KR102627620B1 - 캐패시터 및 이를 포함하는 회로기판 - Google Patents
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Abstract
본 발명의 실시예에 따른 회로기판, 유전체층, 상기 유전체층을 관통하는 제1 비아를 포함하는 제1 전극 및 상기 유전체층을 관통하고, 상기 제1 비아와 대향하는 제2 비아를 포함하는 제2 전극을 포함한다.
Description
본 발명은 캐패시터 및 이를 포함하는 회로기판에 관한 것이다.
캐패시터(capacitor)는 전기회로에서 전기를 저장하는 장치로 이격된 두 도체판 사이에 유전체가 형성되어 두 도체판과 유전체의 경계 부분에 전하가 저장될 수 있다.
캐패시터는 전자제품의 경박 단소화, 고효율화 요구에 따라 회로기판에 내장될 수 있다. 또한, 캐패시터는 회로기판에 내장되는 기타 전자소자와 전기적으로 연결될 수 있으며, 전기적 특성의 향상 및 회로의 밀집도를 고려하여 다양한 방식으로 인쇄회로기판에 내장되도록 설계되고 있다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 회로기판의 박형화를 구현하기 위해 유전체층을 관통하는 비아가 상호 대향되게 배치되어 상호 다른 극성을 갖는 전극을 형성함으로써 캐패시터가 내장된 회로기판을 구현할 수 있다.
도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 회로기판을 개략적으로 나타낸 사시도이다.
도 2는 본 발명의 제1 실시예에 따른 회로기판의 일부를 나타낸 도면이다.
도 3은 본 발명의 제1 실시예에 따른 회로기판 일부의 분해사시도이다.
도 4는 본 발명의 제1 실시예에 따른 회로기판의 일부를 나타낸 단면도이다.
도 5는 본 발명의 제2 실시예에 따른 회로기판의 일부를 나타낸 도면이다.
도 6은 본 발명의 제3 실시예에 따른 회로기판의 일부를 나타낸 도면이다.
도 7A 내지 도 7D는 본 발명의 제4 실시예에 따른 회로기판의 일부를 나타낸 도면이다.
도 8은 본 발명의 제5 실시예에 따른 회로기판의 일부를 나타낸 도면이다.
도 9는 본 발명의 기타 실시예에 따른 회로기판의 평면도이다.
도 2는 본 발명의 제1 실시예에 따른 회로기판의 일부를 나타낸 도면이다.
도 3은 본 발명의 제1 실시예에 따른 회로기판 일부의 분해사시도이다.
도 4는 본 발명의 제1 실시예에 따른 회로기판의 일부를 나타낸 단면도이다.
도 5는 본 발명의 제2 실시예에 따른 회로기판의 일부를 나타낸 도면이다.
도 6은 본 발명의 제3 실시예에 따른 회로기판의 일부를 나타낸 도면이다.
도 7A 내지 도 7D는 본 발명의 제4 실시예에 따른 회로기판의 일부를 나타낸 도면이다.
도 8은 본 발명의 제5 실시예에 따른 회로기판의 일부를 나타낸 도면이다.
도 9는 본 발명의 기타 실시예에 따른 회로기판의 평면도이다.
본 출원에서 사용한 용어는 단지 특정한 실시예를 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다.
본 출원에서, 어떤 부분이 어떤 구성요소를 "포함"한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다. 또한, 명세서 전체에서, "상에"라 함은 대상 부분의 위 또는 아래에 위치함을 의미하는 것이며, 반드시 중력 방향을 기준으로 상 측에 위치하는 것을 의미하는 것이 아니다.
또한, 결합이라 함은, 각 구성 요소 간의 접합 관계에 있어, 각 구성 요소 간에 물리적으로 직접 접합되는 경우만을 뜻하는 것이 아니라, 다른 구성이 각 구성 요소 사이에 개재되어, 그 다른 구성에 구성 요소가 각각 접합되어 있는 경우까지 포괄하는 개념으로 사용하도록 한다.
도면에서 나타난 각 구성의 크기 및 두께는 설명의 편의를 위해 임의로 나타내었으므로, 본 발명이 반드시 도시된 바에 한정되지 않는다.
이하, 본 발명에 따른 캐패시터 및 이를 포함하는 회로기판의 실시예를 첨부도면을 참조하여 상세히 설명하기로 하며, 첨부 도면을 참조하여 설명함에 있어, 동일하거나 대응하는 구성 요소는 동일한 도면번호를 부여하고 이에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다.
본 발명의 실시예에 따른 회로기판은 전자소자 등이 장착될 수 있는 메인 보드(main board), 패키지 기판(package substrate), 패키지(package)를 포함하는 개념이다.
제1
실시예
도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 회로기판(1000)을 개략적으로 나타낸 사시도이다. 도 2는 본 발명의 제1 실시예에 따른 회로기판(1000)의 일부를 나타낸 도면이다. 도 3은 본 발명의 제1 실시예에 따른 회로기판(1000)의 일부의 분해사시도이다. 도 4는 본 발명의 제1 실시예에 따른 회로기판(1000)의 일부를 나타낸 단면도이다.
도 1 내지 도 4를 참조하면, 본 발명의 제1 실시예에 따른 회로기판(1000)은 단층의 캐패시터(100)를 포함하고, 캐패시터(100)는 유전체층(L), 제1 전극(111), 제2 전극(121)을 포함한다.
제1 전극(111)은 유전체층(L)을 관통하는 제1 비아(11)를 포함할 수 있으며, 제1 비아(11)와 전기적으로 연결되는 제1 도전성 패턴(21)을 더 포함할 수 있다.
제1 도전성 패턴(21)은 제1 비아(11) 상에 형성될 수 있다(도 3 참조).
제2 전극(121)은 유전체층(L)을 관통하고, 제1 비아(11)와 대향하는 제2 비아(12)를 포함할 수 있으며, 제2 비아(12)와 전기적으로 연결되는 제2 도전성 패턴(22)을 더 포함할 수 있다.
제2 도전성 패턴(22)은 제2 비아(12) 상에 형성될 수 있다(도 3 참조).
한편, 제1 비아(11) 또는 제2 비아(12)는 복수로 형성될 수 있다.
도 2 및 도 3을 참조하면, 본 발명의 제1 실시예에 따른 회로기판(1000)에 있어서, 캐패시터(100)는 제1 비아(11) 및 제2 비아(12)의 일부가 내부전극으로 형성되고, 그 외 제1 비아(11), 제2 비아(12), 제1 도전성 패턴(21) 및 제2 도전성 패턴(22)은 외부전극으로 형성될 수 있다.
제1 전극(111)과 제2 전극(121)은 상호 상이한 극성의 전원이 인가되며, 예를 들면, 제1 전극(111)은 양극으로, 제2 전극(121)은 음극의 전원이 인가될 수 있다.
제1 비아(11) 및 제2 비아(12)에 상호 각각 다른 극성의 전원이 인가되면, 제1 비아(11) 및 제2 비아(12)와 유전층(L)의 경계면에는 상호 극성이 다른 전하가 축적될 수 있다.
유전층(L)에 축적되는 전하의 양(정전용량, 단위: 패럿, F)은 비아(11,12)의 적층 면적(T1)이 클수록, 제1 비아(11)와 제2 비아(12)의 상호 간격(W1)이 좁을수록 증가한다.
캐패시터(100)의 정전용량을 제어하기 위해 제1 비아(11)와 제2 비아(12)의 간격(W1), 제1 비아(11) 및 제2 비아(12)의 두께(T1)는 달리 형성될 수 있다.
마찬가지로, 제1 도전성 패턴(21)과 제2 도전성 패턴(22)의 간격(W2)과 두께(T2)는 달리 형성될 수 있으며, 비아(11,12) 간 간격(W1)과 두께(T1)와 동일하게 형성될 수도 있다.
더 나아가, 유전층(L)은 비유전율이 큰 물질일수록 캐패시터(100)의 정전용량이 증가될 수 있으며, 필요에 따라 세라믹, 탄탈리움, 실리콘필름 등 유전 성질을 띄는 물질이면 제한하지 않고 이용될 수 있다.
도 4를 참조하면, 본 발명의 제1 실시예에 따른 회로기판(1000)은 최외층에 캐패시터(100)가 형성될 수 있다.
회로기판(1000)이 전자소자 등을 실장하기 위한 패키기 기판인 경우, 캐패시터(100)를 실장하기 위해 솔더, 와이어와 같은 기존 방식을 이용하지 않고 회로기판(1000)에 형성될 수 있다.
또한, 캐패시터(100) 상에 전자소자 배치되어 캐패서터(100)와 전자소자의 연결거리를 최소화할 수 있다.
제2
실시예
도 5는 본 발명의 제2 실시예에 따른 회로기판(2000)의 일부를 나타낸 도면이다.
도 5를 참조하면, 본 발명의 제2 실시예에 따른 회로기판(2000)은 캐패시터(100)가 내층에 형성될 수 있다.
캐패시터(100)는 회로기판(2000)의 내층에 형성될 수 있으며, 캐패시터(100)를 중심으로 하부와 상부에 각각 절연층(I1,I2,I3) 절연층(I4, I5)가 형성될 수 있다.
캐패시터(100)의 상부 또는 하부에 형성되는 절연층의 수는 필요에 따라 달리 형성될 수 있다.
능동소자가 회로기판(2000)에 내장되는 경우 능동소자와의 신호 전달 거리를 최소화하기 캐패시터(100)는 회로기판의 내층에 형성될 수 있다.
제3
실시예
도 6은 본 발명의 제3 실시예에 따른 회로기판(3000)의 일부를 나타낸 도면이다.
도 6을 참조하면, 제3 실시예에 따른 회로기판(3000)에서 제1 비아(11)와 제2 제2 비아(12)는 모두 내부전극을 형성하는 것을 확인할 수 있다.
도 3을 참조하여 비교하면, 제3 실시예에 따른 회로기판(3000)은 제1 실시예에 따른 회로기판(1000)보다 내부전극의 면적이 보다 넓게 형성될 수 있다.
결과적으로, 캐패시터(100)에 형성되는 제1 도전성 패턴(21) 및 제2 도전성 패턴(22)의 패턴 형성 방법에 따라 캐패시터의 정전용량의 크기는 달리 형성될 수 있다.
제4
실시예
도 7A 내지 도 7D는 본 발명의 제4 실시예에 따른 회로기판(4000)의 일부를 나타낸 도면이다.
도 7A 내지 도 7D를 참조하면, 제4 실시예에 따른 회로기판(4000)은 3층으로 형성된 캐패시터(100)를 포함한다.
제4 실시예에 따른 회로기판(4000)에 있어서, 캐패시터(100)는 유전체층(L), 제3 전극(131), 및 제4 전극(141)을 포함한다.
유전체층(L)은 내층(LI), 제1 외층(LO1) 및 제2 외층(LO2)의 복수의 층으로 형성될 수 있다.
도 7A에 도시된 바와 같이 유전층이 3개층으로 형성되는 경우, 적층 순서 대로 제1 외층(LO1), 내층(LI), 제2 외층(LO2)을 형성할 수 있다.
제3 전극(131)은 내층(LI) 및 제2 외층(LO2)을 관통하여 형성되는 제3 비아(13)를 포함한다.
제4 전극(141)은 내층(LI) 및 제1 외층(LO1)을 관통하여 형성되고 제3 비아(13)와 대향하여 형성되는 제4 비아(14)를 포함한다.
제3 전극(131)과 제4 전극(141)은 상호 상이한 극성의 전원이 연결되어 제3 비아(13)와 제4 비아(14)에 전위차를 형성할 수 있다. 예를 들면, 제3 전극(131)은 양극, 제4 전극(141)에는 음극이 형성되어 전위차를 형성할 수 있다.
제3 전극(131)은 제3 비아(13)와 전기적으로 연결되는 제3 도전성 패턴(23)을 더 포함할 수 있다.
제4 전극(141) 제4 비아(14)와 전기적으로 연결되는 제4 도전성 패턴(24)을 더 포함할 수 있다.
제3 비아(13) 또는 제4 비아(14)는 스택비아 일 수 있으며, 고용량의 정전용량을 위해 제3 비아(13)와 제4 비아(14)의 상호 간격을 최소화할 수 있다.
또한, 제3 도전성 패턴(23)과 제4 도전성 패턴(24)의 두께를 달리하여 정전용량 값을 제어할 수 있다.
제5
실시예
도 8은 본 발명의 제5 실시예에 따른 회로기판(5000)의 일부를 나타낸 도면이다.
도 8을 참조하면, 내층은 복수로 형성될 수 있다.
제5 실시예에 따른 회로기판(5000)에서 내층이 8개층으로 형성되는 경우, 층 순서 대로 제1 외층(LO1), 내층(LI1~LI8), 제2 외층(LO2)을 형성할 수 있다.
본 발명의 제5 실시예에 따른 회로기판(5000)은 필요에 따라 도시된 유전체 층 외에 캐패시터의 상부 또는 하부에 절연층을 더 포함할 수 있다.
제 5 실시예에 따르면, 제3 전극(131)은 내층(LI1~LI8) 및 상기 제2 외층(LO2)을 관통하여 형성되는 제3 비아(13)를 포함한다.
제 5 실시예에 따르면, 제4 전극(141)은 내층(LI1~LI8) 및 상기 제1 외층(LO1)을 관통하여 형성되고 제3 비아(13)와 대향하여 형성되는 제4 비아(14)를 포함한다.
제5 실시예에 따른 회로기판(5000)에 있어서, 정전용량은 내층에 형성된 제3 비아(13)와 제4 비아(14)간 간격에 따라 달라질 수 있다.
기타
실시예
도 9는 본 발명의 기타 실시예에 따른 복수의 층으로 형성된 회로기판의 평면도이다.
도 9를 참조하면, 캐패시터의 형상이 직육면체 이외의 형상으로 다양하게 형성될 수 있음을 확인할 수 있다.
도 9를 참조하면, 기타 실시예에 따른 인쇄회로기판은 적층된 유전층 상에 비아 공정을 수행한 후 다양한 형상으로 라우팅하여 캐패시터 단위로 분리될 수 있다. 분리된 캐패시터는 패키지 기판 등 그 외 기판 등에 장착될 수도 있다.
상술한 바와 같이 본 발명의 실시예에 따른 회로기판 및 캐패시터는 비아 가공을 통해 캐패시터의 전극을 형성할 수 있으며, 비아의 간격, 두께, 적층 수에 따라 정전 용량값을 변화시킬 수 있다.
여기서, 비아는 스택비아, 스루비아 등 종류를 제한하지 않는다.
더 나아가, 전도성 패턴에 형성되는 도금 두께, 형상 등을 달리 형성하여 정전 용량값을 변화시킬 수 있다.
또한, 인쇄회로기판의 비아, 전도성 패턴에 의해 캐패시터를 형성함으로써, 캐패시터 배치를 위한 솔더, 와이어 등의 전기적 연결 공정을 수행하지 않을 수 있으며, 회로기판과 캐패시터, 그 외 전자소자 와의 전기적 연결 신뢰성을 보다 높일 수 있다.
이상과 같이 본 발명에서는 구체적인 구성 요소 등과 같은 특정 사항들과 한정된 실시예 및 도면에 의해 설명되었으나 이는 본 발명의 보다 전반적인 이해를 돕기 위해서 제공된 것일 뿐, 본 발명은 상기의 실시예에 한정되는 것은 아니며, 본 발명이 속하는 분야에서 통상적인 지식을 가진 자라면 이러한 기재로부터 다양한 수정 및 변형이 가능하다.
따라서, 본 발명의 사상은 설명된 실시예에 국한되어 정해져서는 아니되며, 후술하는 특허청구범위뿐만 아니라 이 특허청구범위와 균등하거나 등가적 변형이 있는 모든 것들은 본 발명 사상의 범주에 속한다고 할 것이다.
100: 캐패시터
11: 제1 비아
12: 제2 비아
13: 제3 비아
14: 제4 비아
21: 제1 도전성 패턴
22: 제2 도전성 패턴
23: 제3 도전성 패턴
24: 제4 도전성 패턴
11: 제1 비아
12: 제2 비아
13: 제3 비아
14: 제4 비아
21: 제1 도전성 패턴
22: 제2 도전성 패턴
23: 제3 도전성 패턴
24: 제4 도전성 패턴
Claims (22)
- 일면 및 상기 일면에 대향하는 타면을 가지는 유전체층;
상기 유전체층을 관통하는 제1 비아 및 상기 유전체층의 일면에 배치되어 상기 제1 비아와 접속된 제1 도전성 패턴을 포함하는 제1 전극; 및
상기 유전체층을 관통하고, 상기 제1 비아와 대향하는 제2 비아 및 상기 유전체층의 일면에 배치되어 상기 제2 비아와 접속된 제2 도전성 패턴을 포함하는 제2 전극; 을 포함하되,
상기 제1 전극 및 상기 제2 전극은 상호 상이한 극성이며,
상기 제1 및 제2 도전성 패턴은 상기 유전체층의 타면에는 배치되지 않으며,
상기 제1 및 제2 도전성 패턴은 상기 유전체층의 일면에서, 서로 대향하는 영역에 배치되며 서로를 향해 연장된 돌출부를 각각 포함하고, 상기 제1 도전성 패턴의 돌출부와 상기 제2 도전성 패턴의 돌출부는 교대로 배치되고,
상기 제1 및 제2 비아는 각각 상기 제1 및 제2 도전성 패턴 방향으로 폭이 변하는 형상인, 회로기판.
- 제1항에 있어서,
상기 제1 비아 또는 제2 비아는 복수로 형성되는, 회로기판.
- 삭제
- 제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 제1 도전성 패턴의 돌출부는 상기 제1 비아 상에 형성되는, 회로기판.
- 제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 제1 및 제2 비아 전극은 각각 상기 제1 및 제2 도전성 패턴 방향으로 폭이 증가하는 형상인, 회로기판.
- 제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 제2 도전성 패턴의 돌출부는 상기 제2 비아 상에 형성되는, 회로기판.
- 제1항 또는 제2항에 있어서,
복수의 절연층;을 더 포함하고,
상기 유전체층은 상기 복수의 절연층 상에 형성되는, 회로기판.
- 제1항 또는 제2항에 있어서,
복수의 절연층;을 더 포함하고,
상기 유전체층은 상기 복수의 절연층의 내층에 형성되는, 회로기판.
- 내층, 제1 외층 및 제2 외층으로 형성되며, 일면 및 상기 일면에 대향하는 타면을 가지는 유전체층;
상기 내층 및 상기 제1 외층을 관통하여 형성되는 제3 비아 및 상기 유전체층의 일면에 배치되어 상기 제3 비아와 접속된 제3 도전성 패턴을 포함하는 제3 전극;
상기 내층 및 상기 제2 외층을 관통하여 형성되고 상기 제3 비아와 대향하여 형성되는 제4 비아 및 상기 유전체층의 타면에 배치되어 상기 제4 비아와 접속된 제4 도전성 패턴을 포함하는 제4 전극;을 포함하며,
상기 제3 비아는 스택비아이며, 상기 내층 및 상기 제1 외층에 형성된 각각의 비아는 상기 내층에서 상기 제3 도전성 패턴 방향으로 갈수록 폭이 변하는 형상이며,
상기 제4 비아는 스택비아이며, 상기 내층 및 상기 제2 외층에 형성된 각각의 비아는 상기 내층에서 상기 제4 도전성 패턴 방향으로 갈수록 폭이 변하는 형상인, 회로기판.
- 제9항에 있어서,
상기 내층은 복수로 형성되는, 회로기판.
- 제9항 또는 제10항에 있어서,
상기 제3 비아 중 상기 내층 및 상기 제1 외층에 형성된 각각의 비아는, 상기 내층에서 상기 제3 도전성 패턴 방향으로 갈수록 폭이 증가하는 형상이고,
상기 제4 비아 중 상기 내층 및 상기 제2 외층에 형성된 각각의 비아는, 상기 내층에서 상기 제4 도전성 패턴 방향으로 갈수록 폭이 증가하는 형상인, 회로기판.
- 제9항 또는 제10항에 있어서,
상기 제3 비아 중 상기 내층 및 상기 제1 외층에 형성된 각각의 비아는, 상기 내층에서 상기 제3 도전성 패턴 방향으로 갈수록 폭이 감소하는 형상이고,
상기 제4 비아 중 상기 내층 및 상기 제2 외층에 형성된 각각의 비아는, 상기 내층에서 상기 제4 도전성 패턴 방향으로 갈수록 폭이 감소하는 형상인, 회로기판.
- 제9항 또는 제10항에 있어서,
상기 제3 비아 중 상기 내층 및 상기 제1 외층에 형성된 각각의 비아는, 상기 내층에서 상기 제3 도전성 패턴 방향으로 갈수록 폭이 증가하는 형상이고,
상기 제4 비아 중 상기 내층 및 상기 제2 외층에 형성된 각각의 비아는, 상기 내층에서 상기 제4 도전성 패턴 방향으로 갈수록 폭이 감소하는 형상인, 회로기판.
- 일면 및 상기 일면에 대향하는 타면을 가지는 유전체층;
상기 유전체층을 관통하는 제1 비아 및 상기 유전체층의 일면에 배치되어 상기 제1 비아와 접속된 제1 도전성 패턴을 포함하는 제1 전극; 및
상기 유전체층을 관통하고, 상기 제1 비아와 대향하는 제2 비아 및 상기 유전체층의 일면에 배치되어 상기 제2 비아와 접속된 제2 도전성 패턴 포함하는 제2 전극;을 포함하며,
상기 제1 및 제2 도전성 패턴은 상기 유전체층의 타면에는 배치되지 않으며,
상기 제1 및 제2 도전성 패턴은 상기 유전체층의 일면에서 서로 대향하는 영역에 배치되며, 서로를 향해 연장된 돌출부를 각각 포함하고,
상기 제1 도전성 패턴의 돌출부와 상기 제2 도전성 패턴의 돌출부는 교대로 배치되고,
상기 제1 및 제2 비아는 각각 상기 제1 및 제2 도전성 패턴 방향으로 폭이 변하는 형상인, 캐패시터.
- 제14항에 있어서,
상기 제1 비아 또는 제2 비아는 복수로 형성되는, 캐패시터.
- 제14항 또는 제15항에 있어서,
상기 제1 도전성 패턴의 돌출부는 상기 제1 비아 상에 형성되는, 캐패시터.
- 제14항 또는 제15항에 있어서,
상기 제2 도전성 패턴의 돌출부는 상기 제2 비아 상에 형성되는, 캐패시터.
- 내층, 제1 외층 및 제2 외층으로 형성되며, 일면 및 상기 일면에 대향하는 타면을 가지는 유전체층;
상기 내층 및 상기 제1 외층을 관통하여 형성되는 제3 비아 및 상기 유전체층의 일면에 배치되어 상기 제3 비아와 접속된 제3 도전성 패턴을 포함하는 제3 전극;
상기 내층 및 상기 제2 외층을 관통하여 형성되고 상기 제3 비아와 대향하여 형성되는 제4 비아 및 상기 유전체층의 타면에 배치되어 상기 제4 비아와 접속된 제4 도전성 패턴을 포함하는 제4 전극;을 포함하며,
상기 제3 비아는 스택비아이며, 상기 내층 및 상기 제1 외층에 형성된 각각의 비아는 상기 내층에서 상기 제3 도전성 패턴 방향으로 갈수록 폭이 변하는 형상이며,
상기 제4 비아는 스택비아이며, 상기 내층 및 상기 제2 외층에 형성된 각각의 비아는 상기 내층에서 상기 제4 도전성 패턴 방향으로 갈수록 폭이 변하는 형상인, 캐패시터.
- 제18항에 있어서,
상기 내층은 복수로 형성되는, 캐패시터.
- 제18항 또는 제19항에 있어서,
상기 제3 비아 중 상기 내층 및 상기 제1 외층에 형성된 각각의 비아는, 상기 내층에서 상기 제3 도전성 패턴 방향으로 갈수록 폭이 증가하는 형상이고,
상기 제4 비아 중 상기 내층 및 상기 제2 외층에 형성된 각각의 비아는, 상기 내층에서 상기 제4 도전성 패턴 방향으로 갈수록 폭이 증가하는 형상인, 캐패시터.
- 제18항 또는 제19항에 있어서,
상기 제3 비아 중 상기 내층 및 상기 제1 외층에 형성된 각각의 비아는, 상기 내층에서 상기 제3 도전성 패턴 방향으로 갈수록 폭이 감소하는 형상이고,
상기 제4 비아 중 상기 내층 및 상기 제2 외층에 형성된 각각의 비아는, 상기 내층에서 상기 제4 도전성 패턴 방향으로 갈수록 폭이 감소하는 형상인 캐패시터.
- 제18항 또는 제19항에 있어서,
상기 제3 비아 중 상기 내층 및 상기 제1 외층에 형성된 각각의 비아는, 상기 내층에서 상기 제3 도전성 패턴 방향으로 갈수록 폭이 증가하는 형상이고,
상기 제4 비아 중 상기 내층 및 상기 제2 외층에 형성된 각각의 비아는, 상기 내층에서 상기 제4 도전성 패턴 방향으로 갈수록 폭이 감소하는 형상인, 캐패시터.
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