JP3009638B2 - フォトレジスト噴射チェック機能を有するウェーハスピンコーティングシステム - Google Patents
フォトレジスト噴射チェック機能を有するウェーハスピンコーティングシステムInfo
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、フォトレジスト噴
射チェック機能を有するウェーハスピンコーティングシ
ステムに関し、より詳細には、フォトレジストのポンピ
ング状態を常にチェックし、前記ポンピングが正常に遂
行されないときにスピンコーティングの作動を中止させ
て、不良ウェーハの発生を予防するフォトレジスト噴射
チェック機能を有するウェーハスピンコーティングシス
テムに関する。
射チェック機能を有するウェーハスピンコーティングシ
ステムに関し、より詳細には、フォトレジストのポンピ
ング状態を常にチェックし、前記ポンピングが正常に遂
行されないときにスピンコーティングの作動を中止させ
て、不良ウェーハの発生を予防するフォトレジスト噴射
チェック機能を有するウェーハスピンコーティングシス
テムに関する。
【０００２】
【従来の技術】一般にウェーハは、半導体装置となるま
でに反復的に種々の化学的及び機械的処理工程、即ち、
酸化、拡散、イオン注入、写真食刻、金属化及びテスト
工程を経ることになる。
でに反復的に種々の化学的及び機械的処理工程、即ち、
酸化、拡散、イオン注入、写真食刻、金属化及びテスト
工程を経ることになる。
【０００３】上述した工程の中で、フォトレジストのコ
ーティング工程がウェーハ上にマスキングパターンを形
成させる前工程として含まれている。通常、半導体装置
製造工程では、ポリビニルシリコンを主成分とする感光
性樹脂を含むフォトレジストが使用される。フォトレジ
ストが、通常スピンコーティング方式によってウェーハ
上に薄膜状にコーティングされた後、前記ウェーハは露
光及び現像される。その後、上記工程により形成される
マスキングパターンを利用して、食刻またはイオン注入
工程が行われる。前記薄膜の厚さは、フォトレジストの
粘性係数、重合体の含有量、及び、最終スピン速度と加
速等に影響される。
ーティング工程がウェーハ上にマスキングパターンを形
成させる前工程として含まれている。通常、半導体装置
製造工程では、ポリビニルシリコンを主成分とする感光
性樹脂を含むフォトレジストが使用される。フォトレジ
ストが、通常スピンコーティング方式によってウェーハ
上に薄膜状にコーティングされた後、前記ウェーハは露
光及び現像される。その後、上記工程により形成される
マスキングパターンを利用して、食刻またはイオン注入
工程が行われる。前記薄膜の厚さは、フォトレジストの
粘性係数、重合体の含有量、及び、最終スピン速度と加
速等に影響される。
【０００４】上述の通り、フォトレジストの溶液は、一
般にスピン方式によってウェーハ上にコーティングされ
る。スピンが終わるとフォトレジストに含まれていた溶
剤の約８０−９０％が蒸発し、ウェーハ上にコーティン
グされた薄膜はほぼ乾燥状態となる。薄膜が完全に乾い
た後、後続の工程が続行される。
般にスピン方式によってウェーハ上にコーティングされ
る。スピンが終わるとフォトレジストに含まれていた溶
剤の約８０−９０％が蒸発し、ウェーハ上にコーティン
グされた薄膜はほぼ乾燥状態となる。薄膜が完全に乾い
た後、後続の工程が続行される。
【０００５】上述したように、ウェーハ上にフォトレジ
ストをスピンコーティングする従来のシステムが、図３
に示されている。
ストをスピンコーティングする従来のシステムが、図３
に示されている。
【０００６】従来のウェーハスピンコーティングシステ
ムは、２つの部分、即ち、フォトレジストをポンプで搬
入又は搬出するポンピング部１０と、ウェーハ上にフォ
トレジストをスピンコートするスピンコーティング部１
２とに分けられる。
ムは、２つの部分、即ち、フォトレジストをポンプで搬
入又は搬出するポンピング部１０と、ウェーハ上にフォ
トレジストをスピンコートするスピンコーティング部１
２とに分けられる。
【０００７】ポンピング部１０は容器１４を備え、複数
個の外部に連結されたフォトレジストを収容した容器
（１６、１８）からバルブ（２０、２２）を経てフォト
レジストが容器１４に供給されるように構成されてお
り、容器１４内へのフォトレジストの流入は、バルブ２
４が設置された配管を通じて空気を排出させ、容器１４
の内部圧力を低下させることによって行われる。
個の外部に連結されたフォトレジストを収容した容器
（１６、１８）からバルブ（２０、２２）を経てフォト
レジストが容器１４に供給されるように構成されてお
り、容器１４内へのフォトレジストの流入は、バルブ２
４が設置された配管を通じて空気を排出させ、容器１４
の内部圧力を低下させることによって行われる。
【０００８】そして、ポンピング部１０は、フォトレジ
ストが容器１４からバルブ２６を経てスピンコーティン
グ部１２へ供給されるように構成されており、フォトレ
ジスト供給のためのポンプ力は、窒素ガス（Ｎ2）の加
圧により供給されるように構成されている。即ち、他の
バルブ（２０、２２、２４）が閉じている状態で、窒素
ガスをバルブ２８を通じて容器１４内へ流入させること
により内部のフォトレジストを加圧すると、フォトレジ
ストはバルブ２６を通じてスピンコーティング部１２へ
排出されてウェーハ上に噴射される。
ストが容器１４からバルブ２６を経てスピンコーティン
グ部１２へ供給されるように構成されており、フォトレ
ジスト供給のためのポンプ力は、窒素ガス（Ｎ2）の加
圧により供給されるように構成されている。即ち、他の
バルブ（２０、２２、２４）が閉じている状態で、窒素
ガスをバルブ２８を通じて容器１４内へ流入させること
により内部のフォトレジストを加圧すると、フォトレジ
ストはバルブ２６を通じてスピンコーティング部１２へ
排出されてウェーハ上に噴射される。
【０００９】そして、コントローラー３０は、フォトレ
ジスト及び窒素ガスをポンピング部１０の容器１４内に
供給するために、各バルブ（２０、２２、２４、２６、
２８）の開閉を制御するように構成されている。
ジスト及び窒素ガスをポンピング部１０の容器１４内に
供給するために、各バルブ（２０、２２、２４、２６、
２８）の開閉を制御するように構成されている。
【００１０】一方、スピンコーティング部１２は、コン
トローラー３２の制御によりウェーハが装着された回転
駆動装置３４を回転させ、回転するウェーハ上にポンピ
ング部から供給されるフォトレジストを噴射することに
よりスピンコーティングを行うように構成されている。
トローラー３２の制御によりウェーハが装着された回転
駆動装置３４を回転させ、回転するウェーハ上にポンピ
ング部から供給されるフォトレジストを噴射することに
よりスピンコーティングを行うように構成されている。
【００１１】従って、従来はスピンコーティング部１２
のコントローラー３２にスピンコーティング命令が与え
られると、コントローラー３２は回転駆動装置３４を制
御して一枚単位で装着されたウェーハを回転させ、ポン
ピング部１０のコントローラー３０へポンピング作動命
令を出力していた。
のコントローラー３２にスピンコーティング命令が与え
られると、コントローラー３２は回転駆動装置３４を制
御して一枚単位で装着されたウェーハを回転させ、ポン
ピング部１０のコントローラー３０へポンピング作動命
令を出力していた。
【００１２】その後、ポンピング部１０のコントローラ
ー３０はバルブ（２０、２２、２４）を閉めると共にバ
ルブ（２６、２８）を開ける。このとき、上述したよう
に容器１４内のフォトレジストを加圧するために窒素ガ
スが流入し、加圧されたフォトレジストはスピンコーテ
ィング部１２に供給されてウェーハ上に噴射される。
ー３０はバルブ（２０、２２、２４）を閉めると共にバ
ルブ（２６、２８）を開ける。このとき、上述したよう
に容器１４内のフォトレジストを加圧するために窒素ガ
スが流入し、加圧されたフォトレジストはスピンコーテ
ィング部１２に供給されてウェーハ上に噴射される。
【００１３】しかしながら、従来のウェーハスピンコー
ティングシステムは、フォトレジストがウェーハ上に噴
射されているか否かをチェックすることなしにポンピン
グ部１０へのポンピング作動命令を出力してスピンコー
ティング部１２でのウェーハのコーティングを行ってい
た。従って、システムのエラーによってフォトレジスト
のポンピングが正常に作動せず、ウェーハ上にフォトレ
ジストが噴射されない場合にもその状態をチェックする
ことなしにウェーハコーティング工程が行われていた。
ティングシステムは、フォトレジストがウェーハ上に噴
射されているか否かをチェックすることなしにポンピン
グ部１０へのポンピング作動命令を出力してスピンコー
ティング部１２でのウェーハのコーティングを行ってい
た。従って、システムのエラーによってフォトレジスト
のポンピングが正常に作動せず、ウェーハ上にフォトレ
ジストが噴射されない場合にもその状態をチェックする
ことなしにウェーハコーティング工程が行われていた。
【００１４】フォトレジストが噴射されずにウェーハコ
ーティング工程を通過したウェーハは、コーティング不
良の状態となり、このような状態のウェーハが後続の工
程を継続して経ることによって半導体装置の不良が起こ
る。さらに、連続的に投入されるウェーハにフォトレジ
ストが噴射されないままスピンコーティング動作が連続
的に行われると、多量の不良ウェーハが発生する。
ーティング工程を通過したウェーハは、コーティング不
良の状態となり、このような状態のウェーハが後続の工
程を継続して経ることによって半導体装置の不良が起こ
る。さらに、連続的に投入されるウェーハにフォトレジ
ストが噴射されないままスピンコーティング動作が連続
的に行われると、多量の不良ウェーハが発生する。
【００１５】上述の通り、従来のウェーハスピンコーテ
ィングシステムでは、フォトレジスト噴射工程において
発生する噴射不良を除去することができず、不良ウェー
ハによる品質の低下及び収率の低下が起こるという問題
があった。
ィングシステムでは、フォトレジスト噴射工程において
発生する噴射不良を除去することができず、不良ウェー
ハによる品質の低下及び収率の低下が起こるという問題
があった。
【００１６】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、ウェ
ーハ上にフォトレジストを噴射するためのポンピングに
異常が発生すると、作動を中止してウェーハの不良発生
を防止するための、フォトレジスト噴射チェック機能を
有するウェーハスピンコーティングシステムを提供する
ことにある。
ーハ上にフォトレジストを噴射するためのポンピングに
異常が発生すると、作動を中止してウェーハの不良発生
を防止するための、フォトレジスト噴射チェック機能を
有するウェーハスピンコーティングシステムを提供する
ことにある。
【００１７】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するた
め、本発明によるフォトレジスト噴射チェック機能を有
するウェーハスピンコーティングシステムは、加圧噴射
によりフォトレジストをウェーハにコーティングするウ
ェーハスピンコーティングシステムにおいて、前記ウェ
ーハが装着された回転装置の駆動を制御し、スピンコー
ティングを行うためにフォトレジストのポンピング作動
命令を出力する第１コントローラーを備えたスピンコー
ティング部と、前記ポンピング作動命令を受けるとポン
ピング動作開始信号を出力し、ガス供給を制御するため
のバルブ開閉信号を出力して、所定容器内のフォトレジ
ストを加圧排出させるために外部のガスを前記容器内に
供給する第２のコントローラーを備えたポンピング部
と、前記ポンピング動作開始信号と前記バルブ開閉信号
によるスピンコーティング作動中、前記ポンピング部か
ら前記スピンコーティング部内に前記フォトレジストが
供給されないとき、その異常状態を感知し、前記異常状
態に関する制御信号を出力することによりスピンコーテ
ィング動作を中止させる感知部とを備えてなる。
め、本発明によるフォトレジスト噴射チェック機能を有
するウェーハスピンコーティングシステムは、加圧噴射
によりフォトレジストをウェーハにコーティングするウ
ェーハスピンコーティングシステムにおいて、前記ウェ
ーハが装着された回転装置の駆動を制御し、スピンコー
ティングを行うためにフォトレジストのポンピング作動
命令を出力する第１コントローラーを備えたスピンコー
ティング部と、前記ポンピング作動命令を受けるとポン
ピング動作開始信号を出力し、ガス供給を制御するため
のバルブ開閉信号を出力して、所定容器内のフォトレジ
ストを加圧排出させるために外部のガスを前記容器内に
供給する第２のコントローラーを備えたポンピング部
と、前記ポンピング動作開始信号と前記バルブ開閉信号
によるスピンコーティング作動中、前記ポンピング部か
ら前記スピンコーティング部内に前記フォトレジストが
供給されないとき、その異常状態を感知し、前記異常状
態に関する制御信号を出力することによりスピンコーテ
ィング動作を中止させる感知部とを備えてなる。
【００１８】そして、前記第１コントローラーは、前記
異常状態に関する制御信号を受けると前記ポンピング部
にポンピング動作中止の命令を与えるように構成される
ことが好ましい。
異常状態に関する制御信号を受けると前記ポンピング部
にポンピング動作中止の命令を与えるように構成される
ことが好ましい。
【００１９】そして、前記感知部は、前記ポンピング動
作開始信号を受けるとスイッチされる第１スイッチング
部と、前記バルブ開閉信号を受けるとスイッチされる第
２スイッチング部と、及び、前記第１スイッチング部及
び第２スイッチング部が直列で駆動端に連結され、前記
第１及び第２スイッチング部のスイッチング状態とな
り、連動して前記制御信号を出力する第３スイッチング
部とを備えてなる。
作開始信号を受けるとスイッチされる第１スイッチング
部と、前記バルブ開閉信号を受けるとスイッチされる第
２スイッチング部と、及び、前記第１スイッチング部及
び第２スイッチング部が直列で駆動端に連結され、前記
第１及び第２スイッチング部のスイッチング状態とな
り、連動して前記制御信号を出力する第３スイッチング
部とを備えてなる。
【００２０】ここで、前記ポンピング部の作動状態にお
いて、前記ポンピング動作開始信号を受けて前記第１ス
イッチ部がオンにされる一方、前記第２スイッチ部がバ
ルブを閉じるための前記制御信号を受けてオンにされる
ように構成されることが好ましい。
いて、前記ポンピング動作開始信号を受けて前記第１ス
イッチ部がオンにされる一方、前記第２スイッチ部がバ
ルブを閉じるための前記制御信号を受けてオンにされる
ように構成されることが好ましい。
【００２１】そして、前記第１スイッチ部及び第２スイ
ッチ部は、コンデンサー、逆流防止用ダイオード及びリ
レーが並列に配置され、前記第３スイッチ部はリレーで
構成される。
ッチ部は、コンデンサー、逆流防止用ダイオード及びリ
レーが並列に配置され、前記第３スイッチ部はリレーで
構成される。
【００２２】また、前記感知部から前記異常状態に関す
る感知信号を受けると警報を発する警報手段を更に備え
る。
る感知信号を受けると警報を発する警報手段を更に備え
る。
【００２３】
【発明の実施の形態】図１を参照すると、本発明による
実施例は、フォトレジストが収容された複数個の容器
（４０、４２）が連結されたポンピング部４４、スピン
コーティング部４６及び感知部６８とから構成されてい
る。
実施例は、フォトレジストが収容された複数個の容器
（４０、４２）が連結されたポンピング部４４、スピン
コーティング部４６及び感知部６８とから構成されてい
る。
【００２４】ポンピング部４４は、内部に容器５０を備
えている。そして、容器５０は、バルブ（５２、５４）
が設置された配管を通じて外部の容器（４０、４２）と
連結され、バルブ５６が設置された配管を通じて、フォ
トレジストの供給力の提供のための空気排出が行われる
ように構成されている。そして、ポンピング部４４の容
器５０は、バルブ５８が設置された配管を通じて窒素ガ
スが流入するように構成されており、またバルブ６０が
設置された配管を通じて、スピンコーティング部４６に
フォトレジストを供給するように構成されている。
えている。そして、容器５０は、バルブ（５２、５４）
が設置された配管を通じて外部の容器（４０、４２）と
連結され、バルブ５６が設置された配管を通じて、フォ
トレジストの供給力の提供のための空気排出が行われる
ように構成されている。そして、ポンピング部４４の容
器５０は、バルブ５８が設置された配管を通じて窒素ガ
スが流入するように構成されており、またバルブ６０が
設置された配管を通じて、スピンコーティング部４６に
フォトレジストを供給するように構成されている。
【００２５】各バルブ（５２、５４、５６、５８、６
０）の開閉は、コントローラー６２によって制御され、
それによってポンピング部４４が作動されるように構成
されている。
０）の開閉は、コントローラー６２によって制御され、
それによってポンピング部４４が作動されるように構成
されている。
【００２６】一方、スピンコーティング部４６は、コン
トローラー６４の制御によって、回転駆動装置６６がウ
ェーハを装着した状態で回転され、ポンピング部４４か
ら供給されるフォトレジストが回転するウェーハ上に噴
射されるように構成されている。
トローラー６４の制御によって、回転駆動装置６６がウ
ェーハを装着した状態で回転され、ポンピング部４４か
ら供給されるフォトレジストが回転するウェーハ上に噴
射されるように構成されている。
【００２７】そして、スピンコーティング部４６のコン
トローラー６４は、スピンコーティングのための回転駆
動装置６６の作動を制御しながら、ポンピング部４４の
コントローラー６２にポンピング作動命令を与えるよう
に構成されており、ポンピング部４４のコントローラー
６２は、ポンピング作動命令を受けるとバルブ５８を開
閉するためのバルブ開閉信号Ｂとポンピング動作開始信
号Ａとをそれぞれ感知部６８に入力するように構成され
ている。感知部６８は、入力されたバルブ開閉信号Ｂと
ポンピング動作開始信号Ａとを論理組合して、正確にポ
ンピングが行われているか否かに関する制御信号Ｃをコ
ントローラー６４に入力するように構成されている。
トローラー６４は、スピンコーティングのための回転駆
動装置６６の作動を制御しながら、ポンピング部４４の
コントローラー６２にポンピング作動命令を与えるよう
に構成されており、ポンピング部４４のコントローラー
６２は、ポンピング作動命令を受けるとバルブ５８を開
閉するためのバルブ開閉信号Ｂとポンピング動作開始信
号Ａとをそれぞれ感知部６８に入力するように構成され
ている。感知部６８は、入力されたバルブ開閉信号Ｂと
ポンピング動作開始信号Ａとを論理組合して、正確にポ
ンピングが行われているか否かに関する制御信号Ｃをコ
ントローラー６４に入力するように構成されている。
【００２８】そして、感知部６８は、図２に示すように
ポンピング動作開始信号Ａを受けるリレー７０と、バル
ブ開閉信号Ｂを受けるリレー７２、及び、リレー（７
０、７２）に連動されて制御信号Ｃを出力するリレー７
４とから構成されている。
ポンピング動作開始信号Ａを受けるリレー７０と、バル
ブ開閉信号Ｂを受けるリレー７２、及び、リレー（７
０、７２）に連動されて制御信号Ｃを出力するリレー７
４とから構成されている。
【００２９】リレー（７０、７２）のポンピング動作開
始信号Ａ及びバルブ開閉信号Ｂが印加される入力側に
は、平滑用のコンデンサー（Ｃ１、Ｃ２）及び、逆流防
止用のダイオード（Ｄ１、Ｄ２）が構成されており、リ
レー（７０、７２）がオン状態にされる時、リレー７４
を駆動させるための電圧Ｖｃｃが抵抗（Ｒ１）に印加さ
れるように構成されている。
始信号Ａ及びバルブ開閉信号Ｂが印加される入力側に
は、平滑用のコンデンサー（Ｃ１、Ｃ２）及び、逆流防
止用のダイオード（Ｄ１、Ｄ２）が構成されており、リ
レー（７０、７２）がオン状態にされる時、リレー７４
を駆動させるための電圧Ｖｃｃが抵抗（Ｒ１）に印加さ
れるように構成されている。
【００３０】従って、作業者がコントローラー６４を操
作して、ウェーハ上にフォトレジスト膜質をスピンコー
ティングさせるために、操作部（図示されていない）を
操作すると、コントローラー６４は、ウェーハを装着さ
せた回転駆動装置６６を回転させ、ポンピング動作命令
をポンピング部４４のコントローラー６２に与える。
作して、ウェーハ上にフォトレジスト膜質をスピンコー
ティングさせるために、操作部（図示されていない）を
操作すると、コントローラー６４は、ウェーハを装着さ
せた回転駆動装置６６を回転させ、ポンピング動作命令
をポンピング部４４のコントローラー６２に与える。
【００３１】ポンピング部４４のバルブ５８は容器５０
の内部のフォトレジストをスピンコーティング部４６に
供給するために開放され、フォトレジストのスピンコー
ティング部４６への供給中止のために閉じられるように
制御される。このようなバルブ５８の開閉制御はバルブ
開閉信号Ｂの印加状態により決定され、バルブ５８が開
くと容器５０の内部に窒素が流入され容器５０の内部の
フォトレジストが加圧されてスピンコーティング部４６
の方に放出され、バルブ５８が閉じられると、この時バ
ルブ６０も一緒に閉じられ容器５０の内部への窒素流入
がないのでフォトレジストのスピンコーティング部４６
への放出が発生しない。
の内部のフォトレジストをスピンコーティング部４６に
供給するために開放され、フォトレジストのスピンコー
ティング部４６への供給中止のために閉じられるように
制御される。このようなバルブ５８の開閉制御はバルブ
開閉信号Ｂの印加状態により決定され、バルブ５８が開
くと容器５０の内部に窒素が流入され容器５０の内部の
フォトレジストが加圧されてスピンコーティング部４６
の方に放出され、バルブ５８が閉じられると、この時バ
ルブ６０も一緒に閉じられ容器５０の内部への窒素流入
がないのでフォトレジストのスピンコーティング部４６
への放出が発生しない。
【００３２】ポンピング部４４のコントローラー６２
は、ポンピング動作命令を受けると制御信号を出力し
て、バルブ５８及びバルブ６０を開ける。バルブ５８が
開けられると、窒素ガスが容器５０の内部に流入して内
部に収容されたフォトレジストを加圧し、フォトレジス
トは前記加圧力をポンプ力としてバルブ６０が設置され
た配管を通じてスピンコーティング部４６に供給されウ
ェーハに噴射される。
は、ポンピング動作命令を受けると制御信号を出力し
て、バルブ５８及びバルブ６０を開ける。バルブ５８が
開けられると、窒素ガスが容器５０の内部に流入して内
部に収容されたフォトレジストを加圧し、フォトレジス
トは前記加圧力をポンプ力としてバルブ６０が設置され
た配管を通じてスピンコーティング部４６に供給されウ
ェーハに噴射される。
【００３３】一方、コントローラー６２は、バルブ５８
を開閉するためのバルブ開閉信号Ｂと、ポンピング動作
開始信号Ａとを感知部６８に印加する。ポンピング動作
信号は、ポンピング作動命令を受けるとコントローラー
６２から連動され出力されるハイ／ロー状態のロジック
信号である。
を開閉するためのバルブ開閉信号Ｂと、ポンピング動作
開始信号Ａとを感知部６８に印加する。ポンピング動作
信号は、ポンピング作動命令を受けるとコントローラー
６２から連動され出力されるハイ／ロー状態のロジック
信号である。
【００３４】リレー（７０、７２）は、入力端にハイレ
ベルの信号が印加されるとオン状態にされ、リレー７４
は入力端にローレベルの信号が印加されるとオン状態に
される。
ベルの信号が印加されるとオン状態にされ、リレー７４
は入力端にローレベルの信号が印加されるとオン状態に
される。
【００３５】正常なポンピング動作が行われていると
き、感知部６８に印加されるポンピング動作開始信号Ａ
とバルブ開閉信号Ｂはハイ状態に印加される。従って、
感知部６８のリレー（７０、７２）はオン状態にされ
て、リレー７４はオフ状態を保持するようになる。
き、感知部６８に印加されるポンピング動作開始信号Ａ
とバルブ開閉信号Ｂはハイ状態に印加される。従って、
感知部６８のリレー（７０、７２）はオン状態にされ
て、リレー７４はオフ状態を保持するようになる。
【００３６】しかし、ポンピング作動命令がコントロー
ラー６２に与えられた後、バルブ５８が開放しなけれ
ば、スピンコーティング部４６ではウェーハのスピンコ
ーティングが行われずウェーハの不良が発生する。すな
わち、コントローラー６２からハイレベルの動作開始信
号Ａが与えられリレー７０がオン状態にされたとき、バ
ルブ５８にバルブ開閉信号Ｂがハイレベルで印加されな
ければ、リレー７２はオフ状態にされて、リレー７４の
入力端にはローレベルの信号が印加される。そうする
と、リレー７４がオン状態にされるので、感知部６８は
制御信号Ｃをコントローラー６４に印加し、コントロー
ラー６４はそれに従って、スピンコーティングの作動を
中止し、コントローラー６２にポンピング中止命令を出
力して、ポンピングを中止させる。そうすると、ウェー
ハスピンコーティングシステムの作動が中止されて、ウ
ェーハに対するスピンコーティングが中止される。
ラー６２に与えられた後、バルブ５８が開放しなけれ
ば、スピンコーティング部４６ではウェーハのスピンコ
ーティングが行われずウェーハの不良が発生する。すな
わち、コントローラー６２からハイレベルの動作開始信
号Ａが与えられリレー７０がオン状態にされたとき、バ
ルブ５８にバルブ開閉信号Ｂがハイレベルで印加されな
ければ、リレー７２はオフ状態にされて、リレー７４の
入力端にはローレベルの信号が印加される。そうする
と、リレー７４がオン状態にされるので、感知部６８は
制御信号Ｃをコントローラー６４に印加し、コントロー
ラー６４はそれに従って、スピンコーティングの作動を
中止し、コントローラー６２にポンピング中止命令を出
力して、ポンピングを中止させる。そうすると、ウェー
ハスピンコーティングシステムの作動が中止されて、ウ
ェーハに対するスピンコーティングが中止される。
【００３７】従って、システムの回路上における異常発
生及びバグによってフォトレジストの噴射が正常に行わ
れない場合には、感知部におけるリレー動作によって、
ポンピング部のポンピングの異常により噴射が行われて
いないことが感知される。噴射がないことが感知される
と、すぐスピンコーティング工程が中止されるので、不
良ウェーハの継続的な発生が防止される。
生及びバグによってフォトレジストの噴射が正常に行わ
れない場合には、感知部におけるリレー動作によって、
ポンピング部のポンピングの異常により噴射が行われて
いないことが感知される。噴射がないことが感知される
と、すぐスピンコーティング工程が中止されるので、不
良ウェーハの継続的な発生が防止される。
【００３８】
【発明の効果】フォトレジストの噴射不良が制御され、
フォトレジストが噴射されずにスピンコーティング工程
が行われることがなくなるので、不良ウェーハの発生を
防止することができ、品質および収率が向上する等の効
果がある。
フォトレジストが噴射されずにスピンコーティング工程
が行われることがなくなるので、不良ウェーハの発生を
防止することができ、品質および収率が向上する等の効
果がある。
【００３９】以上、記載された具体例についてのみ詳細
に説明したが、本発明の技術思想範囲内で多様な変形及
び修正が可能であることは、当業者によって明らかなも
のであり、このような変形及び修正が添付された特許請
求範囲に属することは当然のものである。
に説明したが、本発明の技術思想範囲内で多様な変形及
び修正が可能であることは、当業者によって明らかなも
のであり、このような変形及び修正が添付された特許請
求範囲に属することは当然のものである。
【図１】本発明による、感光剤噴射チェック機能を有す
るウェーハスピンコーティングシステムの実施例を示す
ブロック図である。
るウェーハスピンコーティングシステムの実施例を示す
ブロック図である。
【図２】本発明による実施例の感知部を示す詳細回路図
である。
である。
【図３】従来のウェーハスピンコーティングシステムを
示すブロック図である。
示すブロック図である。
１０、４４： ポンピング部 １２、４６： スピンコーティング部 １４、１６、１８、４０、４２、５０： 容器 ２０−２８、５２−６０： バルブ ３０、３２、６２、６４： コントローラー ３４、６６： 回転駆動装置 ６８： 感知部 ７０、７２、７４： リレー
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭63−128629（ＪＰ，Ａ) 特開 平９−253564（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/027
Claims (6)
- 【請求項１】 加圧噴射によりフォトレジストをウェー
ハにコーティングするウェーハスピンコーティングシス
テムにおいて、 前記ウェーハが装着された回転装置の駆動を制御し、ス
ピンコーティングを行うためにフォトレジストのポンピ
ング作動命令を出力する第１コントローラーを備えたス
ピンコーティング部と、 前記ポンピング作動命令を受けるとポンピング動作開始
信号を出力し、ガス供給を制御するためのバルブ開閉信
号を出力して、所定容器内のフォトレジストを加圧排出
させるために外部のガスを前記容器内に供給する第２の
コントローラーを備えたポンピング部と、 前記ポンピング動作開始信号と前記バルブ開閉信号によ
るスピンコーティング作動中、前記ポンピング部から前
記スピンコーティング部内に前記フォトレジストが供給
されないとき、その異常状態をポンピング開始信号とバ
ルブ開閉信号とから感知し、前記異常状態に関する制御
信号を出力することによりスピンコーティング動作を中
止させる感知部とを備えることを特徴とするフォトレジ
スト噴射チェック機能を有するウェーハスピンコーティ
ングシステム。 - 【請求項２】 前記第１コントローラーは、前記異常状
態に関する制御を受けると前記ポンピング部にポンピン
グ動作中止の命令を与えるように構成されることを特徴
とする請求項１記載のフォトレジスト噴射チェック機能
を有するウェーハスピンコーティングシステム。 - 【請求項３】 前記感知部は、 前記ポンピング動作開始信号を受けるとスイッチされる
第１スイッチング部と、 前記バルブ開閉信号を受ける
とスイッチされる第２スイッチング部と、及び、 前記第１スイッチング部と前記第２スイッチング部が直
列で駆動端に連結され、 前記第１及び第２スイッチン
グ部のスイッチング状態となり、連動して前記制御信号
を出力する第３スイッチング部とを備えることを特徴と
する請求項１記載のフォトレジスト噴射チェック機能を
有するウェーハスピンコーティングシステム。 - 【請求項４】 前記ポンピング部の作動状態で、前記ポ
ンピング動作開始信号を受けて前記第１スイッチング部
がオンにされる一方、前記第２スイッチング部がバルブ
を閉じるための前記制御信号を受けてオンにされるよう
に構成されることを特徴とする請求項３記載のフォトレ
ジスト噴射チェック機能を有するウェーハスピンコーテ
ィングシステム。 - 【請求項５】 前記第１スイッチ部及び第２スイッチ部
は、コンデンサー、逆流防止用ダイオード及びリレーが
並列に配置されて構成されることを特徴とする請求項３
記載のフォトレジスト噴射チェック機能を有するウェー
ハスピンコーティングシステム。 - 【請求項６】 前記第３スイッチ部はリレーであること
を特徴とする請求項３記載のフォトレジスト噴射チェッ
ク機能を有するウェーハスピンコーティングシステム。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019960055033A KR100236270B1 (ko) | 1996-11-18 | 1996-11-18 | 감광제 분사 체크기능을 갖는 웨이퍼 스핀코팅 시스템 |
| KR1996-55033 | 1996-11-18 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10154656A JPH10154656A (ja) | 1998-06-09 |
| JP3009638B2 true JP3009638B2 (ja) | 2000-02-14 |
Family
ID=19482294
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9139842A Expired - Fee Related JP3009638B2 (ja) | 1996-11-18 | 1997-05-29 | フォトレジスト噴射チェック機能を有するウェーハスピンコーティングシステム |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5912043A (ja) |
| JP (1) | JP3009638B2 (ja) |
| KR (1) | KR100236270B1 (ja) |
| TW (1) | TW389933B (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7862609B2 (en) | 2000-11-16 | 2011-01-04 | Cordis Corporation | Stent graft having a pleated graft member |
| US8236040B2 (en) | 2008-04-11 | 2012-08-07 | Endologix, Inc. | Bifurcated graft deployment systems and methods |
| US9492293B2 (en) | 2001-03-13 | 2016-11-15 | Medinol Ltd. | Method and apparatus for stenting |
Families Citing this family (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100348922B1 (ko) * | 1996-02-28 | 2002-11-18 | 마쯔시다덴기산교 가부시키가이샤 | 고해상도및입체영상기록용광디스크,광디스크재생장치및광디스크기록장치 |
| US7404681B1 (en) | 2000-05-31 | 2008-07-29 | Fsi International, Inc. | Coating methods and apparatus for coating |
| KR100393289B1 (ko) * | 2001-06-26 | 2003-07-31 | 주식회사 실리콘 테크 | 포토레지스트 토출 감시장치 |
| US20040072450A1 (en) * | 2002-10-15 | 2004-04-15 | Collins Jimmy D. | Spin-coating methods and apparatuses for spin-coating, including pressure sensor |
| US20060272576A1 (en) * | 2005-06-02 | 2006-12-07 | Chain-Chi Huang | Piping system structure of semiconductor equipment |
| JP2007072138A (ja) | 2005-09-06 | 2007-03-22 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | レジスト液製造方法及びこれを用いたレジスト膜 |
| JP4704228B2 (ja) | 2005-09-06 | 2011-06-15 | 東京応化工業株式会社 | レジスト液供給装置及び当該レジスト液供給装置を得るための改造キット |
| KR100819095B1 (ko) * | 2006-11-03 | 2008-04-02 | 삼성전자주식회사 | 포토스피너설비의 분사제어장치 |
| JP5639816B2 (ja) * | 2009-09-08 | 2014-12-10 | 東京応化工業株式会社 | 塗布方法及び塗布装置 |
| JP5439097B2 (ja) * | 2009-09-08 | 2014-03-12 | 東京応化工業株式会社 | 塗布装置及び塗布方法 |
| JP5469966B2 (ja) * | 2009-09-08 | 2014-04-16 | 東京応化工業株式会社 | 塗布装置及び塗布方法 |
| JP5719546B2 (ja) * | 2009-09-08 | 2015-05-20 | 東京応化工業株式会社 | 塗布装置及び塗布方法 |
| JP6403431B2 (ja) * | 2013-06-28 | 2018-10-10 | 株式会社Ｋｏｋｕｓａｉ Ｅｌｅｃｔｒｉｃ | 基板処理装置、流量監視方法及び半導体装置の製造方法並びに流量監視プログラム |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63246819A (ja) * | 1987-04-02 | 1988-10-13 | Oki Electric Ind Co Ltd | 回転塗布装置 |
| JPH0729809A (ja) * | 1993-07-15 | 1995-01-31 | Hitachi Ltd | ホトレジスト塗布装置 |
| JP3401121B2 (ja) * | 1995-04-21 | 2003-04-28 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板への回転式塗布装置 |
-
1996
- 1996-11-18 KR KR1019960055033A patent/KR100236270B1/ko not_active IP Right Cessation
-
1997
- 1997-04-11 TW TW086104653A patent/TW389933B/zh not_active IP Right Cessation
- 1997-05-29 JP JP9139842A patent/JP3009638B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 1997-11-07 US US08/966,383 patent/US5912043A/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7862609B2 (en) | 2000-11-16 | 2011-01-04 | Cordis Corporation | Stent graft having a pleated graft member |
| US9492293B2 (en) | 2001-03-13 | 2016-11-15 | Medinol Ltd. | Method and apparatus for stenting |
| US8236040B2 (en) | 2008-04-11 | 2012-08-07 | Endologix, Inc. | Bifurcated graft deployment systems and methods |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR100236270B1 (ko) | 1999-12-15 |
| US5912043A (en) | 1999-06-15 |
| KR19980036465A (ko) | 1998-08-05 |
| TW389933B (en) | 2000-05-11 |
| JPH10154656A (ja) | 1998-06-09 |
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