CN111540697A - 清洗装置及其故障停机的处理方法、半导体加工设备 - Google Patents

清洗装置及其故障停机的处理方法、半导体加工设备 Download PDF

Info

Publication number
CN111540697A
CN111540697A CN202010387171.XA CN202010387171A CN111540697A CN 111540697 A CN111540697 A CN 111540697A CN 202010387171 A CN202010387171 A CN 202010387171A CN 111540697 A CN111540697 A CN 111540697A
Authority
CN
China
Prior art keywords
cleaning
cleaned
piece
cleaning device
carrying platform
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN202010387171.XA
Other languages
English (en)
Other versions
CN111540697B (zh
Inventor
杨慧毓
吴仪
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Beijing Naura Microelectronics Equipment Co Ltd
Original Assignee
Beijing Naura Microelectronics Equipment Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Beijing Naura Microelectronics Equipment Co Ltd filed Critical Beijing Naura Microelectronics Equipment Co Ltd
Priority to CN202010387171.XA priority Critical patent/CN111540697B/zh
Publication of CN111540697A publication Critical patent/CN111540697A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN111540697B publication Critical patent/CN111540697B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67051Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67253Process monitoring, e.g. flow or thickness monitoring
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67276Production flow monitoring, e.g. for increasing throughput

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Automation & Control Theory (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)

Abstract

本发明提供一种清洗装置及其故障停机的处理方法、半导体加工设备,该清洗装置包括:载台和清洗机构;清洗机构包括:喷射部和驱动部,驱动部用于驱动载台旋转,喷射部用于向待清洗件喷射清洗液和干燥气体;该处理方法包括:当清洗装置在对待清洗件进行清洗的过程中发生故障停机时,判断清洗装置的故障等级是否不低于预设故障等级;若是,判断驱动部是否处于不可旋转状态;若否,则控制清洗机构执行应急清洗步骤;当应急清洗步骤执行失败时,控制驱动部驱动载台旋转,以将待清洗件上的清洗液甩出。本发明可以在应急清洗步骤执行失败时将残留的清洗液从待清洗件上甩出,避免清洗液与待清洗件长时间接触。

Description

清洗装置及其故障停机的处理方法、半导体加工设备
技术领域
本发明涉及半导体加工技术领域,具体涉及一种清洗装置及其故障停机的处理方法、半导体加工设备。
背景技术
大规模集成电路制造领域中,清洗工艺一直占据着重要比重。待清洗件(例如晶圆)在经过刻蚀和热处理后,需要通过清洗工艺对附着在待清洗件上的残留物进行清洗。
然而,由于清洗工艺中用到的药液对待清洗件上的元件具有一定的腐蚀性,因此,若清洗装置在对待清洗件进行清洗的过程中发生故障停机,待清洗件上残留的药液将有可能导致待清洗件上的元件产生缺陷,进而影响元件的电性能。
目前,在清洗装置发生故障停机时,会立即调用应急程序,通过长时间的超纯水清洗加氮气干燥,来尽量去除待清洗件上残留的药液。但是,当应急程序调用失败时,清洗装置会停止清洗动作,此时,若待清洗件表面仍残留有药液且得不到及时处理,仍会导致待清洗件上的元件产生缺陷,甚至导致待清洗件报废。
发明内容
本发明旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一,提出了一种清洗装置及其故障停机的处理方法、半导体加工设备。
为了实现上述目的,本发明提供一种清洗装置故障停机的处理方法,所述清洗装置包括:用于承载待清洗件的载台和用于清洗所述待清洗件的清洗机构;所述清洗机构包括:喷射部和驱动部,所述驱动部用于驱动所述载台旋转,所述喷射部用于向所述待清洗件喷射清洗液和干燥气体;其中,所述处理方法包括:
当所述清洗装置在对待清洗件进行清洗的过程中发生故障停机时,判断所述清洗装置的故障等级是否不低于预设故障等级;
当所述清洗机构的故障等级不低于所述预设故障等级时,判断所述驱动部是否处于不可旋转状态,若所述驱动部处于不可旋转状态,则控制所述清洗机构停止对所述待清洗件进行清洗;若所述驱动部处于正常可旋转状态,则控制所述清洗机构执行应急清洗步骤,以去除残留在所述待清洗件上的清洗液;
当所述应急清洗步骤执行失败时,控制所述驱动部驱动所述载台旋转,以将所述待清洗件上的清洗液甩出。
可选地,所述处理方法还包括:
根据所述清洗装置的报警信息,将所述清洗装置的故障等级划分为第一故障等级、高于所述第一故障等级的第二故障等级和高于所述第二故障等级的第三故障等级,其中,所述预设故障等级为所述第二故障等级。
可选地,所述控制所述驱动部驱动所述载台旋转,具体包括:
检测所述载台上方的静电场强;
判断检测到的所述静电场强是否大于预设场强,当检测到的所述静电场强大于所述预设场强时,降低所述载台的转速,并继续执行所述检测所述载台上方的静电场强的操作,直至将所述待清洗件上的清洗液甩出。
可选地,所述载台转速的降低量大于等于50rpm且小于等于150rpm。
可选地,所述控制所述驱动部驱动所述载台旋转的时长大于等于5s且小于等于15s。
可选地,所述喷射部喷出的所述清洗液包括药液和超纯水,所述控制所述清洗机构执行应急清洗步骤,具体包括:
控制所述喷射部向所述待清洗件喷射所述超纯水,以去除所述待清洗件上残留的所述药液;
控制所述喷射部向所述待清洗件喷射干燥气体,以对所述待清洗件进行干燥。
本发明还提供一种清洗装置,包括:用于承载待清洗件的载台、和用于清洗所述待清洗件的清洗机构;所述清洗机构包括:喷射部和驱动部,所述驱动部用于驱动所述载台旋转,所述喷射部用于向所述载台上的所述待清洗件喷射清洗液和干燥气体;其中,所述清洗装置还包括处理模块,所述处理模块包括:
第一判断单元,用于当所述清洗装置在对所述待清洗件进行清洗的过程中发生故障停机时,判断所述清洗装置的故障等级是否不低于预设故障等级;
第二判断单元,用于当所述清洗装置的故障等级不低于所述预设故障等级时,判断所述驱动部是否处于不可旋转状态;
第一控制单元,用于当所述驱动部处于不可旋转状态时,控制所述清洗机构停止对所述待清洗件进行清洗;当所述驱动部处于正常可旋转状态时,控制所述清洗机构执行应急清洗步骤,以去除残留在所述待清洗件上的清洗液;
第三判断单元,用于判断所述应急清洗步骤是否执行失败;
第二控制单元,用于当所述应急清洗步骤执行失败时,控制所述驱动部驱动所述载台旋转,以将所述待清洗件上的清洗液甩出。
可选地,所述清洗装置还包括:静电检测机构,用于检测所述载台上方的静电场强;
所述处理模块还包括:
第四判断单元,用于判断所述静电检测机构检测到的所述静电场强是否大于预设场强;
第三控制单元,用于当所述静电检测机构检测到的所述静电场强大于所述预设场强时,降低所述载台的转速,并调用所述静电检测机构重复执行所述检测所述载台上方的静电场强的操作,直至将所述待清洗件上的清洗液甩出。
可选地,所述喷射部包括:
药液摆臂,用于在对所述待清洗件进行清洗的过程中向所述待清洗件喷射药液;
超纯水摆臂,用于在对所述待清洗件进行清洗的过程中和所述应急清洗步骤中均向所述载台上的待清洗件喷射超纯水;
干燥气体摆臂,用于在对所述待清洗件进行清洗的过程中和所述应急清洗步骤中均向所述载台上的待清洗件喷射干燥气体。
本发明还提供一种半导体加工设备,其中,包括上述的待清洗件清洗装置。
本发明具有以下有益效果:
采用本发明实施例的待清洗件清洗装置故障停机的处理方法,当应急清洗步骤执行失败时,通过控制驱动部驱动载台进行旋转,可以将待清洗件表面残留的清洗液甩出,防止残留的清洗液与待清洗件上的元件长时间接触或反应,改善了由此引起的待清洗件上的元件产生缺陷的问题。
附图说明
附图是用来提供对本发明的进一步理解,并且构成说明书的一部分,与下面的具体实施方式一起用于解释本发明,但并不构成对本发明的限制。在附图中:
图1为本发明实施例提供的清洗装置的示意图之一;
图2为本发明实施例提供的清洗装置故障停机的处理方法的流程图之一;
图3为本发明实施例提供的清洗装置故障停机的处理方法的流程图之二;
图4为本发明实施例提供的应急清洗步骤的流程图;
图5为本发明实施例提供的清洗装置的结构示意图之二;
图6为本发明实施例提供的处理模块的结构示意图之一;
图7为本发明实施例提供的清洗装置的结构示意图之三;
图8为本发明实施例提供的处理模块的结构示意图之二。
具体实施方式
以下结合附图对本发明的具体实施方式进行详细说明。应当理解的是,此处所描述的具体实施方式仅用于说明和解释本发明,并不用于限制本发明。
除非另作定义,本发明实施例使用的技术术语或者科学术语应当为本发明所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本发明中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性,而只是用来区分不同的组成部分。同样,“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同,而不排除其他元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接,而是可以包括电性的连接,不管是直接的还是间接的。“上”、“下”、“左”、“右”等仅用于表示相对位置关系,当被描述对象的绝对位置改变后,则该相对位置关系也可能相应地改变。
目前,待清洗件(例如晶圆)在经过刻蚀和热处理等工艺后,其表面会存在残留的反应物,因此,需要通过清洗工艺对待清洗件进行清洗以去除其表面残留的反应物。常规的清洗步骤通常包括药液清洗、甩干、超纯水清洗和干燥气体干燥等步骤,以65nm铜(Cu)互联清洗为例,如表1所示,对待清洗件进行清洗的过程包括:第一步,通过药液对待清洗件表面残留的反应物进行清洗,具体地,控制药液机械臂按照第一预设轨迹运动,并向待清洗件喷射药液(如ST250),同时,控制待清洗件进行旋转,旋转速度为500rpm,待清洗件高度为h1,该步骤的持续时间为90s。第二步,将待清洗件表面的药液甩干,具体地,停止向待清洗件喷射药液,仅控制待清洗件进行旋转,旋转速度为1200rpm,待清洗件高度为h1,该步骤的持续时间为5s。第三步,去除待清洗件表面残留的药液,具体地,控制超纯水机械臂按照第二预设轨迹运动,并向待清洗件喷射超纯水DIW,同时,控制待清洗件进行旋转,旋转速度为600rpm,待清洗件高度为h2,该步骤的持续时间为40s。第四步,对待清洗件进行干燥,具体地,控制干燥气体机械臂按照第三预设轨迹运动,并向待清洗件喷射干燥气体(如氮气N2),同时,控制待清洗件进行旋转,旋转速度为600rpm,待清洗件高度为h2,该步骤的持续时间为30s。
表1常规清洗步骤的工艺菜单
Figure BDA0002484213940000061
在上述的对待清洗件进行清洗的过程中,由于药液具有一定的腐蚀性,其对含水量的要求十分严格,含水量过高或者过低都可能会影响待清洗件的元件的电性能。因此,在传统的清洗方法中,一旦清洗装置发生故障停机,将会根据清洗装置的故障等级分别采取不同的处理流程,例如,故障等级可以包括第一故障等级Warning、第二故障等级Alarm和第三故障等级Recovery。故障等级越高,表示清洗装置的故障越严重。当清洗装置的故障等级为第一故障等级Warning时,可以继续完成当前的清洗步骤;当清洗装置的故障等级为第二故障等级Alarm时,将会调用应急程序,通过长时间的超纯水清洗加氮气干燥,来尽量去除待清洗件上残留的药液;当应急程序执行失败时,以及清洗装置的故障等级为第三故障等级Recovery时,清洗装置均会停止对待清洗件进行清洗,此时,若待清洗件上残留的药液得不到有效处理,药液在待清洗件表面风干后将会出现肉眼可见的瘢痕,进而导致待清洗件上的元件产生缺陷,甚至会导致待清洗件报废。
有鉴于此,本发明实施例提供一种清洗装置故障停机的处理方法,图1为本发明实施例提供的清洗装置的示意图之一,如图1所示,该清洗装置包括:用于承载待清洗件1的载台2和用于清洗待清洗件1的清洗机构,在本发明实施例中,待清洗件1可以是指晶圆。清洗机构包括:喷射部31和驱动部32,驱动部32用于驱动载台2旋转,喷射部31用于向待清洗件1喷射清洗液和干燥气体。图2为本发明实施例提供的清洗装置故障停机的处理方法的流程图之一,如图2所示,该处理方法包括:
S1、当清洗装置在对待清洗件进行清洗的过程中发生故障停机时,判断清洗装置的故障等级是否不低于预设故障等级。当清洗机构的故障等级不低于预设故障等级时,进行步骤S2。
在本发明实施例中,清洗装置发生故障停机时将发出报警信息,报警信息包括故障的种类和该故障的影响程度等,清洗装置的故障等级可以根据发生故障时的报警信息来确定。
S2、判断驱动部32是否处于不可旋转状态,若是,则控制清洗机构停止对待清洗件1进行清洗;若否,则控制清洗机构执行应急清洗步骤,以去除残留在待清洗件1上的清洗液。
在本发明实施例中,判断驱动部32是否处于不可旋转状态,具体可以包括:当用于控制驱动部32的第一控制信号发出后,判断驱动部32是否响应于该第一控制信号驱动载台2旋转,若驱动部32未驱动载台2旋转,则确定驱动部32处于不可旋转状态;若驱动部32可以驱动载台2旋转,则确定驱动部32处于正常可旋转状态。在应急清洗步骤中,可以控制喷射部31向待清洗件1喷射超纯水和干燥气体,以去除残留在待清洗件1上的清洗液,具体过程下文将进行详细介绍,在此不再赘述。在控制清洗机构执行应急清洗步骤时,可以判断应急清洗步骤是否执行失败,例如,当用于控制清洗机构执行应急清洗步骤的第二控制信号发出后,判断清洗机构是否响应于该第二控制信号对待清洗件1进行应急清洗,若清洗机构未对待清洗件1进行应急清洗或应急清洗未能完成,则确定清洗机构执行应急清洗步骤失败;若清洗机构可以对待清洗件1进行应急清洗,且应急清洗步骤完成,则确定清洗机构执行应急清洗步骤成功,此时,可以控制清洗机构停止对待清洗件1进行清洗,等待人员处理。
当应急清洗步骤执行失败时,进行步骤S3,即,控制驱动部32驱动载台2旋转,以将待清洗件1上的清洗液甩出。
采用本发明实施例的处理方法,当应急清洗步骤执行失败时,通过控制驱动部32驱动载台2进行旋转,可以将待清洗件1表面残留的清洗液甩出,防止残留的清洗液与待清洗件1上的元件长时间接触或反应,改善了由此引起的待清洗件1上的元件产生缺陷的问题。
下面结合图1、图3和图4对本发明实施例的处理方法进行详细说明。在一些具体实施例中,当应急清洗步骤执行失败时,可以控制驱动部32驱动载台2旋转的初始转速大于等于1000rpm且小于等于1900rpm,控制驱动部32驱动载台2旋转的时长大于等于5s且小于等于15s,例如,控制驱动部32驱动载台2旋转的初始转速为1500rpm,旋转时长为10s,从而使载台2持续高速旋转,有利于将清洗液甩出。
在一些具体实施例中,该处理方法还可以包括:
根据清洗装置的报警信息,将清洗装置的故障等级划分为第一故障等级、高于第一故障等级的第二故障等级和高于第二故障等级的第三故障等级,其中,预设故障等级为第二故障等级。
在本发明实施例中,当清洗装置的故障等级为第一故障等级时,可以执行步骤S51,即,控制清洗机构继续对待清洗件1进行清洗。当清洗装置的故障等级为第三故障等级时,可以控制清洗机构停止对待清洗件1进行清洗,且控制载台2停止旋转。
在本发明实施例中,可以根据报警信息,将影响较小的故障设置为较低的第一故障等级,而将影响较大的故障的设置为较高的第三故障等级。例如,报警信息中的故障种类可以包括:清洗液压力发生偏差、软件崩溃以及发生漏液等。其中,清洗液压力发生偏差的影响较小,可以使该故障为第一故障等级,软件崩溃的影响中等,可以使该故障为第二故障等级,发生漏液对工艺的影响最大,可以使该故障为第三故障等级。在本发明实施例中,当清洗装置的故障等级为第一故障等级时,由于该故障影响较小,因此,可以控制清洗机构继续对待清洗件1进行清洗以完成当前的清洗步骤,并等待工作人员进行处理。当清洗装置的故障等级为第三故障等级时,该故障的影响较大,需要立即控制清洗机构停止对待清洗件1进行清洗,且控制载台2停止旋转,并通知工作人员马上进行处理,从而减小清洗装置的故障所造成的影响进一步增大。
在一些具体实施例中,在步骤S3中,由于应急清洗步骤执行失败,因此,当待清洗件1在旋转时,喷射部32可能未工作,此时,待清洗件1表面的含水量将会骤降,ST250的浓度和粘性骤增,空气与待清洗件1的表面摩擦将会使待清洗件1的静电场强骤增,极易导致待清洗件1发生打火现象(Arcing),进而导致待清洗件1上的元件产生缺陷。因此,为避免待清洗件1发生打火现象,可以通过静电检测机构检测载台2上方的静电场强,并根据检测到的静电场强适当降低驱动部32的转速。图3为本发明实施例提供的清洗装置故障停机的处理方法的流程图之二,如图3所示,该处理方法还包括:
S41、检测载台2上方的静电场强。
S42、判断检测到的静电场强是否大于预设场强,当检测到的静电场强大于预设场强时,降低载台2的转速,并继续执行检测载台2上方的静电场强的操作,直至将待清洗件1上的清洗液甩出。
在本发明实施例中,当检测到的静电场强大于预设场强时,可以按照一预设的降低量降低驱动部32的转速,之后,再次对载台2上方的静电场强进行检测,倘若此时检测到的静电场强仍大于预设场强,则继续按照上述预设的降低量降低驱动部32的转速,重复上述过程,直至检测到的静电场强小于或等于预设场强,此时,可以控制载台2继续以当前的转速旋转,直至完成。具体地,每次降低载台2的转速时,载台2转速的降低量可以大于等于50rpm且小于等于150rpm,例如100rpm,从而使驱动部32可以在避免待清洗件1发生打火现象的前提下,保持较高的转速,从而尽快将清洗液从待清洗件1上甩出,降低清洗液对待清洗件1的元件的不利影响。
在一些具体实施例中,喷射部31喷出的清洗液包括药液和超纯水,具体地,如图1所示,喷射部31可以包括药液摆臂31a、超纯水摆臂31b和干燥气体摆臂31c,图4为本发明实施例提供的应急清洗步骤的流程图,如图4所示,控制清洗机构执行应急清洗步骤包括:
S61、控制喷射部31向待清洗件1喷射超纯水,以去除待清洗件1上残留的药液。
具体地,如表2所示,控制超纯水摆臂31b按照第三预设轨迹运动,并向待清洗件1喷射超纯水,同时,控制待清洗件1进行旋转,旋转速度为600rpm,待清洗件高度为h2,该步骤的持续时间为40s。
S62、控制喷射部31向待清洗件1喷射干燥气体,以对待清洗件1进行干燥。
具体地,如表2所示,控制干燥气体摆臂31c按照第四预设轨迹运动,并向待清洗件1喷射干燥气体,同时,控制待清洗件1进行旋转,旋转速度为1500rpm,待清洗件高度为h2,该步骤的持续时间为20s。
表2应急清洗步骤工艺菜单
Figure BDA0002484213940000101
采用本发明实施例的处理方法,其在清洗装置发生故障停机,且清洗装置的故障等级不低于预设等级时,可以执行应急清洗步骤,以去除待清洗件1上残留的清洗液,而当应急清洗步骤执行失败时,可以使驱动部32驱动载台2进行旋转,以将待清洗件1上残留的清洗液甩出。本发明实施例的处理方法大大降低了待清洗件1表面存在残留清洗液的可能,从而可以有效改善由于待清洗件1表面残留有清洗液导致的元件产生缺陷的问题,进而提高了产品良率。
本发明实施例还提供一种清洗装置,图5为本发明实施例提供的清洗装置的结构示意图之二,如图5所示,该清洗装置包括:用于承载待清洗件1的载台2和用于清洗待清洗件1的清洗机构。清洗机构包括:喷射部31和驱动部32,驱动部32用于驱动载台2旋转,喷射部31用于向待清洗件1喷射清洗液和干燥气体。其中,清洗装置还包括处理模块4,图6为本发明实施例提供的处理模块的结构示意图之一,如图6所示,处理模块4包括:
第一判断单元41,用于当清洗装置在对待清洗件进行清洗的过程中发生故障停机时,判断清洗装置的故障等级是否不低于预设故障等级。
第二判断单元42,用于当清洗机构的故障等级不低于预设故障等级时,判断驱动部32是否处于不可旋转状态。
第一控制单元43,用于当驱动部32处于不可旋转状态时,控制清洗机构停止对待清洗件1进行清洗。当驱动部32处于正常可旋转状态时,控制清洗机构执行应急清洗步骤,以去除残留在待清洗件1上的清洗液。
第三判断单元44,用于判断应急清洗步骤是否执行失败。
第二控制单元45,用于当应急清洗步骤执行失败时,控制驱动部32驱动载台2旋转,以将待清洗件1上的清洗液甩出。
在本发明实施例中,清洗装置在发生故障停机时,其故障等级可以根据报警信息确定。判断驱动部32是否为不可旋转状态可以是:当用于控制驱动部32的第一控制信号发出后,判断驱动部32是否响应于该第一控制信号驱动载台2旋转,若驱动部32未驱动载台2旋转,则确定驱动部32处于不可旋转状态;若驱动部32可以驱动载台2旋转,则确定驱动部32处于正常可旋转状态。在应急清洗步骤中,可以控制喷射部31向待清洗件表面喷射超纯水和干燥气体,以去除残留在待清洗件1上的清洗液,具体过程前文已有详细介绍,在此不再赘述。
采用本发明实施例的清洗装置,当应急清洗步骤执行失败时,通过控制驱动部32驱动载台2进行旋转,可以将待清洗件1表面残留的清洗液甩出,防止残留的清洗液与待清洗件1上的元件长时间接触或反应,改善了由此引起的待清洗件1上的元件产生缺陷的问题。
图7为本发明实施例提供的清洗装置的结构示意图之三,图8为本发明实施例提供的处理模块的结构示意图之二,结合图7和图8所示,在一些具体实施例中,清洗装置还包括:静电检测机构5,用于检测载台2上方的静电场强。
处理模块4还包括:
第四判断单元46,用于判断静电检测机构5检测到的静电场强是否大于预设场强。
第三控制单元47,用于当静电检测机构5检测到的静电场强大于预设场强时,降低载台2的转速,并调用静电检测机构5重复执行检测载台2上方的静电场强的操作,直至将待清洗件1上的清洗液甩出。
在本发明实施例中,静电检测机构5可以设置在载台2的上方,例如设置在风机过滤单元(Fan Filter Units,FFU)的下表面上。第四判断单元46可以是群组控制器(ClusterTool Controller,CTC),第三控制单元47可以是传片控制器(Transport ModuleController,PMC)。当驱动部32驱动载台2旋转时,第三控制单元47采集静电检测机构5检测的静电场强,并将该静电场强传递给第四判断单元46,当第四判断单元46判断静电场强大于预设场强时,第四判断单元46输出减速指令至第三控制单元47,第三控制单元47响应于该减速指令控制驱动部32降低转速。
如图1所示,在一些具体实施例中,喷射部31包括药液摆臂31a、超纯水摆臂31b和干燥气体摆臂31c。
药液摆臂31a用于在对待清洗件1进行清洗的过程中向待清洗件1喷射药液。
超纯水摆臂31b用于在对待清洗件1进行清洗的过程中和应急清洗步骤中均向待清洗件1喷射超纯水。
干燥气体摆臂31c用于在对待清洗件1进行清洗的过程中和应急清洗步骤中均向待清洗件1喷射干燥气体。
在本发明实施例中,在对待清洗件1进行清洗的过程中,可以依次向待清洗件1喷射药液、超纯水以及干燥气体,从而对待清洗件1进行清洗,而在清洗装置发生故障停机时,可以通过第一控制单元43控制清洗机构执行应急清洗步骤,具体包括:控制超纯水摆臂31b向载台2上的待清洗件1喷射超纯水,以去除待清洗件1上残留的药液。控制干燥气体摆臂31c向载台2上的待清洗件1喷射干燥气体,以对待清洗件1进行干燥。
应急清洗步骤的具体过程上文已进行过详细介绍,在此不再赘述。
本发明实施例还提供一种半导体加工设备,其中,包括上述的清洗装置。
本发明实施例的半导体加工设备采用上述的清洗装置,在对待清洗件的清洗过程中,大大降低了待清洗件表面存在残留清洗液的可能,从而可以有效改善由于待清洗件表面残留有清洗液导致的元件产生缺陷的问题,进而提高了产品良率。
可以理解的是,以上实施方式仅仅是为了说明本发明的原理而采用的示例性实施方式,然而本发明并不局限于此。对于本领域内的普通技术人员而言,在不脱离本发明的精神和实质的情况下,可以做出各种变型和改进,这些变型和改进也视为本发明的保护范围。

Claims (10)

1.一种清洗装置故障停机的处理方法,所述清洗装置包括:用于承载待清洗件的载台和用于清洗所述待清洗件的清洗机构;所述清洗机构包括:喷射部和驱动部,所述驱动部用于驱动所述载台旋转,所述喷射部用于向所述待清洗件喷射清洗液和干燥气体;其特征在于,所述处理方法包括:
当所述清洗装置在对待清洗件进行清洗的过程中发生故障停机时,判断所述清洗装置的故障等级是否不低于预设故障等级;
当所述清洗装置的故障等级不低于所述预设故障等级时,判断所述驱动部是否处于不可旋转状态,若所述驱动部处于不可旋转状态,则控制所述清洗机构停止对所述待清洗件进行清洗;若所述驱动部处于正常可旋转状态,则控制所述清洗机构执行应急清洗步骤,以去除残留在所述待清洗件上的清洗液;
当所述应急清洗步骤执行失败时,控制所述驱动部驱动所述载台旋转,以将所述待清洗件上的清洗液甩出。
2.根据权利要求1所述的处理方法,其特征在于,所述处理方法还包括:
根据所述清洗装置的报警信息,将所述清洗装置的故障等级划分为第一故障等级、高于所述第一故障等级的第二故障等级和高于所述第二故障等级的第三故障等级,其中,所述预设故障等级为所述第二故障等级。
3.根据权利要求1所述的处理方法,其特征在于,所述控制所述驱动部驱动所述载台旋转,具体包括:
检测所述载台上方的静电场强;
判断检测到的所述静电场强是否大于预设场强,当检测到的所述静电场强大于所述预设场强时,降低所述载台的转速,并继续执行所述检测所述载台上方的静电场强的操作,直至将所述待清洗件上的清洗液甩出。
4.根据权利要求3所述的处理方法,其特征在于,所述载台转速的降低量大于等于50rpm且小于等于150rpm。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的处理方法,其特征在于,所述控制所述驱动部驱动所述载台旋转的时长大于等于5s且小于等于15s。
6.根据权利要求1至4中任一项所述的处理方法,其特征在于,所述喷射部喷出的所述清洗液包括药液和超纯水,所述控制所述清洗机构执行应急清洗步骤,具体包括:
控制所述喷射部向所述待清洗件喷射所述超纯水,以去除所述待清洗件上残留的所述药液;
控制所述喷射部向所述待清洗件喷射干燥气体,以对所述待清洗件进行干燥。
7.一种清洗装置,包括:用于承载待清洗件的载台和用于清洗所述待清洗件的清洗机构;所述清洗机构包括:喷射部和驱动部,所述驱动部用于驱动所述载台旋转,所述喷射部用于向所述载台上的所述待清洗件喷射清洗液和干燥气体;其特征在于,所述清洗装置还包括处理模块,所述处理模块包括:
第一判断单元,用于当所述清洗装置在对所述待清洗件进行清洗的过程中发生故障停机时,判断所述清洗装置的故障等级是否不低于预设故障等级;
第二判断单元,用于当所述清洗装置的故障等级不低于所述预设故障等级时,判断所述驱动部是否处于不可旋转状态;
第一控制单元,用于当所述驱动部处于不可旋转状态时,控制所述清洗机构停止对所述待清洗件进行清洗;当所述驱动部处于正常可旋转状态时,控制所述清洗机构执行应急清洗步骤,以去除残留在所述待清洗件上的清洗液;
第三判断单元,用于判断所述应急清洗步骤是否执行失败;
第二控制单元,用于当所述应急清洗步骤执行失败时,控制所述驱动部驱动所述载台旋转,以将所述待清洗件上的清洗液甩出。
8.根据权利要求7所述的清洗装置,其特征在于,所述清洗装置还包括:静电检测机构,用于检测所述载台上方的静电场强;
所述处理模块还包括:
第四判断单元,用于判断所述静电检测机构检测到的所述静电场强是否大于预设场强;
第三控制单元,用于当所述静电检测机构检测到的所述静电场强大于所述预设场强时,降低所述载台的转速,并调用所述静电检测机构重复执行所述检测所述载台上方的静电场强的操作,直至将所述待清洗件上的清洗液甩出。
9.根据权利要求7所述的清洗装置,其特征在于,所述喷射部包括:
药液摆臂,用于在对所述待清洗件进行清洗的过程中向所述待清洗件喷射药液;
超纯水摆臂,用于在对所述待清洗件进行清洗的过程中和所述应急清洗步骤中均向所述载台上的待清洗件喷射超纯水;
干燥气体摆臂,用于在对所述待清洗件进行清洗的过程中和所述应急清洗步骤中均向所述载台上的待清洗件喷射干燥气体。
10.一种半导体加工设备,其特征在于,包括权利要求7至9中任一项所述的清洗装置。
CN202010387171.XA 2020-05-09 2020-05-09 清洗装置及其故障停机的处理方法、半导体加工设备 Active CN111540697B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202010387171.XA CN111540697B (zh) 2020-05-09 2020-05-09 清洗装置及其故障停机的处理方法、半导体加工设备

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202010387171.XA CN111540697B (zh) 2020-05-09 2020-05-09 清洗装置及其故障停机的处理方法、半导体加工设备

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN111540697A true CN111540697A (zh) 2020-08-14
CN111540697B CN111540697B (zh) 2023-12-22

Family

ID=71977491

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202010387171.XA Active CN111540697B (zh) 2020-05-09 2020-05-09 清洗装置及其故障停机的处理方法、半导体加工设备

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN111540697B (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114486411A (zh) * 2020-11-12 2022-05-13 邑流微测股份有限公司 显微镜观测载台及其使用方法

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005185984A (ja) * 2003-12-26 2005-07-14 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板洗浄装置および基板処理システム
JP2010109347A (ja) * 2008-10-03 2010-05-13 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置および異常処理方法
CN110544648A (zh) * 2018-12-11 2019-12-06 北京北方华创微电子装备有限公司 金属互连清洗装置及清洗方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005185984A (ja) * 2003-12-26 2005-07-14 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板洗浄装置および基板処理システム
JP2010109347A (ja) * 2008-10-03 2010-05-13 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置および異常処理方法
CN110544648A (zh) * 2018-12-11 2019-12-06 北京北方华创微电子装备有限公司 金属互连清洗装置及清洗方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114486411A (zh) * 2020-11-12 2022-05-13 邑流微测股份有限公司 显微镜观测载台及其使用方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN111540697B (zh) 2023-12-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US8308870B2 (en) Cleaning apparatus, cleaning method and recording medium
JP4607755B2 (ja) 基板洗浄方法、基板洗浄装置、制御プログラム、およびコンピュータ読取可能な記憶媒体
JPWO2005119748A1 (ja) 基板洗浄方法およびコンピュータ読取可能な記憶媒体
US7300598B2 (en) Substrate processing method and apparatus
CN111540697A (zh) 清洗装置及其故障停机的处理方法、半导体加工设备
TWM563654U (zh) 基板處理系統
JP6779769B2 (ja) 基板処理装置、基板処理方法及び記憶媒体
KR102664177B1 (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
TW201806019A (zh) 基板處理裝置及基板處理方法
KR20130111176A (ko) 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치
JP4917470B2 (ja) 基板処理装置
JP2009267145A (ja) 基板処理装置および基板処理方法
KR20080009838A (ko) 기판 처리 장치 및 방법
JP2006024793A (ja) 薬液回収方法および基板処理装置
JP2022189496A (ja) 基板処理方法および基板処理装置
KR101907510B1 (ko) 기판 세척 방법 및 기판 세척 장치
CN112445086A (zh) 显影处理方法和显影处理装置
JP2008252006A (ja) 基板処理装置
JP4917469B2 (ja) 基板処理装置
KR102571748B1 (ko) 기판 처리 장치 및 방법
CN104992898A (zh) 一种改善dhf腐蚀均匀性及控制腐蚀速率的方法
CN109935537B (zh) 基板处理系统
KR100846690B1 (ko) 기판 세정 방법 및 컴퓨터로 판독 가능한 기억 매체
JP5185688B2 (ja) 基板処理方法および基板処理装置
KR101225098B1 (ko) 기판 처리 장치 및 그 방법

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant