KR102696424B1 - 동시 기판 이송을 위한 로봇 - Google Patents

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KR102696424B1
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제이슨 엠. 샬러
찰스 티. 칼슨
루크 본커터
데이비드 블라닉
카루파사미 무투카마치
제프 허진스
벤자민 라이어던
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어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드
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Abstract

예시적인 기판 프로세싱 시스템들은, 이송 구역을 한정하며, 기판 지지부들 및 이송 장치를 포함하는 이송 구역 하우징을 포함할 수 있다. 이송 장치는, 하우징을 가지며, 제1 샤프트 및 제2 샤프트를 포함하는 중앙 허브를 포함할 수 있다. 하우징은 제2 샤프트와 결합될 수 있고, 내부 하우징 볼륨을 한정할 수 있다. 이송 장치는 복수의 기판 지지부들의 기판 지지부들의 수와 동일한 복수의 암들을 포함할 수 있다. 복수의 암들의 각각의 암은 하우징의 외부 주위에 결합될 수 있다. 이송 장치는 내부 하우징 볼륨 내에 배치된 복수의 암 허브들을 포함할 수 있다. 복수의 암 허브들의 각각의 암 허브는 하우징을 통해 복수의 암들 중 하나의 암과 결합될 수 있다. 암 허브들은 중앙 허브의 제1 샤프트와 결합될 수 있다.

Description

동시 기판 이송을 위한 로봇
[0001] 본 출원은 2019년 7월 12일자로 출원된 미국 가특허출원 제62/873,432호에 대한 우선권의 이익을 주장하며, 이 가특허출원의 내용들은 이로써 그 전체가 모든 목적들을 위해 인용에 의해 포함된다.
[0002] 본 기술은, 모두 2019년 7월 12일자로 동시에 출원되었으며 다음과 같은 명칭의 다음 출원들에 관련된다: "ROBOT FOR SIMULTANEOUS SUBSTRATE TRANSFER"(미국 가출원 제62/873,400호), "ROBOT FOR SIMULTANEOUS SUBSTRATE TRANSFER"(미국 가출원 제62/873,458호), "ROBOT FOR SIMULTANEOUS SUBSTRATE TRANSFER"(미국 가출원 제62/873,480호), "MULTI-LID STRUCTURE FOR SEMICONDUCTOR PROCESSING SYSTEMS"(미국 가출원 제62/873,518호) 및 "HIGH-DENSITY SUBSTRATE PROCESSING SYSTEMS AND METHODS"(미국 가출원 제62/873,503호). 이러한 출원들 각각은 이로써 모든 목적들을 위해 그 전체가 인용에 의해 포함된다.
[0003] 본 기술은 반도체 프로세스들 및 장비에 관한 것이다. 보다 구체적으로, 본 기술은 기판 프로세싱 시스템들에 관한 것이다.
[0004] 반도체 프로세싱 시스템들은 종종, 다수의 프로세스 챔버들을 함께 통합하기 위해 클러스터 툴들을 이용한다. 이러한 구성은 제어되는 프로세싱 환경으로부터 기판을 제거하지 않으면서 여러 순차적인 프로세싱 동작들의 수행을 가능하게 할 수 있거나, 이러한 구성은 다양한 챔버들에서 다수의 기판들에 대해 유사한 프로세스가 한꺼번에 수행될 수 있게 할 수 있다. 이러한 챔버들은 예를 들어, 탈기(degas) 챔버들, 전처리 챔버들, 이송 챔버들, 화학 기상 증착 챔버들, 물리 기상 증착 챔버들, 에칭 챔버들, 계측 챔버들 및 다른 챔버들을 포함할 수 있다. 클러스터 툴 내의 챔버들의 조합뿐만 아니라, 이러한 챔버들이 실행되는 동작 조건들 및 파라미터들은 특정 프로세스 방안(recipe)들 및 프로세스 흐름들을 사용하여 특정 구조들을 제작하도록 선택된다.
[0005] 클러스터 툴들은 종종, 일련의 챔버들 및 프로세스 동작들을 통해 기판들을 연속적으로 통과시킴으로써 다수의 기판들을 프로세싱한다. 프로세스 방안들 및 시퀀스들은 통상적으로, 클러스터 툴을 통해 각각의 기판의 프로세싱을 지시, 제어 및 모니터링할 마이크로프로세서 제어기에 프로그래밍될 것이다. 웨이퍼들의 전체 카세트가 클러스터 툴을 통해 성공적으로 프로세싱되었으면, 카세트는 추가 프로세싱을 위해 또 다른 클러스터 툴 또는 독립형 툴, 이를테면 화학적 기계적 연마기로 전달될 수 있다.
[0006] 로봇들은 통상적으로 다양한 프로세싱 및 홀딩 챔버들을 통해 웨이퍼들을 이송하는 데 사용된다. 각각의 프로세스 및 핸들링 동작에 요구되는 시간의 양은 단위 시간당 기판들의 스루풋에 직접적인 영향을 미친다. 클러스터 툴에서의 기판 스루풋은 이송 챔버에 포지셔닝된 기판 핸들링 로봇의 속도와 직접적으로 관련될 수 있다. 프로세싱 챔버 구성들이 추가로 개발됨에 따라, 종래의 웨이퍼 이송 시스템들은 부적절할 수 있다.
[0007] 따라서 클러스터 툴 환경들 내에서 기판들을 효율적으로 지향시키는 데 사용될 수 있는 개선된 시스템들 및 방법들에 대한 필요성이 있다. 이러한 그리고 다른 요구들이 본 기술에 의해 해결된다.
[0008] 예시적인 기판 프로세싱 시스템들은 이송 구역을 한정하는 이송 구역 하우징을 포함할 수 있다. 이송 구역 하우징의 측벽은 기판들을 제공 및 수취하기 위한 밀폐 가능 접근부를 한정할 수 있다. 시스템들은 이송 구역 내에 배치된 복수의 기판 지지부들을 포함할 수 있다. 시스템들은 또한 이송 장치를 포함할 수 있다. 이송 장치는, 제1 샤프트 및 제1 샤프트 주위로 연장되며 제1 샤프트와 동심인 제2 샤프트를 포함하는 중앙 허브를 포함할 수 있다. 중앙 허브는, 이송 구역 내에 포지셔닝되며 제2 샤프트와 결합된 하우징을 가질 수 있다. 하우징은 내부 하우징 볼륨을 한정할 수 있다. 이송 장치는 복수의 기판 지지부들의 기판 지지부들의 수와 동일한 복수의 암(arm)들을 포함할 수 있다. 복수의 암들의 각각의 암은 하우징의 외부 주위에 결합될 수 있다. 이송 장치는 내부 하우징 볼륨 내에 배치된 복수의 암 허브들을 포함할 수 있다. 복수의 암 허브들의 각각의 암 허브는 하우징을 통해 복수의 암들 중 하나의 암과 결합될 수 있다. 암 허브들은 중앙 허브의 제1 샤프트와 결합될 수 있다.
[0009] 일부 실시예들에서, 복수의 기판 지지부들은 적어도 4개의 기판 지지부들을 포함할 수 있다. 암 허브들은 중앙 허브의 중심 축을 중심으로 내부 하우징 볼륨의 반경 방향 에지에 근접하게 분포될 수 있다. 암 허브들은 복수의 암들이 결합되는 하우징으로부터 독립적으로 회전 가능할 수 있다. 제1 샤프트는 내부 하우징 볼륨 내에서 연장될 수 있다. 하나 이상의 링키지(linkage)들이 내부 하우징 볼륨 내에서 제1 샤프트와 복수의 암 허브들의 각각의 암 허브를 결합시킬 수 있다. 제1 샤프트의 회전은 복수의 암 허브들의 각각의 암 허브를 동시에 회전시키도록 구성될 수 있다. 각각의 암 허브는 중심 축이 중앙 허브의 중심 축으로부터 반경 방향으로 오프셋되는 것을 특징으로 할 수 있으며, 복수의 암 허브들의 각각의 암 허브의 회전은 복수의 암들 중 대응하는 암을 연관된 암 허브의 중심 축을 중심으로 회전시키도록 구성될 수 있다. 하나 이상의 링키지들은 복수의 암 허브들의 각각의 암 허브 및 제1 샤프트 주위로 연장되는 하나 이상의 벨트들을 포함할 수 있다. 하나 이상의 링키지들은 제1 샤프트와 복수의 암 허브들 사이에 결합된 복수의 기어들을 포함할 수 있고, 복수의 기어들의 각각의 기어는 제1 샤프트와 복수의 암 허브들 중 하나의 암 허브 사이에 그리고 이 둘 모두와 접촉하게 배치될 수 있다. 복수의 기판 지지부들의 각각의 기판 지지부는 기판 지지부를 통해 접근 가능한 한 세트의 리프트 핀들을 포함할 수 있고, 각각의 세트의 리프트 핀들은 각각의 다른 세트의 리프트 핀들과 상이한 수직 길이를 특징으로 할 수 있다. 중앙 허브는 중앙 허브의 중심 축을 따라 수직으로 병진 가능할 수 있다. 이송 장치는 또한 제3 샤프트 및 복수의 정렬기들을 포함할 수 있다. 각각의 정렬기는 복수의 암들 중 연관된 암의 원위(distal) 단부에 근접하게 포지셔닝될 수 있다. 각각의 정렬기는 복수의 암들로부터 그리고 하우징으로부터 독립적으로 회전 가능할 수 있다.
[0010] 본 기술의 일부 실시예들은 기판을 이송하는 방법들을 포함할 수 있다. 이 방법들은 기판 프로세싱 시스템의 이송 구역 내의 제1 기판 지지부에서 기판을 수취하는 단계를 포함할 수 있다. 기판 프로세싱 시스템은, 제1 샤프트 및 제1 샤프트 주위로 연장되며 제1 샤프트와 동심인 제2 샤프트를 갖는 중앙 허브를 포함하는 이송 장치를 포함할 수 있다. 중앙 허브는 하우징을 가질 수 있다. 이송 장치는 복수의 암들을 포함할 수 있으며, 복수의 암들의 각각의 암은 하우징의 외부 주위에 결합된다. 이송 장치는 복수의 암 허브들을 포함할 수 있으며, 복수의 암 허브들의 각각의 암 허브는 복수의 암들 중 하나의 암과 결합된다. 암 허브들은 중앙 허브의 제1 샤프트와 결합될 수 있다. 이 방법들은 기판을 복수의 암들 중 하나의 암과 맞물리게 하는 단계를 포함할 수 있다. 이 방법들은 중앙 허브의 중심 축을 중심으로 제1 방향으로 제1 샤프트를 회전시키는 단계를 포함할 수 있다. 이 방법들은 중앙 허브의 중심 축을 중심으로 제2 방향으로 제2 샤프트를 회전시키는 단계를 포함할 수 있다. 이 방법들은 기판을 재포지셔닝하기 위해 중심 축을 중심으로 제2 방향으로 제1 샤프트와 제2 샤프트를 공동 회전시키는 단계를 포함할 수 있다. 이 방법들은 기판 프로세싱 시스템의 제2 기판 지지부에 기판을 전달하는 단계를 포함할 수 있다.
[0011] 일부 실시예들에서, 이 방법들은, 중심 축을 중심으로 제2 방향으로 제2 샤프트를 추가로 회전시키고 중심 축을 중심으로 제1 방향으로 제1 샤프트를 회전시킴으로써 이송 장치를 전이하는 단계를 포함할 수 있다. 이 방법들은, 중심 축을 중심으로 제2 방향으로 제1 샤프트를 회전시키고 중심 축을 중심으로 제1 방향으로 제2 샤프트를 회전시키는 단계를 포함할 수 있다. 이 방법들은 기판을 맞물리게 하는 단계에 후속하여, 이송 구역 내에서 수직으로 이송 장치를 병진시킴으로써 제1 기판 지지부로부터 기판을 리프팅하는 단계를 포함할 수 있다. 이 방법들은 기판을 맞물리게 하는 단계에 후속하여, 기판으로부터 제1 기판 지지부를 리세스(recess)하는 단계를 포함할 수 있다. 복수의 암들의 각각의 암은 암으로부터 독립적으로 회전 가능한 정렬기를 포함할 수 있다. 기판은, 기판이 복수의 암들의 암과 맞물릴 때, 정렬기 상에 안착될 수 있다. 이송 구역은 적어도 4개의 기판들을 포함할 수 있고, 기판들을 맞물리게 하는 단계는 적어도 4개의 기판들을 복수의 암들의 암들과 개별적으로 또는 동시에 맞물리게 하는 단계를 포함할 수 있다. 이 방법들은 적어도 4개의 기판들을 분리하는 단계를 포함할 수 있으며, 이는 연관된 기판 지지부들 상에서 적어도 4개의 기판들을 개별적으로 또는 동시에 분리할 수 있다. 이 방법들은 제2 기판 지지부에 기판을 전달하는 단계 전에, 제1 기판 지지부와 제2 기판 지지부 사이에 포지셔닝된 정렬 허브에 기판을 전달하는 단계를 포함할 수 있다.
[0012] 본 기술의 일부 실시예들은 또한, 이송 구역을 한정하는 이송 구역 하우징을 포함할 수 있는 기판 프로세싱 시스템들을 포함할 수 있다. 이송 구역 하우징의 측벽은 기판들을 제공 및 수취하기 위한 밀폐 가능 접근부를 한정할 수 있다. 시스템들은 이송 구역 내에 배치된 복수의 기판 지지부들을 포함할 수 있다. 시스템들은 이송 장치를 포함할 수 있다. 이송 장치는 제1 샤프트, 제1 샤프트 주위로 연장되며 제1 샤프트와 동심인 제2 샤프트, 및 제2 샤프트를 중심으로 연장되며 제2 샤프트와 동심인 제3 샤프트를 포함하는 중앙 허브를 포함할 수 있다. 중앙 허브는, 이송 구역 내에 포지셔닝되며 제3 샤프트와 결합된 하우징을 가질 수 있다. 하우징은 내부 하우징 볼륨을 한정할 수 있다. 이송 장치는 복수의 암들을 포함할 수 있으며, 복수의 암들의 각각의 암은 암의 근위(proximal) 단부에서 하우징의 외부 주위에 결합된다. 이송 장치는 내부 하우징 볼륨 내에 배치된 복수의 암 허브들을 포함할 수 있으며, 복수의 암 허브들의 각각의 암 허브는 하우징을 통해 복수의 암들 중 하나의 암과 결합된다. 암 허브들은 중앙 허브의 제1 샤프트와 결합될 수 있다. 이송 장치는 복수의 정렬기들을 포함할 수 있으며, 복수의 정렬기들의 각각의 정렬기는 암의 원위 단부에서 복수의 암들 중 하나의 암과 결합된다. 이송 장치는 내부 하우징 볼륨 내에 배치된 복수의 정렬기 허브들을 포함할 수 있으며, 복수의 정렬기 허브들의 각각의 정렬기 허브는 복수의 암 허브들 중 하나의 암 허브와 동심이다. 복수의 정렬기 허브들의 각각의 정렬기 허브는 하우징을 통해 복수의 정렬기들 중 하나의 정렬기와 결합될 수 있다. 정렬기 허브들은 중앙 허브의 제2 샤프트와 결합될 수 있다.
[0013] 이러한 기술은 종래의 시스템들 및 기법들에 비해 많은 이점들을 제공할 수 있다. 예를 들어, 핸들링 시스템들은 종래의 설계들과 비교하여 증가된 이송 속도들을 제공할 수 있다. 추가로, 핸들링 시스템들은 다수의 행들의 기판들을 갖는 이송 구역들을 수용할 수 있다. 이러한 그리고 다른 실시예들은 이들의 많은 이점들 및 특징들과 함께 아래의 설명 및 첨부된 도면들과 관련하여 보다 상세하게 설명된다.
[0014] 개시된 기술의 성질 및 이점들의 추가 이해는 도면들 및 명세서의 나머지 부분들을 참조로 실현될 수 있다.
[0015] 도 1a는 본 기술의 일부 실시예들에 따른 예시적인 프로세싱 시스템의 개략적인 평면도를 도시한다.
[0016] 도 1b는 본 기술의 일부 실시예들에 따른 예시적인 챔버 시스템의 개략적인 부분 단면도를 도시한다.
[0017] 도 2는 본 기술의 일부 실시예들에 따른 예시적인 챔버 시스템의 이송 구역의 개략적인 사시도를 도시한다.
[0018] 도 3a - 도 3b는 본 기술의 일부 실시예들에 따른 예시적인 이송 장치들의 개략적인 단면도들을 도시한다.
[0019] 도 3c - 도 3d는 본 기술의 일부 실시예들에 따른 예시적인 이송 장치 컴포넌트들의 개략적인 평면도들을 도시한다.
[0020] 도 4는 본 기술의 일부 실시예들에 따라 기판들을 이송하는 방법의 예시적인 동작들을 도시한다.
[0021] 도 5a - 도 5h는 본 기술의 일부 실시예들에 따라 기판들이 이송되는 개략적인 평면도들을 도시한다.
[0022] 도 6은 본 기술의 일부 실시예들에 따른 예시적인 이송 장치의 개략적인 단면도를 도시한다.
[0023] 도 7은 본 기술의 일부 실시예들에 따른 예시적인 기판 프로세싱 시스템의 이송 섹션의 개략적인 단면 입면도를 도시한다.
[0024] 도면들 중 몇몇은 개략도들로서 포함된다. 도면들은 예시 목적들이며, 구체적으로 실척에 맞게 또는 비율대로라고 언급되지 않는 한 실척에 맞게 또는 비율대로인 것으로 간주되지 않아야 한다고 이해되어야 한다. 추가로, 개략도들로서, 도면들은 이해를 돕기 위해 제공되며, 현실적인 표현들과 비교하여 모든 양상들 또는 정보를 포함하지 않을 수 있고, 예시 목적들로 과장된 재료를 포함할 수 있다.
[0025] 첨부된 도면들에서, 유사한 컴포넌트들 및/또는 피처들은 동일한 참조 부호를 가질 수 있다. 추가로, 동일한 타입의 다양한 컴포넌트들은, 참조 라벨 다음에 유사한 컴포넌트들 사이를 구별하는 문자가 뒤따름으로써 구별될 수 있다. 명세서에서 첫 번째 참조 부호만 사용된다면, 설명은 문자와 관계없이 동일한 첫 번째 참조 부호를 갖는 유사한 컴포넌트들 중 임의의 한 컴포넌트에 적용 가능하다.
[0026] 기판 프로세싱은 웨이퍼 또는 반도체 기판 상의 재료들을 추가, 제거, 또는 다른 식으로 수정하기 위한 시간 집약적인 동작들을 포함할 수 있다. 기판의 효율적인 이동은 대기열(queue) 시간들을 감소시키고 기판 스루풋을 향상시킬 수 있다. 클러스터 툴 내에서 프로세싱되는 기판들의 수를 향상시키기 위해, 추가 챔버들이 메인프레임에 통합될 수 있다. 툴을 연장시킴으로써 이송 로봇들 및 프로세싱 챔버들이 계속 추가될 수 있지만, 이는 클러스터 툴의 풋프린트가 확장(scale)됨에 따라 공간 비효율적이 될 수 있다. 이에 따라, 본 기술은 한정된 풋프린트 내에 증가된 수의 프로세싱 챔버들을 갖는 클러스터 툴들을 포함할 수 있다. 이송 로봇들에 대한 제한된 풋프린트를 수용하기 위해, 본 기술은 로봇으로부터 측 방향 외측으로 프로세싱 챔버들의 수를 증가시킬 수 있다. 예를 들어, 일부 종래의 클러스터 툴들은, 로봇을 중심으로 반경 방향으로 챔버들의 수를 최대화하도록 중앙에 위치된 이송 로봇의 섹션들 주위에 포지셔닝된 하나 또는 2개의 프로세싱 챔버들을 포함할 수 있다. 본 기술은 챔버들의 다른 행 또는 그룹으로서 측 방향 외측으로 추가 챔버들을 통합함으로써 이러한 개념을 확장할 수 있다. 예를 들어, 본 기술은 하나 이상의 로봇 접근 포지션들 각각에서 접근 가능한 3개, 4개, 5개, 6개 또는 그 초과의 프로세싱 챔버들을 포함하는 클러스터 툴들에 적용될 수 있다.
[0027] 그러나 추가 프로세스 위치들이 추가됨에 따라, 중앙 로봇으로부터 이러한 위치들에 접근하는 것은 각각의 위치에서의 추가 이송 능력들 없이 더는 실현 가능하지 않을 수 있다. 일부 종래의 기술들은 전이 동안 기판들이 상부에 안착된 상태로 유지되는 웨이퍼 캐리어들을 포함할 수 있다. 그러나 웨이퍼 캐리어들은 기판들 상의 열적 불균일성 및 입자 오염에 기여할 수 있다. 본 기술은, 추가 웨이퍼 포지션들에 접근하기 위해 중앙 로봇과 협력하여 동작할 수 있는 캐러셀(carousel) 또는 이송 장치 및 프로세싱 챔버 구역들과 수직으로 정렬된 이송 섹션을 통합함으로써 이러한 문제들을 극복한다. 본 기술은 일부 실시예들에서 종래의 웨이퍼 캐리어들을 사용하지 않을 수 있고, 특정 웨이퍼들을 하나의 기판 지지부로부터 이송 구역 내의 상이한 기판 지지부로 이송할 수 있다. 나머지 개시내용은 본 구조들 및 방법들이 이용될 수 있는 특정 구조들, 이를테면 4-포지션 이송 구역들을 일상적으로 식별할 것이지만, 시스템들 및 방법들은 설명되는 이송 능력들로부터 이익을 얻을 수 있는 임의의 수의 구조들 및 디바이스들에 동일하게 적용 가능하다고 쉽게 이해될 것이다. 이에 따라, 이 기술은 임의의 특정 구조들에 사용하기 위한 것으로만 그렇게 제한되는 것으로 간주되지 않아야 한다. 더욱이, 본 기술에 대한 기초를 제공하기 위해 예시적인 툴 시스템이 설명될 것이지만, 본 기술은 설명될 시스템들 및 동작들 중 일부 또는 전부로부터 이익을 얻을 수 있는 임의의 수의 반도체 프로세싱 챔버들 및 툴들과 통합될 수 있다고 이해되어야 한다.
[0028] 도 1a는 본 기술의 일부 실시예들에 따른 증착, 에칭, 베이킹 및 경화 챔버들의 기판 프로세싱 툴 또는 프로세싱 시스템(100)의 일 실시예의 평면도를 도시한다. 도면에서, 한 세트의 전면 개방 통합 포드들(102)은, 로봇 암들(104a, 104b)에 의해 팩토리 인터페이스(103) 내에 수용되며, 그리고 챔버 시스템들 또는 쿼드 섹션들(109a-109c)에 포지셔닝되는 기판 프로세싱 구역들(108) 중 하나에 전달되기 전에 로드락 또는 저압 홀딩 영역(106)에 배치되는 다양한 크기들의 기판들을 공급하는데, 챔버 시스템들 또는 쿼드 섹션들(109a-109c)은 각각, 복수의 프로세싱 구역들(108)과 유체 결합된 이송 구역을 갖는 기판 프로세싱 시스템일 수 있다. 쿼드 시스템이 예시되지만, 독립형 챔버들, 트윈 챔버들, 및 다른 다수의 챔버 시스템들을 통합하는 플랫폼들이 본 기술에 의해 동등하게 포함된다고 이해되어야 한다. 이송 챔버(112)에 하우징된 제2 로봇 암(110)은 기판 웨이퍼들을 홀딩 영역(106)으로부터 쿼드 섹션들(109)로 그리고 반대로 이송하는 데 사용될 수 있고, 제2 로봇 암(110)은 쿼드 섹션들 또는 프로세싱 시스템들 각각이 연결될 수 있는 이송 챔버에 하우징될 수 있다. 각각의 기판 프로세싱 구역(108)은 순환 층 증착, 원자 층 증착, 화학 기상 증착, 물리 기상 증착을 포함하는 임의의 수의 증착 프로세스들뿐만 아니라, 에칭, 사전 세정, 어닐링, 플라즈마 프로세싱, 탈기, 배향 및 다른 기판 프로세스들을 포함하는 다수의 기판 프로세싱 동작들을 수행하도록 설비될 수 있다.
[0029] 각각의 쿼드 섹션(109)은, 제2 로봇 암(110)으로부터 기판들을 받고 제2 로봇 암(110)에 기판들을 전달할 수 있는 이송 구역을 포함할 수 있다. 챔버 시스템의 이송 구역은 제2 로봇 암(110)을 갖는 이송 챔버와 정렬될 수 있다. 일부 실시예들에서, 이송 구역은 로봇이 측 방향으로 접근 가능할 수 있다. 후속 동작들에서, 이송 섹션들의 컴포넌트들은 기판들을 상부 프로세싱 구역들(108)로 수직으로 병진시킬 수 있다. 유사하게, 이송 구역들은 또한, 각각의 이송 구역 내의 포지션들 사이에서 기판들을 회전시키도록 동작 가능할 수 있다. 기판 프로세싱 구역들(108)은 기판 또는 웨이퍼 상에 재료 막을 증착, 어닐링, 경화 및/또는 에칭하기 위한 임의의 수의 시스템 컴포넌트들을 포함할 수 있다. 일 구성에서, 2개의 세트들의 프로세싱 구역들, 이를테면 쿼드 섹션(109a, 109b)의 프로세싱 구역들이 기판 상에 재료를 증착하는 데 사용될 수 있고, 세 번째 세트의 프로세싱 챔버들, 이를테면 쿼드 섹션(109c)의 프로세싱 챔버들 또는 구역들이 증착된 막들을 경화, 어닐링 또는 처리하는 데 사용될 수 있다. 다른 구성에서, 3개의 모든 세트들의 챔버들, 이를테면 예시된 12개의 모든 챔버들이 기판 상에 막을 증착 및/또는 경화시키도록 구성될 수 있다.
[0030] 도면에 예시된 바와 같이, 제2 로봇 암(110)은 다수의 기판들을 동시에 전달 및/또는 회수하기 위한 2개의 암들을 포함할 수 있다. 예를 들어, 각각의 쿼드 섹션(109)은 이송 구역의 하우징의 표면을 따라 2개의 접근부들(107)을 포함할 수 있으며, 이들은 제2 로봇 암과 측 방향으로 정렬될 수 있다. 접근부들은 이송 챔버(112)에 인접한 표면을 따라 한정될 수 있다. 예시된 바와 같은 일부 실시예들에서, 제1 접근부는 쿼드 섹션의 복수의 기판 지지부들 중 제1 기판 지지부와 정렬될 수 있다. 추가로, 제2 접근부는 쿼드 섹션의 복수의 기판 지지부들 중 제2 기판 지지부와 정렬될 수 있다. 일부 실시예들에서, 제1 기판 지지부는 제2 기판 지지부에 인접할 수 있고, 2개의 기판 지지부들은 기판 지지부들의 제1 행을 한정할 수 있다. 예시된 구성에 도시된 바와 같이, 기판 지지부들의 제2 행은 이송 챔버(112)로부터 측 방향 외측으로 기판 지지부들의 제1 행 뒤에 포지셔닝될 수 있다. 제2 로봇 암(110)의 2개의 암들은, 이송 구역 내의 기판 지지부들에 하나 또는 2개의 기판들을 전달 또는 회수하기 위해, 2개의 암들이 쿼드 섹션 또는 챔버 시스템에 동시에 진입할 수 있게 하도록 이격될 수 있다.
[0031] 설명되는 이송 구역들 중 임의의 하나 이상은 상이한 실시예들에 도시된 제작 시스템으로부터 분리된 추가 챔버들과 통합될 수 있다. 재료 막들을 위한 증착, 에칭, 어닐링, 및 경화 챔버들의 추가 구성들이 프로세싱 시스템(100)에 의해 고려된다고 인식될 것이다. 추가로, 임의의 수의 다른 프로세싱 시스템들이 본 기술에 이용될 수 있으며, 이는 기판 이동과 같은 특정 동작들 중 임의의 동작을 수행하기 위한 이송 시스템들을 통합할 수 있다. 일부 실시예들에서, 언급된 홀딩 및 이송 영역들과 같은 다양한 섹션들에서 진공 환경을 유지하면서 다수의 프로세싱 챔버 구역들에 대한 접근을 제공할 수 있는 프로세싱 시스템들은 개별 프로세스들 사이에 특정 진공 환경을 유지하면서 다수의 챔버들에서 동작들이 수행되는 것을 가능하게 할 수 있다.
[0032] 도 1b는 본 기술의 일부 실시예들에 따른, 이를테면 챔버 시스템을 통한 예시적인 프로세싱 툴의 일 실시예의 개략적인 단면 입면도를 도시한다. 도 1b는 임의의 쿼드 섹션(109) 내의 임의의 2개의 인접한 프로세싱 구역들(108)을 통한 단면도를 예시할 수 있다. 입면도는 이송 구역(120)과 하나 이상의 프로세싱 구역들(108)의 구성 또는 유체 결합을 예시할 수 있다. 예를 들어, 이송 구역 하우징(125)에 의해 연속적인 이송 구역(120)이 한정될 수 있다. 하우징은 다수의 기판 지지부들(130)이 배치될 수 있는 개방된 내부 볼륨을 한정할 수 있다. 예를 들어, 도 1a에 예시된 바와 같이, 예시적인 프로세싱 시스템들은 이송 구역을 중심으로 하우징 내에 분포된 복수의 기판 지지부들(130)을 포함하여 4개 이상을 포함할 수 있다. 기판 지지부들은 예시된 바와 같이 페디스털들일 수 있지만, 다수의 다른 구성들이 또한 사용될 수 있다. 일부 실시예들에서, 페디스털들은 이송 구역(120)과 이송 구역 위에 놓인 프로세싱 구역들 사이에서 수직으로 병진 가능할 수 있다. 기판 지지부들은 챔버 시스템 내의 제1 포지션과 제2 포지션 사이의 경로를 따라 기판 지지부의 중심 축을 따라 수직으로 병진 가능할 수 있다. 이에 따라, 일부 실시예들에서, 각각의 기판 지지부(130)는 하나 이상의 챔버 컴포넌트들에 의해 한정된 상부 프로세싱 구역(108)과 축 방향으로 정렬될 수 있다.
[0033] 개방된 이송 구역은 캐러셀과 같은 이송 장치(135)가 기판들과 맞물리고 다양한 기판 지지부들 사이에서, 이를테면 회전식으로 이동시키는 능력을 제공할 수 있다. 이송 장치(135)는 중심 축을 중심으로 회전 가능할 수 있다. 이는 기판들이 프로세싱 시스템 내의 프로세싱 구역들(108) 중 임의의 프로세싱 구역 내에 프로세싱을 위해 포지셔닝되게 할 수 있다. 이송 장치(135)는 기판 지지부들 주위의 이동을 위해 기판들의 외부 에지들과 맞물릴 수 있는 또는 기판들과 위, 아래로부터 맞물릴 수 있는 하나 이상의 엔드 이펙터들을 포함할 수 있다. 이송 장치는 이전에 설명된 로봇(110)과 같은 이송 챔버 로봇으로부터 기판들을 받을 수 있다. 이어서, 이송 장치는 추가 기판들의 전달을 가능하게 하기 위해 기판 지지부들을 교번시키도록 기판들을 회전시킬 수 있다.
[0034] 일단 포지셔닝되고 프로세싱을 대기하면, 이송 장치는 기판 지지부들 사이에 엔드 이펙터들 또는 암들을 포지셔닝할 수 있고, 이는 기판 지지부들이 이송 장치(135)를 지나 상승될 수 있게 하고, 이송 구역으로부터 수직으로 오프셋될 수 있는 프로세싱 구역들(108) 내로 기판들을 전달하게 할 수 있다. 예를 들어, 그리고 예시된 바와 같이, 기판 지지부(130a)는 프로세싱 구역(108a) 내로 기판을 전달할 수 있는 한편, 기판 지지부(130b)는 프로세싱 구역(108b) 내로 기판을 전달할 수 있다. 이는 다른 2개의 기판 지지부들 및 프로세싱 구역들뿐만 아니라, 추가 프로세싱 구역들이 포함되는 실시예들에서는 추가 기판 지지부들 및 프로세싱 구역들에 대해 발생할 수 있다. 이러한 구성에서, 기판 지지부들은 이를테면, 제2 포지션에서 기판들을 프로세싱하기 위해 동작 가능하게 맞물릴 때, 아래로부터 프로세싱 구역(108)을 적어도 부분적으로 한정할 수 있고, 프로세싱 구역들은 연관된 기판 지지부와 축 방향으로 정렬될 수 있다. 프로세싱 구역들은 페이스 플레이트(faceplate)(140)뿐만 아니라 다른 덮개 스택 컴포넌트들에 의해 위에서부터 한정될 수 있다. 일부 실시예들에서, 각각의 프로세싱 구역은 개별 덮개 스택 컴포넌트들을 가질 수 있지만, 일부 실시예들에서 컴포넌트들은 다수의 프로세싱 구역들(108)을 수용할 수 있다. 이러한 구성에 기초하여, 일부 실시예들에서 각각의 프로세싱 구역(108)은 챔버 시스템 또는 쿼드 섹션 내의 각각의 다른 프로세싱 구역으로부터 위에서부터 유체 격리되지만, 이송 구역과는 유체 결합될 수 있다.
[0035] 일부 실시예들에서, 페이스 플레이트(140)는 프로세싱 구역(108) 내에 로컬 플라즈마를 생성하기 위한 시스템의 전극으로서 동작할 수 있다. 예시된 바와 같이, 각각의 프로세싱 구역은 개별 페이스 플레이트를 이용하거나 통합할 수 있다. 예를 들어, 위에서부터 프로세싱 구역(108a)을 한정하도록 페이스 플레이트(140a)가 포함될 수 있고, 위에서부터 프로세싱 구역(108b)을 한정하도록 페이스 플레이트(140b)가 포함될 수 있다. 일부 실시예들에서, 기판 지지부는 페이스 플레이트와 기판 지지부 사이에 용량 결합 플라즈마를 생성하기 위한 컴패니언 전극으로서 동작할 수 있다. 펌핑 라이너(pumping liner)(145)는 볼륨 기하학적 구조에 따라 반경 방향으로 또는 측 방향으로 프로세싱 구역(108)을 적어도 부분적으로 한정할 수 있다. 또한, 각각의 프로세싱 구역에 대해 개별 펌핑 라이너들이 이용될 수 있다. 예를 들어, 펌핑 라이너(145a)는 프로세싱 구역(108a)을 반경 방향으로 적어도 부분적으로 한정할 수 있고, 펌핑 라이너(145b)는 프로세싱 구역(108b)을 반경 방향으로 적어도 부분적으로 한정할 수 있다. 실시예들에서는 덮개(155)와 페이스 플레이트(140) 사이에 차단기 플레이트(150)가 포지셔닝될 수 있고, 또한 각각의 프로세싱 구역 내의 유체 분배를 가능하게 하도록 개별 차단기 플레이트들이 포함될 수 있다. 예를 들어, 프로세싱 구역(108a)을 향한 분배를 위해 차단기 플레이트(150a)가 포함될 수 있고, 프로세싱 구역(108b)을 향한 분배를 위해 차단기 플레이트(150b)가 포함될 수 있다.
[0036] 덮개(155)는 각각의 프로세싱 구역에 대한 개별 컴포넌트일 수 있거나, 하나 이상의 공통 양상들을 포함할 수 있다. 예시된 바와 같은 일부 실시예들에서, 덮개(155)는 개별적인 프로세싱 구역들로의 유체 전달을 위한 다수의 개구들(160)을 한정하는 단일 컴포넌트일 수 있다. 예를 들어, 덮개(155)는 프로세싱 구역(108a)으로의 유체 전달을 위한 제1 개구(160a)를 한정할 수 있고, 덮개(155)는 프로세싱 구역(108b)으로의 유체 전달을 위한 제2 개구(160b)를 한정할 수 있다. 각각의 섹션 내의 추가 프로세싱 구역들(이들이 포함될 때)에 대해 추가 개구들이 한정될 수 있다. 일부 실시예들에서, 각각의 쿼드 섹션(109) 또는 4개보다 많은 또는 적은 기판들을 수용할 수 있는 다중 프로세싱 구역 섹션은 플라즈마 배출물들을 프로세싱 챔버 내로 전달하기 위한 하나 이상의 원격 플라즈마 유닛들(165)을 포함할 수 있다. 일부 실시예들에서, 개개의 플라즈마 유닛들이 각각의 챔버 프로세싱 구역에 대해 통합될 수 있지만, 일부 실시예들에서는 더 적은 원격 플라즈마 유닛들이 사용될 수 있다. 예를 들어, 예시된 바와 같이, 특정 쿼드 섹션에 대한 다수의 챔버들, 이를테면 2개, 3개, 4개 또는 그 초과의 챔버들, 최대로 모든 챔버들에 단일 원격 플라즈마 유닛(165)이 사용될 수 있다. 본 기술의 실시예들에서 프로세싱 또는 세정을 위한 플라즈마 배출물들의 전달을 위해 원격 플라즈마 유닛(165)으로부터 각각의 개구(160)로 파이핑이 연장될 수 있다.
[0037] 언급된 바와 같이, 프로세싱 시스템(100), 또는 보다 구체적으로는 시스템(100) 또는 다른 프로세싱 시스템들과 통합된 쿼드 섹션들 또는 챔버 시스템들은 예시된 프로세싱 챔버 구역들 아래에 포지셔닝된 이송 섹션들을 포함할 수 있다. 도 2는 본 기술의 일부 실시예들에 따른 예시적인 챔버 시스템(200)의 개략적인 등각도를 도시한다. 예시된 시스템은, 다수의 컴포넌트들이 포함될 수 있는 내부 볼륨 또는 이송 구역을 한정하는 이송 구역 하우징(205)을 포함할 수 있다. 이송 구역은 추가로, 프로세싱 챔버들, 이를테면 도 1a의 쿼드 섹션들(109)에 예시된 프로세싱 챔버들에 의해 위에서부터 적어도 부분적으로 한정될 수 있다. 이송 구역 하우징의 측벽은 이를테면, 위에서 논의된 바와 같이 제2 로봇 암(110)에 의해 기판들이 전달 및 회수될 수 있게 하는 하나 이상의 접근 위치들(207)을 한정할 수 있다. 접근 위치들(207)은 슬릿 밸브들 또는 다른 밀폐 가능한 접근 포지션들일 수 있으며, 이들은 일부 실시예들에서 이송 구역 하우징(205) 내에 기밀 환경을 제공하기 위한 도어들 또는 다른 밀폐 메커니즘들을 포함할 수 있다. 2개의 그러한 접근 위치들(207)로 예시되지만, 일부 실시예들에서는 단지 단일 접근 위치(207)만이 포함될 수 있다고 이해되어야 한다. 기판 프로세싱 시스템(200)은 임의의 수의 기하학적 구조들 또는 형상들을 특징으로 하는 기판들을 포함하여, 200㎜, 300㎜, 450㎜, 또는 더 큰 또는 더 작은 기판들을 포함하는 임의의 기판 크기를 수용하도록 크기가 정해질 수 있다고 또한 이해되어야 한다.
[0038] 이송 구역 하우징(205) 내에는 이송 구역 볼륨 주위에 포지셔닝된 복수의 기판 지지부들(210)이 있을 수 있다. 4개의 기판 지지부들이 예시되지만, 본 기술의 실시예들에 의해 임의의 수의 기판 지지부들이 유사하게 포함된다고 이해되어야 한다. 예를 들어, 본 기술의 실시예들에 따라, 약 3개, 4개, 5개, 6개, 8개 이상 또는 그보다 많은 기판 지지부들(210)이 이송 구역들에 수용될 수 있다. 제2 로봇 암(110)은 접근부들(207)을 통해 기판 지지부들(210a 또는 210b) 중 어느 하나 또는 둘 다에 기판을 전달할 수 있으며, 일부 실시예들에서는 이송 구역 내의 이송 장치에 직접 기판들을 전달할 수 있다. 유사하게, 제2 로봇 암(110)은 이러한 위치들로부터 기판들을 회수할 수 있다. 리프트 핀들이 기판 지지부들(210)로부터 돌출될 수 있거나, 아래에서 논의되는 바와 같이 기판 지지부들을 관통하여 접근 가능할 수 있으며, 로봇이 기판들 밑에 접근할 수 있게 할 수 있다. 일부 실시예들에서, 리프트 핀들은 기판 지지부들 상에, 또는 기판 지지부들이 아래로 리세스될 수 있는 위치에 고정될 수 있거나, 리프트 핀들은 기판 지지부들을 통해 추가로 상승 또는 하강될 수 있다. 기판 지지부들(210)은 수직으로 병진 가능할 수 있고, 일부 실시예들에서는, 이송 구역 하우징(205) 위에 포지셔닝된 프로세싱 챔버들, 이를테면 프로세싱 챔버들(108)까지 연장될 수 있다.
[0039] 이송 구역 하우징(205)은 정렬 시스템들(215)을 위한 접근부를 제공할 수 있는데, 정렬 시스템들은 예시된 바와 같이 이송 구역의 개구를 관통하여 연장될 수 있고 인접 개구를 통해 돌출 또는 투과하는 레이저, 카메라 또는 다른 모니터링 디바이스와 함께 작동할 수 있는, 그리고 병진되고 있는 기판이 적절하게 정렬되는지 여부를 결정할 수 있는 정렬기를 포함할 수 있다. 이송 구역 하우징(205)은 또한, 기판들을 포지셔닝하고 다양한 기판 지지부들 사이에서 기판들을 이동시키도록 다수의 방식들로 동작될 수 있는 이송 장치(220)를 포함할 수 있다. 아래에서 예시적인 동작들이 설명될 것이지만, 일례로, 이송 장치(220)는 기판 지지부들(210a, 210b) 상의 기판들을 기판 지지부들(210c, 210d)로 이동시킬 수 있으며, 이는 추가 기판들이 이송 구역 내로 전달되게 할 수 있다.
[0040] 이송 장치(220)는 이송 구역 내로 연장되는 하나 이상의 샤프트들을 포함할 수 있는 중앙 허브(225)를 포함할 수 있다. 중앙 허브(225)는 이송 구역 하우징(205) 내에서 중앙에 또는 달리 포지셔닝된 하우징(230)을 포함할 수 있다. 하우징(230)은 아래에서 설명되는 바와 같이 내부 하우징 볼륨을 한정할 수 있고, 내부 하우징 볼륨 내에는 이송 장치(220)와 연관된 추가 컴포넌트들이 배치될 수 있다. 하우징(230)은 이송 구역 하우징(205)의 베이스로부터 분리될 수 있으며, 이는 이송 구역 내에서 하우징(230)의 회전을 가능하게 할 수 있다. 중앙 허브와 복수의 암들(235)이 결합될 수 있다. 암들(235)은 하우징(230) 주위의 반경 방향 외측 포지션들에서 결합될 수 있지만, 실시예들에서 암들은 중앙 허브의 중심 축을 향해 더 가깝게 결합될 수 있다. 암들을 반경 방향 외측에 배치함으로써, 연관된 허브 및 링키지 컴포넌트들이 아래에서 예시되는 바와 같이, 하우징 내에 보다 자유롭게 통합될 수 있다. 암들(235)은 하우징의 외부로부터 연장될 수 있고, 암들은 하우징과 고정적으로 결합될 수 있지만, 일부 실시예들에서 암들은 하우징을 관통하여 연장되는 허브들 또는 허브의 연장부와 결합될 수 있다. 이는 하우징(230)에 대한 암들(235)의 독립적인 회전을 가능하게 하는 이송 장치의 추가 회전도를 가능하게 할 수 있다.
[0041] 임의의 수의 암들(235)이 본 기술의 실시예들에 포함될 수 있다. 일부 실시예들에서, 암들(235)의 수는 챔버에 포함된 기판 지지부들(210)의 수와 유사하거나 동일할 수 있다. 그러므로 예시된 바와 같이, 4개의 기판 지지부들에 대해, 이송 장치(220)는 중앙 허브의 하우징으로부터 측 방향 또는 반경 방향 외측으로 연장되는 4개의 암들을 포함할 수 있다. 암들은 아래에서 추가로 논의되는 바와 같이, 임의의 수의 형상들 및 프로파일들, 이를테면 예시된 바와 같은 직선 프로파일들뿐만 아니라 아치형 프로파일들 또는 상이한 원위 포지션 형상들을 특징으로 할 수 있다. 아래에서 추가로 설명되는 바와 같이, 암들은 하나 이상의 기판들(201) 아래로 연장 가능할 수 있고, 기판들 중 하나 이상을 개별적으로 조정하는 것뿐만 아니라, 이송 구역 내에서 기판 지지부들을 교번시키도록 기판들(201)을 이송하는 데 사용될 수 있다.
[0042] 암들뿐만 아니라 이송 장치의 하우징 및 다른 컴포넌트들은 전도성 및/또는 절연성 재료들을 포함하는 다수의 재료들로 만들어지거나 이러한 재료들을 포함할 수 있다. 일부 실시예들에서, 재료들은 상부 프로세싱 챔버로부터 이송 구역 내로 통과할 수 있는 전구체들 또는 다른 화학물질들과의 접촉을 견디도록 코팅 또는 도금될 수 있다. 재료들은 또한, 온도와 같은 다른 환경 특징들을 견디도록 제공 또는 선택될 수 있다. 일부 실시예들에서, 기판 지지부들은 지지부 상에 배치된 기판을 가열하도록 동작 가능할 수 있다. 기판 지지부들은 표면 또는 기판 온도를 약 100℃ 이상, 약 200℃ 이상, 약 300℃ 이상, 약 400℃ 이상, 약 500℃ 이상, 약 600℃ 이상, 약 700℃ 이상, 약 800℃ 이상, 또는 더 높은 온도들로 상승시키도록 구성될 수 있다.
[0043] 이러한 온도들 중 임의의 온도가 동작들 동안 유지될 수 있고, 따라서 기판 지지부(210)와 기판(201) 사이에서 연장될 수 있는 암들(235)을 포함하여, 이송 장치(220)의 컴포넌트들은 이러한 언급된 또는 포함된 온도들 중 임의의 온도에 노출될 수 있다. 결과적으로, 일부 실시예들에서, 재료들 중 임의의 재료는 이러한 온도 체제들을 수용하도록 선택될 수 있고, 비교적 낮은 열 팽창 계수들 또는 다른 유리한 특징들을 특징으로 할 수 있는 세라믹들 및 금속들과 같은 재료들을 포함할 수 있다. 컴포넌트 결합들은 또한 고온 및/또는 부식성 환경들에서의 동작을 위해 구성될 수 있다. 예를 들어, 암들 및 허브들이 각각 세라믹일 수 있는 일부 실시예들에서, 결합은 온도에 따라 팽창 및 수축될 수 있는, 그리고 세라믹들에 크랙을 야기할 수 있는 추가 재료들, 이를테면 볼트들을 포함하지 않을 수 있는 프레스 피팅들, 스냅 피팅들 또는 다른 피팅들을 포함할 수 있지만, 일부 실시예들에서는 임의의 수의 피팅들이 컴포넌트들과 함께 사용될 수 있다.
[0044] 이송 장치(220)의 일부 실시예들은 또한, 하우징(230)에 대한 근위 연결부에 대해 암들(235)의 원위 단부 주위에서 또는 그 근처에서 암들과 결합된 정렬기들(240)을 포함할 수 있다. 아래에서 추가로 논의되는 바와 같이, 정렬기들(240)은 이송 또는 다른 동작들 동안 포지셔닝 또는 재포지셔닝되는 기판들에 대한 회전의 제3 양상을 제공할 수 있다. 일부 실시예들에서, 정렬기들은 기판 지지부와 기판 사이에서 직접 일렬로 연장될 수 있으며, 이는 정렬기, 및 링키지들을 포함하는 연관된 컴포넌트들을 기판 지지부 온도에 노출시킬 수 있다. 이에 따라, 이러한 재료들은 재료들이 노출될 수 있는 환경 조건들을 수용하도록 유사하게 선택될 수 있다. 동작을 가능하게 하거나 동작 동안 저항을 가능하게 할 수 있는 임의의 수의 다른 재료들이 이용될 수 있으며, 본 기술에 의해 유사하게 포함된다.
[0045] 이송 장치(220)는 아래에서 추가로 설명되는 바와 같이, 하우징으로부터 독립적으로 암들의 이동을 가능하게 할 수 있는 다수의 컴포넌트들 및 구성들을 포함할 수 있다. 도 3a - 도 3b는 본 기술의 일부 실시예들에 따른 예시적인 이송 장치(220)의 개략적인 단면도들을 도시하지만, 설명될 독립적인 회전 이동을 제공하는 임의의 다른 구성들이 본 기술에 의해 유사하게 포함된다고 이해되어야 한다.
[0046] 중앙 허브(225)는 제1 샤프트(310) 및 제1 샤프트(310)와 축 방향으로 정렬될 수 있는 제2 샤프트(320)를 포함할 수 있다. 예를 들어, 제1 샤프트(310) 및 제2 샤프트(320)는 중앙 허브를 통해 수직으로 연장되는 중심 축을 중심으로 동심일 수 있다. 일부 실시예들에서, 제1 샤프트(310)는 제2 샤프트(320) 또는 제2 샤프트(320)의 양상들을 관통하여 연장될 수 있다. 도 3a에 예시된 바와 같이, 제1 샤프트(310) 및 제2 샤프트(320)는 동축일 수 있지만, 2개의 샤프트들은 개별 모터 또는 구동 시스템들과 결합될 수 있다. 예시된 바와 같이, 제1 샤프트(310a)는, 모터를 포함할 수 있고 중심 축을 중심으로 한 회전을 가능하게 할 수 있는 제1 구동 시스템(312a)과 결합될 수 있다. 이러한 회전은 제1 방향으로 또는 제1 방향과 반대인 제2 방향으로 링키지들(330)을 회전시킬 수 있으며, 그 움직임은 각각의 암 허브를 통해 중심 축을 중심으로 제1 방향으로, 또는 제1 방향과 반대인 제2 방향으로 암 허브들(335)을 회전시킬 수 있다. 유사하게, 제2 샤프트(320a)는 제2 구동 시스템(314a)과 결합될 수 있으며, 이는 중심 축을 중심으로 제1 방향 또는 제2 방향으로의 하우징(230)의 회전을 독립적으로 가능하게 할 수 있다. 일부 실시예들에서, 이송 장치가 중심 축을 따라 수직으로 병진될 수 있게 할 수 있는 수직 병진 구동부(325)가 포함될 수 있다. 이는 일부 실시예들에서는 기판 지지부들 또는 리프트 핀들로부터 기판들을 리프팅하는 것을 가능하게 할 수 있지만, 일부 실시예들에서는 리프트 핀들 및/또는 기판 지지부들이 기판들을 상승 및 하강시키는 데 사용될 수 있고, 이송 장치(220)는 수직 구동 메커니즘을 포함하지 않을 수 있다.
[0047] 복수의 암 허브들을 포함하는 하나 이상의 암 허브들(335)이 하우징(230)에 의해 한정된 볼륨 내에 내부적으로 예시될 수 있다. 암 허브들은 하우징 내에 적어도 부분적으로 배치될 수 있고, 하우징(230)을 관통하여 연장되어 암들(235)과 결합할 수 있거나, 암들(235)과 결합하기 위한 연장 포스트 또는 링키지를 포함할 수 있다. 복수의 암들(235)의 각각의 암은 하우징(230)의 회전과 독립적으로 암들의 회전을 가능하게 하는 대응하는 또는 연관된 암 허브(335)를 포함할 수 있다. 암 허브들(335)은 중앙 허브의 제1 샤프트(310)와 개별적으로 또는 집합적으로 결합될 수 있고, 이는 제1 샤프트(310)가 회전될 때 암 허브들(335)의 회전을 가능하게 할 수 있다. 암 허브들(335)은 중앙 허브의 중심 축을 중심으로 분포될 수 있고, 중심 축으로부터 반경 방향으로 오프셋될 수 있다. 각각의 암 허브는 대응하는 암 허브 축이 암 허브를 관통하여 연장되고 허브에 또는 허브와 결합된 연관된 암에 대한 회전 축을 한정하는 것을 특징으로 할 수 있다.
[0048] 암 허브들(335)은 하우징(230)의 내부 볼륨의 반경 방향 또는 측 방향 에지 근처에 포지셔닝될 수 있으며, 이는 예를 들어, 추가 기판 지지부들을 포함하는 이송 구역들에 대해 허브들 및 암들의 수가 증가될 때 인접한 허브들 사이의 간섭을 제한할 수 있다. 암 허브들(335)은 하우징(230)과 직접적으로 결합되지 않을 수 있거나, 하우징과 회전 가능하게 결합될 수 있으며, 이는 암 허브들과 하우징 사이의 독립적인 회전을 가능하게 할 수 있고, 이는 이송 장치(220)에 대한 다수의 회전 양상들을 발생시킬 수 있다. 제1 샤프트(310)는 내부 하우징 내에서 연장될 수 있고, 제1 샤프트 주위의 결합 링키지들(330)을 위한 일정한 정도의 접근을 제공할 수 있다. 도시된 바와 같이, 링키지들은 내부 하우징 볼륨 내에서 제1 샤프트(310)와 복수의 암 허브들(335)의 각각의 암 허브를 개별적으로 또는 집합적으로 결합시킬 수 있다. 결과적으로, 제1 샤프트(310)가 제1 구동 시스템(312a)에 의해 회전될 때, 샤프트를 암 허브들과 결합하는 링키지들은 허브들이 유사하게 회전하게 할 수 있고, 암 허브들이 위에서 언급된 바와 같이 이송 장치 또는 중앙 허브의 중심 축으로부터 반경 방향으로 오프셋된 개별 허브 중심 축들을 중심으로 동시에 회전하게 할 수 있다. 암 허브들이 제1 샤프트(310)의 회전에 따라 회전함에 따라, 암들(235)은 또한 제1 샤프트(310) 및/또는 암 허브들(335)의 회전 방향에 대응하거나 그와 연관된 방향으로 회전할 수 있다.
[0049] 도 3b는 제2 샤프트(320b)에 대한 제1 샤프트(310b)의 반대 회전을 가능하게 하기 위해 기어 박스를 이용할 수 있는 이송 장치(220)의 다른 실시예를 예시한다. 예를 들어, 제2 샤프트(320b)는 제1 샤프트(310b)와 결합된 제1 기어를 갖는 기어 세트(332)를 포함하는 기어 박스(331)와 결합될 수 있다. 용이하게 이해되는 바와 같이, 제1 구동 시스템(312b)을 이용하여 제1 방향으로 제1 기어를 구동하는 것은 제2 샤프트(320b) 및 하우징(230)과 결합될 수 있는 대향 기어에서 반대 회전을 발생시킬 것이다. 추가로, 제2 구동 시스템(314b)은 컴포넌트들과 결합되어 기어 박스와 제1 샤프트를 함께 회전시킬 수 있으며, 이는 하우징(230)과 암들(235)의 공동 회전을 가능하게 할 것이지만, 제1 샤프트(310b)와 제2 샤프트(320b)가 유사한 방향들로 회전될 수 있더라도, 암들과 하우징 간의 회전비 차이들로 인해, 제1 샤프트(310b)의 추가 회전이 또한 발생할 수 있다. 도면은 또한, 위에서 설명된 바와 같이 이송 장치를 위 또는 아래로 선형으로 이동시킬 수 있는 선택적인 수직 병진 구동부(325)를 도시한다. 도 3a - 도 3b는 단지, 하우징 및 암들의 개별 제어를 제공하는 제1 샤프트 및 제2 샤프트를 독립적으로 회전시키는 데 사용될 수 있는 임의의 수의 구성들 및 컴포넌트들을 예시한다고 이해되어야 한다. 결과적으로, 일부 실시예들에서, 제1 샤프트 및 제2 샤프트는 유사한 또는 상이한 회전 속도들로 중심 축을 중심으로 공동 회전될 수 있거나, 2개의 샤프트들은 또한, 유사한 또는 상이한 회전 속도들로 다른 샤프트에 대해 반대 회전될 수 있다. 이 동작은 아래에서 보다 상세히 설명될 것이다.
[0050] 도 3c - 도 3d는 본 기술의 일부 실시예들에 따른 이송 장치(220)의 예시적인 컴포넌트들의 개략적인 평면도들을 도시한다. 이전에 설명된 바와 같은 이송 장치의 일부 양상들만이 예시될 수 있지만, 예시들은 제한하는 것으로 의도되지 않으며, 이전에 설명된 이송 장치(220)의 컴포넌트들, 재료들 또는 특징들 중 임의의 것을 포함할 수 있다고 이해되어야 한다. 추가로, 도면들은 본 기술의 이전에 설명된 이송 장치들 또는 실시예들 중 임의의 것에 포함된 링키지들을 예시할 수 있다.
[0051] 예시된 바와 같이, 이송 장치(220)는 하우징(230)을 포함할 수 있다. 하우징(230)은 이전에 예시된 바와 같이 커버된 덮개 부분을 포함할 수 있지만, 덮개는 본 기술에 의해 포함되는 예시적인 링키지들을 가능하게 하도록 예시에 도시되지 않는다. 제1 샤프트(310)는 하우징(230) 내에서 연장될 수 있고, 이전에 설명된 바와 같이 암 허브들(335)과 결합될 수 있다. 4개의 암 허브들(335)만이 예시되지만, 임의의 수의 연관된 암들을 수용하도록 임의의 수의 허브들이 포함될 수 있다고 이해되어야 한다. 링키지들(330a)은, 하나 이상의 벨트 결합들이 사용될 수 있고 다수의 방식들로 제1 샤프트(310)뿐만 아니라 개개의 암 허브들(335) 주위로 연장될 수 있는 일 실시예에서 예시된다. 벨트들은 암 허브들 각각 및 제1 샤프트에 한정된 홈들 또는 트렌치들 내에서 연장될 수 있다. 예를 들어, 4개의 개별 트렌치들이 제1 샤프트(310)를 따라 수직으로 한정되어 각각의 벨트를 수용할 수 있고, 벨트들의 접촉 또는 상호 작용을 제한 또는 방지하기 위해 벨트들이 오프셋으로 유지되는 것을 보장할 수 있다. 유사하게, 벨트들의 설정된 포지션을 유지하도록 각각의 암 허브 주위에 홈들 또는 트렌치들이 한정될 수 있다.
[0052] 도면에는 한 세트의 벨트들이 예시되지만, 구불구불한(serpentine) 벨트 또는 구동 벨트와 같은 단일 벨트가 각각의 암 허브 및 제1 샤프트(310) 주위로 연장되어 결합을 제공할 수 있다. 추가로, 트위스트된 벨트들이 통합되어 컴포넌트들 사이의 회전들을 반전시킬 수 있다. 상이한 실시예들에서 개개의 또는 다수의 벨트들이 사용될 수 있지만, 추가 링키지 시스템들이 유사하게 사용될 수 있다. 예를 들어, 도 3d에 예시된 바와 같이, 기어 세트가 예시된 바와 같이 암 허브들을 구동하는 데 사용될 수 있다. 예를 들어, 제1 샤프트(310)는 하우징(230) 내에서 연장되는 구역을 따라 다수의 기어 날들(teeth)을 한정할 수 있다. 기어 날들은 이송 장치의 각각의 암 허브(335)에 대한 링키지 기어(330b)의 날들과 상호 연결될 수 있다. 복수의 기어들의 각각의 기어는 예시된 바와 같이, 제1 샤프트(310)뿐만 아니라 연관된 암 허브(335) 중 하나 또는 둘 다와 접촉하게 포지셔닝될 수 있다. 제1 샤프트(310)의 회전으로부터 암 허브들의 회전을 가능하게 하기 위해, 임의의 수의 구성들로 추가 기어들이 또한 통합될 수 있다. 또한, 이러한 암 허브들 및 링키지 기어들이 4개만 예시되지만, 본 기술의 포함된 실시예들에 임의의 수의 링키지들 및 허브들이 포함될 수 있다. 유사하게, 도 3c 및 도 3d는 본 기술에 의해 포함되는 2개의 가능한 링키지 시스템들을 예시하며, 예시들은 제한하는 것으로 의도되지 않는다.
[0053] 설명된 동작들을 제공하도록 구성된 임의의 수의 다른 시스템 컴포넌트 결합들이 본 기술에 의해 유사하게 포함된다. 더욱이, 링키지 연결부들은 암 허브들(335)이 제1 샤프트(310)와 유사한 방향 또는 상이한 방향으로 회전하게 할 수 있는 다수의 기어들, 트위스트된 벨트들 및 다른 컴포넌트들을 포함할 수 있기 때문에, 본 개시내용 전체에 걸쳐 설명되는 임의의 실시예가 이러한 효과를 고려할 수 있다고 이해되어야 한다. 예를 들어, 샤프트 회전의 제1 방향은 연관된 암 허브가 어느 방향으로든 회전하게 할 수 있고, 따라서 제1 방향 및 제2 방향이 설명될 때, 예시된 또는 설명된 움직임을 수용하도록 실제로 어느 방향이든 포함될 수 있으며, 이는 임의의 개별 예에서 포함되는 임의의 타입의 실제 링키지 결합을 고려할 수 있다.
[0054] 도 4는 본 기술의 일부 실시예들에 따라 기판을 이송하는 방법(400)의 예시적인 동작들을 도시한다. 방법(400)은 예를 들어, 프로세싱 시스템(100)에 통합될 수 있는 시스템(200)과 같은 하나 이상의 이송 시스템들에서 수행될 수 있다. 이 방법은 도면에 표기된 바와 같은 다수의 선택적인 동작들을 포함할 수 있으며, 이는 본 기술에 따른 방법들의 일부 실시예들과 구체적으로 연관될 수 있거나 연관되지 않을 수 있다. 방법(400)은 도 5a - 도 5h에 개략적으로 도시된 동작들을 설명하며, 그 예시들이 방법(400)의 동작들과 함께 설명될 것이다. 도 5는 제한된 세부사항들을 갖는 부분 개략도들만을 예시하며, 일부 실시예들에서 시스템들은 더 많은 또는 더 적은 기판 지지부들 및 다른 컴포넌트들뿐만 아니라, 본 기술의 양상들 중 임의의 양상으로부터 여전히 이익을 얻을 수 있는 대안적인 구조적 양상들을 포함할 수 있다고 이해되어야 한다.
[0055] 도 5a는 이전에 설명된 바와 같은 기판 프로세싱 시스템(500)의 이송 구역을 예시할 수 있고, 도 3과 함께 이전에 논의된 구동 컴포넌트들 중 임의의 구동 컴포넌트뿐만 아니라, 본 기술에 의해 유사하게 포함되는 것으로 이해되는 것과 같은 임의의 다른 구동 컴포넌트들을 포함하여, 위에서 설명된 시스템(200)의 특징들 및 양상들 중 임의의 것을 포함할 수 있다. 추가로, 시스템(500)은 챔버 내에 배치된, 이를테면 예시된 바와 같이 기판 지지부들(510) 상에 안착된 다수의 기판들(501)과 함께 예시될 수 있다. 도면은 방법(400)의 초기 동작들 이후의 본 기술의 구성을 도시할 수 있으며, 이 방법은 동작(405)에서, 이를테면 이전에 설명된 바와 같이 로봇을 이용한 접근을 통해 제1 기판 지지부(510a)에서 기판을 수취하는 단계를 포함할 수 있다. 로봇은 하나 또는 2개 또는 그 초과의 기판들을 접근부들 또는 슬릿 밸브들에 근접한 기판 지지부들 상으로 이송 구역(505) 내에 전달할 수 있다. 이송 장치(520)는 2개의 기판들을 대향하는 기판 지지부들로 회전시킬 수 있고, 2개의 추가 기판들이 전달될 수 있다. 프로세싱 챔버 내로 한 번에 하나씩 기판의 전달을 포함하여, 임의의 수의 기판들에 대해 동일한 프로세스가 수행될 수 있다고 이해되어야 한다. 도 5a는 4개의 기판들이 이송 구역 내에 포지셔닝된 이후를 예시할 수 있다. 추가로, 기판들의 전달 동안 또는 이송 이후, 이송 장치(520)는 예를 들어, 중앙 허브(525)의 하우징(530)에 근접하게 코일링(coil)될 수 있거나 기판 지지부들(510) 사이로 연장될 수 있는 리세스형 구성으로 포지셔닝될 수 있다. 임의의 수의 기판들에 대해 이송 동작이 개시될 때, 이송 장치는 예시된 바와 같이 기판들(501) 아래로 적어도 부분적으로 암들(535)을 연장시키기 위해 하나 이상의 조정들을 수행할 수 있다. 이러한 모션들 또는 조정들은 아래에서 설명되는 바와 같은 회전들 중 임의의 회전뿐만 아니라, 이송 구역 내에 컴포넌트들을 수용하기 위한 추가 회전들 또는 이동들을 포함할 수 있다.
[0056] 이송 프로세스는 다수의 방식들로 이송 장치를 회전시키는 것을 수반할 수 있다. 방법(400)은 동작(410)에서 기판들(501)을 맞물리게 하는 것을 포함할 수 있다. 기판 지지부들의 리프트 핀들을 포함하는 기판 지지부들(510)로부터 이송 장치(520)의 암들(535)로 하나 이상의 기판들이 이송될 때까지 동시에 또는 개별적으로 맞물림이 발생할 수 있다. 이송 장치가 수직 이동 능력들을 갖는지 또는 갖지 않는지에 따라, 맞물림 및 이동은 기판들 또는 이송 장치 중 하나 또는 둘 다를 상승 또는 하강시키는 것을 포함할 수 있거나 포함하지 않을 수 있다. 기판들이 이송 장치에 의해 맞물리게 되었다면, 기판 지지부들과 이송 장치 사이에서 기판 또는 기판들의 완전한 이송이 이루어질 수 있다. 예를 들어, 일부 실시예들에서, 이송 장치는 기판들이 안착될 수 있는 리프트 핀들 또는 기판 지지부들로부터 기판들을 리프팅할 수 있다. 이는 예를 들어, 이송 장치를 수직으로 병진시킴으로써 수행될 수 있다. 일부 실시예들에서, 기판 지지부들은 이송을 완료하기 위해 기판 또는 기판들로부터 멀어지게 리세스될 수 있다.
[0057] 이송 장치로의 이송이 완료된 후, 기판들은 상이한 챔버들에서의 추가의 프로세싱을 위해, 또는 위에서 설명된 제2 로봇 암(110)과 같은 이송 로봇에 의해 접근 가능한 기판 지지부들에 기판들을 전달하기 위해 기판 지지부들 사이에서 회전될 수 있다. 기판 또는 기판들의 병진은, 암들 및 하우징의 회전을 야기할 수 있는, 그리고 도 5b에 예시된 바와 같이, 제1 샤프트 및 제2 샤프트의 하나 이상의 회전들을 야기함으로써 발생할 수 있다. 도면은 반시계 방향 회전을 예시하지만, 실시예들에서, 기판들은 중심 축을 중심으로 어느 한 방향으로 회전될 수 있다고 이해되어야 한다.
[0058] 기판들이 이송 장치의 암들(535) 상에 포지셔닝된 후에 기판들의 병진을 개시하기 위해, 이 방법은 동작(415)에서 중앙 허브의 중심 축을 중심으로 제1 방향으로 중앙 허브의 제1 샤프트를 회전시키는 단계를 포함할 수 있다. 이전에, 후속적으로 또는 동시에, 이 방법은 동작(420)에서 제2 허브의 중심 축을 중심으로 제2 방향으로 제2 샤프트를 회전시키는 단계를 포함할 수 있다. 제2 방향은 이전에 설명된 바와 같이 제1 방향의 반대 회전일 수 있다. 도 5b에 예시된 바와 같이, 이러한 반대 회전은, 암들(535)이 하우징(530)을 향해 다시 회전될 때, 병진 동안 기판들(501)을 중앙 허브(525)를 향해 리세스하는 것을 가능하게 할 수 있다. 제한하는 것으로 의도되지는 않지만, 예시된 회전은 제1 기판 지지부(510a)로부터 제2 기판 지지부(510b)로 기판(501)을 병진시키는 양상들을 보여주는 것일 수 있다. 이러한 회전을 제공하기 위해, 중앙 허브의 제2 샤프트는 예시된 바와 같이 반시계 방향과 같은 병진 방향으로 회전될 수 있다. 이것이 발생하고 있는 동안, 제1 샤프트는 제2 방향에 반대인 제1 방향으로 회전될 수 있으며, 이는 예시된 바와 같이 암들이 시작 위치를 향해 다시 리세스되게 할 수 있다. 이전에 언급된 바와 같이, 사용된 링키지들의 타입에 따라, 명시된 회전 방향들은 실제로, 사용된 링키지 타입에 대해 예시된 움직임을 수용하도록 어느 한 회전 방향을 설명하는 것일 수 있다.
[0059] 반대 회전들은 임의의 포지션 또는 각도로 발생할 수 있으며, 이는 내부에서 회전이 발생할 수 있는 포락선을 좁힐 수 있다. 후속하여, 기판 또는 기판들의 병진은 동작(425)에서 진행될 수 있으며, 여기서 암(535) 및 하우징(530)은 제2 기판 지지부(510b)를 향해 공통 레이트 또는 공통 비율로 제2 방향을 중심으로 공동 회전될 수 있다. 예시된 바와 같이, 공동 회전은 중심 축을 중심으로 제2 방향을 따라 발생할 수 있다. 결과적으로, 제1 샤프트의 회전 방향은 반전될 수 있는 한편, 제2 샤프트의 회전은 맞물림에 사용되는 것과 동일한 방향으로 계속될 수 있다. 물론, 기판의 병진이 제1 방향을 따라 진행된다면, 샤프트 회전의 방향들도 또한 반대일 것이다. 하우징(530)으로부터 반경 방향으로 오프셋된 개별 축들을 중심으로 회전하는 암들(535)은 도 5b - 도 5d에 예시된 바와 같이 기판 지지부들 사이에서 기판들의 보다 직접적인 병진을 추가로 가능하게 할 수 있다. 예를 들어, 실질적인 선형 경로, 또는 임의의 정도의 아치형 또는 각진 이동은 이송 장치의 샤프트들의 회전을 조정함으로써 본 기술에 의해 제공될 수 있다. 일부 실시예들에서, 제1 기판 지지부로부터 제2 기판 지지부로, 이를테면 제1 기판 지지부와 제2 기판 지지부의 중심 간의 직선으로 기판들을 직접 측 방향으로 이송할 수 있는 선형 경로를 제공함으로써, 감소된 병진 시간들이 제공될 수 있는데, 이는 수백 또는 수천 개의 동작들로 확장될 때, 종래의 기술들에 비해 대기열 시간들을 실질적으로 감소시킬 수 있다.
[0060] 이전에 언급된 바와 같이, 본 기술의 실시예들에 따른 기판 프로세싱 시스템들은 각각의 쌍의 기판 지지부들 사이에 포지셔닝된 정렬 허브(540)를 포함하는 모니터링 및 정렬 시스템들을 가질 수 있다. 추가 접근 포트(542)는, 카메라 또는 레이저가 기판 상에 충돌하여 오정렬을 식별하게 할 수 있는데, 이는 기판 상의 노치 또는 다른 식별자에 기반할 수 있다. 일부 실시예들에서는, 선택적인 동작(430)에서 기판들 각각에 대해 선택적인 정렬 동작이 수행될 수 있다. 도 5c에 예시된 바와 같이, 기판은 정렬 허브(540)의 기판 수용 표면(550)으로 이송될 수 있는데, 이는 암(535)의 프로파일에 의해 가능해질 수 있다. 예시된 바와 같이, 기판이 지지되는 암의 원위 부분은 정렬 허브(540)가 관통하여 연장될 수 있는 후크, 포크 또는 개구를 특징으로 할 수 있다. 정렬 허브(540)는 기판을 이송하기 위해 상승될 수 있거나, 상이한 실시예들에서, 기판은 정렬 허브(540)의 기판 수용 표면(550)으로 하강될 수 있다. 그럼에도 불구하고, 얼마나 많은 기판들이 병진되고 있는지에 따라, 정렬기들 중 하나 이상이 기판을 수취할 수 있다. 정렬 조정이 수행될 수 있고, 이송 장치는 기판들을 다시 맞물리게 할 수 있다.
[0061] 도 5d에 예시된 바와 같이, 이송 장치는 기판(501)이 전달될 기판 지지부를 향해 기판들을 계속 회전시킬 수 있다. 반시계 방향으로 인접한 기판 지지부로의 이송을 예시하지만, 어느 하나의 회전 방향으로 임의의 다른 기판 지지부로의 전달이 유사하게 수행될 수 있다고 이해되어야 한다. 동작(435)에서, 기판은 도 5e에 예시된 바와 같이 제2 기판 지지부에 전달될 수 있으며, 이는 제1 샤프트의 회전을 반전시킴으로써 암들(535)을 뒤로 연장시키는 것을 포함할 수 있다. 하우징(530)이 계속 회전함에 따라, 암들은 기판 지지부로부터 뒤로 물러나게 될 수 있고, 따라서 일부 실시예들에서, 암들은 원하는 전달 위치에 근접하게 외측으로 연장되어, 회전 하우징 트랙을 갖는 측 방향 병진 경로를 수용할 수 있다. 일단 전달되면, 이송 장치는 기판을 이송 장치로부터 분리할 수 있다. 또한, 기판은 이송 장치 및/또는 기판 지지부를 이용하여 하강될 수 있거나, 기판 지지부의 리프트 핀들이 기판과 맞물려 이송 장치로부터 기판을 받을 수 있다. 아래에서 설명되는 바와 같이, 기판들은 개개의 기판 지지부들 상에 개별적으로 배치될 수 있으며, 이는 기판들의 추가의 정렬을 가능하게 할 수 있다.
[0062] 예를 들어, 기판 지지부들 또는 리프트 핀들이 기판들의 개개의 전달을 수용할 수 있기 때문에, 이송 장치는 기판을 전달하기 전에 추가 정렬 기동들을 수행할 수 있다. 예를 들어, 기판을 병진시키는 동안, 이전에 설명된 바와 같은 카메라 또는 모니터링 시스템이 기판의 오프셋을 식별할 수 있으며, 이는 기판이 전달될 기판 지지부의 포켓과 기판이 접촉하게 할 수 있다. 모니터링 시스템은 연관된 제어 시스템을 통해 피드백을 제공할 수 있으며, 이는 이송 장치의 추가 기동들을 지시할 수 있다. 기판 지지부의 표면에 평행한 xy-평면을 따르는 이산 측 방향 이동들은 이송 장치의 회전 성질로 인해 제한될 수 있지만, 이러한 이동들은 여전히 수행될 수 있다. 하우징 또는 암들 중 하나 또는 둘 다를 추가로 회전시킴으로써, 교차하는 아크 경로들은 전달 전에 기판의 포지션을 측 방향으로 조정하도록 수정될 수 있다. 아래에서 추가로 예시되는 바와 같이, 각각의 리프트 핀 세트가 각각의 다른 리프트 핀 세트로부터 수직으로 오프셋될 수 있기 때문에, 시스템의 각각의 기판을 포함하는 하나 이상에 대해 이러한 수정이 수행될 수 있다.
[0063] 일단 각각의 기판이 개개의 기판 지지부에 전달되었다면, 이송 장치는 기판들과 기판 지지부들 사이에서부터 전이될 수 있다. 본 기술은 또한 기판 지지부들과 연관된 리프트 핀들을 수용할 수 있다. 도 5f는 설명의 편의상 단지 2개의 기판들(501)만을 예시하며, 2개의 다른 베어(bare) 기판 지지부들은, 기판과 기판 지지부 사이에서 연장될 수 있고, 기판의 전달 이후 이송 장치에 의해 회피될 수 있는 리프트 핀 세트들(545)을 도시한다. 병진 및 전달은 이전에 설명된 바와 같이 측 방향으로 수행될 수 있지만, 전달은 리프트 핀들을 상승시키는 것 또는 이송 장치를 하강시키는 것을 포함할 수 있으며, 이는 리프트 핀들을 이송 경로와 정렬시킬 수 있다. 이에 따라, 기판 지지부들로부터 멀어지게 이송 장치를 전이하는 것은 추가 이동들을 수반할 수 있다.
[0064] 도 5f에 예시된 바와 같이, 이송 장치를 전이하는 것은, 제1 샤프트를 제1 방향으로 보다 능동적으로 회전시키면서 제2 샤프트를 제2 방향으로 계속해서 회전시키는 것을 수반할 수 있으며, 이는 암들(535)을 중앙 허브를 향해 내측으로 끌어당길 수 있다. 예시된 바와 같이, 이러한 모션은 전달 후에 암의 양측에 포지셔닝될 수 있는 리프트 핀들로부터 멀어지게 암들을 리세스할 수 있다. 추가로, 회전은 어느 방향으로도 발생할 수 있지만, 회전은 예시된 바와 같이 암들의 피처를 향해 수행될 수 있다. 임의의 수의 암 프로파일들 및 기하학적 구조들이 본 기술에 의해 포함되지만, 예시된 후크는 제2 방향으로 암의 선행 에지를 단축시킬 수 있으며, 이는 예시된 바와 같이 리프트 핀과의 접촉을 피하는 것을 추가로 가능하게 할 수 있다.
[0065] 일부 실시예들에서, 암들은 기판 지지부들 사이에 리세스될 수 있지만, 리세스는 프로세싱 동안 하우징에 근접하게 암들을 계속해서 네스팅(nest)할 수 있다. 일단 암들이 도시된 바와 같이 초기에 리세스되면, 전이은 또한 제2 샤프트를 제1 방향으로 다시 회전시키는 것을 포함할 수 있다. 초기 회전 동안, 제1 샤프트는 암들(535)의 리세스를 유지하도록 회전될 수 있으며, 이는 도 5g에 도시된 바와 같이 제1 방향으로 제2 샤프트와 함께 제1 샤프트를 회전시키는 것을 포함할 수 있다. 후속하여, 제1 샤프트는 도 5h에 예시된 바와 같이, 암들(535)을 외측으로 연장시키기 위해 제2 샤프트로부터 반대 방향으로 회전될 수 있다. 예를 들어, 예시된 바와 같이, 제1 샤프트는 제2 방향으로 회전될 수 있는 한편, 제2 샤프트는 제1 방향으로 회전되어 암들을 외측으로 연장시킬 수 있으며, 이는 기판 프로세싱 동안 암들을 홀딩 포지션에 포지셔닝할 수 있다. 추가로, 그러한 포지션은, 포함되는 경우, 정렬 허브(540) 위에 암들(535)을 정렬할 수 있으며, 이는 예를 들어, 입자 축적으로부터 정렬 허브에 대한 보호를 제공할 수 있다.
[0066] 도 6은 본 기술의 일부 실시예들에 따른 예시적인 이송 장치(600)의 개략적인 단면도를 도시한다. 이송 장치(600)는 이전에 설명된 바와 같은 추가 정렬기 컴포넌트를 포함할 수 있으며, 이는 이송 동안 회전 정렬 동작들을 추가로 수행할 수 있다. 결과적으로, 위에서 설명된 정렬 허브(540)와 달리, 이송 장치 상의 통합형 정렬기는 이송 시간들을 추가로 감소시킬 수 있다. 예를 들어, 기판이 이전에 설명된 바와 같이 모니터링 디바이스를 통해 병진될 때, 병진 동안 수행될 수 있는 회전 정렬 조정을 명령하도록 정보가 이송 장치에 다시 제공될 수 있다. 이는, 정렬 허브 이송을 제거하는 추가 분리 및 맞물림 동작을 제거할 수 있으며, 이는 이송 중에 발생할 수 있는 극미한 오프셋들을 추가로 제어할 수 있고, 종래의 기술에 비해 증가된 기판 정렬 정확도를 제공할 수 있다.
[0067] 이송 장치(600)는 다른 곳에서 설명된 임의의 다른 이송 장치의 컴포넌트들, 재료들, 구성들 또는 특징들 중 임의의 것을 포함할 수 있고, 정렬 컴포넌트의 가능한 결합을 예시하기 위해 단순화된 개략도를 도시할 수 있다. 이송 장치(600)는 기판 지지부들(210)을 포함하는 이송 구역 하우징(205)과 같은 또는 이를 포함하는, 임의의 수의 기판 지지부들을 포함하는, 이전에 설명된 바와 같은 이송 구역들 중 임의의 이송 구역에 통합될 수 있고, 이송 장치(600)는 이전에 언급된 구성들을 갖는 공통 컴포넌트들을 포함할 수 있다. 예를 들어, 이송 장치(600)는 내부 하우징 볼륨을 한정할 수 있는 하우징(632)을 포함하는 중앙 허브(630), 및 이전에 설명된 바와 같이 하우징으로부터 외측으로 연장되는 복수의 암들(635)을 포함할 수 있다. 본 기술의 예들 중 임의의 예에서는 하우징이 포함되지 않을 수 있지만, 하우징을 포함하는 것은, 분리된 볼륨을 생성함으로써, 내부 볼륨에 배치된 컴포넌트들을 배출물들 또는 다른 프로세싱 재료들에 대한 노출로부터 보호할 뿐만 아니라 냉각을 가능하게 할 수 있다. 중앙 허브(630)는 제1 샤프트(610), 제2 샤프트(615) 및 제3 샤프트(620)를 포함할 수 있다. 샤프트들은 중앙 허브(630)를 관통하는 중심 축을 중심으로 동축일 수 있다. 예를 들어, 제2 샤프트(615)는 제1 샤프트(610) 주위로 연장되며 제1 샤프트(610)와 동심일 수 있고, 제3 샤프트(620)는 제2 샤프트(615) 주위로 연장되며 제2 샤프트(615)와 동심일 수 있다. 제1 샤프트(610), 제2 샤프트(615) 및 제3 샤프트(620) 각각은 이송 장치의 상이한 엘리먼트의 독립적인 회전을 가능하게 하도록 구성될 수 있다.
[0068] 예를 들어, 하우징(632)은 제3 샤프트(620)와 결합될 수 있고, 다른 곳에서 설명된 임의의 다른 시스템들과 유사하게 임의의 수의 모터들 또는 드라이버들을 포함할 수 있는, 그리고 중심 축을 중심으로 어느 한 방향으로의 회전을 가능하게 할 수 있는 제3 구동 시스템(622)을 이용하여 중심 축을 중심으로 회전 가능할 수 있다. 복수의 암들(635)이 하우징(632)의 외부 주위에 결합될 수 있고, 이전에 설명된 암들의 피처들 또는 특징들 중 임의의 것을 포함할 수 있다. 암들은 암들의 근위 단부에서 하우징 근처에 결합될 수 있고, 각각의 암의 원위 단부는 복수의 정렬기들 중 정렬기(640)를 지지할 수 있다. 암들 및 정렬기들에 대한 결합들은 이전에 설명된 바와 같은 임의의 수의 링키지 방식들을 포함할 수 있으며, 다음의 예는 단지, 사용되는 특정 링키지 메커니즘 또는 메커니즘들에 관계없이 컴포넌트들의 독립적인 회전 제어의 이해를 가능하게 하기 위해 포함된다.
[0069] 제1 샤프트(610)는 이전에 설명된 바와 같이 복수의 암 허브들(645)과 결합될 수 있다. 암 허브들(645)은 내부 하우징 볼륨 내에 적어도 부분적으로 배치될 수 있지만, 암 허브들의 일부 또는 암 허브들의 연장부는 암들(635)과 결합하도록 하우징을 관통하여 연장될 수 있다. 복수의 암 허브들의 각각의 암 허브는 이전에 설명된 바와 같이 복수의 암들 중 하나의 암과 결합될 수 있다. 암 허브들은 이전에 설명된 링키지들 또는 메커니즘들 중 임의의 것을 포함할 수 있는 링키지들(642)에 의해 제1 샤프트(610)와 결합될 수 있다. 제1 샤프트(610)는 제1 구동 시스템(612)과 동작 가능하게 결합될 수 있으며, 이는 제1 샤프트(610)의 독립적인 회전을 가능하게 할 수 있고, 암들(635)에 대한 회전 능력들을 제공할 수 있다.
[0070] 일부 실시예들에서, 각각의 암(635)은 정렬기들(640)에 대한 결합 접근을 가능하게 할 수 있는 내부 암 볼륨을 한정할 수 있지만, 일부 실시예들에서 결합은 각각의 암(635)의 외부를 따라 위 또는 아래에서 수행될 수 있다. 그러나 내부 암 볼륨을 제공함으로써, 링키지들은 프로세싱 재료들에 대한 노출로부터 보호될 수 있고, 컴포넌트들의 열 노출을 적어도 부분적으로 감소시킬 수 있다. 복수의 정렬기 허브들(650)이 내부 하우징 볼륨에 포함될 수 있고, 링키지들(647)에 의해 제2 샤프트(615)와 결합될 수 있다. 정렬기 허브들(650)은 예시된 바와 같이 암 허브들(645)과 동심일 수 있고, 일부 실시예들에서 정렬기 허브들(650)은 암 허브들(645)을 통해 내부 암 볼륨 내로 연장될 수 있다. 이에 따라, 일부 실시예들에서는, 이송 구역 환경 내에서 정렬기 허브들(650)의 어떠한 부분도 노출되지 않을 수 있다. 정렬기 허브들(650)은 링키지들(647)을 이용하여 제1 단부에서 제2 샤프트(615)와 결합될 수 있다. 제1 단부에 대향하는 정렬기 허브들(650)의 제2 단부에서, 링키지들(652)이 정렬기들(640)과 정렬기 허브들을 추가로 결합시킬 수 있다. 제2 샤프트(615)는 제2 구동 시스템(617)과 동작 가능하게 결합될 수 있으며, 이는 제2 샤프트(615)의 독립적인 회전을 가능하게 할 수 있고, 정렬기들(640)에 대한 회전 능력들을 제공할 수 있다.
[0071] 일부 실시예들에서, 이송 장치가 중심 축을 따라 수직으로 병진될 수 있게 할 수 있는 수직 병진 구동부(625)가 포함될 수 있다. 이는 일부 실시예들에서는 기판 지지부들 또는 리프트 핀들로부터 기판들을 리프팅하는 것을 가능하게 할 수 있지만, 일부 실시예들에서는 리프트 핀들 및/또는 기판 지지부들이 기판들을 상승 및 하강시키는 데 사용될 수 있고, 이송 장치(600)는 수직 구동 메커니즘을 포함하지 않을 수 있다. 예시된 바와 같이 제3 샤프트 및 구동 시스템을 통합함으로써, 이송되는 기판의 정렬 동작을 가능하게 할 수 있는 추가 회전 자유도가 제공될 수 있고, 정렬 능력과 병진 능력을 결합함으로써 대기열 시간들을 추가로 감소시킬 수 있다.
[0072] 도 7은 본 기술의 일부 실시예들에 따른 예시적인 기판 프로세싱 시스템(700)의 개략적인 단면 입면도를 도시한다. 도 7은 이전에 설명된 바와 같은 그리고 이전에 설명된 기판 프로세싱 시스템들 또는 이송 구역들 중 임의의 것에 포함될 수 있는 스태거링된(staggered) 리프트 핀 구성을 예시한다. 예를 들어, 이전에 설명된 리프트 핀들 중 임의의 리프트 핀은 예시된 바와 같이 스태거링된 높이 리프트 핀들을 포함할 수 있다. 기판 프로세싱 시스템(700)은 이전에 설명된 실시예들 중 임의의 실시예의 컴포넌트들, 구성들 및 특징들 중 임의의 것을 포함할 수 있고, 유사하게 임의의 이전에 설명된 시스템은 예시된 리프트 핀 구성을 포함할 수 있다. 시스템(700)은 챔버 내의 리프트 핀들(705)의 세트들 상에 개별적으로 포지셔닝된 복수의 기판들(701)을 포함할 수 있으며, 시스템(700)은 또한 이송 장치(720)를 포함할 수 있고, 이송 장치(720)는 이송 장치로부터 연장되는 암들(735)을 포함하여 이전에 설명된 이송 장치들 중 임의의 이송 장치의 피처들을 포함할 수 있다.
[0073] 리프트 핀들(705)은 기판(701)을 전달 또는 회수하기 위한 접근성을 제공하기 위해 기판 지지부들(710)로부터 연장되는 핀들의 세트들일 수 있고, 각각의 세트는 기판을 수용하기 위한 임의의 수의 핀들을 포함할 수 있다. 예시된 바와 같이, 리프트 핀 세트들(705)은 4개의 상이한 높이들로 스태거링되며, 이는 기판들의 개개의 전달 및 회수를 가능하게 할 수 있다. 예를 들어, 리프트 핀들(705a)은 기판 지지부 위로 제1 수직 길이만큼 연장될 수 있다. 리프트 핀들(705b)은 단면에 예시된 기판 지지부(710b) 위로 제2 수직 길이만큼 연장될 수 있고, 리프트 핀들(705a)이 연장될 수 있는 기판 지지부를 숨길 수 있지만, 기판 지지부들은 일렬일 수 있다. 제2 수직 길이는 도시된 바와 같이 제1 수직 길이 미만일 수 있다.
[0074] 추가로, 리프트 핀들(705c)은 기판 지지부(710c)로부터 제3 수직 길이만큼 연장될 수 있고, 제3 수직 길이는 제2 수직 길이 미만일 수 있다. 마지막으로, 리프트 핀들(705d)은 기판 지지부(710c)에 의해 숨겨질 수 있고 기판 지지부(710c)와 일렬일 수 있는 연관된 기판 지지부로부터 제4 수직 길이만큼 연장될 수 있다. 제4 수직 길이는 제3 수직 길이 미만일 수 있다. 리프트 핀 세트들의 높이들을 스태거링함으로써, 기판들의 전달 또는 회수 전에 각각의 기판에 대해 개별적인 조정들이 이루어질 수 있다. 예를 들어, 연관된 리프트 핀들 상에 배치될 때, 기판(701a)은 기판(702b) 위에서 접근 가능할 수 있고, 기판(702b)은 기판(702c) 위에서 접근 가능할 수 있으며, 기판(702c)은 기판(702d) 위에서 접근 가능할 수 있다.
[0075] 본 기술은 이전에 설명된 바와 같이 추가 기판 지지부들을 수용― 그렇지 않으면, 중앙에 위치된 이송 로봇들이 접근 가능하지 않을 수 있음 ―할 수 있는 기판 프로세싱 시스템들을 포함한다. 본 기술의 실시예들에 따른 이송 장치들을 통합함으로써, 기판 프로세싱 동안 다수의 기판 지지부들이 이용되고 접근될 수 있다. 이송 장치들이 기판 하우징에 대해 독립적으로 회전될 수 있는 관절형(articulating) 암들을 포함할 때, 2개의 회전 축들이 제공될 수 있으며, 이는 기판과 기판 지지부 사이의 추가 에지 접촉으로 이어지는 정렬 불일치를 제한하기 위해 기판들의 재포지셔닝을 가능하게 할 수 있다. 시스템들은 또한, 기판 지지부들 사이에 보다 선형적인 모션을 제공함으로써 증가된 이송 속도들을 제공할 수 있으며, 이는 또한 감소된 이송 구역 크기들을 가능하게 할 수 있다.
[0076] 위의 설명에서는, 설명을 목적으로, 본 기술의 다양한 실시예들의 이해를 제공하기 위해 다수의 세부사항들이 제시되었다. 그러나 특정 실시예들은 이러한 세부사항들 중 일부 없이 또는 추가 세부사항들과 함께 실시될 수 있다는 것이 당업자에게 명백할 것이다.
[0077] 여러 실시예들을 개시했지만, 실시예들의 사상을 벗어나지 않으면서 다양한 변형들, 대안적인 구성들 및 등가물들이 사용될 수 있다는 것이 당업자들에 의해 인식될 것이다. 추가로, 본 기술을 불필요하게 모호하게 하는 것을 피하기 위해 다수의 잘 알려진 프로세스들 및 엘리먼트들은 설명되지 않았다. 이에 따라, 위의 설명은 기술의 범위를 제한하는 것으로 여겨지지 않아야 한다. 추가로, 방법들 또는 프로세스들은 순차적으로 또는 단계들로 설명될 수 있지만, 동작들은 동시에 또는 열거된 것과 상이한 순서들로 수행될 수 있다고 이해되어야 한다.
[0078] 값들의 범위가 주어진 경우, 그러한 값들의 범위의 상위 한계값과 하위 한계값 사이에 존재하는 각각의 값은, 문맥상 달리 명백히 표시되어 있지 않은 한 하위 한계값의 최소 자릿수의 단위 값의 10분의 1까지 또한 구체적으로 기재된 것으로 해석된다. 명시된 범위 내의 임의의 명시된 값들 또는 그 범위에 속하는 명시되지 않은 값들과 그러한 명시된 범위 내의 임의의 다른 명시된 값 또는 그 범위에 속하는 다른 값 사이에 존재하는 임의의 소범위가 포함된다. 이러한 소범위의 상위 한계값 및 하위 한계값은 독립적으로 그러한 범위에 포함되거나 그러한 범위에서 제외될 수 있고, 각각의 범위는, 상위 한계값과 하위 한계값 중 하나 또는 둘 모두가 그러한 소범위에 포함되든지, 둘 모두가 그러한 소범위에서 제외되는지 간에, 구체적으로 제외된 임의의 한계값이 명시된 범위에 있는 한, 또한 본 기술에 포함된다. 명시된 범위가 한계값들 중 하나 또는 둘 모두를 포함하는 경우, 그렇게 포함된 한계값들 중 하나 또는 둘 모두를 제외한 범위들이 또한 포함된다.
[0079] 본 명세서에서 그리고 첨부된 청구항들에서 사용되는 바와 같이, 단수 형태들은 맥락이 명확하게 달리 지시하지 않는 한, 복수 언급들을 포함한다. 따라서 예를 들어, "기판"에 대한 언급은 복수의 그러한 기판들을 포함하고, "암"에 대한 언급은 당업자들에게 공지된 하나 이상의 암들 및 그 등가물들 등에 대한 언급을 포함한다.
[0080] 또한, "포함한다(comprise)", "포함하는(comprising)", "함유한다(contain)", "함유하는(containing)", "포함한다(include)" 그리고 "포함하는(including)"이라는 단어들은 본 명세서 및 다음 청구항들에서 사용될 때, 언급된 특징들, 인티저(integer)들, 컴포넌트들 또는 동작들의 존재를 특정하는 것으로 의도되지만, 이들은 하나 이상의 다른 특징들, 인티저들, 컴포넌트들, 동작들, 행위들 또는 그룹들의 존재 또는 추가를 배제하는 것은 아니다.

Claims (20)

  1. 이송 구역을 한정하는 이송 구역 하우징 ― 상기 이송 구역 하우징의 측벽은 기판들을 제공 및 수취하기 위한 밀폐 가능 접근부를 한정함 ―;
    상기 이송 구역 내에 배치된 복수의 기판 지지부들;
    상기 이송 구역 내에 배치된 복수의 정렬 허브들 ― 상기 복수의 정렬 허브들의 각각의 정렬 허브는 상기 복수의 기판 지지부들의 각각의 인접한 쌍 사이에 포지셔닝되고, 그리고 상기 복수의 정렬 허브들 각각은 기판 수용 표면을 포함함 ―; 및
    이송 장치를 포함하며,
    상기 이송 장치는:
    제1 샤프트 및 상기 제1 샤프트 주위로 연장되며 상기 제1 샤프트와 동심인 제2 샤프트를 포함하는 중앙 허브 ― 상기 중앙 허브는, 상기 이송 구역 내에 포지셔닝되며 상기 제2 샤프트와 결합된 하우징을 갖고, 상기 하우징은 내부 하우징 볼륨을 한정함 ―,
    상기 복수의 기판 지지부들의 기판 지지부들의 수와 동일한 복수의 암(arm)들 ― 상기 복수의 암들의 각각의 암은 상기 하우징의 외부 주위에 결합됨 ―, 및
    상기 내부 하우징 볼륨 내에 배치된 복수의 암 허브들을 포함하고,
    상기 복수의 암 허브들의 각각의 암 허브는 상기 하우징을 통해 상기 복수의 암들 중 하나의 암과 결합되며,
    상기 암 허브들은 상기 중앙 허브의 제1 샤프트와 결합되는,
    기판 프로세싱 시스템.
  2. 제1 항에 있어서,
    상기 복수의 지판 지지부들은 적어도 4개의 기판 지지부들을 포함하는,
    기판 프로세싱 시스템.
  3. 제1 항에 있어서,
    상기 암 허브들은 상기 중앙 허브의 중심 축을 중심으로 상기 내부 하우징 볼륨의 반경 방향 에지에 근접하게 분포되고,
    상기 암 허브들은 상기 복수의 암들이 결합되는 상기 하우징으로부터 독립적으로 회전 가능한,
    기판 프로세싱 시스템.
  4. 제3 항에 있어서,
    상기 제1 샤프트는 상기 내부 하우징 볼륨 내에서 연장되고,
    하나 이상의 링키지(linkage)들이 상기 내부 하우징 볼륨 내에서 상기 제1 샤프트와 상기 복수의 암 허브들의 각각의 암 허브를 결합시키는,
    기판 프로세싱 시스템.
  5. 제4 항에 있어서,
    상기 제1 샤프트의 회전은 상기 복수의 암 허브들의 각각의 암 허브를 동시에 회전시키도록 구성되고,
    각각의 암 허브는 중심 축이 상기 중앙 허브의 중심 축으로부터 반경 방향으로 오프셋되는 것을 특징으로 하며,
    상기 복수의 암 허브들의 각각의 암 허브의 회전은 상기 복수의 암들 중 대응하는 암을 연관된 암 허브의 중심 축을 중심으로 회전시키도록 구성되는,
    기판 프로세싱 시스템.
  6. 제4 항에 있어서,
    상기 하나 이상의 링키지들은 상기 복수의 암 허브들의 각각의 암 허브 및 상기 제1 샤프트 주위로 연장되는 하나 이상의 벨트들을 포함하는,
    기판 프로세싱 시스템.
  7. 제4 항에 있어서,
    상기 하나 이상의 링키지들은 상기 제1 샤프트와 상기 복수의 암 허브들 사이에 결합된 복수의 기어들을 포함하고,
    상기 복수의 기어들의 각각의 기어는 상기 제1 샤프트와 상기 복수의 암 허브들 중 하나의 암 허브 사이에 그리고 상기 제1 샤프트와 상기 암 허브 둘 모두와 접촉하게 배치되는,
    기판 프로세싱 시스템.
  8. 제1 항에 있어서,
    상기 복수의 기판 지지부들의 각각의 기판 지지부는 상기 기판 지지부를 통해 접근 가능한 한 세트의 리프트 핀들을 포함하고,
    각각의 세트의 리프트 핀들은 각각의 다른 세트의 리프트 핀들과 상이한 수직 길이를 특징으로 하는,
    기판 프로세싱 시스템.
  9. 제1 항에 있어서,
    상기 중앙 허브는 상기 중앙 허브의 중심 축을 따라 수직으로 병진 가능한,
    기판 프로세싱 시스템.
  10. 제1 항에 있어서,
    상기 이송 장치는 제3 샤프트 및 복수의 정렬기들을 더 포함하고,
    각각의 정렬기는 상기 복수의 암들 중 연관된 암의 원위(distal) 단부에 근접하게 포지셔닝되며,
    각각의 정렬기는 상기 복수의 암들로부터 그리고 상기 하우징으로부터 독립적으로 회전 가능한,
    기판 프로세싱 시스템.
  11. 제1 항에 있어서,
    상기 복수의 암들 각각의 원위 부분들은
    상기 복수의 정렬 허브들의 각각의 정렬 허브가 관통하여 연장될 수 있는 후크, 포크 또는 개구를 특징으로 하는,
    기판 프로세싱 시스템.
  12. 기판 프로세싱 시스템의 이송 구역 내의 제1 기판 지지부에서 기판을 수취하는 단계 ― 상기 기판 프로세싱 시스템은 이송 장치를 포함하며,
    상기 이송 장치는:
    제1 샤프트 및 상기 제1 샤프트 주위로 연장되며 상기 제1 샤프트와 동심인 제2 샤프트를 포함하는 중앙 허브 ― 상기 중앙 허브는 하우징을 가짐 ―,
    복수의 암들 ― 상기 복수의 암들의 각각의 암은 상기 하우징의 외부 주위에 결합됨 ―, 및
    복수의 암 허브들을 포함하며,
    상기 복수의 암 허브들의 각각의 암 허브는 상기 복수의 암들 중 하나의 암과 결합되고, 상기 암 허브들은 상기 중앙 허브의 제1 샤프트와 결합됨 ―;
    상기 기판을 상기 복수의 암들 중 하나의 암과 맞물리게 하는 단계;
    상기 중앙 허브의 하우징을 향해 상기 기판을 리세스(recess)하도록 상기 복수의 암들 중 상기 암을 이동시키기 위해 상기 중앙 허브의 중심 축을 중심으로 제1 방향으로 상기 제1 샤프트를 회전시키는 단계;
    상기 기판 프로세싱 시스템의 제2 기판 지지부를 향해 상기 중앙 허브의 하우징을 회전시키기 위해 상기 중앙 허브의 중심 축을 중심으로 제2 방향으로 상기 제2 샤프트를 회전시키는 단계;
    상기 기판 프로세싱 시스템의 제2 기판 지지부를 향해 상기 중앙 허브의 하우징, 상기 복수의 암들 중 상기 암 및 상기 기판을 회전시키기도록 상기 기판을 재포지셔닝하기 위해 상기 중심 축을 중심으로 상기 제2 방향으로 상기 제1 샤프트와 상기 제2 샤프트를 공동 회전시키는 단계; 및
    상기 기판 프로세싱 시스템의 제2 기판 지지부에 상기 기판을 전달하는 단계를 포함하는,
    기판을 이송하는 방법.
  13. 제12 항에 있어서,
    상기 중심 축을 중심으로 상기 제2 방향으로 상기 제2 샤프트를 추가로 회전시키고 상기 중심 축을 중심으로 상기 제1 방향으로 상기 제1 샤프트를 회전시킴으로써 상기 이송 장치를 전이하는 단계를 더 포함하는,
    기판을 이송하는 방법.
  14. 제13 항에 있어서,
    상기 중심 축을 중심으로 상기 제2 방향으로 상기 제1 샤프트를 회전시키고 상기 중심 축을 중심으로 상기 제1 방향으로 상기 제2 샤프트를 회전시키는 단계를 더 포함하는,
    기판을 이송하는 방법.
  15. 제12 항에 있어서,
    상기 기판을 맞물리게 하는 단계에 후속하여, 상기 이송 구역 내에서 수직으로 상기 이송 장치를 병진시킴으로써 상기 제1 기판 지지부로부터 상기 기판을 리프팅하는 단계를 더 포함하는,
    기판을 이송하는 방법.
  16. 제12 항에 있어서,
    상기 복수의 암들의 각각의 암은 상기 암으로부터 독립적으로 회전 가능한 정렬기를 더 포함하고,
    상기 기판은, 상기 기판이 상기 복수의 암들의 암과 맞물릴 때, 상기 정렬기 상에 안착되는,
    기판을 이송하는 방법.
  17. 제12 항에 있어서,
    상기 이송 구역은 적어도 4개의 기판들을 포함하고, 그리고
    상기 기판을 맞물리게 하는 단계는 상기 적어도 4개의 기판들을 상기 복수의 암들의 암들과 개별적으로 또는 동시에 맞물리게 하는 단계를 포함하는,
    기판을 이송하는 방법.
  18. 제17 항에 있어서,
    상기 적어도 4개의 기판들을 분리하는 단계를 더 포함하고,
    상기 분리하는 단계는 상기 적어도 4개의 기판들을 연관된 기판 지지부들 상에 개별적으로 또는 동시에 놓는(deposit),
    기판을 이송하는 방법.
  19. 제12 항에 있어서,
    상기 제2 기판 지지부에 상기 기판을 전달하는 단계 전에, 상기 제1 기판 지지부와 상기 제2 기판 지지부 사이에 포지셔닝된 정렬 허브에 상기 기판을 전달하는 단계를 더 포함하는,
    기판을 이송하는 방법.
  20. 이송 구역을 한정하는 이송 구역 하우징 ― 상기 이송 구역 하우징의 측벽은 기판들을 제공 및 수취하기 위한 밀폐 가능 접근부를 한정함 ―;
    상기 이송 구역 내에 배치된 복수의 기판 지지부들;
    상기 이송 구역 내에 배치된 복수의 정렬 허브들 ― 상기 복수의 정렬 허브들의 각각의 정렬 허브는 상기 복수의 기판 지지부들의 각각의 인접한 쌍 사이에 포지셔닝되고, 그리고 상기 복수의 정렬 허브들 각각은 기판 수용 표면을 포함함 ―; 및
    이송 장치를 포함하며,
    상기 이송 장치는:
    제1 샤프트, 상기 제1 샤프트 주위로 연장되며 상기 제1 샤프트와 동심인 제2 샤프트, 및 상기 제2 샤프트 주위로 연장되며 상기 제2 샤프트와 동심인 제3 샤프트를 포함하는 중앙 허브 ― 상기 중앙 허브는, 상기 이송 구역 내에 포지셔닝되며 상기 제3 샤프트와 결합된 하우징을 갖고, 상기 하우징은 내부 하우징 볼륨을 한정함 ―,
    복수의 암들 ― 상기 복수의 암들의 각각의 암은 상기 암의 근위(proximal) 단부에서 상기 하우징의 외부 주위에 결합됨 ―,
    상기 내부 하우징 볼륨 내에 배치된 복수의 암 허브들 ― 상기 복수의 암 허브들의 각각의 암 허브는 상기 하우징을 통해 상기 복수의 암들 중 하나의 암과 결합되고, 상기 암 허브들은 상기 중앙 허브의 제1 샤프트와 결합됨 ―,
    복수의 정렬기들 ― 싱기 복수의 정렬기들의 각각의 정렬기는 상기 암의 원위 단부에서 상기 복수의 암들 중 하나의 암과 결합됨 ―, 및
    상기 내부 하우징 볼륨 내에 배치된 복수의 정렬기 허브들을 포함하고,
    상기 복수의 정렬기 허브들의 각각의 정렬기 허브는 복수의 암 허브들 중 하나의 암 허브와 동심이고, 상기 복수의 정렬기 허브들의 각각의 정렬기 허브는 상기 하우징을 통해 상기 복수의 정렬기들 중 하나의 정렬기와 결합되며, 상기 정렬기 허브들은 상기 중앙 허브의 제2 샤프트와 결합되는,
    기판 프로세싱 시스템.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10109517B1 (en) * 2018-01-10 2018-10-23 Lam Research Corporation Rotational indexer with additional rotational axes
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US11355367B2 (en) 2019-07-12 2022-06-07 Applied Materials, Inc. Robot for simultaneous substrate transfer
US11574826B2 (en) * 2019-07-12 2023-02-07 Applied Materials, Inc. High-density substrate processing systems and methods
US11443973B2 (en) 2019-07-12 2022-09-13 Applied Materials, Inc. Robot for simultaneous substrate transfer
US11117265B2 (en) 2019-07-12 2021-09-14 Applied Materials, Inc. Robot for simultaneous substrate transfer
KR20210119185A (ko) * 2020-03-24 2021-10-05 주식회사 원익아이피에스 이송로봇 및 이를 포함하는 기판처리시스템
JP2024067818A (ja) * 2022-11-07 2024-05-17 東京エレクトロン株式会社 基板搬送システムおよび基板位置調整方法

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5463367B2 (ja) * 2009-12-28 2014-04-09 株式会社アルバック 駆動装置及び搬送装置
US20140265090A1 (en) * 2013-03-14 2014-09-18 Applied Materials, Inc. Substrate support bushing

Family Cites Families (42)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5513948A (en) 1991-05-17 1996-05-07 Kensington Laboratories, Inc. Universal specimen prealigner
US5765444A (en) * 1995-07-10 1998-06-16 Kensington Laboratories, Inc. Dual end effector, multiple link robot arm system with corner reacharound and extended reach capabilities
US5855465A (en) 1996-04-16 1999-01-05 Gasonics International Semiconductor wafer processing carousel
US5667592A (en) 1996-04-16 1997-09-16 Gasonics International Process chamber sleeve with ring seals for isolating individual process modules in a common cluster
JPH11163075A (ja) 1997-12-01 1999-06-18 Hitachi Ltd 半導体装置の製造方法および半導体製造装置
JP3863671B2 (ja) 1998-07-25 2006-12-27 株式会社ダイヘン 搬送用ロボット装置
KR100376963B1 (ko) 2001-03-15 2003-03-26 주성엔지니어링(주) 배치방식 웨이퍼 이송장치
US7281741B2 (en) 2001-07-13 2007-10-16 Semitool, Inc. End-effectors for handling microelectronic workpieces
US6962644B2 (en) 2002-03-18 2005-11-08 Applied Materials, Inc. Tandem etch chamber plasma processing system
US7101253B2 (en) 2002-08-27 2006-09-05 Applied Materials Inc. Load cup for chemical mechanical polishing
DE102004036435B4 (de) 2003-08-07 2007-08-30 Nanophotonics Ag Haltevorrichtung für scheibenförmige Objekte
JP4951201B2 (ja) 2004-08-24 2012-06-13 株式会社Ｓｅｎ ビーム照射方法およびビーム照射装置
CN100358097C (zh) 2005-08-05 2007-12-26 中微半导体设备(上海)有限公司 半导体工艺处理系统及其处理方法
CN100362620C (zh) 2005-08-11 2008-01-16 中微半导体设备(上海)有限公司 半导体工艺件装卸装置及其装载和卸载方法
KR20070053538A (ko) * 2005-11-21 2007-05-25 삼성전자주식회사 얼라인부를 갖는 웨이퍼 이송로봇
JP2007242648A (ja) 2006-03-04 2007-09-20 Masato Toshima 基板の処理装置
US9184072B2 (en) 2007-07-27 2015-11-10 Mattson Technology, Inc. Advanced multi-workpiece processing chamber
KR101394111B1 (ko) 2008-02-11 2014-05-13 (주)소슬 기판처리장치
SG174993A1 (en) 2009-04-21 2011-11-28 Applied Materials Inc Cvd apparatus for improved film thickness non-uniformity and particle performance
US20110232569A1 (en) 2010-03-25 2011-09-29 Applied Materials, Inc. Segmented substrate loading for multiple substrate processing
US8679983B2 (en) 2011-09-01 2014-03-25 Applied Materials, Inc. Selective suppression of dry-etch rate of materials containing both silicon and nitrogen
US9484233B2 (en) 2012-04-13 2016-11-01 Novellus Systems, Inc. Carousel reactor for multi-station, sequential processing systems
US10363665B2 (en) 2012-07-10 2019-07-30 Persimmon Technologies Corporation Linear robot arm with multiple end effectors
US20140064886A1 (en) * 2012-08-30 2014-03-06 Orbotech LT Solar, LLC. System, architecture and method for simultaneous transfer and process of substrates
WO2014085479A1 (en) 2012-11-30 2014-06-05 Applied Materials, Inc Multi-axis robot apparatus with unequal length forearms, electronic device manufacturing systems, and methods for transporting substrates in electronic device manufacturing
US9842757B2 (en) * 2013-06-05 2017-12-12 Persimmon Technologies Corporation Robot and adaptive placement system and method
US9299598B2 (en) 2013-12-23 2016-03-29 Lam Research Corp. Robot with integrated aligner
CN106463438B (zh) 2014-01-28 2019-09-10 布鲁克斯自动化公司 基板运输设备
KR102014279B1 (ko) 2014-02-27 2019-08-26 주식회사 원익아이피에스 기판 처리 장치
US10103046B2 (en) 2015-04-20 2018-10-16 Applied Materials, Inc. Buffer chamber wafer heating mechanism and supporting robot
US10597779B2 (en) 2015-06-05 2020-03-24 Applied Materials, Inc. Susceptor position and rational apparatus and methods of use
KR102417929B1 (ko) 2015-08-07 2022-07-06 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US10428426B2 (en) 2016-04-22 2019-10-01 Applied Materials, Inc. Method and apparatus to prevent deposition rate/thickness drift, reduce particle defects and increase remote plasma system lifetime
KR101796647B1 (ko) 2016-05-03 2017-11-10 (주)에스티아이 기판처리장치 및 기판처리방법
KR101715887B1 (ko) 2016-05-19 2017-03-14 (주)앤피에스 기판 적재 장치, 이를 구비하는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
US10651067B2 (en) 2017-01-26 2020-05-12 Brooks Automation, Inc. Method and apparatus for substrate transport apparatus position compensation
US10541162B2 (en) * 2017-11-28 2020-01-21 Taiwan Semiconductor Manfacturing Co., Ltd. Systems and methods for wafer pod calibration
KR102329196B1 (ko) 2017-12-20 2021-11-22 주식회사 원익아이피에스 기판처리장치 및 이를 이용한 기판처리방법
US10109517B1 (en) * 2018-01-10 2018-10-23 Lam Research Corporation Rotational indexer with additional rotational axes
JP7149792B2 (ja) * 2018-09-25 2022-10-07 東京エレクトロン株式会社 搬送装置、半導体製造装置及び搬送方法
US11637030B2 (en) 2019-06-18 2023-04-25 Kla Corporation Multi-stage, multi-zone substrate positioning systems
US11355367B2 (en) 2019-07-12 2022-06-07 Applied Materials, Inc. Robot for simultaneous substrate transfer

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5463367B2 (ja) * 2009-12-28 2014-04-09 株式会社アルバック 駆動装置及び搬送装置
US20140265090A1 (en) * 2013-03-14 2014-09-18 Applied Materials, Inc. Substrate support bushing

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