KR102704228B1 - 적층 세라믹 전자부품의 제조방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 이형처리가 실시되지 않은 기재를 사용한 적층 세라믹 전자부품의 제조방법을 제공한다. 본 발명에 따른 적층 세라믹 전자부품의 제조방법은 필름 형상의 투명 기재(20)의 일면(20a)에 직접 도포된 세라믹 그린시트(10)와 상기 일면의 계면(X)에 상기 투명 기재의 다른 일면(20b)측으로부터 박리용 자외선을 상기 투명 기재에 투과시켜 조사하는 투과 조사 공정(S15)과, 상기 박리용 자외선의 조사 후에, 상기 세라믹 그린시트를 상기 일면으로부터 박리하는 박리 공정(S16)을 포함한다.
Description
본 발명은 적층 세라믹 전자부품의 제조방법에 관한 것이다.
다층구조를 갖는 적층 세라믹 전자부품(예를 들어, 적층 세라믹 콘덴서(MLCC: Multilayer Ceramic Capacitors), 칩인덕터, 저온 동시 소성 세라믹(LTCC: Low Temperature Co-fired Ceramics) 등)의 제조공정에서는 예를 들어, 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PET)제의 필름 형상의 기재 상에 세라믹 분말을 바인더 및 용제에 분산시킨 슬러리를 도포하고, 용제를 가열건조에 의해 제거함으로써 기재 상에 세라믹 그린시트를 형성한다. 이어서, 세라믹 그린시트 상에 내부전극을 적절히 인쇄한다. 이어서, 세라믹 그린시트를 기재로부터 박리하고, 복수의 세라믹 그린시트끼리 적층·가열·압착하여 세라믹 그린시트 적층체를 형성한다. 이어서, 세라믹 그린시트의 적층체를 소정의 크기로 절단하여 적층체를 칩화한다. 이어서, 칩화된 적층체를 소성하고 소성체의 표면에 외부전극을 형성한다(예를 들어, 특허문헌1 참조).
일반적으로 이 제조공정에 있어서, 주로 세라믹 그린시트의 기재로부터의 박리를 용이하게 할 목적으로, 예를 들어, 기재의 표면에 이형층을 형성하는 이형처리가 실시되고 있다(예를 들어, 특허문헌 2, 3 참조). 특히, 최근에는 전자부품의 소형화에 의해 세라믹 그린시트의 박막화가 발달되면서 이형처리는 세라믹 그린시트 및 다층구조의 전자부품의 제조에 필요 불가결해지고 있다.
이형처리가 실시된 기재의 가격은 이형처리의 등급에 따라 다르다. 또한, 박리성을 향상시킨 기재 표면의 슬러리의 습윤성이 나빠 슬러리의 균일한 도포가 어렵다. 더욱이 이형처리에는 이형 효과가 높은 실리콘계 이형제가 널리 사용되고 있는데, 세라믹 그린시트가 기재로부터 박리될 때, 세라믹 그린시트에 이형제가 전사될 수 있다. 따라서, 이형처리가 실시되지 않은 기재의 사용이 요구되고 있다.
그러나, 이형처리가 실시되지 않은 기재의 표면은 약간 거칠고 슬러리(세라믹 그린시트)와의 접촉점이 많아진다. 따라서 슬러리의 균일한 도포가 어렵고 설령 슬러리가 균일하게 도포되더라도 세라믹 그린시트를 기재로부터 박리할 때에 세라믹 그린시트가 찢어지거나 끊어지는 등의 불량이 생길 수 있다. 따라서, 적층 세라믹 전자부품의 제조에 있어서, 이형처리가 실시되지 않은 기재에 직접 형성된 세라믹 그린시트를 박리하는 수법이 요구되고 있다.
본 발명은 이형처리가 실시되지 않은 기재를 사용한 적층 세라믹 전자부품의 제조방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명의 일 실시양태에 있어서의 적층 세라믹 전자부품의 제조방법은 필름 형상의 투명 기재의 일면에 직접 도포된 세라믹 그린시트와 상기 일면의 계면에, 상기 투명 기재의 다른 일면측으로부터 박리용 자외선을 상기 투명 기재에 투과시켜 조사하는 투과 조사 공정과, 상기 박리용 자외선의 조사 후에 상기 세라믹 그린시트를 상기 일면으로부터 박리하는 박리 공정을 포함한다.
본 발명에 따르면, 이형처리가 실시되지 않은 기재를 사용한 적층 세라믹 전자부품의 제조방법을 제공할 수 있다.
도1은 본 발명에 따른 세라믹 그린시트의 제조방법을 포함하는 적층 세라믹 콘덴서의 제조방법의 일례를 나타내는 흐름도이다.
도2는 도1의 적층 세라믹 콘덴서 제조방법의 일부 공정을 나타내는 개략 단면도이다.
도3은 도1의 적층 세라믹 콘덴서 제조방법에 포함되는 제1 조사 공정에 있어서, 제1 자외선의 적산광량에 대한 피조사면의 표면조도의 변화를 개략적으로 나타내는 그래프이다.
도4는 도1의 적층 세라믹 콘덴서 제조방법에 포함되는 제1 조사 공정에 있어서, 제1 자외선의 적산광량에 대한 피조사면의 접촉각의 변화를 개략적으로 나타내는 그래프이다.
도5는 도1의 적층 세라믹 콘덴서 제조방법에 포함되는 제2 조사 공정에 있어서, 제2 자외선의 파장 스펙트럼과 제2 자외선의 투과율의 관계의 일례를 개략적으로 나타내는 그래프이다.
도6은 본 발명의 실시예에 있어서, 피조사면의 표면조도의 변화를 나타내는 그래프이다.
도7은 본 발명의 실시예에 있어서, 피조사면의 접촉각의 변화를 나타내는 그래프이다.
도8은 도3의 제1 조사 공정에 있어서, 기재의 폭방향의 중앙부 및 양단부에 있어서의 제1 자외선의 조사조건을 상이하게 한 상태를 나타내는 개략도이며, (a)는 양단부의 적산광량이 중앙부의 적산광량보다 작은 상태를 나타내고, (b)는 단부의 적산광량이 중앙부의 적산광량보다 큰 상태를 나타낸다.
도9는 도1의 적층 세라믹 콘덴서의 제조방법에 포함되는 제2 조사 공정에 있어서, 기재의 특정 단부에 있어서의 제2 자외선의 적산광량을 기타 부분보다 크게 한 상태를 나타내는 개략도이다.
도2는 도1의 적층 세라믹 콘덴서 제조방법의 일부 공정을 나타내는 개략 단면도이다.
도3은 도1의 적층 세라믹 콘덴서 제조방법에 포함되는 제1 조사 공정에 있어서, 제1 자외선의 적산광량에 대한 피조사면의 표면조도의 변화를 개략적으로 나타내는 그래프이다.
도4는 도1의 적층 세라믹 콘덴서 제조방법에 포함되는 제1 조사 공정에 있어서, 제1 자외선의 적산광량에 대한 피조사면의 접촉각의 변화를 개략적으로 나타내는 그래프이다.
도5는 도1의 적층 세라믹 콘덴서 제조방법에 포함되는 제2 조사 공정에 있어서, 제2 자외선의 파장 스펙트럼과 제2 자외선의 투과율의 관계의 일례를 개략적으로 나타내는 그래프이다.
도6은 본 발명의 실시예에 있어서, 피조사면의 표면조도의 변화를 나타내는 그래프이다.
도7은 본 발명의 실시예에 있어서, 피조사면의 접촉각의 변화를 나타내는 그래프이다.
도8은 도3의 제1 조사 공정에 있어서, 기재의 폭방향의 중앙부 및 양단부에 있어서의 제1 자외선의 조사조건을 상이하게 한 상태를 나타내는 개략도이며, (a)는 양단부의 적산광량이 중앙부의 적산광량보다 작은 상태를 나타내고, (b)는 단부의 적산광량이 중앙부의 적산광량보다 큰 상태를 나타낸다.
도9는 도1의 적층 세라믹 콘덴서의 제조방법에 포함되는 제2 조사 공정에 있어서, 기재의 특정 단부에 있어서의 제2 자외선의 적산광량을 기타 부분보다 크게 한 상태를 나타내는 개략도이다.
이하, 도면을 참조하면서, 본 발명에 따른 적층 세라믹 전자부품의 제조방법(이하 ‘본 제법'이라고 한다.)의 실시형태에 대해 설명한다. 이하의 설명에 있어서, 동일한 구조 또는 기능을 갖는 요소에 대해서는 동일한 부호를 부여하여 중복되는 설명은 생략한다. 또한, 각 요소의 치수비율은 각 도면에 도시되어 있는 비율에 한정되지 않는다.
‘적층 세라믹 전자부품’은 예를 들어, 적층 세라믹 콘덴서(MLCC:Multilayer Ceramic Capacitors), 칩인덕터, 저온 동시 소성 세라믹(LTCC: Low Temperature Co-fired Ceramics) 등 세라믹 다층구조를 갖는 전자부품이다. 이하의 실시형태에서는 적층 세라믹 전자부품으로서 적층 세라믹 콘덴서를 적용한 경우를 예로 들어 본 제법을 설명한다.
이하의 설명에 있어서 '자외선의 파장’은 특별히 명기하지 않는 한 이 자외선의 스펙트럼에 있어서의 피크 파장을 의미한다.
● 적층 세라믹 전자부품 제조방법 ●
도1은 본 제법의 실시형태를 나타내는 흐름도이다.
도2는 본 제법의 일부 공정을 나타내는 개략 단면도이다.
적층 세라믹 콘덴서(1)는 예를 들어, 슬러리 제작 공정(S11), 제1 조사 공정(S12), 도포 공정(S13), 내부전극 인쇄 공정(S14), 제2 조사 공정(S15), 박리 공정(S16), 적층E가압 공정(S17), 칩화 공정(S18), 소성 공정(S19) 및 외부전극 형성 공정(S20)을 거쳐 제조된다. 제1 조사 공정(S12)은 본 발명에 있어서의 도포용 조사 공정의 일례이고, 제2 조사 공정(S15)은 본 발명에 있어서의 박리용 조사 공정의 일례이다. 이하의 설명에 있어서, 제1 조사 공정(S12) 및 제2 조사 공정(S15)을 제외한 각 공정(S11, S13, S14, S16~S20)은 공지된 적층 세라믹 콘덴서 제조방법과 공통되므로 상세한 설명은 생략한다.
우선, 적층 세라믹 콘덴서(1)가 구비하는 각 세라믹층(유전체층(12))이 되는, 세라믹 그린시트(10)의 재료가 되는 슬러리(SL)를 제작한다(S11: 슬러리 제작 공정). 슬러리(SL)는 예를 들어, 유전체 세라믹의 분말, 바인더수지 및 용제를 습식 혼합함으로써 제작된다.
‘유전체 세라믹 분말’은 고유전율을 갖는 세라믹제이며, 예를 들어, 티탄산바륨(BaTiO3), 티탄산칼슘(CaTiO3), 티탄산스트론튬(SrTiO3) 등으로부터 적절히 선택된다.
‘바인더수지’는 예를 들어, 에틸셀룰로오스, 아크릴수지, 부티랄계수지, 폴리비닐아세탈, 폴리비닐알코올, 폴리올레핀, 폴리우레탄, 폴리스티렌 및 이들의 공중합체 등으로부터 적절히 선택된다.
‘용제’는 예를 들어, 테르피네올, 알코올, 부틸카르비톨, 아세톤, 톨루엔, 자일렌 및 아세트산벤질 등으로부터 적절히 선택된다.
이어서, 세라믹 그린시트(10)의 캐리어 필름이 되는 기재(20)에 제1 자외선이 조사된다(S12: 제1 조사 공정). 제1 자외선은 예를 들어, 공지된 자외선 조사장치(100)를 사용하여 기재(20)의 상면(20a)에 직접 조사된다. 제1 자외선의 조사조건은 후술한다. 제1 조사 공정(S12)은 본 발명에 있어서의 비투과 조사 공정의 일례이며, 제1 자외선은 본 발명에 있어서의 도포용 자외선의 일례이다.
‘기재(20)'는 예를 들어, 합성수지제의 투명한 필름이다. 기재(20)의 형상은 예를 들어, 띠 형상이다. 기재(20)는 롤 형상으로 감긴 상태로부터 순차적으로 송출됨으로써 공급된다. 합성수지는 예를 들어, 폴리에스테르, 폴리에틸렌 및 폴리프로필렌 등의 폴리올레핀, 폴리락트산, 폴리메타크릴레이트 및 폴리메틸메타크릴레이트 등의 아크릴수지, 나일론6,6 등의 폴리아미드, 폴리염화비닐, 폴리우레탄, 폴리스티렌, 폴리카보네이트, 폴리페닐렌설파이드 등으로부터 적절히 선택되는 합성수지를 포함한다. 합성수지는 바람직하게는 폴리에스테르를 포함하고, 보다 바람직하게는 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET)를 포함한다. 본 실시형태에 있어서 기재(20)는 폴리에틸렌테레프탈레이트제이다.
기재(20)의 두께는 박리 공정(S16)에 있어서의 펀칭 시의 기재(20)의 파단을 억제하기 위해 20μm 이상인 것이 바람직하고, 박리 공정(S16) 후의 기재(20)의 폐기에 의한 환경 부하를 저감하기 위해 150μm 이하인 것이 바람직하다. 또한, 기재(20)의 헤이즈(HAZE)가 상대적으로 높은 경우, 기재(20)의 두께는 전술한 범위 내에 있어서 얇은 것이 바람직하다.
본 발명에 있어서, 기재(20)의 표면에는 기재(20)로부터의 세라믹 그린시트(10)의 이형을 촉진시키는 표면처리(예를 들어, 공지된 이형처리)가 실시되어 있지 않다. 즉, 제1 자외선 조사 전의 상태에 있어서, 기재(20)에 있어서의 제1 자외선 피조사면인 상면(20a)에는 이형처리가 실시되어 있지 않다. 따라서, 자외선은 이형처리에서 사용되는 이형제(이형층) 등을 거치지 않고 기재(20)의 상면(20a)에 직접 조사된다. 상면(20a)은 본 발명에 있어서의 일면의 일례이다.
제1 자외선의 파장은 기재(20)를 투과하지 않는 파장대 내이며, 또한, 기재(20)의 상면(20a)의 표면조도 및 접촉각에 후술하는 영향을 주는 파장으로 설정되어 있다. 여기서, 300nm 이상의 파장의 자외선은 기재(20)를 투과(기재(20)를 투과하는 파장성분을 가진다)하기에 제1 조사 공정(S12)의 파장으로서 적합하지 않다. 또한, 200nm 이하의 파장의 자외선은 오존을 발생시키기에 환경 및 설비(진공 분위기를 필요로 하는 등)의 관점으로부터 제1 조사 공정(S12)의 파장으로서 적합하지 않다. 따라서, 제1 조사 공정(S12)에 있어서, 제1 자외선의 파장은 바람직하게는 200nm보다 길고 300nm보다 짧은 파장이고, 보다 바람직하게는 260nm 이상 290nm 이하의 파장이다.
‘표면조도’는 특별히 명시하지 않는 한 상면(20a)의 산술 표면조도(Ra)의 평균값을 의미한다.
또한, 본 발명에 있어서, 표면조도는 제곱 평균 제곱근 조도(Rq)의 평균값으로 나타낼 수도 있다.
‘접촉각’은 상면(20a)에 있어서의 물의 접촉각을 의미한다.
제1 자외선 조사조건, 특히, 적산광량은 후술하는 바와 같이, 제1 자외선의 적산광량에 대한 기재(20)의 상면(20a)의 표면조도의 변화 및 적산광량에 대한 상면(20a)의 접촉각의 변화에 기반하여 설정되어 있다. 기재(20)의 폭방향에 있어서 제1 자외선은 일정한 조도로 균일하게 조사되고, 적산광량은 예를 들어, 기재(20)의 이송 속도에 의해 조절된다.
도3은 제1 자외선의 적산광량에 대한 기재(20)의 피조사면(상면(20a))의 표면조도의 변화를 개략적으로 나타내는 그래프이다.
도3의 횡축은 적산광량(J/cm2)을 나타내고, 종축은 표면조도(nm)를 나타낸다.
도3에 나타낸 바와 같이, 기재(20)의 피조사면인 상면(20a)의 표면조도는 제1 자외선의 적산광량의 증가에 따라 변화한다. 구체적으로, 표면조도는 적산광량이 제1 자외선의 조사 개시로부터 커짐에 따라 제1 자외선의 조사 전의 표면조도(이하 '초기 표면조도’라고 한다.)'Vini'로부터 커지도록 변화하고, 소정의 적산광량(이하 '제1 적산광량’이라고 한다.) ‘L1'에서 최대 표면조도‘Vmax'가 된다. 이어서, 적산광량이 제1 적산광량‘L1'보다 커지면 표면조도는 최대 표면조도‘Vmax'로부터 작아지도록 변화한다. 이어서, 소정의 적산광량(이하 '제2 적산광량’이라고 한다.)'L2'에서 표면조도는 최대 표면조도‘Vmax'로부터 초기 표면조도‘Vini'와 최대 표면조도‘Vmax'의 차분'Vdif'의 절반만큼 작아진다. 이어서, 표면조도는 제2 적산광량보다 큰 소정의 적산광량(이하 '제3 적산광량’이라고 한다.)'L3'까지는 작아지고, 제3 적산광량‘L3' 이상에 있어서 표면조도의 변화(감소)는 수렴되고 표면조도의 변화는 안정된다.
이와 같이, 제1 자외선이 직접 조사되었을 때에 있어서의 상면(20a)의 표면조도의 상태는 제1 자외선의 적산광량이 커짐에 따라 표면조도가 커지도록 변화하는 표면조도 증대 상태(제1 자외선 조사 개시로부터 제1 적산광량‘L1'까지의 상태), 적산광량이 커짐에 따라 표면조도가 작아지도록 변화하는 표면조도 감소 상태(제1 적산광량‘L1' ~ 제3 적산광량‘L3'까지의 상태), 적산광량에 관계없이 표면조도의 변화가 안정되는 표면조도 안정 상태(제3 적산광량‘L3' 이상의 상태)의 순서로 변화한다. 즉, 상면(20a)은 한번 거칠어진 후, 원활하게 고르게 된다. 그 결과, 상면(20a)의 요철 편차는 제1 자외선 조사 전보다 수렴된다.
‘표면조도의 안정’은 적산광량의 증가에 대한 표면조도의 변화량이 예를 들어 약 ±20％ 이내로 수렴된 상태를 의미한다.
도4는 제1 자외선의 적산광량에 대한 기재(20)의 피조사면(상면(20a))의 물 접촉각의 변화를 개략적으로 나타내는 그래프이다.
도4의 횡축은 적산광량(J/cm2)을 나타내고, 종축은 접촉각(deg)을 나타낸다.
도4에 나타낸 바와 같이, 기재(20)의 피조사면인 상면(20a)의 접촉각은 제1 자외선의 적산광량의 증가에 따라 변화한다. 구체적으로는, 접촉각은 제1 자외선의 조사 개시부터 적산광량이 커짐에 따라 제1 자외선의 조사 전의 접촉각(이하 '초기 접촉각’이라고 한다.)'θｉｎｉ’으로부터 조금 작아진다. 이어서, 접촉각의 변화는 소정의 적산광량(이하 '제4 적산광량’이라고 한다.)'L4'까지는 습윤성이 나쁜 소정의 접촉각‘θa'(예를 들어, 90°) 부근에서 안정된다. 이어서, 적산광량이 제4 적산광량‘L4'보다 커지면 접촉각은 적산광량이 커짐에 따라 작아지도록(습윤성이 좋아지도록) 변화한다. 이어서, 접촉각은 제4 적산광량‘L4'보다 큰 소정의 적산광량(이하 '제5 적산광량’이라고 한다.)'L5'까지는 작아지고, 제5 적산광량‘L5' 이상에 있어서 접촉각의 변화는 습윤성이 좋은 소정의 접촉각‘θb'(예를 들어, 20°) 부근에서 안정된다.
‘접촉각의 안정’은 적산광량의 증가에 대한 접촉각의 변화량이 예를 들어, 약 ±20% 이내에 수렴되어 있는 상태를 의미한다.
이와 같이, 제1 자외선이 직접 조사되었을 때의 상면(20a)의 접촉각의 상태는 적산광량에 관계없이 접촉각의 변화가 안정되어 있는 제1 접촉각 안정 상태(제1 자외선 조사 개시로부터 제4 적산광량‘L4'까지의 상태), 적산광량이 커짐에 따라 접촉각이 작아지는 접촉각 감소 상태(제4 적산광량‘L4'으로부터 제5 적산광량‘L5'까지의 상태), 적산광량에 관계없이 접촉각의 변화가 안정되는 제2 접촉각 안정 상태(제5 적산광량‘L5' 이상의 상태)의 순서로 변화한다.
여기서, 제1 적산광량‘L1' ~ 제5 적산광량‘L5'의 각 적산광량 사이에는 이하의 (1) ~ (3)의 관계가 성립된다.
(1) 제3 적산광량‘L3'은 예를 들어, 제1 적산광량‘L1'의 약 2배 이상이다.
(2) 제4 적산광량‘L4'은 제1 적산광량‘L1'과 거의 동일하거나, 제1 적산광량‘L1' 이상이다. 이 관계에 의하면, 표면조도가 최대 표면조도‘Vmax'가 되는 제1 적산광량‘L1'보다 작은 적산광량에서는 제1 자외선의 조사에 기반하는 접촉각의 변화는 습윤성이 나쁜 접촉각‘θa'에서 안정적이다(향상되지 않았다). 즉, 표면조도의 상태가 표면조도 증대 상태일 때, 접촉각의 상태는 제1 접촉각 안정상태이다.
(3) 제2 적산광량‘L2' 및 제3 적산광량‘L3'은 제4 적산광량‘L4'보다 크고, 제5 적산광량‘L5'보다 작다. 제5 적산광량‘L5'은 예를 들어, 제1 적산광량‘L1'의 약 3배 내지 약 4배 이상(도3 및 도4에서는 3배 이상)이다. 이 관계에 의하면, 제1 자외선의 조사에 기반하는 표면조도의 변화는 접촉각이 습윤성이 좋은 접촉각‘θb'에서 안정되기 시작하는 제5 적산광량‘L5'보다 작은 적산광량에서 안정적이다. 즉, 제1 자외선의 조사에 기반하는 접촉각의 변화는 표면조도의 변화가 안정된 후(고르게된 후)에도 계속된다. 즉, 접촉각의 상태가 접촉각 감소 상태일 때, 표면조도의 상태는 표면조도 감소 상태 또는 표면조도 안정 상태이다.
상기 (1) ~ (3)의 관계 중, (3)의 관계에 나타낸 바와 같이, 적산광량이 커지면 표면조도가 고르게된 상태에서 안정된 후에도 접촉각은 계속 감소하여 최종적으로 접촉각도 습윤성이 좋은 각도‘θb'에서 안정된다. 즉, 표면조도가 안정되는 적산광량과 접촉각이 안정되는 적산광량 사이에는 차이가 존재한다. 본 제법에 있어서, 제1 자외선의 적산광량은 이 표면조도와 접촉각 사이의 차이((3)의 관계)에 기반하여 설정된다. 즉, 예를 들어, 제1 자외선의 적산광량은 표면조도의 상태가 표면조도 감소 상태 또는 표면조도 안정 상태이고, 또한 접촉각의 상태가 접촉각 감소 상태가 되는 적산광량으로 설정되고, 바람직하게는, 표면조도의 상태가 표면조도 안정 상태이고, 또한 접촉각의 상태가 접촉각 감소 상태가 되는 적산광량으로 설정된다. 다시 말해, 제1 자외선의 적산광량은 표면조도가 최대 표면조도‘Vmax'로부터 차분‘Vdif'의 절반 이상 작아지는 범위 내이며, 또한, 적산광량의 증가에 대하여 접촉각이 작아지도록 변화하는 범위 내에 설정된다. 구체적으로는, 제1 자외선의 적산광량은 제1 적산광량‘L1' 및 제4 적산광량‘L4'보다 크게 설정되고, 바람직하게는, 제2 적산광량‘L2' 이상으로 설정되고, 보다 바람직하게는, 제3 적산광량‘L3' 이상 제5 적산광량‘L5' 이하로 설정된다. 이와 같이 제1 자외선의 적산광량을 설정함으로써 표면조도가 충분히 고르게된 상태에서 접촉각의 제어가 가능해진다.
도1 및 도2로 되돌아간다.
이어서, 제1 자외선이 조사된 기재(20)의 상면(20a)에 슬러리(SL)를 도포한다(S13: 도포 공정). 슬러리(SL)는 공지된 도포방법(예를 들어, 닥터 블레이드법, 다이 코터법 등)을 사용하여 직접 도포한다. 전술한 바와 같이, 상면(20a)의 표면조도는 고르게 되고, 또한 상면(20a)의 접촉각은 감소되어 있기에 슬러리(SL)는 상면(20a)에 균일하게 도포된다. 또한 접촉각이 제어됨으로써 슬러리(SL)(세라믹 그린시트(10)) 두께(습윤 확산)의 제어 및 빈틈없는 도포가 가능해진다. 도포 후, 도포된 슬러리(SL)를 건조시킴으로써 소정의 두께(예를 들어, 1μm 이하)의 띠 형상의 세라믹 그린시트(10)가 상면(20a)에 적재(형성)된다. 세라믹 그린시트(10)는 최종적으로 적층 세라믹 콘덴서(1)의 유전체층(12)을 구성한다. 기재(20) 및 기재(20)의 상면(20a)에 적재된 세라믹 그린시트(10)는 복합체(11)를 구성한다.
이어서, 도전 페이스트를 공지된 인쇄방법(예를 들어, 스크린인쇄, 그라비아인쇄 등)을 사용하여 세라믹 그린시트(10)의 상면(10a)에 인쇄함으로써 상면(10a)에 소정 패턴의 내부전극(13)이 인쇄된다(S14: 내부전극 인쇄 공정). 도전 페이스트는 내부전극(13)의 주성분 금속 분말, 바인더, 용제 및 필요에 따라 기타 조제를 포함한다.
이어서, 세라믹 그린시트(10)의 하면(10b)과 기재(20)의 상면(20a)의 계면(X)에 제2 자외선이 조사된다(S15: 제2 조사 공정). 제2 자외선은 공지된 자외선 조사장치(200)를 사용하여 기재(20)의 하면(20b)측으로부터 기재(20)를 투과하여 계면(X)에 조사된다. 제2 조사 공정(S15)은 본 발명에 있어서의 투과 조사 공정의 일례이고, 제2 자외선은 본 발명에 있어서의 박리용 자외선의 일례이며, 하면(20b)은 본 발명에 있어서의 다른 일면의 일례이다.
제2 자외선의 파장은 기재(20)를 투과 가능한 파장대 내이며, 또한, 세라믹 그린시트(10)의 하면(10b)과 기재(20)의 상면(20a)의 계면(X)에 있어서의 화학적 결합을 절단 가능한 파장으로 설정되어 있다.
도5는 기재(20)에 제2 자외선이 조사되었을 때의 제2 자외선의 파장 스펙트럼과 제2 자외선의 투과율의 관계의 일례를 개략적으로 나타내는 그래프이다.
도5의 횡축은 파장(nm)을 나타내고, 제1 종축(좌측)은 상대 강도를 나타내고, 제2 종축(우측)은 투과율을 나타낸다. 이 도면에 있어서, 실선은 제2 자외선의 매 파장(265nm, 280nm 및 310nm)의 파장 스펙트럼을 나타내고, 파선은 투과율을 나타낸다.
투과율은 약 310nm를 기점으로 급격히 증가하고, 그 증가율은 약 330nm에서 완만해지고, 약 380nm에서 거의 변동없다(거의 포화되어 있다). 제2 자외선의 각 파장의 강도 분포는 피크 파장을 중심으로 한 정규 분포 형상이고, 약 10nm 내지 약 20nm의 범위의 반치폭을 가지며, 복수의 파장 성분을 포함한다.
265nm 및 280nm 파장의 제2 자외선이 조사된 기재(20)에 대한 제2 자외선에 포함되는 각 파장 성분의 투과율은 ‘0%'이고, 이러한 파장의 제2 자외선은 기재(20)를 투과하지 않는다. 이와 같이, 300nm 미만의 파장은 제2 조사 공정(S15)의 파장으로서 적합하지 않다. 따라서, 제1 조사 공정(S12)의 제1 자외선의 파장은 제2 조사 공정(S15)의 파장으로서 적합하지 않다. 한편, 310nm 파장의 제2 자외선이 조사된 기재(20)에 대한 제2 자외선에 포함되는 각 파장 성분의 투과율은 약 310nm를 초과하는 파장 성분에 있어서 파장의 증가와 함께 증가된다. 즉, 310nm 파장의 제2 자외선에 포함되는 파장 성분 중, 피크 파장(310nm)을 초과하는 일부 파장 성분은 파장이 길어짐에 따라 기재(20)를 투과하게 되고, 나머지 파장 성분(약 310nm 이하의 파장 성분)은 기재(20)를 투과하지 않는다. 따라서, 제2 조사 공정(S15)에 있어서, 300nm 이상(자외선의 파장의 상한인 400nm 이하)의 파장이 제2 자외선의 파장으로서 바람직하다.
여기서, 전자파(자외선)의 에너지는 파장이 낮을수록 커진다. 따라서, 화학적 결합의 절단 관점에서도 제2 자외선의 파장은 300nm에 가까운 파장(예를 들어, 310nm 등)이 바람직하다. 즉, 예를 들어, 제2 자외선의 파장은 소위 UV-A 영역에 속하는 파장보다도 소위 UV-B 영역에 속하고, 300nm 이상의 파장이 바람직하다. 이와 같이, 제2 자외선의 적산광량은 전술한 계면(X)에 있어서의 화학적 결합의 정도에 따라 적절히 설정되어 있다.
또한, 폴리에틸렌테레프탈레이트의 자외선의 투과율에 있어서, 투과율이 급격히 증가하는 기점이 되는 파장은 폴리에틸렌테레프탈레이트의 구성에 의해 증감된다. 따라서, 도5에 도시된 그래프는 일례이며, 제2 자외선의 파장으로서 바람직한 파장은 310nm에 한정되지 않는다.
이어서, 내부전극(13)이 인쇄된 세라믹 그린시트(10)의 일부가 소정 크기의 시트 형상으로 펀칭되고, 펀칭된 세라믹 그린시트(10)가 기재(20)로부터 박리된다(S16: 박리 공정). 여기서, 세라믹 그린시트(10)와 접하고 있는 기재(20)의 상면(20a)의 표면조도의 상태는 표면조도 감소 상태 또는 표면조도 안정 상태이다. 즉, 상면(20a)의 표면은 고르게 되고, 세라믹 그린시트(10)와의 접촉점은 제1 자외선 조사 전보다 감소되어 있다. 따라서, 제1 자외선이 조사된 상면(20a)에 대한 세라믹 그린시트(10)의 박리성은 제1 자외선이 조사되지 않은 상면(20a)에 대한 세라믹 그린시트(10)의 박리성보다 양호하다. 또한, 제2 자외선의 조사에 의해, 계면(X)에 있어서의 화학적 결합은 절단되어 있다. 따라서, 세라믹 그린시트(10)는 이형처리가 실시되어 있지 않은 상면(20a)에 도포되어 있어도 이 상면(20a)으로부터 용이하게 박리할 수 있다. 또한, 기재(20)에는 이형처리가 실시되어 있지 않기에 박리 공정(S16)에 있어서 세라믹 그린시트(10)에의 이형제의 전사가 발생하지 않는다.
여기서, 기재(20) 상면(20a)의 표면조도의 상태가 표면조도 감소 상태일 때, 제2 자외선의 조사에 의해, 계면(X)에 있어서의 상면(20a)의 표면조도 감소가 진행된다. 따라서, 상면(20a)의 표면조도의 상태가 표면조도 감소 상태일 때, 제2 조사 공정(S15)을 거침으로써 계면(X)에 있어서의 상면(20a)의 표면조도가 충분히 고르게 된다. 그 결과, 박리 공정(S16)에 있어서, 세라믹 그린시트(10)의 기재(20)로부터의 박리성이 향상된다.
이어서, 박리된 시트 형상의 세라믹 그린시트(10)는 예를 들어, 내부전극(13)과 유전체층(12)이 되는 세라믹 그린시트(10)가 교차되도록 소정의 층수(예를 들어, 수 100층) 적층되어 가압된다(S17: 적층·가압 공정).
이어서, 적층·가압된 세라믹 그린시트(10)가 소정의 치수로 절단되어 칩화된 거의 직육면체 형상의 세라믹 적층체(14)가 형성된다(S18: 칩화 공정).
이어서, 세라믹 적층체(14)는 예를 들어, 소성로를 사용하여 소정의 조건으로 소성되어 소결체(15)가 형성된다(S19: 소성 공정).
이어서, 소결체(15)에 외부전극(16)이 형성됨으로써 적층 세라믹 콘덴서(1)가 형성된다(S20: 외부전극 형성 공정).
또한, 상술한 적층 세라믹 콘덴서 제조방법은 일례이고, 본 실시형태에 한정되지 않는다. 즉, 예를 들어, 박리 공정(S16)은 적층 후에 실행될 수도 있다.
● 실시예(제1 자외선 조사예)
다음으로, 폴리에틸렌테레프탈레이트제의 투명한 필름에 제1 자외선이 직접 조사되었을 때의 접촉각 및 표면조도의 변화를 본 발명의 실시예(제1 자외선 조사예)로서 설명한다. 이하 실시예의 설명에 있어서, 표면조도는 예를 들어, 공지된 AFM(Atomic Force Microscope)를 사용하여 측정된다. 또한, 접촉각은 예를 들어, 'θ/2법'을 사용하는 공지된 측정장치를 사용하여 측정된다. 접촉각의 측정에 있어서, 액 적량은 0.69μL이고, 측정 시간은 적하 후 120sec이다.
도6은 폴리에틸렌테레프탈레이트제의 필름에 제1 자외선이 조사되었을 때의 필름의 피조사면의 표면조도의 변화를 나타내는 그래프이다.
도7은 폴리에틸렌테레프탈레이트제의 필름에 제1 자외선이 조사되었을 때의 필름의 피조사면의 접촉각의 변화를 나타내는 그래프이다.
도7의 횡축은 적산광량(J/cm2)을 나타내고, 도6의 종축은 표면조도(nm)를 나타내며, 도7의 종축은 접촉각(deg)을 나타낸다.
도6에 있어서, 제1 자외선의 파장은 265nm이고, 실선은 산술 평균 조도(Ra)를 나타내고, 파선은 제곱 평균 제곱근 조도(Rq)를 나타낸다. 표면조도의 변화는 전술한 파장의 범위 내(200nm보다 길고 300nm보다 짧은 범위 내)이면 거의 동일하므로 265nm 이외의 파장에 있어서의 표면조도 변화의 도시는 생략한다. 도7에 있어서, 실선은 제1 자외선의 파장이 265nm일 때의 접촉각의 변화를 나타내고, 파선은 제1 자외선의 파장이 280nm일 때의 접촉각의 변화를 나타내고, 일점 쇄선은 제1 자외선의 파장이 310nm일 때의 접촉각의 변화를 비교예로서 나타낸다. 또한, 도7은 설명의 편의상 적산광량‘L11' ~ 'L13'의 위치도 도시한다.
피조사면의 산술 평균 조도(Ra)는 적산광량이 제1 자외선 조사 개시로부터 커짐에 따라 초기값(약 1.6nm)으로부터 커지도록 변화하고, 적산광량‘L11'에서 최대값(약 5.2nm)으로 된다. 이어서, 적산광량이 적산광량‘L11'보다 커지면 산술 평균 조도(Ra)는 작아지도록 변화한다. 이어서, 적산광량‘L12'에 있어서, 산술 평균 조도(Ra)는 최대값으로부터 초기값과 최대값의 차분(약 3.2nm)의 절반(약 1.6nm)만큼 작아진다. 이어서, 적산광량‘L13' 이상에 있어서, 산술 평균 조도(Ra)의 변화(감소)는 수렴되고 산술 평균 조도(Ra)의 변화는 안정된다. 한편, 제곱 평균 제곱근 조도(Rq)는 적산광량이 제1 자외선 조사 개시로부터 커짐에 따라 초기값(약 1.9nm)으로부터 커지도록 변화하고, 적산광량‘L21'에서 최대값(약 7.7nm)으로 된다. 이어서, 적산광량이 적산광량‘L21'보다 커지면, 제곱 평균 제곱근 조도(Rq)는 작아지도록 변화한다. 이어서, 적산광량‘L22'에 있어서, 제곱 평균 제곱근 조도(Rq)는 최대값으로부터 초기값과 최대값의 차분(약 5.8nm)의 절반(약 2.9nm)만큼 작아진다. 이어서, 적산광량‘L23' 이상에 있어서, 제곱 평균 제곱근 조도(Rq)의 변화(감소)는 수렴되고, 제곱 평균 제곱근 조도(Rq)의 변화는 안정된다. 여기서, 적산광량‘L11', 'L21'은 제1 적산광량‘L1'에 대응하고, 적산광량‘L12', 'L22'는 제2 적산광량‘L2'에 대응하고, 적산광량‘L13’, 'L23'은 제3 적산광량‘L3'에 대응한다. 이와 같이, 산술 평균 조도(Ra)의 변화는 제곱 평균 제곱근 조도(Rq)의 변화와 유사한 거동을 나타내며, 산술 평균 조도(Ra) 및 제곱 평균 제곱근 조도(Rq)의 변화는 도3에 도시된 변화와 유사한 거동을 나타낸다.
한편, 265nm의 제1 자외선이 조사된 피조사면에 있어서의 접촉각은 제1 자외선 조사 개시로부터 적산광량이 커짐에 따라 초기 각도(약 100°)로부터 조금 작은 각도(약 90°)로 된다. 이어서, 이 접촉각의 변화는 적산광량‘L14'까지는 그 각도(약 90°) 부근에서 안정되어 있다. 이어서, 적산광량이 적산광량‘L14'보다 커지면 이 접촉각은 적산광량이 커짐에 따라 작아지도록 변화한다. 그리고 적산광량‘L15' 이상의 적산광량에 있어서의 접촉각의 변화량은 적산광량‘L14' 이상 'L15' 미만의 적산광량에 있어서의 접촉각의 변화량보다 작아진다. 여기서, 265nm의 제1 자외선이 조사된 피조사면에 있어서, 적산광량‘L14'는 제4 적산광량‘L4'에 대응하고, 제5 적산광량‘L5'에 대응하는 적산광량은 도7에 있어서의 최대 적산광량(적산광량‘L11'의 4배)보다 크기에 이 적산광량에 있어서의 접촉각은 미측정이다.
또한, 280nm의 제1 자외선이 조사된 피조사면에 있어서의 물의 접촉각은 제1 자외선 조사 개시로부터 적산광량이 커짐에 따라 초기 각도(약 100°)로부터 조금 작은 각도(약 90°)로 되어있다. 이어서, 이 접촉각의 변화는 적산광량‘L34'까지는 그 각도(약 90°) 부근에서 안정되어 있다. 이어서, 적산광량이 적산광량‘L34'보다 커지면 이 접촉각은 적산광량이 커짐에 따라 작아지도록 변화한다. 여기서, 280nm의 제1 자외선이 조사된 피조사면에 있어서, 적산광량‘L34'은 제4 적산광량‘L4'에 대응하고, 제5 적산광량‘L5'에 대응하는 적산광량은 도7에 있어서의 최대 적산광량보다 크기에 이 적산광량에 있어서의 접촉각은 미측정이다.
더욱이, 300nm를 초과하는 파장의 자외선은 필름을 투과하기에 310nm의 제1 자외선이 조사된 피조사면에 있어서의 접촉각은 적산광량에 관계없이 초기의 각도(약 100°)로부터 거의 변화하지 않는다.
이와 같이, 피조사면의 표면조도의 상태가 표면조도 안정 상태(도6에서는 적산광량‘L13', 'L23' 이상의 상태)에 있어서, 접촉각의 상태는 접촉각 감소 상태이다. 즉, 표면조도가 충분히 고르게된 상태에 있어서 접촉각의 제어가 가능하게 되었다. 또한, 자외선의 에너지는 파장이 짧을수록 강해지기에 280nm의 적산광량‘L34'은 265nm의 적산광량‘L14'보다 커진다. 따라서, 전술한 차이는 파장이 짧아짐에 따라 작아지는 경향이 된다. 이 결과로부터, 표면조도 안정 상태에 있어서 제1 자외선의 파장이 커지면 (예를 들어, 소위 UV-B영역에 속하고 300nm 미만의 파장) 접촉각 감소 상태의 변동폭(각도폭)은 커지고, 제1 자외선의 파장이 작아지면 (예를 들어, 소위 UV-C영역에 속하는 파장) 접촉각 감소 상태의 변동폭(각도폭)은 작아진다.
● 요약
상술한 실시형태에 따르면, 본 제법은 제2 조사 공정(S15) 및 박리 공정(S16)을 포함한다. 제2 조사 공정(S15)에서는 필름 형상의 투명 기재(20)의 상면(20a)에 직접 도포된 세라믹 그린시트(10)와 상면(20a)의 계면(X)에 제2 자외선이 기재(20)의 하면(20b)측으로부터 기재(20)를 투과하여 조사된다. 박리 공정(S16)에서는 제2 자외선 조사 후에 세라믹 그린시트(10)가 상면(20a)으로부터 박리된다. 이 구성에 따르면, 계면(X)에 있어서의 화학적 결합은 제2 자외선에 의해 절단된다. 또한, 상면(20a)의 표면조도의 상태가 표면조도 감소 상태인 경우, 제2 조사 공정(S15)을 거침으로써 계면(X)에 있어서의 상면(20a)의 표면조도가 충분히 고르게 된다. 따라서, 이형처리가 실시되어 있지 않은 기재(20)에 직접 도포된 세라믹 그린시트(10)의 박리가 가능해진다. 그 결과, 이형처리를 실시한 종래의 기재를 사용하는 경우와 비교하여 세라믹 그린시트(10)의 제조 비용이 저감되고, 실리콘 등의 전사가 발생하지 않는다.
또한, 상술한 실시형태에 따르면, 본 제법은 제1 조사 공정(S12) 및 도포 공정(S13)을 포함한다. 도포 공정(S13)에서는 상면(20a)의 표면조도 및 상면(20a)에 있어서의 물의 접촉각을 변화시키기 위해, 단일 소재로 구성되어 있는 필름 형상의 기재(20)의 상면(20a)에 제1 자외선이 직접 조사된다. 이 구성에 의하면, 제1 자외선의 조사에 의해 상면(20a)의 접촉각의 제어가 가능해짐과 동시에, 상면(20a)의 표면조도가 고르게 된다. 따라서, 이형처리가 실시되어 있지 않은 기재(20)에 대한 슬러리(SL)의 균일한 도포가 가능해짐과 동시에, 이 기재(20)로부터의 세라믹 그린시트(10)의 박리가 가능해진다.
더욱이 상술한 실시형태에 따르면, 제2 자외선의 파장은 제1 자외선의 파장과 다르다. 이 구성에 의하면, 제1 조사 공정(S12) 및 제2 조사 공정(S15)의 각 공정에 있어서 최적의 파장을 선택할 수 있다.
더욱이 상술한 실시형태에 따르면, 기재(20)는 폴리에스테르제(폴리에틸렌테레프탈레이트제)이다. 제1 자외선의 파장은 200nm보다 크고 300nm보다 작으며, 제2 자외선의 파장은 300nm 이상이다. 이 구성에 의하면, 제1 조사 공정(S12)에 있어서, 오존이 생성되지 않고, 제1 자외선이 기재(20)의 상면(20a)에 확실하게 조사된다. 또한, 제2 조사 공정(S15)에 있어서, 제2 자외선은 확실하게 기재(20)를 투과하여 계면(X)에 조사된다. 또한, 실시예에서 설명한 바와 같이, 제1 자외선의 적산광량에 대한 표면조도의 변화와 접촉각의 변화 사이에 차이가 확실하게 생기고 있다. 따라서, 이형처리가 실시되어 있지 않은 기재(20)에 대한 슬러리(SL)의 균등한 도포가 가능해짐과 동시에, 이 기재(20)로부터의 세라믹 그린시트(10)의 박리가 가능해진다.
더욱이 상술한 실시형태에 따르면, 제1 조사 공정(S15)에 있어서 제1 자외선의 적산광량은 상면(20a)의 표면조도 및 접촉각에 기반하여 설정된다. 이 구성에 의하면, 제1 자외선의 적산광량은 슬러리(SL)의 도포(세라믹 그린시트(10)의 상태)에 영향을 주는 접촉각(습윤성)뿐만 아니라 세라믹 그린시트(10)의 박리에 영향을 주는 표면조도에 기반하여 설정된다. 따라서, 본 제법에서는 이형처리가 실시되어 있지 않은 기재(20)에 대한 슬러리(SL)의 균일한 도포가 가능해짐과 동시에, 이 기재(20)로부터의 세라믹 그린시트(10)의 박리가 가능해진다.
●기타 실시형태 ●
또한, 상술한 실시형태에 있어서, 적층 세라믹 콘덴서 제조방법은 본 제법의 일례이다. 대안적으로, 기타 적층 세라믹 전자부품(예를 들어, 칩인덕터)의 제조방법이 본 제법의 일례일 수도 있다.
또한, 상술한 실시형태에 있어서, 제3 적산광량‘L3'은 제1 적산광량‘L1'의 약 2배가 아닐 수도 있다. 즉, 예를 들어, 제3 적산광량‘L3'은 제1 적산광량’L1'의 약 3배일 수 있다.
또한, 제1 조사 공정(S12)에 있어서, 기재(20)의 폭방향에 있어서의 기재(20)의 양단부에 대한 제1 자외선의 조사조건(적산광량)은 양단부를 제외한 중앙부에 대한 제1 자외선의 조사조건(적산광량)과 다를 수 있다.
도8은 기재(20)의 폭방향의 중앙부 및 양단부에 있어서의 제1 자외선의 조사조건을 달리한 상태를 나타내는 개략도이며, (a)는 양단부의 적산광량이 중앙부의 적산광량보다 작은 상태를 나타내고, (b)는 단부의 적산광량이 중앙부의 적산광량보다 큰 상태를 나타낸다.
도8의 검은색 화살표는 적산광량의 크기를 나타내고, 길이가 길수록 적산광량이 크다는 것을 의미한다.
일반적으로, 양단부의 습윤성이 양호한 경우, 접촉각이 작아지기에 양단부에 있어서 슬러리(SL)의 두께, 즉 세라믹 그린시트(10)의 두께가 얇아진다. 여기서, 양단부의 적산광량이 중앙부의 적산광량보다 작은 경우, 양단부의 접촉각은 중앙부의 접촉각보다 커진다. 즉, 양단부의 습윤성은 중앙부의 습윤성보다 나빠진다. 이 구성에서는, 전술한 양단부에 있어서의 접촉각의 감소에 의한 세라믹 그린시트(10)의 두께의 감소가 억제된다. 또한, 일반적으로, 자외선 조사장치(100)의 조사 범위 내에 있어서의 조사량은 조사 범위의 외연부에서 약해지는 경향이 있다. 따라서, 기재(20)의 폭방향의 길이(폭)가 조사 범위와 거의 동일한 경우, 양단부의 적산광량이 중앙부의 적산광량보다도 작아지기 쉽다. 즉, 폭방향에 있어서 적산광량은 불균일해지기 쉽다. 여기서, 양단부의 적산광량이 중앙부의 적산광량보다 큰 경우, 전술한 적산광량의 불균일이 해소된다. 이와 같이, 부분적으로 조사조건을 변경함으로써, 도포 공정(S13)에 있어서 세라믹 그린시트(10)를 균일하게 도포할 수 있음과 동시에, 박리 공정(S16)에 있어서 세라믹 그린시트(10)를 균일하게 박리할 수 있다. 이 경우, 자외선 조사장치(100)의 광원이 램프여도 실현가능하지만, 개별적으로 조사조건을 변경할 수 있는 LED(Light-Emitting Diode)가 광원으로서 바람직하다.
더욱이 제2 조사 공정(S15)에 있어서, 기재(20)의 특정 단부(예를 들어, 박리 시에 기점이 되는 부분: 기점부)에 대한 제2 자외선의 조사조건(적산광량)은 이 단부를 제외한 기타 부분에 대한 제2 자외선의 조사조건(적산광량)보다 클 수 있다.
도9는 기재(20)의 특정 단부(기점부)에 있어서의 제2 자외선의 적산광량을 기타 부분보다 크게 한 상태를 나타내는 개략도이다.
도9의 검은색 화살표(투과부는 회색)는 적산광량의 크기를 나타내고, 길이가 길수록 적산광량이 크다는 것을 의미한다.
도9에 나타낸 바와 같이, 기점부의 적산광량이 기타 부분의 적산광량보다 커지면 기점부에 있어서의 화학적 결합의 절단 효과가 높아진다. 따라서, 기점부로부터의 세라믹 그린시트(10)의 박리성이 향상된다. 이 경우, 자외선 조사장치(200)의 광원이 램프여도 실현가능하지만, 개별적으로 조사조건을 변경할 수 있는 LED가 광원으로서 바람직하다.
● 본 발명의 실시양태 ●
다음으로, 상술한 각 실시형태로부터 파악되는 본 발명의 실시양태에 대해, 각 실시형태에 기재된 용어 및 부호를 원용하면서 아래에 기재한다.
본 발명의 제1 실시양태는 필름 형상의 투명 기재(예를 들어, 기재(20))의 일면(예를 들어, 상면(20a))에 직접 도포된 세라믹 그린시트(예를 들어, 세라믹 그린시트(10))와 상기 일면의 계면(예를 들어, 계면(X))에 상기 투명 기재의 다른 일면(예를 들어, 하면(20b))측으로부터 박리용 자외선(예를 들어, 제2 자외선)을 상기 투명 기재에 투과시켜 조사하는 투과 조사 공정(예를 들어, 제2 조사 공정(S15))과, 상기 박리용 자외선의 조사 후에, 상기 세라믹 그린시트를 상기 일면으로부터 박리하는 박리 공정(예를 들어, 박리 공정(S16))을 포함하는, 적층 세라믹 전자부품의 제조방법이다.
이 구성에 의하면, 이형처리가 실시되어 있지 않은 기재에 직접 도포된 세라믹 그린시트의 박리가 가능해진다.
본 발명의 제2 실시양태는 제1 실시양태에 있어서, 상기 일면에 도포용 자외선(예를 들어, 제1 자외선)을 조사하고, 상기 일면의 표면조도를 변화시키는 비투과 조사 공정(예를 들어, 제1 조사 공정(S12))과, 상기 도포용 자외선이 조사된 상기 일면에 세라믹 입자를 포함하는 슬러리(예를 들어, 슬러리(SL))를 도포함으로써 상기 일면에 상기 세라믹 그린시트를 도포하는 도포 공정(예를 들어, 도포 공정(S13))을 포함하는, 적층 세라믹 전자부품의 제조방법이다.
이 구성에 의하면, 이형처리가 실시되어 있지 않은 기재에 대한 슬러리의 균일한 직접 도포가 가능해짐과 동시에, 이 기재로부터의 세라믹 그린시트의 박리가 가능해진다.
본 발명의 제3 실시양태는 제2 실시양태에 있어서 상기 박리용 자외선의 파장이 상기 도포용 자외선의 파장과 다른, 적층 세라믹 전자부품의 제조방법이다.
이 구성에 의하면, 제1 조사 공정 및 제2 조사 공정의 각 공정에 있어서 최적의 파장을 선택할 수 있다.
본 발명의 제4 실시양태는 제3 실시양태에 있어서, 상기 투명 기재가 폴리에스테르제이고, 상기 도포용 자외선의 파장이 200nm보다 크고 300nm보다 작으며, 상기 박리용 자외선의 파장이 300nm 이상인, 적층 세라믹 전자부품의 제조방법이다.
이 구성에 의하면, 제1 조사 공정에 있어서, 오존이 생성되지 않고, 제1 자외선이 기재의 상면에 확실하게 조사된다. 또한, 제2 조사 공정에 있어서, 제2 자외선은 확실하게 기재를 투과하여 계면에 조사된다.
본 발명의 제5 실시양태는 제2 실시양태에 있어서, 상기 비투과 조사 공정에 있어서 상기 도포용 자외선의 적산광량은 상기 표면조도와 상기 일면에 대한 물의 접촉각에 기반하여 설정되는, 적층 세라믹 전자부품의 제조방법이다.
이 구성에 의하면, 이형처리가 실시되어 있지 않은 기재에 대한 슬러리의 균일한 도포가 가능해짐과 동시에, 이 기재로부터의 세라믹 그린시트의 박리가 가능해진다.
1: 적층 세라믹 콘덴서
10: 세라믹 그린시트
10b: 하면
20: 기재
20a: 상면(일면)
20b: 하면(다른 일면)
X: 계면
SL: 슬러리
10: 세라믹 그린시트
10b: 하면
20: 기재
20a: 상면(일면)
20b: 하면(다른 일면)
X: 계면
SL: 슬러리
Claims (5)
- 필름 형상의 투명 기재의 일면에 도포용 자외선을 직접 조사하여 상기 일면의 표면조도를 변화시키는 비투과 조사 공정과,
상기 도포용 자외선이 조사된 상기 일면에 세라믹 입자를 포함하는 슬러리를 직접 도포함으로써 상기 일면에 세라믹 그린시트를 도포하는 도포 공정과,
상기 일면에 직접 도포된 상기 세라믹 그린시트와 상기 일면의 계면에, 상기 투명 기재의 다른 일면측으로부터 박리용 자외선을 상기 투명 기재에 투과시켜 조사하는 투과 조사 공정과,
상기 박리용 자외선의 조사 후에, 상기 세라믹 그린시트를 상기 일면으로부터 박리하는 박리 공정을 포함하고,
상기 비투과 조사 공정에 있어서,
상기 도포용 자외선의 조사 전의 상기 기재에는, 상기 기재로부터의 상기 세라믹 그린시트의 이형을 촉진시키는 표면처리가 실시되어 있지 않고,
상기 표면조도는, 상기 도포용 자외선의 적산광량에 따라, 증대한 후에 감소하고, 그 후 안정되도록 변화하고,
상기 도포용 자외선은 상기 표면조도가 안정될 때까지 조사되는,
적층 세라믹 전자부품의 제조방법. - 제1항에 있어서, 상기 박리용 자외선의 파장은 상기 도포용 자외선의 파장과 다른, 적층 세라믹 전자부품의 제조방법.
- 제2항에 있어서, 상기 투명 기재는 폴리에스테르제이고,
상기 도포용 자외선의 파장은 200nm보다 길고 300nm보다 짧으며,
상기 박리용 자외선의 파장은 300nm 이상인,
적층 세라믹 전자부품의 제조방법. - 제1항에 있어서, 상기 비투과 조사 공정에 있어서, 상기 도포용 자외선의 적산광량은 상기 표면조도와 상기 일면에 대한 물의 접촉각에 기반하여 설정되는, 적층 세라믹 전자부품의 제조방법.
- 삭제
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| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant |