KR102658357B1 - 에너지 전환효율이 향상된 페로브스카이트 태양전지 - Google Patents
에너지 전환효율이 향상된 페로브스카이트 태양전지 Download PDFInfo
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- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 title claims abstract description 32
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 117
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 56
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 41
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 41
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 41
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 claims abstract description 21
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 16
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 12
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 12
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 claims description 11
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 11
- 239000002243 precursor Substances 0.000 claims description 11
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 238000000231 atomic layer deposition Methods 0.000 claims description 10
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 7
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 7
- 239000001307 helium Substances 0.000 claims description 6
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 claims description 4
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 4
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 238000003860 storage Methods 0.000 claims description 4
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 3
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 abstract description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 14
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- XDXWNHPWWKGTKO-UHFFFAOYSA-N 207739-72-8 Chemical compound C1=CC(OC)=CC=C1N(C=1C=C2C3(C4=CC(=CC=C4C2=CC=1)N(C=1C=CC(OC)=CC=1)C=1C=CC(OC)=CC=1)C1=CC(=CC=C1C1=CC=C(C=C13)N(C=1C=CC(OC)=CC=1)C=1C=CC(OC)=CC=1)N(C=1C=CC(OC)=CC=1)C=1C=CC(OC)=CC=1)C1=CC=C(OC)C=C1 XDXWNHPWWKGTKO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical group O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 6
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 6
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 6
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 5
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 5
- -1 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 5
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 4
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 4
- 238000002207 thermal evaporation Methods 0.000 description 4
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 4
- ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 7553-56-2 Chemical compound [I] ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- XMBWDFGMSWQBCA-UHFFFAOYSA-N hydrogen iodide Chemical compound I XMBWDFGMSWQBCA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052740 iodine Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011630 iodine Substances 0.000 description 3
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- 239000004408 titanium dioxide Substances 0.000 description 3
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920002284 Cellulose triacetate Polymers 0.000 description 2
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 2
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 2
- NNLVGZFZQQXQNW-ADJNRHBOSA-N [(2r,3r,4s,5r,6s)-4,5-diacetyloxy-3-[(2s,3r,4s,5r,6r)-3,4,5-triacetyloxy-6-(acetyloxymethyl)oxan-2-yl]oxy-6-[(2r,3r,4s,5r,6s)-4,5,6-triacetyloxy-2-(acetyloxymethyl)oxan-3-yl]oxyoxan-2-yl]methyl acetate Chemical compound O([C@@H]1O[C@@H]([C@H]([C@H](OC(C)=O)[C@H]1OC(C)=O)O[C@H]1[C@@H]([C@@H](OC(C)=O)[C@H](OC(C)=O)[C@@H](COC(C)=O)O1)OC(C)=O)COC(=O)C)[C@@H]1[C@@H](COC(C)=O)O[C@@H](OC(C)=O)[C@H](OC(C)=O)[C@H]1OC(C)=O NNLVGZFZQQXQNW-ADJNRHBOSA-N 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 2
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920000301 poly(3-hexylthiophene-2,5-diyl) polymer Polymers 0.000 description 2
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 2
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- 238000000427 thin-film deposition Methods 0.000 description 2
- SNFCXVRWFNAHQX-UHFFFAOYSA-N 9,9'-spirobi[fluorene] Chemical compound C12=CC=CC=C2C2=CC=CC=C2C21C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=C21 SNFCXVRWFNAHQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000144 PEDOT:PSS Polymers 0.000 description 1
- 229920012266 Poly(ether sulfone) PES Polymers 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001450 anions Chemical class 0.000 description 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 1
- 239000002041 carbon nanotube Substances 0.000 description 1
- 229910021393 carbon nanotube Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001768 cations Chemical group 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- JAONJTDQXUSBGG-UHFFFAOYSA-N dialuminum;dizinc;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3].[Zn+2].[Zn+2] JAONJTDQXUSBGG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003618 dip coating Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 229910021389 graphene Inorganic materials 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
- 238000001947 vapour-phase growth Methods 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 1
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0216—Coatings
- H01L31/02161—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
- H01L31/02167—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
- H01L31/02168—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells the coatings being antireflective or having enhancing optical properties for the solar cells
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- H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
- H01L31/036—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes
- H01L31/0392—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes including thin films deposited on metallic or insulating substrates ; characterised by specific substrate materials or substrate features or by the presence of intermediate layers, e.g. barrier layers, on the substrate
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- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
- H01L31/186—Particular post-treatment for the devices, e.g. annealing, impurity gettering, short-circuit elimination, recrystallisation
- H01L31/1864—Annealing
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/549—Organic PV cells
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
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- Sustainable Development (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Sustainable Energy (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
본 발명은 에너지 전환효율이 향상된 페로브스카이트 태양전지에 관한 것으로, 투명전도성산화물로 이루어진 투명박막층이 형성된 기판, 상기 투명박막층의 상부면에 형성되는 산화알루미늄박막층, 상기 산화알루미늄박막층의 상부면에 형성되는 산화주석박막층, 상기 산화주석박막층의 상부면에 형성되는 페로브스카이트박막층, 상기 페로브스카이트박막층의 상부면에 형성되는 정공수송층 및 상기 정공수송층의 상부면에 형성되는 상부전극으로 이루어진다.
상기의 과정을 통해 제조되는 태양전지는 산화알루미늄박막층과 산화주석박막층이 형성되어 우수한 에너지 전환효율성을 나타낸다.
상기의 과정을 통해 제조되는 태양전지는 산화알루미늄박막층과 산화주석박막층이 형성되어 우수한 에너지 전환효율성을 나타낸다.
Description
본 발명은 에너지 전환효율이 향상된 페로브스카이트 태양전지에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 산화알루미늄박막층과 산화주석박막층이 형성되어 우수한 에너지 전환효율성을 나타내는 태양전지를 제공하는 에너지 전환효율이 향상된 페로브스카이트 태양전지에 관한 것이다.
전세계적으로 에너지 수급문제 해결과 환경유해물질의 배출억제를 위해 신재생에너지 기술개발에 대한 연구 및 투자가 꾸준히 증가되고 있으며, 현재까지 개발된 다양한 신재생에너지 기술 중에서 태양전지는 보다 친환경적이고, 20년 이상의 긴 수명을 갖고 있어 환경문제를 해결할 수 있는 중요한 대안으로 평가받아 왔다.
태양전지는 태양광에너지를 전기에너지로 전환해 주는 소자로, 현재 상업화된 태양전지는 대부분이 결정질 실리콘계인데, 실리콘계 태양전지는 제조원가에서 기판 가격이 차지하는 비율이 높아 원재료인 실리콘의 공급가격에 따라 시장가격이 좌우되는 불안정성이 있고, 복잡한 제조공정을 거쳐야 하는 단점이 있었다.
반면, 최근에 활발히 개발 중인 페로브스카이트 박막 태양전지는 기판으로 유리나 플라스틱을 사용하여 기판에 의한 가격의존성이 낮으며, 실리콘계 태양전지보다 저렴한 제조원가로 높은 효율의 태양전지를 구현할 수 있어 향후 실리콘 태양전지를 대체할 수 있는 기술로 주목받고 있다.
페로브스카이트 태양전지에서 전기를 발생하는 부분은 페로브스카이트 박막이며, 페로브스카이트 물질은 고유의 ABX3(X: 음이온, A, B: 양이온) 구조를 갖는데, 에너지 전환효율을 높이기 위해 페로브스카이트 박막 하부에는 전자 수송층(ETL, Electron Transport Layer)을 삽입하고, 페로브스카이트 박막 상부에는 정공수송층(HTL, Hole Transport Layer)를 증착한다.
상기의 전자수송층은 비진공 공정이 가능하여 현재까지는 주로 회전 도포법(spin-coating)이나 침전법(dip-coating) 등의 용액공정이 많이 개발되어 왔으며, 전자수송층의 재료로는 이산화티타늄(TiO2)이 가장 많이 사용되어 왔고, 최근에는 산화주석(SnO2) 등이 적용되고 있는데, 전자수송층의 재료로, 이산화티타늄이나 산화주석 등이 단독 또는 복합적으로 적용된 경우에는 에너지 전화효율성이 낮은 문제점이 있었다.
본 발명의 목적은 산화알루미늄박막층과 산화주석박막층이 형성되어 우수한 에너지 전환효율성을 나타내는 태양전지를 제공하는 에너지 전환효율이 향상된 페로브스카이트 태양전지를 제공하는 것이다.
본 발명의 목적은 투명전도성산화물로 이루어진 투명박막층이 형성된 기판, 상기 투명박막층의 상부면에 형성되는 산화알루미늄박막층, 상기 산화알루미늄박막층의 상부면에 형성되는 산화주석박막층, 상기 산화주석박막층의 상부면에 형성되는 페로브스카이트박막층, 상기 페로브스카이트박막층의 상부면에 형성되는 정공수송층 및 상기 정공수송층의 상부면에 형성되는 상부전극으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 에너지 전환효율이 향상된 페로브스카이트 태양전지를 제공함에 의해 달성된다.
본 발명의 바람직한 특징에 따르면, 상기 산화알루미늄박막층과 상기 산화주석박막층은 2 내지 10회 반복되어 형성되는 것으로 한다.
본 발명의 더 바람직한 특징에 따르면, 상기 산화알루미늄박막층과 상기 산화주석박막층은 회전도포법, 침전법, 스퍼터법, 열증발법, 화학기상증착법 및 원자층증착법으로 이루어진 그룹에서 선택된 하나로 형성되는 것으로 한다.
본 발명의 더욱 바람직한 특징에 따르면, 상기 산화알루미늄박막층은 0.5 내지 30 나노미터의 두께로 형성되는 것으로 한다.
본 발명의 더욱 더 바람직한 특징에 따르면, 상기 산화주석박막층은 10 내지 100 나노미터의 두께로 형성되는 것으로 한다.
본 발명의 더욱 더 바람직한 특징에 따르면, 상기 산화알루미늄박막층과 상기 산화주석박막층 형성 후에는 열처리 과정이 더 진행되며, 상기 열처리는 150 내지 550℃의 온도로 진행되는 것으로 한다.
본 발명의 더욱 더 바람직한 특징에 따르면, 상기 열처리는 0.01 내지 10 Torr의 진공상태에서 진행되는 것으로 한다.
본 발명의 더욱 더 바람직한 특징에 따르면, 상기 열처리는 헬륨, 질소, 아르곤 및 산소로 이루어진 그룹에서 선택된 하나 이상으로 이루어진 가스 분위기에서 이루어지는 것으로 한다.
본 발명에 따른 에너지 전환효율이 향상된 페로브스카이트 태양전지는 산화알루미늄박막층과 산화주석박막층이 형성되어 우수한 에너지 전환효율성을 나타내는 태양전지를 제공하는 탁월한 효과를 나타낸다.
도 1은 본 발명에 따른 에너지 전환효율이 향상된 페로브스카이트 태양전지를 나타낸 분해사시도이다.
도 2는 본 발명의 실시예 1을 통해 제조된 에너지 전환효율이 향상된 페로브스카이트 태양전지의 단면을 주사전자현미경(SEM)으로 촬영하여 나타낸 사진이다.
도 3은 본 발명의 실시예 1 및 비교예 1 내지 2를 통해 제조된 페로브스카이트 태양전지의 전류-전압 특성을 측정하여 나타낸 그래프이다.
도 2는 본 발명의 실시예 1을 통해 제조된 에너지 전환효율이 향상된 페로브스카이트 태양전지의 단면을 주사전자현미경(SEM)으로 촬영하여 나타낸 사진이다.
도 3은 본 발명의 실시예 1 및 비교예 1 내지 2를 통해 제조된 페로브스카이트 태양전지의 전류-전압 특성을 측정하여 나타낸 그래프이다.
이하에는, 본 발명의 바람직한 실시예와 각 성분의 물성을 상세하게 설명하되, 이는 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 발명을 용이하게 실시할 수 있을 정도로 상세하게 설명하기 위한 것이지, 이로 인해 본 발명의 기술적인 사상 및 범주가 한정되는 것을 의미하지는 않는다.
본 발명에 따른 에너지 전환효율이 향상된 페로브스카이트 태양전지는 투명전도성산화물로 이루어진 투명박막층(11)이 형성된 기판(10), 상기 투명박막층(11)의 상부면에 형성되는 산화알루미늄박막층(20), 상기 산화알루미늄박막층(20)의 상부면에 형성되는 산화주석박막층(30), 상기 산화주석박막층(30)의 상부면에 형성되는 페로브스카이트박막층(40), 상기 페로브스카이트박막층(40)의 상부면에 형성되는 정공수송층(50) 및 상기 정공수송층(50)의 상부면에 형성되는 상부전극(60)으로 이루어진다.
상기 기판(10)은 일면에 투명전도성산화물(TCO, transparent conductive oxide)로 이루어진 투명박막층(11) 400 내지 600 나노미터의 두께로 형성되는데, 상기 투명박막층(11)은 하부전극으로 작용하며, 발생되는 전자를 포집하는 역할을 한다.
상기 기판(10)은 투명전도성산화물로 이루어진 투명박막층(11)을 지지하기 위한 지지체의 역할을 수행할 수 있으며, 광이 투과되는 투명 기판이면 제한되지 않고 사용할 수 있으며, 통상의 태양전지에서 전면전극 상에 위치할 수 있는 기판이면 제한되지 않고 사용할 수 있다. 예를 들어, 상기 기판은 유리 기판을 포함하는 경성(rigid) 기판 또는 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET), 폴리에틸렌나프탈레이트(PEN), 폴리이미드(PI), 폴리카보네이트(PC), 폴리프로필렌(PP), 트리아세틸셀룰로오스(TAC), 폴리에테르술폰(PES) 등을 포함하는 연성(flexible) 기판일 수 있다.
이때, 상기 투명박막층은 알루미늄이 도핑된 산화아연(AZO; Aluminium-zinc oxide;ZnO:Al;), 산화인듐주석(ITO;indium-tin oxide), 산화아연(ZnO), 산화알루미늄주석(ATO;Aluminium-tin oxide; SnO2:Al), 불소함유 산화주석(FTO:Fluorine-doped tin oxide), 그래핀(graphene), 탄소나노튜브 및 PEDOT:PSS 등일 수 있으나, 이에 제한되지 않는다.
상기 산화알루미늄박막층(20)은 상기 투명박막층(11)의 상부면에 0.5 내지 30 나노미터의 두께로 형성되며, 산화알루미늄으로 이루어지는데, 회전도포법, 침전법, 스퍼터법, 열증발법, 화학기상증착법 및 원자층증착법으로 이루어진 그룹에서 선택된 하나의 방법을 이용하여 형성되는 것이 바람직하다.
상기의 방법 중 일예로, 원자층증착법을 이용해 상기 산화알루미늄박막층을 형성하는 과정을 설명하면, 상기 투명박막층의 상부면에 산화알루미늄 박막을 증착하여 전자 수송층을 생성하는 과정으로 알루미늄(Al) 또는 산화물질을 챔버 내에 순차적으로 공급하여 증착시키는 순차 공정으로 이루어진다.
이때, 상기 알루미늄 증착 공정에 사용되는 전구체로는 TMA(CH3)3Al 및 MTMA(CH3)3N(CH2)5CH3Al로 이루어진 그룹에서 선택된 하나 이상을 사용할 수 있으며, 알루미늄 전구체 보관용기(canister)의 온도는 -20 내지 50℃까지 설정한다. 그리고 캐니스터에서 챔버로 이어지는 공급 라인의 온도는 30 내지 100℃로 유지하는 것이 바람직하다.
또한, 알루미늄 증착 공정을 위한 캐리어 가스는 헬륨(He), 질소(N2) 및 아르곤(Ar) 등을 사용할 수 있다.
또한, 알루미늄 증착 공정을 위한 반응챔버 내 서셉터(susceptor)의 온도는 50 내지 500℃까지 설정할 수 있고 추가로 샤워헤드 온도를 조절할 수 있는데, 30내지 100℃까지 설정할 수 있으며, 이때의 공정 압력은 10 내지 100mTorr로 조절된다.
상기의 과정을 통해 알루미늄 증착공정이 진행된 이후에는 산화공정이 수행되는데, 증착된 알루미늄의 산화 공정에 사용되는 산화물질은 물(H2O), 산소(O2) 및 오존(O3)등이이며, 공정가스로도 사용할 수 있는데, 반응가스의 질량농도는 10 내지 90% 수준으로 사용할 수 있다.
또한, 산화물질 보관용기의 온도는 -30 내지 50℃까지 설정되며, 캐니스터에서 챔버로 이어지는 공급 라인의 온도는 30 내지 100℃로 유지하는 것이 바람직하다.
또한, 상기의 조건으로 진행되는 산화공정을 통해 산화알루미늄박막층(20)이 형성된 후에는, 비진공 또는 진공 조건에서 열처리 과정이 더 진행될 수 있는데, 이때, 상기 열처리 온도는 50 내지 500℃에서 이루어질 수 있으며, 추가로 아르곤(Ar), 질소(N2) 및 산소(O2)로 이루어진 그룹에서 선택된 하나 이상으로 이루어지는 가스를 주입하는 분위기에서 이루어지는 것이 바람직하며, 상기 진공 조건은 0.01 내지 10 Torr인 것이 바람직하다.
상기 산화알루미늄박막층(20)을 형성하는 구체적인 공정조건을 아래 표 1에 나타내었다.
<표 1>
상기 산화주석박막층(30)은 상기 산화알루미늄박막층(20)의 상부면에 10 내지 100 나노미터의 두께로 형성되며, 산화주석으로 이루어지는데, 회전도포법, 침전법, 스퍼터법, 열증발법, 화학기상증착법 및 원자층증착법으로 이루어진 그룹에서 선택된 하나의 방법을 이용하여 형성되는 것이 바람직하다.
상기의 방법 중 일예로, 원자층증착법을 이용해 상기 산화주석막층을 형성하는 과정을 설명하면, 상기 산화알루미늄박막층의 상부면에 원자층증착법을 이용해 산화주석 박막을 증착하여 전자 수송층을 생성하는데, 주석(Sn) 또는 물(H2O) 전구체를 챔버 내에 순차적으로 공급하여 증착시키는 순차 공정으로 이루어진다.
이때, 주석 증착 공정에 사용되는 전구체로는 TDMASn, Sn(edpa)2 및 SnCl4 로의 이루어진 그룹에서 선택된 하나 이상으로 이루어지는 것이 사용될 수 있는데, 주석 전구체 보관용기(canister)의 온도는 0 내지 70℃까지 설정한다. 또한, 캐니스터에서 챔버로 이어지는 공급 라인의 온도는 30 내지 100℃로 유지하는 것이 바람직하다.
주석 증착 공정을 위한 캐리어 가스는 헬륨(He), 질소(N2), 아르곤(Ar)을 사용할 수 있으며, 주석 증착 공정을 위한 반응챔버 내 서셉터 온도, 햐워헤드 온도 및 공정압력의 조건은 상기 산화알루미늄박막층(20)의 형성과정에 기재된 내용과 동일하므로, 이에 대한 설명은 생략하기로 한다.
또한, 주석 증착 공정 이후에는 진행되는 산화 공정과 열처리 과정은 상기 산화알루미늄박막층(20) 형성과정에 기재된 내용과 동일하므로, 이에 대한 설명은 생략하기로 한다.
상기 산화알루미늄박막층(20)과 상기 산화주석박막층(30)은 2 내지 10회 반복되어 형성될 수도 있는데, 상기와 같이 산화알루미늄박막층(20)과 상기 산화주석박막층(30)이 2 내지 10회 박복되어 형성되면 태양전지의 에너지 전환효율성이 더욱 향상된다.
상기 산화주석박막층(30)을 형성하는 구체적인 공정조건을 아래 표 2에 나타내었다.
<표 2>
상기 페로브스카이트박막층(40)은 상기 산화주석박막층(30)의 상부면에 형성되며, 태양광을 받아 전자와 정공을 발생시키는 역할을 하는데, 페로브스카이트 물질인 MAPbI3(Methylammonium lead halide, CH3NH3PbI3)박막을 화학기상증착법을 이용하여 형성하는 것이 바람직하다.
상기 페로브스카이트박막층(40)의 형성과정을 더욱 상세하게 설명하면, 상기 산화주석박막층(30)의 상부면에 화학기상증착법(CVD)을 이용해 납(Pb) 또는 아이오딘(I2) 가스를 챔버 내에 동시 혹은 순차적으로 공급하고, 오븐 안에서 상기 증착된 아이오딘화납층 위에 MAI 물질을 승화시켜 MAPbI3 박막을 형성하는데, 이때, 아이오딘화납 박막 증착 단계에서 박막의 증착 속도와 품질을 높이기 위해 플라즈마를 이용할 수 있다.
상기 납 또는 아이오딘 가스를 이용하여 페로브스카이트박막을 형성하는 구체적인 공정조건을 아래 표 3에 나타내었다.
<표 3>
또한, 상기 표 1에 나타낸 조건으로 형성된 페로브카이트 박막의 MAI 처리공정 조건을 아래 표 4에 나타내었다.
<표 4>
상기 정공수송층(50)은 상기 페로브스카이트박막층(40)의 상부면에 형성되며, 상기 페로브스카이트박막층(40)에서 생성된 정공을 상부전극에 원활하게 전달하는 역할을 하는데, 상기 정공수송층(50)의 성분으로는 단분자 또는 고분자 정공 전달 물질을 사용할 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
예를 들어, 상기 단분자 정공수송 물질로서 Spiro-MeOTAD(2,2',7'-tetrakis-(N,Ndi-p-methoxyphenyl-amine)9,9'spirobifluorene)를 사용할 수 있고, 상기 고분자 정공수송 물질로서 P3HT(poly(3-hexylthiophene))를 사용할 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. 또한, 예를 들어, 상기 정공수송층에는 도핑 물질로서 Li 계열 도펀트, Co 계열 도펀트, 또는 Li 계열 도펀트 및 Co 계열 도펀트 모두가 추가 포함될 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
또한, 상기 정공수송층을 형성하는 방법은 회전도포법(spin-coating) 등의 방법으로 수행할 수 있으나, 이에 제한되지 않는다.
상기에 기재된 일예로, Spiro-MeOTAD 박막증착 단계는 페로브스카이트박막층(40)의 상부면에 회전도포법을 이용해 합성된 Spiro-MeOTAD 용액을 도포하여 특정 조건으로 회전시키면서 코팅하여 spiro-MeOTAD 박막을 형성하는 과정으로 이루어지는데, 더욱 상세하게는 회전도포법의 RPM조건은 2000 내지 4000 RPM까지 설정하고, 공정 시간은 20 내지 90초까지 설정할 수 있다. 이후 30 내지 60℃의 온도 범위에서 1 내지 30 분까지 baking 작업을 통해 잔류물을 제거할 수 있다.
또한, 상기의 과정을 통해 정공수송층(50) 증착이 완료되면 산화 공정을 수행하는데, 이 때 산화 시간은 12 내지 72시간 동안 진행되는 것이 바람직하다.
상기 회전도포법을 이용해 spiro-MeOTAD 박막을 형성하는 구체적인 공정조건을 아래 표 5에 나타내었다.
<표 5>
상기 상부전극층(60)은 상기 정공수송층(50)의 상부면에 형성되며, 알루미늄, 칼슘, 은, 아연, 금, 백금, 구리 및 크롬 등의 금속 전극을 사용할 수 있으며, 그 외에도 산화아연 ZnO, AlZnO 등의 투명전도성산화물을 사용할 수 있다.
또한, 상기 상부전극층(60)은 도포법, 증착법 등을 사용할 수 있으나, 금속 전극을 형성할 수 있는 방법이면 이에 제한되지 않고 사용할 수 있다.
이하에서는, 본 발명에 따른 에너지 전환효율이 향상된 페로브스카이트 태양전지의 제조방법 및 그 제조방법으로 제조된 페로브스카이트 태양전지의 물성을 실시예를 들어 설명하기로 한다.
<실시예 1>
진공증착공정을 통해 불소함유 산화주석으로 이루어진 투명박막층이 500nm의 두께로 형성된 기판(유리)의 상부면에 원자층증착법을 이용하여 5 나노미터 두께의 산화알루미늄박막층을 형성하고, 상기 산화알루미늄박막층의 상부면에 원자층증착법을 이용하여 50 나노미터 두께의 산화주석박막층을 형성하고, 상기 산화주석박막층의 상부면에 납(Pb) 또는 아이오딘(I2) 가스를 챔버 내에 동시 혹은 순차적으로 공급하고, 오븐 안에서 상기 증착된 아이오딘화납층 위에 MAI 물질을 승화시켜 MAPbI3 박막으로 이루어진 페로브스카이트박막층을 형성하고, 상기 페로브스카이트박막층의 상부면에 정공수송 물질인 spiro-MeOTAD를 스핀 코팅하여 정공수송층을 형성하고, 상기 정공수송층의 상부면에 열증발법으로 은을 60 나노미터의 두께로 증착하여 상부전극을 형성하는 과정을 통해 셀 면적이 0.075cm2인 에너지 전환효율이 향상된 페로브스카이트 태양전지를 제조하였다.(SnO2/Al2O3)
<비교예 1>
상기 실시예 1과 동일하게 진행하되, 산화주석층을 형성하지 않고 페로브스카이트 태양전지를 제조하였다.(Al2O3)
<비교예 2>
상기 실시예 1과 동일하게 진행하되, 산화알루미늄층을 형성하지 않고 페로브스카이트 태양전지를 제조하였다.(SnO2)
상기 실시예 1을 통해 제조된 페로브스카이트 태양전지의 단면을 주사전자현미경으로 촬영하여 아래 도 2에 나타내었다.
아래 도 2에 나타낸 것처럼, 본 발명의 실시예 1을 통해 제조된 페로브스카이트 태양전지는 산화알루미늄층과 산화주석층이 형성되어 있는 것을 알 수 있다.
또한, 상기 실시예 1 및 비교예 1 내지 2를 통해 제조된 페로브스카이트 태양전지의 전류-전압특성을 측정하여 아래 표 6 및 도 3에 나타내었다.
<표 6>
상기 표 6 및 아래 도 3에 나타낸 것처럼, 본 발명의 실시예 1을 통해 제조된 페로브스카이트 태양전지는 13.8%의 에너지 전환효율을 나타내었다.
반면, 비교예 1과 비교예 2를 통해 제조된 페로브스카이트 태양전지는 각각 4.8%와 7.7%의 에너지 전환효율을 나타내었다.
따라서, 본 발명에 따른 에너지 전환효율이 향상된 페로브스카이트 태양전지는 산화알루미늄박막층과 산화주석박막층이 형성되어 우수한 에너지 전환효율성을 나타내는 페로브스카이트 태양전지를 제공한다.
이상에서 본 발명은 실시예를 중심으로 상세히 설명되었지만 본 발명의 기술사상 범위 내에서 다양한 변형 및 수정이 가능함은 당업자에게 있어서 명백한 것이며, 이러한 변형 및 수정이 첨부된 특허청구범위에 속함은 당연한 것이다.
10 ; 기판
11 ; 투명박막층
20 ; 산화알루미늄박막층
30 ; 산화주석박막층
40 ; 페로브스카이트박막층
50 ; 정공수송층
60 ; 상부전극
11 ; 투명박막층
20 ; 산화알루미늄박막층
30 ; 산화주석박막층
40 ; 페로브스카이트박막층
50 ; 정공수송층
60 ; 상부전극
Claims (8)
- 기판 상에 투명전도성산화물로 이루어진 투명박막층을 형성하고,
상기 투명박막층의 상부면에 산화알루미늄박막층을 형성하고,
상기 산화알루미늄박막층의 상부면에 산화주석박막층을 형성하고,
상기 산화주석박막층의 상부면에 페로브스카이트박막층을 형성하고,
상기 페로브스카이트박막층의 상부면에 정공수송층을 형성하고,
상기 정공수송층의 상부면에 상부전극을 형성하고,
상기 산화알루미늄박막층을 형성 시에는,
상기 투명박막층의 상부면에 산화알루미늄 박막을 증착하여 전자 수송층을 생성 시에, 알루미늄(Al)을 챔버 내에 순차적으로 공급하여 증착시키는 순차 공정으로 이루어지고, 알루미늄 증착 공정에 사용되는 전구체로는 TMA(CH3)3Al 및 MTMA(CH3)3N(CH2)5CH3Al로 이루어진 그룹에서 선택된 하나 이상을 사용하고, 알루미늄 전구체 보관용기(canister)의 온도는 -20 내지 50℃까지 설정하고, 캐니스터에서 챔버로 이어지는 공급 라인의 온도는 30 내지 100℃로 유지하고, 알루미늄 증착 공정을 위한 캐리어 가스는 헬륨(He), 질소(N2) 또는 아르곤(Ar)을 사용하는 원자층증착법을 이용해 상기 산화알루미늄박막층을 형성하고,
상기 산화주석박막층의 형성 시에는,
상기 산화알루미늄박막층의 상부면에 산화주석 박막을 증착하여 전자 수송층을 생성 시에, 주석(Sn) 또는 물(H2O) 전구체를 챔버 내에 순차적으로 공급하여 증착시키는 순차 공정으로 이루어지고, 주석 증착 공정에 사용되는 전구체로는 TDMASn, Sn(edpa)2 및 SnCl4로 이루어진 그룹에서 선택된 하나 이상을 사용하고, 주석 전구체 보관용기(canister)의 온도는 0 내지 70℃까지 설정하고, 캐니스터에서 챔버로 이어지는 공급 라인의 온도는 30 내지 100℃로 유지하고, 주석 증착 공정을 위한 캐리어 가스는 헬륨(He), 질소(N2), 아르곤(Ar)을 사용하는 원자층증착법을 이용해 상기 산화주석박막층을 형성하는 것을 특징으로 하는 에너지 전환효율이 향상된 페로브스카이트 태양전지의 제조 방법.
- 청구항 1에 있어서,
상기 산화알루미늄박막층과 상기 산화주석박막층은 2 내지 10회 반복되어 형성되는 것을 특징으로 하는 에너지 전환효율이 향상된 페로브스카이트 태양전지의 제조 방법.
- 삭제
- 청구항 1에 있어서,
상기 산화알루미늄박막층은 0.5 내지 30 나노미터의 두께로 형성되는 것을 특징으로 하는 에너지 전환효율이 향상된 페로브스카이트 태양전지의 제조 방법.
- 청구항 1에 있어서,
상기 산화주석박막층은 10 내지 100 나노미터의 두께로 형성되는 것을 특징으로 하는 에너지 전환효율이 향상된 페로브스카이트 태양전지의 제조 방법.
- 청구항 1에 있어서,
상기 산화알루미늄박막층과 상기 산화주석박막층 형성 후에는 열처리 과정이 더 진행되며,
상기 열처리는 150 내지 550℃의 온도로 진행되는 것을 특징으로 하는 에너지 전환효율이 향상된 페로브스카이트 태양전지의 제조 방법.
- 청구항 6에 있어서,
상기 열처리는 0.01 내지 10 Torr의 진공상태에서 진행되는 것을 특징으로 하는 에너지 전환효율이 향상된 페로브스카이트 태양전지의 제조 방법.
- 청구항 6에 있어서,
상기 열처리는 헬륨, 질소, 아르곤 및 산소로 이루어진 그룹에서 선택된 하나 이상으로 이루어진 가스 분위기에서 이루어지는 것을 특징으로 하는 에너지 전환효율이 향상된 페로브스카이트 태양전지의 제조 방법.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020210189828A KR102658357B1 (ko) | 2021-12-28 | 2021-12-28 | 에너지 전환효율이 향상된 페로브스카이트 태양전지 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
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Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20230100157A KR20230100157A (ko) | 2023-07-05 |
| KR102658357B1 true KR102658357B1 (ko) | 2024-04-18 |
Family
ID=87159094
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020210189828A KR102658357B1 (ko) | 2021-12-28 | 2021-12-28 | 에너지 전환효율이 향상된 페로브스카이트 태양전지 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR102658357B1 (ko) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR102657093B1 (ko) * | 2023-08-02 | 2024-04-15 | 한국화학연구원 | 플라즈마 ald를 이용한 전자수송층을 통한 박막 계면제어 방법 |
| CN117525212B (zh) * | 2024-01-04 | 2024-03-19 | 无锡松煜科技有限公司 | 一种太阳能电池钝化结构及其制备方法 |
Family Cites Families (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101723824B1 (ko) * | 2015-04-27 | 2017-04-06 | 한국과학기술연구원 | 이온성고분자 물질을 포함하는 유무기 하이브리드 페로브스카이트 광전변환소자용 수분차단막, 이를 포함하는 광전변환소자 및 이의 제조방법 |
| KR101666309B1 (ko) | 2015-05-19 | 2016-10-13 | 서울대학교산학협력단 | 이산화규소 나노입자 지지층 페로브스카이트 태양전지의 제조방법 |
| KR20170040708A (ko) * | 2015-10-05 | 2017-04-13 | 한국에너지기술연구원 | 양면 투명전극을 활용한 높은 내구성을 가지는 유-무기 하이브리드 태양전지 및 이의 제조 방법 |
| KR101828943B1 (ko) | 2015-10-30 | 2018-02-14 | 재단법인 대구경북과학기술원 | 금속 산화물 나노섬유, 나노막대 및 코팅층을 광전극으로 포함하는 페로브스카이트 태양전지 및 이의 제조방법 |
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| KR102191397B1 (ko) * | 2018-10-10 | 2020-12-16 | 재단법인대구경북과학기술원 | 표면 처리된 전자전달층을 포함하는 페로브스카이트 태양전지 및 이의 제조방법 |
| KR102213043B1 (ko) * | 2019-07-22 | 2021-02-05 | 건국대학교 산학협력단 | 무결정형 아연주석 산화물을 제조하기 위한 조성물 및 무결정형 아연주석 산화물층을 포함하는 태양전지 |
-
2021
- 2021-12-28 KR KR1020210189828A patent/KR102658357B1/ko active IP Right Grant
Non-Patent Citations (1)
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|---|
| Zhang, Yongqiang, et al. "ITO/SnO2 Interface Defect Passivation via Atomic Layer Deposited Al2O3 for High-Efficiency Perovskite Solar Cells." physica status solidi(a)218.24(2021):2100406.(2021.10.02.)* |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR20230100157A (ko) | 2023-07-05 |
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