KR102572266B1 - 실리콘 카바이드 소자 - Google Patents
실리콘 카바이드 소자 Download PDFInfo
- Publication number
- KR102572266B1 KR102572266B1 KR1020217042701A KR20217042701A KR102572266B1 KR 102572266 B1 KR102572266 B1 KR 102572266B1 KR 1020217042701 A KR1020217042701 A KR 1020217042701A KR 20217042701 A KR20217042701 A KR 20217042701A KR 102572266 B1 KR102572266 B1 KR 102572266B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- silicon carbide
- source
- trench
- gate
- layer
- Prior art date
Links
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 86
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 86
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 10
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 15
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 15
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 15
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 14
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 229910000449 hafnium oxide Inorganic materials 0.000 claims description 9
- WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N hafnium(4+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[Hf+4] WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 8
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 6
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims description 6
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 6
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims description 6
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 claims description 6
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 abstract description 3
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 210000000746 body region Anatomy 0.000 description 1
- 238000011982 device technology Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/41—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape, relative sizes or dispositions
- H01L29/417—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape, relative sizes or dispositions carrying the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/41725—Source or drain electrodes for field effect devices
- H01L29/41741—Source or drain electrodes for field effect devices for vertical or pseudo-vertical devices
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
- H01L29/7801—DMOS transistors, i.e. MISFETs with a channel accommodating body or base region adjoining a drain drift region
- H01L29/7802—Vertical DMOS transistors, i.e. VDMOS transistors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/12—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
- H01L29/16—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed including, apart from doping materials or other impurities, only elements of Group IV of the Periodic Table
- H01L29/1608—Silicon carbide
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
- H01L29/7827—Vertical transistors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/06—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions
- H01L29/0603—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions characterised by particular constructional design considerations, e.g. for preventing surface leakage, for controlling electric field concentration or for internal isolations regions
- H01L29/0607—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions characterised by particular constructional design considerations, e.g. for preventing surface leakage, for controlling electric field concentration or for internal isolations regions for preventing surface leakage or controlling electric field concentration
- H01L29/0611—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions characterised by particular constructional design considerations, e.g. for preventing surface leakage, for controlling electric field concentration or for internal isolations regions for preventing surface leakage or controlling electric field concentration for increasing or controlling the breakdown voltage of reverse biased devices
- H01L29/0615—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions characterised by particular constructional design considerations, e.g. for preventing surface leakage, for controlling electric field concentration or for internal isolations regions for preventing surface leakage or controlling electric field concentration for increasing or controlling the breakdown voltage of reverse biased devices by the doping profile or the shape or the arrangement of the PN junction, or with supplementary regions, e.g. junction termination extension [JTE]
- H01L29/0619—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions characterised by particular constructional design considerations, e.g. for preventing surface leakage, for controlling electric field concentration or for internal isolations regions for preventing surface leakage or controlling electric field concentration for increasing or controlling the breakdown voltage of reverse biased devices by the doping profile or the shape or the arrangement of the PN junction, or with supplementary regions, e.g. junction termination extension [JTE] with a supplementary region doped oppositely to or in rectifying contact with the semiconductor containing or contacting region, e.g. guard rings with PN or Schottky junction
- H01L29/0623—Buried supplementary region, e.g. buried guard ring
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/06—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions
- H01L29/0603—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions characterised by particular constructional design considerations, e.g. for preventing surface leakage, for controlling electric field concentration or for internal isolations regions
- H01L29/0642—Isolation within the component, i.e. internal isolation
- H01L29/0649—Dielectric regions, e.g. SiO2 regions, air gaps
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/06—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions
- H01L29/08—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions with semiconductor regions connected to an electrode carrying current to be rectified, amplified or switched and such electrode being part of a semiconductor device which comprises three or more electrodes
- H01L29/0843—Source or drain regions of field-effect devices
- H01L29/0847—Source or drain regions of field-effect devices of field-effect transistors with insulated gate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/41—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape, relative sizes or dispositions
- H01L29/417—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape, relative sizes or dispositions carrying the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/41725—Source or drain electrodes for field effect devices
- H01L29/41766—Source or drain electrodes for field effect devices with at least part of the source or drain electrode having contact below the semiconductor surface, e.g. the source or drain electrode formed at least partially in a groove or with inclusions of conductor inside the semiconductor
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/41—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape, relative sizes or dispositions
- H01L29/423—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape, relative sizes or dispositions not carrying the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/42312—Gate electrodes for field effect devices
- H01L29/42316—Gate electrodes for field effect devices for field-effect transistors
- H01L29/4232—Gate electrodes for field effect devices for field-effect transistors with insulated gate
- H01L29/42356—Disposition, e.g. buried gate electrode
- H01L29/4236—Disposition, e.g. buried gate electrode within a trench, e.g. trench gate electrode, groove gate electrode
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/41—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape, relative sizes or dispositions
- H01L29/423—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape, relative sizes or dispositions not carrying the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/42312—Gate electrodes for field effect devices
- H01L29/42316—Gate electrodes for field effect devices for field-effect transistors
- H01L29/4232—Gate electrodes for field effect devices for field-effect transistors with insulated gate
- H01L29/42364—Gate electrodes for field effect devices for field-effect transistors with insulated gate characterised by the insulating layer, e.g. thickness or uniformity
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/41—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape, relative sizes or dispositions
- H01L29/423—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape, relative sizes or dispositions not carrying the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/42312—Gate electrodes for field effect devices
- H01L29/42316—Gate electrodes for field effect devices for field-effect transistors
- H01L29/4232—Gate electrodes for field effect devices for field-effect transistors with insulated gate
- H01L29/42364—Gate electrodes for field effect devices for field-effect transistors with insulated gate characterised by the insulating layer, e.g. thickness or uniformity
- H01L29/42368—Gate electrodes for field effect devices for field-effect transistors with insulated gate characterised by the insulating layer, e.g. thickness or uniformity the thickness being non-uniform
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66007—Multistep manufacturing processes
- H01L29/66053—Multistep manufacturing processes of devices having a semiconductor body comprising crystalline silicon carbide
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66007—Multistep manufacturing processes
- H01L29/66075—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials
- H01L29/66227—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials the devices being controllable only by the electric current supplied or the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched, e.g. three-terminal devices
- H01L29/66409—Unipolar field-effect transistors
- H01L29/66477—Unipolar field-effect transistors with an insulated gate, i.e. MISFET
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66007—Multistep manufacturing processes
- H01L29/66075—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials
- H01L29/66227—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials the devices being controllable only by the electric current supplied or the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched, e.g. three-terminal devices
- H01L29/66409—Unipolar field-effect transistors
- H01L29/66477—Unipolar field-effect transistors with an insulated gate, i.e. MISFET
- H01L29/66674—DMOS transistors, i.e. MISFETs with a channel accommodating body or base region adjoining a drain drift region
- H01L29/66712—Vertical DMOS transistors, i.e. VDMOS transistors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
- H01L29/7801—DMOS transistors, i.e. MISFETs with a channel accommodating body or base region adjoining a drain drift region
- H01L29/7802—Vertical DMOS transistors, i.e. VDMOS transistors
- H01L29/7813—Vertical DMOS transistors, i.e. VDMOS transistors with trench gate electrode, e.g. UMOS transistors
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Abstract
본 출원에서는 실리콘 카바이드 소자를 개시하였다. 상기 실리콘 카바이드 기판 내에 위치하고, 교대로 이격되게 배치된 게이트 트렌치와 소스 트렌치; 게이트 트렌치에 위치하며 제1 절연층에 의해 제2 n형 실리콘 카바이드층과 격리되고, 제2 절연층에 의해 p형 실리콘 카바이드층과 제3 n형 실리콘 카바이드층과 격리되는 게이트; 소스 트렌치 내에 위치하고 p형 실리콘 카바이드층 및 제3 n형 실리콘 카바이드층과 연결되며 제3 절연층에 의해 소스 트렌치의 측벽위치에 위치하는 제2 n형 실리콘 카바이드층과 격리되는 소스; 제2 n형 실리콘 카바이드층 내에 위치하고 소스 트렌치의 하부위치에 위치하며 소스 트렌치의 바닥부 위치에서 소스와 연결되는 p형 우물영역을 포함한다. 본 출원의 실리콘 카바이드 소자는 게이트가 파괴되는 위험을 감소시키고, 소자의 내전압을 향상시킨다.
Description
본 출원은 반도체소자 기술분야에 속하는 것으로서, 예를 들어 실리콘 카바이드 소자에 관한 것이다.
본 출원은 2020년 11월 16일에 중국특허청에 제출된 출원번호가 202011280134.5인 중국특허출원을 우선권으로 주장하는 바, 해당 출원의 내용 전부는 본 출원에 인용된다.
실리콘 카바이드는 기존의 실리콘 반도체 재료와 다른 많은 특성을 가지고 있으며, 이의 에너지 밴드갭은 실리콘의 2.8배이고, 절연파괴 전계 강도는 실리콘의 5.3배이기에, 고전압 전력소자 분야에서, 실리콘 카바이드 소자는 실리콘 재료보다 더 얇은 에피택셜층을 사용하여 기존의 실리콘 소자와 동일한 내전압 수준에 도달할 수 있으며, 동시에 더 낮은 온저항을 구비한다. 현재, 실리콘 카바이드로 제조된 트렌치 전력소자의 주요 문제는 소자가 작동 중에서 게이트 트렌치 내의 게이트유전체층에 아주 큰 전기장이 인가되기에, 게이트가 쉽게 파괴되어 소자의 내전압에 영향을 준다.
본 출원에서는 게이트 파괴의 위험을 감소시키고, 소자의 내전압을 향상시키는 실리콘 카바이드 소자를 제공한다.
본 출원에서는 실리콘 카바이드 소자를 제공하고, 실리콘 카바이드 소자는 실리콘 카바이드 기판, 게이트 트렌치와 소스 트렌치, 게이트, 소스 및 p형 우물영역을 포함하되,
상기 실리콘 카바이드 기판은 순차적으로 적층된 제1 n형 실리콘 카바이드층, 제2 n형 실리콘 카바이드층, p형 실리콘 카바이드층 및 제3 n형 실리콘 카바이드층을 포함하고,
상기 게이트 트렌치와 소스 트렌치는 상기 실리콘 카바이드 기판 내에 위치하고, 교대로 이격되게 배치되며, 상기 게이트 트렌치의 바닥부와 상기 소스 트렌치의 바닥부는 모두 상기 제2 n형 실리콘 카바이드층 내에 위치하며;
상기 게이트는 상기 게이트 트렌치 내에 위치하고, 상기 게이트는 제1 절연층에 의해 상기 제2 n형 실리콘 카바이드층과 격리되고, 상기 게이트는 제2 절연층에 의해 상기 p형 실리콘 카바이드층 및 상기 제3 n형 실리콘 카바이드층과 격리되며;
상기 소스는 상기 소스 트렌치 내에 위치하고, 상기 소스는 상기 p형 실리콘 카바이드층 및 상기 제3 n형 실리콘 카바이드층과 연결되고, 상기 소스는 제3 절연층에 의해 상기 소스 트렌치의 측벽에 위치하는 상기 제2 n형 실리콘 카바이드층과 격리되고;
상기 p형 우물영역은 상기 제2 n형 실리콘 카바이드층 내에 위치하고 상기 소스 트렌치의 바닥부에 위치하며, 상기 p형 우물영역과 상기 소스는 상기 소스 트렌치의 바닥부 위치에서 연결된다.
선택적으로, 상기 게이트 트렌치의 깊이와 상기 소스 트렌치의 깊이는 같다.
선택적으로, 상기 소스 트렌치의 폭은 상기 게이트 트렌치의 폭보다 크다.
선택적으로, 상기 제1 절연층의 두께는 상기 제2 절연층의 두께보다 크다.
선택적으로, 상기 제1 절연층은 실리콘 옥사이드, 실리콘 나이트라이드, 실리콘 옥시나이트라이드, 알루미나, 하프늄 옥사이드 중의 적어도 하나이다.
선택적으로, 상기 제2 절연층은 실리콘 옥사이드, 실리콘 나이트라이드, 실리콘 옥시나이트라이드, 알루미나, 하프늄 옥사이드 중의 적어도 하나이다.
선택적으로, 상기 제3 절연층은 실리콘 옥사이드, 실리콘 나이트라이드, 실리콘 옥시나이트라이드, 알루미나, 하프늄 옥사이드 중의 적어도 하나이다.
선택적으로, 상기 게이트는 도전성 다결정 실리콘, 티타늄, 니켈, 구리, 알루미늄, 은, 금, 질화티타늄, 텅스텐 중의 적어도 하나이다.
선택적으로, 상기 소스는 도전성 다결정 실리콘, 티타늄, 니켈, 구리, 알루미늄, 은, 금, 질화티타늄, 텅스텐 중의 적어도 하나이다.
본 출원의 실리콘 카바이드 소자는 우선, 소스 트렌치 하방의 p형 우물영역은 소스 트렌치 바닥부 근처의 전기장을 증가할 수 있고, 가장 높은 전기장을 소스 트렌치 바닥부의 pn접합으로 제한하여, 게이트 트렌치 내의 게이트가 쉽게 파괴되지 않게 보호하여, 소자의 내전압을 향상하고; 다음, 게이트 트렌치의 하부 내에 두께가 더 큰 제1 절연층을 사용함으로써, 게이트가 파괴되지 않도록 한층 더 보호할 수 있다.
도 1은 본 출원에서 제공하는 실리콘 카바이드 소자의 일 실시예의 단면구조 개략도이다.
아래, 본 출원 실시예의 도면을 참조하면서 본 출원의 기술방안을 완전하게 설명한다. 본 출원에서 사용되는 "구비한다", "포함한다" 및 "포괄한다" 등 용어는 하나 또는 그 이상의 다른 소자 또는 이들의 조합이 존재하는 경우를 배제하지 않음을 이해해야 한다. 또한, 본 출원의 구체적인 실시형태를 명확하게 설명하기 위하여, 명세서의 도면에 도시된 개략도는 본 출원에서 설명된 층과 영역의 두께를 확대한 것이며, 도면의 크기는 실제 크기를 나타내지 않는다.
도 1은 본 출원에서 제공하는 실리콘 카바이드 소자의 일 실시예의 단면구조 개략도이다. 도 1에 도시된 바와 같이, 본 출원의 실리콘 카바이드 소자는 실리콘 카바이드 기판(20)을 포함하되, 실리콘 카바이드 기판(20)은 순차적으로 적층된 제1 n형 실리콘 카바이드층(21), 제2 n형 실리콘 카바이드층(22), p형 실리콘 카바이드층(23) 및 제3 n형 실리콘 카바이드층(24)을 포함하고, 제1 n형 실리콘 카바이드층(21)은 실리콘 카바이드 소자의 n형 드레인영역이다.
게이트 트렌치(41)와 소스 트렌치(42)는 실리콘 카바이드 기판(20) 내에 위치하고 교대로 이격되게 배치되며, 게이트 트렌치(41)의 바닥부와 소스 트렌치(42)의 바닥부는 모두 제2 n형 실리콘 카바이드층(22) 내에 위치한다. 게이트 트렌치(41)와 소스 트렌치(42)의 수량은 설계하고자 하는 실리콘 카바이드 소자의 규격에 따라 결정되고, 본 출원의 실시예에서 단지 예시적으로 하나의 게이트 트렌치(41)와 두 개의 소스 트렌치(42)를 도시하였다. 게이트 트렌치(41)의 깊이와 소스 트렌치(42)의 깊이는 동일할 수 있으므로, 게이트 트렌치(41)와 소스 트렌치(42)는 동일한 식각공정에서 동시에 형성될 수 있다.
게이트 트렌치(41)와 소스 트렌치(42)의 사이에 위치하는 p형 실리콘 카바이드층(23)은 실리콘 카바이드 소자의 p형 바디영역으로 될 수 있고, 게이트 트렌치(41)와 소스 트렌치(42)의 사이에 위치하는 제3 n형 실리콘 카바이드층(24)은 실리콘 카바이드 소자의 n형 소스영역으로 될 수 있다.
게이트 트렌치(41) 내에 위치하는 게이트(27)는 제1 절연층(26) 에 의해 제2 n형 실리콘 카바이드층(22)과 격리되고, 제1 절연층(26)의 재료는 실리콘 옥사이드, 실리콘 나이트라이드, 실리콘 옥시나이트라이드, 알루미나, 하프늄 옥사이드 중의 적어도 하나일 수 있고, 게이트(27)의 재료는 도전성 다결정 실리콘, 티타늄, 니켈, 구리, 알루미늄, 은, 금, 질화티타늄, 텅스텐 중의 적어도 하나일 수 있으며; 게이트(27)는 제2 절연층(28)에 의해 p형 실리콘 카바이드층(23) 및 제3 n형 실리콘 카바이드층(24)과 격리되고, 제2 절연층(28)의 재료는 실리콘 옥사이드, 실리콘 나이트라이드, 실리콘 옥시나이트라이드, 알루미나, 하프늄 옥사이드 중의 적어도 하나일 수 있으며, 유전상수가 높은 기타 절연매체일 수도 있다. 제1 절연층(26)의 두께는 제2 절연층(28)의 두께와 같을 수 있고, 또한 제1 절연층(26)의 재료와 제2 절연층(28)의 재료는 같을 수 있으므로, 제1 절연층(26)과 제2 절연층(28)은 동일한 제조공정에서 형성될 수 있으며; 제1 절연층(26)의 두께는 제2 절연층(28)의 두께보다 클 수 있으며, 이는 게이트 트렌치(41) 내의 게이트(27)가 쉽게 파괴되지 않도록 보호할 수 있다.
소스 트렌치(42) 내에 위치하는 소스(29)는 p형 실리콘 카바이드층(23) 및 제3 n형 실리콘 카바이드층(24)과 연결되고, 소스(29)는 제3 절연층(30)에 의해 소스 트렌치(42)의 측벽에 위치하는 제2 n형 실리콘 카바이드층(22)과 격리된다. 제3 절연층(30)의 재료는 실리콘 옥사이드, 실리콘 나이트라이드, 실리콘 옥시나이트라이드, 알루미나, 하프늄 옥사이드 중의 적어도 하나일 수 있고, 소스(29)의 재료는 도전성 다결정 실리콘, 티타늄, 니켈, 구리, 알루미늄, 은, 금, 질화티타늄, 텅스텐 중의 적어도 하나일 수 있다. 제3 절연층(30)의 재료는 제1 절연층(26)의 재료와 같을 수 있으므로, 제3 절연층(30)과 제1 절연층(26)은 동일한 제조공정에서 형성될 수 있으며, 이로써 실리콘 카바이드 소자의 제조공정을 간소화할 수 있다.
소스 트렌치(42)의 폭은 게이트 트렌치(41)의 폭보다 클 수 있으므로, 게이트 트렌치(41) 내의 제1 절연층(26)을 보다 쉽게 형성할 수 있어, 본 출원의 실리콘 카바이드 소자의 제조공정을 간소화할 수 있다.
제2 n형 실리콘 카바이드층(22) 내에 위치하고 소스 트렌치(42)의 바닥부에 위치하는 p형 우물영역(31)과 소스(29)는 소스 트렌치(42)의 바닥부에서 연결된다. p형 우물영역(31)과 제2 n형 실리콘 카바이드층(22)은 pn접합구조를 형성하여 소스 트렌치 바닥부 근처의 전기장을 증가하고 실리콘 카바이드 소자 내의 가장 높은 전기장을 소스 트렌치(42) 하방의 pn접합으로 제한하여 게이트 트렌치(41) 내의 게이트(27)가 쉽게 파괴되지 않도록 보호하고 소자의 내전압을 향상한다.
Claims (9)
- 실리콘 카바이드 기판, 게이트 트렌치와 소스 트렌치, 게이트, 소스 및 p형 우물영역을 포함하되,
상기 실리콘 카바이드 기판은 순차적으로 적층된 제1 n형 실리콘 카바이드층, 제2 n형 실리콘 카바이드층, p형 실리콘 카바이드층 및 제3 n형 실리콘 카바이드층을 포함하고;
상기 게이트 트렌치와 소스 트렌치는 상기 실리콘 카바이드 기판 내에 위치하고, 교대로 이격되게 배치되며, 상기 게이트 트렌치의 바닥부와 상기 소스 트렌치의 바닥부는 모두 상기 제2 n형 실리콘 카바이드층 내에 위치하며;
상기 게이트는 상기 게이트 트렌치 내에 위치하고, 상기 게이트는 제1 절연층에 의해 상기 제2 n형 실리콘 카바이드층과 격리되고, 상기 게이트는 제2 절연층에 의해 상기 p형 실리콘 카바이드층 및 상기 제3 n형 실리콘 카바이드층과 격리되며;
상기 소스는 상기 소스 트렌치 내에 위치하고, 상기 소스는 상기 제2 n형 실리콘 카바이드층, 상기 p형 실리콘 카바이드층, 상기 제3 n형 실리콘 카바이드층에 위치하며, 상기 소스는 상기 p형 실리콘 카바이드층 및 상기 제3 n형 실리콘 카바이드층과 연결되고, 상기 소스는 제3 절연층에 의해 상기 소스 트렌치의 측벽에 위치하는 상기 제2 n형 실리콘 카바이드층과 격리되고;
상기 p형 우물영역은 상기 제2 n형 실리콘 카바이드층 내에 완전히 위치하고 상기 소스 트렌치의 바닥부의 하면에 위치하며, 상기 p형 우물영역과 상기 소스는 상기 소스 트렌치의 바닥부 위치에서 연결되는 것을 특징으로 하는 실리콘 카바이드 소자. - 제 1 항에 있어서,
상기 게이트 트렌치의 깊이와 상기 소스 트렌치의 깊이가 같은 것을 특징으로 하는 실리콘 카바이드 소자. - 제 1 항에 있어서,
상기 소스 트렌치의 폭은 상기 게이트 트렌치의 폭보다 큰 것을 특징으로 하는 실리콘 카바이드 소자. - 제 1 항에 있어서,
상기 제1 절연층의 두께는 상기 제2 절연층의 두께보다 큰 것을 특징으로 하는 실리콘 카바이드 소자. - 제 1 항에 있어서,
상기 제1 절연층의 재료는 실리콘 옥사이드, 실리콘 나이트라이드, 실리콘 옥시나이트라이드, 알루미나, 하프늄 옥사이드 중의 적어도 하나인 것을 특징으로 하는 실리콘 카바이드 소자. - 제 1 항에 있어서,
상기 제3 절연층의 재료는 실리콘 옥사이드, 실리콘 나이트라이드, 실리콘 옥시나이트라이드, 알루미나, 하프늄 옥사이드 중의 적어도 하나인 것을 특징으로 하는 실리콘 카바이드 소자. - 제 1 항에 있어서,
상기 제2 절연층의 재료는 실리콘 옥사이드, 실리콘 나이트라이드, 실리콘 옥시나이트라이드, 알루미나, 하프늄 옥사이드 중의 적어도 하나인 것을 특징으로 하는 실리콘 카바이드 소자. - 제 1 항에 있어서,
상기 게이트의 재료는 도전성 다결정 실리콘, 티타늄, 니켈, 구리, 알루미늄, 은, 금, 질화티타늄, 텅스텐 중의 적어도 하나인 것을 특징으로 하는 실리콘 카바이드 소자. - 제 1 항에 있어서,
상기 소스의 재료는 도전성 다결정 실리콘, 티타늄, 니켈, 구리, 알루미늄, 은, 금, 질화티타늄, 텅스텐 중의 적어도 하나인 것을 특징으로 하는 실리콘 카바이드 소자.
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202011280134.5A CN114512531A (zh) | 2020-11-16 | 2020-11-16 | 碳化硅器件 |
CN202011280134.5 | 2020-11-16 | ||
PCT/CN2020/130599 WO2022099764A1 (zh) | 2020-11-16 | 2020-11-20 | 碳化硅器件 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20220067531A KR20220067531A (ko) | 2022-05-24 |
KR102572266B1 true KR102572266B1 (ko) | 2023-08-30 |
Family
ID=81546362
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020217042701A KR102572266B1 (ko) | 2020-11-16 | 2020-11-20 | 실리콘 카바이드 소자 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20230275134A1 (ko) |
JP (1) | JP7350373B2 (ko) |
KR (1) | KR102572266B1 (ko) |
CN (1) | CN114512531A (ko) |
WO (1) | WO2022099764A1 (ko) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN116759444A (zh) * | 2023-08-04 | 2023-09-15 | 杭州芯迈半导体技术有限公司 | 一种沟槽型mosfet及制造方法 |
Family Cites Families (25)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7465986B2 (en) * | 2004-08-27 | 2008-12-16 | International Rectifier Corporation | Power semiconductor device including insulated source electrodes inside trenches |
JP2006344760A (ja) * | 2005-06-08 | 2006-12-21 | Sharp Corp | トレンチ型mosfet及びその製造方法 |
JP4798119B2 (ja) * | 2007-11-06 | 2011-10-19 | 株式会社デンソー | 炭化珪素半導体装置およびその製造方法 |
CN103262248B (zh) * | 2010-12-10 | 2016-07-13 | 三菱电机株式会社 | 半导体装置及其制造方法 |
JP5767857B2 (ja) * | 2011-05-20 | 2015-08-19 | 新電元工業株式会社 | トレンチ型mosfet及びその製造方法 |
US20130224919A1 (en) * | 2012-02-28 | 2013-08-29 | Yongping Ding | Method for making gate-oxide with step-graded thickness in trenched dmos device for reduced gate-to-drain capacitance |
US9293376B2 (en) * | 2012-07-11 | 2016-03-22 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Apparatus and method for power MOS transistor |
JP6253885B2 (ja) * | 2013-01-07 | 2017-12-27 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 縦型パワーmosfet |
JP6197995B2 (ja) * | 2013-08-23 | 2017-09-20 | 富士電機株式会社 | ワイドバンドギャップ絶縁ゲート型半導体装置 |
DE102015103072B4 (de) * | 2015-03-03 | 2021-08-12 | Infineon Technologies Ag | Halbleitervorrichtung mit grabenstruktur einschliesslich einer gateelektrode und einer kontaktstruktur fur ein diodengebiet |
JP6600475B2 (ja) * | 2015-03-27 | 2019-10-30 | ローム株式会社 | 半導体装置 |
JP6584857B2 (ja) * | 2015-08-11 | 2019-10-02 | 株式会社東芝 | 半導体装置 |
JP6662059B2 (ja) * | 2016-01-26 | 2020-03-11 | 豊田合成株式会社 | 半導体装置及び電力変換装置 |
DE102016104788B4 (de) * | 2016-03-15 | 2019-06-19 | Infineon Technologies Ag | Halbleitervorrichtung mit einer Metalladhäsions- und Barrierestruktur und Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung |
JP2018046135A (ja) * | 2016-09-14 | 2018-03-22 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置及びその製造方法 |
JP7280666B2 (ja) * | 2017-05-17 | 2023-05-24 | ローム株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
JP6913594B2 (ja) * | 2017-10-05 | 2021-08-04 | 株式会社東芝 | 半導体装置 |
KR102056356B1 (ko) * | 2017-11-09 | 2019-12-16 | 주식회사 케이이씨 | 전력 반도체 소자의 제조 방법 및 그에 따른 전력 반도체 소자 |
DE212020000485U1 (de) * | 2019-05-22 | 2021-07-19 | Rohm Co., Ltd. | SiC-Halbleiterbauteil |
CN111403487B (zh) * | 2020-05-07 | 2024-02-06 | 创能动力科技有限公司 | 一种集成mosfet及二极管的半导体装置及其制造方法 |
DE212021000197U1 (de) * | 2020-05-08 | 2022-01-19 | Rohm Co., Ltd. | Halbleitervorrichtung |
CN111755521A (zh) * | 2020-06-02 | 2020-10-09 | 西安电子科技大学 | 一种集成tjbs的碳化硅umosfet器件 |
CN111933710B (zh) * | 2020-08-03 | 2023-04-07 | 株洲中车时代半导体有限公司 | 碳化硅器件的元胞结构、其制备方法及碳化硅器件 |
US11640990B2 (en) * | 2020-10-27 | 2023-05-02 | Wolfspeed, Inc. | Power semiconductor devices including a trenched gate and methods of forming such devices |
US11610991B2 (en) * | 2020-10-28 | 2023-03-21 | Wolfspeed, Inc. | Gate trench power semiconductor devices having improved deep shield connection patterns |
-
2020
- 2020-11-16 CN CN202011280134.5A patent/CN114512531A/zh active Pending
- 2020-11-20 KR KR1020217042701A patent/KR102572266B1/ko active IP Right Grant
- 2020-11-20 JP JP2021569955A patent/JP7350373B2/ja active Active
- 2020-11-20 US US17/614,259 patent/US20230275134A1/en active Pending
- 2020-11-20 WO PCT/CN2020/130599 patent/WO2022099764A1/zh active Application Filing
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2022099764A1 (zh) | 2022-05-19 |
KR20220067531A (ko) | 2022-05-24 |
US20230275134A1 (en) | 2023-08-31 |
JP7350373B2 (ja) | 2023-09-26 |
JP2023504953A (ja) | 2023-02-08 |
CN114512531A (zh) | 2022-05-17 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US10374047B2 (en) | Semiconductor device and manufacturing method thereof | |
US9087911B2 (en) | Trench shield connected JFET | |
EP3465764B1 (en) | Electric field shielding in silicon carbide metal-oxide-semiconductor (mos) device cells using body region extensions | |
US7659575B2 (en) | Semiconductor device | |
JP4328616B2 (ja) | 半導体装置用のトレンチ構造 | |
JP6532549B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP5145694B2 (ja) | SiC半導体縦型MOSFETの製造方法。 | |
EP3353814B1 (en) | Area efficient floating field ring termination | |
US11588045B2 (en) | Fortified trench planar MOS power transistor | |
US10777678B2 (en) | Semiconductor device | |
KR20120053007A (ko) | 쉴드형 게이트 mosfet 내 쉴드 콘택들 | |
JP2013069783A (ja) | 電力用半導体装置 | |
JP5556863B2 (ja) | ワイドバンドギャップ半導体縦型mosfet | |
JP2003229570A (ja) | 炭化珪素半導体を用いた電界効果トランジスタ | |
JP2024102269A (ja) | 半導体部品および半導体部品の製造方法 | |
JP2019087730A (ja) | 半導体装置 | |
KR101514537B1 (ko) | 전력 반도체 소자 및 그 제조 방법 | |
KR102572266B1 (ko) | 실리콘 카바이드 소자 | |
CN113421927A (zh) | 一种逆导SiC MOSFET器件及其制造方法 | |
JP2022154849A (ja) | 半導体装置 | |
CN111295763A (zh) | 宽带隙半导体装置 | |
WO2022099763A1 (zh) | 半导体器件 | |
EP3640996B1 (en) | Semiconductor device | |
GB2587646A (en) | Semiconductor device with dual trench structure | |
CN112889158B (zh) | 半导体装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right |