KR102624510B1 - 레이저 조사 장치, 그의 구동 방법 및 그를 이용한 표시 장치의 제조 방법 - Google Patents

레이저 조사 장치, 그의 구동 방법 및 그를 이용한 표시 장치의 제조 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR102624510B1
KR102624510B1 KR1020180117114A KR20180117114A KR102624510B1 KR 102624510 B1 KR102624510 B1 KR 102624510B1 KR 1020180117114 A KR1020180117114 A KR 1020180117114A KR 20180117114 A KR20180117114 A KR 20180117114A KR 102624510 B1 KR102624510 B1 KR 102624510B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
substrate
area
image
brightness value
laser
Prior art date
Application number
KR1020180117114A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20200037909A (ko
Inventor
정욱연
Original Assignee
삼성디스플레이 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성디스플레이 주식회사 filed Critical 삼성디스플레이 주식회사
Priority to KR1020180117114A priority Critical patent/KR102624510B1/ko
Priority to US16/568,841 priority patent/US11703700B2/en
Priority to CN201910910722.3A priority patent/CN110970326A/zh
Publication of KR20200037909A publication Critical patent/KR20200037909A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102624510B1 publication Critical patent/KR102624510B1/ko

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/1303—Apparatus specially adapted to the manufacture of LCDs
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67092—Apparatus for mechanical treatment
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/70—Auxiliary operations or equipment
    • B23K26/702—Auxiliary equipment
    • B23K26/705—Beam measuring device
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/02—Positioning or observing the workpiece, e.g. with respect to the point of impact; Aligning, aiming or focusing the laser beam
    • B23K26/03—Observing, e.g. monitoring, the workpiece
    • B23K26/032—Observing, e.g. monitoring, the workpiece using optical means
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/02—Positioning or observing the workpiece, e.g. with respect to the point of impact; Aligning, aiming or focusing the laser beam
    • B23K26/06—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing
    • B23K26/062—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing by direct control of the laser beam
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/02—Positioning or observing the workpiece, e.g. with respect to the point of impact; Aligning, aiming or focusing the laser beam
    • B23K26/06—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing
    • B23K26/064—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing by means of optical elements, e.g. lenses, mirrors or prisms
    • B23K26/066—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing by means of optical elements, e.g. lenses, mirrors or prisms by using masks
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/26—Bombardment with radiation
    • H01L21/263—Bombardment with radiation with high-energy radiation
    • H01L21/268—Bombardment with radiation with high-energy radiation using electromagnetic radiation, e.g. laser radiation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/68—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for positioning, orientation or alignment
    • H01L21/681—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for positioning, orientation or alignment using optical controlling means
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/0014—Monitoring arrangements not otherwise provided for
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K2101/00—Articles made by soldering, welding or cutting
    • B23K2101/36—Electric or electronic devices
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/18—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring using absorbing layers on the workpiece, e.g. for marking or protecting purposes
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/1306—Details
    • G02F1/1309—Repairing; Testing
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/133354—Arrangements for aligning or assembling substrates

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • High Energy & Nuclear Physics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Laser Beam Processing (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)

Abstract

본 발명의 실시예는 레이저 조사 장치, 그의 구동 방법 및 그를 이용한 표시 장치의 제조 방법에 관한 것으로, 상기 레이저 조사 장치는 기판이 장착되는 스테이지, 상기 기판으로 레이저를 조사하는 레이저 조사부, 상기 기판의 소정 영역의 영상을 획득하기 위한 영상 획득부, 및 상기 레이저 조사부 및 상기 영상 획득부에 전기적으로 연결된 제어부를 포함하며, 상기 제어부는 상기 영상 획득부에서 제공된 상기 영상의 계조값들의 평균값에 대응하는 명도값을 산출하고, 상기 산출된 명도값을 기준 명도값과 비교하여 상기 레이저의 성능에 관한 데이터를 출력할 수 있다.

Description

레이저 조사 장치, 그의 구동 방법 및 그를 이용한 표시 장치의 제조 방법 {LASER IRRADIATION APPARATUS, DRIVING METHOD THEREOF, AND METHOD FOR FABRICATING DISPLAY DEVICE USING THE SAME}
본 발명의 실시예는 레이저 조사 장치, 그의 구동 방법 및 그를 이용한 표시 장치의 제조 방법 관한 것으로, 보다 상세하게는 레이저의 성능을 실시간으로 모니터링할 수 있는 레이저 조사 장치, 그의 구동 방법 및 그를 이용한 표시 장치의 제조 방법에 관한 것이다.
일반적으로 반도체 장치나 표시 장치의 제조 공정에는 레이저 조사 장치가 사용될 수 있다. 예를 들어, 두 개의 유리기판 사이의 표시부가 프릿으로 밀봉되는 구조에서 프릿을 유리기판에 용융 접착시키거나, 반도체 웨이퍼나 유리기판 등을 절단하거나, 두 개의 박막이나 기판을 서로 분리하거나, 소정의 박막을 패터닝하기 위해 레이저를 사용할 수 있다.
레이저는 반복적인 사용에 의해 에너지 밀도나 강도가 변화될 수 있기 때문에 불량의 발생을 감소시키고 제품의 신뢰성을 향상시키기 위해서는 레이저의 성능을 균일하게 유지하는 것이 중요하다.
본 발명의 실시예의 목적은 레이저의 성능을 실시간으로 모니터링할 수 있는 레이저 조사 장치, 그의 구동 방법 및 그를 이용한 표시 장치의 제조 방법을 제공하는 데 있다.
본 발명의 실시예의 다른 목적은 레이저의 성능 저하로 인한 불량을 실시간으로 감지하여 추가 불량이 발생되지 않도록 할 수 있는 레이저 조사 장치, 그의 구동 방법 및 그를 이용한 표시 장치의 제조 방법을 제공하는 데 있다.
상기한 목적을 달성하기 위한 본 발명의 일 측면에 따른 레이저 조사 장치는 기판이 장착되는 스테이지; 상기 기판으로 레이저를 조사하는 레이저 조사부; 상기 기판의 소정 영역의 영상을 획득하기 위한 영상 획득부; 및 상기 레이저 조사부 및 상기 영상 획득부에 전기적으로 연결된 제어부를 포함하며, 상기 제어부는 상기 영상 획득부에서 제공된 상기 영상의 계조값들의 평균값에 대응하는 명도값을 산출하고, 상기 산출된 명도값을 기준 명도값과 비교하여 상기 레이저의 성능에 관한 데이터를 출력할 수 있다.
상기 영상 획득부는 CCD 및 CMOS 중 하나를 포함할 수 있다.
상기 기준 명도값은 상기 기판으로 레이저를 조사하기 전에 상기 영상 획득부에 의해 획득된 영상의 계조값들에서 산출하며, 상기 기준 명도값을 산출하기 위한 영상은 상기 기판의 소정 영역에서 획득될 수 있다.
상기 산출된 명도값은 상기 기판으로 레이저를 조사한 후에 상기 영상 획득부에 의해 획득된 영상의 계조값들에서 산출할 수 있다.
상기 기판의 소정 영역은 정렬 마크 및 식벽 마크 중 하나를 포함하는 영역일 수 있다.
상기한 목적을 달성하기 위한 본 발명의 다른 일 측면에 따른 레이저 조사 장치의 구동 방법은 기판이 스테이지에 장착되는 단계; 상기 기판의 제1 영역에서 제1 영상을 획득하는 단계; 상기 제1 영상의 계조값들의 평균값에 대응하는 제1 명도값을 산출하는 단계; 상기 제1 영역을 포함하는 상기 기판의 제2 영역에 레이저를 조사하는 단계; 상기 기판의 제1 영역에서 제2 영상을 획득하는 단계; 상기 제2 영상의 계조값들의 평균값에 대응하는 제2 명도값을 산출하는 단계; 및 상기 제2 명도값을 상기 제1 명도값과 비교하여 상기 레이저의 성능에 관한 데이터를 출력하는 단계를 포함할 수 있다.
상기 제1 명도값을 산출한 후 상기 제1 명도값을 기준값과 비교하여 상기 제1 명도값이 상기 기준값보다 작은 경우 상기 기판을 상기 스테이지에서 언로드하는 단계를 더 포함할 수 있다.
상기 기판의 제1 영역은 정렬 마크 및 식별 마크 중 하나를 포함하는 영역일 수 있다.
상기한 목적을 달성하기 위한 본 발명의 또 다른 일 측면에 따른 레이저 조사 장치의 구동 방법은 기판이 스테이지에 장착되는 단계; 상기 기판의 제1 영역에서 제1 영상을 획득하는 단계; 상기 제1 영상의 계조값들의 평균값에 대응하는 제1 명도값을 산출하는 단계; 상기 제1 영역을 포함하는 상기 기판의 제2 영역에 레이저를 조사하는 단계; 상기 제2 영역과 인접한 상기 기판의 제3 영역에 레이저를 조사하는 단계; 상기 기판의 제2 영역에서 제2 영상을 획득하는 단계; 상기 제2 영상의 계조값들의 평균값에 대응하는 제2 명도값을 산출하는 단계; 상기 기판의 제1 영역에서 제3 영상을 획득하는 단계; 상기 제3 영상의 계조값들의 평균값에 대응하는 제3 명도값을 산출하는 단계; 및 상기 제2 명도값 및 상기 제3 명도값을 상기 제1 명도값을 비교하여 상기 레이저의 성능에 관한 데이터를 출력하는 단계를 포함할 수 있다.
상기 기판의 제1 영역은 정렬 마크를 포함하는 영역일 수 있다.
상기 제2 영상은 상기 기판의 제2 영역의 식별 마크를 포함하는 영역에서 획득할 수 있다.
상기한 목적을 달성하기 위한 본 발명의 또 다른 일 측면에 따른 레이저 조사 장치를 이용한 표시 장치의 제조 방법은 지지기판 상에 제1 박막을 형성하는 단계; 상기 제1 박막 상에 소자층을 형성하는 단계; 상기 소자층 상에 제2 박막을 형성하는 단계; 및 상기 제1 박막으로부터 상기 지지기판을 분리하는 단계를 포함하며, 상기 지지기판을 분리하는 단계는 상기 지지기판의 제1 영역에서 제1 영상을 획득하는 단계; 상기 제1 영상의 계조값들의 평균값에 대응하는 제1 명도값을 산출하는 단계; 상기 제1 영역을 포함하는 상기 지지기판의 제2 영역에 레이저를 조사하는 단계; 상기 지지기판의 제1 영역에서 제2 영상을 획득하는 단계; 상기 제2 영상의 계조값들의 평균값에 대응하는 제2 명도값을 산출하는 단계; 및 상기 제2 명도값을 상기 제1 명도값과 비교하여 상기 레이저의 성능에 관한 데이터를 출력하는 단계를 포함할 수 있다.
상기 지지기판의 제1 영역은 정렬 마크 및 식벽 마크 중 하나를 포함하는 영역일 수 있다.
본 발명의 실시예에 따른 레이저 조사 장치는 제조 공정 중 레이저의 성능을 실시간으로 모니터링할 수 있다. 레이저의 성능 저하로 인한 불량을 실시간으로 감지하여 사용자에게 알림으로써 추가 불량이 발생되지 않도록 할 수 있다.
또한, 본 발명의 실시예에 따른 레이저 조사 장치는 동일한 영역에 대하여 레이저 조사 전과 후의 영상들을 획득하고, 상기 영상들의 계조값들을 이용하여 레이저의 성능을 세분화하여 평가하기 때문에 정밀도 및 정확도가 높다.
따라서 레이저의 성능을 안정적으로 균일하게 유지할 수 있다. 또한, 다수의 영상 획득부를 사용하는 경우 데이터의 가공을 통해 영상 획득부들 간의 편차를 빠르고 용이하게 극복할 수 있으며, 공정의 효율성을 높일 수 있다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 레이저 조사 장치를 설명하기 위한 개략적인 블록도이다.
도 2는 도 1에 도시된 기판의 일 예를 설명하기 위한 평면도이다.
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 레이저 조사 장치의 구동 방법으로서, 제1 실시예를 설명하기 위한 흐름도이다.
도 4는 본 발명의 실시예에 따른 레이저 조사 장치의 구동 방법으로서, 제2 실시예를 설명하기 위한 흐름도이다.
도 5는 본 발명의 실시예에 따른 레이저 조사 장치의 구동 방법으로서, 제3 실시예를 설명하기 위한 흐름도이다.
도 6은 도 5를 설명하기 위한 기판의 일 예를 설명하기 위한 평면도이다.
도 7a 내지 도 7e는 본 발명의 실시예에 따른 레이저 조사 장치를 이용한 표시 장치의 제조 방법을 설명하기 위한 단면도이다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명하기로 한다. 이하의 실시예는 이 기술 분야에서 통상적인 지식을 가진 자에게 본 발명이 충분히 이해되도록 제공되는 것으로서, 여러 가지 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 다음에 기술되는 실시예에 한정되는 것은 아니다.
실시예에서, 제1, 제2 등의 용어는 한정적인 의미로 사용되지 않으며, 하나의 구성요소를 다른 구성요소와 구별하는 목적으로 사용된다. 또한, 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르지 않는 한, 복수의 표현을 포함할 수 있다.
또한, 실시예에서 층, 영역, 구성요소 등이 연결되었다고 할 때, 층, 영역, 구성요소들이 직접적으로 연결된 경우뿐만 아니라, 층, 영역, 구성요소들 중간에 다른 층, 영역, 구성요소들이 개재되어 간접적으로 연결된 경우도 포함할 수 있다. 예를 들어, 층, 영역, 구성요소 등이 전기적으로 연결되었다고 할 때, 층, 영역, 구성요소 등이 직접 전기적으로 연결된 경우뿐만 아니라, 그 중간에 다른 층, 영역, 구성요소 등이 개재되어 간접적으로 연결된 경우도 포함할 수 있다.
도면에 도시된 구성요소들의 크기는 설명의 편의를 위해 과장 또는 축소될 수 있다. 예를 들어, 각 구성요소의 크기 및 두께는 설명의 편의를 위해 임의로 나타내었으므로, 본 발명이 반드시 도시된 바에 한정되지 않는다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 레이저 조사 장치를 설명하기 위한 개략적인 블록도이다.
도 1을 참조하면, 레이저 조사 장치(100)는 스테이지(10), 레이저 조사부(20), 영상 획득부(30) 및 제어부(40)를 포함할 수 있다. 또한, 레이저 조사 장치(100)는 표시부(50) 및(또는) 알람(60)을 더 포함할 수 있다.
스테이지(10)는 평탄한 표면을 제공하는 판 형태로 이루어질 수 있으며, 구동부(10a)에 의해 예를 들어, X, Y 및 Z축 방향으로 이동될 수 있다. 스테이지(10) 상에는 공정 대상물로서, 기판(12)이 안착될 수 있다.
레이저 조사부(20)는 기판(12)으로 레이저(L)를 조사할 수 있도록 스테이지(10) 상부에 배치될 수 있다.
레이저(L)는 엑시머 레이저(excimer laser)나 고체 레이저(solid state laser) 등일 수 있다.
도 1에는 도시되지 않았지만, 레이저 조사부(20)는 소정의 구동수단에 의해 예를 들어, X, Y 및 Z축 방향으로 이동이 가능하도록 구성될 수 있다. 또한, 레이저 조사부(20)는 전력원 및 레이저 발생부를 더 포함할 수 있다.
영상 획득부(30)는 기판(12)의 소정 영역의 영상을 획득할 수 있도록 스테이지(10) 상부에 배치될 수 있다.
도 1에는 도시되지 않았지만, 영상 획득부(30)는 소정의 구동수단에 의해 예를 들어, X, Y 및 Z축 방향으로 이동이 가능하도록 구성될 수 있다.
영상 획득부(30)는 상기 영상을 획득하기 위한 촬상소자로서, 예를 들어, CCD(charge-coupled device)나 CMOS(complementary metal-oxide semiconductor) 등을 포함하는 카메라로 구성될 수 있다.
도 1에는 하나의 영상 획득부(30)를 도시하였으나, 필요에 따라 영상 획득부(30)를 복수로 설치할 수 있다.
제어부(40)는 레이저 조사부(20) 및 영상 획득부(30)에 전기적으로 연결될 수 있다. 제어부(40)는 중앙처리장치(CPU), 메모리 및 신호 입출력 장치 등을 포함하는 컴퓨터로 구성될 수 있다.
제어부(40)는 영상 획득부(30)로부터 제공된 영상의 계조값들의 평균값에 대응하는 명도값을 산출하고, 상기 산출된 명도값을 기준 명도값과 비교하여 레이저(L)의 성능에 관한 데이터를 표시부(50) 및(또는) 알람(60)을 통해 출력할 수 있다.
도 2는 도 1에 도시된 기판(12)의 일 예를 설명하기 위한 평면도이다.
도 2는 기판(12)이 사각 형태로 이루어진 경우를 예로 들어 도시하였지만, 기판(12)은 다각형, 원형, 타원형 등의 다양한 평면 형태를 가질 수 있다. 또한, 기판(12)은 기재기판 상에 적층된 하나 이상의 박막을 포함할 수 있다. 상기 박막은 절연막 및 도전막을 포함할 수 있다.
도 2를 참조하면, 기판(12)은 사각 형태로서, 주변부 또는 모서리부에 예를 들어, 정렬 마크(14a)나 식별 마크(14b) 등이 구비될 수 있다.
정렬 마크(14a)는 기판(12)의 위치를 파악하는 데 이용될 수 있다. 예를 들어, 기판(12)과 스테이지(10)의 정렬 또는 기판(12)과 마스크의 정렬에 이용될 수 있다.
식별 마크(14b)는 기판(12)의 방향을 파악하는 데 이용될 수 있다. 예를 들어, 기판(12)의 전면을 표시하거나, 기판(12)의 방향을 표시할 수 있다.
부호 16은 정렬 마크(14a)나 식별 마크(14b)를 포함하는 일부의 영역으로서, 제1 영역을 지시하고, 부호 18은 상기 제1 영역을 포함하는 기판(12)의 전체 영역으로서, 제2 영역을 지시한다.
그러면 도 3을 통해 레이저 조사 장치(100)의 구성을 더 상세하게 설명하기로 한다.
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 레이저 조사 장치(100)의 구동 방법으로서, 제1 실시예를 설명하기 위한 흐름도이다.
먼저, 스테이지(10) 상에 기판(12)이 장착될 수 있다(S101).
기판(12)은 예를 들어, 로봇 암(robot arm)이나 작업자에 의해 스테이지(10)로 로드(load)될 수 있다.
영상 획득부(30)가 기판(12)의 제1 영역(16) 상부로 이동하고, 제1 영역(16)을 촬영하여 제1 영상을 획득할 수 있다(S102). 영상 획득부(30)는 상기 제1 영상을 제어부(40)로 제공할 수 있다.
상기 제1 영상을 획득하기 전에 영상 획득부(30)는 기판(12)의 정렬 마크(14a) 및 식별 마크(14b)를 촬영하고, 촬영한 영상들을 제어부(40)로 제공하여 기판(12)의 정렬 상태를 확인할 수 있다.
본 실시예에서는 하나의 영상 획득부(30)를 사용하였으나, 필요에 따라 영상 획득부(30)를 복수로 설치할 수 있다. 예를 들어, 두 개의 영상 획득부(30)를 사용하여 기판(12) 양측의 정렬 마크(14a)를 각각 촬영하거나, 제1 영역(16)들에 대해 각각의 제1 영상을 획득할 수 있다.
제어부(40)는 영상 획득부(30)로부터 제공된 상기 제1 영상의 계조값들의 평균값을 산출하고, 상기 평균값에 대응하는 제1 명도값을 산출할 수 있다(S103).
상기 제1 영상은 제1 영역(16)에 대응하는 화소들에 의해 얻어진 계조값들을 포함할 수 있다. 각 계조값은 예를 들어, 0 내지 255 사이의 값들 중 하나일 수 있다.
상기 제1 명도값은 상기 0 내지 255 사이의 계조값에 대응되는 값으로서, 예를 들어, 0 내지 10 사이의 값을 가질 수 있다. 즉, 상기 계조값의 범위를 11 단계로 분할한 값들 중 하나에 대응될 수 있다.
본 실시예에서는 계조값을 0 내지 255 사이의 값으로 설명하고, 제1 명도값을 11 단계로 설명하였으나, 상기 계조값의 범위 및 상기 명도값의 단계를 더 증가시킬 경우 보다 정밀하고 정확한 검사가 가능해질 수 있다.
영상 획득부(30)가 원 위치로 복귀한 상태에서 레이저 조사부(20)는 제1 영역(16)을 포함하는 기판(12)의 제2 영역(18)에 레이저(L)를 조사할 수 있다(S106).
레이저(L)는 공정의 목적에 따라 소정의 에너지 밀도나 강도를 가질 수 있으며, 소정의 폭으로 조사될 수 있다.
예를 들어, 레이저 조사부(20)는 기판(12)의 일측에서 다른 일측으로 일정 속도로 이동하며 레이저(L)를 조사하거나, 기판(12)을 복수의 영역으로 구분하고, 상기 복수의 영역을 순차적으로 스캐닝하는 방식으로 레이저(L)를 조사할 수 있다.
레이저(L)가 조사된 기판(12) 또는 박막에는 용융된 자국이나 탄화 자국이 잔류될 수 있다.
영상 획득부(30)가 다시 기판(12)의 제1 영역(16) 상부로 이동하고, 제1 영역(16)을 촬영하여 제2 영상을 획득할 수 있다(S107). 영상 획득부(30)는 상기 제2 영상을 제어부(40)로 제공할 수 있다.
제어부(40)는 영상 획득부(30)로부터 제공된 상기 제2 영상의 계조값들의 평균값을 산출하고, 상기 평균값에 대응하는 제2 명도값을 산출할 수 있다(S108). 상기 제2 명도값을 산출하는 과정은 상기 제1 명도값을 산출하는 과정과 같을 수 있다.
제어부(40)는 상기 제2 명도값을 상기 제1 명도값과 비교하여 레이저(L)의 성능에 관한 데이터를 표시부(50) 및(또는) 알람(60)을 통해 출력할 수 있다(S109).
상기 제1 명도값은 레이저(L)가 조사되기 전의 제1 영역(16)의 기판(12) 또는 박막의 상태로서, 비교적 밝은 명도값으로서, 예를 들어, 7 내지 8 정도의 값을 가질 수 있다.
상기 제2 명도값은 레이저(L)가 조사된 후의 제1 영역(16)의 기판(12) 또는 박막의 상태로서, 용융된 자국이나 탄화 자국에 의해 비교적 어두운 명도값으로서, 예를 들어, 2 내지 3 정도의 값을 가질 수 있다.
제어부(40)는 상기 제1 명도값과 상기 제2 명도값의 차이가 기준값, 예를 들어, 4 내지 6의 범위에 포함되는 경우 레이저(L)의 성능이 정상인 것으로 판정할 수 있다. 따라서 표시부(50)를 통해 레이저(L)의 성능에 관한 데이터로서, 상기 제1 명도값, 상기 제2 명도값, 상기 차이값, 상기 판정결과 등을 출력할 수 있다. 상기 데이터는 상기 제1 영상 및 상기 제2 영상을 더 포함할 수 있다.
또한, 제어부(40)는 상기 제1 명도값과 상기 제2 명도값의 차이가 상기 기준값의 범위에 포함되는 않는 경우 레이저(L)의 성능이 비정상인 것으로 판정할 수 있다.
예를 들어, 상기 제1 명도값과 상기 제2 명도값의 차이가 상기 기준값보다 작거나 크면 레이저(L)의 에너지 밀도나 강도가 감소되거나 증가되어 성능이 저하된 것으로 판정할 수 있다.
레이저(L)의 에너지 밀도나 강도가 감소될 경우 상기 용융된 자국이나 탄화된 자국이 비교적 더 밝게 나타날 수 있고, 레이저(L)의 에너지 밀도나 강도가 증가된 경우 상기 용융된 자국이나 탄화된 자국이 비교적 더 어둡게 나타날 수 있다.
제어부(40)는 상기 레이저(L)의 성능에 관한 데이터를 상기 레이저 발생부 등으로 제공하고, 상기 레이저 발생부는 레이저(L)의 밀도나 강도가 정상 범위에 포함되도록 레이저(L)의 출력을 조정하거나, 광학계를 조정할 수 있다.
복수의 영상 획득부(30)를 사용할 경우, 예를 들어, 두 개의 영상 획득부(30)를 사용하여 제1 영역(16)들에 대해 각각의 제1 영상을 획득하거나, 상기 제1 영상 및 상기 제2 영상을 각각 획득할 수 있다. 이 경우 더 많은 데이터의 가공을 통해 영상 획득부(30)들 간의 편차를 빠르고 용이하게 극복할 수 있으며, 공정의 효율성을 높일 수 있다.
상기 실시예에 따른 레이저 조사 장치(100)는 제조 공정 중 레이저(L)의 성능을 실시간으로 모니터링할 수 있다. 레이저(L)의 성능 저하로 인한 불량을 실시간으로 감지하여 사용자에게 알림으로써 추가 불량이 발생되지 않도록 할 수 있다.
또한, 본 발명의 실시예에 따른 레이저 조사 장치(100)는 동일한 제1 영역(16)에 대하여 레이저(L) 조사 전과 후의 영상들을 각각 획득하고, 상기 영상들의 계조값들을 이용하여 레이저(L)의 성능을 세분화하여 평가한다.
서로 다른 영역에 대해 검사가 실시될 경우 환경이나 조건의 차이 등에 의해 정확도가 떨어질 수 있지만, 본 발명의 실시예는 동일 영역에 대해 검사를 실시하기 때문에 정밀도 및 정확도가 높다. 따라서 레이저(L)의 성능을 안정적으로 균일하게 유지할 수 있다.
상기 실시예에서는 제1 영역(16)을 정렬 마크(14a)나 식별 마크(14b)를 포함하는 일부의 영역으로 설명하였다. 이는 동일한 영역에 대하여 레이저(L) 조사 전과 후의 영상들을 획득하여 비교함으로써 보다 정밀하고 정확한 판정결과를 얻기 위한 것으로, 제1 영역(16)은 필요에 따라 변경될 수 있음은 물론이다.
도 4는 본 발명의 실시예에 따른 레이저 조사 장치(100)의 구동 방법으로서, 제2 실시예를 설명하기 위한 흐름도이다.
제2 실시예에 따른 구동 방법은 단계(S104 및 S105)를 제외하면 제1 실시예의 구동 방법과 동일하다. 따라서 차이점에 대해서만 설명하기로 한다.
제어부(40)가 상기 제1 명도값을 산출하고(S103), 상기 제1 명도값을 상기 기준값(예를 들어, 4 내지 6)과 비교할 수 있다(S104).
상기 제1 명도값이 상기 기준값보다 작은 경우 기판(12)을 스테이지(10)에서 언로드(unload)할 수 있다(S105).
예를 들어, 레이저(L)가 조사된 기판(12)이 다시 공정에 투입될 경우 과도한 레이저(L)의 조사에 의해 불량이 초래될 수 있다. 또한, 기판(12)의 표면이 이물 등에 의해 오염된 경우 불량의 원인으로 작용할 수 있다.
레이저(L) 조사가 이루어지기 전에 상기 단계(S104 및 S105)를 실시하여 기판(12)이 공정에 투입되지 않도록 함으로써 불량을 효과적으로 방지할 수 있다.
반면, 상기 제1 명도값이 상기 기준값보다 크거나 같은 경우에는 도 3의 제1 실시예와 같이 나머지 단계들(S106 내지 S109)을 순차적으로 진행할 수 있다.
도 5는 본 발명의 실시예에 따른 레이저 조사 장치(100)의 구동 방법으로서, 제3 실시예를 설명하기 위한 흐름도이다. 도 6은 제3 실시예에 적용되는 기판의 일 예를 설명하기 위한 평면도이다.
먼저, 도 6을 참조하면, 기판(12)은 도 2를 통해 설명한 기판(12)과 동일할 수 있다. 다만, 기판(12)은 도 2의 제2 영역(18) 대신 제1 영역(16)을 포함하는 제2 영역(18a)과, 제2 영역(18a)과 인접하는 제3 영역(18b)을 포함할 수 있다.
도 5를 참조하면, 스테이지(10) 상에 기판(12)이 장착될 수 있다(S201).
기판(12)은 예를 들어, 로봇 암이나 작업자에 의해 로드될 수 있다.
영상 획득부(30)가 기판(12)의 제1 영역(16) 상부로 이동하고, 제1 영역(16)을 촬영하여 제1 영상을 획득할 수 있다(S202). 영상 획득부(30)는 상기 제1 영상을 제어부(40)로 제공할 수 있다.
상기 제1 영상을 획득하기 전에 영상 획득부(30)는 기판(12)의 정렬 마크(14a) 및 식별 마크(14b)를 촬영하고, 촬영한 영상들을 제어부(40)로 제공하여 기판(12)의 정렬 상태를 확인할 수 있다.
제어부(40)는 영상 획득부(30)로부터 제공된 상기 제1 영상의 계조값들의 평균값을 산출하고, 상기 평균값에 대응하는 제1 명도값을 산출할 수 있다(S203).
상기 제1 명도값은 도 3의 제1 실시예를 통해 설명한 과정을 통해 산출될 수 있다.
영상 획득부(30)가 원 위치로 복귀한 상태에서 레이저 조사부(20)는 제1 영역(16)을 포함하는 기판(12)의 제2 영역(18a)에 레이저(L)를 조사할 수 있다(S204). 그리고 연속적으로 제2 영역(18a)과 인접한 기판(12)의 제3 영역(18b)에 레이저(L)를 조사할 수 있다(S205).
예를 들어, 레이저 조사부(20)는 제2 영역(18a)에서 X축 방향으로 이동한 후 제2 영역(18a)에서 제3 영역(18b)을 향하여 Y축 방향으로 이동하고, 연속하여 제3 영역(18b)에서 X축 방향으로 이동할 수 있다.
본 실시예에서는 제2 영역(18a)과 제3 영역(18b)을 도시하였으나, 다른 실시예로서, 기판(12)을 세 개 이상의 복수의 영역으로 구분하고, 상기 복수의 영역을 순차적으로 스캐닝하는 방식으로 레이저(L)를 조사할 수 있다.
레이저(L)가 조사된 기판(12) 또는 박막에는 용융된 자국이나 탄화 자국이 잔류될 수 있다.
영상 획득부(30)가 기판(12)의 제2 영역(18a) 상부로 이동하고, 제2 영역(18a)을 촬영하여 제2 영상을 획득할 수 있다(S206). 영상 획득부(30)는 상기 제2 영상을 제어부(40)로 제공할 수 있다.
제2 영역(18a)은 특별히 제한되지는 않지만, 식별 마크(14b)를 포함하는 영역인 것이 바람직하다.
제어부(40)는 영상 획득부(30)로부터 제공된 상기 제2 영상의 계조값들의 평균값을 산출하고, 상기 평균값에 대응하는 제2 명도값을 산출할 수 있다(S207). 상기 제2 명도값을 산출하는 과정은 상기 제1 명도값을 산출하는 과정과 같을 수 있다.
영상 획득부(30)가 다시 기판(12)의 제1 영역(16) 상부로 이동하고, 제1 영역(16)을 촬영하여 제3 영상을 획득할 수 있다(S208). 영상 획득부(30)는 상기 제3 영상을 제어부(40)로 제공할 수 있다.
제어부(40)는 영상 획득부(30)로부터 제공된 상기 제3 영상의 계조값들의 평균값을 산출하고, 상기 평균값에 대응하는 제3 명도값을 산출할 수 있다(S209). 상기 제3 명도값을 산출하는 과정은 상기 제1 명도값을 산출하는 과정과 같을 수 있다.
제어부(40)는 상기 제2 명도값 및 상기 제3 명도값을 상기 제1 명도값과 비교하여 레이저(L)의 성능에 관한 데이터를 표시부(50) 및(또는) 알람(60)을 통해 출력할 수 있다(S210).
상기 제1 명도값은 레이저(L)가 조사되기 전의 제1 영역(16)의 기판(12) 또는 박막의 상태로서, 비교적 밝은 명도값으로서, 예를 들어, 7 내지 8 정도의 값을 가질 수 있다.
상기 제2 명도값은 레이저(L)가 조사된 후의 제2 영역(18a)의 기판(12) 또는 박막의 상태로서, 용융된 자국이나 탄화 자국에 의해 비교적 어두운 명도값으로서, 예를 들어, 2 내지 3 정도의 값을 가질 수 있다.
상기 제3 명도값은 레이저(L)가 조사된 후의 제1 영역(16)의 기판(12) 또는 박막의 상태로서, 용융된 자국이나 탄화 자국에 의해 비교적 어두운 명도값으로서, 예를 들어, 2 내지 3 정도의 값을 가질 수 있다.
제1 및 제2 실시예와 달리, 제3 실시예에 따른 구동 방법은 레이저(L)가 조사되는 과정에서의 성능 변화를 감지할 수 있는 기능을 더 포함한다.
제1 영역(16)에 대한 상기 제1 영상과 상기 제3 영상의 명도값 차이를 통해 레이저(L) 조사 전과 후의 성능 변화를 검출할 수 있을 뿐만 아니라 제2 영역(18a)에 대한 상기 제2 영상의 명도값을 이용하여 레이저(L) 조사 과정에서 발생할 수 있는 성능 변화를 검출할 수 있다.
레이저(L)를 조사하는 과정에서 발생되는 성능 변화는 화상의 얼룩 등과 같은 품질의 균일도를 저하시키는 요인으로 작용할 수 있다. 제3 실시예의 구동 방법에 따르면, 기판(12)의 전체 영역에서 레이저(L)의 성능을 균일하게 유지할 수 있기 때문에 품질 균일도를 높일 수 있다.
본 발명의 실시예에 따른 레이저 조사 장치(100)는 예를 들어, 표시 장치의 제조에 이용될 수 있다.
도 7a 내지 도 7e는 본 발명의 실시예에 따른 레이저 조사 장치(100)를 이용한 표시 장치의 제조 방법을 설명하기 위한 단면도이다.
도 7a를 참조하면, 지지기판(12)의 일면에 제1 박막(70)을 형성할 수 있다.
지지기판(12)은 내열성을 갖는 투명한 기판으로서, 유리 기판으로 이루어질 수 있다.
제1 박막(70)은 유기막으로 형성하거나, 유기막, 무기막 및 유기막의 적층 구조로 형성할 수 있다.
상기 유기막은 폴리에테르술폰(PES, polyethersulphone), 폴리아크릴레이트(PAR, polyacrylate), 폴리에테르이미드(PEI, polyether imide), 폴리에틸렌 나프탈레이트(PEN, polyethyelenen napthalate), 폴리에틸렌 테레프탈레이드(PET, polyethyeleneterepthalate), 폴리페닐렌 설파이드(PPS, polyphenylene sulfide), 폴리아릴레이트(polyallylate), 폴리이미드(PI, polyimide) 등으로 형성할 수 있으나, 이에 한정되지 않는다.
상기 무기막은 베리어층으로서, 하부로부터 이물, 습기 또는 외기의 침투를 차단한다. 상기 무기막은 실리콘 질화물, 알루미늄 질화물, 지르코늄 질화물, 티타늄 질화물, 하프늄 질화물, 탄탈륨 질화물, 실리콘 산화물, 알루미늄 산화물, 티타늄 산화물, 주석 산화물, 세륨 산화물 및 실리콘 산화질화물(SiON)로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 또는 하나 이상의 물질을 포함할 수 있다.
도 7b를 참조하면, 제1 박막(70) 상에 소자층(80)을 형성할 수 있다.
소자층(80)은 화상을 표시하기 위한 화소 어레이를 포함할 수 있다. 각 화소는 발광소자 및 상기 발광소자를 구동하기 위한 화소회로로서, 박막 트랜지스터 및 캐패시터를 포함할 수 있다.
상기 발광소자는 액정표시소자 또는 유기전계발광 다이오드를 포함할 수 있다.
도 7c를 참조하면, 소자층(80) 상에 제2 박막(90)을 형성할 수 있다.
제2 박막(90)은 소자층(80)을 보호하고 밀봉하기 위한 것으로, 유기막 또는 무기막으로 형성하거나, 유기막 및 무기막의 적층 구조로 형성할 수 있다.
도 7d를 참조하면, 지지기판(12)의 다른 일면으로 레이저(L)를 조사할 수 있다. 레이저(L)는 지지기판(12)과 제1 박막(70)의 계면에 조사될 수 있다. 레이저(L)에 의해 제1 박막(70)의 소정 두께가 용융 및 탄화됨으로써 탄화 자국(70)이 잔류될 수 있다.
레이저(L) 조사 과정을 도 1 내지 도 3을 참조하여 보다 상세하게 설명하면 다음과 같다.
먼저, 스테이지(10) 상에 지지기판(12)의 다른 일면이 상부를 향하도록 장착될 수 있다(S101).
영상 획득부(30)가 지지기판(12)의 제1 영역(16) 상부로 이동하고, 제1 영역(16)을 촬영하여 제1 영상을 획득할 수 있다(S102). 영상 획득부(30)는 상기 제1 영상을 제어부(40)로 제공할 수 있다.
상기 제1 영상을 획득하기 전에 영상 획득부(30)는 지지기판(12)의 정렬 마크(14a) 및 식별 마크(14b)를 촬영하고, 촬영한 영상들을 제어부(40)로 제공하여 지지기판(12)의 정렬 상태를 확인할 수 있다.
제어부(40)는 영상 획득부(30)로부터 제공된 상기 제1 영상의 계조값들의 평균값을 산출하고, 상기 평균값에 대응하는 제1 명도값을 산출할 수 있다(S103).
영상 획득부(30)가 원 위치로 복귀한 상태에서 레이저 조사부(20)는 제1 영역(16)을 포함하는 지지기판(12)의 제2 영역(18)에 레이저(L)를 조사할 수 있다(S106).
영상 획득부(30)가 다시 지지기판(12)의 제1 영역(16) 상부로 이동하고, 제1 영역(16)을 촬영하여 제2 영상을 획득할 수 있다(S107). 영상 획득부(30)는 상기 제2 영상을 제어부(40)로 제공할 수 있다.
제어부(40)는 영상 획득부(30)로부터 제공된 상기 제2 영상의 계조값들의 평균값을 산출하고, 상기 평균값에 대응하는 제2 명도값을 산출할 수 있다(S108). 상기 제2 명도값을 산출하는 과정은 상기 제1 명도값을 산출하는 과정과 같을 수 있다.
제어부(40)는 상기 제2 명도값을 상기 제1 명도값과 비교하여 레이저(L)의 성능에 관한 데이터를 표시부(50) 및(또는) 알람(60)을 통해 출력할 수 있다(S109).
상기와 같은 과정을 통해 레이저(L)의 조사에 따른 탄화 자국(70a)의 영상을 획득하여 명도값(제2 명도값)을 산출하고, 산출된 명도값을 기준 명도값(제1 명도값)과 비교함으로써 제조 공정 중 레이저(L)의 성능을 실시간으로 모니터링할 수 있다.
도 7e를 참조하면, 제1 박막(70)으로부터 지지기판(12)을 분리할 수 있다. 탄화 자국(70)으로 인해 지지기판(12)을 용이하게 분리할 수 있다.
제1 박막(70), 소자층(80) 및 제2 박막(90)은 표시 패널로서, 액정 표시 장치나 유기전계발광 표시 장치를 구성할 수 있다.
도 7d를 통해 설명한 레이저(L) 조사 공정에서, 레이저(L)의 성능이 저하될 경우 제1 박막(70)으로부터 지지기판(12)을 분리할 때 제1 박막(70)의 뜯김이 발생하는 등 계면 상태가 불량해질 수 있다. 이러한 불량은 공정이 진행되는 동안 계속적으로 발생할 수 있다.
본 발명의 실시예는 레이저(L)의 성능 저하로 인한 불량을 실시간으로 검출할 수 있으며, 빠르게 대처할 수 있다.
이상에서와 같이 상세한 설명과 도면을 통해 본 발명의 최적의 실시예를 개시하였다. 용어들은 단지 본 발명을 설명하기 위한 목적에서 사용된 것이지 의미 한정이나 특허청구범위에 기재된 본 발명의 범위를 제한하기 위하여 사용된 것은 아니다. 그러므로 본 기술 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의해 정해져야 할 것이다.
10: 스테이지 10a: 구동부
12: 기판 14a: 정렬 마크
14b: 식별 마크 16: 제1 영역
18: 제2 영역 20: 레이저 조사부
30: 영상 획득부 40: 제어부
50: 표시부 60: 알람
70: 제1 박막 70a: 탄화 자국
80: 소자층 90: 제2 박막

Claims (13)

  1. 기판이 장착되는 스테이지;
    상기 기판으로 레이저를 조사하는 레이저 조사부;
    상기 기판의 소정 영역의 영상을 획득하기 위한 영상 획득부; 및
    상기 레이저 조사부 및 상기 영상 획득부에 전기적으로 연결된 제어부를 포함하며,
    상기 제어부는 상기 영상 획득부에서 제공된 상기 영상의 계조값들의 평균값에 대응하는 명도값을 산출하고, 상기 산출된 명도값을 기준 명도값과 비교하여 상기 레이저의 성능에 관한 데이터를 출력하고,
    상기 기준 명도값은 상기 기판으로 레이저를 조사하기 전에 상기 영상 획득부에 의해 획득된 영상의 계조값들에서 산출하는 레이저 조사 장치.
  2. 제1 항에 있어서, 상기 영상 획득부는 CCD 및 CMOS 중 하나를 포함하는 레이저 조사 장치.
  3. 제1 항에 있어서, 상기 기준 명도값을 산출하기 위한 영상은 상기 기판의 소정 영역에서 획득되는 레이저 조사 장치.
  4. 제1 항에 있어서, 상기 산출된 명도값은 상기 기판으로 레이저를 조사한 후에 상기 영상 획득부에 의해 획득된 영상의 계조값들에서 산출하는 레이저 조사 장치.
  5. 제1 항에 있어서, 상기 기판의 소정 영역은 정렬 마크 및 식벽 마크 중 하나를 포함하는 영역인 레이저 조사 장치.
  6. 기판이 스테이지에 장착되는 단계;
    상기 기판의 제1 영역에서 제1 영상을 획득하는 단계;
    상기 제1 영상의 계조값들의 평균값에 대응하는 제1 명도값을 산출하는 단계;
    상기 제1 영역을 포함하는 상기 기판의 제2 영역에 레이저를 조사하는 단계;
    상기 기판의 제1 영역에서 제2 영상을 획득하는 단계;
    상기 제2 영상의 계조값들의 평균값에 대응하는 제2 명도값을 산출하는 단계; 및
    상기 제2 명도값을 상기 제1 명도값과 비교하여 상기 레이저의 성능에 관한 데이터를 출력하는 단계를 포함하는 레이저 조사 장치의 구동 방법.
  7. 제6 항에 있어서, 상기 제1 명도값을 산출한 후 상기 제1 명도값을 기준값과 비교하여 상기 제1 명도값이 상기 기준값보다 작은 경우 상기 기판을 상기 스테이지에서 언로드하는 단계를 더 포함하는 레이저 조사 장치의 구동 방법.
  8. 제6 항에 있어서, 상기 기판의 제1 영역은 정렬 마크 및 식별 마크 중 하나를 포함하는 영역인 레이저 조사 장치의 구동 방법.
  9. 기판이 스테이지에 장착되는 단계;
    상기 기판의 제1 영역에서 제1 영상을 획득하는 단계;
    상기 제1 영상의 계조값들의 평균값에 대응하는 제1 명도값을 산출하는 단계;
    상기 제1 영역을 포함하는 상기 기판의 제2 영역에 레이저를 조사하는 단계;
    상기 제2 영역과 인접한 상기 기판의 제3 영역에 레이저를 조사하는 단계;
    상기 기판의 제2 영역에서 제2 영상을 획득하는 단계;
    상기 제2 영상의 계조값들의 평균값에 대응하는 제2 명도값을 산출하는 단계;
    상기 기판의 제1 영역에서 제3 영상을 획득하는 단계;
    상기 제3 영상의 계조값들의 평균값에 대응하는 제3 명도값을 산출하는 단계; 및
    상기 제2 명도값 및 상기 제3 명도값을 상기 제1 명도값을 비교하여 상기 레이저의 성능에 관한 데이터를 출력하는 단계를 포함하는 레이저 조사 장치의 구동 방법.
  10. 제9 항에 있어서, 상기 기판의 제1 영역은 정렬 마크를 포함하는 영역인 레이저 조사 장치의 구동 방법.
  11. 제9 항에 있어서, 상기 제2 영상은 상기 기판의 제2 영역의 식별 마크를 포함하는 영역에서 획득하는 레이저 조사 장치의 구동 방법.
  12. 지지기판 상에 제1 박막을 형성하는 단계;
    상기 제1 박막 상에 소자층을 형성하는 단계;
    상기 소자층 상에 제2 박막을 형성하는 단계; 및
    상기 제1 박막으로부터 상기 지지기판을 분리하는 단계를 포함하며,
    상기 지지기판을 분리하는 단계는
    상기 지지기판의 제1 영역에서 제1 영상을 획득하는 단계;
    상기 제1 영상의 계조값들의 평균값에 대응하는 제1 명도값을 산출하는 단계;
    상기 제1 영역을 포함하는 상기 지지기판의 제2 영역에 레이저를 조사하는 단계;
    상기 지지기판의 제1 영역에서 제2 영상을 획득하는 단계;
    상기 제2 영상의 계조값들의 평균값에 대응하는 제2 명도값을 산출하는 단계; 및
    상기 제2 명도값을 상기 제1 명도값과 비교하여 상기 레이저의 성능에 관한 데이터를 출력하는 단계를 포함하는 표시 장치의 제조 방법.
  13. 제12 항에 있어서, 상기 지지기판의 제1 영역은 정렬 마크 및 식벽 마크 중 하나를 포함하는 영역인 표시 장치의 제조 방법.
KR1020180117114A 2018-10-01 2018-10-01 레이저 조사 장치, 그의 구동 방법 및 그를 이용한 표시 장치의 제조 방법 KR102624510B1 (ko)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020180117114A KR102624510B1 (ko) 2018-10-01 2018-10-01 레이저 조사 장치, 그의 구동 방법 및 그를 이용한 표시 장치의 제조 방법
US16/568,841 US11703700B2 (en) 2018-10-01 2019-09-12 Laser irradiation apparatus, driving method thereof, and method of manufacturing display device using the same
CN201910910722.3A CN110970326A (zh) 2018-10-01 2019-09-25 激光照射装置及其驱动方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020180117114A KR102624510B1 (ko) 2018-10-01 2018-10-01 레이저 조사 장치, 그의 구동 방법 및 그를 이용한 표시 장치의 제조 방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20200037909A KR20200037909A (ko) 2020-04-10
KR102624510B1 true KR102624510B1 (ko) 2024-01-16

Family

ID=69944985

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020180117114A KR102624510B1 (ko) 2018-10-01 2018-10-01 레이저 조사 장치, 그의 구동 방법 및 그를 이용한 표시 장치의 제조 방법

Country Status (3)

Country Link
US (1) US11703700B2 (ko)
KR (1) KR102624510B1 (ko)
CN (1) CN110970326A (ko)

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP4000943B1 (en) * 2020-11-20 2024-02-07 HID Global CID SAS Method of generating a map for use in a laser engraving process and laser engraving method
CN114598851A (zh) * 2020-12-06 2022-06-07 江苏迪盛智能科技有限公司 一种ldi系统的激光能量自动调节方法
JP7330253B2 (ja) * 2020-12-08 2023-08-21 住友化学株式会社 マーク付き光学積層体、及び、マーク付き光学積層体の製造方法
CN113634872B (zh) * 2021-08-31 2022-10-25 西安交通大学 一种激光加工腔体的在线监测加工方法以及系统
CN114627140B (zh) * 2022-05-16 2022-08-16 新风光电子科技股份有限公司 基于高压变频器的煤矿通风机智能调节方法
WO2024087153A1 (zh) * 2022-10-28 2024-05-02 袁元 半导体器件的质量改善方法、装置及高能粒子束光刻设备
US11993051B1 (en) * 2023-01-16 2024-05-28 SAGA Computer Numerical Control Co., Ltd Board creasing and cutting apparatus and method for producing packaging box
CN116364636B (zh) * 2023-05-31 2023-07-28 广东鸿浩半导体设备有限公司 一种基于红外成像辅助的激光解键合方法

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002001555A (ja) * 2000-06-22 2002-01-08 Ishikawajima Harima Heavy Ind Co Ltd レーザ加工装置
JP2012055923A (ja) * 2010-09-08 2012-03-22 Pulstec Industrial Co Ltd レーザ加工装置及びレーザ加工装置の原点補正方法

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
AU2277900A (en) * 1998-12-21 2000-07-12 Hottinger Maschinenbau Gmbh Method and device for object recognition
KR101084231B1 (ko) 2009-10-05 2011-11-16 삼성모바일디스플레이주식회사 레이저 조사 시스템 및 레이저 조사 방법
EP2655818B1 (en) 2010-12-23 2017-01-18 Caterpillar INC. Method and apparatus for measuring ash deposit levels in a particulate filter
FR3010785B1 (fr) * 2013-09-18 2015-08-21 Snecma Procede de controle de la densite d'energie d'un faisceau laser par analyse d'image et dispositif correspondant
JP2016115738A (ja) * 2014-12-12 2016-06-23 東京エレクトロン株式会社 エッチング処理方法及びベベルエッチング装置
CN105528994B (zh) * 2016-02-22 2019-03-15 深圳市华星光电技术有限公司 一种降低显示面板功耗的方法及系统

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002001555A (ja) * 2000-06-22 2002-01-08 Ishikawajima Harima Heavy Ind Co Ltd レーザ加工装置
JP2012055923A (ja) * 2010-09-08 2012-03-22 Pulstec Industrial Co Ltd レーザ加工装置及びレーザ加工装置の原点補正方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN110970326A (zh) 2020-04-07
KR20200037909A (ko) 2020-04-10
US20200103681A1 (en) 2020-04-02
US11703700B2 (en) 2023-07-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102624510B1 (ko) 레이저 조사 장치, 그의 구동 방법 및 그를 이용한 표시 장치의 제조 방법
US7507590B2 (en) Method of manufacturing array substrate and method of manufacturing organic EL display device
JP2006323032A (ja) フラットパネルディスプレイディバイスの欠陥画素リペア装置及びその欠陥画素リペア方法
US10417757B2 (en) Image inspection apparatus and image inspection method
KR20130066647A (ko) 유기 ｅｌ 디스플레이 패널 수정 설비 및 수정 방법
US20060221333A1 (en) Inspection device for transparent substrate end surface and inspection method therefor
KR20200011577A (ko) Oled 스택 필름의 품질 평가를 위한 시스템, 장치, 및 방법
JP2009016195A (ja) 有機発光装置のリペア方法及びそれを用いた有機発光装置の製造方法
KR20140070464A (ko) 기판의 결함 검사 방법, 기판의 결함 검사 장치 및 컴퓨터 기억 매체
WO2010018869A1 (ja) 太陽電池の製造方法及び製造装置
JP2011134489A (ja) 有機ｅｌディスプレイ基板の点灯検査設備及び点灯検査方法、有機ｅｌディスプレイ基板の欠陥検査修正装置及び欠陥検査修正方法並びに有機ｅｌディスプレイ製造システム及び製造方法。
KR102145960B1 (ko) 실링 검사 장치 및 방법
TW201910009A (zh) 基板處理裝置及基板處理裝置之零件檢查方法
KR101745883B1 (ko) 인쇄회로기판의 광학 검사 장치 및 방법
US20200150052A1 (en) Apparatus and method for inspecting glass substrate
US9202270B2 (en) Pattern inspection apparatus and pattern inspection method
CN107727654B (zh) 膜层检测方法、装置及膜层检测系统
CN113005419B (zh) 对准及成膜装置、对准及成膜方法、电子器件的制造方法
CN115508384A (zh) 检查方法和检查系统
KR102626352B1 (ko) 기판 상의 결함을 검사하는 방법 및 장치
US11150499B2 (en) Panel repairing apparatus and method of repairing display panel using the same
US20120015453A1 (en) Photovoltaic cell manufacturing method and photovoltaic cell manufacturing apparatus
KR101442679B1 (ko) 레이저를 이용한 프릿 실링장치
JP2009075044A (ja) 有機ｅｌパネル基板の導電性ポリマー層の膜厚不良検査装置及びそれを用いた膜厚不良検査方法
JP2010164534A (ja) 半導体チップの外観検査方法

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant