
상기 외부반송기구에 의해 상기 기판을 반입시키는 동시에 상기 기판에 반도체처리를 실시하기 위한 처리부를 구비하고, 여기에서 상기 처리부가,
상기 기판의 하나를 재치하기 위한 재치대와,
상기 기판의 하나를 상기 재치대 윗쪽의 제 1 위치에서 지지하기 위한 진출상태와 퇴각상태의 사이에서 상태를 전환 가능한 제 1 지지부재와,
상기 기판의 하나를 상기 재치대 윗쪽의 제 2 위치에서 지지하기 위한 진출상태와 퇴각상태의 사이에서 상태를 전환 가능한 제 2 지지부재와, 상기 제 1 및 제 2 위치는 상하로 겹쳐지도록 배치되는 것과,
상기 재치대에 대하여 상기 기판을 반출입하기 위한 내부반송기구와, 상기 내부반송기구는 각각 상기 기판의 하나를 지지 가능하며, 또한 각각 상기 제 1 및 제 2 위치에 대응하여 상하로 겹쳐 쌓여지는 제 1 및 제 2 지지부를 갖는 반송부재를 구비하는 것을 구비하고,
여기에서 상기 기판의 하나인 제 1 기판이 상기 반송부재의 상기 제 1 지지부에 지지되고, 또한 상기 기판의 다른 하나인 제 2 기판이 상기 제 2 지지부재에 의해 지지되고 있는 상태에 있어서, 상기 반송부재가 상기 재치대의 윗쪽의 소정 위치에 진출하고 있는 사이에 상기 제 1 및 제 2 지지부재가 상기 반송부재에 대하여 상대적으로 상하 역방향으로 이동됨으로써 상기 제 1 기판이 상기 제 1 지지부로부터 상기 제 1 지지부재에 수수되는 동시에 상기 제 2 기판이 상기 제 2 지지부재로부터 상기 제 2 지지부에 수수된다.
본 발명의 제 3 시점에 관련되는 반도체처리장치는,
복수의 피처리기판을 상하로 정렬하여 수납하는 수납부와,
상기 수납부로부터 상기 기판을 꺼내기 위한 외부반송기구와, 상기 외부반송기구가 각각 상기 기판의 하나를 지지 가능하며, 또한 상하로 겹쳐 쌓여지는 제 1 및 제 2 지지면을 규정하는 제 1 및 제 2 아암을 갖는 것과,
상기 제 1 및 제 2 아암에 의해 게이트를 통하여 액세스 가능하며, 또한 감압분위기로 설정 가능한 제 1 로드록실과,
상기 제 1 로드록실에 게이트를 통하여 접속되며, 또한 감압분위기로 설정 가능한 반송실과,
상기 반송실에 게이트를 통하여 접속되며, 또한 감압분위기에서 반도체처리를 실시하기 위한 제 1 처리실과,
상기 제 1 로드록실과 상기 제 1 처리실의 사이에서 상기 기판을 반송하기 위해 상기 반송실내에 설치된 내부반송기구와, 상기 내부반송기구는 각각 상기 기판의 하나를 지지 가능하며, 또한 상하로 겹쳐 쌓여지는 제 1 및 제 2 지지부를 갖는 반송부재를 구비하는 것을 구비하고, 여기에서 상기 로드록실이 각각 상기 기판의 하나를 지지 가능하며, 또한 상하로 겹쳐 쌓여지는 제 1 및 제 2 지지레벨을 갖는 동시에 상기 제 1 및 제 2 레벨을 관통하여 상하로 이동 가능하며, 또한 협동하여 상기 기판의 하나를 지지 가능한 복수의 지지핀을 구비한다.
도 1은 본 발명의 실시형태에 관련되는 진공처리장치의 개관을 나타내는 사
시도.
도 2는 도 1에 도시한 장치의 내부를 나타내는 개략횡단평면도.
도 3은 도 1에 도시한 장치의 외부반송기구에 있어서 상포크와 하포크가 분
리한 상태를 나타내는 사시도.
도 4는 도 3에 도시한 반송기구에 있어서 상포크와 하포크가 겹쳐진 상태
를 나타내는 사시도.
도 5는 도 1에 도시한 장치의 로드록실내에 설치된 버퍼랙 및 포지셔너를 나
타내는 사시도.
도 6 및 도 7은 도 3에 도시한 반송기구에 의해 카세트로부터 미처리기판을
꺼내는 모양을 나타내는 설명도.
도 8 내지 도 11은 도 3에 도시한 반송기구에 의해 로드록실에 대하여 미처
리기판과 처리완료기판의 교체동작을 실시하는 모양을 나타내는
설명도.
도 12 내지 도 15는 도 3에 도시한 반송기구에 의해 카세트에 대하여 미처리
기판과 처리완료기판의 교체동작을 실시하는 모양을 나타내는 설
명도.
도 16은 도 3에 도시한 반송기구에 의해 카세트에 처리완료기판을 수납하는
모양을 나타내는 설명도.
도 17은 본 발명의 변경예에 관련되는 외부반송기구를 나타내는 사시도.
도 18은 본 발명의 다른 실시형태에 관련되는 진공처리장치의 개관을 나타내
는 사시도.
도 19는 도 18에 도시한 장치의 내부를 나타내는 개략횡단평면도.
도 20은 도 18에 도시한 장치의 반송실내에 설치된 반송기구 및 버퍼틀체를
나타내는 사시도.
도 21 내지 도 24는 도 18에 도시한 장치의 처리실에 있어서의 기판의 교환
조작을 설명하기 위한 도면.
도 25A, B는 도 18에 도시한 장치의 처리실에 있어서 미처리기판을 지지하는
지지부재의 동작을 나타내는 도면.
도 26은 도 18에 도시한 장치의 처리실에 있어서 미처리기판을 지지하는 지
지부재의 변형예를 나타내는 도면.
도 27A, B는 도 26에 도시한 지지부재의 동작을 나타내는 도면.
도 28은 본 발명의 또한 다른 실시형태에 관련되는 진공처리장치의 개관을
나타내는 사시도.
도 29는 도 28에 도시한 장치의 내부를 나타내는 개략횡단평면도.
도 30은 도 28에 도시한 장치의 내부를 나타내는 개략측면도.
도 31은 도 28에 도시한 장치의 로드록실의 내부를 나타내는 개략사시도.
도 32는 도 28에 도시한 장치에 있어서의 기판의 반송시퀀스를 차례로 나타
내는 설명도이다.
※도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
1: 진공처리장치 2, 4, 6:처리실
3: 로드록실 5: 반송실
8: 지지대 10: 서셉터
11: 지지핀 20: 반송기구
22: 승강샤프트 23: 제 1 아암
24: 제 2 아암 27: 샤프트
30: 버퍼랙 32, 33: 선반
35: 포지셔널 36: 서포트
41: 카세트인덱서 42: 카세트
43: 승강기구 70: 버퍼틀체
도 1은 본 발명의 실시형태에 관련되는 진공처리장치의 개관을 나타내는 사시도, 도 2는 그 내부를 나타내는 개략횡단평면도이다.
이 실시형태에 관련되는 진공처리장치(1)는 유리제의 LCD기판상에 반도체디바이스 등을 형성하기 위한 에칭처리 및 어싱처리를 실시하도록 멀티채널형으로 구성된다. 처리장치(1)의 중앙부에는 게이트밸브(9a)를 통하여 접속된 반송실(5)과 로드록실(3)이 설치된다. 반송실(5)은 평면이 대략 정방형이며 로드록실(3)과 면하지 않는 남은 측면에는 개구부를 기밀하게 시일하고, 또한 개폐 가능한 게이트밸브(9a)를 통하여 3개의 처리실(2, 4, 6)이 각각 접속된다.
각 처리실(2, 4, 6)에는 소정의 처리가스를 공급하기 위한 공급수단과, 실내를 배기하기 위한 배기수단이 접속되고, 따라서 각 처리실(2, 4, 6)은 임의의 감압분위기로 설정하고, 또한 유지하는 것이 가능하게 되어 있다. 예를 들면 처리실(2, 6)에 의해 동일한 에칭처리가 실시되고 다른 1개처리실(4)에 의해 어싱처리가 실시된다. 처리실의 조합은 이에 한정되지 않고 적절한 처리를 조합할 수도 있으며 시리얼처리, 패러렐처리 등 임의의 처리를 복수의 처리실을 이용하여 실시하는 것이 가능하다.
각 처리실(2, 4, 6)내에는 LCD기판(S)을 재치하기 위한 서셉터(10)가 설치된다. 서셉터(10)에는 기판(S)을 승강시키기 위한 지지핀(11)이 내장된다. 지지핀(11)과 반송실(5)내에 설치된 반송기구(60a)의 협동에 의해 기판(S)이 서셉터(10)상의 재치면에 대하여 반송된다.
로드록실(3)은 게이트밸브(9b)를 통하여 외부분위기와 접속된다. 게이트밸브(9b)에 대향하여 외부측에는 반송기구(20)가 설치된다. 반송기구(20)는 베이스(21)를 통하여 지지대(8)상에 설치된다.
반송기구(20)는 도 3에 도시한 바와 같이 베이스(21)상에서 상하운동 가능한 승강샤프트(22)를 갖는다. 승강샤프트(22)에는 제 1 아암(23)이 접속되고, 이것은 그 일단부 근처를 중심으로 하여 샤프트(22)에 대하여 회전운동 가능하게 되어 있다(왕복회전운동화살표시A). 제 1 아암(23)에는 제 2 아암(24)이 접속되고, 이것은 그 일단부 근처를 중심으로 하여 제 1 아암에 대하여 회전운동 가능하게 되어 있다(왕복회전운동화살표시B). 제 2 아암(24)에는 샤프트(27)가 세워 설치되고 기판(5)을 재치하기 위한 상포크(25) 및 하포크(26)가 샤프트(27)에 부착된다. 상하포크(25, 26)는 회전방향에서는 샤프트(27)와 일체적으로 회전한다(왕복회전운동화살표시C).
하포크(26)는 소정 간격을 두고 평행, 또한 수평으로 기부(26a)로부터 돌출하는 2개의 핑거(26b, 26c)를 갖는다. 각 핑거(26b, 26c)의 상면에는 지지하는 기판과 직접 접촉하는 예를 들면 마찰계수가 높은 합성고무제의 탄성체나 합성수지 등의 재질로 이루어지는 접촉부재(26d)가 적절수 설치된다. 이에 따라 기판을 지지하고 있는 중에 해당 기판이 어긋나거나 낙하하는 것은 방지된다.
상포크(25)는 하포크(26)의 그들보다도 큰 소정의 간격을 두고 평행, 또한 수평으로 기부(25a)로부터 돌출하는 2개의 핑거(25b, 25c)를 갖는다. 각 핑거(25b, 25c)의 상면에는 지지하는 기판과 직접 접촉하는 접촉부재(25d)가 적절수 설치되어 있다. 각 상포크(25), 하포크(26) 함께 그 상하방향의 두께는 후술하는 기판(S)의 카세트(42)내에 대한 수납간격보다도 작다.
상포크(25)는 샤프트(27)를 따라서 상하운동 가능하며 가장 아래로 이동(강하)했을 때에는 도 4에 도시한 바와 같이 수평방향으로부터 보아 하포크(26)와 서로 겹쳐진다. 이 때 상포크(25)의 핑거(25b, 25c)는 하포크(26)의 핑거(26b, 26c)의 정확히 외측에서 하포크(26)와 동일레벨(높이)상에 위치한다. 또 이 때 적어도 양 포크(25, 26)의 상측의 지지면을 가지런하게 한다. 여기에서는 양쪽 상포크(25, 26)의 두께가 같기 때문에 양쪽포크(25, 26)의 상측의 지지면도 하측의 바닥면도 가지런하다.
샤프트(27)내에는 상포크(25)를 상하이동시키기 위한 구동기구가 내장되어 있다. 해당 구동기구로서는 예를 들면 모터로 구동되는 볼나사에 의해 상포크(25)를 슬라이드시키는 기구를 사용할 수 있다. 볼나사 등의 구동기구로부터의 파티클이 주변에 부유하여 기판이 오염되지 않도록 샤프트(27)내의 분위기는 흡인기구에 의하여 항상 장치밖으로 배기되고 있다.
샤프트(27)의 변경예로서는 볼나사와 일체의 사각형의 가이드를 덮는 형상, 예를 들면 직방체의 것을 사용할 수도 있다. 또 상포크(25)의 상하운동에 의해 원활하며, 또한 안정된 것으로 하기 때문에 샤프트(27)의 후방(핑거(25b, 25c)와는 반대의 방향)으로 서브가이드를 세워 설치해도 좋다.
지지대(8)의 한쪽에는 카세트인덱서(41)가 설치된다. 카세트인덱서(41)의 위에 기판(S)(예를 들면 LCD유리기판)을 소정수(예를 들면 25장)를 수납하는 카세트(42)가 승강기구(43)를 통하여 재치된다. 승강기구(43)에 의해 카세트(42)는 상하운동 가능하며, 또한 임의의 위치에서 정지 가능하게 된다.
도 1, 도 2에 도시한 바와 같이 지지대(8)를 끼워서 이 카세트인덱서(41)와 대향하는 위치에 또 하나의 카세트인덱서(41)를 설치하는 것도 가능하다. 이에 따라 처리실(2, 4, 6)의 처리의 내용, 처리시간 등에 따라서 적절한 미처리기판과 처리완료기판의 교환, 반송에 대처하여 고시스템효율을 실현할 수 있다.
로드록실(3)은 임의의 감압분위기로 설정하고, 또한 유지하는 것이 가능하게 되어 있다. 로드록실(3)내에는 도 5에 도시한 바와 같이 기판(S)을 지지하기 위한 한쌍의 스탠드(31)를 구비하는 버퍼랙(30)이 설치된다. 버퍼랙(30)은 한 번에 2장의 기판(S)을 지지하도록 구성되어 있으며, 이에 따라 진공당김, 퍼지의 효율이 향상한다.
각 스탠드(31)는 2개의 선반(32, 33)을 상하에 구비한다. 선반(32, 33)은 반송기구(20)의 상하포크(25, 26)간의 거리내에 수습되는 간격으로 설정되고 수평인 2단의 기판지지레벨을 형성한다. 본 실시형태에서는 버퍼랙(30)의 지지레벨간격은 카세트(42)에 있어서의 기판(S)의 지지간격보다도 크게 설정된다. 또 각 선반(32, 33)의 상면에는 마찰계수가 높은 합성고무로 이루어지는 돌기(34)가 설치되어 있으며, 이에 따라서 기판의 어긋남 및 낙하가 방지된다.
버퍼랙(30)의 한쌍의 스탠드(31)는 일체적으로 승강 가능하게 된다. 버퍼랙(30)의 승강에 의해 반송실(5)내에 설치된 반송기구(60a)가 승강하는 일 없이 2장의 기판중 한쪽을 선택적으로 꺼낼 수 있다.
로드록실(3)내에는 2장의 기판을 한 번에 얼라인먼트하기 위한 한쌍의 포지셔너(35) 및 기판의 얼라인먼트의 완료를 확인하기 위한 광학적 센서(도시하지 않음)가 배치된다. 한쌍의 포지셔너(35)는 기판의 대각선의 연장선상에서 서로 대향하도록 배치된다. 각 포지셔너(35)는 도면중의 왕복화살표시A방향으로 기동 가능한 서포트(36)와 서포트(36)상에 회전풀리에 지지된 한쌍의 롤러(37, 37)를 구비한다.
포지셔너(35)는 버퍼랙(30)에 지지된 2장의 기판을 대각선방향으로 끼워 넣는 모양으로 기판의 얼라인먼트를 실시한다. 롤러(37)는 기판(S)의 측면을 4점에서 누름으로써 위치맞춤하기 때문에 대략 직사각형상의 기판의 위치맞춤을 실시하기에 특히 적합하다. 롤러(37)는 서포트(36)상에 착탈 가능하게 부착되고 처리되는 LCD기판의 치수에 따라서 적절히 교환하는 것이 가능하다.
반송실(5)은 임의의 감압분위기로 설정하고, 또한 유지하는 것이 가능하게 되어 있다. 반송실(5)내에는 반송기구(60a)와 버퍼틀체(70)가 설치된다. 반송기구(60a)에 의해 로드록실(3)과 처리실(2, 4, 6)의 사이에서 기판이 반송된다. 버퍼틀체(70)는 도 20을 참조하여 후술하는 바와 같이 복수의 LCD기판을 지지 가능하게 구성된다. 버퍼틀체(70)에 의해 미처리기판 또는 처리완료기판이 일시적으로 지지된다. 이와 같이 기판을 일시 지지함으로써 시스템효율의 향상을 꾀하고 있다.
반송기구(60a)는 베이스(68)의 일단에 설치되고 베이스(68)에 회전운동 가능하게 설치된 제 1 아암(62)과, 제 1 아암(62)의 선단부에 회전운동 가능하게 설치된 제 2 아암(64)과, 제 2 아암(64)에 회전운동 가능하게 설치되어 기판의 반송을 실시하는 반송부재로서 기능하는 선단아암(65)을 갖는다. 도 20을 참조하여 후술하는 반송기구(60)와는 달리 선단아암(65)은 1개의 기판만을 지지하도록 구성된다.
다음으로 본 실시형태에 관련되는 진공처리장치(1)의 동작에 대하여 설명한다.
우선 카세트인덱서(41)에 복수의 미처리의 기판, 예를 들면 기판(S1∼S25)을 수납한 카세트(42)를 재치한다. 다음으로 반송기구(20)가 도 1, 도 2에 도시한 바와 같이 카세트(42)의 꺼냄개구부와 대면하고 가장 하부에 수용되는 기판(S1)을 집으러 간다. 이 때 도 4에 도시한 바와 같이 상포크(25)가 하포크(26)와 지지면도 바닥면도 동일레벨이 되기까지 하강하고 양자는 이른바 일체화된다.
이 상태에서 제 1 아암(23), 제 2 아암(24) 및 상하포크(25, 26)의 회전운동 등에 의해 동일지지레벨의 상하포크(25, 26)는 도 6에 도시한 바와 같이 가장 하부의 기판(S1)의 아래에 진입한다. 이 때의 기판(S1)과 상하포크(25, 26)의 레벨조정은 카세트(42)의 승강기구(43)측에서 실시된다. 통상은 가장 하부의 기판(S1)으로부터 처리가 실시되기 때문에 승강기구(43)에 의하여 카세트(42)는 일단 소정의 높이까지 상승하고, 그 후 차례로 하강해가는 순서가 취해진다. 물론 반송기구(20)의 승강샤프트(22)측에서 그와 같은 레벨조정을 실시해도 좋다.
그리고 동일지지레벨에 있는 상하포크(25, 26)가 기판(S1)의 아래의 소정의 위치까지 진입한 후 승강샤프트(22)에 의하여 반송기구(20) 전체가 소정의 높이분 상승한다. 이에 따라 카세트(42)내의 재치부에 그 둘레틀부가 재치되는 기판(S1)을 상하포크(25, 26)가 지지한다. 또한 이 경우 카세트(42)측이 소정분 하강해도 좋다. 그 후 상하포크(25, 26)는 카세트(42)로부터 퇴피한다.
다음으로 기판(S1)을 지지한 반송기구(20)의 상하포크(25)(26)는 로드록실(3)내에 진입하고 소정분 반송기구(20) 전체가 하강하는 것으로 스탠드(31)의 상측의 선반(32)에 기판(S1)을 재치한다. 그 후 상하포크(25, 26)는 로드록실(3)로부터 퇴피하고 로드록실(3)내가 소정의 감압도까지 진공당김된다. 다음으로 이번에는 진공계의 반송기구(60a)가 기판(S1)을 꺼내고, 이를 소정의 처리실 예를 들면 처리실(6)로 반송한다. 그래서 기판(S1)은 예를 들면 에칭처리에 붙여진다.
또한 본 실시예의 형태에 있어서는 로드록실(3)내에 2장의 기판을 재치하는 것이 가능하기 때문에 기판(S1)을 상하포크(25, 26)가 동일지지레벨상태로 집는 것에 대신하여 다음과 같은 조작을 실시할 수 있다. 즉 상포크(25)가 하포크(26)보다도 소정분(예를 들면 기판(S)의 카세트(42)내에 있어서의 수납간격) 높아지는 위치에서 정지시킨 상태로 카세트(42)내에 진입시키고 하포크(26)가 기판(S1)과 동시에 그 위에 위치하는 기판(S2)도 상포크(25)에서 동시에 지지하여 2장 동시에 로드록실(3)에 반송한다. 이에 따라 초기상태에 있어서도 시스펨효율의 향상을 꾀할 수 있다.
진공처리장치(1)는 복수의 처리실(2, 4, 6)을 갖는 멀티실타입이기 때문에 초기에 있어서는 미처리의 기판이 차례차례로 로드록실(3), 반송실(5)을 경유하여 처리실(2, 6)로 반송되고 그곳에서의 에칭처리가 종료된 기판에 대해서는 반송실(5)을 경유하여 그대로 어싱처리를 실시하는 처리실(4)로 반송된다. 이 때문에 반송기구(20)는 카세트(42)로부터 미처리기판의 꺼냄, 반송만에 종사하게 된다.
여기에서 예를 들면 도 7에 도시한 바와 같이 5번째의 기판(S5)을 꺼내고, 이를 로드록실(3)에 반송하는 상태를 상정한다. 이 상태에서 도 8에 도시한 바와 같이 로드록실(3)내의 하단의 버퍼에 처리완료의 기판(S1)이 이미 재치되어 있는 경우, 예를 들면 로드록실(3)에 대한 반송중에 상포크(25)를 상승시키고 하포크(26)와 분리시킨다. 이에 따라 미처리의 기판(S5)은 상포크(25)만에 지지된 상태가 된다.
이 상태인 채 상포크(25)와 하포크(26)를 로드록실(3)내에 진입시키고 상포크(25)는 상단의 선반(32)의 윗쪽으로, 하포크(26)는 하단의 선반(33)의 아래쪽으로 진입시킨다. 그리고 소정의 위치까지 진입한 후 도 9에 도시한 바와 같이 상포크(25)는 상단의 선반(32)에 대하여 상대적으로 하강시키고(화살표시D) 하포크(26)는 하단의 버퍼에 대하여 상대적으로 상승시킨다(화살표시E). 이에 따라서 미처리의 기판(S5)은 상단의 선반(32)에 재치되는 동시에 처리완료의 기판(S1)은 하포크(26)로 지지된다. 이와 같은 동작은 반송기구(20)의 승강샤프트(22)의 상승과 상포크(25)의 하강에 의하여 실현된다.
이와 같은 이른바 병행수수에 의해 미처리기판의 로드록실(3)내에 대한 반입과 해당 로드록실(3)내에 수납되는 처리완료기판의 꺼냄에 관한 시간이 대폭으로 단축되고 그 만큼 시스템효율이 향상한다.
그 후 도 10에 도시한 바와 같이 처리완료의 기판(S1)을 지지한 하포크(26)와 상포크(25)는 로드록실(3)로부터 퇴피하고 도 11에 도시한 바와 같이 반송기구(20) 전체의 방향전환에 의하여 이번에는 도 12에 도시한 바와 같이 카세트(42)에 대면한다.
다음으로 처리완료의 기판(S1)을 지지한 하포크(26)와 상포크(25)는 도 13에 도시한 바와 같이 카세트(42)내에 진입한다. 이 때 하포크(26)는 카세트(42)내의 가장 하부의 재치부의 윗쪽, 상포크(25)는 다음의 미처리의 기판(S6)의 아래쪽의 소정의 위치까지 진입한다.
그 후 이번에는 상포크(25)가 카세트(42)에 대하여(보다 구체적으로 말하면 재치되는 기판(S6)에 대하여) 상대적으로 상승하고(도 13, 도 14중의 화살표시F), 한편 처리완료의 기판(S1)을 지지한 하포크(26)는 카세트(42)에 대하여(보다 구체적으로 말하면 가장 하부의 재치부에 대하여) 상대적으로 하강한다(도 13, 도 14중의 화살표시G). 이에 따라서 미처리의 기판(S6)은 상포크(25)에 의하여 지지되는 동시에 처리완료의 기판(S1)은 카세트(42)의 가장 하부의 재치부에 재치된다. 이와 같은 동작은 반송기구(20)의 승강샤프트(22)의 하강과 상포크(25)의 상승에 의하여 실현된다. 또한 승강샤프트(22)의 하강에 대신하여 승강기구(43)에 의하여 카세트(42)를 상승시켜도 좋다.
이와 같은 이른바 병행수수에 의해 처리완료기판의 카세트(42)내에 대한 반입과, 해당 카세트(42)내에 수납되는 미처리기판의 꺼냄에 관한 시간이 대폭으로 단축되고, 그 만큼 시스템효율이 향상한다.
그 후 미처리의 기판(S6z)을 지지한 상포크(25)와 하포크(26)는 도 15에 도시한 바와 같이 카세트(42)로부터 퇴피하고, 다시 로드록실(3)로 반송되며 상기한 로드록실(3)내에서의 병행수수동작에 의하여 처리완료의 기판(S2)과 교환된다.
이와 같은 상포크(25)와 하포크(26)가 분리한 상태에서의 미처리기판과 처리완료기판의 병행수수는 카세트(42)내에 미처리기판이 남아 있는 사이(중간상태) 실시된다.
그리고 카세트(42)내에 미처리기판이 없어진 상태(말기상태)가 되면 도 4에 도시한 바와 같이 상포크(25)가 하강하고 하포크(26)와 동일지지레벨이 되어 양자는 다시 일체화한다. 이 상태에서 로드록실(3)로부터의 처리완료기판의 받음이 실시되고 도 16에 도시한 바와 같이 카세트(42)에 대한 해당 처리완료기판의 반송, 수납동작이 실시된다.
이상 설명한 바와 같이 본 실시형태에 관련되는 진공처리장치(1)에 있어서는 처리완료기판의 로드록실(3)로부터의 꺼냄 및 미처리기판의 로드록실(3)내에 대한 수납과 미처리기판의 카세트(42)로부터의 꺼냄 및 처리완료기판의 카세트에 대한 수납이 각각의 경우 병행하여 실시되기 때문에 종래 꺼냄과 수납이 따로따로의 동작에 의하여 연속하여 실시되고 있던 경우와 비교하면 대략 1/2로 시간이 단축되고, 그 만큼 시스템효율이 크게 향상한다.
또한 상기 실시형태에 있어서의 상포크(25)와 하포크(26)는 그 상하의 두께가 동일한 타입의 것을 사용하고 일체화의 상태(도 4의 상태)에서는 수평방향으로부터 보아 서로 중합하는 형태인데, 이에 한정되지 않고 일부만이 중합하는 형태이어도 좋다. 어느쪽이든 카세트(42)의 기판(S)의 정렬간격보다도 작은 두께이면 좋다. 그렇게 함으로써 기판지지부를 구성하는 상포크(25)와 하포크(26)의 형태를 자유롭게 설계할 수 있고 기판이 커져도 충분한 강도를 갖게 할 수 있다.
또한 반송기구(20)는 제 1 아암(23), 제 2 아암(24)을 각각 일단부 근처에서 서로 회전운동 가능하게 구성한 이른바 다관절구조이었지만, 이에 대신하여 도 17에 도시한 바와 같이 회전운동계는 한 곳이고 그 외는 직선슬라이딩계로 한 반송기구(80)를 이용해도 좋다.
반송기구(80)는 베이스판(81)을 갖고, 그 길이방향을 따라서 슬라이딩구동 가능(도면중의 왕복화살표시L)하게 슬라이더(82)가 설치된다. 슬라이더(82)상에는 수평면내에서 회전구동 가능(도면중의 왕복회전화살표시M)하게 L자형의 스탠드(83)가 부착된다. 또한 스탠드(83)의 수직부에는 승강구동 가능(도면중의 왕복화살표시N)하게 수평판(84)이 부착된다.
수평판(84)상에는 기판(S)을 재치하기 위한 상포크(85) 및 하포크(86)가 설치된다. 하포크(86)는 수평판(84)의 길이방향을 따라서 슬라이딩구동 가능(도면중의 왕복화살표시Q)하게 수평판(84)에 부착된다. 하포크(86)의 기부(86a)에는 서브스탠드(87)가 세워 설치되고 상포크(85)는 서브스탠드(87)에 승강구동 가능하게 부착된다. 따라서 상포크(85)는 하포크(86)와 함께 수평판(84)의 길이방향을 따라서 일체적으로 슬라이딩하게 된다.
반송기구(20)와 똑같이 반송기구(80)에 있어서도 상하포크(85, 86)는 한 장의 판과 같이 서로 겹쳐질 수 있다. 또한 반송기구(80)의 상세함에 대해서는 도 28을 참조하여 후술한다.
이와 같은 구성의 반송기구(80)를 이용하면 처리완료기판의 카세트(42)에 대한 수납과 미처리기판의 카세트로부터의 꺼냄을 동시에 병행하여 실시할 수 있어서 시스템효율이 향상한다. 반송기구(80)는 회전계가 한 곳이고 그 외는 모두 직선슬라이딩계이기 때문에 고속이며, 또한 안정된 동작을 실시할 수 있다.
상기한 바와 같이 본 실시형태의 반도체처리장치에 있어서는 수납체에 대한 처리완료기판의 반입과 미처리기판의 반출을 병행하여 실시할 수 있어서 시스템효율을 크게 향상시킬 수 있다. 또한 상기 장치에서는 에칭, 어싱의 연속처리를 실시하는 것이 가능하며, 이 점에서도 효율이 높다. 또 프로그램을 변경함으로써 에칭, 에칭의 연속처리, 에칭의 단일처리 등 사용자의 취향에 대응한 여러 가지 처리를 실시할 수 있어서 매우 범용성이 높은 것이 된다.
도 18은 본 발명의 다른 실시형태에 관련되는 진공처리장치의 개관을 나타내는 사시도, 도 19는 그 내부를 나타내는 개략횡단평면도이다. 이들 도면중 도 1 내지 도 17을 참조하여 서술한 앞의 실시형태와 공통하는 부분에 대해서는 동일한 부호를 붙여서 상세한 설명을 생략한다.
이 실시형태에 관련되는 진공처리장치(1A)도 유리제의 LCD기판상에 반도체디바이스 등을 형성하기 위한 에칭처리 및 어싱처리를 실시하도록 멀티챔버형으로 구성된다. 즉 도 18에 도시한 바와 같이 앞의 실시형태와 같은 3개처리실(2, 4, 6)을 갖는다. 각 처리실(2, 4, 6)에는 소정의 처리가스를 공급하기 위한 공급수단과 실내를 배기하기 위한 배기수단이 접속되고, 따라서 각 처리실(2, 4, 6)은 임의의 감압분위기로 설정하고, 또한 유지하는 것이 가능하게 되어 있다. 예를 들면 처리실(2, 6)에서는 동일한 에칭처리가 실시되고 다른 1개처리실(4)에서는 어싱처리가 실시된다. 처리실의 조합은 이에 한정되지 않고 적절한 처리를 조합할 수도 있고 시리얼처리, 패러렐처리 등 임의의 처리를 복수의 처리실을 이용하여 실시하는 것이 가능하다.
각 처리실(2, 4, 6)내에는 서셉터(10)가 설치된다. 서셉터(10)에는 기판(S)을 지지하기 위한 4개의 지지핀(11)이 설치된다. 본 실시형태에 있어서는 지지핀(11)에 덧붙여서 서셉터(10)의 주위에 역시 기판을 지지하기 위한 4개의 지지부재(12)가 설치된다. 지지핀(11) 및 지지부재(12)에 대해서는 상세함을 후술한다.
로드록실(3)은 도 21을 참조하여 서술한 앞의 실시형태의 로드록실과 똑같이 구성된다. 즉 로드록실(3)은 임의의 감압분위기로 설정하고, 또한 유지하는 것이 가능하게 되어 있다. 로드록실(3)내에는 기판(S)을 지지하기 위한 한쌍의 스탠드(31)를 구비하는 버퍼랙(30)이 설치된다. 버퍼랙(30)은 한 번에 2장의 기판(S)을 지지하도록 구성되어 있으며, 이에 따라 진공당김, 퍼지의 효율이 향상한다. 또 로드록실(3)내에는 2장의 기판을 한 번에 얼라인먼트하기 위한 한쌍의 포지셔너(35, 35) 및 기판의 얼라인먼트의 완료를 확인하기 위한 광학적 센서(도시하지 않음)가 배치된다.
로드록실(3)은 게이트밸브(9b)를 통하여 외부분위기와 접속된다. 로드록실(3)의 외부측에는 2개의 카세트인덱서(41)가 설치되고, 그 위에 각각 LCD기판을 수용하는 카세트(42)가 재치된다. 카세트(42)의 한쪽에는 미처리기판이 수용되고 다른쪽에는 처리완료기판이 수용된다. 카세트(42)는 승강기구(43)에 의해 승강 가능하게 되어 있다.
2개의 카세트(42)의 사이에는 지지대(51)상에 기판반송기구(50)가 설치된다. 반송기구(50)는 상하 2단으로 설치된 아암(52, 53)과, 이들을 일체적으로 진출퇴피 및 회전 가능하게 지지하는 베이스(54)를 갖는다. 아암(52)(53)상에는 기판을 지지하는 4개의 돌기(55)가 형성된다. 돌기(55)는 마찰계수가 높은 합성고무제의 탄성체로 이루어지고 기판지지중에 기판이 어긋나거나 낙하하는 것이 방지된다.
반송기구(50)는 아암(52, 53)에 의해 2장의 기판을 한 번에 반송 가능하게 되어 있다. 즉 카세트(42)에 대하여 2장의 기판이 한 번에 꺼냄 또는 장입하는 것이 가능하게 된다. 각 카세트(42)의 높이는 승강기구(43)에 의해 조정되고 아암(52, 53)에 의한 기판의 꺼냄 또는 장입위치가 설정된다. 2장의 아암(52, 53)의 간격은 각종 카세트의 기판지지간격의 최대값보다도 커지도록 설정된다. 이 때문에 여러 가지 카세트에 대응 가능하다.
또한 카세트는 1개만 설치할 수도 있다. 이 경우에는 동일한 카세트내의 빈 스페이스에 처리완료의 기판을 되돌려가게 된다.
반송실(5)은 임의의 감압분위기로 설정되고, 또한 유지하는 것이 가능하게 되어 있다. 반송실(5)내에는 도 20에 도시한 바와 같이 반송기구(60)와 복수의 LCD기판을 지지 가능하게 구성된 버퍼틀체(70)가 설치된다. 반송기구(60)에 의해 로드록실(3)과 처리실(2, 4, 6)의 사이에서 기판이 반송된다. 또 버퍼틀체(70)에 의해 미처리기판 또는 처리완료기판이 일시적으로 지지된다. 이와 같이 기판을 일시지지함으로써 시스템효율의 향상을 꾀하고 있다.
반송기구(60)는 베이스(68)의 일단에 설치되고 베이스(68)에 회전운동 가능하게 설치된 제 1 아암(62)과, 제 1 아암(62)의 선단부에 회전운동 가능하게 설치된 제 2 아암(64)과, 제 2 아암(64)에 회전운동 가능하게 설치되고, 또한 기판을 지지하기 위한 캐처(66)를 갖는다. 베이스(68)에 내장된 구동기구에 의해 제 1 아암(62), 제 2 아암(64) 및 캐처(66)를 이동시킴으로써 기판을 반송하는 것이 가능하게 된다. 또 반송기구(60)는 베이스(68)의 아래에 설치된 실린더기구(69)에 의해 상하운동이 가능한 동시에 실린더를 축으로 하여 회전 가능하게 되어 있다.
반송기구(60)의 캐처(66)는 2단으로 구성된 포크(66a, 66b)를 갖는다. 상포크(66a)에 의해 미처리기판이 지지되고 하포크(66b)에 의해 처리완료기판이 지지되게 되어 있다. 또한 도시하지 않지만 각 포크에는 기판의 어긋남이나 낙하를 방지하기 위해 마찰계수가 높은 합성고무제의 돌기가 설치된다.
버퍼틀체(70)는 베이스(68)의 타단측에 베이스(68)에 대하여 승강 가능하게 설치된다. 틀체(70)는 4개의 버퍼(72, 74, 76, 78)를 구비하고, 이들은 수평인 4단의 기판지지레벨을 형성하고 있다. 이들 버퍼에는 기판을 지지하기 위한 돌기(79)가 설치된다. 돌기(79)는 마찰계수가 높은 합성고무제이며 기판지지중에 기판이 어긋나는 것 또는 낙하하는 것을 방지한다.
반송기구(60) 및 버퍼틀체(70)는 실린더(69)를 축으로 하여 베이스(68)와 일체로 되어 회전한다. 이와 같이 베이스(68)를 회전시킴으로써 반송기구(60)는 처리실(2, 4, 6), 로드록실(3)의 어느쪽인가에 대하여 선택적으로 대면할 수 있다.
각 처리실(2, 4, 6)내에는 상기한 바와 같이 서셉터(10)가 설치된다. 서셉터(10)는 플라스마를 형성하기 위한 하부전극으로서 기능한다. 서셉터(10) 주위에는 도 21에 도시한 바와 같이 세라믹제의 실드링(13)이 설치된다.
4개의 지지핀(11)(제 2 지지부재)은 서셉터(10)의 틀부에 진출퇴피 가능하게 설치된다. 4개의 지지부재(12)(제 1 지지부재)는 서셉터(10)의 주위의 실드링(13)에 진출퇴피 가능하게 설치된 지지막대(12a)와, 그 선단에 설치된 돌출부재(12b)를 갖는다. 지지막대(12a)는 진출함으로써 기판을 지지하는 것이 가능하게 되고 기판의 받음시에 제 1 위치에서 미처리기판(S1)을 지지한다. 또 지지핀(11)은 진출함으로써 기판을 지지하는 것이 가능하게 되고 기판수수시에 제 1 위치보다도 아래쪽의 제 2 위치에서 처리완료기판(S2)을 지지한다.
지지부재(12)는 퇴피위치에 있어서, 도 25A에 도시한 바와 같이 돌출부재(12b)가 서셉터(10)에 걸리지 않는 상태에 있다. 그러나 지지부재(12)는 지지위치에 있어서 도 25B에 도시한 바와 같이 지지막대(12a)가 회전됨으로써 돌출부재(12b)가 서셉터(10)측에 돌출한 지지위치에 있는 상태가 된다.
캐처(66)는 그 상포크(66a)가 상기 제 1 위치에 대응하고 하포크(66b)가 상기 제 2 위치에 대응하는 위치가 되도록 높이가 설정된다. 후술하는 바와 같이 상포크(66a)에 미처리기판을 지지한 상태에서 처리실에 장입되었을 때에 미처리기판이 제 1 위치에 있는 지지부재(12)에 수수되는 동시에 제 1 위치에서 지지핀(11)에 지지되는 처리완료기판이 포크(66b)에 수수된다.
다음으로 이상과 같이 구성되는 장치의 동작에 대하여 설명한다.
우선 반송기구(50)의 2장의 아암(52, 53)을 진퇴구동시켜서 미처리기판을 수용한 한쪽의 카세트(42)(도 18의 좌측의 카세트)로부터 2장의 기판(S)을 한 번에 로드록실(3)에 반입한다.
로드록실(3)내에 있어서는 버퍼랙(30)의 선반(32, 33)에 의해 2장의 기판(S)을 지지한다. 아암(52, 53)이 퇴피한 후 로드록실의 대기측의 게이트밸브(9b)를 닫는다. 그 후 로드록실(3)내를 배기하여 내부를 소정의 진공도, 예를 들면 104－1Torr 정도까지 감압한다. 진공당김 종료후 한쌍의 포지셔너(35)의 4개의 롤러(90)에 의해 기판을 누름으로써 기판(S)의 위치맞춤을 실시한다.
이상과 같이 위치맞춤된 후 반송실(5) 및 로드록실(3)간의 게이트밸브(9a)를 연다. 오염방지의 관점에서 하단의 선반(33)의 기판(S)으로부터 반송기구(60)에 의해 반송실(5)내에 반입하고 버퍼틀체(70)의 가장 위의 버퍼(72)에 지지한다. 이 경우에 기판(S)은 버퍼랙(30)상에 미리 결정된 소정의 간격으로 지지되어 있기 때문에 반송기구의 동작제어를 카세트(42)의 기판지지간격에 의존하지 않고 실시할 수 있다. 즉 다른 기판의 지지간격마다 반송기구(60)의 동작량 등을 변경하는 복잡한 제어수단이 불필요하게 된다. 따라서 장치내의 오염을 저감할 수 있다.
반송실(5)내에 기판을 반입한 상태에서 10－4Torr 정도까지 다시 진공당김한다. 이에 따라 장치내의 오염을 저감할 수 있다. 다음으로 반송기구(60)에 의해 반송실(5)내에 반입하고, 또한 버퍼(72)에 지지한 기판(S)을 소정의 처리실, 예를 들면 처리실(2)에 반송한다. 이 경우에 최초에 반송하는 경우 이외는 처리실내에는 처리완료기판이 존재하고 있으며 처리완료기판과 미처리기판의 교환을 실시하게 된다.
이 때의 교환조작을 도 21 내지 도 24를 참조하면서 설명한다.
우선 처리실의 서셉터(10)상에 처리완료기판(22)을 재치한 상태에서 지지부재(12)를 도 25A의 상태에서 진출시킨다. 또한 도 25B와 같이 지지막대(12a)를 회전시켜서 돌출부재(12b)가 서셉터(10)측에 돌출하는 위치가 되도록 한다. 이 상태에서 이 지지부재(12)는 제 1 위치에서 미처리기판(S1)을 받는 것이 가능한 상태가 된다.
다음으로 지지핀(11)을 진출시켜서 처리완료기판(S2)을 상승시키고 제 2 위치에서 지지하도록 한다. 이상과 같은 동작에 의해 도 21의 상태가 형성된다. 이 경우에 반송기구(60)의 캐처(66)는 그 상포크(66a)가 상기 제 1 위치에 대응하고 하포크(66b)가 상기 제 2 위치에 대응하는 위치가 되도록 높이가 설정되어 있으며 상포크(66a)에 미처리기판(S1)을 지지하고 있다.
다음으로 도 22에 도시한 바와 같이 캐처(66)를 서셉터(10)의 윗쪽에 진출시키고 미처리기판(S1)을 서셉터(10) 윗쪽의 제 1 위치까지 반송한다. 이 경우에 포크(66b)는 제 2 위치에 있는 처리완료기판(S2)의 바로 아래에 위치한다. 이 상태에서 지지부재(12)의 지지막대(12a)를 약간 상승시키고 동시에 지지핀(11)을 하강시킨다. 이에 따라 미처리기판(S1)은 지지부재(12)에 지지된 상태가 되는 동시에 처리완료기판은 캐처(66)의 하포크(66b)에 지지된 상태가 된다.
그 후 도 23에 도시한 바와 같이 처리완료기판(S2)을 지지한 상태의 캐처(66)를 퇴피시킨다. 그리고 도 24에 도시한 바와 같이 다시 지지핀(11)을 진출시켜서 미처리기판(S1)을 지지하고 지지부재(12)를 퇴피시켜서 도 25A의 상태로 되돌린다. 이 도 24의 동작과 병행하여 처리실과 반송실(5)의 사이의 게이트밸브(9a)를 닫는 동작에 들어가고 프로세스 전(前)처리를 개시한다. 따라서 도 24의 동작은 시스템효율에는 영향을 주지 않는다.
이와 같이 처리실에 있어서의 기판의 교환에 있어서, 미처리기판의 반입과 처리완료기판의 반출을 지지부(캐처)의 1회의 이동에 의하여 실시할 수 있다. 이 때문에 기판의 교환시간을 현저히 저감할 수 있다. 덧붙여서 종래 이 교환조작에 걸리는 시간이 17초였던 것이 8초로 절반 이하로 단축되었다.
이와 같은 동작이 실시되는 사이에 로드록실(3)내의 선반(32)의 기판도 반송실(5)에 반입하고 어느쪽인가의 버퍼에 지지한다. 이와 같은 동작을 카세트(42)내의 기판에 대하여 차례로 실시한다. 이 때에 로드록실(3) 및 반송실(5)내의 버퍼의 존재에 의해 대기시간 없이 연속적으로 기판을 장치내에 반입할 수 있기 때문에 시스템효율의 향상에 기여한다.
처리완료기판(S2)은 반송기구(60)에 의해 반송실(5)에 되돌리고, 또한 로드록실(3)을 거쳐서 반송기구(50)의 아암(52, 53)에 의해 처리완료기판용의 카세트(42)(도 18의 우측의 카세트)에 삽입한다.
이상과 같은 처리에 있어서는 버퍼기구의 존재 및 특히 처리실에 있어서의 기판의 교환의 고효율화에 의해 종래에 없는 매우 높은 시스템효율을 실현할 수 있다.
또 상기 장치에서는 에칭, 어싱의 연속처리를 실시하는 것이 가능하며, 이 점에서도 효율이 높다. 또 프로그램을 변경함으로써 에칭, 에칭의 연속처리, 에칭의 단일처리 등 사용자의 필요성에 대응한 여러 가지 처리를 실시할 수 있어서 매우 범용성이 높은 것이 된다.
예를 들면 지지부재(12)로서 지지막대(12a)의 선단에 평판상의 돌출부재(12b)를 설치한 것을 이용했지만 도 26에 도시한 바와 같이 선단에 갈고리상부(12c)를 갖는 핀상의 지지부재(12x)이어도 좋다. 그리고 지지부재(12x)는 퇴피위치에 있어서는 도 27A에 도시한 바와 같이 실드부재(13)속에 완전히 수용되고, 그 위에 덮개(12d)가 설치된다. 지지부재(12x)가 지지위치에 진출할 때에는 도 27B에 도시한 바와 같이 덮개(12)가 열려서 지지위치까지 상승하면 회전하고 갈고리상부(12c)가 서셉터(10)측에 돌출한 상태가 된다. 또 미처리기판을 지지하는 지지부재(제 1 지지부재)는 진출퇴피 즉 상승하강하는 타입의 것에 한정되지 않고 예를 들면 회전이동하여 퇴피하는 타입의 것이어도 좋다.
또 캐처(66), 즉 지지부도 상기의 것에 한정되지 않고 여러 가지 것을 채용할 수 있다. 또 캐처로서 상하 2단의 포크가 고정적으로 설치된 것을 이용했지만 이들 포크가 독립하여 이동할 수 있는 것으로 할 수도 있다. 또한 기판지지부는 포크상에 한정되지 않고 반송기구(50)의 아암(52, 53)과 같이 판상의 것이어도 좋다.
도 28은 본 발명의 또한 다른 실시형태에 관련되는 진공처리장치의 개관을 나타내는 사시도, 도 29 및 도 30은 그 내부를 나타내는 개략횡단평면도 및 개략측면도이다. 이들 도면중 도 1 내지 도 27B를 참조하여 서술한 앞의 2가지 실시형태와 공통하는 부분에 대해서는 동일한 부호를 붙여서 상세한 설명을 생략한다.
이 실시형태에 관련되는 처리장치(1B)는 도 28에 도시한 바와 같이 도 18에 도시한 실시형태와 같은 3개처리실(2, 4, 6)을 갖는다. 처리실(2, 4, 6)은 평면이 정방형인 반송실(5)의 3개의 변에 각각 게이트밸브(9a)를 통하여 접속된다. 예를 들면 처리실(2, 6)에서는 동일한 에칭처리가 실시되고 다른 1개처리실(4)에서는 어싱처리가 실시된다.
각 처리실(2, 4, 6)내에는 앞의 실시형태와 똑같이 4개의 지지핀(11) 및 4개의 지지부재(12)를 갖는 서셉터(10)가 설치된다. 따라서 상기한 바와 같이 각 처리실(2, 4, 6)에 있어서는 처리완료기판과 미처리기판의 교환조작을 반송실(5)내에 설치된 반송기구(60)의 일진출동작으로 실시할 수 있다.
반송실(5)의 남은 한 변에는 상하로 2개의 로드록실(3a, 3b)이 각각 게이트밸브(9a)를 통하여 접속된다. 또 로드록실(3a, 3b)과 기판카세트(42)의 사이에서 LCD기판(S)을 반송하기 위해 반송기구(50)에 대신하여 도 17에 도시한 반송기구(80)와 같은 구조의 반송기구가 설치된다.
반송기구(80)는 베이스판(81)을 갖고, 그 길이방향을 따라서 슬라이딩구동 가능하게 슬라이더(82)가 설치된다. 슬라이더(82)상에는 수평면내에서 회전구동 가능하게 L자형의 스탠드(83)가 부착된다. 또한 스탠드(83)의 수직부에는 승강구동 가능하게 수평판(84)이 부착된다.
수평판(84)상에는 기판(S)을 재치하기 위한 상포크(85) 및 하포크(86)가 설치된다. 하포크(86)는 수평판(84)의 길이방향을 따라서 슬라이딩구동 가능하게 수평판(84)에 부착된다. 하포크(86)의 기부(86a)에는 서브스탠드(87)가 세워 설치되고 상포크(85)는 하포크(86)와 함께 수평판(84)의 길이방향을 따라서 일체적으로 슬라이딩하게 된다.
상포크(85)의 핑거(85b, 85c)와 하포크(86)의 핑거(86b, 86c)는 상하방향의 두께가 동일하고 기판(S)의 카세트(42)내에 대한 수납간격보다도 작아져 있다. 또 상포크(85)의 핑거(85b, 85c)의 내에지간의 폭은 하포크(86)의 핑거(86b, 86c)의 외에지간의 폭보다도 약간 크게 설정된다. 또한 하포크(86)의 기부(86a)는 그 핑거(86b, 86c)보다도 상포크(85)의 기부(85a)의 두께분만큼 아래로 오목해 있다.
따라서 상포크(85)가 더욱 강하했을 때 상포크(85)의 핑거(85b, 85c)와 하포크(86)의 핑거(86b, 86c)는 가로방향에서 보아 한 장의 판과 같이 상호 서로 겹쳐질 수 있다. 이 때 상포크(85)의 핑거(85b, 85c)는 하포크(86)의 핑거(86b, 86c)의 정확히 외측에서 동일평면상에 위치한다. 또 이 때 적어도 양 포크(85, 86)의 상측의 지지면을 가지런하게 한다. 여기에서는 양 상포크(85, 86)의 두께가 같기 때문에 양 포크(85, 86)의 상측의 지지면도 하측의 바닥면도 가지런하다.
이와 같은 구성의 반송기구(80)를 이용하면 처리완료기판의 카세트(42)에 대한 수납과 미처리기판의 카세트로부터의 꺼냄을 동시에 병행하여 실시할 수 있어서 시스템효율이 향상한다. 반송기구(80)는 회전계가 한 곳이고 그 밖에는 모두 직선슬라이딩계이기 때문에 고속이며, 또한 안정된 동작을 실시할 수 있다.
로드록실(3a, 3b)은 개별적으로 임의의 감압분위기로 설정하고, 또한 유지하는 것이 가능하게 되어 있다. 따라서 로드록실(3a, 3b)은 게이트밸브(9a)를 통하여 반송실(5)에 접속되는 한편 개별동작 가능한 게이트밸브(9b)를 통하여 외부분위기에 접속된다.
이 실시형태에 있어서, 양 로드록실(3a, 3b)은 도 31에 도시한 바와 같은 동일한 내부구조를 갖는다. 즉 각 로드록실(3a, 3b)은 수평인 2단의 기판지지레벨을 갖고 한 번에 2장의 기판(S)을 지지하도록 구성된다. 상단지지레벨은 대향하는 한쌍의 핸드(91)에 의해 규정되고 하단지지레벨은 대향하는 한쌍의 핸드(92)에 의해 규정된다.
각 핸드(91, 92)는 전방을 향하여 퍼지도록 설치된 한쌍의 핑거(93)를 갖는다. 핑거(93)는 내측벽에 부착된 구동부(94)에 부착되고 구동부(94)에 의해 도 31에 도시한 위치와 핑거(93)가 측벽을 향하여 퇴피하는 퇴피위치의 사이에서 선회구동된다.
또 각 로드록실(3a, 3b)에는 바닥벽의 아래에 설치된 구동부(도시하지 않음)에 의해 상하로 구동되는 4개의 지지핀(96)이 설치된다. 지지핀(96)은 바닥벽의 아래에 퇴피하는 퇴피위치와 핸드(91)에 의해 규정되는 상단지지레벨보다도 위에 돌출하는 돌출위치의 사이에서 이동 가능한 동시에 임의의 위치에서 정지 가능하게 된다.
각 핑거(93)가 닫혀서 도 31에 도시한 위치에 있을 때 각 핸드(91, 92)에 의해 기판(S)을 대응하는 지지레벨에 지지 가능하게 한다. 반대로 각 핑거(93)가 퇴피위치에 열리면 지지핀(96)에 지지된 기판(S)이 대향하는 한쌍의 핸드(91, 91)간, 또는 한쌍의 핸드(92, 92)간을 통과할 수 있다.
또한 이 실시형태에 있어서는 반송실(5)내에 설치된 반송기구(60x)에는 상하2포크(66a, 66b)를 갖는 캐처(66)가 구비되지만 버퍼틀체(70)는 부설되어 있지 않다. 이는 상하 2개의 로드록실(3a, 3b)이 설치되는 동시에 처리실(2, 4, 6)만이 아니고 로드록실(3a, 3b)에 있어서도 처리완료기판과 미처리기판의 교환조작을 반송기구(60x)의 일진출동작에서 실시할 수 있기 때문에 버퍼틀체(70)를 생략할 수 있기 때문이다. 또 캐처(66)를 버퍼틀체(70)측을 향할 필요가 없기 때문에 캐처(66)와 베이스(68)는 한 개의 중간아암(63)으로 접속된다. 또한 베이스(68)는 실린더기구(69)를 통하여 상하로 구동 가능하게 되어 있다.
상기한 바와 같은 구성에 의해 각 로드록실(3a, 3b)에 있어서는 반송기구(60x)의 일진출동작으로 처리완료기판과 미처리기판의 교환조작이 가능하게 된다. 이 조작은 처리실(2, 4, 6)의 서셉터(10)에 지지핀(11)과 지지부재(12)를 설치함으로써 실현한 처리완료기판괌 미처리기판의 교환조작과 유사해 있다.
또한 로드록실(3a, 3b)의 각 핸드(91, 92)의 핑거(93)가 개폐 가능한 것은 예를 들면 빈 시간에 처리완료의 기판(S)을 상단지지레벨로부터 하단지지레벨로 옮기는 등의 부수적인 동작에 대응하기 위한 것이다. 따라서 처리완료기판과 미처리기판의 교환조작을 반송기구(60x)의 일진출동작으로 실시하기 위한 것뿐이면 각 핸드(91, 92)의 핑거(93)는 개폐동작하지 않고 도 31에 도시한 위치에 고정된 것으로 좋다.
다음으로 로드록실(3a, 3b)에 있어서, 반송실(5)의 반송기구(60x)에 의해 처리완료기판과 미처리기판을 교환하는 조작에 대하여 설명한다. 여기에서는 반송기구(60x)의 하포크(66b)에 처리완료기판(S1)이 지지되고 로드록실(3a)의 핸드(91)(상단지지레벨)에 미처리기판(S2)이 지지된 상태를 상정한다. 또 로드록실(3a)의 상하단지지레벨간의 간격이 반송기구(60x)의 상하단지지레벨간의 간격보다도 충분히 크게 설정되는 것으로 한다. 또한 게이트밸브(9a) 등의 부수적인 조작의 설명은 생략한다.
우선 하포크(66b)에서 처리완료기판(S1)을 지지하는 캐처(66)를 핸드(91)에서 미처리기판(S2)을 지지하는 로드록실(3a)내에 삽입한다. 이 때 캐처(66)의 상하포크(66a, 66b)의 양자가 로드록실(3a)의 상하핸드(91, 92)간에 위치하도록 한다.
다음으로 지지핀(96)을 상승시켜서 지지핀(96)에 의해 캐처(66)의 하포크(66b)로부터 처리완료기판(S1)을 받는다. 다음으로 지지핀(96)과 함께 캐처(66)를 상승시켜서 상포크(66a)에 의해 핸드(91)로부터 미처리기판(S2)을 받는다.
다음으로 상포크(66a)에서 미처리기판(S2)을 지지하는 캐처(66)를 반송실(5)로 퇴피시킨다. 다음으로 지지핀(96)을 하강시켜서 핸드(92)(하단지지레벨)상에 처리완료기판(S1)을 재치한다.
다음으로 상기 조작에 계속해서 로드록실(3a, 3b)에서, 외부분위기측의 반송기구(80)에 의해 처리완료기판과 미처리기판을 교환하는 조작에 대하여 설명한다. 여기에서는 로드록실(3a)의 핸드(92)(하단지레벨)에 처리완료기판(S1)이 지지되고 반송기구(80)의 상포크(85)에 미처리기판(S3)이 지지된 상태를 상정한다. 또한 게이트밸브(9b) 등의 부수적인 조작의 설명은 생략한다.
우선 상포크(85)에서 미처리3기판(S3)을 지지하는 반송기구(80)를 핸드(92)에서 처리완료기판(S1)을 지지하는 로드록실(3a)내에 삽입한다. 이 때 반송기구(80)의 상하포크(85, 86)간의 간격을 미리 넓혀두고 상하포크(85, 86)간에 로드록실(3a)의 상하핸드(91, 92)가 위치하도록 한다.
다음으로 반송기구(80)의 수평판(84)을 상승시키면서 상포크(85)를 하포크(86)를 향하여 이동시킨다. 이 조작에 의해 상하포크(85, 86)를 상승시키면서 양자간의 간격을 좁힐 수 있다. 따라서 상포크(85)로부터 상핸드(91)에 미처리기판(S3)을 재치하는 동시에 하포크(86)에 의해 하핸드(92)로부터 처리완료기판(S1)을 받을 수 있다.
도 32는 도 28 내지 도 31을 참조하여 서술한 실시형태에 관련되는 진공처리장치에 있어서의 LCD기판(S)의 반송시퀀스를 차례로 나타내는 설명도이다. 여기에서는 처리실(2, 6)에서 동일한 에칭처리를, 처리실(4)에서 어싱처리를 실시하는 것을 상정하고 있다. 도 32에 있어서는 혼동을 피하기 위해 (a)만에 처리장치의 각 방의 참조부호를 붙이고 있다. (b)∼(s)중의 숫자는 LCD기판(S)인 기판(S1∼S8)의 계수만을 받아들여서 나타내는 것이다.
우선 하로드록실(3b)에 기판(S1), 상로드록실(3a)에 기판(S2)을 도입한다(도 32(b), (c)). 다음으로 기판(S1)을 하로드록실(3b)로부터 반송실(5)을 경유하여 (도 32(d)), 처리실(2)에 로드하고 기판(S1)의 에칭을 개시한다. 또 기판(S1)을 처리실(2)에 로드하는 것과 병행하여 하로드록실(3b)에 기판(S3)을 반입한다(도 32(e)). 그리고 기판(S1)의 처리중 기판(S2)을 상로드록실(3a)로부터 반송실(5)을 경유하여(도 32(f)) 처리실(6)에 로드하고 기판(S2)의 에칭을 개시한다. 또 기판(S2)을 처리실(6)에 로드하는 것과 병행하여 상로드록실(3a)에 기판(S4)을 반입한다(도 32(g)).
다음으로 기판(S1, S2)의 처리중 기판(S3)을 하로드록실(3b)로부터 반송실(5)로 이동한다(도 32(h)). 또한 기판(S2)의 처리중 에칭처리완료의 기판(S1)과 기판(S3)을 반송기구(60x)의 일진출동작으로 교환하고 기판(S1)을 반송실(5)에 언로드하는 동시에 기판(S3)을 처리실(2)에 로드한다. 또 이와 병행하여 하로드록실(3b)에 기판(55)을 반입한다(도 32(i)).
다음으로 기판(S2, S3)의 처리중 기판(S1)을 반송실(5)로부터 처리실(4)에 로드하고 기판(S1)의 어싱을 개시한다(도 32(j)). 또한 기판(S2, S3, S1)의 처리중 기판(S4)을 상로드록실(3a)로부터 반송실(5)로 이동한다(도 32(k)). 그리고 기판(S3, S1)의 처리중 에칭처리완료의 기판(S2)과 기판(S4)을 반송기구(60x)의 일진출동작으로 교환하고 기판(S2)을 반송실(5)에 언로드하는 동시에 기판(S4)을 처리실(6)에 로드한다. 또 이와 병행하여 상로드록실(3a)에 기판(S6)을 반입한다(도 32(l)).
다음으로 기판(S3, S4)의 처리중 어싱처리완료의 기판(S1)과 기판(S2)을 반송기구(60x)의 일진출동작으로 교환하고 기판(S1)을 반송실(5)에 언로드하는 동시에 기판(S2)을 처리실(4)에 로드한다(도 32(m)). 또한 기판(S3, S4, S2)의 처리중 처리완료기판(S1)과 기판(S5)을 반송기구(60x)의 일진출동작으로 교환하고 기판(S1)을 하로드록실(3b)에 되돌리는 동시에 기판(S5)을 반송실(5)로 이동한다(도 32(n)). 그리고 기판(S4, S2)의 처리중 에칭처리완료의 기판(S3)과 기판(S5)을 반송기구(60x)의 일진출동작으로 교환하고 기판(S3)을 반송실(5)에 언로드하는 동시에 기판(S5)을 처리실(2)에 로드한다. 또 이와 병행하여 처리완료기판(S1)과 기판(S7)을 외부분위기측의 반송기구(80)의 일진출동작으로 교환하고 기판(S1)을 노출하는 동시에 기판(S7)을 하로드록실(3b)에 반입한다(도 32(o)).
이하 똑같은 조작을 반복함으로써 (도 32(p)∼(s)) 기판(S1∼S8)을 그들 계수가 작은 차례로 처리를 완료하여 진공처리장치로부터 반출할 수 있다.
이상과 같은 처리에 있어서는 처리실 및 로드록실에 있어서의 기판의 교환의 고효율화에 의해 종래에 없는 매우 높은 시스템효율을 실현할 수 있다.
또한 본 발명은 상기 실시형태에 한정되지 않고 본 발명의 요지의 범위내에서 여러 가지 변형이 가능하다. 특히 처리장치의 각 특징부분을 각 실시형태로 나누어서 서술했지만 그들의 특징부분은 임의로 조합 가능하다. 예를 들면 도 1에 도시한 처리장치에 도 21 등을 참조하여 서술한 지지핀(11)과 지지부재(12)의 조합이나 도 20을 참조하여 서술한 반송기구(60)를 이용할 수 있다. 또 도 18에 도시한 처리장치에 도 3을 참조하여 서술한 반송기구(20)나 도 31을 참조하여 서술한 로드록실(3a, 3b)을 이용할 수 있다. 또 도 28에 도시한 처리장치에 도 5를 참조하여 서술한 로드록실과(3a). 도 20을 참조하여 서술한 반송기구(60)를 이용할 수 있다.
또한 예를 들면 본 발명은 단일한 처리실을 갖는 처리장치에도 유효하게 적용할 수 있고 진공처리에 한정되지 않고 상압 또는 양압의 처리장치에도 적용할 수 있다. 또 에칭, 어싱장치에 한정되지 않고 성막처리장치 등 다른 여러 가지 처리장치에 적용할 수 있다. 또한 피반송기판은 LCD기판에 한정되지 않고 반도체기판 등 다른 기판이어도 좋다.

Claims (27)

  1. 제 1 간격으로 복수의 피처리기판을 상하로 정렬하여 수납하는 수납부와,
    상기 수납부로부터 상기 기판을 꺼내기 위한 외부반송기구와,
    상기 외부반송기구에 의해 상기 기판을 반입시키는 동시에 상기 기판에 반도체처리를 실시하기 위한 처리부를 구비하고, 여기에서 상기 외부반송기구가,
    각각 상기 기판의 하나를 지지 가능한 제 1 및 제 2 지지면을 규정하는 동시에 상대적으로 상하운동 가능한 제 1 및 제 2 아암과,
    상기 제 1 및 제 2 아암을 상대적으로 이동시켜서 상기 제 1 및 제 2 지지면의 상하방향의 간격을 조정하기 위한 간격어져스터와,
    상기 제 1 및 제 2 아암을 상기 수납부에 대면하는 위치와 상기 처리부에 대면하는 위치의 사이에서 이동시키기 위한 아암구동베이스를 갖고, 상기 제 1 및 제 2 아암의 각각의 상하방향의 두께는 상기 제 1 간격보다도 작고, 또 상기 제 1 및 상기 제 2 아암은 상기 간격어져스터에 의해 수평방향으로 겹쳐지는 중합상태로 설정 가능한 것을 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체처리장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 중합상태에서 상기 제 1 및 제 2 지지면이 동일평면상에 위치하는 것을 특징으로 하는 반도체처리장치.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 제 1 및 제 2 아암의 상하방향의 두께가 실질적으로 동일한 것을 특징으로 하는 반도체처리장치.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 제 1 아암은 개구부를 갖고, 상기 제 2 아암이 상기 개구부에 대하여 보완형상을 이루는 윤곽을 갖는 것을 특징으로 하는 반도체처리장치.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 아암구동베이스가 상기 제 1 및 제 2 아암을 상하로 일체적으로 이동 가능한 것을 특징으로 하는 반도체처리장치.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 처리부가 상기 제 1 및 제 2 아암에 의해 게이트를 통하여 액세스 가능하며, 또한 감압분위기로 설정 가능한 제 1 로드록실을 구비하고, 상기 제 1 로드록실은 각각 상기 기판의 하나를 지지 가능하고, 또한 상하로 겹쳐 쌓여지는 제 1 및 제 2 지지레벨을 갖는 것을 특징으로 하는 반도체처리장치.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 처리부가 상기 제 1 로드록실에 게이트를 통하여 접속되고, 또한 감압분위기로 설정 가능한 반송실과, 상기 반송실에 게이트를 통하여 접속되고, 또한 감압분위기에서 상기 반도체처리를 실시하기 위한 제 1 처리실을 구비하고, 상기 반송실에 상기 제 1 로드록실과 상기 제 1 처리실의 사이에서 상기 기판을 반송하기 위한 내부반송기구가 설치되고, 상기 내부반송기구는 각각 상기 기판의 하나를 지지 가능하며, 또한 상하로 겹쳐 쌓여지는 제 1 및 제 2 지지부를 갖는 반송부재를 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체처리장치.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 처리부가 상기 제 1 및 제 2 아암에 의하여 게이트를 통하여 액세스 가능하며, 또한 감압분위기로 설정 가능하고, 또한 상기 반송실에 게이트를 통하여 접속된 제 2 로드록실을 구비하고, 상기 제 1 및 제 2 로드록실은 상하로 겹쳐 쌓여지는 것을 특징으로 하는 반도체처리장치.
  9. 제 7 항에 있어서,
    감압분위기에서 반도체처리를 실시하기 위한 제 2 처리실이 상기 반송실에 게이트를 통하여 접속되는 것을 특징으로 하는 반도체처리장치.
  10. 제 7 항에 있어서,
    상기 기판의 하나를 재치하기 위해 상기 제 1 처리실내에 설치된 재치대와,
    상기 기판의 하나를 상기 재치대 윗쪽의 제 1 위치에서 지지하기 위한 진출상태와 퇴각상태의 사이에서 상태를 전환 가능한 제 1 지지부재와,
    상기 기판의 하나를 상기 재치대 윗쪽의 제 2 위치에서 지지하기 위한 진출상태와 퇴각상태의 사이에서 상태를 전환 가능한 제 2 지지부재와, 상기 제 1 및 제 2 위치는 상하로 겹쳐 쌓여지도록 배치되는 것을 구비하고,
    여기에서 상기 기판의 하나인 제 1 기판이 상기 반송부재의 상기 제 1 지지부에 지지되고, 또한 상기 기판의 다른 하나인 제 2 기판이 상기 제 2 지지부재에 의해 지지되어 있는 상태에 있어서, 상기 반송부재가 상기 재치대의 윗쪽의 소정 위치에 진출하고 있는 사이에 상기 제 1 및 제 2 지지부재가 상기 반송부재에 대하여 상대적으로 상하 역방향으로 이동됨으로써 상기 제 1 기판이 상기 제 1 지지부로부터 상기 제 1 지지부재에 수수되는 동시에 상기 제 2 기판이 상기 제 2 지지부재로부터 상기 제 2 지지부에 수수되는 것을 특징으로 하는 반도체처리장치.
  11. 제 9 항에 있어서,
    상기 제 1 및 제 2 기판을 수수할 때 상기 반송부재가 정지한 상태에서 상기 제 1 및 제 2 지지부재가 상하방향으로 이동하는 것을 특징으로 하는 반도체처리장치.
  12. 복수의 피처리기판을 상하로 정렬하여 수납하는 수납부와,
    상기 수납부로부터 상기 기판을 꺼내기 위한 외부반송기구와,
    상기 외부반송기구에 의해 상기 기판을 반입시키는 동시에 상기 기판에 반도체처리를 실시하기 위한 처리부를 구비하고, 여기에서 상기 처리부가,
    상기 기판의 하나를 재치하기 위한 재치대와,
    상기 기판의 하나를 상기 재치대 윗쪽의 제 1 위치에서 지지하기 위한 진출상태와 퇴각상태의 사이에서 상태를 전환 가능한 제 1 지지부재와,
    상기 기판의 하나를 상기 재치대 윗쪽의 제 2 위치에서 지지하기 위한 진출상태와 퇴각상태의 사이에서 상태를 전환 가능한 제 2 지지부재와, 상기 제 1 및 제 2 위치는 상하로 겹치도록 배치되는 것과,
    상기 재치대에 대하여 상기 기판을 반출입하기 위한 내부반송기구와, 상기 내부반송기구는 각각 상기 기판의 하나를 지지 가능하고, 또한 각각 상기 제 1 및 제 2 위치에 대응하여 상하로 겹쳐 쌓여지는 제 1 및 제 2 지지부를 갖는 반송부재를 구비하는 것을 구비하고,
    여기에서 상기 기판의 하나인 제 1 기판이 상기 반송부재의 상기 제 1 지지부에 지지되고, 또한 상기 기판의 다른 하나인 제 2 기판이 상기 제 2 지지부재에 의해 지지되어 있는 상태에 있어서, 상기 반송부재가 상기 재치대의 윗쪽의 소정 위치에 진출하고 있는 사이에 상기 제 1 및 제 2 지지부재가 상기 반송부재에 대하여 상대적으로 상하 역방향으로 이동됨으로써 상기 제 1 기판이 상기 제 1 지지부로부터 상기 제 1 지지부재에 수수되는 동시에 상기 제 2 기판이 상기 제 2 지지부재로부터 상기 제 2 지지부에 수수되는 것을 특징으로 하는 반도체처리장치.
  13. 제 12 항에 있어서,
    상기 제 1 및 제 2 기판을 수수할 때 상기 반송부재가 정지한 상태에서, 상기 제 1 및 제 2 지지부재가 상하방향으로 이동하는 것을 특징으로 하는 반도체처리장치.
  14. 제 12 항에 있어서,
    상기 제 2 지지부재는 상기 재치대에 대하여 돌출퇴피 가능한 복수의 지지핀으로 이루어지고 돌출시에 상기 제 2 위치에서 상기 기판의 하나를 지지하고, 또한 퇴피시에 상기 기판의 하나를 상기 재치대상에 재치하는 것이 가능한 것을 특징으로 하는 반도체처리장치.
  15. 제 12 항에 있어서,
    상기 제 1 위치는 상기 제 2 위치보다도 윗쪽에 있으며, 상기 제 1 지지부재는 상기 제 1 위치에 존재하는 경우에 상기 제 2 기판의 외측에 위치하는 복수의 지지막대와, 그들의 상단에서 내측으로 돌출하도록 설치된 돌출부재를 갖는 것과, 상기 제 1 위치에서 상기 제 1 기판이 상기 돌출부재상에 재치되고 상기 제 2 기판이 상기 반송부재에 의하여 반송된 후에 상기 제 1 기판이 상기 제 1 지지부재로부터 상기 제 2 지지부재에 수수되는 동시에 상기 제 1 지지부재가 퇴각하는 것을 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체처리장치.
  16. 제 15 항에 있어서,
    상기 제 1 지지부재의 복수의 지지막대는 상기 재치대에 대하여 돌출퇴피 가능하게 설치되고, 그 선단에 설치된 돌출부재는 상기 재치대의 외측으로 이동 가능하게 설치되고 상기 돌출부재가 상기 재치대의 외측으로 이동하는 동시에 상기 지지막대가 퇴피함으로써 상기 제 1 지지부재가 퇴각하는 것을 특징으로 하는 반도체처리장치.
  17. 제 13 항에 있어서,
    상기 처리부가 감압분위기로 설정 가능한 반송실과, 상기 반송실에 게이트를 통하여 접속되고, 또한 감압분위기에서 상기 반도체처리를 실시하기 위한 제 1 처리실을 구비하고, 상기 재치대가 상기 제 1 처리실내에 설치되며 상기 내부반송기구가 상기 반송실내에 설치되는 것을 특징으로 하는 반도체처리장치.
  18. 제 17 항에 있어서,
    상기 처리부가 상기 반송실에 게이트를 통하여 접속되고, 또한 감압분위기로 설정 가능한 제 1 로드록실을 구비하고, 상기 제 1 로드록실은 각각 상기 기판의 하나를 지지 가능하고, 또한 상하로 겹쳐 쌓여지는 제 1 및 제 2 지지레벨을 갖는 것을 특징으로 하는 반도체처리장치.
  19. 제 18 항에 있어서,
    상기 제 1 로드록실이 상기 제 1 및 제 2 레벨을 관통하여 상하로 이동 가능하며, 또한 협동하여 상기 기판의 하나를 지지 가능한 복수의 지지핀을 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체처리장치.
  20. 제 19 항에 있어서,
    상기 내부반송기구가 상기 반송부재를 상하방향으로 이동 가능한 것을 특징으로 하는 반도체처리장치.
  21. 제 18 항에 있어서,
    상기 처리부가 상기 반송실에 게이트를 통하여 접속되고, 또한 감압분위기로 설정 가능한 제 2 로드록실을 구비하고, 상기 제 1 및 제 2 로드록실은 상하로 겹쳐 쌓여지는 것을 특징으로 하는 반도체처리장치.
  22. 제 17 항에 있어서,
    감압분위기에서 반도체처리를 실시하기 위한 제 2 처리실이 상기 반송실에 게이트를 통하여 접속되는 것을 특징으로 하는 반도체처리장치.
  23. 복수의 피처리기판을 상하로 정렬하여 수납하는 수납부와,
    상기 수납부로부터 상기 기판을 꺼내기 위한 외부반송기구와, 상기 외부반송기구가 각각 상기 기판의 하나를 지지 가능하며, 또한 상하로 겹쳐 쌓여지는 제 1 및 제 2 지지면을 규정하는 제 1 및 제 2 아암을 갖는 것과,
    상기 제 1 및 제 2 아암에 의해 게이트를 통하여 액세스 가능하고, 또한 감압분위기로 설정 가능한 제 1 로드록실과,
    상기 제 1 로드록실에 게이트를 통하여 접속되고, 또한 감압분위기로 설정 가능한 반송실과,
    상기 반송실에 게이트를 통하여 접속되고, 또한 감압분위기에서 반도체처리를 실시하기 위한 제 1 처리실과,
    상기 제 1 로드록실과 상기 제 1 처리실의 사이에서 상기 기판을 반송하기 위해 상기 반송실내에 설치된 내부반송기구와, 상기 내부반송기구는 각각 상기 기판의 하나를 지지 가능하며, 또한 상하로 겹쳐 쌓여지는 제 1 및 제 2 지지부를 갖는 반송부재를 구비하는 것을 구비하고, 여기에서 상기 로드록실이 각각 상기 기판의 하나를 지지 가능하며, 또한 상하로 겹쳐 쌓여지는 제 1 및 제 2 지지레벨을 갖는 동시에 상기 제 1 및 제 2 레벨을 관통하여 상하로 이동 가능하며, 또한 협동하여 상기 기판의 하나를 지지 가능한 복수의 지지핀을 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체처리장치.
  24. 제 23 항에 있어서,
    상기 내부반송기구가 상기 반송부재를 상하로 이동 가능한 것을 특징으로 하는 반도체처리장치.
  25. 제 23 항에 있어서,
    상기 외부반송기구가 상기 제 1 및 제 2 아암을 상하로 이동 가능한 것을 특징으로 하는 반도체처리장치.
  26. 제 23 항에 있어서,
    상기 처리부가 상기 반송실에 게이트를 통하여 접속되고, 또한 감압분위기로 설정 가능한 제 2 로드록실을 구비하고, 상기 제 1 및 제 2 로드록실은 상하로 겹쳐 쌓여지는 것을 특징으로 하는 반도체처리장치.
  27. 제 23 항에 있어서,
    감압분위기에서 반도체처리를 실시하기 위한 제 2 처리실이 상기 반송실에 게이트를 통하여 접속되는 것을 특징으로 하는 반도체처리장치.
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Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100475156B1 (ko) * 2001-05-22 2005-03-08 엘지.필립스 엘시디 주식회사 리프터핀 부재
KR100740955B1 (ko) * 2005-03-28 2007-07-19 다이닛뽕스크린 세이조오 가부시키가이샤 기판반송장치 및 기판반송방법
KR100773192B1 (ko) * 1999-06-03 2007-11-02 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 기판을 처리하기 위한 방법 및 진공 장치
KR100789461B1 (ko) * 2000-08-22 2008-01-02 에이에스엠 저펜 가부시기가이샤 반도체처리모듈과 장치
KR100796052B1 (ko) * 2005-04-27 2008-01-21 동경 엘렉트론 주식회사 처리장치 시스템
KR100830730B1 (ko) * 2005-09-02 2008-05-20 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 기판 처리 장치, 로드록실 유닛, 및 반송 장치의 반출 방법
KR100857660B1 (ko) * 2000-10-10 2008-09-08 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 다중 웨이퍼 리프트 장치 및 관련 방법
KR100916872B1 (ko) * 2002-03-19 2009-09-09 후지쯔 가부시끼가이샤 접합 기판 제조 장치 및 접합 기판 제조 방법
KR101411620B1 (ko) * 2007-02-16 2014-06-25 엘아이지에이디피 주식회사 평판표시소자 제조장치의 로드 락 챔버
KR101530513B1 (ko) * 2006-12-06 2015-06-24 액셀리스 테크놀러지스, 인크. 고 생산성 직렬 웨이퍼 처리 엔드 스테이션
KR20220037989A (ko) * 2020-09-18 2022-03-25 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법

Families Citing this family (29)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6517303B1 (en) * 1998-05-20 2003-02-11 Applied Komatsu Technology, Inc. Substrate transfer shuttle
JP2000306978A (ja) * 1999-02-15 2000-11-02 Kokusai Electric Co Ltd 基板処理装置、基板搬送装置、および基板処理方法
US6244931B1 (en) * 1999-04-02 2001-06-12 Applied Materials, Inc. Buffer station on CMP system
US6350097B1 (en) * 1999-04-19 2002-02-26 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for processing wafers
JP4607301B2 (ja) * 1999-09-06 2011-01-05 東京エレクトロン株式会社 半導体処理用の搬送装置及び半導体処理システム
KR20010068598A (ko) * 2000-01-07 2001-07-23 윤종용 반도체 제조용 화학기상증착 장치
JP4841035B2 (ja) * 2000-11-27 2011-12-21 東京エレクトロン株式会社 真空処理装置
JP4244555B2 (ja) 2002-02-25 2009-03-25 東京エレクトロン株式会社 被処理体の支持機構
KR100769187B1 (ko) * 2002-03-04 2007-10-23 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액정 표시 장치의 제조 방법
KR100720444B1 (ko) * 2002-03-13 2007-05-22 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액정 표시 장치의 제조 방법
KR100769186B1 (ko) * 2002-02-27 2007-10-23 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액정 표시 장치의 제조 방법
KR100720443B1 (ko) * 2002-02-27 2007-05-22 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액정 표시 장치의 제조 방법
KR100720422B1 (ko) * 2002-11-15 2007-05-22 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액정표시소자 제조 장치 및 이를 이용한 제조 방법
US7207766B2 (en) * 2003-10-20 2007-04-24 Applied Materials, Inc. Load lock chamber for large area substrate processing system
US7798764B2 (en) 2005-12-22 2010-09-21 Applied Materials, Inc. Substrate processing sequence in a cartesian robot cluster tool
JP4990160B2 (ja) * 2004-12-22 2012-08-01 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド 基板を処理するクラスタツールアーキテクチャ
JP4849825B2 (ja) * 2005-05-18 2012-01-11 東京エレクトロン株式会社 処理装置、位置合わせ方法、制御プログラムおよびコンピュータ記憶媒体
JP5264050B2 (ja) * 2005-09-02 2013-08-14 東京エレクトロン株式会社 昇降機構および搬送装置
TWI383936B (zh) * 2006-02-01 2013-02-01 Olympus Corp 基板交換裝置、基板處理裝置及基板檢查裝置
KR100757847B1 (ko) * 2006-05-26 2007-09-11 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 상기 장치에서 기판을 로딩하는 방법
US7690881B2 (en) * 2006-08-30 2010-04-06 Asm Japan K.K. Substrate-processing apparatus with buffer mechanism and substrate-transferring apparatus
JP4957133B2 (ja) * 2006-09-11 2012-06-20 株式会社Ｉｈｉ 基板搬送装置及び基板搬送方法
WO2008068859A1 (ja) * 2006-12-05 2008-06-12 Hirata Corporation 搬送装置
JP5190303B2 (ja) * 2008-06-04 2013-04-24 東京エレクトロン株式会社 搬送装置及び処理装置
JP5336885B2 (ja) * 2009-03-03 2013-11-06 東京エレクトロン株式会社 基板搬送装置及び基板搬送方法
JP5274335B2 (ja) * 2009-03-26 2013-08-28 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置および基板受渡方法
JP6122256B2 (ja) * 2011-08-12 2017-04-26 芝浦メカトロニクス株式会社 処理システムおよび処理方法
JP6700130B2 (ja) * 2016-07-12 2020-05-27 東京エレクトロン株式会社 接合システム
CN109693941B (zh) * 2019-01-31 2020-04-10 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 液晶面板的传输设备

Cited By (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100773192B1 (ko) * 1999-06-03 2007-11-02 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 기판을 처리하기 위한 방법 및 진공 장치
KR100789461B1 (ko) * 2000-08-22 2008-01-02 에이에스엠 저펜 가부시기가이샤 반도체처리모듈과 장치
KR100857660B1 (ko) * 2000-10-10 2008-09-08 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 다중 웨이퍼 리프트 장치 및 관련 방법
KR100475156B1 (ko) * 2001-05-22 2005-03-08 엘지.필립스 엘시디 주식회사 리프터핀 부재
US8268113B2 (en) 2002-03-19 2012-09-18 Fujitsu Limited Apparatus and method for fabricating bonded substrate
KR100916872B1 (ko) * 2002-03-19 2009-09-09 후지쯔 가부시끼가이샤 접합 기판 제조 장치 및 접합 기판 제조 방법
US7597774B2 (en) 2002-03-19 2009-10-06 Fujitsu Limited Apparatus and method for fabricating bonded substrate
KR100945334B1 (ko) * 2002-03-19 2010-03-08 후지쯔 가부시끼가이샤 접합 기판 제조 장치 및 접합 기판 제조 방법
US7704348B2 (en) 2002-03-19 2010-04-27 Fujitsu Limited Apparatus and method for fabricating bonded substrate
US7963308B2 (en) 2002-03-19 2011-06-21 Fujitsu Limited Apparatus and method for fabricating bonded substrate
KR100740955B1 (ko) * 2005-03-28 2007-07-19 다이닛뽕스크린 세이조오 가부시키가이샤 기판반송장치 및 기판반송방법
KR100796052B1 (ko) * 2005-04-27 2008-01-21 동경 엘렉트론 주식회사 처리장치 시스템
KR100830730B1 (ko) * 2005-09-02 2008-05-20 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 기판 처리 장치, 로드록실 유닛, 및 반송 장치의 반출 방법
KR101530513B1 (ko) * 2006-12-06 2015-06-24 액셀리스 테크놀러지스, 인크. 고 생산성 직렬 웨이퍼 처리 엔드 스테이션
KR101411620B1 (ko) * 2007-02-16 2014-06-25 엘아이지에이디피 주식회사 평판표시소자 제조장치의 로드 락 챔버
KR20220037989A (ko) * 2020-09-18 2022-03-25 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법

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KR100329514B1 (ko) 2002-08-24
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