CN113711085A - 放射线检测器 - Google Patents

放射线检测器 Download PDF

Info

Publication number
CN113711085A
CN113711085A CN202080027038.1A CN202080027038A CN113711085A CN 113711085 A CN113711085 A CN 113711085A CN 202080027038 A CN202080027038 A CN 202080027038A CN 113711085 A CN113711085 A CN 113711085A
Authority
CN
China
Prior art keywords
thin film
image
film transistor
image data
state
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN202080027038.1A
Other languages
English (en)
Other versions
CN113711085B (zh
Inventor
鬼桥浩志
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Canon Electron Tubes and Devices Co Ltd
Original Assignee
Toshiba Electron Tubes and Devices Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Electron Tubes and Devices Co Ltd filed Critical Toshiba Electron Tubes and Devices Co Ltd
Publication of CN113711085A publication Critical patent/CN113711085A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN113711085B publication Critical patent/CN113711085B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N5/00—Details of television systems
    • H04N5/30—Transforming light or analogous information into electric information
    • H04N5/32—Transforming X-rays
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01T—MEASUREMENT OF NUCLEAR OR X-RADIATION
    • G01T1/00—Measuring X-radiation, gamma radiation, corpuscular radiation, or cosmic radiation
    • G01T1/16—Measuring radiation intensity
    • G01T1/20—Measuring radiation intensity with scintillation detectors
    • G01T1/2018—Scintillation-photodiode combinations
    • G01T1/20184—Detector read-out circuitry, e.g. for clearing of traps, compensating for traps or compensating for direct hits
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01T—MEASUREMENT OF NUCLEAR OR X-RADIATION
    • G01T1/00—Measuring X-radiation, gamma radiation, corpuscular radiation, or cosmic radiation
    • G01T1/16—Measuring radiation intensity
    • G01T1/17—Circuit arrangements not adapted to a particular type of detector
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01T—MEASUREMENT OF NUCLEAR OR X-RADIATION
    • G01T1/00—Measuring X-radiation, gamma radiation, corpuscular radiation, or cosmic radiation
    • G01T1/16—Measuring radiation intensity
    • G01T1/20—Measuring radiation intensity with scintillation detectors
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01T—MEASUREMENT OF NUCLEAR OR X-RADIATION
    • G01T1/00—Measuring X-radiation, gamma radiation, corpuscular radiation, or cosmic radiation
    • G01T1/16—Measuring radiation intensity
    • G01T1/24—Measuring radiation intensity with semiconductor detectors
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01T—MEASUREMENT OF NUCLEAR OR X-RADIATION
    • G01T1/00—Measuring X-radiation, gamma radiation, corpuscular radiation, or cosmic radiation
    • G01T1/16—Measuring radiation intensity
    • G01T1/24—Measuring radiation intensity with semiconductor detectors
    • G01T1/247—Detector read-out circuitry
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01T—MEASUREMENT OF NUCLEAR OR X-RADIATION
    • G01T7/00—Details of radiation-measuring instruments
    • G01T7/005—Details of radiation-measuring instruments calibration techniques
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/40—Extracting pixel data from image sensors by controlling scanning circuits, e.g. by modifying the number of pixels sampled or to be sampled
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
    • H04N25/71—Charge-coupled device [CCD] sensors; Charge-transfer registers specially adapted for CCD sensors
    • H04N25/75—Circuitry for providing, modifying or processing image signals from the pixel array
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
    • H04N25/76—Addressed sensors, e.g. MOS or CMOS sensors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14643—Photodiode arrays; MOS imagers
    • H01L27/14658—X-ray, gamma-ray or corpuscular radiation imagers
    • H01L27/14663—Indirect radiation imagers, e.g. using luminescent members

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Multimedia (AREA)
  • Signal Processing (AREA)
  • Molecular Biology (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • High Energy & Nuclear Physics (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Measurement Of Radiation (AREA)
  • Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
  • Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)

Abstract

提供一种放射线检测器，能够高精度地检测放射线的入射开始时刻，并且能够提高放射线图像的质量。实施方式所涉及的放射线检测器包括：基板；设置在所述基板上并沿着第一方向延伸的多条控制线；设置在所述基板上并沿着与所述第一方向相交的第二方向延伸的多条数据线；具有与对应的所述控制线以及对应的所述数据线电连接的薄膜晶体管、并直接地或与闪烁体协同地检测放射线的多个检测部；对所述薄膜晶体管的导通状态和截止状态进行切换的控制电路；在所述薄膜晶体管处于导通状态时读取图像数据的信号检测电路；以及基于所述薄膜晶体管处于导通状态时读取到的图像数据的值来判定所述放射线的入射开始时刻的入射放射线检测部。在所述入射放射线检测部判定为所述放射线已开始入射时，所述信号检测电路执行在所述薄膜晶体管处于导通状态时进一步读取图像数据的第一读取工序。所述控制电路执行在所述第一读取工序之后使所有所述薄膜晶体管处于截止状态的图像存储工序。

Description

放射线检测器
技术领域
本发明的实施方式涉及一种放射线检测器。
背景技术
放射线检测器的一个示例包括X射线检测器。X射线检测器例如设置了具有多个光电转换部的阵列基板、以及设置在多个光电转换部上的用于将X射线转换成荧光的闪烁体。此外，光电转换部中设置了例如将来自闪烁体的荧光转换为电荷的光电转换元件、对电荷的储存和释放进行开关的薄膜晶体管、以及储存电荷的存储电容器等。
通常，X射线检测器以如下方式读取图像数据。首先，利用从外部输入的信号识别X射线的入射。接着，在经过预定的时间之后，将进行读取的光电转换部的薄膜晶体管设为导通状态，读取出所储存的电荷来作为图像数据。然而，这样一来就需要用于使X射线源等外部设备与X射线检测器获得同步的同步接口。
另外，提出了如下技术：使薄膜晶体管为截止状态，基于有X射线入射时流过数据线的电流值与无X射线入射时流过数据线的电流值之差来检测X射线的入射开始时刻。然而，当薄膜晶体管变为截止状态时，流过数据线的电流值变得极小。因此，即使在薄膜晶体管变为截止状态时检测流过数据线的电流值，可能也难以高精度地检测出X射线的入射开始时刻。
因此，提出了如下技术：使薄膜晶体管为导通状态，基于有X射线入射时流过数据线的电流值与无X射线入射时流过数据线的电流值之差来检测X射线的入射开始时刻。由于在薄膜晶体管变为导通状态时流过数据线的电流值变大，因此，能够高精度地检测出X射线的入射开始时刻。
在此，提出了如下技术：使用在检测X射线的入射开始时刻的工序中读取出的图像数据来构成X射线图像。在这样的技术中，由于不知道X射线什么时候开始入射，所以连续地反复读取流过数据线的电流(图像数据的读取)。因此，功耗会变大。另外，有可能会导致噪声增加、或因温度上升而限制摄影时间的情况产生。
进一步地，在读取一张X射线图像的图像数据的工序过程中，如果X射线的入射开始或X射线的入射结束，则在X射线的入射开始时刻和X射线的入射结束时刻容易产生图像斑点。
因此，希望开发出能够高精度地检测放射线的入射开始时刻，并且能够提高放射线图像的质量的放射线检测器。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：美国专利申请公开第2015/0078530号说明书
专利文献2：日本专利第6302122号公报
发明内容
发明所要解决的技术问题
本发明所要解决的技术问题在于提供一种能高精度地检测放射线的入射开始时刻，并且能够提高放射线图像的质量的放射线检测器。
解决技术问题所采用的技术方案
实施方式所涉及的放射线检测器包括：基板；设置在所述基板上并沿着第一方向延伸的多条控制线；设置在所述基板上并沿着与所述第一方向相交的第二方向延伸的多条数据线；具有与对应的所述控制线以及对应的所述数据线电连接的薄膜晶体管、并直接地或与闪烁体协同地检测放射线的多个检测部；对所述薄膜晶体管的导通状态和截止状态进行切换的控制电路；在所述薄膜晶体管处于导通状态时读取图像数据的信号检测电路；以及基于所述薄膜晶体管处于导通状态时读取出的图像数据的值来判定所述放射线的入射开始时刻的入射放射线检测部。在所述入射放射线检测部判定为所述放射线已开始入射时，所述信号检测电路执行在所述薄膜晶体管处于导通状态时进一步读取图像数据的第一读取工序。所述控制电路执行在所述第一读取工序之后使所有所述薄膜晶体管处于截止状态的图像存储工序。
附图说明
图1是用于例示X射线检测器的示意立体图。
图2是X射线检测器的框图。
图3是阵列基板的电路图。
图4是用于例示图像数据和校正数据的读取的时序图。
图5是用于例示X射线入射时流过数据线的电流的示意图。
图6是例示X射线检测器中的处理过程的流程图。
图7是用于例示比较例所涉及的X射线图像的拍摄的时序图。
图8是用于例示本实施方式所涉及的X射线图像的拍摄的时序图。
具体实施方式
下面，参照附图，对实施方式进行例示。另外，各图中，对同样的构成要素标注相同的标号并适当省略详细说明。
本实施方式所涉及的放射线检测器除了X射线以外，还能应用于γ射线等各种放射线。这里，作为一个示例，以放射线中具有代表性的X射线的情况为例进行说明。因此，通过将以下实施方式的“X射线”替换为“其它放射线”，从而也能应用于其它放射线。
此外，以下所例示的X射线检测器1是对放射线图像即X射线图像进行检测的X射线平面传感器。X射线平面传感器大致分为直接转换方式和间接转换方式。
直接转换方式是利用高电场将通过入射X射线在光导电膜内部产生的光导电电荷(电荷)直接导入到电荷存储用的存储电容器的方式。
间接转换方式是利用闪烁体将X射线转换为荧光(可见光)，利用光电二极管等光电转换元件将荧光转换为电荷并将电荷导入到存储电容器的方式。
以下，作为一个示例示出了间接转换方式的X射线检测器1，但本发明也能适用于直接转换方式的X射线检测器。
即，X射线检测器只要具有将X射线转换成电信息的检测部即可。检测部例如能直接地或者与闪烁体协同地检测X射线。
另外，已知技术能应用于直接转换方式的X射线检测器的基本结构，因此省略详细说明。
另外，X射线检测器1例如能用于一般医疗等。其中，X射线检测器1的用途并不限于一般医疗等。
图1是用于例示X射线检测器1的示意立体图。
另外，图1中，省略了偏置线2c3等来绘制。
图2是X射线检测器1的框图。
图3是阵列基板2的电路图。
如图1～图3所示，X射线检测器1中，能够设置阵列基板2、信号处理部3、图像处理部4、闪烁体5、入射X射线检测部6和存储器7。
阵列基板2将通过闪烁体5由X射线转换而成的荧光(可见光)转换为电信号。
阵列基板2能够包括基板2a、光电转换部2b、控制线(或栅极线)2c1、数据线(或信号线)2c2、偏置线2c3、布线焊盘2d1、布线焊盘2d2和保护层2f等。
在本实施方式中，光电转换部2b成为与闪烁体5协同检测X射线的检测部。
另外，光电转换部2b、控制线2c1、数据线2c2以及偏置线2c3等的数量并不限于所例示的情况。
基板2a呈板状，能够由无碱玻璃等透光性材料形成。
能够在基板2a的一个表面上设置多个光电转换部2b。光电转换部2b能够设置在由控制线2c1和数据线2c2所划分的区域中。多个光电转换部2b能够排列成矩阵状。另外，一个光电转换部2b例如对应于X射线图像中的一个像素(pixel)。
多个光电转换部2b中分别设有光电转换元件2b1、以及薄膜晶体管(TFT；ThinFilm Transistor)2b2。此外，如图3所示，能设置存储电容器2b3，该存储电容器2b3提供在光电转换元件2b1中转换得到的电荷。存储电容器2b3例如呈板状，能设置在薄膜晶体管2b2的下方。其中，根据光电转换元件2b1的容量，光电转换元件2b1能兼用作存储电容器2b3。
在光电转换元件2b1兼有存储电容器2b3的情况下(省略存储电容器2b3的情况下)，进行电荷的存储和释放的是光电转换元件2b1。在这种情况下，通过使薄膜晶体管2b2处于导通状态，从而电荷从光电转换部2b被释放，并且通过使薄膜晶体管2b2处于截止状态，从而电荷被存储到光电转换部2b中。
在设置有存储电容器2b3的情况下，当薄膜晶体管2b2处于截止状态时，从偏置线2c3向存储电容器2b3储存一定的电荷，当薄膜晶体管2b2处于导通状态时，储存在存储电容器2b3中的电荷被释放。
此外，作为一个示例，下面示出了设置存储电容器2b3的情况。
光电转换元件2b1例如能以光电二极管等来形成。
薄膜晶体管2b2能够对存储电容器2b3进行存储电荷和释放电荷的切换。薄膜晶体管2b2设为包含非晶硅(a－Si)、多晶硅(P－Si)等半导体材料。薄膜晶体管2b2具有栅极电极2b2a、漏极电极2b2b以及源极电极2b2c。薄膜晶体管2b2的栅极电极2b2a与对应的控制线2c1电连接。薄膜晶体管2b2的漏极电极2b2b与对应的数据线2c2电连接。
也就是说，薄膜晶体管2b2能够电连接到与对应的控制线2c1相对应的数据线2c2。薄膜晶体管2b2的源极电极2b2c能够与对应的光电转换元件2b1和存储电容器2b3电连接。此外，光电转换元件2b1的阳极侧以及存储电容器2b3能够与对应的偏置线2c3电连接(参照图3)。
多条控制线2c1隔开规定间隔相互平行地设置。控制线2c1例如沿行方向(相当于第一方向的一个示例)延伸。一条控制线2c1与设置在基板2a的边缘附近的多个布线焊盘2d1的其中一个电连接。一个布线焊盘2d1与设置在柔性印刷基板2e1上的多条布线的其中一条电连接。设置在柔性印刷基板2e1上的多条布线的另一端与设置在信号处理部3中的控制电路31能够分别电连接。
多条数据线2c2隔开规定间隔相互平行地设置。数据线2c2例如沿与行方向正交的列方向(相当于第二方向的一个示例)延伸。一条数据线2c2与设置在基板2a的边缘附近的多个布线焊盘2d2的其中一个电连接。一个布线焊盘2d2与设置在柔性印刷基板2e2上的多条布线的其中一条电连接。设置在柔性印刷基板2e2上的多条布线的另一端与设置在信号处理部3中的信号检测电路32能够分别电连接。
如图3所示，偏置线2c3能够与数据线2c2平行地设置在数据线2c2与数据线2c2之间。偏置线2c3能够与未图示的偏置电源电连接。未图示的偏置电源例如能设置于信号处理部3等。另外，偏置线2c3并非必要，根据需要设置即可。在未设置偏置线2c3的情况下，光电转换元件2b1的阳极侧和存储电容器2b3能够与接地端电连接，来代替与偏置线2c3电连接。
控制线2c1、数据线2c2以及偏置线2c3例如能使用铝、铬等低电阻金属来形成。
保护层2f能够覆盖光电转换部2b、控制线2c1、数据线2c2以及偏置线2c3。保护层2f例如包含氧化物绝缘材料、氮化物绝缘材料、氮氧化物绝缘材料以及树脂材料中的至少一种。
信号处理部3能够设置在阵列基板2的、闪烁体5一侧的相反侧。
信号处理部3中能够设有控制电路31以及信号检测电路32。
控制电路31对薄膜晶体管2b2的导通状态和截止状态进行切换。
如图2所示，控制电路31能够具有多个栅极驱动器31a和行选择电路31b。
能够从图像处理部4等向行选择电路31b输入控制信号S1。行选择电路31b能够根据X射线图像的扫描方向对相应的栅极驱动器31a输入控制信号S1。
栅极驱动器31a向对应的控制线2c1输入控制信号S1。例如，控制电路31能够通过柔性印刷基板2e1对各控制线2c1的每一个依次输入控制信号S1。利用输入到控制线2c1的控制信号S1使薄膜晶体管2b2变为导通状态，从而能从光电转换部2b(存储电容器2b3)中读取出电荷(图像数据S2)。
另外，在本说明书中，将薄膜晶体管2b2处于导通状态时读取出的数据作为“图像数据S2”，将薄膜晶体管2b2处于截止状态时读取出的数据作为“校正数据S3”。
当薄膜晶体管2b2处于导通状态时，信号检测电路32能够从光电转换部2b(存储电容器2b3)中读取电荷(图像数据S2)。另外，信号检测电路32能够将读取出的图像数据S2(模拟信号)依次转换为数字信号。
此外，当薄膜晶体管2b2处于截止状态时，信号检测电路32还能够读取校正数据S3。信号检测电路32能够将读取出的校正数据S3(模拟信号)依次转换为数字信号。
此外，信号检测电路32能在读取图像数据S2之前、读取图像数据S2之后、以及读取图像数据S2之前和读取图像数据S2之后的任一种情况下，读取校正数据S3。
此外，控制电路31能够对多个控制线2c1的每一个输入对薄膜晶体管2b2的导通状态和截止状态进行切换的控制信号S1。然后，每次输入控制信号S1时，信号检测电路32能够读取校正数据S3。
此外，信号检测电路32能赋予用于将图像数据S2与校正数据S3设为组的图像索引，该校正数据S3在读取该图像数据S2之前、读取该图像数据S2之后、以及读取该图像数据S2之前和读取该图像数据S2之后的任一种情况下被读取出。
另外，信号检测电路32也能够将读取出的图像数据S2与读取出的校正数据S1的差动输出转换为数字信号，并发送到图像处理部4。这样，由于能将校正后的图像数据输入到图像处理部4，因此能提高实时性。
另外，当入射放射线检测部6判定为X射线的入射开始的情况下，信号检测电路32能够在薄膜晶体管2b2处于导通状态时进一步读取图像数据S2。
稍后将详细描述图像数据S2、校正数据S3和图像索引。
另外，如果有X射线入射到作为半导体元件的薄膜晶体管2b2时，即使薄膜晶体管2b2处于截止状态，电流也会在漏极电极2b2b与源极电极2b2c之间流动。即，在有X射线入射的期间，有来自处于截止状态的薄膜晶体管2b2的电流流入。因此，有X射线入射的期间的、读取图像数据S2的采样时间(第一采样信号21的时间)、以及读取校正数据S3的采样时间(第二采样信号22的时间)优选为较短。
另一方面，在X射线的入射结束后，没有来自处于截止状态的薄膜晶体管2b2的电流流入。因此，在X射线的入射结束后，即使延长读取图像数据S2的采样时间和使薄膜晶体管2b2处于导通的时间，也不会发生图像斑点。此外，若延长读取图像数据S2的采样时间以及使薄膜晶体管2b2处于导通状态的时间，则能提高X射线图像的质量。
该情况下，由于X射线的入射时间较短，因此能使检测到X射线的入射后的、读取图像数据S2的采样时间以及使薄膜晶体管2b2处于导通状态的时间比检测到X射线的入射前的、读取图像数据S2的采样时间以及读取校正数据S3的采样时间要长。这样，能抑制图像斑点的产生，并能提高X射线图像的质量。
存储器7能够电连接到信号检测电路32与图像处理部4之间。存储器7能够对转换为数字信号后的图像数据S2和校正数据S3暂时进行保存。此外，能对被赋予了图像索引的图像数据S2和校正数据S3进行保存。
图像处理部4基于保存在存储器7中的图像数据S2来构建X射线图像。另外，图像处理部4能够使用校正数据S3来校正图像数据S2。此时，图像处理部4能够基于图像索引提取校正数据S3，利用提取出的校正数据S3来校正成为组的图像数据S2。
图像处理部4、存储器7以及入射X射线检测部6也可以与信号处理部3形成为一体。
闪烁体5设置在多个光电转换元件2b1上，将入射的X射线转换为荧光。闪烁体5能够设置成覆盖基板2a上设有多个光电转换部2b的区域(有效像素区域)。闪烁体5例如能使用碘化铯(CsI)：铊(Tl)或碘化钠(NaI)：铊(Tl)等来形成。该情况下，若使用真空蒸镀法等来形成闪烁体5，则能够形成由多个柱状结晶的集合体构成的闪烁体5。
此外，闪烁体5例如还能使用硫氧化钆(Gd2O2S)等来形成。该情况下，能形成矩阵状的槽部，以对多个光电转换部2b的每一个设置四棱柱状的闪烁体5。
除此以外，为了提高荧光的利用效率来改善灵敏度特性，能设置未图示的反射层来覆盖闪烁体5的表面侧(X射线的入射面侧)。
此外，为了抑制闪烁体5的特性与反射层的特性因空气中包含的水蒸汽而劣化，能够设置用于覆盖闪烁体5与反射层的未图示的防潮体。
通常，X射线检测器能如下那样构建X射线图像。
首先，控制电路31使薄膜晶体管2b2变为截止状态。薄膜晶体管2b2变为截止状态，从而使得一定的电荷经由偏置线2c3储存到存储电容器2b3中。接着，如果有X射线入射，则利用闪烁体5将X射线转换成荧光。若荧光入射到光电转换元件2b1，则因光电效应产生电荷(电子以及空穴)，产生的电荷与所存储的电荷(异种电荷)相结合，从而使所存储的电荷减少。接着，控制电路31使薄膜晶体管2b2依次变为导通状态。信号检测电路32根据采样信号并经由数据线2c2读取储存在各存储电容器2b3中的电荷(图像数据S2)。另外，信号检测电路32能够将读取出的图像数据S2(模拟信号)依次转换为数字信号。此外，当薄膜晶体管2b2变成截止状态时，信号检测电路32将流过数据线2c2的电流值转换为数字信号。
存储器7将薄膜晶体管2b2处于导通状态时得到的数据作为图像数据S2暂时保存。另外，存储器7将薄膜晶体管2b2处于截止状态时得到的数据作为校正数据S3进行保存。
图像处理部4基于保存在存储器7中的图像数据S2来构建X射线图像。此外，图像处理部4在构建X射线图像时，利用保存在存储器7中的校正数据S3来进行用于抑制后述的图像斑点的校正。进行了用于抑制图像斑点的校正后的X射线图像的数据从图像处理部4向外部的设备等输出。
这里，在一般的X射线检测器中，如下所述开始拍摄动作。首先，根据来自X射线源等外部设备的信号，识别出X射线入射到X射线检测器。接着，在经过预定的时间之后，将进行读取的光电转换部2b的薄膜晶体管2b2设为导通状态，读取所存储的电荷。即，在一般的X射线检测器的情况下，并不是检测出X射线实际上入射到X射线检测器。因此，这样一来，需要用于使X射线源等外部设备与X射线检测器获得同步的同步接口。
另外，如果X射线入射到作为半导体元件的薄膜晶体管2b2时，即使薄膜晶体管2b2处于截止状态，电流也会在漏极电极2b2b与源极电极2b2c之间流动。另外，薄膜晶体管2b2的漏极电极2b2b与数据线2c2电连接。因此，基于X射线入射到处于截止状态的薄膜晶体管2b2时流过数据线2c2的电流值与X射线未入射到处于截止状态的薄膜晶体管2b2时流过数据线2c2的电流值之间的差，能够检测X射线的入射开始时刻。若能直接检测出X射线的入射开始时刻，则不会产生时间滞后等，因此能抑制处理时间变长的情况。
然而，当薄膜晶体管2b2变为截止状态时，流过数据线2c2的电流值变得极小。而且，若对人体进行大量的X射线照射，则会对健康造成不良影响，因此将对人体的X射线照射量抑制在所需最低限度。因此，在用于医疗的X射线检测器的情况下，入射的X射线的强度变得非常弱，薄膜晶体管2b2处于截止状态时，流过数据线2c2的电流值变得更小。
其结果是，如果基于薄膜晶体管2b2处于截止状态时流过数据线2c2的电流值来检测X射线的入射开始时刻，则难以高精度地检测X射线的入射开始时刻。
因此，本实施方式所涉及的X射线检测器1设置有以下那样的入射X射线检测部6。
入射X射线检测部6能够与信号检测电路32电连接。当薄膜晶体管2b2处于导通状态时，入射X射线检测部6能够基于流过与该薄膜晶体管2b2电连接的数据线2c2的电流值来判定X射线的入射开始时刻。即，入射X射线检测部6能够基于当薄膜晶体管处于导通状态时读取出的图像数据S2的值来判定X射线的开始入射时刻。例如，入射X射线检测部6检测到流过与处于导通状态的薄膜晶体管2b2连接的数据线2c2的电流，并且所检测到的电流值超过预定阈值，则判定为入射了X射线。规定阈值能够基于X射线入射到处于导通状态的薄膜晶体管2b2时流过数据线2c2的电流值、与X射线未入射到处于导通状态的薄膜晶体管2b2时流过数据线2c2的电流值之间的差而预先设定。
若薄膜晶体管2b2处于导通状态，则与截止状态的情况相比，电阻能够减小，因此流过数据线2c2的电流值变大。因此，检测X射线的入射开始时刻变得容易。如上所述，对于用于医疗的X射线检测器1的情况，入射的X射线的强度变得非常弱。然而，如果在薄膜晶体管2b2处于导通状态时检测X射线的入射开始时刻，则能够高精度地检测X射线的入射开始时刻。
然而，在与处于导通状态的薄膜晶体管2b2连接的数据线2c2中，由于也会流过来自处于截止状态的其他薄膜晶体管2b2的电流，因此出现产生图像斑点的新问题。
在此情况下，来自其他薄膜晶体管2b2的电流不会流过与在X射线的入射结束之后处于导通状态的薄膜晶体管2b2连接的数据线2c2。因此，若将X射线的入射开始时的数据废弃，仅利用X射线的入射结束后的数据来构建X射线图像，则能抑制图像斑点。然而，这样的话，会失去在X射线的入射开始时的数据，因此，X射线图像的质量相应地降低。
为此，入射X射线检测部6在使薄膜晶体管2b2变为导通状态前的截止状态、与使薄膜晶体管2b2变为导通状态后的截止状态中的至少任一状态下，对流过数据线2c2的电流进行检测。如上所述，图像斑点产生的主要原因是来自处于截止状态的薄膜晶体管2b2的电流。因此，在导通状态之前和之后中的至少一个截止状态下，对流过与处于导通状态的薄膜晶体管2b2连接的数据线2c2的电流进行检测，若利用在截止状态时获取到的校正数据S3对在导通状态时获取到的图像数据S2进行校正，则能够大幅度抑制图像斑点。此外，这样的话，能使用X射线的入射开始时的图像数据S2，因此能抑制X射线图像的质量降低。
即，如果设置了入射X射线检测部6，则能检测X射线的入射开始时刻，并且能够抑制X射线图像的质量劣化。
图4是用于例示图像数据S2和校正数据S3的读取的时序图。
图4是设置了n条控制线2c1和m条数据线2c2的情况。
首先，从图像处理部4等向信号检测电路32输入第一采样信号21。如图4所示，当第一采样信号21变为导通时，信号检测电路32开始对数据线(1)至数据线(m)进行采样。第一采样信号21在经过规定期间之后变为截止。
另一方面，在第一采样信号21变为导通的期间，经由控制电路31将控制信号S1从图像处理部4等输入到控制线(1)。控制信号S1变为导通，从而使得与控制线(1)电连接的薄膜晶体管2b2变为导通状态。控制信号S1在经过规定的期间后变为截止。
当薄膜晶体管2b2处于导通状态时，信号检测电路32从数据线(1)～数据线(m)依次读取图像数据S2。
此外，入射X射线检测部6基于第一采样信号21导通时流过数据线2c2的电流值来判定X射线的入射开始时刻。
接着，在第一采样信号21变为截止之后，从图像处理部4等向信号检测电路32输入第二采样信号22。第二采样信号22变为导通，从而信号检测电路32开始对数据线(1)至数据线(m)进行采样。第二采样信号22在经过规定期间之后变为截止。
该情况下，不向控制线(1)输入控制信号S1，与控制线(1)电连接的薄膜晶体管2b2保持截止状态不变。
信号检测电路32在薄膜晶体管2b2处于截止状态时分别对流过数据线(1)～数据线(m)的电流进行检测。
然后，对控制线(2)～控制线(n)进行以上的工序。
如上所获得的数据被保存在存储器7中薄膜晶体管2b2处于导通状态时获得的数据是n行m列的图像数据S2。薄膜晶体管2b2处于截止状态时获得的数据是n行m列的校正数据S3。
另外，例示了图像数据S2和校正数据S3保存在相同存储器7中的情况，但也可以将图像数据S2和校正数据S3分别保存在其他存储器中。
另外，在将成为图像数据S2的数据和成为校正数据S3的数据保存到存储器7中时，能够赋予图像索引。图4所例示的情况下，对图像数据S2赋予图像索引TFTTon1，对与图像数据S2成组的校正数据S3赋予图像索引TFTToff1。在这种情况下，图像索引TFTTon1表示最初获取到的图像数据S2，TFTToff1表示与其成组的校正数据S3。图像索引能够分别赋予给与控制线(1)～控制线(n)相关的数据。
在图4中，在第一采样信号21变为截止之后，将第二采样信号22导通，但是在第二采样信号22变为截止之后，也可以将第一采样信号21导通。即，在图4中，在获取图像数据S2后获取了校正数据S3，但也可以在获取校正数据S3后获取图像数据S2。
此外，当将控制信号S1输入到一条控制线时，可以将第二采样信号22、第一采样信号21和第二采样信号22依次输入到信号检测电路32。在这种情况下，当将控制信号S1输入到下一条控制线时，仅将第一采样信号21输入到信号检测电路32，并且当将控制信号S1输入到下一条控制线时，将第二采样信号22、第一采样信号21和第二采样信号22依次输入到信号检测电路32。
即，可以交替地输入第一采样信号21和第二采样信号22。
另外，在图4中，在导通控制信号S1之前将第一采样信号21导通，但也可以同时进行控制信号S1的导通和第一采样信号21的导通，也可以在导通控制信号S1之后将第一采样信号21导通。
另外，在图4中，在截止控制信号S1之后将第一采样信号21截止，但也可以同时进行控制信号S1的截止和第一采样信号21截止，也可以在截止控制信号S1之前将第一采样信号21截止。
接着，进一步说明交替输入第一采样信号21和第二采样信号22(交替读取图像数据S2和校正数据S3)的情况。
图5是用于例示有X射线入射时流过数据线2c2的电流的示意图。
图5中的“○”表示将第一采样信号21导通的定时，“×”表示将第二采样信号22导通的定时。
若向X射线检测器1射入X射线，则在数据线2c2中流过图5所例示那样的波形的电流。在这种情况下，区域A、区域C中每单位时间的电流值的变化变大。另一方面，在区域B中，每单位时间的电流值的变化变小。
这里，优选在与图像数据S2尽可能相同的条件下获取上述校正数据S3。因此，优选第一采样信号21和第二采样信号22被输入到区域B中。然而，由于不知道X射线的入射开始时刻为何时，所以难以将第一采样信号21和第二采样信号22输入到区域B中。
因此，在本实施方式所涉及的X射线检测器1中，交替输入第一采样信号21和第二采样信号22。
例如，在图5所示的情况下，如图4所示，能够输入与控制线(1)相关的第一采样信号21，然后输入第二采样信号22。
接着，例如，能够输入与控制线(2)相关的第一采样信号21，然后输入第二采样信号22。
之后，同样地交替输入第一采样信号21和第二采样信号22。
这样一来，对于一个图像数据S2，能够得到其前后的校正数据S3。如果能够获取前后的校正数据S3，则能够求出例如平均值。因此，即使在每单位时间的电流值的变化较大的情况下，校正数据S3的获取条件也能够接近图像数据S2的获取条件。其结果是，能够提高校正的精度，因此容易抑制后述的图像斑点。
图6是例示X射线检测器1中的处理过程的流程图。
如图6所示，在读取工序28中，例如，能够对一条控制线2c1进行扫描，使薄膜晶体管2b2变为导通(ON)状态来读取图像数据S2。能够使薄膜晶体管2b2变为截止(OFF)状态来读取校正数据S3。能够对每个控制线2c1的图像数据S2和校正数据S3赋予图像索引并存储在存储器7中。
接着，电连接到一条控制线2c1的所有薄膜晶体管2b2的扫描(读取)结束之后，能够根据存储在存储器7中的图像数据S2和预定阈值来判定X射线的入射开始。例如，当对超过了预定阈值的图像数据S2的数目进行计数，并且在达到预定计数的数目的情况下，能够判定为有X射线入射。
能够在判定为X射线未入射的情况下，更新图像索引以复位控制线2c1的扫描。而且，能够通过图像存储工序29返回至读取工序28。
对与图像存储工序29相关的详细内容将在后面阐述。
当判定为有X射线入射的情况下，信号检测电路32能够在薄膜晶体管2b2处于导通状态时进一步读取图像数据S2。
该情况下，等待下一周期的控制线2c1的扫描结束，在将图像数据S2和校正数据S3保存于存储器7的阶段，能够中断向存储器7的保存。通过中断向存储器7的保存，从而能够使得已经保存的图像数据S2和校正数据S3不被覆盖。
接着，基于在判定为有X射线入射的周期内被赋予的图像索引来提取X射线入射后的图像数据S2和校正数据S3，利用图像处理部4来构建X射线图像。此时，通过使用校正数据S3来校正图像数据S2，从而能够抑制图像斑点。
这里，对图像斑点的抑制进行进一步说明。
如上所述，当薄膜晶体管2b2处于导通状态并且依次扫描控制线2c1，若根据得到的图像数据S2判定有X射线入射，则将产生图像斑点。产生图像斑点的主要原因能考虑如下文所述。多个薄膜晶体管2b2电连接到一条数据线2c2。当通过扫描控制线2c1而电连接到所希望的控制线2c1的薄膜晶体管2b2处于导通状态时，电连接到除此之外的控制线2c1的薄膜晶体管2b2处于截止状态。若薄膜晶体管2b2变为截止状态，则在源极电极2b2c与漏极电极2b2b之间没有电流流过。然而，当X射线或被闪烁体5转换而成的荧光入射至薄膜晶体管2b2时，源极电极2b2c和漏极2b2b之间的电阻值降低。当该电阻值降低时，储存在存储电容器2b3中的电荷的一部分被释放到数据线2c2，成为流过数据线2c2的电流。考虑由于该电流而产生了图像斑点。
这里，源极电极2b2c和漏极2b2b之间的电阻值以入射到X射线检测器1的X射线的强度而变化。例如，入射到X射线检测器1的X射线的强度在X射线的入射开始时刻、结束时刻产生较大变化。因此，在X射线的入射开始时刻、结束时刻，源极电极2b2c与漏极电极2b2b之间的电阻值也产生较大变化。该情况下，如图5所例示的那样，流过数据线2c2的电流也产生较大变化。
为了有效抑制图像斑点，在使与所希望的控制线2c1电连接的薄膜晶体管2b2变为导通状态的情况下，需要知道与其它的控制线2c1电连接的截止状态的薄膜晶体管2b2的电阻值变化。
如上所述，在使薄膜晶体管2b2处于导通状态(使第一采样信号21导通)的前后的定时，使所有薄膜晶体管2b2处于截止状态并且使第二采样信号22导通，在检测到所有数据线2c2中的电流时，能知道电阻值变化。
一般的X射线检测器的数据线2c2的数量有500线以上，但是由于许多薄膜晶体管2b2处于截止状态，所以如果使用根据所有数据线2c2中的电流而生成的校正数据S3，则能够有效地抑制图像斑点。
另外，若第一采样信号21以及第二采样信号22的导通时间改变，则图5所例示的电流积分值的值会变动。另一方面，图5所例示的电流积分值的值与使薄膜晶体管2b2变为导通状态的时间(控制信号S1的导通时间)没有关系。
第一采样信号21变为导通从而开始流过数据线2c2的电流的积分，第一采样信号21变为截止从而结束积分。并且，对第一采样信号21处于导通的期间所流过的电流值进行积分，并作为数字信号(电流积分值)进行输出。
若薄膜晶体管2b2处于导通状态的时间没有长到一定程度，则X射线图像的质量可能会劣化。然而，在入射X射线的期间，无需延长薄膜晶体管2b2处于导通状态的时间，为了降低漏电流的影响，优选缩短使薄膜晶体管2b2处于导通状态的时间来降低电流积分值。另一方面，在X射线的入射结束之后没有漏电流，因此，优选延长薄膜晶体管2b2处于导通状态的时间。
该情况下，由于X射线的入射时间较短，因此能使检测出X射线的入射后的、读取图像数据S2的采样时间以及使薄膜晶体管2b2处于导通状态的时间比检测出X射线的入射前的、读取图像数据S2的采样时间以及读取校正数据S3的采样时间要长。
这样，能抑制图像斑点的产生，并能提高X射线图像的质量。
接着，对图像存储工序29进行进一步说明。
图7是用于例示比较例所涉及的X射线图像的拍摄的时序图。
图7是连续拍摄3张X射线图像的情况。
在连续拍摄X射线图像的情况下，如图7所示，读取一张X射线图像的图像数据S2的读取工序28a(相当于第一读取工序的一个示例)的期间，有时会开始X射线的入射。另外，在读取一张X射线图像的图像数据S2的读取工序28b(相当于第二读取工序的一个示例)的期间，有时会结束X射线的入射。如上所述，在X射线的入射开始时刻、结束时刻，源极电极2b2c与漏极电极2b2b之间的电阻值也产生较大变化。因此，如图5所示那样，流过数据线2c2的电流发生较大变化，难以抑制图像斑点。
该情况下，在读取一个X射线图像的图像数据S2的读取工序28c的期间，未执行X射线的入射开始和X射线的入射结束。因此，如果将读取工序28a～28c中读取出的图像数据S2相加，则能够抑制图像斑点。
但是，这样一来，构建X射线图像时所需的图像数据S2的数量变多。另外，若相加的图像数据S2的数量变多，则由于噪声被相加，因此产生X射线图像的质量劣化等新的问题。
图8是用于例示本实施方式所涉及的X射线图像的拍摄的时序图。
如图8所示，能够在读取工序28a和读取工序28b之间设置图像存储工序29。在图像存储工序29中，使所有薄膜晶体管2b2处于截止状态，并且所有光电转换部2b(存储电容器2b3)中能够储存与在闪烁体5中产生的荧光的强弱分布相应的电荷。在图像存储工序29中储存的电荷能够在图像存储工序29之后执行的读取工序28b中作为图像数据S2来读取。
即，当入射放射线检测部6判定为X射线的入射已开始的情况下，信号检测电路32能够执行读取工序28a,该读取工序28a在薄膜晶体管2b2处于导通状态时进一步读取图像数据S2。控制电路31在读取工序28a之后，能够执行图像存储工序29，该图像存储工序29使所有薄膜晶体管2b2处于截止状态。
信号检测电路32能够在图像存储工序29之后执行读取工序28b，该读取工序28b在使薄膜晶体管2b2处于导通状态时读取图像数据S2。
图像存储工序29的期间能够比X射线的入射期间要长。这样，X射线的入射能够在图像存储工序29的期间中结束。另外，图像存储工序29的期间能够根据X射线的入射期间而变更。
在图像存储工序29中，即使X射线入射，由于未扫描控制线2c1，所以不会产生由上述电阻值的变化而引起的图像斑点。因此，在读取工序28b中，将在图像存储工序29中储存的电荷读取为图像数据S2，若对在读取工序28a、28b中读取出的图像数据S2进行相加，能够力图抑制图像斑点。
即，图像处理部4能够将在读取工序28a中读取出的图像数据S2和在读取工序28b中读取出的图像数据S2相加。
在该情况下，在读取工序28b中，无法获取校正数据S3。因此，基于读取工序28a中的校正数据S3，能够判断是否需要校正图像数据S2。
此外，当薄膜晶体管2b2处于截止状态时，信号检测电路32能够在读取工序28a中读取校正数据S3。
在读取工序28a中，信号检测电路32能够在读取图像数据S2之前、在读取出图像数据S2之后、以及在读取图像数据S2之前和在读取出图像数据S2之后的任一个中读取校正数据S3。
图像处理部4使用校正数据S3，能够对在读取工序28a中读取出的图像数据S2进行校正。
若设置图像存储工序29，则能够将在读取工序28a、28b中读取出的图像数据S2相加，因此能够减少要相加的图像数据的数量，能够进一步抑制因噪声叠加而引起的图像劣化。另外，由于不使用X射线的入射结束后紧接着的残影较大的状态的图像数据S2，所以也能够减轻因残影而引起的图像伪影。
因此，作为本实施方式所涉及的X射线检测器1，能够高精度地检测X射线的入射开始时刻，并且能够提高X射线图像的质量。
此外，若设置图像存储工序29，则能够充分确保判定有X射线入射的时间，因此能够抑制产生误判定的情况。
另外，在图像存储工序29中，由于不执行控制线2c1的扫描、以及图像数据S2和校正数据S3的读取，所以能够减少构建一张X射线图像所需的功率。因此，即使假设反复执行读取工序28a、图像存储工序29以及读取工序28b，也能够降低平均功耗。另外，能够抑制噪声增加、或因温度上升而产生的对摄影时间的限制。
以上，对本发明的几个实施方式进行了例示，但这些实施方式只是作为示例而呈现，而并非要对发明的范围进行限定。这些新的实施方式可以通过其他各种方式来实施，在不脱离发明要旨的范围内，可进行各种省略、置换、变更等。这些实施方式及其变形均包含在发明范围和要旨中，并且也包含在权利要求书的范围所记载的发明及其等同范围内。此外，上述各实施方式能相互组合地进行实施。

Claims (8)

1.一种放射线检测器，其特征在于，包括：
基板；
多条控制线，该多条控制线设置在所述基板上，沿着第一方向延伸；
多条数据线，该多条数据线设置在所述基板上，沿着与所述第一方向相交的第二方向延伸；
多个检测部，该多个检测部具有与对应的所述控制线以及对应的所述数据线电连接的薄膜晶体管，并直接地或与闪烁体协同地检测放射线；
控制电路，该控制电路对所述薄膜晶体管的导通状态与截止状态进行切换；
信号检测电路，该信号检测电路在所述薄膜晶体管处于导通状态时读取图像数据；以及
入射放射线检测部，该入射放射线检测部基于所述薄膜晶体管处于导通状态时读取出的图像数据的值来判定所述放射线的入射开始时刻，
在所述入射放射线检测部判定为所述放射线已开始入射时，
所述信号检测电路执行第一读取工序，该第一读取工序在所述薄膜晶体管处于导通状态时进一步读取图像数据，
所述控制电路执行图像存储工序，该图像存储工序在所述第一读取工序之后使所有所述薄膜晶体管处于截止状态。
2.如权利要求1所述的放射线检测器，其特征在于，
所述图像存储工序的期间比所述放射线的入射期间要长。
3.如权利要求1或2所述的放射线检测器，其特征在于，
所述放射线的入射在所述图像存储工序的期间中结束。
4.如权利要求1至3中任一项所述的放射线检测器，其特征在于，
所述信号检测电路在所述图像存储工序之后执行第二读取工序，该第二读取工序在所述薄膜晶体管处于导通状态时读取图像数据。
5.如权利要求4所述的放射线检测器，其特征在于，
还包括图像处理部，该图像处理部基于所述图像数据来构建放射线图像，
所述图像处理部将在所述第一读取工序中读取出的所述图像数据、与在所述第二读取工序中读取出的所述图像数据进行相加。
6.如权利要求5所述的放射线检测器，其特征在于，
所述信号检测电路在所述第一读取工序中，在所述薄膜晶体管处于截止状态时进一步读取校正数据。
7.如权利要求6所述的放射线检测器，其特征在于，
所述信号检测电路在所述第一读取工序中，在读取所述图像数据之前、读取出所述图像数据之后、以及读取所述图像数据之前和读取出所述图像数据之后中的任一个中，读取所述校正数据。
8.如权利要求6或7所述的放射线检测器，其特征在于，
所述图像处理部使用所述校正数据，对在所述第一读取工序中读取出的所述图像数据进行校正。
CN202080027038.1A 2019-04-04 2020-02-21 放射线检测器 Active CN113711085B (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2019-071958 2019-04-04
JP2019071958A JP6567792B1 (ja) 2019-04-04 2019-04-04 放射線検出器
PCT/JP2020/007061 WO2020202889A1 (ja) 2019-04-04 2020-02-21 放射線検出器

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN113711085A true CN113711085A (zh) 2021-11-26
CN113711085B CN113711085B (zh) 2024-03-15

Family

ID=67766682

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202080027038.1A Active CN113711085B (zh) 2019-04-04 2020-02-21 放射线检测器

Country Status (6)

Country Link
US (1) US11733400B2 (zh)
EP (1) EP3951437A4 (zh)
JP (1) JP6567792B1 (zh)
CN (1) CN113711085B (zh)
TW (1) TWI737206B (zh)
WO (1) WO2020202889A1 (zh)

Citations (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3721839A (en) * 1971-03-24 1973-03-20 Philips Corp Solid state imaging device with fet sensor
JP2002345797A (ja) * 2001-05-25 2002-12-03 Canon Inc 放射線撮像装置及び放射線撮像システム
JP2003083916A (ja) * 2001-09-17 2003-03-19 Mitsui Eng & Shipbuild Co Ltd Ｘ線映像装置
CN1518953A (zh) * 2003-01-29 2004-08-11 ͨ�õ�����˾ 用来校正数字x射线图像的方法和设备
CN1638445A (zh) * 2003-12-25 2005-07-13 佳能株式会社 处理噪声信号和光电转换信号的成像装置
JP2009233044A (ja) * 2008-03-26 2009-10-15 Fujifilm Corp 放射線画像検出装置
TW201140124A (en) * 2010-04-15 2011-11-16 Hamamatsu Photonics Kk Radiation detector module
US20120132821A1 (en) * 2010-11-26 2012-05-31 Fujifilm Corporation Radiation image detecting device and control method thereof
WO2012114765A1 (ja) * 2011-02-25 2012-08-30 富士フイルム株式会社 乳房画像撮影装置
WO2012132319A1 (ja) * 2011-03-28 2012-10-04 富士フイルム株式会社 放射線画像撮影方法、並びに、放射線検出器および放射線画像撮影装置
JP2013000440A (ja) * 2011-06-20 2013-01-07 Konica Minolta Medical & Graphic Inc 放射線画像撮影システムおよび放射線画像撮影装置
US20130015327A1 (en) * 2011-07-15 2013-01-17 Konica Minolta Medical & Graphic, Inc. Radiation image capturing apparatus
TW201349252A (zh) * 2012-05-28 2013-12-01 Fujifilm Corp 放射線影像檢測裝置
TW201415611A (zh) * 2012-09-27 2014-04-16 Fujifilm Corp 放射線畫像檢測裝置
CN103856728A (zh) * 2012-12-05 2014-06-11 索尼公司 固态成像器件和电子系统
US20150078530A1 (en) * 2013-09-18 2015-03-19 Carestream Health, Inc. Digital radiography detector image readout process
US20150301200A1 (en) * 2010-09-28 2015-10-22 Fujifilm Corporation Radiographic image detector
JP2015186005A (ja) * 2014-03-24 2015-10-22 キヤノン株式会社 放射線撮像装置及び放射線撮像システム
US20150334323A1 (en) * 2014-05-16 2015-11-19 Kabushiki Kaisha Toshiba Solid-state imaging device
JP2016192766A (ja) * 2016-05-09 2016-11-10 キヤノン株式会社 放射線撮像装置及び放射線撮像システム
US20170231593A1 (en) * 2016-02-16 2017-08-17 Fujifilm Corporation Radiation image processing apparatus, radiation image processing method, and recording medium having radiation image processing program stored therein
JP2018107598A (ja) * 2016-12-26 2018-07-05 東芝電子管デバイス株式会社 放射線検出器
CN108476294A (zh) * 2016-01-06 2018-08-31 东芝电子管器件株式会社 放射线检测器
CN109244172A (zh) * 2017-07-11 2019-01-18 佳能电子管器件株式会社 放射线检测器

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS57211208A (en) 1981-06-23 1982-12-25 Toshiba Corp Cooling structure of superconductive magnet
JP5764468B2 (ja) * 2010-11-26 2015-08-19 富士フイルム株式会社 放射線画像検出装置、及び放射線画像撮影システム
JP5731444B2 (ja) * 2011-07-07 2015-06-10 富士フイルム株式会社 放射線検出器、放射線画像撮影装置、及び放射線画像撮影システム
FR2977977B1 (fr) 2011-07-13 2013-08-30 Trixell Procede de commande d'un detecteur photosensible par detection automatique d'un rayonnement incident
JP2016134776A (ja) * 2015-01-20 2016-07-25 株式会社東芝 欠陥検査装置、放射線検出器、および欠陥検査方法
JP6639353B2 (ja) 2016-07-29 2020-02-05 富士フイルム株式会社 放射線画像撮影システム、放射線画像撮影方法、及び放射線画像撮影プログラム
EP3624441A4 (en) * 2017-05-10 2021-01-13 Brillnics Inc. SOLID IMAGE RECORDING DEVICE, DRIVING METHOD FOR SOLID IMAGE RECORDING DEVICE AND ELECTRONIC DEVICE

Patent Citations (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3721839A (en) * 1971-03-24 1973-03-20 Philips Corp Solid state imaging device with fet sensor
JP2002345797A (ja) * 2001-05-25 2002-12-03 Canon Inc 放射線撮像装置及び放射線撮像システム
JP2003083916A (ja) * 2001-09-17 2003-03-19 Mitsui Eng & Shipbuild Co Ltd Ｘ線映像装置
CN1518953A (zh) * 2003-01-29 2004-08-11 ͨ�õ�����˾ 用来校正数字x射线图像的方法和设备
CN1638445A (zh) * 2003-12-25 2005-07-13 佳能株式会社 处理噪声信号和光电转换信号的成像装置
JP2009233044A (ja) * 2008-03-26 2009-10-15 Fujifilm Corp 放射線画像検出装置
TW201140124A (en) * 2010-04-15 2011-11-16 Hamamatsu Photonics Kk Radiation detector module
US20150301200A1 (en) * 2010-09-28 2015-10-22 Fujifilm Corporation Radiographic image detector
US20120132821A1 (en) * 2010-11-26 2012-05-31 Fujifilm Corporation Radiation image detecting device and control method thereof
WO2012114765A1 (ja) * 2011-02-25 2012-08-30 富士フイルム株式会社 乳房画像撮影装置
WO2012132319A1 (ja) * 2011-03-28 2012-10-04 富士フイルム株式会社 放射線画像撮影方法、並びに、放射線検出器および放射線画像撮影装置
JP2013000440A (ja) * 2011-06-20 2013-01-07 Konica Minolta Medical & Graphic Inc 放射線画像撮影システムおよび放射線画像撮影装置
US20130015327A1 (en) * 2011-07-15 2013-01-17 Konica Minolta Medical & Graphic, Inc. Radiation image capturing apparatus
TW201349252A (zh) * 2012-05-28 2013-12-01 Fujifilm Corp 放射線影像檢測裝置
TW201415611A (zh) * 2012-09-27 2014-04-16 Fujifilm Corp 放射線畫像檢測裝置
CN103856728A (zh) * 2012-12-05 2014-06-11 索尼公司 固态成像器件和电子系统
US20150078530A1 (en) * 2013-09-18 2015-03-19 Carestream Health, Inc. Digital radiography detector image readout process
JP2015186005A (ja) * 2014-03-24 2015-10-22 キヤノン株式会社 放射線撮像装置及び放射線撮像システム
US20150334323A1 (en) * 2014-05-16 2015-11-19 Kabushiki Kaisha Toshiba Solid-state imaging device
CN108476294A (zh) * 2016-01-06 2018-08-31 东芝电子管器件株式会社 放射线检测器
US20170231593A1 (en) * 2016-02-16 2017-08-17 Fujifilm Corporation Radiation image processing apparatus, radiation image processing method, and recording medium having radiation image processing program stored therein
JP2016192766A (ja) * 2016-05-09 2016-11-10 キヤノン株式会社 放射線撮像装置及び放射線撮像システム
JP2018107598A (ja) * 2016-12-26 2018-07-05 東芝電子管デバイス株式会社 放射線検出器
CN109244172A (zh) * 2017-07-11 2019-01-18 佳能电子管器件株式会社 放射线检测器

Also Published As

Publication number Publication date
TW202043805A (zh) 2020-12-01
EP3951437A4 (en) 2022-12-28
JP2020170957A (ja) 2020-10-15
CN113711085B (zh) 2024-03-15
TWI737206B (zh) 2021-08-21
EP3951437A1 (en) 2022-02-09
WO2020202889A1 (ja) 2020-10-08
JP6567792B1 (ja) 2019-08-28
US11733400B2 (en) 2023-08-22
KR20210133294A (ko) 2021-11-05
US20220043168A1 (en) 2022-02-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US9835732B2 (en) Radiation imaging apparatus and radiation imaging system
US8866090B2 (en) Radiation detecting element and radiographic imaging device
JP4965931B2 (ja) 放射線撮像装置、放射線撮像システム、その制御方法、及び制御プログラム
US11090018B2 (en) Radiation imaging apparatus, radiation imaging system, control method of radiation imaging apparatus, and non-transitory computer-readable storage medium
KR19990045663A (ko) 방사선 검출 장치 및 검출 방법
CN109244172B (zh) 放射线检测器
KR20180088439A (ko) 방사선 검출기
CN110115027B (zh) 放射线成像装置和放射线成像系统
CN113711085B (zh) 放射线检测器
JP2017188784A (ja) 欠陥画素検出装置、放射線検出器、および欠陥画素検出方法
KR102674553B1 (ko) 방사선 검출기
JP2018107598A (ja) 放射線検出器
JP7236916B2 (ja) 放射線検出器
JP2020081325A (ja) 放射線検出器
CN110261884B (zh) 放射线检测器
JP7003015B2 (ja) 放射線検出器
JP7061420B2 (ja) 放射線検出器
JP6555893B2 (ja) 放射線撮像装置および放射線撮像システム
CN116324517A (zh) 放射线检测器
JP2019161614A (ja) 放射線検出器
JP2020010161A (ja) 放射線検出器
CN111385494A (zh) 固体摄像元件

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant