KR102604165B1 - 전기저항 점용접부의 피로강도가 우수한 아연도금강판 및 그 제조방법 - Google Patents

전기저항 점용접부의 피로강도가 우수한 아연도금강판 및 그 제조방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 전기저항 점용접부의 피로강도가 우수한 아연도금강판 및 그 제조방법에 관한 것이다.
본 발명의 한가지 측면에 따른 아연도금강판은 소지강판 및 상기 소지강판 표면에 형성된 아연계 도금층을 포함하는 아연도금강판으로서, 상기 소지강판의 표면으로부터 깊이방향으로 측정된 산소와 실리콘 및 망간 중 하나 또는 둘의 농도 프로파일이 표면으로부터 깊이 방향으로 극대점이 나타나는 형태를 가지며,상기 산소의 농도 프로파일의 극대점이 형성되는 깊이와 상기 실리콘 및 망간 중 하나의 농도 프로파일의 극대점이 형성되는 깊이의 차이가 절대값으로 0.5㎛ 이하인 아연도금강판일 수 있다.

Description

전기저항 점용접부의 피로강도가 우수한 아연도금강판 및 그 제조방법{ZINC PLATED STEEL SHEET HAVING EXCELLENT FATIGUE STRENGTH OF ELECTRICAL RESISTANCE SPOT WELDS AND MANUFACTURING METHOD THEREOF}
본 발명은 전기저항 점용접부의 피로강도가 우수한 아연도금강판 및 그 제조방법에 관한 것이다.
환경 오염 등의 문제로 자동차 배출가스와 연비에 대한 규제는 날로 강화되어 가고 있다. 그로 인하여 자동차 강판의 경량화를 통한 연료 소모량의 감소에 대한 요구가 강해지고 있으며, 따라서 단위 두께 당 강도가 높은 여러 종류의 고강도 강판이 개발되어 출시되고 있다.
고강도강이라 함은 통상 490MPa 이상의 강도를 가지는 강을 의미하는데, 반드시 이로 한정하는 것은 아니나, 변태유기소성(Transformation Inducced Plasticity; TRIP) 강, 쌍정유기소성(Twin Induced Plasticity; TWIP) 강, 이상조직(Dual Phase; DP) 강, 복합조직(Complex Phase; CP) 강 등이 이에 해당할 수 있다.
한편, 자동차 강재는 내식성을 확보하기 위하여 표면에 도금을 실시한 도금강판의 형태로 공급되는데 그 중에서도 아연도금강판(GI강판) 또는 합금화 아연도금강판(GA)는 아연의 희생방식 특성을 이용하여 높은 내식성을 가지기 때문에 자동차용 소재로 많이 사용된다.
그런데, 고강도 강판의 표면을 아연으로 도금할 경우, 점용접성이 취약해 진다는 문제가 있다. 즉, 고강도 강의 경우에는 인장강도와 더불어 항복강도가 높기 때문에 용접 중 발생하는 인장응력을 소성 변형을 통해 해소하기 어려워서 표면에 미소 크랙이 발생할 가능성이 높다. 고강도 아연도금강판에 대하여 용접을 실시하면 융점이 낮은 아연이 강판의 미소크랙으로 침투하게 되고 그 결과 액상금속취화(Liquid Metal Embrittlement; LME)라고 하는 현상이 발생하여 강판이 파괴에 이르게 되는 문제가 발생할 수 있으며, 이는 강판의 고강도화에 큰 걸림돌로 작용하고 있다.
본 발명의 한가지 측면에 따르면 전기저항 점용접부의 피로강도가 우수한 아연도금강판 및 그 제조방법이 제공된다.
본 발명의 과제는 상술한 내용에 한정되지 아니한다. 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가지는 자라면 본 발명 명세서의 전반적인 내용으로부터 본 발명의 추가적인 과제를 이해하는데 아무런 어려움이 없을 것이다.
본 발명의 한가지 측면에 따른 아연도금강판은 소지강판 및 상기 소지강판 표면에 형성된 아연계 도금층을 포함하는 아연도금강판으로서, 상기 소지강판의 표면으로부터 깊이방향으로 측정된 산소와 실리콘 및 망간 중 하나 또는 둘의 농도 프로파일이 표면으로부터 깊이 방향으로 극대점이 나타나는 형태를 가지며, 상기 산소의 농도 프로파일의 극대점이 형성되는 깊이와 상기 실리콘 및 망간 중 하나의 농도 프로파일의 극대점이 형성되는 깊이의 차이가 절대값으로 0.5㎛ 이하인 아연도금강판일 수 있다.
본 발명의 또 한가지 측면에 따른 아연도금강판의 제조방법은 강 슬라브를 950~1350℃의 온도로 가열하는 단계; 상기 강 슬라브를 열간압연하여 열연강판을 얻는 단계; 상기 열연강판을 590~750℃의 온도에서 권취하여 열연강판을 얻는 단계; 상기 열연강판을 180~250mpm의 통판속도로 산세하는 단계; 상기 열연강판을 35~60%의 압하율로 냉간압연하여 냉연강판을 얻는 단계; 650~900℃에서 -10~30℃의 이슬점의 분위기로 상기 냉연강판을 재결정 소둔하는 단계; 및 상기 소둔된 냉연강판을 용융아연도금하는 단계를 포함할 수 있다.
상술한 바와 같이, 본 발명은 도금층을 이루는 소지강판의 내부에 형성된 O, Si, Mn의 농도 프로파일을 적절하게 제어함으로써 소지강판의 표면 즉, 도금층과 소지강판의 계면 부근의 소지강판의 연질화를 도모할 수 있다. 표면에 연질층이 형성됨으로써 점용접시 발생하는 인장응력이 연질층의 소성변형을 통해 해소되어 균열 발생 개수와 길이가 저감되어 결과적으로 점용접부의 피로강도가 우수한 고강도 아연도금강판을 제조할 수 있다.
도 1은 본 발명의 한가지 구현례에 따라 극대점 깊이의 차이를 측정하기 위한 산소(O)와 실리콘(Si) 또는 망간(Mn)의 GDOES 프로파일을 나타낸 그래프이다.
이하, 몇가지 구현례를 들어 본 발명을 상세히 설명한다.
본 발명에서 아연도금강판이라고 함은 아연도금강판(GI 강판) 뿐만 아니라 합금화 아연도금강판(GA)는 물론이고 아연이 주로 포함된 아연계 도금층이 형성된 도금강판 모두를 포함하는 개념임에 유의할 필요가 있다. 아연이 주로 포함된다는 것은 도금층에 포함된 원소 중 아연의 비율이 가장 높은 것을 의미한다. 다만, 합금화 아연도금강판에서는 아연 보다 철의 비율이 높을 수 있으며, 철을 제외한 나머지 성분 중 아연의 비율이 가장 높은 강판까지 본 발명의 범주에 포함할 수 있다.
본 발명의 발명자들은 용접시 발생되는 액상금속취화(LME)가 강판의 표면에서부터 발생하는 미소 크랙에 그 원인이 있다는 것에 착안하여, 표면의 미소크랙을 억제하는 수단에 관하여 연구하고, 이를 위해서는 강판 표면을 연질화 하는 것이 필요하다는 것을 발견하고 본 발명에 이르게 되었다.
통상, 고강도 강의 경우에는 강의 경화능이나 오스테나이트 안정성 등을 확보하기 위하여 탄소(C), 망간(Mn), 실리콘(Si) 등의 원소를 다량 포함할 수 있는데, 이러한 원소들은 강의 크랙에 대한 감수성을 높이는 역할을 한다. 따라서, 이러한 원소들이 다량 포함된 강은 미소 크랙이 용이하게 발생하여 종국적으로는 용접시 액상금속취화의 원인이 된다.
본 발명자들의 연구결과에 따르면 소지강판의 표면으로부터 깊이 방향으로 형성되는 산소(O)의 농도 프로파일과 실리콘(Si) 및/또는 망간(Mn)의 농도 프로파일의 관계를 적절하게 제어할 경우에는 점용접부의 LME에 대한 저항성이 증가하고 그로 인하여 점용접부의 피로강도가 증가할 수 있다.
즉, 도 1에 예시한 바와 같이 산소(O)의 농도 프로파일에서 극대점이 나타나는 깊이(소지강판의 표면에서부터의 깊이를 의미한다)와 실리콘(Si) 및/또는 망간(Mn)의 농도 프로파일에서 극대점이 나타나는 깊이의 차이가 0.5㎛ 이내로 제어될 필요가 있다.
이와 같이 산소와 실리콘 및/또는 망간의 농도 프로파일의 극대점이 나타나는 깊이를 일치시킬 경우 실리콘 및/또는 망간이 산화물 형태로 소지강판 내부의 일정 깊이에서 고정된다는 것을 의미하고 그로 인하여 표면의 실리콘 및/또는 망간의 농도를 감소시킬 수 있다.
통상은 소둔 과정에서 실리콘 및/또는 망간이 표면으로 확산하여 표면 산화물을 형성시킬 뿐만 아니라, 표면에 실리콘 및/또는 망간의 활동도(activity)도 높아지게 된다. 이와 같이 표면의 실리콘 및/또는 망간의 활동도(함량에 비례)가 높아진다는 것은 이들 원소의 함량이 증가한다는 것을 의미할 뿐만 아니라 표면의 산소의 활동도를 감소시켜 표면에 존재하는 탄소가 제거되기 어렵도록 하는 것을 의미한다. 이와 같이 표면이 실리콘 및 망간의 함량이 증가하고 탈탄이 일어나지 않을 경우에는 표면의 크랙에 대한 감수성이 증가하여 쉽게 균열이 발생하고 그로 인하여 LME가 증가할 가능성이 높아진다.
그런데, 본 발명과 같이 산소와 실리콘 및/또는 망간의 농도 프로파일의 관계를 본 발명과 같이 제어할 경우에는 표면의 실리콘 및/또는 망간의 농도를 감소시킬 뿐만 아니라, 탈탄이 원활하게 일어나서 표면에 연질층이 형성될 수 있다. 연질층을 형성시킬 경우에는 용접시 인장응력이 작용하더라도 소성변형이 발생할 수 있어서 응력을 흡수할 수 있으며, 따라서 크랙이 발생하는 것을 효과적으로 억제할 수 있다.
따라서, 본 발명은 산소(O)의 농도 프로파일의 극대점이 발생하는 깊이(이하, 간단히 '극대점 깊이'라고도 한다)와 실리콘(Si) 및/또는 망간(Mn)의 농도 프로파일의 극대점이 발생하는 깊이의 차이를 0.5㎛ 이내로 제어함으로써 표층부 연질화를 도모하고 LME 발생을 억제한다. 본 발명의 한가지 구현례에서는 상기 깊이의 차이는 두 프로파일의 극대값이 형성되는 깊이 사이의 차이의 절대값을 의미할 수 있다. 본 발명의 한가지 구현례에 따르면 상기 깊이의 차이는 0.3㎛ 이내로 제한할 수 있으며, 다른 한가지 구현례에서는 그 값을 0.2㎛ 이내 또는 0.1㎛ 이내로 제한할 수 있다. 극대점은 동일한 위치에서 형성될 수도 있으므로, 그 값의 차이의 하한은 특별히 정하지 않으며 0㎛일 수도 있다. 또한, 각 원소별로 농도 프로파일의 극대점은 하나 이상 형성될 수 있으나, 본 발명에서 말하는 극대점이라 함은 표면에서 가까운 첫번째 극대점을 의미한다.
본 발명의 한가지 구현례에서는 상기 산소의 극대점 깊이가 상기 실리콘 및/또는 망간의 극대점 깊이보다 작을 수 있다. 이와 같이 각 원소들의 극대점 깊이를 제어할 경우에는 실리콘 및/또는 망간이 표면으로 확산하는 것을 더욱 효과적으로 억제될 수 있다.
본 발명의 한가지 구현례에 따르면 산소의 극대점 깊이와 실리콘 및 망간 중 하나 또는 두 원소의 극대점 깊이의 차이가 상술한 범위를 충족할 경우 본 발명의 유리한 효과를 얻을 수 있다. 다만, 본 발명의 효과를 더욱 확실하게 얻기 위해서는 상기 산소의 극대점 깊이와 실리콘 및 망간의 극대점 깊이 모두와의 차이가 상술한 범위에 해당할 수 있다.
산소, 실리콘 및 망간의 농도 프로파일은 기술분야에서 알려진 다양한 방법을 통해 측정할 수 있으므로, 반드시 제한하지는 아니한다. 다만, 본 발명의 한가지 구현례에서는 GDOES(Glow Discharge Optical Emission Spectrometry)를 이용하여 소지강판의 표면부터 내부까지 측정한 프로파일을 이용할 수 있다.
본 발명의 한가지 구현례에서는 연질층을 보다 확실하게 형성하기 위해서는 상기 극대점에서의 산소농도는 0.3중량% 이상인 것이 더욱 유리하다. 산소의 극대점이 높게 나타날수록 강판 내부에 존재하는 실리콘과 망간을 확실하게 고정하여 표면으로 이동하는 것을 방지할 수 있기 때문이다. 또한, 본 발명의 한가지 구현례에 따르면 상기 극대점에서의 산소농도는 0.4중량% 이상일 수 있으며, 경우에 따라서는 0.5 중량% 이상일 수도 있다. 극대점에서의 산소농도의 상한을 특별히 정할 필요는 없으나, 통상 극대점에서의 산소농도의 상한은 1.0중량% 이하, 0.8중량% 이하 또는 0.7중량% 이하로 정의될 수 있다.
따라서, 본 발명의 한가지 구현례에서는 강의 전체적인 조성은 고강도를 위해 높은 고합금강의 조성을 가지도록 하되, 크랙이 발생하는 지점인 표층부에서는 연질층을 형성함과 동시에 내부 산화물의 분포를 제어함으로써, 용접시 LME에 대한 저항성 및 용접부 피로강도를 향상시킬 수 있는 것이다.
본 발명에서 각 원소들의 극대점 및 극대점에서의 농도는 다음과 같이 구할 수 있다. 우선, 도 1에 나타낸 바와 같이 GDOES 프로파일을 구한다. 이때, 상기 GDOES 프로파일은 10~30nm 깊이 간격으로 구한 것을 이용할 수 있으며, 본 발명의 한가지 구현례에서는 20nm 깊이 간격으로 구한 것을 이용하였다. 얻어진 최초의 데이터는 도 1에서 보는 바와 같이 대략 극대점을 가진 형태를 가지나, 그 정확한 위치를 결정하는 것이 조금 곤란할 수 있다. 이때, 각 지점의 산소 농도는 그 지점 및 앞뒤 각 2지점의 데이터 값을 평균한 5점 평균값을 이용하여 구할 경우 도면에서 보는 바와 같은 평활한 형태를 나타낼 수 있다.
이와 같은 과정에 의해 구해진 산소농도 프로파일에서 극대점 및 그에 해당하는 산소농도를 구할 수 있다. 극소점은 평활화된 산소농도 프로파일에서 가장 낮은 값을 나타내는 지점이며, 극대점은 상기 극소값 이후의 지점에서 가장 높은 값을 나타내는 부분을 의미한다. 본 발명의 한가지 구현례에서 상기 산소 농도 프로파일의 극대점은 강판의 표면으로부터 4㎛ 이후의 깊이에서 나타날 수 있다. 극대점이 너무 표면에 가까운 깊이에서 나타날 경우 표면에 연질층이 형성되기 어려울 수 있으므로, 상기 극대점은 표면에서부터 일정 깊이 이상 떨어진 지점에서 형성되는 것이 유리하다. 반대로 극대점이 표면에서부터 너무 멀리 떨어진 경우에도 실리콘과 망간 등의 고갈 효과가 충분하지 않을 수 있기 때문에, 본 발명의 한가지 구현례에 따르면 상기 극대점은 강판의 표면으로부터 15㎛ 이내의 깊이에서 나타날 수 있다. 본 발명의 다른 한가지 구현례에 따르면 상기 산소 농도 프로파일의 극대점은 표면으로부터 10㎛ 이내의 깊이에 나타날 수 있으며, 보다 바람직하게는 표면으로부터 10㎛ 이내의 깊이에서 나타날 수 있다.
본 발명의 한가지 구현례에서는 상기 깊이 방향 GDOES 산소 농도 프로파일은 강판의 폭 방향 중심부에서 측정한 것을 이용할 수 있다. 그러나, 통상 강판 폭방향 중심부에 비하여 폭방향 에지부에서 더욱 높은 값을 가지는 경우가 많기 때문에, 점 용접성을 보다 효과적으로 개선하기 위해서는 에지부에서 측정한 프로파일을 이용할 수도 있다. 이때 에지부라 함은 강판의 양단부를 의미하는 것이나, 상기 지점에 오염이 발생하는 등, 시편의 건전성에 문제가 있을 경우에는 단부로부터 폭방향으로 1mm 내측의 지점을 의미할 수 있다.
본 발명에서 대상으로 하는 강판은 강도 490MPa 이상의 고강도 강판이라면 그 종류를 제한하지 아니한다. 다만, 반드시 이로 제한하는 것은 아니지만, 본 발명에서 대상으로 하는 강판은 중량 비율로, C: 0.05~1.5%, Si: 2.0% 이하, Mn: 1.0~30%, S-Al(산 가용성 알루미늄): 3% 이하, Cr: 2.5% 이하, Mo: 1% 이하, B: 0.005% 이하, Nb: 0.2% 이하, Ti: 0.2% 이하, V: 0.2% 이하, Sb+Sn+Bi: 0.1% 이하, N: 0.01% 이하를 포함하는 조성을 가질 수 있다. 나머지 성분은 철 및 기타 불순물이며, 그 밖에도 위에 열거되지 않되 강 중에 포함될 수 있는 원소들을 합계 1.0% 이하의 범위로 더 포함하는 것까지는 배제하지 아니한다. 본 발명에서 각 성분 원소의 함량은 특별히 달리 표현하지 아니하는 한 중량을 기준으로 표시한다. 상술한 조성은 강판의 벌크 조성 즉, 강판 두께의 1/4 지점의 조성을 의미한다(이하, 동일).
본 발명의 몇몇 구현례에서는 상기 고강도 강판으로 TRIP강 등을 대상으로 할 수 있다. 이들 강은 세부적으로 구분할 때, 다음과 같은 조성을 가질 수 있다.
강 조성 1: C: 0.05~0.30%(바람직하게는 0.10~0.25%), Si: 0.5~2.5%(바람직하게는 1.0~1.8%), Mn: 1.5~4.0%(바람직하게는 2.0~3.0%), S-Al: 1.0% 이하(바람직하게는 0.05% 이하), Cr: 2.0% 이하(바람직하게는 1.0% 이하), Mo: 0.2% 이하(바람직하게는 0.1% 이하), B: 0.005% 이하(바람직하게는 0.004% 이하), Nb: 0.1% 이하(바람직하게는 0.05% 이하), Ti: 0.1% 이하(바람직하게는 0.001~0.05%), Sb+Sn+Bi: 0.05% 이하, N: 0.01% 이하, 잔부 Fe 및 불가피한 불순물을 포함함. 경우에 따라 위에 열거되지 않되 강 중에 포함될 수 있는 원소들을 합계 1.0% 이하의 범위까지 더 포함할 수 있음.
강 조성 2: C: 0.05~0.30%(바람직하게는 0.10~0.2%), Si: 0.5% 이하(바람직하게는 0.3% 이하), Mn: 4.0~10.0%(바람직하게는 5.0~9.0%), S-Al: 0.05% 이하(바람직하게는 0.001~0.04%), Cr: 2.0% 이하(바람직하게는 1.0% 이하), Mo: 0.5% 이하(바람직하게는 0.1~0.35%), B: 0.005% 이하(바람직하게는 0.004% 이하), Nb: 0.1% 이하(바람직하게는 0.05% 이하), Ti: 0.15% 이하(바람직하게는 0.001~0.1%), Sb+Sn+Bi: 0.05% 이하, N: 0.01% 이하, 잔부 Fe 및 불가피한 불순물을 포함함. 경우에 따라 위에 열거되지 않되 강 중에 포함될 수 있는 원소들을 합계 1.0% 이하의 범위까지 더 포함할 수 있음.
또한, 상술한 각 성분 원소들 중 그 함량의 하한을 한정하지 않은 경우는 이들을 임의 원소로 보아도 무방하며 그 함량이 0%가 되어도 된다는 것을 의미한다.
본 발명의 한가지 구현례에 따르면, 상기 강판의 표면에는 한 층 이상의 도금층이 포함될 수 있으며, 상기 도금층은 GI(Galvanized) 또는 GA(Galva-annealed) 등을 포함하는 아연계 도금층일 수 있다. 본 발명에서는 상술한 바와 같이 산소의 극대점 깊이와 실리콘 및/또는 망간의 극대점 깊이의 차이를 적절히 제어하였으므로, 아연계 도금층이 강판의 표면에 형성되더라도 점 용접시 발생하는 액상금속취화(LME)의 문제를 억제할 수 있다.
본 발명의 한가지 구현례에 따라 상기 아연계 도금층이 GA 층일 경우에는 합금화도(도금층 내 Fe의 함량을 의미함)를 8~13중량%, 바람직하게는 10~12중량%로 제어할 수 있다. 합금화도가 충분하지 못할 경우에는 아연계 도금층 중의 아연이 미소크랙으로 침투하여 액상금속취화의 문제를 일으킬 가능성이 잔류할 수 있으며, 반대로 합금화도가 너무 높을 경우에는 파우더링 등의 문제가 발생할 수 있다.
또한, 상기 아연계 도금층의 도금 부착량은 30~70g/m2 일 수 있다. 도금 부착량이 너무 작을 경우에는 충분한 내식성을 얻기 어려우며, 반면 도금 부착량이 너무 클 경우에는 제조원가상승 및 액상금속취화의 문제가 발생할 수 있으므로 상술한 범위 내로 제어한다. 보다 바람직한 도금 부착량의 범위는 40~60g/m2 일 수 있다. 본 도금 부착량은 최종 제품에 부착된 도금층의 양을 의미하는 것으로서 도금층이 GA층일 경우에는 합금화에 의해 도금 부착량이 증가하기 때문에 합금화 전은 조금 그 중량이 조금 감소할 수 있으며, 합금화도에 따라 달라지기 때문에 반드시 이로 제한하는 것은 아니나 합금화 전의 부착량(즉, 도금욕으로부터 부착되는 도금의 양)은 그보다 약 10% 정도 감소된 값일 수 있다.
이하, 본 발명의 강판을 제조하는 한가지 구현례에 대하여 설명한다. 다만, 본 발명의 강판은 반드시 하기하는 구현례에 의하여 제조될 필요는 없으며, 하기하는 구현례는 본 발명의 강판을 제조하는 한가지 바람직한 방편이라는 것에 유의할 필요가 있다.
우선, 상술한 조성의 강 슬라브를 제공하고, 열간압연 한 후 권취하는 과정에 의해 열연강판을 제조할 수 있다. 열간압연 등의 조건에 대해서는 특별히 제한하지 아니하나, 본 발명의 한가지 구현례에서는 슬라브 가열 온도와 권취 온도를 다음과 같이 제한할 수 있다.
슬라브 가열: 950~1350℃
고용원소를 충분히 용체화하고, 압연 저항을 줄이기 위하여 슬라브를 950℃ 이상의 온도로 가열할 필요가 있다. 본 발명의 경우에는 합금원소가 다량 포함될 수 있기 때문에, 상기 슬라브 가열 온도는 1000℃ 이상일 수 있으며, 바람직하게는 1100℃ 이상 또는 더욱 바람직하게는 1150℃ 이상일 수 있다. 다만, 슬라브 가열 온도가 너무 높을 경우에는 고용 원소의 산화 등의 문제가 발생할 수 있으며, 오스테나이트 결정립의 크기가 조대해질 수 있고, 에너지 측면에서도 유리하지 않기 때문에 상기 가열 온도의 상한은 1,350℃, 바람직하게는 1,300℃, 더욱 바람직하게는 1,280℃ 이하로 할 수 있다.
권취온도: 590~750℃
열간압연된 강판은 이후 코일 형태로 권취되어 보관되는데, 권취된 강판은 서냉 과정을 거치게 된다. 이와 같은 과정에 의하여 강판 표층부에 포함된 산화성 원소들이 제거되게 되는데, 열연강판의 권취 온도가 너무 낮을 경우에는 이들 원소의 산화 제거에 필요한 온도 보다 낮은 온도에서 코일이 서냉되므로 충분한 효과를 거두기 어렵다.
산세처리: 통판 속도 180~250mpm으로 실시
상술한 과정을 거친 열연 강판에 대하여 열연 스케일을 제가하기 위해 염산욕에 투입하여 산세처리를 실시한다. 산세 시 염산욕의 염산농도는 10~30부피% 범위 에서 실시하고, 산세 통판 속도는 180~250mpm으로 실시한다. 산세 속도가 250mpm을 초과하는 경우는 열연 강판 표면 scale이 완전히 제거되지 않을 수 있고, 산세 속도가 180mpm보다 낮은 경우 소지철 표층부가 염산에 의해 부식될 수 때문에 때문에 180mpm 이상에서 실시한다.
냉간압연: 압하율 35~60%
산세를 실시한 후 냉간압연을 실시한다. 냉간 압연 시 냉간 압하율은 35~60% 범위로 실시한다. 냉간 압하율이 35% 미만이면 특별한 문제는 없으나 소둔 시 재결정 구동력이 부족하여 충분히 미세조직을 제어하기 어려운 점이 발생할 수 있다. 냉간 압하율이 60%를 초과하면 열연 시 확보한 내부산화층의 두께가 얇아져서 소둔 후 충분한 내부산화 깊이와 산소 농도 극대값을 가지기 어렵다.
상술한 냉간압연 과정 이후에는 강판을 재결정 소둔하는 과정이 후속될 수 있다. 강판의 소둔 과정에서도 표층부 GDOES 산소, 실리콘 및 망간의 농도 프로파일이 크게 달라질 수 있으므로, 본 발명의 한가지 구현례에서는 표층부 GDOES 각 원소들의 깊이 방향 농도 프로파일을 적절히 제어하는 조건으로 소둔 공정을 제어할 수 있으며, 그 중 통판 속도와 소둔로내 이슬점은 다음과 같은 조건으로 제어할 수 있다.
통판 속도: 40~130mpm
충분한 생산성을 확보하기 위하여 상기 냉연강판의 통판속도는 40mpm 이상일 필요가 있다. 다만, 통판 속도가 과다하게 빠를 경우에는 재질 확보 측면에서 불리할 수 있으므로, 본 발명의 한가지 구현례에서는 상기 통판속도의 상한을 130mpm으로 정할 수 있다.
소둔로내 이슬점 제어: 650~900℃에서 -10~30℃ 범위로 제어
적절한 범위의 표층부 탈탄율 값을 얻기 위하여 소둔로내 이슬점을 제어하는 것이 유리하다. 이슬점이 너무 낮을 경우에는 내부 산화가 아니라 표면 산화가 발생하여 표면에 Si나 Mn 등의 산화물이 생성될 우려가 있다. 이들 산화물은 도금에 악영향을 미친다. 따라서, 이슬점은 -10℃ 이상으로 제어할 필요가 있다. 반대로 이슬점이 너무 높을 경우에는 Fe의 산화가 발생할 우려가 있으므로, 이슬점은 30℃ 이하로 제어될 필요가 있다. 이와 같이 이슬점 제어를 위한 온도는 충분한 내부 산화 효과가 나타나는 온도인 650℃ 이상일 수 있다. 다만, 온도가 너무 높을 경우에는 Si 등의 표면 산화물이 형성되어 산소가 내부로 확산하는 것을 방해할 뿐만 아니라, 균열대 가열 중 오스테나이트가 과도하게 발생하여 탄소 확산속도가 저하되고 그로 인하여 내부산화 수준이 감소될 수 있고, 균열대 오스테나이트 크기가 과도하게 성장하여 재질 연화를 발생시킨다. 또한 소둔로의 부하를 발생시켜 설비 수명을 단축시키고 공정비용을 증가시키는 문제점을 야기할 수 있기 때문에 상기 이슬점을 제어하는 온도는 900℃ 이하일 수 있다.
이때, 이슬점은 수증기를 포함하는 함습질소(N2+H2O) 가스를 소둔로 내에 투입함으로써 조절할 수 있다. 본 발명의 한가지 구현례에 따르면 상기 질소가스는 5~10%의 수소(H2)를 포함할 수 있으며, 이로 인하여 이슬점을 적절한 범위 내로 제어할 수 있다.
이와 같은 과정에 의하여 소둔된 강판은 바로 도금욕에 침지하여 용융 아연 도금을 실시하며, 도금된 용융아연도금강판은 이후 필요에 따라 합금화 열처리 과정을 거칠 수 있다. 도금 및 합금화 열처리의 바람직한 조건은 하기하는 바와 같다.
도금욕 강판 인입 온도: 420~500℃
도금욕 내 강판의 인입온도가 낮으면 강판과 액상 아연과의 접촉계면 내 젖음성이 충분히 확도되지 않기 때문에 420도 이상을 유지해야 한다. 과도하게 높은 경우 강판과 액상 아연과의 반응이 지나쳐 계면에 Fe-Zn합금상인 제타(Zetta)상이 발생하여 도금층의 밀착성이 저하되고, 도금욕 내 강판 Fe원소의 용출량이 과도해져서 도금욕 내 드로스 발생하는 문제점이 있다.
도금욕 내 Al농도: 0.10~0.25%
도금욕 내 Al농도는 도금층의 젖음성과 도금욕의 유동성 확보를 위해 적정 농도가 유지되어야 한다. 본 발명에서는 이를 위하여 도금욕 내 Al 농도를 0.10~0.25% 범위에서 제어한다. 또한, 합금화 처리의 유무에 따라서 GA(합금화용융아연도금, Galvannealed) 강판과, GI(용융아연도금, Galvanized) 강판으로 나눌수 있는데, 본 발명의 한가지 구현례에서는 도금욕 내 드로스(dross) 형성을 적정 수준으로 유지하고, 도금표면품질과 성능을 확보하기 위하여 GA 강판의 경우는 Al 함량을 0.10~0.15%로 할 수 있으며, GI 강판의 경우는 Al 함량을 0.2~0.25%로 제어할 수 있다.
합금화(GA) 온도: 480~560℃
480℃ 미만에서는 Fe확산량이 적어 합금화도가 충분하지 못해 도금물성이 좋지 않을 수 있으며, 560℃를 초과하게 되는 경우 과도한 합금화로 인한 파우더링(powdering) 문제가 발생할 수 있고, 잔류 오스테나이트의 페라이트 변태로 재질이 열화될 수 있으므로 합금화 온도를 상술한 범위로 정한다.
이와 같이 함으로써, 본원 발명의 아연도금강판을 얻을 수 있다. 다만, 본 발명의 한가지 구현례에서는 에지부의 용접성을 더욱 개선하기 위하여 후술하는 에지부 가열 과정을 더 포함할 수도 있다.
이하, 실시예를 통하여 본 발명을 보다 구체적으로 설명한다. 다만, 하기하는 실시예는 본 발명을 예시하여 구체화하기 위한 것일 뿐 본 발명의 권리범위를 제한하기 위한 것이 아니라는 점에 유의할 필요가 있다. 본 발명의 권리범위는 특허청구범위에 기재된 사항과 이로부터 합리적으로 유추되는 사항에 의하여 정해지는 것이기 때문이다.
(실시예)
하기 표 1에 기재된 조성을 가지는 강 슬라브(표에서 기재되지 않은 나머지 성분은 Fe 및 불가피하게 포함되는 불순물임. 또한 표에서 B와 N은 ppm 단위로 표시하였으며, 나머지 성분들은 중량% 단위로 표시하며, 표에 표시되지 않은 성분의 함량은 0중량%임을 의미함.) 를 1,230℃로 가열하고 열간압연 한 후, 열연 코일에 대하여 에지부 가열을 실시하였으며, 그 후 길이 100mm의 산세라인에서 210mpm의 통판속도로 진행하는 강판을 19.2부피%의 염산 용액으로 산세 한 후 냉간압연하고, 얻어진 냉연강판을 소둔로에서 소둔한 후 바로 GA는 Al을 0.13%인 도금욕에, GI는 Al을 0.24중량%를 포함하는 456℃의 아연계 도금욕에 침지하여 용융아연도금을 실시하였다. 얻어진 용융아연도금강판에 필요에 따라 합금화(GA) 열처리를 실시하여 최종적으로 합금화 용융아연도금강판을 얻었다.
모든 실시예에서 용융아연도금욕에 인입하는 강판의 인입온도를 475℃로 하였다. 그 밖의 각 실시예별 조건은 표 2에 기재한 바와 같다.
강종 C Si Mn S-Al Cr Mo B N Nb Ti Sb Sn Bi
A 0.215 0.154 2.451 0.0024 0.22 0 17 0.001 0.014 0.014 0 0.0145 0
B 0.2125 3.15 2.2255 0.0215 0 0.024 14 0.0015 0.011 0.021 0.012 0 0
C 0.184 0 7.151 0.0011 0.024 0.014 12 0.0012 0.012 0.045 0 0 0.011
D 0.27 0 1.3 0.0014 0.012 0.054 19 0.0014 0.045 0.017 0 0 0
E 0.178 1.452 2.354 0.0027 0.457 0.0475 11 0.0012 0.05 0.032 0 0 0.012
F 0.21 1.75 2.645 0.0034 0.012 0 14 0.005 0.0154 0.044 0 0 0
G 0.187 1.524 2.543 0.0017 0 0 18 0.004 0.014 0.054 0 0 0
강종 구분 열연
권취온도(℃)		 냉연
압하율
(%)		 소둔
통판속도(mpm)		 균열대
온도(℃)		 소둔로내
수소농도
(체적%)		 균열대의
이슬점(℃)		 GA 온도
(℃)
C 비교예1 504 57 117 784 14 20 520
F 비교예2 617 41 37 765 7 0 480
E 발명예1 651 44 67 824 7 15 510
D 비교예3 617 52 105 827 1 16 508
F 발명예2 632 45 62 784 6 22 -
C 비교예4 624 51 84 817 0.2 10 514
C 발명예3 621 45 72 842 7 17 -
C 발명예4 651 52 76 851 7 12 492
G 비교예5 624 40 105 917 4 -5 521
A 비교예6 776 51 127 795 12 14 502
A 발명예5 647 51 81 824 5 14 -
A 발명예6 685 48 84 865 6 5 -
E 비교예7 617 75 123 762 20 14 501
G 발명예7 695 45 72 841 6 5 506
G 비교예8 627 50 83 813 1 35 513
B 비교예9 621 49 91 847 0 15 521
C 발명예8 612 46 54 754 7 14 501
D 비교예10 634 41 142 748 5 5 492
A 발명예9 601 52 82 824 8 12 521
A 비교예11 634 52 74 621 14 0 -
E 발명예10 615 47 75 795 8 21 -
A 비교예12 634 49 81 805 21 -21 -
상술한 과정에 의하여 제조된 용융아연도금 강판의 특성을 측정하고, 점용접시 액상금속취화(LME)가 발생하였는지 여부를 관찰한 결과를 표 3에 나타내었다. 점용접은 강판을 폭방향으로 절단하여 각 절단된 가장자리 부위를 따라서 실시하였다. 점용접 전류를 2회 가하고 통전 후 1 cycle의 hold time을 유지하였다. 점용접은 이종삼겹으로 실시하였다. 평가소재-평가소재-GA 980DP 1.4t(C 0.12중량%, Si 0.1중량%, Mn 2.2중량%의 조성을 가짐)재 순으로 적층하여 점용접을 실시하였다. 점용접시 새 전극을 연질재에 15회 용접한 후 전극을 마모시킨 후 점용접 대상 소재로 비산(expulsion)이 발생하는 상한전류를 측정한다. 상한전류를 측정한 후 상한전류보다 0.5 및 1.0kA 낮은 전류에서 점용접을 용접전류별 8회 실시하고, 점용접부의 단면을 방전가공으로 정밀히 가공한 후 에폭시 마운팅하여 연마하고 광학현미경으로 크랙길이를 측정하였다. 광학현미경 관찰시 배율은 100배로 지정하고, 해당 배율에서 크랙이 발견되지 않으면 액상금속취화가 발생하지 않은 것으로 판단하고, 크랙이 발견되면 이미지 분석 소프트웨어로 길이를 측정하였다. 점용접부 어깨부에서 발생하는 B-type 크랙은 100㎛ 이하, C-type 크랙은 미관찰 시 양호한 것으로 판단하였다.
산소, 실리콘 및 망간의 표층부 GDOES 농도 프로파일에서 극대점 깊이와 그때의 농도는 GDOES 프로파일로부터 구한 데이터를 5점 평균하여 구한 깊이별 농도값을 이용하여 계산하였다. 즉, 표층부 GDOES 산소, 실리콘 및 망간 농도 프로파일을 얻고 상기 프로파일에서 각 원소별 극대점이 나타나는 깊이를 구한 다음, 산소와 실리콘 및 망간의 극대점 깊이차 중 작은 값을 깊이차로 하였다.
인장강도는 JIS-5호 규격의 C방향 샘플을 제작하여 인장시험을 통해 측정하였다. 합금화도와 도금부착량은 염산 용액을 이용한 습식용해법을 이용하여 측정하였다.
GA 강판에 대해서는 파우더링 시험과 Flaking 시험을 실시하였다. 파우더링은 도금재를 90로 굽힌 후 테이프를 굽힌 부위에 접착 후 떼어내어 테이프에 도금층 탈락물이 몇 mm 떨어지는 지 확인하였다. 테이프에서 박리되는 도금층의 길이가 10mm를 초과하는 경우 불량으로 확인하였다. Flaking 시험에서는 'ㄷ'자 형태로 가공 후 가공부에 도금층이 탈락하는지를 확인하였다.
GI 강판에 대해서는 자동차용구조용 접착제를 표면에 부착하여 강판을 90도로 구부렸을 때 실러 탈락면에 도금층이 박리되어 부착되었는지를 확인하는 실러 벤딩 테스트(Sealer bending test, SBT)를 실시하였다. 강판의 미도금 등의 결함이 있는지 육안으로 확인을 실시하여 표면품질을 확인하였고, 미도금 등의 육안 관찰 시 결함이 보이면 불량으로 판정하였다.
구분 1) 인장강도 (MPa) 도금 종류 도금 부착량 (g/m2) 표면 품질 2) Flaking SBT 3) 4)
비교예1 0.54 1193 GA 42 양호 3 - 양호 152 754
비교예2 0.73 542 GA 42 양호 4 양호 - 21 ND
발명예1 0.21 1258 GA 44 양호 4 양호 - 24 ND
비교예3 0.71 1207 GI 61 불량 - - 박리 21 654
발명예2 0.04 1245 GA 48 양호 2 양호 - 31 ND
비교예4 0.23 1145 GI 62 불량 - - 박리 15 ND
발명예3 0.05 1021 GA 48 양호 3 양호 - 24 ND
발명예4 0.42 1204 GA 42 양호 7 양호 - 62 ND
비교예5 0.56 745 GA 45 양호 6 양호 - 43 511
비교예6 0.41 745 GA 47 불량 3 박리 - 24 ND
발명예5 0.24 1195 GA 45 양호 2 양호 - 84 ND
발명예6 0.23 1192 GI 62 양호 - - 양호 15 ND
비교예7 0.62 1193 GA 41 양호 4 양호 - 41 452
발명예7 0.49 1184 GA 47 양호 - - - 45 ND
비교예8 0.01 771 GI 59 양호 - - 박리 17 ND
비교예9 0.64 1192 GI 62 불량 - - 박리 45 214
발명예8 0.14 1192 GI 56 양호 - - 양호 0 ND
비교예10 0.74 1201 GA 49 양호 5 양호 - 57 651
발명예9 0.21 1218 GA 47 양호 4 양호 - 45 ND
비교예11 0.63 641 GA 44 양호 8 양호 - 15 124
발명예10 0.01 1189 GA 45 양호 6 - - 17 ND
비교예12 0.65 1194 GI 61 불량 - - 박리 32 ND
위 표 3에서 1)은 산소 농도 프로파일과 실리콘 및/또는 망간 프로파일의 극대점 깊이의 차 중 작은 값을, 2)는 파우더링 길이(mm), 3)은 전기 저항 점 용접시 발생한 B-type LME 크랙 길이(㎛)를, 4)는 전기 저항 점 용접시 발생한 C-type LME 크랙 길이(㎛)를 의미한다. 표에서 ND는 미검출(Not Detected)을 의미한다.
발명예 1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9, 및 10은 강조성을 본 발명에서 제시하는 범위를 만족하였으며, 제조방법 또한 본 발명의 범위를 만족하여 인장강도, 도금품질, 도금부착량 및 점용접 LME 크랙 길이도 양호하였다.
비교예 3 및 9는 소둔로내 수소농도가 매우 낮았던 경우이다. 비교예3 및 9은 그 결과 표층부 표면산화량이 과도하여 표층부 GDOES 산소와 Si 또는 Mn 최대값 깊이 간 차이값이 크지 않았다. 이에 따라 충분한 탈탄층을 형성하지 못하고 도금층과 소지철 계면에 합금화억제층이 충분히 형성되지 못해 LME 크랙이 기준을 만족하지 못했고, 표면에 미도금이 발생하여 표면품질이 열위하고, SBT 박리가 발생하여 도금밀착성이 열위하였다.
비교예 1과 6은 열연 공정 중 권취 온도가 본 발명에서 제시하는 범위를 만족하지 못하였다. 비교예 1은 열연 권취온도가 본 발명이 제시하는 범위보다 낮아서 열연 발생하는 내부산화의 양이 충분하지 않아서 GDOES에 따른 표층부의 산소 농도의 극대점 깊이와 Si 또는 Mn 농도의 극대점 깊이 사이의 차이값이 0.5㎛를 초과하였고, 그 결과 LME 크랙이 기준을 만족하지 못하였다. 비교에 6은 본 발명이 제시하는 열연 권취 온도를 초과하여 제작되어 열연 과정 중에 발생하는 내부산화량이 충분하여 LME 특성이 양호하였지만 열연 스케일이 과도하게 발생하여 스케일이 산세 시 완전히 제거되지 못하고 미도금이 발생하여 표면품질이 불량하여 flaking 평가 시 도금박리가 발생하였고, 열연 권취 온도가 과도하게 높아 열연 재질의 연화가 발생하고 소둔 후에도 회복되지 않아 재질이 열위하였다.
비교예 12는 소둔 중 로내 이슬점이 본 발명이 제시하는 범위보다 낮게 제어된 경우이다. 열연 가열 공정 중 전폭에 충분한 내부산화층을 발생시켜도, 냉간압연 후 소둔 과정 중 이슬점이 충분히 높지 않아 내부산화가 충분히 이루어지지 못하여 GDOES에 따른 표층부 산소 농도의 극대점 깊이와 Si 또는 Mn 농도의 극대점 깊이 사이의 차이값 중 작은 값이 0.5㎛ 이상이었고, 표면 탈탄의 정도가 충분하지 못하여 점용접 LME 크랙 길이가 불량하였다..
비교예 8은 소둔로 내 이슬점이 본 발명이 제시하는 범위를 초과한 경우이다. 이슬점이 과도하게 높아지면서 내부산화는 충분히 발생하여 LME 크랙길이는 양호하였으나, 과도한 내부산화로 인해 재질이 열화되어 인장강도 기준을 만족하지 못하였고, 과도한 이슬점으로 인해 표면산화물 발생량도 많아져 SBT 결과 도금박리가 발생하였다.
비교예 10는 소둔로 내 강판의 통판속도가 본 발명이 제시하는 범위보다 높았던 경우이다. 소둔로 내 수증기와 강판이 반응하는 탈탄 반응에 대한 충분한 시간이 주어지지 않아 소둔 후 강판 표층부 내부산화가 충분히 형성되지 않아 GDOES에 따른 산소의 농도의 극대점 깊이와 Si 또는 Mn 농도의 극대점 깊이 간 차이값이 0.5㎛ 이상이고, 점용접 LME 크랙 평가 시 기준을 초과하여 불량하였다.
비교예 2는 소둔 내 강판의 통판속도가 본 발명이 제시하는 범위보다 낮게 제조되었다. 소둔 로내 수증기와 강판이 반응하는 탈탄 반응 시간이 과다하게 주어져 Si의 내부산화물이 소지철 내 깊게 형성되었다. 표층부 GDOES에 따른 산소 농도의 극대점 깊이와 Si 또는 Mn 농도의 극대점 깊이 간 차이값이 0.5㎛ 이상이고 점용접 LME 크랙 평가 시 기준을 만족하였지만 과도한 탈탄으로 인해 재질을 만족하지 못하였다.
비교예 5에서는 소둔로 내 균열대 온도가 본 발명이 제시하는 범위를 초과하였다. 소둔온도가 과도해지면서 외부 산화량이 증가하여 충분한 내부 산화가 이루어지지 못하여 표층부 GDOES 산소 농도의 극대점 깊이와 Si 또는 Mn 농도의 극대점 깊이 간 차이값이 0.5㎛를 초과하였으며, 그 결과 LME 크랙이 기준을 충족하지 못하여 점용접성이 불량하였다. 또한 균열대에서 오스테나이트가 과도하게 형성 및 성장하여 인장강도 등의 재질이 기준을 만족하지 못하였다.
비교예 11에서는 소둔로 내 균열대 온도가 본 발명이 제시하는 범위보다 낮게 제어되었다. 소둔 온도가 낮아서 수증기와 강판 간의 산화반응이 충분하지 못하여 내부산화가 충분히 이루어지지 못하였으며, 그 결과 표층부 GDOES 산소와 Si 또는 Mn 최대값 깊이 간 차이값이 0.5㎛를 초과하였고, 따라서 LME 크랙이 기준을 충족하지 못하여 점용접성이 불량하였다. 또한 소둔 중 재결정이 충분히 이루어지지 않아 목표하는 미세조직이 형성되지 않아 인장강도 등의 재질이 기준을 만족하지 못하여 불량하였고, SBT 평가 결과 박리가 발생하였다.
비교예 7은 냉간압연시 압하율이 본 발명이 제시하는 기준을 초과하였던 경우이다. 열연 중 형성되는 내부산화층이 과도한 냉간압연으로 인해 표면에 가까운 위치일수록 얇아져 극대점이 깊은 곳에서 형성되어 극대점 간의 차이가 0.5㎛ 이상이었고, LME 크랙이 기준을 만족하지 못하여 불량하였다.
비교예 4는 소둔로 내 수소농도가 5 체적% 미만으로 소둔 로내 환원분위기 조성이 미흡하였다. 이슬점 상승으로 내부산화와 탈탄은 충분이 형성되어 원소들의 극대점 깊이 차이가 본 발명의 기준을 충족하여 LME 크랙 길이는 기준을 만족하였지만, 과대한 표면산화물 형성으로 인해 미도금이 발생하여 표면품질이 열위하고, SBT 도금박리가 발생하였다.

Claims (12)

  1. 소지강판 및
    상기 소지강판 표면에 형성된 아연계 도금층을 포함하는 아연도금강판으로서,
    상기 소지강판의 표면으로부터 깊이방향으로 측정된 산소와 실리콘 및 망간 중 하나 또는 둘의 농도 프로파일이 표면으로부터 깊이 방향으로 극대점이 나타나는 형태를 가지며,
    상기 아연계 도금층은 합금화아연도금층(GA)이고, 합금화도(도금층 내 Fe의 함량)가 8~13중량%인 아연도금강판.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 산소의 농도 프로파일의 극대점이 형성되는 깊이와 상기 실리콘 및 망간 중 하나의 농도 프로파일의 극대점이 형성되는 깊이의 차이가 절대값으로 0.5㎛ 이하인 아연도금강판.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 산소의 농도 프로파일의 극대점이 형성되는 깊이는 4~15㎛ 인 아연도금강판.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 극대점에서의 산소농도가 0.3중량% 이상, 1.0중량% 이하인 아연도금강판.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 산소의 농도 프로파일의 극대점이 형성되는 깊이가 상기 실리콘 및 망간 중 하나 또는 둘 모두의 농도 프로파일의 극대점이 형성되는 깊이보다 작은 아연도금강판.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 농도 프로파일은 GDOES로 측정한 것인 아연도금강판.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 아연계 도금층의 도금 부착량은 30~70g/m2 인 아연도금강판.
  8. 제 1 항 내지 제 7 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 소지강판이 C: 0.05~1.5%, Si: 2.0% 이하, Mn: 1.0~30%, S-Al(산 가용성 알루미늄): 3% 이하, Cr: 2.5% 이하, Mo: 1% 이하, B: 0.005% 이하, Nb: 0.2% 이하, Ti: 0.2% 이하, V: 0.2% 이하, Sb+Sn+Bi: 0.1% 이하, N: 0.01% 이하를 포함하는 조성을 가지는 아연도금강판.
  9. 강 슬라브를 950~1350℃의 온도로 가열하는 단계;
    상기 강 슬라브를 열간압연하여 열연강판을 얻는 단계;
    상기 열연강판을 590~750℃의 온도에서 권취하여 열연강판을 얻는 단계;
    상기 열연강판을 180~250mpm의 통판속도로 산세하는 단계;
    상기 열연강판을 35~60%의 압하율로 냉간압연하여 냉연강판을 얻는 단계;
    650~900℃에서 -10~30℃의 이슬점의 분위기로 상기 냉연강판을 재결정 소둔하며, 상기 재결정 소둔시 통판 속도는 40~130mpm로 행하는 단계; 및
    상기 소둔된 냉연강판을 Al의 농도가 0.1~0.15중량%인 용융도금욕에 침지하여 용융아연도금하는 단계; 및
    상기 용융아연도금 후에 480~560℃의 온도에서 합금화하는 단계;
    를 포함하는 아연도금강판의 제조방법.
  10. 제 9 항에 있어서,
    상기 재결정 소둔하는 단계는 수소(H2)를 5~10체적% 포함하는 습질소 가스 분위기에서 이루어지는 아연도금강판의 제조방법.
  11. 제 9 항에 있어서,
    상기 용융아연도금은 420~500℃의 강판 인입온도에서 이루어지는 아연도금강판의 제조방법.
  12. 제 9 항 내지 제 11 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 강 슬라브가 C: 0.05~1.5%, Si: 2.0% 이하, Mn: 1.0~30%, S-Al(산 가용성 알루미늄): 3% 이하, Cr: 2.5% 이하, Mo: 1% 이하, B: 0.005% 이하, Nb: 0.2% 이하, Ti: 0.2% 이하, V: 0.2% 이하, Sb+Sn+Bi: 0.1% 이하, N: 0.01% 이하를 포함하는 조성을 가지는 아연도금강판의 제조방법.
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