KR102674553B1 - 방사선 검출기 - Google Patents

방사선 검출기 Download PDF

Info

Publication number
KR102674553B1
KR102674553B1 KR1020217031732A KR20217031732A KR102674553B1 KR 102674553 B1 KR102674553 B1 KR 102674553B1 KR 1020217031732 A KR1020217031732 A KR 1020217031732A KR 20217031732 A KR20217031732 A KR 20217031732A KR 102674553 B1 KR102674553 B1 KR 102674553B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
thin film
image data
image
film transistor
radiation
Prior art date
Application number
KR1020217031732A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20210133294A (ko
Inventor
히로시 오니하시
Original Assignee
캐논 덴시칸 디바이스 가부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 캐논 덴시칸 디바이스 가부시키가이샤 filed Critical 캐논 덴시칸 디바이스 가부시키가이샤
Publication of KR20210133294A publication Critical patent/KR20210133294A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102674553B1 publication Critical patent/KR102674553B1/ko

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01T—MEASUREMENT OF NUCLEAR OR X-RADIATION
    • G01T1/00—Measuring X-radiation, gamma radiation, corpuscular radiation, or cosmic radiation
    • G01T1/16—Measuring radiation intensity
    • G01T1/17—Circuit arrangements not adapted to a particular type of detector
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01T—MEASUREMENT OF NUCLEAR OR X-RADIATION
    • G01T1/00—Measuring X-radiation, gamma radiation, corpuscular radiation, or cosmic radiation
    • G01T1/16—Measuring radiation intensity
    • G01T1/20—Measuring radiation intensity with scintillation detectors
    • G01T1/2018—Scintillation-photodiode combinations
    • G01T1/20184—Detector read-out circuitry, e.g. for clearing of traps, compensating for traps or compensating for direct hits
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01T—MEASUREMENT OF NUCLEAR OR X-RADIATION
    • G01T1/00—Measuring X-radiation, gamma radiation, corpuscular radiation, or cosmic radiation
    • G01T1/16—Measuring radiation intensity
    • G01T1/20—Measuring radiation intensity with scintillation detectors
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01T—MEASUREMENT OF NUCLEAR OR X-RADIATION
    • G01T1/00—Measuring X-radiation, gamma radiation, corpuscular radiation, or cosmic radiation
    • G01T1/16—Measuring radiation intensity
    • G01T1/24—Measuring radiation intensity with semiconductor detectors
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01T—MEASUREMENT OF NUCLEAR OR X-RADIATION
    • G01T1/00—Measuring X-radiation, gamma radiation, corpuscular radiation, or cosmic radiation
    • G01T1/16—Measuring radiation intensity
    • G01T1/24—Measuring radiation intensity with semiconductor detectors
    • G01T1/247—Detector read-out circuitry
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01T—MEASUREMENT OF NUCLEAR OR X-RADIATION
    • G01T7/00—Details of radiation-measuring instruments
    • G01T7/005—Details of radiation-measuring instruments calibration techniques
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/40—Extracting pixel data from image sensors by controlling scanning circuits, e.g. by modifying the number of pixels sampled or to be sampled
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
    • H04N25/71—Charge-coupled device [CCD] sensors; Charge-transfer registers specially adapted for CCD sensors
    • H04N25/75—Circuitry for providing, modifying or processing image signals from the pixel array
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
    • H04N25/76—Addressed sensors, e.g. MOS or CMOS sensors
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N5/00—Details of television systems
    • H04N5/30—Transforming light or analogous information into electric information
    • H04N5/32—Transforming X-rays
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14643—Photodiode arrays; MOS imagers
    • H01L27/14658—X-ray, gamma-ray or corpuscular radiation imagers
    • H01L27/14663—Indirect radiation imagers, e.g. using luminescent members

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Signal Processing (AREA)
  • Multimedia (AREA)
  • High Energy & Nuclear Physics (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Molecular Biology (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Measurement Of Radiation (AREA)
  • Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
  • Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)

Abstract

본 발명은 방사선의 입사 개시시를 정밀도 좋게 검출할 수 있고, 또한 방사선 화상의 품질을 향상시킬 수 있는 방사선 검출기를 제공하는 것으로,
실시 형태에 관한 방사선 검출기는 기판과, 상기 기판에 설치되고 제1 방향으로 연장되는 복수의 제어 라인과, 상기 기판에 설치되고 상기 제1 방향으로 교차하는 제2 방향으로 연장되는 복수의 데이터 라인과, 대응하는 상기 제어 라인과 대응하는 상기 데이터 라인에 전기적으로 접속된 박막 트랜지스터를 갖고, 방사선을 직접적 또는 신틸레이터와 협동하여 검출하는 복수의 검출부와, 상기 박막 트랜지스터의 ON 상태와 OFF 상태를 전환하는 제어 회로와, 상기 박막 트랜지스터가 ON 상태일 때 화상 데이터를 판독하는 신호 검출 회로와, 상기 박막 트랜지스터가 ON 상태일 때 판독된 화상 데이터의 값에 기초하여 상기 방사선의 입사 개시시를 판정하는 입사 방사선 검출부를 구비하고 있으며, 상기 입사 방사선 검출부가 상기 방사선의 입사가 개시되었다고 판정한 경우에는, 상기 신호 검출 회로는 상기 박막 트랜지스터가 ON 상태일 때 화상 데이터를 추가로 판독하는 제1 판독 공정을 실행하고, 상기 제어 회로는 상기 제1 판독 공정 후에, 모든 상기 박막 트랜지스터를 OFF 상태로 하는 화상 축적 공정을 실행한다.

Description

방사선 검출기
본 발명의 실시 형태는 방사선 검출기에 관한 것이다.
방사선 검출기의 일례로 X선 검출기가 있다. X선 검출기에는, 예를 들어 복수의 광전 변환부를 갖는 어레이 기판과, 복수의 광전 변환부의 위에 설치되고 X선을 형광으로 변환하는 신틸레이터가 설치되어 있다. 또한, 광전 변환부에는 예를 들어, 신틸레이터로부터의 형광을 전하로 변환하는 광전 변환 소자, 전하의 축적 및 방출의 스위칭을 실시하는 박막 트랜지스터, 전하를 축적하는 축적 커패시터 등이 설치되어 있다.
일반적으로는, X선 검출기는 이하와 같이 하여 화상 데이터를 판독한다. 우선, 외부로부터 입력된 신호에 의해 X선의 입사를 인식한다. 다음에, 미리 정해진 시간의 경과 후에, 판독을 실시하는 광전 변환부의 박막 트랜지스터를 ON 상태로 하고, 축적된 전하를 화상 데이터로서 판독한다. 그러나, 이와 같이 하면 X선원 등의 외부 기기와 X선 검출기의 동기를 취하기 위한 동기 인터페이스가 필요해진다.
또한, 박막 트랜지스터를 OFF 상태로 하고, X선이 입사되었을 때 데이터 라인에 흐르는 전류의 값과, X선이 입사되어 있지 않을 때 데이터 라인에 흐르는 전류의 값의 차에 기초하여, X선의 입사 개시시를 검출하는 기술이 제안되어 있다. 그러나, 박막 트랜지스터가 OFF 상태로 되어 있을 때 데이터 라인에 흐르는 전류의 값은 극히 작아진다. 그 때문에, 박막 트랜지스터가 OFF 상태로 되어 있을 때 데이터 라인에 흐르는 전류의 값을 검출해도 X선의 입사 개시시를 정밀도 좋게 검출하는 것이 곤란해질 우려가 있다.
그 때문에, 박막 트랜지스터를 ON 상태로 하고, X선이 입사되었을 때 데이터 라인에 흐르는 전류의 값과, X선이 입사되어 있지 않을 때 데이터 라인에 흐르는 전류의 값의 차에 기초하여, X선의 입사 개시시를 검출하는 기술이 제안되어 있다. 박막 트랜지스터가 ON 상태로 되어 있을 때 데이터 라인에 흐르는 전류의 값은 커지므로, X선의 입사 개시시를 정밀도 좋게 검출할 수 있다.
여기에서 X선의 입사 개시시를 검출하는 공정에서 판독된 화상 데이터를 이용하여 X선 화상을 구성하는 기술이 제안되어 있다. 이와 같은 기술에서는 X선의 입사 개시가 언제가 될지 모르므로, 데이터 라인에 흐르는 전류의 판독(화상 데이터의 판독)은 연속하여 반복해서 실시하도록 하고 있다. 그 때문에, 소비 전력이 커진다. 또한, 노이즈가 증가하거나, 온도 상승에 의한 촬영 시간의 제한이 발생할 우려가 있다.
또한 1매분의 X선 화상의 화상 데이터를 판독하는 공정의 한중간에, X선의 입사가 개시되거나 X선의 입사가 종료되면, X선의 입사 개시시 및 X선의 입사 종료시에서 화상 불균일이 발생하기 쉬워진다.
그래서, 방사선의 입사 개시시를 정밀도 좋게 검출할 수 있고, 또한 방사선 화상의 품질을 향상시킬 수 있는 방사선 검출기의 개발이 요망되고 있었다.
미국 특허출원공개 제2015/0078530호 명세서 일본 특허 제6302122호 공보
본 발명이 해결하고자 하는 과제는 방사선의 입사 개시시를 정밀도 좋게 검출할 수 있고, 또한 방사선 화상의 품질을 향상시킬 수 있는 방사선 검출기를 제공하는 것이다.
실시 형태에 관한 방사선 검출기는 기판과, 상기 기판에 설치되고 제1 방향으로 연장되는 복수의 제어 라인과, 상기 기판에 설치되고 상기 제1 방향으로 교차하는 제2 방향으로 연장되는 복수의 데이터 라인과, 대응하는 상기 제어 라인과 대응하는 상기 데이터 라인에 전기적으로 접속된 박막 트랜지스터를 갖고 방사선을 직접적 또는 신틸레이터와 협동하여 검출하는 복수의 검출부와, 상기 박막 트랜지스터의 ON 상태와 OFF 상태를 전환하는 제어 회로와, 상기 박막 트랜지스터가 ON 상태일 때 화상 데이터를 판독하는 신호 검출 회로와, 상기 박막 트랜지스터가 ON 상태일 때 판독된 화상 데이터의 값에 기초하여 상기 방사선의 입사 개시시를 판정하는 입사 방사선 검출부를 구비하고 있다. 상기 입사 방사선 검출부가 상기 방사선의 입사가 개시되었다고 판정한 경우에는, 상기 신호 검출 회로는 상기 박막 트랜지스터가 ON 상태일 때 화상 데이터를 추가로 판독하는 제1 판독 공정을 실행한다. 상기 제어 회로는 상기 제1 판독 공정 후에, 모든 상기 박막 트랜지스터를 OFF 상태로 하는 화상 축적 공정을 실행한다.
도 1은 X선 검출기를 예시하기 위한 모식 사시도이다.
도 2는 X선 검출기의 블록도이다.
도 3은 어레이 기판의 회로도이다.
도 4는 화상 데이터 및 보정 데이터의 판독을 예시하기 위한 타이밍 차트이다.
도 5는 X선이 입사되었을 때 데이터 라인에 흐르는 전류를 예시하기 위한 모식도이다.
도 6은 X선 검출기에서의 처리 과정을 예시하기 위한 플로우차트이다.
도 7은 비교예에 관한 X선 화상의 촬영을 예시하기 위한 타이밍 차트이다.
도 8은 본 실시 형태에 관한 X선 화상의 촬영을 예시하기 위한 타이밍 차트이다.
이하, 도면을 참조하면서 실시 형태에 대해서 예시한다. 또한, 각 도면 중, 동일한 구성 요소에는 동일한 부호를 붙이고 상세한 설명은 적절하게 생략한다.
본 실시 형태에 관한 방사선 검출기는 X선 외에도 γ선 등의 각종 방사선에 적용시킬 수 있다. 여기에서는 일례로서, 방사선 중 대표적인 것으로 X선에 관한 경우를 예로 들어 설명한다. 따라서, 이하의 실시 형태의 「X선」을 「다른 방사선」으로 치환함으로써, 다른 방사선에도 적용시킬 수 있다.
또한, 이하에 예시하는 X선 검출기(1)는 방사선 화상인 X선 화상을 검출하는 X선 평면 센서이다. X선 평면 센서에는 크게 나누어 직접 변환 방식과 간접 변환 방식이 있다.
직접 변환 방식은 입사 X선에 의해 광 도전막 내부에 발생한 광 도전 전하(전하)를 고전계에 의해 전하 축적용의 축적 커패시터에 직접 인도하는 방식이다.
간접 변환 방식은 X선을 신틸레이터에 의해 형광(가시광)으로 변환하고, 형광을 포토다이오드 등의 광전 변환 소자에 의해 전하로 변환하고, 전하를 축적 커패시터에 인도하는 방식이다.
이하에서는 일례로서, 간접 변환 방식의 X선 검출기(1)를 예시하지만, 본 발명은 직접 변환 방식의 X선 검출기에도 적용할 수 있다.
즉, X선 검출기는 X선을 전기적인 정보로 변환하는 검출부를 갖는 것이면 된다. 검출부는, 예를 들면 X선을 직접적 또는 신틸레이터와 협동하여 검출하는 것으로 할 수 있다.
또한, 직접 변환 방식의 X선 검출기의 기본적인 구성에는 기존의 기술을 적용할 수 있으므로, 상세한 설명은 생략한다.
또한, X선 검출기(1)는 예를 들어, 일반 의료 등에 사용할 수 있다. 단, X선 검출기(1)의 용도는 일반 의료 등에 한정되는 것은 아니다.
도 1은 X선 검출기(1)를 예시하기 위한 모식 사시도이다.
또한, 도 1에서는 바이어스 라인(2c3) 등을 생략하여 그리고 있다.
도 2는 X선 검출기(1)의 블록도이다.
도 3은 어레이 기판(2)의 회로도이다.
도 1 내지 도 3에 도시한 바와 같이, X선 검출기(1)에는 어레이 기판(2), 신호 처리부(3), 화상 처리부(4), 신틸레이터(5), 입사 X선 검출부(6), 및 메모리(7)를 설치할 수 있다.
어레이 기판(2)은 신틸레이터(5)에 의해 X선으로부터 변환된 형광을 전기 신호로 변환할 수 있다.
어레이 기판(2)은 기판(2a), 광전 변환부(2b), 제어 라인(또는 게이트 라인)(2c1), 데이터 라인(또는 시그널 라인)(2c2), 바이어스 라인(2c3), 배선 패드(2d1), 배선 패드(2d2), 및 보호층(2f) 등을 가질 수 있다.
본 실시 형태에서, 광전 변환부(2b)가 X선을 신틸레이터(5)와 협동하여 검출하는 검출부가 된다.
또한, 광전 변환부(2b), 제어 라인(2c1), 데이터 라인(2c2), 및 바이어스 라인(2c3) 등의 수는 예시한 것에 한정되는 것은 아니다.
기판(2a)은 판 형상을 나타내고, 무알칼리 유리 등의 투광성 재료로 형성할 수 있다.
광전 변환부(2b)는 기판(2a)의 일방의 면에 복수 설치할 수 있다. 광전 변환부(2b)는 제어 라인(2c1)과 데이터 라인(2c2)에 의해 구획된 영역에 설치할 수 있다. 복수의 광전 변환부(2b)는 매트릭스 형상으로 나열할 수 있다. 또한, 하나의 광전 변환부(2b)는 예를 들어, X선 화상에서의 하나의 화소(pixel)에 대응한다.
복수의 광전 변환부(2b)의 각각에는 광전 변환 소자(2b1)와, 박막 트랜지스터(TFT; Thin Film Transistor)(2b2)를 설치할 수 있다. 또한, 도 3에 도시한 바와 같이, 광전 변환 소자(2b1)에서 변환된 전하가 공급되는 축적 커패시터(2b3)를 설치할 수 있다. 축적 커패시터(2b3)는 예를 들어, 판 형상을 나타내고 박막 트랜지스터(2b2)의 아래에 설치할 수 있다. 단, 광전 변환 소자(2b1)의 용량에 따라서는 광전 변환 소자(2b1)가 축적 커패시터(2b3)를 겸할 수 있다.
광전 변환 소자(2b1)가 축적 커패시터(2b3)를 겸하는 경우(축적 커패시터(2b3)가 생략되는 경우)에는 전하의 축적 및 방출이 실시되는 것은 광전 변환 소자(2b1)가 된다. 이 경우, 박막 트랜지스터(2b2)를 ON 상태로 함으로써 광전 변환부 (2b)로부터 전하가 방출되고, 박막 트랜지스터(2b2)를 OFF 상태로 함으로써 광전 변환부(2b)에 전하가 축적된다.
축적 커패시터(2b3)가 설치되는 경우에는 박막 트랜지스터(2b2)를 OFF 상태로 하면 바이어스 라인(2c3)으로부터 축적 커패시터(2b3)에 일정한 전하가 축적되고, 박막 트랜지스터(2b2)를 ON 상태로 하면 축적 커패시터(2b3)에 축적되어 있는 전하가 방출된다.
또한, 이하에서는 일례로서 축적 커패시터(2b3)가 설치되는 경우를 예시한다.
광전 변환 소자(2b1)는 예를 들어, 포토다이오드 등으로 할 수 있다.
박막 트랜지스터(2b2)는 축적 커패시터(2b3)로의 전하의 축적 및 방출의 스위칭을 실시할 수 있다. 박막 트랜지스터(2b2)는 비정질 실리콘(a-Si)이나 폴리 실리콘(P-Si) 등의 반도체 재료를 포함하는 것으로 할 수 있다. 박막 트랜지스터(2b2)는 게이트 전극(2b2a), 드레인 전극(2b2b) 및 소스 전극(2b2c)을 갖는 것으로 할 수 있다. 박막 트랜지스터(2b2)의 게이트 전극(2b2a)은 대응하는 제어 라인(2c1)과 전기적으로 접속할 수 있다. 박막 트랜지스터(2b2)의 드레인 전극(2b2b)은 대응하는 데이터 라인(2c2)과 전기적으로 접속할 수 있다.
즉, 박막 트랜지스터(2b2)는 대응하는 제어 라인(2c1)과 대응하는 데이터 라인(2c2)에 전기적으로 접속할 수 있다. 박막 트랜지스터(2b2)의 소스 전극(2b2c)은 대응하는 광전 변환 소자(2b1)와 축적 커패시터(2b3)에 전기적으로 접속할 수 있다. 또한, 광전 변환 소자(2b1)의 애노드측과 축적 커패시터(2b3)는 대응하는 바이어스 라인(2c3)과 전기적으로 접속할 수 있다(도 3을 참조).
제어 라인(2c1)은 소정의 간격을 두고 서로 평행하게 복수 설치할 수 있다. 제어 라인(2c1)은 예를 들어, 행 방향(제1 방향의 일례에 상당함)으로 연장되어 있다. 하나의 제어 라인(2c1)은 기판(2a)의 주변 근방에 설치된 복수의 배선 패드(2d1) 중 하나와 전기적으로 접속할 수 있다. 하나의 배선 패드(2d1)에는 플렉시블 프린트 기판(2e1)에 설치된 복수의 배선 중 하나를 전기적으로 접속할 수 있다. 플렉시블 프린트 기판(2e1)에 설치된 복수의 배선의 타단은 신호 처리부(3)에 설치된 제어 회로(31)와 각각 전기적으로 접속할 수 있다.
데이터 라인(2c2)은 소정의 간격을 두고 서로 평행하게 복수 설치할 수 있다. 데이터 라인(2c2)은 예를 들어, 행 방향으로 직교하는 열 방향(제2 방향의 일례에 상당함)으로 연장되어 있다. 하나의 데이터 라인(2c2)은 기판(2a)의 주변 근방에 설치된 복수의 배선 패드(2d2) 중 하나와 전기적으로 접속할 수 있다. 하나의 배선 패드(2d2)에는 플렉시블 프린트 기판(2e2)에 설치된 복수의 배선 중 하나를 전기적으로 접속할 수 있다. 플렉시블 프린트 기판(2e2)에 설치된 복수의 배선의 타단은 신호 처리부(3)에 설치된 신호 검출 회로(32)와 각각 전기적으로 접속할 수 있다.
도 3에 도시한 바와 같이, 바이어스 라인(2c3)은 데이터 라인(2c2)과 데이터 라인(2c2) 사이에, 데이터 라인(2c2)과 평행하게 설치할 수 있다. 바이어스 라인(2c3)에는 도시하지 않은 바이어스 전원을 전기적으로 접속할 수 있다. 도시하지 않은 바이어스 전원은 예를 들어, 신호 처리부(3) 등에 설치할 수 있다. 또한, 바이어스 라인(2c3)은 반드시 필요한 것은 아니고, 필요에 따라서 설치하도록 하면 된다. 바이어스 라인(2c3)이 설치되지 않은 경우에는, 광전 변환 소자(2b1)의 애노드측과 축적 커패시터(2b3)는 바이어스 라인(2c3)을 대신하여 그라운드에 전기적으로 접속할 수 있다.
제어 라인(2c1), 데이터 라인(2c2), 및 바이어스 라인(2c3)은 예를 들어, 알루미늄이나 크롬 등의 저저항 금속을 사용하여 형성할 수 있다.
보호층(2f)은 광전 변환부(2b), 제어 라인(2c1), 데이터 라인(2c2), 및 바이어스 라인(2c3)을 덮는 것으로 할 수 있다. 보호층(2f)은 예를 들어, 산화물 절연 재료, 질화물 절연 재료, 산 질화물 절연 재료, 및 수지 재료 중 적어도 1 종을 포함한다.
신호 처리부(3)는 어레이 기판(2)의, 신틸레이터(5)측과는 반대측에 설치할 수 있다.
신호 처리부(3)에는 제어 회로(31)와, 신호 검출 회로(32)를 설치할 수 있다.
제어 회로(31)는 박막 트랜지스터(2b2)의 ON 상태와 OFF 상태를 전환할 수 있다.
도 2에 도시한 바와 같이, 제어 회로(31)는 복수의 게이트 드라이버(31a)와 행 선택 회로(31b)를 가질 수 있다.
행 선택 회로(31b)에는 화상 처리부(4) 등으로부터 제어 신호(S1)를 입력할 수 있다. 행 선택 회로(31b)는 X선 화상의 스캔 방향을 따라, 대응하는 게이트 드라이버(31a)에 제어 신호(S1)를 입력할 수 있다.
게이트 드라이버(31a)에는 대응하는 제어 라인(2c1)에 제어 신호(S1)를 입력할 수 있다. 예를 들어, 제어 회로(31)는 플렉시블 프린트 기판(2e1)을 통하여, 제어 신호(S1)를 각 제어 라인(2c1)마다 순차적으로 입력할 수 있다. 제어 라인(2c1)에 입력된 제어 신호(S1)에 의해 박막 트랜지스터(2b2)가 ON 상태가 되고, 광전 변환부(2b)(축적 커패시터(2b3))로부터 전하(화상 데이터(S2))를 판독할 수 있게 된다.
또한, 본 명세서에서는 박막 트랜지스터(2b2)가 ON 상태일 때 판독된 데이터를 「화상 데이터(S2)」로 하고, 박막 트랜지스터(2b2)가 OFF 상태일 때 판독된 데이터를 「보정 데이터(S3)」로 하고 있다.
신호 검출 회로(32)는 박막 트랜지스터(2b2)가 ON 상태일 때, 광전 변환부(2b)(축적 커패시터(2b3))로부터 전하(화상 데이터(S2))를 판독할 수 있다. 또한, 신호 검출 회로(32)는 판독된 화상 데이터(S2)(아날로그 신호)를 순차적으로 디지털 신호로 변환할 수 있다.
또한, 신호 검출 회로(32)는 박막 트랜지스터(2b2)가 OFF 상태일 때 보정 데이터(S3)를 추가로 판독할 수 있다. 신호 검출 회로(32)는 판독된 보정 데이터(S3)(아날로그 신호)를 순차적으로 디지털 신호로 변환할 수 있다.
또한, 신호 검출 회로(32)는 화상 데이터(S2)를 판독하기 전, 화상 데이터(S2)를 판독한 후, 및 화상 데이터(S2)를 판독하기 전과 화상 데이터(S2)를 판독한 후, 중 어느 하나에서 보정 데이터(S3)를 판독할 수 있다.
또한, 제어 회로(31)는 박막 트랜지스터(2b2)의 ON 상태와 OFF 상태를 전환하는 제어 신호(S1)를 복수의 제어 라인(2c1)마다 입력할 수 있다. 그리고, 신호 검출 회로(32)는 제어 신호(S1)가 입력될 때마다 보정 데이터(S3)를 판독할 수 있다.
또한, 신호 검출 회로(32)는 화상 데이터(S2)와, 상기 화상 데이터(S2)를 판독하기 전, 상기 화상 데이터(S2)를 판독한 후, 및 상기 화상 데이터(S2)를 판독하기 전과 상기 화상 데이터(S2)를 판독한 후, 중 어느 하나에서 판독된 보정 데이터(S3)를 그룹으로 하기 위한 화상 인덱스를 부여할 수 있다.
또한, 신호 검출 회로(32)는 판독된 화상 데이터(S2)와, 판독된 보정 데이터(S1)의 차동 출력을 디지털 신호로 변환하고, 화상 처리부(4)에 송신할 수도 있다. 이와 같이 하면, 보정된 화상 데이터를 화상 처리부(4)에 입력할 수 있으므로 실시간성을 향상시킬 수 있다.
또한, 입사 방사선 검출부(6)가 X선의 입사가 개시되었다고 판정한 경우에는, 신호 검출 회로(32)는 박막 트랜지스터(2b2)가 ON 상태일 때 화상 데이터(S2)를 추가로 판독할 수 있다.
또한, 화상 데이터(S2), 보정 데이터(S3), 및 화상 인덱스에 관한 상세한 내용은 후술한다.
또한, 반도체 소자인 박막 트랜지스터(2b2)에 X선이 입사되면, 박막 트랜지스터(2b2)가 OFF 상태로 되어 있어도 드레인 전극(2b2b)과 소스 전극(2b2c) 사이에 전류가 흐른다. 즉, X선이 입사되고 있는 한중간에는, OFF 상태의 박막 트랜지스터(2b2)로부터의 전류가 유입된다. 그 때문에, X선이 입사되고 있는 한중간의, 화상 데이터(S2)를 판독하는 샘플링 시간(제1 샘플링 신호(21)의 시간), 및 보정 데이터(S3)를 판독하는 샘플링 시간(제2 샘플링 신호(22)의 시간)은 짧은 쪽이 바람직하다.
한편, X선의 입사가 종료된 후에는 OFF 상태의 박막 트랜지스터(2b2)로부터의 전류가 유입되지 않는다. 그 때문에, X선의 입사가 종료된 후에는 화상 데이터(S2)를 판독하는 샘플링 시간, 및 박막 트랜지스터(2b2)를 ON 상태로 하는 시간을 길게 해도 화상 불균일의 발생이 없다. 또한, 화상 데이터(S2)를 판독하는 샘플링 시간, 및 박막 트랜지스터(2b2)를 ON 상태로 하는 시간을 길게 하면 X선 화상의 품질을 향상시킬 수 있다.
이 경우, X선의 입사 기간은 짧으므로, X선의 입사가 검출된 후의, 화상 데이터(S2)를 판독하는 샘플링 시간, 및 박막 트랜지스터(2b2)를 ON 상태로 하는 시간은, X선의 입사가 검출되기 전의, 화상 데이터(S2)를 판독하는 샘플링 시간, 및 보정 데이터(S3)를 판독하는 샘플링 시간보다 길어지도록 할 수 있다. 이와 같이 하면, 화상 불균일의 발생을 억제할 수 있고, 또한 X선 화상의 품질을 향상시킬 수 있다.
메모리(7)는 신호 검출 회로(32)와 화상 처리부(4) 사이에 전기적으로 접속할 수 있다. 메모리(7)는 디지털 신호로 변환된 화상 데이터(S2)와 보정 데이터(S3)를 일시적으로 저장할 수 있다. 이 때, 화상 인덱스가 부여된 화상 데이터(S2)와 보정 데이터(S3)가 저장되도록 할 수 있다.
화상 처리부(4)는 메모리(7)에 저장되어 있는 화상 데이터(S2)에 기초하여, X선 화상을 구성할 수 있다. 또한, 화상 처리부(4)는 보정 데이터(S3)를 사용하여 화상 데이터(S2)를 보정할 수 있다. 이때, 화상 처리부(4)는 화상 인덱스에 기초하여 보정 데이터(S3)를 추출하고, 추출된 보정 데이터(S3)를 사용하여 그룹이 되는 화상 데이터(S2)를 보정할 수 있다.
화상 처리부(4), 메모리(7) 및 입사 X선 검출부(6)는 신호 처리부(3)와 일체화되어 있어도 된다.
신틸레이터(5)는 복수의 광전 변환 소자(2b1)의 위에 설치되고, 입사되는 X선을 형광으로 변환할 수 있다. 신틸레이터(5)는 기판(2a) 상의 복수의 광전 변환부(2b)가 설치된 영역(유효 화소 영역)을 덮도록 설치할 수 있다. 신틸레이터(5)는 예를 들어, 요오드화 세슘(CsI) : 탈륨(Tl), 또는 요오드화 나트륨(NaI) : 탈륨 (Tl) 등을 이용하여 형성할 수 있다. 이 경우, 진공증착법 등을 이용하여 신틸레이터(5)를 형성하면, 복수의 주상 결정의 집합체로 이루어진 신틸레이터(5)를 형성할 수 있다.
또한 신틸레이터(5)는 예를 들어, 산 황화 가돌리늄(Gd2O2S) 등을 이용하여 형성할 수도 있다. 이 경우, 복수의 광전 변환부(2b)마다 사각 기둥 형상의 신틸레이터(5)가 설치되도록, 매트릭스 형상의 홈부를 형성할 수 있다.
그 밖에, 형광의 이용 효율을 높여 감도 특성을 개선하기 위해, 신틸레이터(5)의 표면측(X선 입사면측)을 덮도록 도시하지 않은 반사층을 설치할 수 있다.
또한, 공기 중에 포함되는 수증기에 의해 신틸레이터(5)의 특성과 반사층의 특성이 열화되는 것을 억제하기 위해, 신틸레이터(5)와 반사층을 덮는 도시하지 않은 방습체를 설치할 수 있다.
일반적으로 X선 검출기는 이하와 같이 X선 화상을 구성할 수 있다.
우선, 제어 회로(31)는 박막 트랜지스터(2b2)를 OFF 상태로 한다. 박막 트랜지스터(2b2)가 OFF 상태가 됨으로써, 바이어스 라인(2c3)을 통하여 일정한 전하가 축적 커패시터(2b3)에 축적된다. 다음에 X선이 입사되면, 신틸레이터(5)에 의해 X선이 형광으로 변환된다. 형광이 광전 변환 소자(2b1)에 입사되면, 광전 효과에 의해 전하(전자 및 홀)가 발생하고, 발생한 전하와, 축적되어 있는 전하(이종 전하)가 결합하여 축적되어 있는 전하가 감소된다. 다음에, 제어 회로(31)는 박막 트랜지스터(2b2)를 순차적으로 ON 상태로 한다. 신호 검출 회로(32)는 샘플링 신호에 따라 각 축적 커패시터(2b3)에 축적되어 있는 전하(화상 데이터(S2))를 데이터 라인(2c2)을 통하여 판독한다. 그리고, 신호 검출 회로(32)는 판독된 화상 데이터(S2)(아날로그 신호)를 순차적으로 디지털 신호로 변환한다. 또한, 신호 검출 회로(32)는 박막 트랜지스터(2b2)가 OFF 상태로 되어 있을 때 데이터 라인(2c2)에 흐르는 전류의 값을 디지털 신호로 변환한다.
메모리(7)는 박막 트랜지스터(2b2)가 ON 상태일 때 얻어진 데이터를 화상 데이터(S2)로서 일시적으로 저장한다. 또한, 메모리(7)는 박막 트랜지스터(2b2)가 OFF 상태일 때 얻어진 데이터를 보정 데이터(S3)로서 저장한다.
화상 처리부(4)는 메모리(7)에 저장되어 있는 화상 데이터(S2)에 기초하여, X선 화상을 구성한다. 또한, 화상 처리부(4)는 X선 화상을 구성할 때, 메모리(7)에 저장되어 있는 보정 데이터(S3)를 사용하여 후술하는 화상 불균일을 억제하기 위한 보정을 실시한다. 화상 불균일을 억제하기 위한 보정이 실시된 X선 화상의 데이터는 화상 처리부(4)로부터 외부의 기기 등을 향하여 출력된다.
여기에서 일반적인 X선 검출기에서는 이하와 같이 하여 촬영 동작을 개시한다. 우선, X선원 등의 외부 기기로부터의 신호에 의해 X선이 X선 검출기에 입사된 것을 인식한다. 다음에, 미리 정해진 시간의 경과 후에, 판독을 실시하는 광전 변환부(2b)의 박막 트랜지스터(2b2)를 ON 상태로 하고, 축적된 전하를 판독한다. 즉, 일반적인 X선 검출기의 경우에는, X선이 실제로 X선 검출기에 입사된 것을 검출하고 있는 것은 아니다. 그 때문에, 이와 같이 하면, X선원 등의 외부 기기와 X선 검출기의 동기를 취하기 위한 동기 인터페이스가 필요해진다.
여기에서, 반도체 소자인 박막 트랜지스터(2b2)에 X선이 입사되면, 박막 트랜지스터(2b2)가 OFF 상태로 되어 있어도 드레인 전극(2b2b)과 소스 전극(2b2c) 사이에 전류가 흐른다. 또한, 박막 트랜지스터(2b2)의 드레인 전극(2b2b)은 데이터 라인(2c2)과 전기적으로 접속되어 있다. 그 때문에, OFF 상태의 박막 트랜지스터(2b2)에 X선이 입사되었을 때 데이터 라인(2c2)에 흐르는 전류의 값과, OFF 상태의 박막 트랜지스터(2b2)에 X선이 입사되어 있지 않을 때 데이터 라인(2c2)에 흐르는 전류의 값의 차에 기초하여, X선의 입사 개시시를 검출할 수 있다. X선의 입사 개시시를 직접 검출할 수 있으면, 타임래그 등이 발생하는 일이 없으므로, 처리 시간이 길어지는 것을 억제할 수 있다.
그런데, 박막 트랜지스터(2b2)가 OFF 상태일 때 데이터 라인(2c2)에 흐르는 전류의 값은 극히 작아진다. 또한, 인체에 대하여 대량의 X선 조사를 실시하면 건강에 대한 악영향이 있으므로, 인체에 대한 X선 조사량은 필요 최저한으로 억제된다. 그 때문에, 의료에 사용되는 X선 검출기의 경우에는, 입사되는 X선의 강도가 매우 약한 것이 되고, 박막 트랜지스터(2b2)가 OFF 상태일 때 데이터 라인(2c2)에 흐르는 전류의 값이 더 작아진다.
그 결과, 박막 트랜지스터(2b2)가 OFF 상태일 때 데이터 라인(2c2)에 흐르는 전류의 값에 기초하여 X선의 입사 개시시를 검출하면, X선의 입사 개시시를 정밀도 좋게 검출하는 것이 곤란해질 우려가 있다.
그래서, 본 실시 형태에 관한 X선 검출기(1)에는 이하와 같은 입사 X선 검출부(6)가 설치되어 있다.
입사 X선 검출부(6)는 신호 검출 회로(32)와 전기적으로 접속할 수 있다. 입사 X선 검출부(6)는 박막 트랜지스터(2b2)가 ON 상태일 때, 상기 박막 트랜지스터(2b2)가 전기적으로 접속된 데이터 라인(2c2)에 흐르는 전류의 값에 기초하여 X선의 입사 개시시를 판정할 수 있다. 즉, 입사 X선 검출부(6)는 박막 트랜지스터가 ON 상태일 때 판독된 화상 데이터(S2)의 값에 기초하여 X선의 입사 개시시를 판정할 수 있다. 예를 들어, 입사 X선 검출부(6)는 ON 상태로 되어 있는 박막 트랜지스터(2b2)가 접속된 데이터 라인(2c2)에 흐르는 전류를 검출하고, 검출된 전류의 값이 소정의 임계값을 초과한 경우에는 X선이 입사했다고 판정할 수 있다. 소정의 임계값은 ON 상태의 박막 트랜지스터(2b2)에 X선이 입사했을 때 데이터 라인(2c2)에 흐르는 전류의 값과, ON 상태의 박막 트랜지스터(2b2)에 X선이 입사되어 있지 않을 때 데이터 라인(2c2)에 흐르는 전류의 값의 차에 기초하여 미리 설정할 수 있다.
박막 트랜지스터(2b2)가 ON 상태로 되어 있으면 OFF 상태의 경우와 비교하여 전기 저항을 작게 할 수 있으므로, 데이터 라인(2c2)에 흐르는 전류의 값이 커진다. 그 때문에, X선의 입사 개시시를 검출하는 것이 용이해진다. 상술한 바와 같이, 의료에 사용되는 X선 검출기(1)의 경우에는 입사하는 X선의 강도가 매우 약한 것이 된다. 그러나, 박막 트랜지스터(2b2)가 ON 상태일 때 X선의 입사 개시시를 검출하면, X선의 입사 개시시를 정밀도 좋게 검출하는 것이 가능해진다.
그런데, ON 상태로 되어 있는 박막 트랜지스터(2b2)가 접속된 데이터 라인(2c2)에는 OFF 상태로 되어 있는 다른 박막 트랜지스터(2b2)로부터의 전류도 흐르므로 화상 불균일이 발생한다는 새로운 문제가 생긴다.
이 경우, X선의 입사가 종료된 후에 ON 상태가 된 박막 트랜지스터(2b2)가 접속된 데이터 라인(2c2)에는 다른 박막 트랜지스터(2b2)로부터의 전류가 흐르지 않는다. 그 때문에, X선의 입사가 개시되었을 때의 데이터를 폐기하고, X선의 입사가 종료된 후의 데이터만을 이용하여 X선 화상을 구성하면 화상 불균일을 억제할 수 있다. 그러나, 이와 같이 하면 X선 입사가 개시되었을 때의 데이터가 손실되므로, 그만큼 X선 화상의 품질이 저하되는 것이 된다.
그래서 입사 X선 검출부(6)는 박막 트랜지스터(2b2)를 ON 상태로 하기 전의 OFF 상태, 및 박막 트랜지스터(2b2)를 ON 상태로 한 후의 OFF 상태 중 적어도 어느 하나에서 데이터 라인(2c2)에 흐르는 전류를 검출한다. 상술한 바와 같이, 화상 불균일이 발생하는 것은 OFF 상태로 되어 있는 박막 트랜지스터(2b2)로부터의 전류가 주된 원인이라고 생각된다. 그 때문에, ON 상태의 전 및 후 중 적어도 어느 하나의 OFF 상태에서, ON 상태로 하는 박막 트랜지스터(2b2)가 접속된 데이터 라인(2c2)에 흐르는 전류를 검출하고, ON 상태일 때 취득한 화상 데이터(S2)를 OFF 상태시에 취득한 보정 데이터(S3)로 보정하면, 화상 불균일을 대폭 억제할 수 있다. 또한 이와 같이 하면, X선의 입사가 개시되었을 때의 화상 데이터(S2)를 사용할 수 있으므로, X선 화상의 품질이 저하되는 것을 억제할 수 있다.
즉, 입사 X선 검출부(6)가 설치되어 있으면, X선의 입사 개시시를 검출할 수 있고, 또한 X선 화상의 품질 열화를 억제할 수 있다.
도 4는 화상 데이터(S2) 및 보정 데이터(S3)의 판독을 예시하기 위한 타이밍 차트이다.
도 4는 n개의 제어 라인(2c1)과, m개의 데이터 라인(2c2)이 설치된 경우이다.
우선, 화상 처리부(4) 등으로부터 신호 검출 회로(32)에 제1 샘플링 신호(21)을 입력한다. 도 4에 도시한 바와 같이, 제1 샘플링 신호(21)가 ON이 됨으로써, 신호 검출 회로(32)는 데이터 라인(1) ~ 데이터 라인(m)에 대한 샘플링을 개시한다. 제1 샘플링 신호(21)는 소정의 기간 경과 후에 OFF가 된다.
한편, 제1 샘플링 신호(21)가 ON이 되어 있는 동안에, 화상 처리부(4) 등으로부터 제어 회로(31)를 통하여 제어 라인(1)에 제어 신호(S1)를 입력한다. 제어 신호(S1)가 ON이 됨으로써, 제어 라인(1)에 전기적으로 접속된 박막 트랜지스터(2b2)가 ON 상태가 된다. 제어 신호(S1)는 소정의 기간 경과 후에 OFF가 된다.
신호 검출 회로(32)는 박막 트랜지스터(2b2)가 ON 상태일 때 데이터 라인(1) ~ 데이터 라인(m)으로부터의 화상 데이터(S2)를 순차적으로 판독한다.
또한, 입사 X선 검출부(6)는 제1 샘플링 신호(21)가 ON일 때 데이터 라인(2c2)에 흐르는 전류의 값에 기초하여 X선의 입사 개시시를 판정한다.
다음에, 제1 샘플링 신호(21)가 OFF가 된 후에, 화상 처리부(4) 등으로부터 신호 검출 회로(32)에 제2 샘플링 신호(22)를 입력한다. 제2 샘플링 신호(22)가 ON이 됨으로써, 신호 검출 회로(32)는 데이터 라인(1) ~ 데이터 라인(m)에 대한 샘플링을 개시한다. 제2 샘플링 신호(22)는 소정 기간 경과 후에 OFF가 된다.
이 경우, 제어 라인(1)에는 제어 신호(S1)가 입력되지 않고, 제어 라인(1)에 전기적으로 접속된 박막 트랜지스터(2b2)는 OFF 상태 그대로가 된다.
신호 검출 회로(32)는 박막 트랜지스터(2b2)가 OFF 상태일 때 데이터 라인(1) ~ 데이터 라인(m)에 흐르는 전류를 각각 검출한다.
그 후, 이상의 수순을 제어 라인(2) ~ 제어 라인(n)에 대하여 실시한다.
이상과 같이 하여 얻어진 데이터는 메모리(7)에 저장된다. 박막 트랜지스터(2b2)가 ON 상태일 때 얻어진 데이터는 n행 m열의 화상 데이터(S2)가 된다. 박막 트랜지스터(2b2)가 OFF 상태일 때 얻어진 데이터는 n행 m열의 보정 데이터(S3)가 된다.
또한, 화상 데이터(S2)와, 보정 데이터(S3)가 동일한 메모리(7)에 저장되는 경우를 예시했지만, 화상 데이터(S2)와, 보정 데이터(S3)가 각각 다른 메모리에 저장되도록 해도 된다.
또한, 화상 데이터(S2)가 되는 데이터와, 보정 데이터(S3)가 되는 데이터를 메모리(7)에 저장할 때에는 화상 인덱스를 부여할 수 있다. 도 4에 예시한 것의 경우에는 화상 데이터(S2)에 화상 인덱스 TFTon1를 부여하고, 화상 데이터(S2)와 그룹이 되는 보정 데이터(S3)에 화상 인덱스 TFToff1를 부여하고 있다. 이 경우, 화상 인덱스 TFTon1는 최초에 취득된 화상 데이터(S2)인 것을 나타내고, TFToff1은 이것과 그룹이 되는 보정 데이터(S3)인 것을 나타내고 있다. 화상 인덱스는 제어 라인(1) ~ 제어 라인(n)에 관한 데이터에 대하여 각각 부여할 수 있다.
또한, 도 4에서는 제1 샘플링 신호(21)가 OFF가 된 후에, 제2 샘플링 신호(22)를 ON으로 했지만, 제2 샘플링 신호(22)가 OFF가 된 후에, 제1 샘플링 신호(21)를 ON으로 해도 된다. 즉, 도 4에서는 화상 데이터(S2)의 취득 후에 보정 데이터(S3)를 취득했지만, 보정 데이터(S3)의 취득 후에 화상 데이터(S2)를 취득해도 된다.
또한, 하나의 제어 라인에 제어 신호(S1)를 입력할 때, 신호 검출 회로(32)에 제2 샘플링 신호(22), 제1 샘플링 신호(21), 및 제2 샘플링 신호(22)를 순차적으로 입력해도 된다. 이 경우, 다음의 제어 라인에 제어 신호(S1)를 입력할 때에는 신호 검출 회로(32)에 제1 샘플링 신호(21)만을 입력하고, 또한 다음의 제어 라인에 제어 신호(S1)를 입력할 때에는, 신호 검출 회로(32)에 제2 샘플링 신호(22), 제1 샘플링 신호(21), 및 제2 샘플링 신호(22)를 순차적으로 입력할 수 있다.
즉, 제1 샘플링 신호(21)와 제2 샘플링 신호(22)가 교대로 입력되도록 하면 된다.
또한, 도 4에서는 제어 신호(S1)를 ON으로 하기 전에 제1 샘플링 신호(21)를 ON으로 하고 있지만, 제어 신호(S1)의 ON과 제1 샘플링 신호(21)의 ON은 동시여도 되고, 제어 신호(S1)를 ON으로 한 후에 제1 샘플링 신호(21)를 ON으로 해도 된다.
또한, 도 4에서는 제어 신호(S1)를 OFF로 한 후에 제1 샘플링 신호(21)를 OFF로 하고 있지만, 제어 신호(S1)의 OFF와 제1 샘플링 신호(21)의 OFF는 동시여도 되고, 제어 신호(S1)를 OFF로 하기 전에 제1 샘플링 신호(21)를 OFF로 해도 된다.
다음에, 제1 샘플링 신호(21)와 제2 샘플링 신호(22)를 교대로 입력하는 것(화상 데이터(S2)와 보정 데이터(S3)를 교대로 판독하는 것)에 대해 추가로 설명한다.
도 5는 X선이 입사했을 때 데이터 라인(2c2)에 흐르는 전류를 예시하기 위한 모식도이다.
도 5 중의 「○」은 제1 샘플링 신호(21)를 ON으로 하는 타이밍을 나타내고, 「×」는 제2 샘플링 신호(22)를 ON으로 하는 타이밍을 나타내고 있다.
X선 검출기(1)에 X선이 입사되면 데이터 라인(2c2)에는 도 5에 예시한 바와 같은 파형의 전류가 흐른다. 이 경우, 영역 A나 영역 C에서는 단위 시간당의 전류값의 변화가 커진다. 한편, 영역 B에서는 단위 시간당의 전류값의 변화가 작아진다.
여기에서, 상술한 보정 데이터(S3)는 화상 데이터(S2)와 가능한 동일한 조건에서 취득된 것으로 하는 것이 바람직하다. 그 때문에, 제1 샘플링 신호(21)와 제2 샘플링 신호(22)는 영역 B에서 입력되도록 하는 것이 바람직하다. 그런데, X선 입사 개시시는 언제가 될지는 알 수 없으므로, 제1 샘플링 신호(21)와 제2 샘플링 신호(22)를 영역 B에서 입력하는 것은 곤란하다.
그래서, 본 실시 형태에 관한 X선 검출기(1)에서는 제1 샘플링 신호(21)와 제2 샘플링 신호(22)를 교대로 입력하도록 하고 있다.
예를 들어, 도 5에 예시한 것의 경우에는 도 4에 도시한 바와 같이, 제어 라인(1)에 관한 제1 샘플링 신호(21)를 입력하고, 계속해서 제2 샘플링 신호(22)를 입력할 수 있다.
다음에 예를 들어, 제어 라인(2)에 관한 제1 샘플링 신호(21)를 입력하고, 계속해서 제2 샘플링 신호(22)를 입력할 수 있다.
이하, 동일하게 하여 제1 샘플링 신호(21)와 제2 샘플링 신호(22)를 교대로 입력할 수 있다.
이와 같이 하면 하나의 화상 데이터(S2)에 대하여, 그 전후의 보정 데이터(S3)를 얻을 수 있다. 전후의 보정 데이터(S3)를 취득할 수 있으면, 예를 들어 평균값을 구할 수 있다. 그 때문에, 단위 시간당 전류값의 변화가 큰 경우여도, 보정 데이터(S3)의 취득 조건을 화상 데이터(S2)의 취득 조건에 근접시킬 수 있다. 그 결과, 보정의 정밀도를 향상시킬 수 있으므로, 후술하는 화상 불균일의 억제가 용이해진다.
도 6은 X선 검출기(1)에서의 처리 과정을 예시하기 위한 플로우차트이다.
도 6에 도시한 바와 같이 판독 공정(28)에서는 예를 들어, 하나의 제어 라인(2c1)을 스캔하고, 박막 트랜지스터(2b2)를 ON 상태로 하여 화상 데이터(S2)를 판독할 수 있다. 박막 트랜지스터(2b2)를 OFF 상태로 하여 보정 데이터(S3)를 판독할 수 있다. 제어 라인(2c1)마다의 화상 데이터(S2)와 보정 데이터(S3)를 화상 인덱스를 붙여 메모리(7)에 저장할 수 있다.
다음에, 하나의 제어 라인(2c1)에 전기적으로 접속된 모든 박막 트랜지스터(2b2)의 스캔(판독)이 종료되면, 메모리(7)에 저장되어 있는 화상 데이터(S2)와, 미리 정해진 임계값에 의해 X선의 입사 개시를 판정할 수 있다. 예를 들어, 미리 정해진 임계값을 초과한 화상 데이터(S2)의 수를 카운트하고, 미리 정해진 카운트수에 도달한 경우에는 X선이 입사되었다고 판정할 수 있다.
X선이 입사되어 있지 않다고 판정한 경우에는 화상 인덱스를 갱신하고, 제어 라인(2c1)의 스캔을 리셋할 수 있다. 그리고, 화상 축적 공정(29)을 거쳐 판독 공정(28)으로 돌아갈 수 있다.
또한, 화상 축적 공정(29)에 관한 상세한 내용은 후술한다.
X선이 입사되었다고 판정한 경우에는 신호 검출 회로(32)는 박막 트랜지스터(2b2)가 ON 상태일 때 화상 데이터(S2)를 추가로 판독할 수 있다.
이 경우, 다음 주기의 제어 라인(2c1)의 스캔이 종료되는 것을 기다리고, 화상 데이터(S2)와 보정 데이터(S3)가 메모리(7)에 저장된 단계에서, 메모리(7)로의 저장을 중단할 수 있다. 메모리(7)로의 저장을 중단함으로써, 이미 저장되어 있는 화상 데이터(S2)와 보정 데이터(S3)가 덮어 쓰기되지 않도록 할 수 있다.
다음에, X선이 입사되었다고 판정된 주기에서 부여된 화상 인덱스에 기초하여, X선 입사 후의 화상 데이터(S2)와 보정 데이터(S3)를 추출하고, 화상 처리부(4)에 의해 X선 화상을 구성할 수 있다. 이 때, 보정 데이터(S3)를 사용하여 화상 데이터(S2)를 보정함으로써, 화상 불균일을 억제할 수 있다.
여기에서 화상 불균일의 억제에 대해서 추가로 설명한다.
상술한 바와 같이, 박막 트랜지스터(2b2)를 ON 상태로 하여 제어 라인(2c1)을 순차적으로 스캔하고, 얻어진 화상 데이터(S2)로부터 X선의 입사를 판정하도록 하면 화상 불균일이 발생한다. 화상 불균일이 발생하는 주된 원인은 이하와 같이 생각할 수 있다. 하나의 데이터 라인(2c2)에는 복수의 박막 트랜지스터(2b2)가 전기적으로 접속되어 있다. 제어 라인(2c1)을 스캔하여 원하는 제어 라인(2c1)에 전기적으로 접속된 박막 트랜지스터(2b2)를 ON 상태로 한 경우, 그 이외의 제어 라인(2c1)에 전기적으로 접속된 박막 트랜지스터(2b2)는 OFF 상태로 되어 있다. 박막 트랜지스터(2b2)가 OFF 상태가 되어 있으면, 소스 전극(2b2c)과 드레인 전극(2b2b) 사이에는 전류가 흐르지 않는다. 그런데, X선 또는 신틸레이터(5)에 의해 변환된 형광이 박막 트랜지스터(2b2)에 입사되면, 소스 전극(2b2c)과 드레인 전극(2b2b) 사이의 저항값이 내려 간다. 이 저항값이 내려가면, 축적 커패시터(2b3)에 축적되어 있는 전하의 일부가 데이터 라인(2c2)에 방출되어, 데이터 라인(2c2)에 흐르는 전류가 된다. 이 전류에 의해 화상 불균일이 발생하는 것으로 생각된다.
여기에서, 소스 전극(2b2c)과 드레인 전극(2b2b) 사이의 저항값은 X선 검출기(1)에 입사되는 X선의 강도로 변화된다. 예를 들어, X선 검출기(1)에 입사하는 X선의 강도는 X선의 입사 개시시나 종료시에는 크게 변화된다. 그 때문에, X선의 입사 개시시나 종료시에는 소스 전극(2b2c)과 드레인 전극(2b2b) 사이의 저항값도 크게 변화된다. 이 경우, 도 5에 예시한 바와 같이, 데이터 라인(2c2)에 흐르는 전류도 크게 변화된다.
화상 불균일을 효과적으로 억제하기 위해서는 원하는 제어 라인(2c1)에 전기적으로 접속된 박막 트랜지스터(2b2)를 ON 상태로 한 경우에, 그 이외의 제어 라인(2c1)에 전기적으로 접속된 OFF 상태의 박막 트랜지스터(2b2)의 저항값 변화를 알 필요가 있다.
상술한 바와 같이, 박막 트랜지스터(2b2)를 ON 상태로 하기(제1 샘플링 신호(21)를 ON으로 하기) 전후의 타이밍에서, 모든 박막 트랜지스터(2b2)를 OFF 상태로 하고 제2 샘플링 신호(22)를 ON으로 하여, 모든 데이터 라인(2c2)에서의 전류를 검출하면, 저항값 변화를 아는 것이 가능해진다.
일반적인 X선 검출기의 데이터 라인(2c2)의 수는 500 라인 이상이지만, 많은 박막 트랜지스터(2b2)는 OFF 상태가 되어 있으므로, 모든 데이터 라인(2c2)에서의 전류로부터 작성된 보정 데이터(S3)를 이용하면, 화상 불균일을 효과적으로 억제할 수 있다.
또한, 제1 샘플링 신호(21) 및 제2 샘플링 신호(22)의 ON 시간을 변경하면, 도 5에 예시한 전류 적분값의 값이 변동된다. 한편, 도 5에 예시한 전류 적분값의 값은 박막 트랜지스터(2b2)를 ON 상태로 하는 시간(제어 신호(S1)의 ON 시간)에는 관계가 없다.
제1 샘플링 신호(21)가 ON이 됨으로써 데이터 라인(2c2)에 흐르는 전류의 적분이 개시되고, 제1 샘플링 신호(21)가 OFF가 됨으로써 적분이 종료된다. 그리고, 제1 샘플링 신호(21)가 ON으로 되어 있는 동안 흐른 전류값이 적산되어, 디지털 신호(전류 적분값)로서 출력된다.
박막 트랜지스터(2b2)를 ON 상태로 하는 시간은 어느 정도 길게 하지 않으면 X선 화상의 품질이 열화될 우려가 있다. 그러나, X선이 입사되고 있는 기간은 박막 트랜지스터(2b2)를 ON 상태로 하는 시간을 길게 할 필요가 없고, 누설 전류의 영향을 낮게 하기 박막 트랜지스터(2b2)를 ON 상태로 하는 시간을 짧게 하여 전류 적분값을 낮게 한 편이 바람직하다. 한편, X선의 입사가 종료된 후에는 누설 전류가 없으므로, 박막 트랜지스터(2b2)를 ON 상태로 하는 시간을 길게 하는 것이 바람직하다.
이 경우, X선의 입사 기간은 짧으므로, X선의 입사가 검출된 후의, 화상 데이터(S2)를 판독하는 샘플링 시간, 및 박막 트랜지스터(2b2)를 ON 상태로 하는 시간은 X선의 입사가 검출되기 전의, 화상 데이터(S2)를 판독하는 샘플링 시간, 및 보정 데이터(S3)를 판독하는 샘플링 시간보다 길어지도록 할 수 있다.
이와 같이 하면, 화상 불균일의 발생을 억제할 수 있고, 또한 X선 화상의 품질을 향상시킬 수 있다.
다음에, 화상 축적 공정(29)에 대해서 추가로 설명한다.
도 7은 비교예에 관한 X선 화상의 촬영을 예시하기 위한 타이밍 차트이다.
도 7은 3 매의 X선 화상을 연속적으로 촬영하는 경우이다.
X선 화상을 연속적으로 촬영하는 경우에는, 도 7에 도시한 바와 같이 1매분의 X선 화상의 화상 데이터(S2)를 판독하는 판독 공정(28a)(제1 판독 공정의 일례에 상당)의 한중간에, X선의 입사가 개시되는 경우가 있다. 또한, 1매분의 X선 화상의 화상 데이터(S2)를 판독하는 판독 공정(28b)(제2 판독 공정의 일례에 상당)의 한중간에, X선의 입사가 종료되는 경우가 있다. 상술한 바와 같이, X선의 입사 개시시나 종료시에는 소스 전극(2b2c)과 드레인 전극(2b2b) 사이의 저항값이 크게 변화된다. 그 때문에, 도 5에 예시한 바와 같이, 데이터 라인(2c2)에 흐르는 전류가 크게 변화되어, 화상 불균일의 억제가 어려워진다.
이 경우, 1매분의 X선 화상의 화상 데이터(S2)를 판독하는 판독 공정(28c)의 한중간에는 X선의 입사 개시 및 X선의 입사 종료는 실시되고 있지 않다. 그 때문에, 판독 공정(28a ~ 28c)에서 판독된 화상 데이터(S2)를 가산하면, 화상 불균일의 억제를 도모할 수 있다.
그러나 이와 같이 하면, X선 화상을 구성할 때 필요로 되는 화상 데이터(S2)의 수가 많아진다. 또한, 가산하는 화상 데이터(S2)의 수가 많아지면, 노이즈가 가산되므로 X선 화상의 품질이 열화되는 등의 새로운 과제가 생긴다.
도 8은 본 실시 형태에 관한 X선 화상의 촬영을 예시하기 위한 타이밍 차트이다.
도 8에 도시한 바와 같이 판독 공정(28a)과, 판독 공정(28b) 사이에 화상 축적 공정(29)을 설치할 수 있다. 화상 축적 공정(29)에서는 모든 박막 트랜지스터(2b2)를 OFF 상태로 하고, 모든 광전 변환부(2b)(축적 커패시터(2b3))에, 신틸레이터(5)에서 발생한 형광의 강약 분포에 대응한 전하를 축적할 수 있다. 화상 축적 공정(29)에서 축적된 전하는 화상 축적 공정(29) 후에 실시되는 판독 공정(28b)에서 화상 데이터(S2)로서 판독할 수 있다.
즉, 입사 방사선 검출부(6)가 X선의 입사가 개시되었다고 판정한 경우에는 신호 검출 회로(32)는 박막 트랜지스터(2b2)가 ON 상태일 때 화상 데이터(S2)를 추가로 판독하는 판독 공정(28a)을 실행할 수 있다. 제어 회로(31)는 판독 공정(28a)의 후에, 모든 박막 트랜지스터(2b2)를 OFF 상태로 하는 화상 축적 공정(29)을 실행할 수 있다.
신호 검출 회로(32)는 화상 축적 공정(29) 후에, 박막 트랜지스터(2b2)가 ON 상태일 때 화상 데이터(S2)를 판독하는 판독 공정(28b)을 실행할 수 있다.
화상 축적 공정(29)의 기간은 X선 입사 기간보다 길게 할 수 있다. 이와 같이 하면, X선의 입사가 화상 축적 공정(29)의 기간 중에 종료되도록 할 수 있다. 또한, 화상 축적 공정(29)의 기간은 X선의 입사 기간에 따라 변경 가능하게 할 수 있다.
화상 축적 공정(29)에서는 X선이 입사했다고 해도 제어 라인(2c1)을 스캔하고 있지 않으므로, 상술한 저항값의 변화에 의한 화상 불균일은 발생하지 않는다. 그 때문에, 화상 축적 공정(29)에서 축적된 전하를, 판독 공정(28b)에서 화상 데이터(S2)로서 판독하고, 판독 공정(28a, 28b)에서 판독된 화상 데이터(S2)를 가산하면, 화상 불균일의 억제를 도모할 수 있다.
즉, 화상 처리부(4)는 판독 공정(28a)에서 판독된 화상 데이터(S2)와, 판독 공정(28b)에서 판독된 화상 데이터(S2)를 가산할 수 있다.
이 경우, 판독 공정(28b)에서는 보정 데이터(S3)를 취득할 수 없게 된다. 그 때문에, 판독 공정(28a)에서의 보정 데이터(S3)에 기초하여, 화상 데이터(S2)를 보정할 필요가 있는지의 여부를 판단할 수 있다.
즉, 신호 검출 회로(32)는 판독 공정(28a)에서 박막 트랜지스터(2b2)가 OFF 상태일 때 보정 데이터(S3)를 판독할 수 있다.
신호 검출 회로(32)는 판독 공정(28a)에서 화상 데이터(S2)를 판독하기 전, 화상 데이터(S2)를 판독한 후, 및 화상 데이터(S2)를 판독하기 전과, 화상 데이터(S2)를 판독한 후, 중 어느 하나에서 보정 데이터(S3)를 판독할 수 있다.
화상 처리부(4)는 보정 데이터(S3)를 사용하여 판독 공정(28a)에서 판독된 화상 데이터(S2)를 보정할 수 있다.
화상 축적 공정(29)을 설치하면, 판독 공정(28a, 28b)에서 판독된 화상 데이터(S2)를 가산하면 되므로 가산하는 화상 데이터의 수를 줄일 수 있고, 더 나아가 노이즈의 중첩에 의한 화상 열화를 억제할 수 있다. 또한, X선의 입사 종료 직후의 잔상이 큰 상태의 화상 데이터(S2)가 사용되지 않으므로, 잔상에 의한 화상 아티팩트도 경감시킬 수 있다.
그 때문에, 본 실시 형태에 관한 X선 검출기(1)로 하면, X선의 입사 개시시를 정밀도 좋게 검출할 수 있고, 또한 X선 화상의 품질을 향상시킬 수 있다.
또한, 화상 축적 공정(29)을 설치하면 X선의 입사를 판정하는 시간을 충분히 확보할 수 있으므로, 오판정이 발생하는 것을 억제할 수 있다.
또한, 화상 축적 공정(29)에서는 제어 라인(2c1)의 스캔과, 화상 데이터(S2) 및 보정 데이터(S3)의 판독이 실시되지 않으므로, 1매의 X선 화상을 구성하는 데에 필요해지는 전력을 삭감할 수 있다. 그 때문에, 가령 판독 공정(28a), 화상 축적 공정(29), 및 판독 공정(28b)이 반복되었다고 해도 평균 소비 전력을 저감시킬 수 있다. 또한 노이즈가 증가하거나, 온도 상승에 의한 촬영 시간의 제한이 발생하는 것을 억제할 수 있다.
이상, 본 발명의 몇 가지 실시 형태를 예시했지만, 이러한 실시 형태는 예시로 제시한 것으로, 발명의 범위를 한정하려는 의도는 없다. 이러한 신규한 실시 형태는 그 밖의 다양한 형태로 실시되는 것이 가능하고, 발명의 요지를 벗어나지 않는 범위에서, 여러 가지 생략, 치환, 변경 등을 실시할 수 있다. 이들 실시 형태나 그 변형예는 발명의 범위나 요지에 포함되고, 또한 청구 범위에 기재된 발명과 그 균등의 범위에 포함된다. 또한, 상술한 각 실시 형태는 서로 조합하여 실시할 수 있다.

Claims (8)

  1. 기판,
    상기 기판에 설치되고, 제1 방향으로 연장되는 복수의 제어 라인,
    상기 기판에 설치되고, 상기 제1 방향으로 교차하는 제2 방향으로 연장되는 복수의 데이터 라인,
    대응하는 상기 제어 라인과 대응하는 상기 데이터 라인에 전기적으로 접속된 박막 트랜지스터를 갖고, 방사선을 직접적 또는 신틸레이터와 협동하여 검출하는 복수의 검출부,
    상기 박막 트랜지스터의 ON 상태와 OFF 상태를 전환하는 제어 회로,
    상기 박막 트랜지스터가 ON 상태일 때 화상 데이터를 판독하는 신호 검출 회로, 및
    상기 박막 트랜지스터가 ON 상태일 때 판독된 화상 데이터의 값에 기초하여 상기 방사선의 입사 개시시를 판정하는 입사 방사선 검출부,
    를 구비하고,
    상기 입사 방사선 검출부가 상기 방사선의 입사가 개시되었다고 판정한 경우에는
    상기 신호 검출 회로는 제1 판독 공정을 실행하고,
    상기 신호 검출 회로는 상기 제1 판독 공정에서, 상기 박막 트랜지스터가 ON 상태일 때 화상 데이터를 추가로 판독하고,
    상기 제어 회로는 상기 제1 판독 공정 후에, 모든 상기 박막 트랜지스터를 OFF 상태로 하여, 상기 입사 개시시부터 입사되고 있는 상기 방사선으로부터 기인된 전하를 축적하는 화상 축적 공정을 실행하는 방사선 검출기.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 화상 축적 공정의 기간은 상기 방사선의 입사 기간보다 긴, 방사선 검출기.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 방사선의 입사는 상기 화상 축적 공정의 기간 중에 종료되는, 방사선 검출기.
  4. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 신호 검출 회로는 상기 화상 축적 공정 후에, 상기 박막 트랜지스터가 ON 상태일 때 화상 데이터를 판독하는 제2 판독 공정을 실행하는, 방사선 검출기.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 화상 데이터에 기초하여 방사선 화상을 구성하는 화상 처리부를 추가로 구비하고,
    상기 화상 처리부는 상기 제1 판독 공정에서 판독된 상기 화상 데이터와, 상기 제2 판독 공정에서 판독된 상기 화상 데이터를 가산하는, 방사선 검출기.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 신호 검출 회로는 상기 제1 판독 공정에서, 상기 박막 트랜지스터가 OFF 상태일 때 보정 데이터를 추가로 판독하는, 방사선 검출기.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 신호 검출 회로는 상기 제1 판독 공정에서, 상기 화상 데이터를 판독하기 전, 상기 화상 데이터를 판독한 후, 및 상기 화상 데이터를 판독하기 전과 상기 화상 데이터를 판독한 후, 중 어느 하나에서 보정 데이터를 판독하는, 방사선 검출기.
  8. 제 6 항에 있어서,
    상기 화상 처리부는 상기 보정 데이터를 이용하여 상기 제1 판독 공정에서 판독된 상기 화상 데이터를 보정하는, 방사선 검출기.
KR1020217031732A 2019-04-04 2020-02-21 방사선 검출기 KR102674553B1 (ko)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2019071958A JP6567792B1 (ja) 2019-04-04 2019-04-04 放射線検出器
JPJP-P-2019-071958 2019-04-04
PCT/JP2020/007061 WO2020202889A1 (ja) 2019-04-04 2020-02-21 放射線検出器

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20210133294A KR20210133294A (ko) 2021-11-05
KR102674553B1 true KR102674553B1 (ko) 2024-06-13

Family

ID=67766682

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020217031732A KR102674553B1 (ko) 2019-04-04 2020-02-21 방사선 검출기

Country Status (7)

Country Link
US (1) US11733400B2 (ko)
EP (1) EP3951437A4 (ko)
JP (1) JP6567792B1 (ko)
KR (1) KR102674553B1 (ko)
CN (1) CN113711085B (ko)
TW (1) TWI737206B (ko)
WO (1) WO2020202889A1 (ko)

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013000440A (ja) * 2011-06-20 2013-01-07 Konica Minolta Medical & Graphic Inc 放射線画像撮影システムおよび放射線画像撮影装置
JP2018107598A (ja) * 2016-12-26 2018-07-05 東芝電子管デバイス株式会社 放射線検出器

Family Cites Families (30)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3721839A (en) * 1971-03-24 1973-03-20 Philips Corp Solid state imaging device with fet sensor
JPS57211208A (en) 1981-06-23 1982-12-25 Toshiba Corp Cooling structure of superconductive magnet
JPH06302122A (ja) 1993-04-16 1994-10-28 Ricoh Co Ltd 光学式情報記録再生装置
JP4809999B2 (ja) * 2001-05-25 2011-11-09 キヤノン株式会社 放射線撮像装置及び放射線撮像システム
JP4653914B2 (ja) * 2001-09-17 2011-03-16 三井造船株式会社 Ｘ線映像装置
US7120282B2 (en) * 2003-01-29 2006-10-10 General Electric Company Method and apparatus for correcting digital X-ray images
US7692704B2 (en) * 2003-12-25 2010-04-06 Canon Kabushiki Kaisha Imaging apparatus for processing noise signal and photoelectric conversion signal
JP2009233044A (ja) * 2008-03-26 2009-10-15 Fujifilm Corp 放射線画像検出装置
JP5358509B2 (ja) * 2010-04-15 2013-12-04 浜松ホトニクス株式会社 放射線検出器モジュール
JP5457320B2 (ja) * 2010-09-28 2014-04-02 富士フイルム株式会社 放射線画像検出装置
JP5764468B2 (ja) * 2010-11-26 2015-08-19 富士フイルム株式会社 放射線画像検出装置、及び放射線画像撮影システム
JP5208186B2 (ja) * 2010-11-26 2013-06-12 富士フイルム株式会社 放射線画像検出装置およびその駆動制御方法
JP5490038B2 (ja) * 2011-02-25 2014-05-14 富士フイルム株式会社 乳房画像撮影装置
JP5506726B2 (ja) * 2011-03-28 2014-05-28 富士フイルム株式会社 放射線画像撮影方法、並びに、放射線検出器および放射線画像撮影装置
JP5731444B2 (ja) * 2011-07-07 2015-06-10 富士フイルム株式会社 放射線検出器、放射線画像撮影装置、及び放射線画像撮影システム
FR2977977B1 (fr) 2011-07-13 2013-08-30 Trixell Procede de commande d'un detecteur photosensible par detection automatique d'un rayonnement incident
JP5811653B2 (ja) * 2011-07-15 2015-11-11 コニカミノルタ株式会社 放射線画像撮影装置
JP2013246078A (ja) * 2012-05-28 2013-12-09 Fujifilm Corp 放射線画像検出装置
JP2014081358A (ja) * 2012-09-27 2014-05-08 Fujifilm Corp 放射線画像検出装置
JP2014112760A (ja) * 2012-12-05 2014-06-19 Sony Corp 固体撮像装置および電子機器
US9554759B2 (en) * 2013-09-18 2017-01-31 Carestream Health, Inc. Digital radiography detector image readout process
JP2015186005A (ja) * 2014-03-24 2015-10-22 キヤノン株式会社 放射線撮像装置及び放射線撮像システム
JP2015220577A (ja) * 2014-05-16 2015-12-07 株式会社東芝 固体撮像装置
JP2016134776A (ja) * 2015-01-20 2016-07-25 株式会社東芝 欠陥検査装置、放射線検出器、および欠陥検査方法
CN108476294A (zh) * 2016-01-06 2018-08-31 东芝电子管器件株式会社 放射线检测器
JP2017143943A (ja) * 2016-02-16 2017-08-24 富士フイルム株式会社 放射線画像処理装置、方法およびプログラム
JP6148758B2 (ja) * 2016-05-09 2017-06-14 キヤノン株式会社 放射線撮像装置及び放射線撮像システム
JP6639353B2 (ja) 2016-07-29 2020-02-05 富士フイルム株式会社 放射線画像撮影システム、放射線画像撮影方法、及び放射線画像撮影プログラム
JP7319917B2 (ja) * 2017-05-10 2023-08-02 ブリルニクス シンガポール プライベート リミテッド 固体撮像装置、固体撮像装置の駆動方法、および電子機器
JP6302122B1 (ja) * 2017-07-11 2018-03-28 東芝電子管デバイス株式会社 放射線検出器

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013000440A (ja) * 2011-06-20 2013-01-07 Konica Minolta Medical & Graphic Inc 放射線画像撮影システムおよび放射線画像撮影装置
JP2018107598A (ja) * 2016-12-26 2018-07-05 東芝電子管デバイス株式会社 放射線検出器

Also Published As

Publication number Publication date
CN113711085B (zh) 2024-03-15
WO2020202889A1 (ja) 2020-10-08
CN113711085A (zh) 2021-11-26
JP6567792B1 (ja) 2019-08-28
EP3951437A4 (en) 2022-12-28
EP3951437A1 (en) 2022-02-09
US20220043168A1 (en) 2022-02-10
US11733400B2 (en) 2023-08-22
JP2020170957A (ja) 2020-10-15
KR20210133294A (ko) 2021-11-05
TWI737206B (zh) 2021-08-21
TW202043805A (zh) 2020-12-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US8513611B2 (en) Radiation detecting element and radiographic imaging device
JP4965931B2 (ja) 放射線撮像装置、放射線撮像システム、その制御方法、及び制御プログラム
US8507871B2 (en) Radiation detection element and radiographic imaging apparatus
EP2940990A1 (en) Radiation imaging apparatus and radiation imaging system
US11487027B2 (en) Radiation imaging apparatus and radiation imaging system
KR101973170B1 (ko) 방사선 검출기
KR102674553B1 (ko) 방사선 검출기
KR20180088439A (ko) 방사선 검출기
JP2017188784A (ja) 欠陥画素検出装置、放射線検出器、および欠陥画素検出方法
WO2018030068A1 (ja) 放射線検出器
JP7236916B2 (ja) 放射線検出器
WO2022004142A1 (ja) 放射線検出器
JP7361008B2 (ja) 放射線検出器
JP2018107598A (ja) 放射線検出器
JP2020081325A (ja) 放射線検出器
JP2019161614A (ja) 放射線検出器
KR20120121923A (ko) 방사선 화상검출기 및 그 구동방법
JP2020068358A (ja) 放射線検出器

Legal Events

Date Code Title Description
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right