KR20000017240U - 반도체 에치 엠 디 에스 도포장비의 분사감지장치 - Google Patents

Abstract

본 고안은 반도체 에치 엠 디 에스 도포장비의 분사감지장치에 관한 것으로, 질소가스공급라인(13) 상에 설치되어 있는 플로우미터(17)에 가스가 정상적으로 흐르는지를 검출하기 위한 감지수단을 설치하고, 비정상적으로 흐르는 경우에 이를 검출하여 알람을 울리도록 함으로서, 종래와 같이 공정가스가 웨이퍼에 정상적으로 공급되지 못하여 품질불량이 발생되는 것을 방지하는 효과가 있다.

Description

반도체 에치 엠 디 에스 도포장비의 분사감지장치{DISPENSE DETECTING APPARATUS FOR SEMICONDUCTOR HMDS COATER}

본 고안은 반도체 에치 엠 디 에스 도포장비의 분사감지장치에 관한 것으로, 특히 버블링 가스가 흐르는 상태로 에치 엠 디 에스의 분사 유,무를 검출할 수 있도록 하여 에치 엠 디 에스 도포불량이 발생되는 것을 사전에 검출할 수 있도록 하는데 적합한 반도체 에치 엠 디 에스 도포장비의 분사감지장치에 관한 것이다.

일반적으로 웨이퍼 상면에 포토레지스트를 도포하기 전에 무기물인 웨이퍼와 유기물인 포토레지스트간의 접착력을 향상시키기 위하여 웨이퍼의 상면에 에치 엠 디 에스(HMDS)를 도포하는데, 이와 같이 에치 엠 디 에스를 도포하기 위한 도포장비가 도 1에 도시되어 있는 바, 이를 간단히 설명하면 다음과 같다.

도시된 바와 같이, 종래 에치 엠 디 에스 도포장비는 버블링 탱크(1)의 일측에는 보틀(2)의 에치 엠 디 에스 용액을 공급하기 위한 용액공급라인(3)과, 질소가스를 공급하기 위한 질소가스공급라인(4)이 설치되어 있으며, 타측에는 웨이퍼(5)의 상면으로 공정가스를 공급하기 위한 공정가스공급라인(6)이 설치되어 있다.

상기 용액공급라인(3) 상에는 필터(7)가 설치되어 있고, 상기 질소가스공급라인(4) 상에는 플로우 미터(8)와 필터(9)가 설치되어 있다.

도면중 미설명 부호 S₁,S₂,S₃,S₄는 제1/제2/제3/제4 센서이고, V1,V2,V3,V4,V5는 제1/제2/제3/제4/제5 밸브이다.

상기와 같은 종래 반도체 에치 엠 디 에스 도포장비에서 도포작업이 진행되는 동작을 설명하면 다음과 같다.

먼저, 챔버의 내측에 웨이퍼(5)를 로딩한 상태에서 질소가스공급라인(4)을 통하여 버블링 탱크(1)에 질소가스를 공급하게 되는데, 이와 같이 공급된 질소가스는 버블링 탱크(1)에 담겨있는 에치 엠 디 에스용액을 기화시켜서 공정가스공급라인(6)을 통하여 웨이퍼(5)의 상면에 분사된다.

제4 센서(S₄)에서 버블링 탱크(1)의 에치 엠 디 에스 용액이 소진되었음이 감지되면 제1 밸브(V1)을 열어서 보틀(2)의 에치 엠 디 에스 용액이 버블링 탱크(1)로 공급되도록 하고, 질소가스 공급라인(4)로 질소가스가 공급될때는 플로우 미터(8)을 통하여 질소가 정상적으로 흐르는지 여부를 확인하고, 필터(9)을 필터링하게 된다.

그러나, 종래 반도체 에치 엠 디 에스 도포장비에서는 질소가스공급라인(4) 상에 설치된 필터(9)가 막히거나, 밸브(V2)가 고장나서 버블링 탱크(1)로 질소가스가 정상적으로 공급되지 못하여 웨이퍼(5)에 공정가스가 정상적으로 공급되지 못하게 경우가 종종 발생되고, 이와 같이 웨이퍼(5)에 공정가스가 정상적으로 공급되지 못하는 경우에는 도 2의 사진과 같이 후공정에서 패턴불량을 유발하는 문제점이 있었다.

상기와 같은 문제점을 감안하여 안출한 본 고안의 목적은 공정가스가 정상적으로 웨이퍼에 공급되는지를 검출하여 품질불량이 발생되는 것을 방지하도록 하는데 적합한 반도체 에치 엠 디 에스 도포장비의 분사감지장치를 제공함에 있다.

도 1은 종래 반도체 에치 엠 디 에스 도포장비의 구성을 보인 배관도.

도 2는 종래 에치 엠 디 에스가 정상적으로 공급되지 못하여 불량이 발생된 상태를 보이 사진.

도 3은 본 고안 분사감지장치가 설치된 반도체 에치 엠 디 에스 도포장비의 구성을 보인 배관도.

도 4는 본 고안에 따른 감지수단의 회로도.

* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명*

11 : 버블링 탱크 13 : 질소가스 공급라인

17 : 플로우미터 17a : 플로팅 볼

21 : 발광센서 22 : 수광센서

상기와 같은 본 고안의 목적을 달성하기 위하여 에치 엠 디 에스 용액이 담겨 있는 버블링 탱크의 일측에 질소가스공급라인이 설치되어 있고, 그 질소가스공급라인 상에 플로우 미터와 필터가 설치되어 있는 반도체 에치 엠 디 에스 도포장비에 있어서, 상기 플로우 미터에 질소가스의 흐르는 상태를 감지하여 정상적인 분사가 이루어지는지 여부를 검출하기 위한 감지수단을 설치하여서 구성되는 것을 특징으로 하는 반도체 에치 엠 디 에스 도포장비의 분사감지장치가 제공된다.

이하, 상기와 같이 구성되는 본 고안 반도체 에치 엠 디 에스 도포장비의 분사감지장치를 첨부된 도면의 실시예를 참고하여 보다 상세히 설명하면 다음과 같다.

도 3은 본 고안 분사감지장치가 설치된 반도체 에치 엠 디 에스 도포장비의 구성을 보인 배관도로서, 도시된 바와 같이, 에치 엠 디 에스 용액이 담겨 있는 버블링 탱크(11)의 일측에 용액공급라인(12)과 질소가스공급라인(13)이 설치되어 있고, 타측에는 웨이퍼(14)에 공정가스를 공급하기 위한 공정가스공급라인(15)이 설치되어 있으며, 상기 용액공급라인(12) 상에는 필터(16)가 설치되어 있고, 질소가스공급라인(13) 상에는 플로우 미터(17)와 필터(18)가 설치되어 있다.

그리고, 상기 플로우 미터(17)에는 정상적으로 가스가 흐르는지를 검출하기 위한 감지수단으로서 발광센서(21)와 수광센서(22)가 설치되어 있다.

상기와 같이 구성되어 있는 본 고안 반도체 에치 엠 디 에스 도포장비의 분사감지장치에서 도포작업이 진행되는 동작은 종래와 유사하다.

즉, 챔버의 내측에 웨이퍼(14)를 로딩한 상태에서 질소가스공급라인(13)을 통하여 버블링 탱크(11)에 질소가스를 공급하게 되는데, 이와 같이 공급된 질소가스는 버블링 탱크(11)에 담겨있는 에치 엠 디 에스용액을 기화시켜서 공정가스공급라인(15)을 통하여 웨이퍼(14)의 상면에 분사된다.

여기서, 상기 플로우 미터(17)의 볼(17a)에 의하여 발광센서(21)에서 발광되는 빛이 수광센서(22)에서 차단되는지의 여부로 정상적인 가스의 흐름을 검출하여, 비정상적인 가스의 흐름이 검출되면 알람을 울릴수 있도록 되어 있다.

즉, 도 4의 회로도에서와 같이 가스가 정상적으로 흐를때는 발광센서(21)에 발광되는 빛이 수광센서(22)에 수광되지 않으며, 만약에 정상적인 가스의 흐름이 이루어 지지 못하여 플로우 미터(17)의 볼(17a)이 발광센서(21)의 빛을 차단하지 못하였을 경우에는 광센서 AMP의 출력값이 변동하게 되며, 이 값이 포토 커플러(PHOTO COUPLER)를 거쳐 IC3 NAND GATE로 입력된다.

이상에서 상세히 설명한 바와 같이, 본 고안 반도체 에치 엠 디 에스 도포장비의 분사감지장치는 질소가스공급라인 상에 설치되어 있는 플로우미터에 가스가 정상적으로 흐르는지를 검출하기 위한 감지수단을 설치하고, 비정상적으로 흐르는 경우에 이를 검출하여 알람을 울리도록 함으로서, 종래와 같이 공정가스가 웨이퍼에 정상적으로 공급되지 못하여 품질불량이 발생되는 것을 방지하는 효과가 있다.

Claims (2)

1. 에치 엠 디 에스 용액이 담겨 있는 버블링 탱크의 일측에 질소가스공급라인이 설치되어 있고, 그 질소가스공급라인 상에 플로우 미터와 필터가 설치되어 있는 반도체 에치 엠 디 에스 도포장비에 있어서, 상기 플로우 미터에 질소가스의 흐르는 상태를 감지하여 정상적인 분사가 이루어지는지 여부를 검출하기 위한 감지수단을 설치하여서 구성되는 것을 특징으로 하는 반도체 에치 엠 디 에스 도포장비의 분사감지장치.
2. 제 1항에 있어서, 상기 감지수단은 플로우 미터의 볼이 정위치에 있는지를 검출하기 위한 발광센서와 수광센서로 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체 에치 엠 디 에스 도포장비의 분사감지장치.