KR102629160B1 - 광학 디바이스 향상을 위한 습윤 층들 - Google Patents
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Abstract
본원에 설명된 실시예들은, 광학 디바이스 제조를 위한 방법들 및 물질들에 관한 것이다. 일 실시예에서, 광학 디바이스를 제조하는 방법이 제공된다. 방법은, 기판 상에 유전체 막을 증착하는 단계, 유전체 막 상에 습윤 층을 증착하는 단계, 및 습윤 층 상에 금속 함유 막을 증착하는 단계를 포함한다. 다른 실시예에서, 광학 디바이스가 제공된다. 디바이스는, 기판, 기판 상에 증착되고 그와 접촉하는 유전체 막, 유전체 막 상에 증착되고 그와 접촉하는 습윤 층, 및 습윤 층 상에 증착되고 그와 접촉하는 금속 함유 막을 포함한다.
Description
본 개시내용의 실시예들은 일반적으로, 광학 디바이스 제조를 위한 물질들 및 방법들에 관한 것이다.
광학 디바이스들, 이를테면 렌즈들 등은, 특정한 바람직한 특성들을 나타내도록 공학처리된다. 광학 디바이스 특성들의 예들은, 광 반사율 및 광 투과율을 포함한다. 상부에 코팅 물질들이 증착된 렌즈들과 같은 종래의 광학 디바이스들은 특정 응용들에 대해 충분할 수 있다. 그러나, 첨단 이미징 및 반도체 응용들에서의 활용을 위한 것들과 같은 첨단 광학 디바이스들은 종종, 종래의 코팅들로 의도된 바와 같이 수행하지 못한다.
더욱이, 유전체 및 금속 막들의 교번하는 층들을 활용하는 것들과 같은 더 첨단의 광학 디바이스들은, 첨단 광학 디바이스들을 형성하는 데 활용되는 물질들의 고유한 특성들로 인해 적절하게 수행되지 못할 수 있다. 예컨대, 교번하는 방식으로 배열되는 얇은 유전체 및 금속 막들을 갖는 광학 디바이스들은, 유전체로부터의 또는 유전체 위의 불완전한 금속 피복(coverage)으로부터의 금속의 박리로 인해 어려움을 겪을 수 있다. 더 두꺼운 금속 막들이 활용되어 유전체 막 위의 금속의 개선된 유착이 달성될 수 있지만, 금속의 완전한 유착은 전형적으로 금속 막이 수십 나노미터 두께일 때까지 달성되지 않으며, 이는 종종, 첨단 광학 디바이스 응용들에 대해 너무 두껍다.
따라서, 광학 디바이스들을 위한 개선된 방법들 및 물질들이 관련 기술분야에 필요하다.
일 실시예에서, 광학 디바이스를 제조하는 방법이 제공된다. 방법은, 기판 상에 산화물 함유 유전체 막을 증착하는 단계, 유전체 막 상에 그와 접촉하게 습윤 층을 증착하는 단계, 및 습윤 층 상에 그와 접촉하게 금속 함유 막을 증착하는 단계를 포함한다. 금속 함유 막은, 알루미늄, 은, 및 금 중 하나 이상을 포함하는 반사성 금속성 물질로 형성된다.
일 실시예에서, 광학 디바이스를 제조하는 방법은, 공정 챔버 내로 기판을 이송하는 단계, 스퍼터링 식각에 의해 기판의 표면을 세정하는 단계, 기판 상에 산화물 함유 유전체 층을 형성하는 단계, 유전체 층 위에 제1 습윤 층을 형성하는 단계, 제1 습윤 층 위에 금속 층을 형성하는 단계, 및 금속 층 위에 제2 습윤 층을 형성하는 단계를 포함한다. 제2 습윤 층은 제1 습윤 층과 상이한 물질로 형성된다.
일 실시예에서, 광학 디바이스가 제공된다. 디바이스는, 기판, 기판 상에 배치되고 그와 접촉하는 산화물 함유 유전체 막, 유전체 막 상에 배치되고 그와 접촉하는 습윤 층, 및 습윤 층 상에 배치되고 그와 접촉하는 금속 함유 막을 포함한다. 금속 함유 막은, 알루미늄, 은, 및 금 중 하나 이상을 포함한다.
본 개시내용의 상기 언급된 특징들이 상세하게 이해될 수 있는 방식으로, 위에서 간략하게 요약된 본 개시내용의 보다 구체적인 설명이 실시예들을 참조하여 이루어질 수 있으며, 이러한 실시예들 중 일부가 첨부된 도면들에 예시되어 있다. 그러나, 첨부된 도면들은 단지 예시적인 실시예들을 예시하는 것이므로 본 개시내용의 범위를 제한하는 것으로 간주되지 않아야 하며, 다른 균등하게 유효한 실시예들을 허용할 수 있다는 것이 유의되어야 한다.
도 1은 본원에 설명된 실시예에 따른, 유전체 막과 금속 함유 막 사이에 습윤 층이 배치되는 막 적층체를 예시하는 현미경 사진이다.
도 2는 본원에 설명된 실시예에 따른 막 적층체를 개략적으로 예시한다.
도 3은 본원에 설명된 실시예에 따른 막 적층체를 개략적으로 예시한다.
이해를 용이하게 하기 위해서, 도면들에 공통된 동일한 요소들을 지정하기 위해 가능한 경우 동일한 참조 번호들이 사용되었다. 일 실시예의 요소들 및 특징들은 추가적인 언급이 없이도 다른 실시예들에 유익하게 포함될 수 있는 것으로 고려된다.
도 1은 본원에 설명된 실시예에 따른, 유전체 막과 금속 함유 막 사이에 습윤 층이 배치되는 막 적층체를 예시하는 현미경 사진이다.
도 2는 본원에 설명된 실시예에 따른 막 적층체를 개략적으로 예시한다.
도 3은 본원에 설명된 실시예에 따른 막 적층체를 개략적으로 예시한다.
이해를 용이하게 하기 위해서, 도면들에 공통된 동일한 요소들을 지정하기 위해 가능한 경우 동일한 참조 번호들이 사용되었다. 일 실시예의 요소들 및 특징들은 추가적인 언급이 없이도 다른 실시예들에 유익하게 포함될 수 있는 것으로 고려된다.
본원에 설명된 실시예들은, 광학 디바이스 제조를 위한 방법들 및 물질들에 관한 것이다. 일 실시예에서, 광학 디바이스를 제조하는 방법이 제공된다. 방법은, 기판 상에 유전체 막을 증착하는 단계, 유전체 막 상에 습윤 층을 증착하는 단계, 및 습윤 층 상에 금속 함유 막을 증착하는 단계를 포함한다. 다른 실시예에서, 광학 디바이스가 제공된다. 디바이스는, 기판, 기판 상에 증착되고 그와 접촉하는 유전체 막, 유전체 막 상에 증착되고 그와 접촉하는 습윤 층, 및 습윤 층 상에 증착되고 그와 접촉하는 금속 함유 막을 포함한다.
도 1은, 유전체 막과 금속 함유 막 사이에 습윤 층이 배치되는 막 적층체를 예시하는 현미경 사진이다. 광학 디바이스(100)는 기판(102)을 포함한다. 기판(102)은, 상부에 광학 디바이스가 형성될 수 있는 임의의 적합한 기판일 수 있다. 일 실시예에서, 기판(102)은 규소(Si) 함유 기판이다. 기판(102)은, 인듐(In), 갈륨(Ga), 게르마늄(Ge), 또는 질소(N) 함유 기판일 수 있는 것으로 또한 고려된다. 대안적으로 또는 부가적으로, 기판(102)은 층상 기판일 수 있다.
유전체 막(104)은 기판(102) 상에 증착되고 그와 접촉한다. 일 실시예에서, 유전체 막(104)은 반전도성 물질이다. 반전도성 물질들의 적합한 예들은: 규소(Si) 물질들, 게르마늄(Ge) 물질들, 질화규소(Si3N4) 물질들, 인화인듐(InP) 물질들, 인화갈륨(GaP) 물질들, 질화갈륨(GaN) 물질들, 및 III-V족 물질들 등을 포함하지만 이에 제한되지 않는다. 일 실시예에서, 유전체 막(104)은, 산화물 함유 막, 이를테면, 이산화티타늄(TiO2) 막, 산화하프늄(HfxOy) 막, 산화지르코늄(ZrO2) 막, 산화란타넘(La2O3) 막, 산화알루미늄(Al2O3) 막 등이다. 대안적으로 또는 부가적으로, 유전체 막(104)은 다층 적층체일 수 있다. 유전체 막(104)에 대해 선택된 물질은, 물질에 고유한 굴절률로 인해 적어도 부분적으로 선택된다. 유전체 물질은 특정 조건들 하에서 소수성 특성들을 나타낼 수 있는 것으로 또한 고려된다.
일 실시예에서, 유전체 막(104)은, 물리 기상 증착(PVD) 공정에 의해 기판(102) 상에 증착된다. 대안적으로, 유전체 막(104)은 다른 기법들, 이를테면, 화학 기상 증착(CVD) 공정, 플라즈마 강화 화학 기상 증착(PECVD) 공정, 에피택셜 기상 증착 공정, 원자 층 증착(ALD) 공정 등에 의해 증착될 수 있다.
습윤 층(106)은, 유전체 막(104) 상에 증착되고 그와 접촉한다. 일 실시예에서, 습윤 층은, 증착된 물질이 처음에 하부 물질 층, 예컨대 유전체 막(104) 등과 둔각 접촉 각들을 갖는 성장 아일랜드들을 형성할 수 있는 표면을 제공하는 물질이다. 습윤 층은, 후속하여 증착된 막이 평활하고 연속적이며 얇도록, 후속하여 증착된 막의 형성을 개선하는 기능을 한다. 일 실시예에서, 후속하여 증착된 막은 금속 함유 막(108)이다.
일 실시예에서, 습윤 층(106)은 반전도성 물질이다. 다른 실시예에서, 습윤 층(106)은 유전체 물질이다. 반전도성 및 유전체 물질들의 적합한 예들은: 규소(Si) 물질들, 산화규소(SiO2) 물질들, 질화규소(Si3N4) 물질들, 산화탄탈럼(TaO) 물질들, 산화알루미늄(Al2O3) 물질들, 인화갈륨(GaP) 물질들, 질화갈륨(GaN) 물질들, 및 III-V족 물질들 등을 포함하지만 이에 제한되지 않는다. 다른 실시예에서, 습윤 층(106)은 금속성 물질이다. 금속성 습윤 층에 대한 적합한 물질들의 예들은: 티타늄(Ti) 물질들, 크로뮴(Cr) 물질들, 니켈(Ni) 물질들, 및 코발트(Co) 물질들을 포함하지만 이에 제한되지 않는다.
습윤 층(106)은, 후속하여 증착된 금속 함유 막(108)의 증착을 향상시키는 기능을 하는 얇은 층으로 유전체 막(104) 위에 형성된다. 일 실시예에서, 습윤 층(106)은 PVD 공정에 의해 유전체 막(104) 상에 증착된다. 대안적으로, 습윤 층(106)은 다른 기법들, 이를테면, 화학 기상 증착(CVD) 공정, 플라즈마 강화 화학 기상 증착(PECVD) 공정, 에피택셜 기상 증착 공정, 원자 층 증착(ALD) 공정, 증발 공정, 분자 빔 증착 공정 등에 의해 증착될 수 있다.
금속 함유 막(108)은 습윤 층(106) 상에 증착되고 그와 접촉한다. 일 실시예에서, 금속 함유 막(108)은, 다른 것들 중에서도, 알루미늄(Al), 은(Ag), 또는 금(Au)과 같은 반사성 금속성 물질이다. 유전체 막(104) 상에 얇고 평활한 표면을 형성하는 습윤 층(106)은, 상부의 금속 함유 막(108)의 균일한 증착을 용이하게 한다. 습윤 층(106)은, 금속 함유 막(108)의 균일한 또는 실질적으로 균일한 막 두께를 달성하기 위해 활용되는 금속 함유 막(108)의 두께를 감소시키면서 금속 함유 막(108)으로서 활용될 수 있는 물질들의 다양성을 증가시키는 것으로 여겨진다. 일 실시예에서, 금속 함유 막(108)이 2개의 습윤 층(106) 사이에 개재되도록 다른 습윤 층(106)이 금속 함유 막(108) 상에 증착된다. 이러한 실시예에서, 습윤 층들(106) 각각은 금속 함유 층(108)과 접촉하게 형성된다.
도 2는 본원에 설명된 실시예에 따른 막 적층체(200)를 개략적으로 예시한다. 이러한 실시예에서, 유전체 막(104)은 기판(102) 상에 형성되고 그와 접촉하고, 습윤 층(106)은 유전체 막(104) 상에 형성되고 그와 접촉하고, 금속 함유 막(108)은 습윤 층(106) 상에 형성되고 그와 접촉하며, 제2 유전체 막(104)은 금속 함유 막(108) 상에 배치되고 그와 접촉한다. 이러한 실시예에서, 금속 함유 막(108)이 2개의 습윤 층(106) 사이에 개재되는 위에 설명된 예와 비교할 때 단일 습윤 층(106)이 활용된다.
도 3은 본원에 설명된 실시예에 따른 막 적층체(300)를 예시한다. 이러한 실시예에서, 유전체 막(104)은 기판(102) 상에 형성되고 그와 접촉하고, 제1 습윤 층(106a)은 유전체 막(104) 상에 형성되고 그와 접촉하고, 금속 함유 막(108)은 제1 습윤 층(106a) 상에 형성되고 그와 접촉하고, 제2 습윤 층(106b)은 금속 함유 막(108) 상에 형성되고 그와 접촉하며, 유전체 막(104)은 제2 습윤 층(106b) 상에 배치되고 그와 접촉한다.
이러한 실시예의 일 양상에서, 제1 습윤 층(106a)은 유전체 또는 반전도성 물질이고, 제2 습윤 층(106b)은 금속성 물질이다. 예컨대, 제1 습윤 층(106a)은 규소(Si), 산화규소(SiO2), 질화규소(Si3N4), 산화탄탈럼(TaO), 산화알루미늄(Al2O3), 인화갈륨(GaP), 질화갈륨(GaN), 또는 III-V족 물질 함유 층일 수 있는 한편, 제2 습윤 층(106b)은 티타늄(Ti), 크로뮴(Cr), 니켈(Ni), 또는 코발트(Co) 함유 층일 수 있다. 다른 물질들 및 조합물들이 또한 고려된다. 예컨대, 다른 양상에서, 제1 습윤 층(106a)은 금속성 물질이고, 제2 습윤 층(106b)은 유전체 또는 반전도성 물질이다. 두 양상들 모두에서, 유전체 또는 반전도성 물질 습윤 층은 광학 디바이스의 유전체 부분(즉, 유전체 막(104))의 일부로서 기능하고, 금속성 물질 습윤 층은 광학 디바이스의 금속성 부분(즉, 금속 함유 막(108))과 유사하게 기능한다. 특정 양상들에서, 금속성 습윤 층은, 어닐링 공정 등에 의해서, 확산 등에 의해 금속 함유 막(108) 내로 혼입된다. 일 실시예에서, 금속 함유 막(108)은 PVD 공정에 의해 증착된다. 유전체 막(104), 습윤 층(106), 및/또는 금속 함유 막(108)을 증착하기 위한 PVD 공정들을 수행하기 위한 적합한 장치의 일 예는, 캘리포니아 주 산타 클라라의 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드(Applied Materials, Inc.)로부터 입수가능한 ENDURA® 시리즈 처리 툴들이다. 다른 제조자들로부터의 다른 적합하게 구성된 장치가 또한 유전체 막(104), 습윤 층(106), 및/또는 금속 함유 막(108)을 증착하기 위해 활용될 수 있는 것으로 또한 고려된다. 대안적으로, 금속 함유 막(108)은 다른 기법들, 이를테면, 화학 기상 증착(CVD) 공정, 플라즈마 강화 화학 기상 증착(PECVD) 공정, 에피택셜 기상 증착 공정, 원자 층 증착(ALD) 공정 등에 의해 증착될 수 있다.
습윤 층들의 활용은, 색 필터들 또는 플라즈모닉 디바이스들과 같은 광학 디바이스들에 대한 다층 적층체들의 생성에서 사용하기에 적합한 물질들의 다양성의 증가를 가능하게 하는 것으로 여겨진다. 본원에 설명된 방법들, 물질들, 및 디바이스들로부터 이익을 얻는 다른 디바이스들은, 패브리-페로(Fabry-Perot) 간섭계들 및 에탈론 디바이스들을 포함한다. 더 구체적으로, 광학 디바이스(100)에서의 각각의 물질 층(104, 106, 108)의 두께는 인접한 물질 층들 사이의 더 평활한 표면들 및/또는 계면들의 제조를 가능하게 하도록 감소되거나 더 정밀하게 제어될 수 있다.
본원에 설명된 방법들은 또한, 광학 디바이스 제조를 위한 기판(102)의 준비를 포함한다. 일 실시예에서, 다중 챔버 시스템이 활용된다. 일 실시예에서, 다중 챔버 시스템, 이를테면 ENDURA® 시리즈 처리 툴들은, 어닐링 챔버, 표면 세정 챔버(즉, 스퍼터링 식각 챔버), 및 PVD 챔버들을 포함한다. 다른 제조자들로부터의 다른 적합하게 구성된 장치가 또한 광학 디바이스 제조를 위한 기판(102)을 준비하기 위해 활용될 수 있는 것으로 또한 고려된다.
공정 챔버 내로의 기판(102)의 이송 및 유전체 물질(104)의 증착 전에, 기판(102)은 로드 록 챔버 내로 도입되며, 여기서, 압력이 감소되고 충분히 높은 진공, 이를테면, PVD 챔버들에서 활용되는 것과 유사한 진공 압력으로 유지된다. 특정 실시예들에서, 기판 준비는 또한, 후속하여 증착된 막들의 핵형성 특성들을 향상시키기 위해, 수증기를 탈착하기 위한 가열 또는 기판 표면을 세정하기 위한 스퍼터링 식각을 포함한다.
본원에 설명된 실시예들은, 다양한 광학 디바이스들, 이를테면, 다른 것들 중에서도, 광학 막들, 색 필터들, 회절 광학기기, 나노-광학기기, 및 초-해상도 광학기기에서 유익한 구현을 찾는 것으로 여겨진다. 습윤 층과 함께 금속/금속 산화물 막을 구현함으로써, 개선된 막 평활도(즉, 감소된 표면 거칠기)를 갖는 감소된 두께의 금속 층을 가능하게 하면서 광학 필터 디바이스들의 색 포화도가 유지 및/또는 개선된다. 이는, 더 얇은 막이 막 적층체의 광학 성능을 개선하면서 광학 디바이스의 광 투과를 개선하는 것을 가능하게 하는 것으로 여겨진다.
전술한 내용이 본 개시내용의 실시예들에 관한 것이지만, 본 개시내용의 다른 그리고 추가적인 실시예들이 본 개시내용의 기본적인 범위로부터 벗어나지 않으면서 고안될 수 있으며, 본 개시내용의 범위는 하기의 청구항들에 의해 결정된다.
Claims (15)
- 광학 디바이스를 제조하는 방법으로서,
기판을 가열하는 단계;
상기 기판 상에 상기 기판과 접촉하게 유전체 막을 증착하는 단계 - 상기 유전체 막은 산화물 함유 물질로 형성됨 -;
상기 유전체 막 상에 상기 유전체 막과 접촉하게 제1 습윤 층을 증착하는 단계 - 상기 제1 습윤 층은 티타늄, 코발트 및 니켈로 구성되는 그룹으로부터 선택되는 금속을 포함함 -;
상기 제1 습윤 층 상에 상기 제1 습윤 층과 접촉하게 금속 함유 막을 증착하는 단계 - 상기 금속 함유 막은, 알루미늄, 은, 및 금 중 하나 이상을 포함하는 반사성 금속성 물질로 형성됨 -; 및
상기 금속 함유 막 상에 상기 금속 함유 막과 접촉하게 제2 습윤 층을 증착하는 단계 - 상기 제2 습윤 층은 규소, 산화규소, 산화탄탈럼, 산화알루미늄, 인화갈륨 및 질화갈륨으로 구성되는 그룹으로부터 선택되는 유전체 물질을 포함함 - 를 포함하는, 광학 디바이스를 제조하는 방법. - 제1항에 있어서,
상기 산화물 함유 물질은 이산화티타늄인, 광학 디바이스를 제조하는 방법. - 제1항에 있어서,
상기 유전체 막은 다층 적층체인, 광학 디바이스를 제조하는 방법. - 삭제
- 삭제
- 제1항에 있어서,
상기 기판 상에 유전체 막을 증착하는 단계 전에 상기 기판의 표면을 식각하는 단계를 더 포함하는, 광학 디바이스를 제조하는 방법. - 제1항에 있어서,
상기 유전체 막, 상기 제1 습윤 층, 상기 제2 습윤 층, 또는 상기 금속 함유 막 중 하나 이상은 물리 기상 증착 공정에 의해 증착되는, 광학 디바이스를 제조하는 방법. - 광학 디바이스를 제조하는 방법으로서,
공정 챔버 내로 기판을 이송하는 단계;
스퍼터링 식각에 의해 상기 기판의 표면을 세정하는 단계;
상기 기판을 가열하는 단계;
상기 기판의 표면 상에 상기 기판과 접촉하게 유전체 층을 형성하는 단계 - 상기 유전체 층은 이산화티타늄, 산화하프늄, 산화지르코늄, 산화란타넘 및 산화알루미늄으로 구성되는 그룹으로부터 선택되는 산화물 함유 물질을 포함함 -;
상기 유전체 층 상에 상기 유전체 층과 접촉하게 제1 습윤 층을 형성하는 단계 - 상기 제1 습윤 층은 티타늄, 코발트 및 니켈로 구성되는 그룹으로부터 선택되는 금속을 포함함 -;
상기 제1 습윤 층 상에 상기 제1 습윤 층과 접촉하게 금속 층을 형성하는 단계 - 상기 금속 층은 알루미늄, 은, 및 금 중 하나 이상을 포함함 -; 및
상기 금속 층 상에 상기 금속 층과 접촉하게 제2 습윤 층을 형성하는 단계 - 상기 제2 습윤 층은 규소, 산화규소, 산화탄탈럼, 산화알루미늄, 인화갈륨 및 질화갈륨으로 구성되는 그룹으로부터 선택되는 유전체 물질을 포함함 -
를 포함하는, 광학 디바이스를 제조하는 방법. - 제8항에 있어서,
상기 산화물 함유 물질은 이산화티타늄인, 광학 디바이스를 제조하는 방법. - 삭제
- 삭제
- 제8항에 있어서,
상기 제2 습윤 층 위에 제2 유전체 층이 형성되는, 광학 디바이스를 제조하는 방법. - 광학 디바이스로서,
기판;
상기 기판 상에 배치되고 상기 기판과 접촉하는 유전체 막 - 상기 유전체 막은 이산화티타늄, 산화하프늄, 산화지르코늄, 산화란타넘 및 산화알루미늄으로 구성되는 그룹으로부터 선택되는 산화물 함유 물질을 포함함 -;
상기 유전체 막 상에 배치되고 상기 유전체 막과 접촉하는 제1 습윤 층 - 상기 제1 습윤 층은 티타늄, 코발트 및 니켈로 구성되는 그룹으로부터 선택되는 금속을 포함함 -;
상기 제1 습윤 층 상에 배치되고 상기 제1 습윤 층과 접촉하는 금속 함유 막 - 상기 금속 함유 막은 알루미늄, 은, 및 금 중 하나 이상을 포함함 -; 및
상기 금속 함유 막 상에 배치되고 상기 금속 함유 막과 접촉하는 제2 습윤 층 - 상기 제2 습윤 층은 규소, 산화규소, 산화탄탈럼, 산화알루미늄, 인화갈륨 및 질화갈륨으로 구성되는 그룹으로부터 선택되는 유전체 물질을 포함함 - 을 포함하는, 광학 디바이스. - 제13항에 있어서,
상기 유전체 막은 이산화티타늄을 포함하는, 광학 디바이스. - 삭제
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|---|---|---|---|---|
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Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2014508711A (ja) * | 2011-03-24 | 2014-04-10 | サン−ゴバン グラス フランス | 多層薄膜を有する透明基材 |
| US20150291812A1 (en) * | 2014-04-10 | 2015-10-15 | Intermolecular, Inc. | Low Emissivity Glass Incorporating Phosphorescent Rare Earth Compounds |
| JP2016146321A (ja) | 2015-01-30 | 2016-08-12 | 三菱マテリアル株式会社 | 積層透明導電膜、積層配線膜及び積層配線膜の製造方法 |
Family Cites Families (34)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE4239355A1 (de) * | 1992-11-24 | 1994-05-26 | Leybold Ag | Transparentes Substrat mit einem transparenten Schichtsystem und Verfahren zur Herstellung eines solchen Schichtsystems |
| JPH08234004A (ja) * | 1995-02-27 | 1996-09-13 | Canon Inc | 金属ミラーおよびその製造方法 |
| JPH1064902A (ja) | 1996-07-12 | 1998-03-06 | Applied Materials Inc | アルミニウム材料の成膜方法及び成膜装置 |
| FR2784985B1 (fr) * | 1998-10-22 | 2001-09-21 | Saint Gobain Vitrage | Substrat transparent muni d'un empilement de couches minces |
| JP2000171622A (ja) * | 1998-12-01 | 2000-06-23 | Canon Inc | 内面反射型の光学素子及びその製造方法 |
| WO2001041544A2 (en) | 1999-12-11 | 2001-06-14 | Asm America, Inc. | Deposition of gate stacks including silicon germanium layers |
| US20020060321A1 (en) | 2000-07-14 | 2002-05-23 | Kazlas Peter T. | Minimally- patterned, thin-film semiconductor devices for display applications |
| US20020019783A1 (en) | 2000-08-12 | 2002-02-14 | Lg Electronics Inc. | Goods delivery system and operating method thereof |
| US20030043464A1 (en) * | 2001-08-30 | 2003-03-06 | Dannenberg Rand David | Optical coatings and associated methods |
| US6515335B1 (en) | 2002-01-04 | 2003-02-04 | International Business Machines Corporation | Method for fabrication of relaxed SiGe buffer layers on silicon-on-insulators and structures containing the same |
| ATE365382T1 (de) * | 2002-11-29 | 2007-07-15 | Max Planck Gesellschaft | Halbleiterstruktur für infrarotbereich und herstellungsverfahren |
| JP4217093B2 (ja) * | 2003-03-27 | 2009-01-28 | スタンレー電気株式会社 | 半導体発光素子及びその製造方法 |
| JP3786106B2 (ja) * | 2003-08-11 | 2006-06-14 | セイコーエプソン株式会社 | 波長可変光フィルタ及びその製造方法 |
| JP4243158B2 (ja) * | 2003-09-16 | 2009-03-25 | 富士フイルム株式会社 | 光学制御素子、光学制御素子アレイ及び光学制御素子の製造方法 |
| US6934085B2 (en) * | 2003-10-21 | 2005-08-23 | Guardian Industries Corp. | First surface mirror with chromium inclusive nucleation layer |
| JP4340199B2 (ja) * | 2004-07-09 | 2009-10-07 | セイコーエプソン株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法 |
| WO2007001429A2 (en) * | 2004-10-25 | 2007-01-04 | The Reagents Of The University Of California | Stacked layer electrode for organic electronic devices |
| DE102005029246B4 (de) | 2005-03-31 | 2023-06-22 | OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Halbleiterchip mit einer Lötschichtenfolge und Verfahren zum Löten eines Halbleiterchips |
| US8142035B2 (en) * | 2005-08-18 | 2012-03-27 | Guardian Industries Corp. | Mirror with selectively oxidized areas for memory effect and method of making same |
| KR100771549B1 (ko) * | 2006-06-30 | 2007-10-31 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 소자의 금속컨택 형성방법 |
| US20090220801A1 (en) * | 2008-02-29 | 2009-09-03 | Brian Wagner | Method and apparatus for growth of high purity 6h-sic single crystal |
| FR2928913B1 (fr) * | 2008-03-18 | 2011-05-20 | Saint Gobain | Substrat muni d'un empilement a proprietes thermiques |
| KR20100042908A (ko) * | 2008-10-17 | 2010-04-27 | 삼성전기주식회사 | 광변조 소자의 제조방법 |
| KR102220018B1 (ko) | 2010-03-08 | 2021-02-26 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 반도체 장치를 제작하는 방법 |
| US20140090974A1 (en) | 2011-06-30 | 2014-04-03 | Agc Glass Europe | Temperable and non-temperable transparent nanocomposite layers |
| US8525232B2 (en) | 2011-08-10 | 2013-09-03 | International Business Machines Corporation | Semiconductor structure having a wetting layer |
| US8520045B2 (en) | 2011-08-24 | 2013-08-27 | Palo Alto Research Center Incorporated | Single-pass imaging system with spatial light modulator and catadioptric anamorphic optical system |
| FR2981346B1 (fr) * | 2011-10-18 | 2014-01-24 | Saint Gobain | Procede de traitement thermique de couches d'argent |
| US9330939B2 (en) * | 2012-03-28 | 2016-05-03 | Applied Materials, Inc. | Method of enabling seamless cobalt gap-fill |
| KR102132427B1 (ko) * | 2012-09-07 | 2020-07-09 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 멀티-챔버 진공 시스템 확인 내에서의 다공성 유전체, 폴리머-코팅된 기판들 및 에폭시의 통합 프로세싱 |
| FR2998564B1 (fr) * | 2012-11-23 | 2016-12-23 | Saint Gobain | Substrat muni d'un empilement a couche metallique partielle, vitrage, utilisation et procede. |
| JP6242594B2 (ja) * | 2013-05-31 | 2017-12-06 | 株式会社神戸製鋼所 | 脱ガス処理装置 |
| US9147767B2 (en) * | 2014-02-07 | 2015-09-29 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Ltd. | Semiconductor structure and manufacturing method thereof |
| EP3136141A1 (en) * | 2015-08-26 | 2017-03-01 | Saint-Gobain Performance Plastics Corporation | Infrared reflecting film |
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| US20150291812A1 (en) * | 2014-04-10 | 2015-10-15 | Intermolecular, Inc. | Low Emissivity Glass Incorporating Phosphorescent Rare Earth Compounds |
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