KR100631918B1 - 반도체 제조설비의 웨이퍼 포토레지스트 미도포 감지장치 - Google Patents

반도체 제조설비의 웨이퍼 포토레지스트 미도포 감지장치 Download PDF

Info

Publication number
KR100631918B1
KR100631918B1 KR1020000063403A KR20000063403A KR100631918B1 KR 100631918 B1 KR100631918 B1 KR 100631918B1 KR 1020000063403 A KR1020000063403 A KR 1020000063403A KR 20000063403 A KR20000063403 A KR 20000063403A KR 100631918 B1 KR100631918 B1 KR 100631918B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
photoresist
nozzle
signal
wafer
unit
Prior art date
Application number
KR1020000063403A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20020032767A (ko
Inventor
송춘호
Original Assignee
삼성전자주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성전자주식회사 filed Critical 삼성전자주식회사
Priority to KR1020000063403A priority Critical patent/KR100631918B1/ko
Publication of KR20020032767A publication Critical patent/KR20020032767A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100631918B1 publication Critical patent/KR100631918B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67253—Process monitoring, e.g. flow or thickness monitoring
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/6715—Apparatus for applying a liquid, a resin, an ink or the like

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

본 발명은 반도체 웨이퍼상에 포토레지스트를 도포하지 않은 상태를 감지하는 장치에 관한 것이다.
본 발명의 반도체 제조설비에서 웨이퍼 포토레지스트 미도포 상태 감지하기 위해 포토레지스트를 도포할 수 있도록 제어하고, 레지스트 도포신호를 발생하여 출력하고, 인터록신호를 받아 고정진행을 정지시키는 포토레지스트 도포유니트와, 상기 포토레지스트 도포유니트에 포토레지스트 배관으로 연결되어 상기 포토레지스트 도포유니트의 제어에 의해 포토레지스트를 분사하는 노즐과, 상기 웨이퍼에 포토레지스트를 도포하지 않을 시 상기 노즐이 대기하는 노즐대기홈과, 상기 노즐 대기홈의 하단부에 설치되어 상기 노즐로부터 포토레지스트의 분사상태를 검출하는 광파이버센서와, 상기 광파이버센서로부터 검출된 분사상태 검출신호와 상기 포토레지스트 도포유니트로부터 출력된 도포신호를 비교하여 인터록신호를 출력하는 신호비교기로 구성한다.
포토레지스트 도포, 포토레지스트 미도포 감지

Description

반도체 제조설비의 웨이퍼 포토레지스트 미도포 감지장치{WAFER PHOTO RESIST UNCOATING SENCING UNIT OF SEMICONDUCTOR MANUFACTURE DEVICE}
도 1 및 도 2는 종래의 웨이퍼상에 포토레지스트를 도포하는 반도체 제조설비를 나타낸 도면
도 3는 본 발명의 실시 예에 따른 웨이퍼상에 포토레지스트 도포상태를 감지하는 장치의 구성도
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 *
10: 포토레지스트 도포유니트 12: 노즐
14: 노즐대기홈 16: 웨이퍼 적재부
18: 광파이버센서 20: 신호비교기
본 발명은 반도체 제조설비의 웨이퍼 포토레지스트 미도포 감지장치에 관한 것으로, 특히 반도체 웨이퍼상에 포토레지스트를 도포하지 않은 상태를 감지하는 장치에 관한 것이다.
일반적으로 반도체 제조 공정중 폴리미드(Polymide)공정은 웨이퍼상에 보호막을 형성하는 공정으로 보호막의 재질로 비감광성 포토레지스트를 사용하고 있다. 따라서 웨이퍼상에 포토레지스트를 도포한 후 베이크 장치내에 웨이퍼를 넣고 기 설정된 온도로 가열하여 도포된 포토레지스트를 경화시킴으로써 보호막이 형성된다.
도 1 및 도 2는 종래의 웨이퍼상에 포토레지스트를 도포하는 반도체 제조설비를 나타낸 도면이다.
포토레지스트 도포유니트(10)는 포토레지스트를 도포할 수 있도록 제어한다. 노즐(12)은 포토레지스트 도포유니트(10)에 포토레지스트 배관으로 연결되어 포토레지스트 도포유니트(10)의 제어에 의해 포토레지스트를 분사한다. 노즐대기홈(14)은 웨이퍼에 포토레지스트를 도포하지 않을 시 노즐(12)이 대기하는 장소이다. 웨이퍼적재부(16)는 공정을 진행할 웨이퍼가 놓여지는 장소이다.
웨이퍼상에 포토레지스트를 도포하지 않을 경우 노즐(12)은 노즐대기홈(14)에 위치하고 있다. 이때 포토레지스트 도포유니트(10)는 포토레지스트의 굳음을 방지하기 위해 30분에 1회씩 자동으로 포토레지스트를 노즐(12)을 통해 분사하도록 한다. 그리고 웨이퍼상에 포토레지스트를 도포하는 경우 최초로 포토레지스트를 웨이퍼에 도포하기 전에 노즐(12)이 노즐대기홈(14)에 위치한 상태에서 1회 분사하게 된다. 그런 후 노즐(12)은 노즐대기홈(14)의 위치를 벗어나 웨이퍼 적재부(16)의 위치로 이동하여 실제 웨이퍼상에 분사하여 도포한다. 이때 노즐(12)에서 포토레지스트가 분사되지 않아도 반도체 제조설비에서 인터록(INTERLOCK)이 되지 않는다.
이와 같이 종래에는 포토레지스트 도포유니트에서 분사를 하도록 제어하여 노즐에서 포토레지스트가 분사되는지 감지하지 못하기 때문에 실제 웨이퍼에 도포되지 않은 상태에서 공정이 진행되어 공정상에 불량이 발생하는 문제가 있었다.
따라서 본 발명의 목적은 상기와 같은 문제를 해결하기 위해 반도체 제조설비에서 웨이퍼상에 포토레지스트 도포전에 포토레지스트 도포상태를 검출하여 공정불량의 발생을 방지하는 웨이퍼 포토레지스트 미도포상태 감지장치를 제공함에 있다.
본 발명의 다른 목적은 반도체 제조설비에서 웨이퍼상에 포토레지스트 미도포 상태를 감지한 후 인터록신호를 발생하여 설비의 동작을 정지시켜 공정불량 발생을 방지하는 웨이퍼 포토레지스트 미도포상태 감지장치를 제공함에 있다.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 반도체 제조설비에서 웨이퍼 포토레지스트 미도포 상태 감지장치에 있어서, 포토레지스트를 도포할 수 있도록 제어하고, 레지스트 도포신호를 발생하여 출력하고, 인터록신호를 받아 고정진행을 정지시키는 포토레지스트 도포유니트와, 상기 포토레지스트 도포유니트에 포토레지스트 배 관으로 연결되어 상기 포토레지스트 도포유니트의 제어에 의해 포토레지스트를 분사하는 노즐과, 상기 웨이퍼에 포토레지스트를 도포하지 않을 시 상기 노즐이 대기하는 노즐대기홈과, 상기 노즐 대기홈의 하단부에 설치되어 상기 노즐로부터 포토레지스트의 분사상태를 검출하는 광파이버센서와, 상기 광파이버센서로부터 검출된 분사상태 검출신호와 상기 포토레지스트 도포유니트로부터 출력된 도포신호를 비교하여 인터록신호를 출력하는 신호비교기로 구성함을 특징으로 한다.
이하 본 발명에 따른 바람직한 실시 예를 첨부한 도면을 참조하여 상세히 설명한다. 그리고 본 발명을 설명함에 있어서, 관련된 공지 기능 혹은 구성에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명을 생략한다.
도 3는 본 발명의 실시 예에 따른 웨이퍼상에 포토레지스트 도포상태를 감지하는 장치의 구성도이다.
포토레지스트 도포유니트(10)는 포토레지스트를 도포할 수 있도록 제어하고, 도포신호를 발생하여 출력하고, 인터록(Interlock)신호를 받아 포토레지스트 도포동작을 정지시킨다. 노즐(12)은 포토레지스트 도포유니트(10)에 포토레지스트 배관으로 연결되어 포토레지스트 도포유니트(10)의 제어에 의해 포토레지스트를 분사한다. 노즐대기홈(14)은 웨이퍼에 포토레지스트를 도포하지 않을 시 노즐(12)이 대기하는 장소이다. 광파이버센서(18)는 상기 노즐 대기홈(14)의 하단부에 설치되어 상기 노즐(12)로부터 포토레지스트의 분사상태를 검출한다. 신호비교기(20)는 상기 광파이버센서(18)로부터 검출된 분사상태 검출신호와 상기 포토레지스트 도포유니 트(10)로부터 출력된 도포신호를 비교하여 인터록신호를 출력한다.
웨이퍼상에 포토레지스트를 도포하지 않을 경우 노즐(12)은 노즐대기홈(14)에 위치하고 있다. 이때 포토레지스트 도포유니트(10)는 포토레지스트의 굳음을 방지하기 위해 30분에 1회씩 자동으로 포토레지스트를 노즐(12)을 통해 분사하도록 한다. 상기 포토레지스트 유니트(10)에서는 노즐(12)을 통해 분사할 때마다 도포신호를 발생하여 신호비교기(20)로 인가한다. 그리고 광파이버센서(18)는 발광부와 수광부로 이루어져 있으며, 노즐(12)에서 포토레지스트가 분사되지 않으면 발광부에서 발광된 신호가 수광부로 전달되고, 노즐(12)에서 포토레지스트가 분사되면 발광부에서 발광된 신호가 수광부로 전달되지 않게 되어 포토레지스트의 분사상태를 검출한다. 따라서 신호비교기(20)는 상기 광파이버센서(18)로부터 검출된 분사상태 검출신호와 상기 포토레지스트 도포유니트(10)로부터 출력된 도포신호를 비교하여 상기 두 신호가 일치하는 경우에 인터록신호를 출력한다. 상기 신호비교기(20)에서 인터록신호가 출력되면 포토레지스트 유니트(10)는 포토레지스트 도포동작 및 공정진행을 정지시키도록 한다. 상기 신호비교기(20)는 예를들어 논리게이트 또는 연증폭기로 이루어진 비교기를 사용하여 구현할 수 있다.
상기 신호비교기(20)를 앤드게이트로 사용할 경우의 동작을 일예로 설명하면, 예를들어 광파이버센서(18)는 노즐(12)로부터 분사되지 않을 경우 로우신호를 출력하고, 노즐(12)로부터 분사될 경우 하이신호를 출력한다고 가정하고, 포토레지스트 유니트(10)에서 도포신호를 하이신호로 출력한다고 가정한다. 포토레지스트 유니트(10)에서 도포신호를 엔드게이트의 한단자로 출력하는 동시에 노즐(12)을 통 해 포토레지스트를 분사하도록 한다. 이때 노즐(12)에서 포토레지스트가 분사되면 광파이버센서(18)는 하이신호를 출력한다. 따라서 앤드게이트는 포토레지스트 유니트(10)로부터 출력된 하이신호와 광파이버센서(18)로부터 출력된 하이신호가 서로 일치하므로 "하이"신호를 출력한다. 그러면 포토레지스트 유니트(10)는 인터록신호가 발생되지 않은 것으로 판단하여 계속해서 공정을 진행하도록 한다.
그러나 노즐(12)에서 포토레지스트가 분사되지 않으면 광파이버센서(18)는 로우신호를 출력한다. 따라서 앤드게이트는 포토레지스트 유니트(10)로부터 출력된 하이신호와 광파이버센서(18)로부터 출력된 로우신호가 서로 일치하지 않으므로 "로우"신호를 출력한다. 그러면 포토레지스트 유니트(10)는 인터록신호가 발생된 것으로 판단하여 공정 진행을 정지하도록 한다.
상술한 바와 같이 본 발명은 웨이퍼상에 포토레지스트 도포전에 노즐이 노즐대기홈에 위치한 상태에서 포토레지스트를 분사한 후 분사상태를 광파이버센서를 통해 검출하여 노즐로 포토레지스트가 분사되지 않으면 웨이퍼에 포토레지스트가 도포되지 않으므로 공정진행을 정지하도록 하여 공정불량을 방지할 수 있는 이점이 있다.


Claims (3)

  1. 반도체 제조설비에서 웨이퍼 포토레지스트 미도포 상태 감지장치에 있어서,
    포토레지스트를 도포할 수 있도록 제어하고, 레지스트 도포신호를 발생하여 출력하고, 인터록신호를 받아 공정진행을 정지시키는 포토레지스트 도포유니트와,
    상기 포토레지스트 도포유니트에 포토레지스트 배관으로 연결되어 상기 포토레지스트 도포유니트의 제어에 의해 포토레지스트를 분사하는 노즐과,
    상기 웨이퍼에 포토레지스트를 도포하지 않을 시 상기 노즐이 대기하는 노즐대기홈과,
    상기 노즐 대기홈의 하단부에 설치되어 상기 노즐로부터 포토레지스트의 분사상태를 검출하는 광파이버센서와,
    상기 광파이버센서로부터 검출된 분사상태 검출신호와 상기 포토레지스트 도포유니트로부터 출력된 도포신호를 비교하여 인터록신호를 출력하는 신호비교기로 구성함을 특징으로 하는 반도체 제조설비의 웨이퍼 포토레지스트 미도포상태 감지장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 신호비교기는, 상기 광파이버센서로부터 검출된 분사상태 검출신호와 상기 포토레지스트 도포유니트로부터 출력된 도포신호가 일치하는 경우 인터록신호를 출력함을 특징으로 하는 반도체 제조설비의 웨이퍼 포토레지스트 미도포상태 감지장치.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 신호비교기는, 논리게이트로 이루어짐을 특징으로 하는 반도체 제조설비의 웨이퍼 포토레지스트 미도포상태 감지장치.
KR1020000063403A 2000-10-27 2000-10-27 반도체 제조설비의 웨이퍼 포토레지스트 미도포 감지장치 KR100631918B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020000063403A KR100631918B1 (ko) 2000-10-27 2000-10-27 반도체 제조설비의 웨이퍼 포토레지스트 미도포 감지장치

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020000063403A KR100631918B1 (ko) 2000-10-27 2000-10-27 반도체 제조설비의 웨이퍼 포토레지스트 미도포 감지장치

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20020032767A KR20020032767A (ko) 2002-05-04
KR100631918B1 true KR100631918B1 (ko) 2006-10-04

Family

ID=19695730

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020000063403A KR100631918B1 (ko) 2000-10-27 2000-10-27 반도체 제조설비의 웨이퍼 포토레지스트 미도포 감지장치

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR100631918B1 (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100940486B1 (ko) 2009-08-26 2010-02-04 애플티(주) 약액 디스펜싱 상태 감시방법

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4222522B2 (ja) * 2006-11-22 2009-02-12 東京エレクトロン株式会社 光学式異物検出装置およびこれを搭載した処理液塗布装置

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH03296213A (ja) * 1990-04-13 1991-12-26 Tokyo Electron Ltd レジスト塗布装置
JPH05190437A (ja) * 1992-01-14 1993-07-30 Nec Yamagata Ltd 半導体製造装置
JPH0888163A (ja) * 1994-09-19 1996-04-02 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
KR20000040583A (ko) * 1998-12-18 2000-07-05 윤종용 스피너의 노즐 스테이지

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH03296213A (ja) * 1990-04-13 1991-12-26 Tokyo Electron Ltd レジスト塗布装置
JPH05190437A (ja) * 1992-01-14 1993-07-30 Nec Yamagata Ltd 半導体製造装置
JPH0888163A (ja) * 1994-09-19 1996-04-02 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
KR20000040583A (ko) * 1998-12-18 2000-07-05 윤종용 스피너의 노즐 스테이지

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100940486B1 (ko) 2009-08-26 2010-02-04 애플티(주) 약액 디스펜싱 상태 감시방법

Also Published As

Publication number Publication date
KR20020032767A (ko) 2002-05-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100631918B1 (ko) 반도체 제조설비의 웨이퍼 포토레지스트 미도포 감지장치
KR19980036465A (ko) 감광제 분사 체크기능을 갖는 웨이퍼 스핀코팅 시스템
US5571644A (en) Method and apparatus for developing resist
KR100689703B1 (ko) 반도체 제조설비의 웨이퍼 포토레지스트 도포유량 감지장치
CN101122746A (zh) 光刻胶涂布系统
KR100607735B1 (ko) 반도체 현상 장치에서의 현상액 누출 감지 및 경보 시스템
KR100781457B1 (ko) 반도체 현상 장치에서의 현상액 누출 감지시스템
JPH09186059A (ja) Ｈｍｄｓ供給装置
KR20070062325A (ko) 도포시스템의 실러 정유량 감지장치
KR20240071637A (ko) 기판 처리 장치
JPH03257841A (ja) プローブカード先端の酸化防止装置
KR20070013685A (ko) 반도체 코팅설비의 배기라인 상태 검출 제어장치 및 그방법
KR20030086661A (ko) 스피너설비의 웨이퍼 검사장치 및 그 검사방법
KR20000017240U (ko) 반도체 에치 엠 디 에스 도포장비의 분사감지장치
KR20040098436A (ko) 스피너설비의 포토레지스트 도포상태 검출장치 및 그검출방법
KR100727692B1 (ko) 반도체 제조용 트랙장비의 스핀 유닛 및 제어방법
KR20040053533A (ko) 화학 물질 분사 노즐용 세정 장치 및 그 방법
KR100843956B1 (ko) 플라즈마 처리장치
KR20000031299A (ko) 반도체 제조용 회전도포 장치
JPH01224065A (ja) 塗料パターン検出装置
US7903250B1 (en) Control by sample reflectivity
KR20050068470A (ko) 감광제 노즐의 후방흡입 불량 감지장치 및 이를 이용한제어방법
JP2730324B2 (ja) 噴霧式フラックス塗布装置
KR20230029713A (ko) 반도체 웨이퍼 검사 시스템 및 이의 구동 방법
KR20000017243U (ko) 반도체 에치 엠 디 에스 도포장치

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
LAPS Lapse due to unpaid annual fee