KR19980020701A - 반도체 소자의 제조방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 반도체 소자에 관한 것으로 특히, 고농도 불순물 영역을 형성하도록 한 반도체 소자의 제조방법에 관한 것이다.
이와 같은 본 발명의 반도체 소자의 제조방법은 활성영역과 필드영역으로 정의된 반도체 기판의 필드영역에 필드 산화막을 형성하는 단계; 상기 활성영역의 게이트 형성영역에 게이트 절연막을 형성하는 단계; 상기 게이트 절연막을 포함한 전면에 도전층을 형성하는 단계; 상기 도전층에 불순물을 도핑하고, 상기 도전층과 접촉된 기판에 상기 불순물이 확산되도록 열처리하여 상기 게이트 절연막 양측의 기판내에 고농도 불순물 영역을 형성하는 단계; 그리고 상기 도전층이 상기 게이트 절연막상에만 남도록 선택적으로 제거하는 단계를 포함하여 형성함에 그 특징이 있다.

Description

반도체 소자의 제조방법
본 발명은 반도체 소자에 관한 것으로 특히, 고농도 불순물 영역을 형성하도록 한 반도체 소자의 제조방법에 관한 것이다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 종래의 반도체 소자의 제조방법을 설명하면 다음과 같다.
도 1a-도 1c는 종래의 반도체 소자의 제조방법을 나타낸 공정단면도이다.
먼저, 도 1a에 도시된 바와 같이 활성영역과 필드영역으로 정의된 n형 반도체 기판(11)의 필드영역에 소자 격리를 위한 필드 산화막(12)을 형성한다.
그리고 전면에 게이트 절연막(13)과 게이트 전극용 폴리 실리콘(14)을 차례로 형성하고, 상기 게이트 전극용 폴리 실리콘(14)상에 감광막(15)을 도포한 후, 노광 및 현상공정으로 패터닝(Pattering)한다.
이어서, 도 1b에 도시된 바와 같이 상기 패터닝된 감광막(15)을 마스크로 하여 상기 게이트 전극용 폴리 실리콘(14)과 게이트 절연막(13)을 선택적으로 제거하여 게이트 전극(16)을 형성한다.
그리고 상기 게이트 전극(16)을 마스크로 하여 고농도 불순물 이온을 주입함으로써 상기 게이트 전극(16) 양측의 반도체 기판(11)내에 고농도 불순물 영역(17)을 형성한다.
이어서, 도 1c에 도시된 바와 같이 열처리 공정을 실시하여 고농도 불순물 영역(17)을 확장시킨다.
그러나 이와 같은 종래의 반도체 소자의 제조방법에 있어서 다음과 같은 문제점이 있었다.
즉, 이온주입으로 불순물을 반도체 기판에 주입하여 고농도 불순물 영역을 형성하기 때문에 반도체 기판이 격자결함을 유발하여 소자의 특성이 저하된다.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위해 안출한 것으로 소자의 특성을 향상시키도록 한 반도체 소자의 제조방법을 제공하는데 그 목적이 있다.
도 1a-도 1c는 종래의 반도체 소자의 제조방법을 나타낸 공정단면도.
도 2a-도 2c는 본 발명의 반도체 소자의 제조방법을 나타낸 공정단면도.
*도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명*
21:반도체 기판22:필드 산화막
23:게이트 절연막24:폴리 실리콘
25:고농도 불순물 영역26:게이트 전극
상기의 목적을 달성하기 위한 본 발명의 반도체 소자의 제조방법은 활성영역과 필드영역으로 정의된 반도체 기판의 필드영역에 필드 산화막을 형성하는 단계; 상기 활성영역의 게이트 형성영역에 게이트 절연막을 형성하는 단계; 상기 게이트 절연막을 포함한 전면에 도전층을 형성하는 단계; 상기 도전층에 불순물을 도핑하고, 상기 도전층과 접촉된 기판에 상기 불순물이 확산되도록 열처리하여 상기 게이트 절연막 양측의 기판내에 고농도 불순물 영역을 형성하는 단계; 그리고 상기 도전층이 상기 게이트 절연막상에만 남도록 선택적으로 제거하는 단계를 포함하여 형성함에 그 특징이 있다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 반도체 소자의 제조방법을 상세히 설명하면 다음과 같다.
도 2a-도 2c는 본 발명의 반도체 소자의 제조방법을 나타낸 공정단면도이다.
먼저, 도 2a에 도시된 바와 같이 활성영역과 필드영역을 정의된 P형 반도체 기판(21)의 필드영역에 소자격리를 위한 필드 산화막(22)을 형성한다.
그리고 전면에 게이트 절연막(23)을 형성하고, 상기 게이트 절연막(23)상에 제1감광막(도면에 도시하지 않음)을 도포한 후, 사진석판술 및 식각공정으로 상기 게이트 절연막(23)을 선택적으로 제거한다.
이어서, 도 2b에 도시된 바와 같이 상기 선택적으로 제거된 게이트 절연막(23)을 포함한 전면에 게이트 전극용 폴리 실리콘(24)을 형성하고, 상기 게이트 전극용 폴리 실리콘(24)의 전도성을 부여하기 위해 전면에 PoCl3를 도핑(Dopping)한다.
이때, 상기 PoCl3의 도핑 과정에서 PoCl3의 성분중 n형 불순물인 인(P:Phosphorus)이 상기 반도체 기판(21)의 표면으로 확산되어 상기 게이트 절연막(23) 양측의 상기 반도체 기판(21)내에 고농도 불순물 영역(25)이 형성된다.
이어서, 도 2c에 도시된 바와 같이 상기 게이트 전극용 폴리 실리콘(24)상에 제2감광막(도면에 도시하지 않음)을 도포한 후, 노광 및 현상공정으로 패터닝하고, 상기 패터닝된 제2감광막을 마스크로 하여 상기 게이트 전극용 폴리 실리콘(24)을 선택적으로 제거하여 상기 게이트 절연막(23)상에 게이트 전극(26)을 형성한다.
그리고 열처리 공정을 실시하여 상기 고농도 불순물 영역(25)을 확장시킨다.
이상에서 설명한 바와 같이 본 발명의 반도체 소자의 제조방법은 이온주입 공정을 통해 불순물 영역을 형성하지 않기 때문에 반도체 기판의 격자결함을 해소하여 소자의 특성을 향상시키는 효과가 있다.

Claims (2)

  1. 활성영역과 필드영역으로 정의된 반도체 기판의 필드영역에 필드 산화막을 형성하는 단계;
    상기 활성영역의 게이트 형성영역에 게이트 절연막을 형성하는 단계;
    상기 게이트 절연막을 포함한 전면에 도전층을 형성하는 단계;
    상기 도전층에 불순물을 도핑하고, 상기 도전층과 접촉된 기판에 상기 불순물이 확산되도록 열처리하여 상기 게이트 절연막 양측의 기판내에 고농도 불순물 영역을 형성하는 단계; 그리고
    상기 도전층이 상기 게이트 절연막상에만 남도록 선택적으로 제거하는 단계를 포함하여 형성함을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조방법.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 불순물은 PoCl3임을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조방법.
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