KR19980036465A - 감광제 분사 체크기능을 갖는 웨이퍼 스핀코팅 시스템 - Google Patents

감광제 분사 체크기능을 갖는 웨이퍼 스핀코팅 시스템 Download PDF

Info

Publication number
KR19980036465A
KR19980036465A KR1019960055033A KR19960055033A KR19980036465A KR 19980036465 A KR19980036465 A KR 19980036465A KR 1019960055033 A KR1019960055033 A KR 1019960055033A KR 19960055033 A KR19960055033 A KR 19960055033A KR 19980036465 A KR19980036465 A KR 19980036465A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
spin coating
pumping
photoresist
wafer
controller
Prior art date
Application number
KR1019960055033A
Other languages
English (en)
Other versions
KR100236270B1 (ko
Inventor
최선집
김종관
장일진
Original Assignee
김광호
삼성전자 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 김광호, 삼성전자 주식회사 filed Critical 김광호
Priority to KR1019960055033A priority Critical patent/KR100236270B1/ko
Priority to TW086104653A priority patent/TW389933B/zh
Priority to JP9139842A priority patent/JP3009638B2/ja
Priority to US08/966,383 priority patent/US5912043A/en
Publication of KR19980036465A publication Critical patent/KR19980036465A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100236270B1 publication Critical patent/KR100236270B1/ko

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/6715—Apparatus for applying a liquid, a resin, an ink or the like
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/16—Coating processes; Apparatus therefor
    • G03F7/162—Coating on a rotating support, e.g. using a whirler or a spinner
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05C—APPARATUS FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05C11/00—Component parts, details or accessories not specifically provided for in groups B05C1/00 - B05C9/00
    • B05C11/02—Apparatus for spreading or distributing liquids or other fluent materials already applied to a surface ; Controlling means therefor; Control of the thickness of a coating by spreading or distributing liquids or other fluent materials already applied to the coated surface
    • B05C11/08—Spreading liquid or other fluent material by manipulating the work, e.g. tilting
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05C—APPARATUS FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05C11/00—Component parts, details or accessories not specifically provided for in groups B05C1/00 - B05C9/00
    • B05C11/10—Storage, supply or control of liquid or other fluent material; Recovery of excess liquid or other fluent material
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68764—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a movable susceptor, stage or support, others than those only rotating on their own vertical axis, e.g. susceptors on a rotating caroussel

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Coating Apparatus (AREA)
  • Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)
  • Materials For Photolithography (AREA)

Abstract

포토레지스트의 펌핑을 체크하여 웨이퍼 코팅을 위한 포토레지스트의 분사를 위한 펌핑이 수행되지 않으면 스핀코팅 동작을 중지시키는 감광제 분사체크 기능을 갖는 웨이퍼 스핀코팅 시스템에 관한 것이다.
본 발명은, 스핀코팅을 수행하기 위하여 웨이퍼가 장착된 회전장치의 구동을 제어하고 포토레지스트를 펌핑하기 위한 펌핑동작명령을 출력하는 제 1 컨트롤러를 구비하는 스핀코팅부, 펌핑동작명령이 인가되면 펌핑동작개시신호를 출력하고 가스유입단속을 위한 밸브로 개폐신호를 출력하여 외부 가스를 소정 용기로 유입시켜서 내부에 수용된 포토레지스트를 가압배출시키는 제 2 컨트롤러를 구비하는 펌핑부 및 펌핑동작개시신호와 상기 밸브의 개폐신호의 인가상태에 따라 스핀코팅동작 중 펌핑부로부터 스핀코팅부로 포토레지스트가 공급되지 않으면 제 1 컨트롤러로 이상상태에 대한 제어신호를 출력하여 스핀코팅동작을 중지시키는 감지수단을 구비하여 이루어진다.
따라서, 분사불량에 대한 제어가 이루어져서 포토레지스트의 분사없이 스핀코팅공정이 수행되지 않으므로, 불량 웨이퍼의 발생이 방지되어서 품질이 향상되고 수율이 극대화되는 효과가 있다.

Description

감광제 분사 체크기능을 갖는 웨이퍼 스핀코팅 시스템
본 발명은 감광제 분사체크 기능을 갖는 웨이퍼 스핀코팅 시스템에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 포토레지스트의 펌핑을 체크하여 웨이퍼 코팅을 위한 포토레지스트의 분사를 위한 펌핑이 수행되지 않으면 스핀코팅 동작을 중지시켜서 불량 웨이퍼 발생을 예방하는 감광제 분사체크 기능을 갖는 웨이퍼 스핀코팅 시스템에 관한 것이다.
일반적으로 웨이퍼는 반도체장치로 제조되기 위하여 산화, 확산, 이온주입, 사진식각, 금속 및 테스트공정을 반복적으로 거치면서 여러 가지 화학적 또는 물리적인 처리과정을 거치게 된다.
전술한 과정 중에 감광제 코팅공정이 웨이퍼 상에 마스킹 패턴을 형성시키기 위한 전(前) 공정으로 포함되어 있다. 감광제는 코팅된 막에 빛이 투사되면 그 분자구조가 변하는 물질이며, 반도체장치 제조 공정에는 주성분이 폴리규화비닐인 감광성 수지 즉 포토레지스트가 많이 이용되고 있다.
포토레지스트는 웨이퍼 상에 코팅된 후 노광 및 현상되고, 그에 따라 형성되는 마스킹 패턴을 이용하여 식각 또는 이온주입과 같은 공정이 수행되고 있다.
포토레지스트는 웨이퍼 전체에 필요한 두께의 감광제 박막을 일정하게 형성시키기 위하여 스핀방식에 의하여 코팅되며, 박막의 두께는 포토레지스트의 점성계수, 다중체 함량 및 최종 스핀 속도와 가속 등에 영향을 받는다. 포토레지스트는 전술한 바와 같이 스핀 방식으로 웨이퍼 상에 코팅되며, 스핀이 끝날 때면 포토레지스트에 포함된 용제의 약 80％∼90％가 증발되므로 코팅된 박막은 거의 건조 상태가 된다. 그 후 웨이퍼 상의 박막을 완전히 건조시킨 후 후속공정이 진행된다.
전술한 바와 같이 웨이퍼 상에 포토레지스트를 스핀코팅하는 종래의 시스템이 도1에 나타나 있다.
종래의 웨이퍼 스핀코팅 시스템은 포토레지스트를 펌핑하는 펌핑부(10)와 웨이퍼 상에 포토레지스트를 스핀코팅하는 스핀코팅부(12)로 구분될 수 있다.
펌핑부(10)는 용기(14)를 구비하여 복수 개의 외부에 연결된 포토레지스트를 수용한 용기(16, 18)로부터 밸브(20, 22)를 거쳐서 포토레지스트를 공급받도록 구성되어 있고, 용기(14)로의 포토레지스트 유입은 밸브(24)가 설치된 배관을 통한 공기의 배출로 이루어진다.
그리고, 펌핑부(10)는 포토레지스트가 용기(14)로부터 밸브(26)를 거쳐서 스핀코팅부(12)로 공급되도록 구성되어 있으며, 포토레지스트의 공급을 위한 펌핑은 밸브(28)를 통한 질소가스(N2) 가압방식으로 이루어지도록 용기(14)가 구성되어 있다. 즉, 밸브(20, 22, 26)가 닫힌 상태에서 밸브(28)를 통하여 질소가스가 유입되어 내부의 포토레지스트를 가압하면, 포토레지스트는 밸브(26)를 통하여 스핀코팅부(12)로 공급되어 웨이퍼로 분사된다.
그리고, 컨트롤러(30)는 펌핑부(10) 내에서의 용기(14)로의 포토레지스트 유입 및 질소가스 가압 공급을 수행하도록 각 밸브(20, 22, 24, 26, 28)들의 개폐를 제어하도록 구성되어 있다.
한편, 스핀코팅부(12)는 컨트롤러(32)의 제어에 의하여 회전구동장치(34)가 웨이퍼를 장착한 채 회전하도록 구성되어 있고, 펌핑부(10)로부터 공급되는 포토레지스트가 회전되는 웨이퍼 상으로 분사되어 코팅되도록 구성되어 있다.
따라서, 종래에는 스핀코팅부(12)의 컨트롤러(32)로 스핀코팅 공정명령이 인가되면, 컨트롤러(32)는 회전구동장치(34)를 제어하여 웨이퍼를 낱장 단위로 장착하여 회전시키고, 펌핑부(10)의 컨트롤러(30)로 펌핑동작명령을 출력한다.
그러면, 펌핑부(30)의 컨트롤러(30)는 밸브(20, 22, 24)는 닫고 밸브(26, 28)는 연다. 그러면 전술한 바와 같이 질소가스가 유입되어 용기(14) 내부의 포토레지스트를 가압하고, 포토레지스트는 스핀코팅부(12)로 공급되어서 웨이퍼로 분사된다.
그러나, 종래의 웨이퍼 스핀코팅 시스템은 포토레지스트의 공급 여부에 대한 체크없이 펌핑부(10)로 펌핑동작명령만 출력한 채 스핀코팅부(12)에서 웨이퍼 코팅이 수행되었다. 그러므로, 시스템의 오류로 인하여 펌핑이 정상적으로 수행되지 않아서 웨이퍼로 포토레지스트가 분사되지 않는 상태에서도 웨이퍼 코팅동작이 수행되었다.
포토레지스트의 분사없이 웨이퍼 코팅동작이 수행된 코팅불량 웨이퍼가 후속공정을 계속수행하게 됨으로써 반도체장치의 불량이 초래되었고, 스핀코팅동작이 포토레지스트의 분사없이 연속적으로 투입되는 웨이퍼에 대하여 수행되었으므로 다량의 웨이퍼 불량이 발생되었다.
결국, 종래의 웨이퍼 스핀코팅 시스템은 분사불량에 대한 제어가 이루어지지 않아서 불량 웨이퍼의 발생으로 인한 품질저하 및 수율저하가 발생되는 문제점이 있었다.
본 발명의 목적은, 웨이퍼 스핀코팅을 위한 펌핑을 체크하여 웨이퍼로의 포토레지스트 분사를 위한 펌핑에 이상이 발생되면 작동을 중지시켜서 웨이퍼 불량발생을 방지하기 위한 감광제 분사체크 기능을 갖는 웨이퍼 스핀코팅 시스템을 제공하는 데 있다.
도1은 종래의 웨이퍼 스핀코팅 시스템을 나타내는 블록도이다.
도2는 본 발명에 따른 감광제 분사 체크기능을 갖는 웨이퍼 스핀코팅 시스템의 실시예를 나타내는 블록도이다.
도3은 본 발명에 따른 실시예의 감지부를 나타내는 상세회로도이다.
※도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
10, 44 : 펌핑부 12, 46 : 스핀코팅부
14, 16, 18, 40, 42, 50 : 용기 20∼28, 52∼60 : 밸브
30, 32, 62, 64 : 컨트롤러 34, 66 : 회전구동장치
68 : 감지부 70, 72, 74 : 릴레이
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 웨이퍼 스핀코팅 시스템은, 가스펌핑방식으로 포토레지스트를 웨이퍼로 분사 및 코팅하는 웨이퍼 스핀코팅 시스템에 있어서, 스핀코팅을 수행하기 위하여 상기 웨이퍼가 장착된 회전장치의 구동을 제어하고 포토레지스트를 펌핑하기 위한 펌핑동작명령을 출력하는 제 1 컨트롤러를 구비하는 스핀코팅부, 상기 펌핑동작명령이 인가되면 펌핑동작개시신호를 출력하고 가스유입단속을 위한 밸브로 개폐신호를 출력하여 외부 가스를 소정 용기로 유입시켜서 내부에 수용된 포토레지스트를 가압배출시키는 제 2 컨트롤러를 구비하는 펌핑부 및 상기 펌핑동작개시신호와 상기 밸브의 개폐신호의 인가상태에 따라 스핀코팅동작 중 상기 펌핑부로부터 상기 스핀코팅부로 포토레지스트가 공급되지 않으면 상기 제 1 컨트롤러로 이상상태에 대한 제어신호를 출력하여 스핀코팅동작을 중지시키는 감지수단을 구비하여 이루어진다.
그리고, 상기 제 1 컨트롤러는 이상상태에 대한 상기 제어신호가 인가되면 상기 펌핑부로 펌핑동작 중지를 위한 명령을 인가하도록 구성됨이 바람직하다.
그리고, 상기 감지수단은 상기 펌핑동작개시신호가 인가되면 스위칭되는 제 1 스위칭수단, 상기 밸브의 개폐신호가 인가되면 스위칭되는 제 2 스위칭수단 및 상기 제 1 스위칭수단 및 제 2 스위칭수단이 모두 턴온 상태이면 연동 턴온되어 상기 제어신호를 출력하는 제 3 스위칭수단을 구비하여 이루어진다.
여기에서, 상기 펌핑부의 동작이 수행되는 상태에서 상기 펌핑동작개시신호의 인가로 상기 제 1 스위칭수단이 턴온되고, 상기 밸브를 개방시키지 않도록 상기 제어신호가 인가되면 제 2 스위칭수단이 턴온되도록 구성됨이 바람직하다.
그리고, 상기 제 1 스위칭수단 및 제 2 스위칭수단은 콘덴서, 역류방지용 다이오드 및 릴레이가 병렬로 각각 구성될 수 있고, 제 3 스위칭수단은 릴레이로 구성될 수 있다.
또한, 상기 감지수단으로부터 이상상태에 대한 감지신호를 인가받아서 경보동작을 수행하는 경보수단을 더 구비할 수 있다.
이하, 본 발명의 구체적인 실시예를 첨부한 도면을 참조하여 상세히 설명한다.
도2를 참조하면, 본 발명에 따른 실시예는 복수 개의 용기(40, 42)가 연결된 펌핑부(44), 스핀코팅부(46) 및 감지부(48)로 구성되어 있다.
펌핑부(44)는 용기(50)가 구비되어 용기(40, 42)로부터 밸브(52, 54)를 통하여 포토레지스트를 공급받도록 구성되어 있고, 포토레지스트의 공급을 위한 공기배출은 밸브(56)가 설치된 배관을 통하여 이루어지도록 구성되어 있다.
그리고, 펌핑부(44)의 용기(50)는 밸브(58)가 설치된 배관을 통하여 질소가스가 유입되도록 구성되어 있으며 또한 밸브(60)가 설치된 배관을 통하여 스핀코팅부(46)로 포토레지스트를 공급하도록 구성되어 있다. 각 밸브(52∼60)의 개폐는 컨트롤러(62)에 의하여 수행되도록 구성되어 있으며, 컨트롤러(62)는 펌핑부(44)의 동작을 제어하도록 구성되어 있다.
한편, 스핀코팅부(46)는 컨트롤러(64)의 제어에 의하여 회전구동장치(66)가 웨이퍼를 장착한 채 회전하도록 구성되어 있고, 펌핑부(44)로부터 공급되는 포토레지스트가 회전되는 웨이퍼 상으로 분사되어 코팅되도록 구성되어 있다.
그리고, 스핀코팅부(46)의 컨트롤러(64)는 스핀코팅동작을 위한 회전구동장치(66)의 동작을 제어하면서 펌핑부(44)의 컨트롤러(62)로 펌핑동작명령을 인가하도록 구성되어 있으며, 펌핑부(44)의 컨트롤러(62)는 펌핑동작명령 인가에 따라 밸브(58)을 개폐하기 위하여 인가되는 밸브개폐신호(B)와 펌핑동작개시에 따른 펌핑동작개시신호(A)를 각각 감지부(68)로 입력하도록 구성되어 있으며, 감지부(68)는 입력된 밸브개폐신호(B)와 펌핑동작개시신호(A)를 논리조합하여 정확한 펌핑이 수행되고 있는 지에 대한 제어신호(C)를 컨트롤러(64)로 입력하도록 구성되어 있다.
그리고, 감지부(68)는 도3과 같이 펌핑동작개시신호(A)가 인가되는 릴레이(70)와 밸브개폐신호(B)가 인가되는 릴레이(72) 및 릴레이(70, 72)에 연동스위칭되어 제어신호(C)를 출력하는 릴레이(74)로 구성되어 있다.
릴레이(70, 72)의 밸브개폐신호(B) 및 펌핑동작개시신호(A)가 인가되는 입력측에는 평활용 콘덴서(C1, C2) 및 역류방지용 다이오드(D1, D2)가 구성되어 있으며, 릴레이(70, 72)가 턴온될 때 릴레이(74)를 구동시키기 위한 전압 Vcc가 저항(R1)에 인가되도록 구성되어 있다.
따라서, 작업자가 컨트롤러(64)를 조작하여 웨이퍼에 포토레지스트 막질을 스핀코팅시키기 위하여 조작부(도시되지 않음)를 조작하면 컨트롤러(64)는 회전구동장치(66)를 웨이퍼를 장착시킨 상태에서 회전시키고 펌핑동작명령을 펌핑부(44)의 컨트롤러(62)로 인가한다.
펌핑부(44)의 컨트롤러(62)는 펌핑동작명령이 인가되면 밸브(58) 및 밸브(56)으로 제어신호를 인가하여 연다. 밸브(58)가 열리면 질소가스가 용기(50) 내부로 유입되어 내부에 수용된 포토레지스트를 가압하고, 포토레지스트는 가압력을 펌핑력으로 하여 밸브(60)가 설치된 배관을 통하여 스핀코팅부(46)로 공급되어서 웨이퍼로 분사된다. 그리고, 한편으로 컨트롤러(62)는 감지부(68)로 밸브(58)를 개폐하기 위한 밸브개폐신호(B)와 펌핑동작개시신호(A)를 감지부(68)로 인가한다. 펌핑동작신호는 펌핑동작명령이 인가되면 컨트롤러(62)로부터 연동되어 출력되는 하이/로우 상태의 로직신호이다.
릴레이(70, 72)는 입력단에 하이레벨의 신호가 인가되면 턴온되고, 릴레이(74)는 입력단에 로우레벨의 신호가 인가되면 턴온된다.
정상적인 펌핑동작이 수행되는 경우에 감지부(68)로 인가되는 펌핑동작개시신호(B)와 밸브개폐신호(B)는 하이 상태로 인가된다. 그러므로 감지부(68)의 릴레이(70, 72)는 턴온되어서 릴레이(74)는 턴오프상태를 유지하게 된다.
그러나, 펌핑동작명령이 컨트롤러(62)로 인가된 후 밸브(58)의 개방이 이루어지지 않으면, 스핀코팅부(46)에서는 웨이퍼의 스핀코팅이 수행되지 않고 불량이 발생된다. 즉 컨트롤러(62)로부터 하이레벨의 동작개시신호(A)가 인가되어서 릴레이(70)가 턴온된 상태에서 밸브(58)로 밸브개폐신호(B)가 하이레벨로 인가되지 않으면 릴레이(72)는 턴오프되어 릴레이(74)의 입력단에는 로우레벨의 신호가 인가된다. 그러면, 릴레이(74)가 턴온되므로, 감지부(64)는 제어신호를 컨트롤러(64)로 인가하고, 컨트롤러(64)는 스핀코팅동작을 중지하고 컨트롤러(62)로 펌핑중지명령을 출력하여 펌핑을 중지시킨다.
그러면 웨이퍼 스핀코팅 시스템의 동작이 중지되어 웨이퍼에 대한 스핀코팅동작이 수행되지 않는다.
따라서, 시스템의 회로상 이상발생 및 버그(Bug)로 인하여 포토레지스트의 분사가 수행되지 않으면, 감지부에서의 릴레이 동작에 의하여 펌핑부의 펌핑이상에 의한 분사없음이 감지된다. 분사없음이 감지되면 즉시 스핀코팅공정이 중지되므로, 불량 웨이퍼의 계속적인 발생이 방지된다.
따라서, 분사불량에 대한 제어가 이루어져서 포토레지스트의 분사없이 스핀코팅공정이 수행되지 않으므로, 불량 웨이퍼의 발생이 방지되어서 품질이 향상되고 수율이 극대화되는 효과가 있다.
이상에서 본 발명은 기재된 구체예에 대해서만 상세히 설명되었지만 본 발명의 기술사상 범위 내에서 다양한 변형 및 수정이 가능함은 당업자에게 있어서 명백한 것이며, 이러한 변형 및 수정이 첨부된 특허청구범위에 속함은 당연한 것이다.

Claims (7)

  1. 가스펌핑방식으로 포토레지스트를 웨이퍼로 분사 및 코팅하는 웨이퍼 스핀코팅 시스템에 있어서,
    스핀코팅을 수행하기 위하여 상기 웨이퍼가 장착된 회전장치의 구동을 제어하고 포토레지스트를 펌핑하기 위한 펌핑동작명령을 출력하는 제 1 컨트롤러를 구비하는 스핀코팅부;
    상기 펌핑동작명령이 인가되면 펌핑동작개시신호를 출력하고 가스유입단속을 위한 밸브로 개폐신호를 출력하여 외부 가스를 소정 용기로 유입시켜서 내부에 수용된 포토레지스트를 가압배출시키는 제 2 컨트롤러를 구비하는 펌핑부; 및
    상기 펌핑동작개시신호와 상기 밸브의 개폐신호의 인가상태에 따라 스핀코팅동작 중 상기 펌핑부로부터 상기 스핀코팅부로 포토레지스트가 공급되지 않으면 상기 제 1 컨트롤러로 이상상태에 대한 제어신호를 출력하여 스핀코팅동작을 중지시키는 감지수단;
    을 구비함을 특징으로 하는 감광제 분사 체크기능을 갖는 웨이퍼 스핀코팅 시스템.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 컨트롤러는 이상상태에 대한 상기 제어신호가 인가되면 상기 펌핑부로 펌핑동작 중지를 위한 명령을 인가하도록 구성됨을 특징으로 하는 상기 감광제 분사 체크기능을 갖는 웨이퍼 스핀코팅 시스템.
  3. 제 1 항에 있어서, 상기 감지수단은;
    상기 펌핑동작개시신호가 인가되면 스위칭되는 제 1 스위칭수단;
    상기 밸브의 개폐신호가 인가되면 스위칭되는 제 2 스위칭수단; 및
    상기 제 1 스위칭수단 및 제 2 스위칭수단이 모두 턴온 상태이면 연동 턴온되어 상기 제어신호를 출력하는 제 3 스위칭수단;
    을 구비함을 특징으로 하는 상기 감광제 분사 체크기능을 갖는 웨이퍼 스핀코팅 시스템.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 펌핑부의 동작이 수행되는 상태에서 상기 펌핑동작개시신호의 인가로 상기 제 1 스위칭수단이 턴온되고, 상기 밸브를 개방시키지 않도록 상기 제어신호가 인가되면 제 2 스위칭수단이 턴온되도록 구성됨을 특징으로 하는 상기 감광제 분사 체크기능을 갖는 웨이퍼 스핀코팅 시스템.
  5. 제 3 항에 있어서,
    상기 제 1 스위칭수단 및 제 2 스위칭수단은 콘덴서, 역류방지용 다이오드 및 릴레이가 병렬로 각각 구성됨을 특징으로 하는 상기 감광제 분사 체크기능을 갖는 웨이퍼 스핀코팅 시스템.
  6. 제 3 항에 있어서,
    제 3 스위칭수단은 릴레이임을 특징으로 하는 상기 감광제 분사 체크기능을 갖는 웨이퍼 스핀코팅 시스템.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 감지수단으로부터 이상상태에 대한 감지신호를 인가받아서 경보동작을 수행하는 경보수단을 더 구비함을 특징으로 하는 상기 감광제 분사 체크기능을 갖는 웨이퍼 스핀코팅 시스템.
KR1019960055033A 1996-11-18 1996-11-18 감광제 분사 체크기능을 갖는 웨이퍼 스핀코팅 시스템 KR100236270B1 (ko)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019960055033A KR100236270B1 (ko) 1996-11-18 1996-11-18 감광제 분사 체크기능을 갖는 웨이퍼 스핀코팅 시스템
TW086104653A TW389933B (en) 1996-11-18 1997-04-11 Wafer spin coating system having photoresist spraying check function
JP9139842A JP3009638B2 (ja) 1996-11-18 1997-05-29 フォトレジスト噴射チェック機能を有するウェーハスピンコーティングシステム
US08/966,383 US5912043A (en) 1996-11-18 1997-11-07 Wafer spin coating system with photoresist pumping unit check function

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019960055033A KR100236270B1 (ko) 1996-11-18 1996-11-18 감광제 분사 체크기능을 갖는 웨이퍼 스핀코팅 시스템

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR19980036465A true KR19980036465A (ko) 1998-08-05
KR100236270B1 KR100236270B1 (ko) 1999-12-15

Family

ID=19482294

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019960055033A KR100236270B1 (ko) 1996-11-18 1996-11-18 감광제 분사 체크기능을 갖는 웨이퍼 스핀코팅 시스템

Country Status (4)

Country Link
US (1) US5912043A (ko)
JP (1) JP3009638B2 (ko)
KR (1) KR100236270B1 (ko)
TW (1) TW389933B (ko)

Families Citing this family (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100348922B1 (ko) * 1996-02-28 2002-11-18 마쯔시다덴기산교 가부시키가이샤 고해상도및입체영상기록용광디스크,광디스크재생장치및광디스크기록장치
US6656215B1 (en) 2000-11-16 2003-12-02 Cordis Corporation Stent graft having an improved means for attaching a stent to a graft
US7404681B1 (en) 2000-05-31 2008-07-29 Fsi International, Inc. Coating methods and apparatus for coating
EP2957265A1 (en) 2001-03-13 2015-12-23 Medinol Ltd. An expandable medical device and a kit comprising an expandable medical device and a delivery balloon
KR100393289B1 (ko) * 2001-06-26 2003-07-31 주식회사 실리콘 테크 포토레지스트 토출 감시장치
US20040072450A1 (en) * 2002-10-15 2004-04-15 Collins Jimmy D. Spin-coating methods and apparatuses for spin-coating, including pressure sensor
US20060272576A1 (en) * 2005-06-02 2006-12-07 Chain-Chi Huang Piping system structure of semiconductor equipment
JP2007072138A (ja) 2005-09-06 2007-03-22 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd レジスト液製造方法及びこれを用いたレジスト膜
JP4704228B2 (ja) 2005-09-06 2011-06-15 東京応化工業株式会社 レジスト液供給装置及び当該レジスト液供給装置を得るための改造キット
KR100819095B1 (ko) * 2006-11-03 2008-04-02 삼성전자주식회사 포토스피너설비의 분사제어장치
US8236040B2 (en) 2008-04-11 2012-08-07 Endologix, Inc. Bifurcated graft deployment systems and methods
JP5639816B2 (ja) * 2009-09-08 2014-12-10 東京応化工業株式会社 塗布方法及び塗布装置
JP5439097B2 (ja) * 2009-09-08 2014-03-12 東京応化工業株式会社 塗布装置及び塗布方法
JP5469966B2 (ja) * 2009-09-08 2014-04-16 東京応化工業株式会社 塗布装置及び塗布方法
JP5719546B2 (ja) * 2009-09-08 2015-05-20 東京応化工業株式会社 塗布装置及び塗布方法
JP6403431B2 (ja) * 2013-06-28 2018-10-10 株式会社Ｋｏｋｕｓａｉ Ｅｌｅｃｔｒｉｃ 基板処理装置、流量監視方法及び半導体装置の製造方法並びに流量監視プログラム

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63246819A (ja) * 1987-04-02 1988-10-13 Oki Electric Ind Co Ltd 回転塗布装置
JPH0729809A (ja) * 1993-07-15 1995-01-31 Hitachi Ltd ホトレジスト塗布装置
JP3401121B2 (ja) * 1995-04-21 2003-04-28 大日本スクリーン製造株式会社 基板への回転式塗布装置

Also Published As

Publication number Publication date
KR100236270B1 (ko) 1999-12-15
US5912043A (en) 1999-06-15
TW389933B (en) 2000-05-11
JP3009638B2 (ja) 2000-02-14
JPH10154656A (ja) 1998-06-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR19980036465A (ko) 감광제 분사 체크기능을 갖는 웨이퍼 스핀코팅 시스템
US4688918A (en) Negative type photoresist developing apparatus
KR20050098410A (ko) 반도체 소자 제조장비에서의 감광액 공급방법 및 감광액공급장치
US20070266940A1 (en) Chemical dispensing control device of a photo spinner
US5571644A (en) Method and apparatus for developing resist
KR20040009869A (ko) 약액 공급 시스템
KR100476862B1 (ko) 웨이퍼코팅설비의포토레지스트분사상태체크장치
KR100330483B1 (ko) 포토 레지스트 자동 인식 방법 및 이를 위한 시스템
KR200269976Y1 (ko) 반도체 제조 공정에서의 포토레지스트 공급장치
KR100631918B1 (ko) 반도체 제조설비의 웨이퍼 포토레지스트 미도포 감지장치
KR200141180Y1 (ko) 반도체 현상장비의 버블제거장치
JP2001046945A (ja) 薬液供給装置
KR20020081731A (ko) 반도체 제조설비의 웨이퍼 포토레지스트 도포유량 감지장치
JPH10189437A (ja) 露光設備の基準マーク保護装置
KR20030075760A (ko) 반도체소자 제조용 포토레지스트 코팅장치의 포토레지스트필터
KR100545214B1 (ko) 반도체 제조공정의 포토레지스트 도포량 저감장치
KR100481556B1 (ko) 현상액 분사 장치
KR100727692B1 (ko) 반도체 제조용 트랙장비의 스핀 유닛 및 제어방법
US20040145718A1 (en) Pad coating system and interlock method thereof
KR100283034B1 (ko) 포토레지스트 형성 방법
KR19990040008U (ko) 반도체 웨이퍼 코팅장비의 감광액 공급장치
KR100779354B1 (ko) 반도체 현상설비
KR100861834B1 (ko) 항온수 제어장치의 자동 세정장치 및 방법
JPH09289158A (ja) 半導体製造装置の薬液加圧吐出システム
KR19980039940A (ko) 반도체 케미컬 공급시스템

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20080904

Year of fee payment: 10

LAPS Lapse due to unpaid annual fee