KR102649820B1 - 횡방향 확산 금속 산화물 반도체 장치 - Google Patents

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Abstract

횡방향 확산 금속 산화물 반도체 장치에 있어서, 제1 전도 유형을 갖는 드리프트 영역(3); 드리프트 영역(3) 상에 구비되고, 제2 전도 유형을 갖는 제1 바디 영역(10) 에 있어서, 제1 전도 유형과 제2 전도 유형은 반대되는 전도 유형인 제1 바디 영역; 제1 바디 영역(10) 내에 구비되는 제1 전도 유형 영역(13); 제1 전도 유형 영역(13) 내에 구비되고, 제2 전도 유형을 갖는 제2 바디 영역(12); 제2 바디 영역(12) 내에 구비되고, 제1 전도 유형을 갖는 소스 전극 영역(11); 및 제1 바디 영역(10) 내에 구비되고, 제2 전도 유형을 갖는 접촉 영역(9)을 포함한다.

Description

횡방향 확산 금속 산화물 반도체 장치
본 발명은 2019년 10월 21일 중국 특허청에 제출되고, 출원번호가 2019110016013이며, 발명의 명칭이 "횡방향 확산 금속 산화물 반도체 장치"인 중국 출원의 우선권을 주장하며, 이의 모든 내용은 인용을 통하여 본 발명에 통합되었다.
본 발명은 반도체 제조 분야에 관한 것으로서, 특히 횡방향 확산 금속 산화물 반도체 장치에 관한 것이다.
LDMOS(Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductor, 횡방향 확산 금속 산화물 반도체 장치) 장치 내부에는 바디 다이오드가 존재한다. 바디 다이오드는 장치 속류 기간에 주도 작용을 일으키지만, 바디 다이오드 역방향 회복 기간에, 드리프트 영역의 정공이 P-body, 소스 영역 P+를 거쳐 소스 전극으로 추출되어 돌아올 때, P-body 영역 저항의 존재로 인하여, P-body와 소스 영역 N+ 사이에 일정한 전압 강하가 발생하고, 해당 전압 강하가 P-body와 소스 영역 N+로 구성된 PN 접합의 순방향 도통 전압 강하보도 클 때, 소스 영역 N+, P-body와 N-drift로 구성된 기생 NPN이 온되어, 전류가 급격하게 증가하고, 역방향 회복이 실효되는 현상이 발생한다. 도4에 도시된 바와 같이, 점선은 역방향 회복이 정상적인 것을 표시하고, 실선은 역방향 회복이 실효된 것을 표시한다.
만일 장치 역방향 회복이 실효되면, 회로의 응용에서 기타 장치를 손상시키고, 장치와 회로의 안정성, 신뢰성에 심각한 영향을 미친다.
이를 감안하여, 역방향 회복 실효 문제를 해결할 수 있는 횡방향 확산 금속 산화물 반도체 장치를 제공할 필요성이 있다.
횡방향 확산 금속 산화물 반도체 장치에 있어서, 제1 전도 유형을 갖는 드리프트 영역; 상기 드리프트 영역 상에 구비되고, 제2 전도 유형을 갖는 제1 바디 영역에 있어서, 상기 제1 전도 유형과 제2 전도 유형은 반대되는 전도 유형인 제1 바디 영역; 상기 제1 바디 영역 내에 구비되는 제1 전도 유형 영역; 상기 제1 전도 유형 영역 내에 구비되고, 제2 전도 유형을 갖는 제2 바디 영역; 상기 제2 바디 영역 내에 구비되고, 제1 전도 유형을 갖는 소스 전극 영역; 및 상기 제1 바디 영역 내에 구비되고, 제2 전도 유형을 갖는 접촉 영역을 포함한다.
본 출원의 하나 또는 복수의 실시예의 하기 도면과 설명에서 제시된다. 본 출원의 기타 특징, 목적과 장점은 명세서, 도면 및 특허청구범위를 통하여 더욱 명료해질 것이다.
여기에 공개된 발명의 실시예 및/또는 예시를 더욱 좋게 기술하고 설명하기 위하여, 하나 또는 복수의 도면을 참조할 수 있다. 도면을 기술하는 부가적인 세부 사항 또는 예시는 공개하는 발명, 현재 기술하는 실시예 및/또는 예시 및 현재 이해하고 있는 발명의 최적의 모드 중의 어느 한 범위를 제한하는 것으로 이해해서는 아니된다.
도1은 예시적인 횡방향 확산 금속 산화물 반도체 장치의 단면 구조도이다.
도2는 도1에 도시된 장치의 등가 회로도이다.
도3은 실시예 중의 횡방향 확산 금속 산화물 반도체 장치의 단면 구조도이다.
도4는 LDMOS의 바디 다이오드 역방향 회복 정상 및 역방향 회복 실효 시의 예시적인 전류 곡선이다.
도5는 도3에 도시된 장치의 등가 회로도이다.
도6은 본 출원과 전통적인 횡방향 확산 금속 산화물 반도체 장치의 내압 특성 곡선도이다.
도7은 본 출원과 전통적인 횡방향 확산 금속 산화물 반도체 장치의 도통 능력 특성 곡선도이다.
도8은 동일한 속류 전류 값 하의 역방향 회복 전류(IDS)의 시간에 따른 변화 곡선이다.
본 발명에 대한 이해를 돕기 위하여, 아래 관련 도면을 참조하여 본 발명에 대하여 더욱 상세한 설명을 진행하도록 한다. 도면에서는 본 발명의 가장 바람직한 실시예를 도시하고 있다. 하지만 본 발명은 여러 가지 다른 형식으로 구현될 수 있으며, 본 명세서 기술된 실시예에 한하지 않는다. 이와 반대로, 이러한 실시예를 제공하는 목적은 본 발명의 공개 내용이 더욱 명확해지도록 하기 위한 것이다.
별도의 정의가 있지 않는 한, 본 명세서에서 사용된 모든 기술 및 과학 용어는 본 발명 당업계의 기술자들이 통상적으로 이해하고 있는 뜻과 같다. 본 명세서 중의 본 발명의 설명에 사용된 용어는 구체적인 실시예를 기술하기 위한 것이지 본 발명을 제한하는 것이 아니다. 본 명세서 사용된 “및/또는”에는 하나 또는 복수의 관련 나열된 항목의 임의의 및 모든 조합이 포함된다.
소자 또는 층이 기타 소자 또는 층에 “... 상에 위치”, “...와 인접”, “...에 연결” 또는 “...에 커플링”된다고 할 때, 이는 직접 기타 소자 또는 층 상에 있고, 이와 인접되며, 기타 소자 또는 층에 연결 또는 커플링되거나, 또는 중간의 소자 또는 층이 존재할 수도 있는 것을 이해할 것이다. 반대로, 소자가 “직접... 상에 위치”, “...와 직접 인접”, “직접... 에 연결” 또는 “직접... 에 커플링”된다고 할 때, 중간 소자 또는 층이 존재하지 않는다. 용어 제1, 제2, 제3 등을 사용하여 여러 가지 소자, 부품, 영역, 층 및/또는 부분을 기술할 수 있지만, 이러한 소자, 부품, 영역, 층 및/또는 부분은 이러한 용어의 제한을 받지 않는 것을 이해할 것이다. 이러한 용어는 단지 한 소자, 부품, 영역, 층 또는 부분과 다른 한 소자, 부품, 영역, 층 또는 부분을 구분하기 위한 것이다. 그러므로, 본 발명의 사상에 벗어나지 않는 전제 하에서, 아래 기재된 제1 소자, 부품, 영역, 층 또는 부품은 제2 소자, 부품, 영역, 층 또는 부분으로 표시될 수 있다.
공간 관계 용어 예를 들면 “... 아래에 위치”, “... 하방에 위치”, “아래의”, “...의 아래에 위치”, “...의 위에 위치”, “위의” 등은 설명의 편리를 위하여 사용되어 도면에 도시된 한 소자 또는 특징과 기타 소자 또는 특징의 관계를 기술한다. 도면에 도시된 방향 외, 공간 관계 용어는 또한 사용 및 조작하는 장치의 서로 다른 방향을 포함할 수 있다. 예를 들면, 도면 중의 장치가 뒤집힌 후 “기타 소자 아래에 위치” 또는 “그 아래” 또는 “그 하방”에 있다고 기술되는 소자 또는 특징의 방향은 기타 소자 또는 특징의 “위”에 있다. 그러므로, 예시적 용어 “... 하방에 위치”와 “... 아래에 위치”는 위와 아래 두 방향을 포함할 수 있다. 장치는 별도로 방향을 취할 수 있고(90도 회전 또는 기타 방향) 또한 여기에서 사용되는 공간 기술 용어도 상응하게 해석될 것이다.
여기에서 사용되는 용어의 목적은 단지 구체적인 실시예를 기술하기 위한 것이고 본 발명의 제한하는 것이 아니다. 여기에서 사용될 때, 문맥 상 명확하게 기타 방식을 명시한 것 외, 단수 형식의 “하나”, “한 개”와 “상기/해당”은 또한 복수 형식을 포함할 수 있다. 또한 “구성되다” 및/또는 “포함되다”가 해당 명세서에 사용될 때, 상기 특징, 정수, 단계, 조작, 소자 및/또는 부품의 존재를 결정하는 것이지만, 하나 또는 더욱 많은 기타 특징, 정수, 단계, 조작, 소자, 부품 및/또는 그룹의 존재와 추가를 배제하지 않는 것을 이해할 것이다. 여기에서 사용될 때, 용어 “및/또는”은 관련되어 나열된 항목의 임의의 및 모든 조합을 포함한다.
여기에서는 본 발명의 이상적인 실시예(와 중간 구조)의 도면의 횡단면도를 참조하여 발명의 실시예를 기술한다. 이로써 예를 들면 제조 기술 및/또는 오차로 초래되는 도시된 형상으로부터의 변화를 예상할 수 있다. 그러므로, 본 발명의 실시예는 여기에 도시된 영역의 특정 형상에 제한되지 않고, 예를 들면 제조로 인해 초래된 형상 편차를 포함하여야 한다. 예를 들면, 직사각형으로 표시된 주입 영역은 그 변두리에 통상적으로 둥글거나 만곡된 특징 및/또는 주입 농도 구배를 갖고 있고, 단지 주입 영역으로부터 비주입 영역으로의 2차원의 개변이 아니다. 마찬가지로, 주입을 통하여 형성된 매입 영역은 해당 매입 영역과 주입 진행 시 경과하는 표면 사이의 영역 중의 일부 주입을 초래한다. 그러므로, 도면에 도시된 영역은 실제상 예시적인 것이고, 이들의 형상은 장치의 영역의 실제 형상을 디스플레이하는 뜻이 아니고 또한 본 발명의 범위를 제한하는 것이 아니다.
본문에 사용되는 반도체 분야 용어는 당업계 기술자들의 경상적으로 사용하는 기술 용어로서, 예를 들면 P형과 N형 불순물에 대하여, 도핑 농도를 구분하기 위하여, 간략하게 P+형이 심한 도핑 농도의 P형을 대표하며, P형이 중간 도핑 농도의 P형을 대표하고, P-형이 경한 도핑 농도의 P형을 대표하며, N+형이 심한 도핑 농도의 N형을 대표하고, N형이 중간 도핑 농도의 N형을 대표하며, N-형이 경한 도핑 농도의 N형을 대표한다.
작업 전류가 비교적 큰 장치에 있어서, 그 도통 저항에 대한 요구가 비교적 높고, 항복 전압을 확보하는 조건 하에서 그 저항을 낮추어야 한다. 일반적으로 도통 저항을 낮추는 방식은 드리프트 영역 도핑 농도를 조절하는 것이지만, 도핑 농도를 높이는 것은 항복 전압을 낮추기 때문에, 또한 추가의 구조를 사용하여 항복 전압을 확보하여야 하는 바, 예를 들면 전계판, STI(좁은 트랜치 격리) 기술이며; 그리고 또한 전류의 드리프트 영역에서의 유통 도경을 조절할 수 있는 바, 즉 드리프트 영역 전류 경로가 짧아지게 하고, 드리프트 영역 길이를 감소시키는 등을 통하여 구현한다. 현재 이러한 방면으로부터 출발하여 또한 아주 많은 관련 신형 구조를 파생하였는 바, 예를 들면 RESURF(표면 전계 낮춤) 기술, 구간별 선형 도핑 기술이다. 하지만 이러한 구조는 도통 저항을 낮춤과 아울러 모두 이에 따라 항복 전압을 낮추며, 추가로 조치를 취하여 양자가 모두 설계 지표에 도달하도록 하여야 하기 때문에, 장치의 전반적인 구조에 대한 개변이 비교적 크다.
도1은 예시적인 횡방향 확산 금속 산화물 반도체 장치의 단면 구조도이고, 도2는 도1의 등가 회로도이다. 예시적인 횡방향 확산 금속 산화물 반도체 장치는 P형 기판(P-sub), 매몰 산화물층(BOX), 드리프트 영역(N-drift), 바디 영역(P-body), 버퍼 영역(N-buffer), 드레인 영역 N+, 소스 영역 N+ 및 소스 영역 P+를 포함한다. 도2를 참조하면, LDMOS의 게이트, 소스, 드레인은 각각 g, s, d로 표시하고, 바디 영역과 드리프트 영역이 구성하는 바디 다이오드(D)는 속류 기간에 주도 작용을 일으키지만, 바디 다이오드(D) 역방향 회복 기간에, 드리프트 영역의 정공이 바디 영역, 소스 영역 P+를 거쳐 소스 전극으로 추출되어 돌아올 때, 바디 영역 저항(Rs)의 존재로 인하여, 바디 영역과 소스 영역 N+ 사이에 일정한 전압 강하가 발생하고, 해당 전압 강하가 바디 영역과 소스 영역 N+로 구성된 PN 접합의 순방향 도통 전압 강하보다 클 때, 소스 영역 N+, 바디 영역과 드리프트 영역으로 구성된 기생 NPN이 온되어, 전류가 급격하게 증가하고, 역방향 회복이 실효되는 현상이 발생하는 바, 도4에 도시된 바와 같다. 일 예시적인 솔루션은 트랜치 격리 기술을 사용하는 것이지만, 이렇게 되면 장치의 크기가 커지고, 또한 공정 원가가 높고 비교적 복잡하며, 조건의 제한을 받아 때로는 구현이 어렵다.
도3은 실시예 중의 횡방향 확산 금속 산화물 반도체 장치의 단면 구조도로서, 드리프트 영역(3), 제1 바디 영역(10), 제1 전도 유형 영역(13), 제2 바디 영역(12), 소스 전극 영역(11) 및 접촉 영역(9)을 포함한다. 드리프트 영역(3)은 제1 전도 유형을 갖는다. 제1 전도 유형 영역(13)은 제1 바디 영역(10) 내에 구비된다. 제2 바디 영역(12)은 제1 전도 유형 영역(13) 내에 구비되고, 제2 전도 유형을 갖는다. 소스 전극 영역(11)은 제2 바디 영역(12) 내에 구비되고, 제1 전도 유형을 갖는다. 접촉 영역(9)은 제1 바디 영역(10) 내에 구비되고, 제2 전도 유형을 갖는다.
도3에 도시된 실시예에서, 제1 전도 유형이 N형이고, 제2 전도 유형이 P형이며; 구체적으로 말하면, 드리프트 영역(3)은 N형 드리프트 영역(N-drift)이고, 제1 바디 영역(10)과 제2 바디 영역(12)은 모두 P형 바디 영역이며, 제1 전도 유형 영역(13)은 본 출원에서 격리 작용을 하는 N형 격리층이고, 소스 전극 영역(11)은 소스 영역 N형 심한 도핑 N+ 영역이며, 접촉 영역(9)은 소스 영역 P형 심한 도핑 P+ 영역이다. 다른 일 실시예에서, 또한 제1 전도 유형이 P형이고, 제2 전도 유형이 N형일 수 있다.
상기 횡방향 확산 금속 산화물 반도체 장치는 제2 바디 영역(12)과 제1 전도 유형 영역(13)을 통하여 소스 전극 영역(11)을 제1 바디 영역(10)으로부터 격리시킨다. 이로써 LDMOS의 바디 다이오드 역방향 회복 기간에, 드리프트 영역(3)의 정공이 제1 바디 영역(10), 접촉 영역(9)을 거쳐 소스 전극으로 추출되어 돌아올 때, 제1 바디 영역(10)과 소스 전극 영역(11) 간에 일정한 전압 강하가 발생한다 할지라도, 전자는 소스 전극 영역(11)을 거쳐 제1 바디 영역(10)에 주입될 수 없으며; 정공은 접촉 영역(9)을 통하여 소스 전극으로 추출되어 돌아올 수 있고, 소스 전극 영역(11), 제1 바디 영역(10)과 드리프트 영역(3)이 구성하는 기생 NPN이 온되지 않아, LDMOS의 바디 다이오드가 역방향 회복 기간에, 기생 NPN가 온되어 초래되는 역방향 회복 실효 문제가 해결된다.
도3에 도시된 실시예에서, 횡방향 확산 금속 산화물 반도체 장치는 또한 드리프트 영역(3) 상에 구비되는 드레인 전극 영역(5)을 포함한다. 구체적으로 말하면, 드레인 전극 영역(5)은 드레인 영역 N형 심한 도핑 N+ 영역이다.
도3에 도시된 실시예에서, 횡방향 확산 금속 산화물 반도체 장치는 또한 드리프트 영역(3) 상에 구비되는 버퍼 영역(4)을 포함하고, 버퍼 영역(4)은 드리프트 영역(3) 내에 구비되며, 버퍼 영역(4)은 제1 전도 유형을 갖는다.
도3에 도시된 실시예에서, 횡방향 확산 금속 산화물 반도체 장치는 또한 제2 전도 유형의 기판(1)과 기판 상의 매몰 산화물층(2)을 포함하고, 드리프트 영역(3)은 매몰 산화물층 상에 구비된다. 구체적으로 말하면, 기판(1)은 P-sub이다.
일 실시예에서, 횡방향 확산 금속 산화물 반도체 장치는 또한 소스 전극 영역(11)과 드레인 전극 영역(5) 사이에 구비되는 게이트 전극을 포함한다. 도3에 도시된 실시예에서, 횡방향 확산 금속 산화물 반도체 장치는 또한 소스 전극 영역(11)과 드레인 전극 영역(5) 사이에 구비되는 필드 산화물층(7)을 포함하고, 게이트 전극은 소스 전극 영역(11) 상으로부터 필드 산화물층(7) 상으로 연장되는 다결정 규소 게이트(8)를 포함한다. 다결정 규소 게이트(8)는 소스 전극 영역(11) 상에서 선후로 제2 바디 영역(12) 상, 제1 전도 유형 영역(13) 상, 제1 바디 영역(10) 상을 경과한 후, 필드 산화물층(7) 상으로 연장된다. 도3에 도시된 실시예에서, 접촉 영역(9)과 제1 전도 유형 영역(13) 사이는 제1 바디 영역(10)에 의하여 이격된다.
일 실시예에서, 드리프트 영역(3)과 버퍼 영역(4)의 도핑 농도는 소스 전극 영역(11)과 드레인 전극 영역(5)의 도핑 농도보다 낮다.
일 실시예에서, 제1 바디 영역(10)의 도핑 농도는 접촉 영역(9)의 도핑 농도보다 낮다.
도5를 참조하면, 해당 실시예에서, 횡방향 확산 금속 산화물 반도체 장치는 제1 MOS 트랜지스터, 제2 MOS 트랜지스터, 바디 다이오드(D) 및 기생 NPN 트라이오드를 갖는 것에 등가한다. 도3을 함께 참조하면, 다결정 규소 게이트(8)를 제1 MOS 트랜지스터와 제2 MOS 트랜지스터의 게이트 전극(g)으로 하고, 제1 전도 유형 영역(13)을 제1 MOS 트랜지스터의 소스 전극(s1), 제2 MOS 트랜지스터의 드레인 전극(d2) 및 기생 NPN 트라이오드의 이미터 전극으로 하며, 드레인 전극 영역(5)을 제1 MOS 트랜지스터의 드레인 전극(d1)으로 하고, 소스 전극 영역(11)을 제2 MOS 트랜지스터의 소스 전극(S2)으로 하며, 드리프트 영역(3)을 바디 다이오드(D)의 음극과 기생 NPN 트라이오드의 컬렉터 전극으로 하고, 제1 바디 영역(10)을 바디 다이오드(D) 양극과 기생 NPN 트라이오드의 베이스 전극으로 한다. 제1 바디 영역(10)은 또한 바디 영역 저항(Rs)에 등가한다. 장치의 게이트 전극이 높은 전위에 접속되고, 드레인 전극이 높은 전위에 접속되며, 소스 전극이 낮은 전위에 접속될 때, 다결정 규소 게이트(8) 하의 제1 바디 영역(10)과 제2 바디 영역(12)은 정상적으로 전자 채널을 도치할 수 있고, LDMOS는 순방향 도통을 구현할 수 있다. 게이트 전극이 낮은 전위에 접속되고, 드레인 전극이 높은 전위에 접속되며, 소스 전극이 낮은 전위에 접속될 때, 채널이 오프되고, 장치 내부는 제1 바디 영역(10)과 드리프트 영역(3)으로 구성된 바디 다이오드(D)가 내압을 진행한다. 게이트 전극과 소스 전극이 높은 전위에 쇼트(short) 접속되고, 드레인 전극이 낮은 전위에 접속될 때, 장치 내부는 제1 바디 영역(10)과 드리프트 영역(3)으로 구성된 바디 다이오드(D)가 도통하고, 장치는 속류를 진행한다. 요약하면, 상기 횡방향 확산 금속 산화물 반도체 장치의 작업 상태, 작업 조건은 전통적인 LDMOS와 완전히 같다.
도6은 본 출원과 전통적인 횡방향 확산 금속 산화물 반도체 장치의 내압 특성 곡선도로서, 횡방향, 종방향 좌표는 각각 채널이 오프된 드레인-소스 양단의 전압 VDS와 흐르는 전류 IDS이며; 도7은 본 출원과 전통적인 횡방향 확산 금속 산화물 반도체 장치의 도통 능력 특성 곡선도로서, 횡좌표, 종좌표는 각각 채널이 온된 드레인-소스 양단의 전압 VDS와 흐르는 전류 IDS이다. 본 출원의 횡방향 확산 금속 산화물 반도체 장치가 바디 다이오드 역방향 회복 실효 문제를 해결한 전제 하에서, 도통 능력과 내압 특성이 거의 손상을 받지 않는 것을 볼 수 있다. 트랜치 격리 구조를 구비하여 바디 다이오드 역방향 회복 실효 문제를 해결하는 방안에 비하여, 본 출원은 해당 트랜치 격리 구조를 구비할 필요가 없고, 공정이 간단하며, 공정 호환성이 강하고, 또한 장치의 크기를 축소시킨다. 도8은 동일한 속류 전류 값 하의 역방향 회복 전류(IDS)의 시간에 따른 변화 곡선과 같이, di/dt＝105A/μs의 곡선은 일 전통적인 횡방향 확산 금속 산화물 반도체 장치로서, 전통 구조는 di/dt＝105A/μs일 때 역방향 회복 실효가 발생한다. 다른 세 곡선은 본 출원의 횡방향 확산 금속 산화물 반도체 장치로서, di/dt＝536A/μs일 때 여전히 역방향 회복 실효가 발생하지 않고, LDMOS 바디 다이오드 역방향 회복 강인성이 크게 향상되었다.
상기 실시예는 단지 본 발명의 몇 가지 실시방식만 개시하였고, 구체적으로 상세하게 설명하였지만 이를 본 발명의 범위를 제한하는 것으로 이해해서는 안 된다. 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이하의 청구범위에 기재된 본 발명의 기술적 사상의 요지를 벗어나지 않는 범위에서 얼마든지 다양하게 변경하여 실시할 수 있을 것이다. 그러므로 본 발명의 보호 범위는 상기 청구항의 보호 범위를 기준으로 하여야 한다.

Claims (15)

  1. 횡방향 확산 금속 산화물 반도체 장치에 있어서,
    제1 전도 유형을 갖는 드리프트 영역;
    상기 드리프트 영역 상에(on) 구비되고, 제2 전도 유형을 갖는 제1 바디 영역에 있어서, 상기 제1 전도 유형과 제2 전도 유형은 반대되는 전도 유형인 제1 바디 영역;
    상기 제1 바디 영역 내에 구비되는 제1 전도 유형 영역;
    상기 제1 전도 유형 영역 내에 구비되고, 제2 전도 유형을 갖는 제2 바디 영역;
    상기 제2 바디 영역 내에 구비되고, 제1 전도 유형을 갖는 소스 전극 영역; 및
    상기 제1 바디 영역 내에 구비되고, 상기 제1 전도 유형 영역의 외부에 설정되며, 그리고 제2 전도 유형을 갖는 접촉 영역을 포함하고,
    상기 제1 전도 유형 영역은 상기 제2 바디 영역을 상기 제1 바디 영역으로부터 격리시키기 위한 격리층이고, 상기 소스 전극 영역은 상기 제2 바디 영역과 상기 제1 전도 유형 영역을 통하여 상기 제1 바디 영역으로부터 격리되고, 그리고 상기 접촉 영역과 상기 제1 전도 유형 영역 사이는 상기 제1 바디 영역에 의하여 이격되는 것을 특징으로 하는 횡방향 확산 금속 산화물 반도체 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 드리프트 영역 상에 구비되는 드레인 전극 영역을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 횡방향 확산 금속 산화물 반도체 장치.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 드리프트 영역 상에 구비되는 버퍼 영역을 더 포함하고, 상기 버퍼 영역은 제1 전도 유형을 갖고, 상기 버퍼 영역은 상기 드리프트 영역 내에 구비되는 것을 특징으로 하는 횡방향 확산 금속 산화물 반도체 장치.
  4. 제2항 또는 제3항에 있어서,
    상기 소스 전극 영역과 드레인 전극 영역 사이에 구비되는 게이트 전극을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 횡방향 확산 금속 산화물 반도체 장치.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 소스 전극 영역과 드레인 전극 영역 사이에 구비되는 필드 산화물층을 더 포함하고, 상기 게이트 전극은 상기 소스 전극 영역 상으로부터 상기 필드 산화물층 상까지 연장된 다결정 규소 게이트를 포함하는 것을 특징으로 하는 횡방향 확산 금속 산화물 반도체 장치.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 제1 전도 유형은 N형이고, 상기 제2 전도 유형은 P형인 것을 특징으로 하는 횡방향 확산 금속 산화물 반도체 장치.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 장치는 제1 MOS 트랜지스터, 제2 MOS 트랜지스터, 바디 다이오드 및 기생 NPN 트라이오드를 갖는 것에 등가하고, 상기 제1 MOS 트랜지스터와 제2 MOS 트랜지스터의 게이트 전극은 상기 다결정 규소 게이트를 포함하며, 상기 제1 MOS 트랜지스터의 소스 전극과 제2 MOS 트랜지스터의 드레인 전극은 상기 제1 전도 유형 영역을 포함하고, 상기 제1 MOS 트랜지스터의 드레인 전극은 상기 드레인 전극 영역을 포함하며, 상기 제2 MOS 트랜지스터의 소스 전극은 상기 소스 전극 영역을 포함하고, 상기 바디 다이오드의 음극은 상기 드리프트 영역을 포함하며, 양극은 상기 제1 바디 영역을 포함하고, 상기 기생 NPN 트라이오드의 베이스 전극은 상기 제1 바디 영역을 포함하며, 컬렉터 전극은 상기 드리프트 영역을 포함하고, 이미터 전극은 상기 제1 전도 유형 영역을 포함하는 것을 특징으로 하는 횡방향 확산 금속 산화물 반도체 장치.
  8. 제3항에 있어서,
    상기 드리프트 영역과 버퍼 영역의 도핑 농도는 상기 소스 전극 영역과 드레인 전극 영역의 도핑 농도보다 낮은 것을 특징으로 하는 횡방향 확산 금속 산화물 반도체 장치.
  9. 제1항에 있어서,
    제2 전도 유형의 기판과 상기 기판 상의 매몰 산화물층을 더 포함하고, 상기 드리프트 영역은 상기 매몰 산화물층 상에 구비되는 것을 특징으로 하는 횡방향 확산 금속 산화물 반도체 장치.
  10. 제1항에 있어서,
    상기 제1 바디 영역의 도핑 농도가 상기 접촉 영역의 도핑 농도보다 낮은 것을 특징으로 하는 횡방향 확산 금속 산화물 반도체 장치.
  11. 삭제
  12. 삭제
  13. 제2항에 있어서,
    상기 드레인 전극 영역은 드레인 영역 N형 심한 도핑 N+ 영역인 것을 특징으로 하는 횡방향 확산 금속 산화물 반도체 장치.
  14. 제5항에 있어서,
    상기 다결정 규소 게이트는 상기 소스 전극 영역 상에서 선후로 상기 제2 바디 영역 상, 상기 제1 전도 유형 영역 상, 상기 제1 바디 영역 상을 경과한 후, 상기 필드 산화물층 상으로 연장되는 것을 특징으로 하는 횡방향 확산 금속 산화물 반도체 장치.
  15. 제6항에 있어서,
    상기 소스 전극 영역은 소스 영역 N형 심한 도핑 N+ 영역이고, 상기 접촉 영역은 소스 영역 P형 심한 도핑 P+ 영역인 것을 특징으로 하는 횡방향 확산 금속 산화물 반도체 장치.
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