KR102568561B1 - 수직 구조 발광 트랜지스터 및 이의 제조 방법 - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 14
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 25
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims abstract description 23
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 266
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 claims description 40
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims description 21
- FFUAGWLWBBFQJT-UHFFFAOYSA-N hexamethyldisilazane Chemical compound C[Si](C)(C)N[Si](C)(C)C FFUAGWLWBBFQJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 20
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 13
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 13
- 239000002094 self assembled monolayer Substances 0.000 claims description 8
- 239000013545 self-assembled monolayer Substances 0.000 claims description 8
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 125000002915 carbonyl group Chemical group [*:2]C([*:1])=O 0.000 claims description 5
- 125000003178 carboxy group Chemical group [H]OC(*)=O 0.000 claims description 5
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 150000002222 fluorine compounds Chemical class 0.000 claims description 5
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 claims description 5
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 claims description 5
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 4
- -1 cyanide compound Chemical class 0.000 claims description 4
- 230000007423 decrease Effects 0.000 claims description 4
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 claims description 2
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 21
- 238000000034 method Methods 0.000 description 9
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 8
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 7
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 7
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 7
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 6
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 5
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 5
- 230000008569 process Effects 0.000 description 5
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002033 PVDF binder Substances 0.000 description 3
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 3
- 239000002042 Silver nanowire Substances 0.000 description 3
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000008859 change Effects 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 3
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 3
- QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N neodymium atom Chemical compound [Nd] QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 3
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 3
- 229920002981 polyvinylidene fluoride Polymers 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 3
- 238000002207 thermal evaporation Methods 0.000 description 3
- 239000004696 Poly ether ether ketone Substances 0.000 description 2
- 239000004697 Polyetherimide Substances 0.000 description 2
- 229920002873 Polyethylenimine Polymers 0.000 description 2
- 239000004734 Polyphenylene sulfide Substances 0.000 description 2
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 2
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 2
- 239000004205 dimethyl polysiloxane Substances 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 150000002118 epoxides Chemical class 0.000 description 2
- 238000010329 laser etching Methods 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- 229920000435 poly(dimethylsiloxane) Polymers 0.000 description 2
- 229920002530 polyetherether ketone Polymers 0.000 description 2
- 229920001601 polyetherimide Polymers 0.000 description 2
- 229920002098 polyfluorene Polymers 0.000 description 2
- 229920000069 polyphenylene sulfide Polymers 0.000 description 2
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 2
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 2
- 229920001343 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 description 2
- 239000004810 polytetrafluoroethylene Substances 0.000 description 2
- BBEAQIROQSPTKN-UHFFFAOYSA-N pyrene Chemical compound C1=CC=C2C=CC3=CC=CC4=CC=C1C2=C43 BBEAQIROQSPTKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 description 2
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000003624 transition metals Chemical class 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920012266 Poly(ether sulfone) PES Polymers 0.000 description 1
- 150000001336 alkenes Chemical class 0.000 description 1
- 150000001345 alkine derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 1
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 description 1
- DMLAVOWQYNRWNQ-UHFFFAOYSA-N azobenzene Chemical compound C1=CC=CC=C1N=NC1=CC=CC=C1 DMLAVOWQYNRWNQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- LLCSWKVOHICRDD-UHFFFAOYSA-N buta-1,3-diyne Chemical group C#CC#C LLCSWKVOHICRDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 description 1
- 229910052593 corundum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- GVEPBJHOBDJJJI-UHFFFAOYSA-N fluoranthrene Natural products C1=CC(C2=CC=CC=C22)=C3C2=CC=CC3=C1 GVEPBJHOBDJJJI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 229910021389 graphene Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005283 ground state Effects 0.000 description 1
- CJNBYAVZURUTKZ-UHFFFAOYSA-N hafnium(IV) oxide Inorganic materials O=[Hf]=O CJNBYAVZURUTKZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 239000002923 metal particle Substances 0.000 description 1
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N nickel Substances [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 239000002952 polymeric resin Substances 0.000 description 1
- 239000004800 polyvinyl chloride Substances 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 239000010944 silver (metal) Substances 0.000 description 1
- 238000009751 slip forming Methods 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000001424 substituent group Chemical group 0.000 description 1
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
- 229910001845 yogo sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/805—Electrodes
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- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
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Abstract
본 발명의 수직 구조 발광 트랜지스터는 기판 상에 배치되는 제1 전극층; 상기 제1 전극층 상에 배치되는 절연층; 상기 절연층 상에 배치되고, 투과 전극 및 핀홀을 포함하는 제2 전극층; 상기 제2 전극층 상에 배치되는 발광층; 및 상기 발광층 상에 배치되는 제3 전극층을 포함하고, 상기 핀홀은 상기 투과 전극의 두께 및 증착 속도 제어에 의해 형상이 변화되고, 상기 절연층 및 상기 발광층의 적어도 일 영역의 접촉을 통해 캐리어의 이동 경로를 제공할 수 있다.
Description
본 발명은 발광 트랜지스터에 관한 것으로, 보다 상세하게는, 투과 소스 전극을 이용한 수직 구조의 발광 트랜지스터에 관한 것이다.
종래의 발광 다이오드는 전류 구동을 위한 별도의 트랜지스터를 필요로 하기 때문에, 디스플레이 전체 면적에서 발광에 사용될 수 있는 면적이 줄어들어 개구율이 낮다. 반면, 발광 트랜지스터(LET)는 스위칭 역할을 하는 트랜지스터와 발광 기능을 하는 발광 다이오드가 결합되어, 한 소자에서 전류 제어와 발광이 가능하다. 또한, 발광 트랜지스터는 발광 다이오드와 달리 별도의 구동 회로가 필요 없기 때문에, 높은 개구율을 얻을 수 있을 뿐만 아니라 내부 증폭 효과로 인가하는 전압 대비 발광 되는 빛의 세기가 강하다.
수직 구조 발광 트랜지스터는 채널의 길이가 발광층의 두께로 조절되므로, 별도의 리소그래피 공정 없이 나노미터 수준의 짧은 채널 길이를 가진다. 또한, 소자 전면을 발광 영역으로 활용할 수 있어, 높은 개구율을 확보할 수 있다. 수직 구조 발광 트랜지스터에는 소스 전극에 전하를 효과적으로 유도하기 위해, 나노 패터닝된 금속, 은 나노 와이어, 금속 박막과 같이 구조적으로 얇은 다공성의 전극(투과 소스 전극)이 사용된다. 하지만, 투과 소스 전극에 쓰이는 은 나노 와이어 등의 경우 스핀 코팅을 이용하기 때문에, 전극 형성 과정에서 위치마다 특성이 다른 확률적 불안정성이 발생하게 된다. 따라서, 이러한 문제를 해결하기 위해, 네트워크 구조의 위치 및 밀도를 제어할 수 있는 기술이 필요하다.
본 발명의 일 과제는 투과 소스 전극을 이용한 수직 구조의 발광 트랜지스터에 관한 것이다.
일 실시예에 따른 수직 구조 발광 트랜지스터는 기판 상에 배치되는 제1 전극층; 상기 제1 전극층 상에 배치되는 절연층; 상기 절연층 상에 배치되고, 투과 전극 및 핀홀을 포함하는 제2 전극층; 상기 제2 전극층 상에 배치되는 발광층; 및 상기 발광층 상에 배치되는 제3 전극층을 포함하고, 상기 핀홀은 상기 투과 전극의 두께 및 증착 속도 제어에 의해 형상이 변화되고, 상기 절연층 및 상기 발광층의 적어도 일 영역의 접촉을 통해 캐리어의 이동 경로를 제공할 수 있다.
여기서, 상기 핀홀의 크기 및 면적은 상기 투과 전극의 두께가 두꺼울수록 작아질 수 있다.
여기서, 상기 핀홀의 크기 및 면적은 상기 투과 전극의 증착 속도가 빠를수록 증가할 수 있다.
여기서, 상기 절연층을 표면 처리하여 형성되며 상기 절연층 및 상기 제2 전극층 사이에 배치되는 계면층을 더 포함할 수 있다.
여기서, 상기 계면층은, 상기 절연층의 표면에 대한 광 반응 또는 화학 반응을 통해 계면 에너지를 조절함으로써 형성되거나, 상기 절연층의 표면에 계면 에너지 조절 소재를 도포함으로써 형성될 수 있다.
여기서, 상기 핀홀의 크기 및 면적은 상기 계면층과 상기 제2 전극층의 계면 에너지 차이에 의해 변화할 수 있다.
여기서, 상기 광 반응을 이용한 표면 처리는 UV O3 또는 O2 플라즈마 처리를 이용한 자외선 및 플라즈마 조사를 포함하며, 상기 화학 반응을 이용한 표면 처리는 카르보닐기, 카르복실기, 하이드록실기, 시안기 화합물을 이용한 표면 처리, 불소 화합물을 이용한 표면 처리 또는 HMDS(Hexamethyldisilazane) 처리를 포함할 수 있다.
여기서, 상기 계면 에너지 조절 소재는 상기 절연층의 표면 장력을 변화시키는 고분자 소재 또는 SAM(Self-Assembled Monolayer) 소재를 포함할 수 있다.
여기서, 상기 핀홀의 형상은 상기 투과 전극의 1nm 내지 25nm의 두께와, 0.1
내지 5.0
s의 증착 속도에 의해 제어될 수 있다.
여기서, 상기 투과 전극은 Al, Ag, Ti, Mg, Cu, Ni, Si, Cr, Hf, Sn, Y 및 Zn 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
다른 일 실시예에 따른 수직 구조 발광 트랜지스터는 기판 상에 배치되는 제1 전극층; 상기 제1 전극층 상에 배치되는 발광층; 상기 발광층 상에 배치되고, 투과 전극 및 핀홀을 포함하는 제2 전극층; 상기 제2 전극층 상에 배치되는 절연층; 및 상기 절연층 상에 배치되는 제3 전극층을 포함하고, 상기 핀홀은 상기 투과 전극의 두께 및 증착 속도 제어에 의해 형상이 변화되고, 상기 절연층 및 상기 발광층의 적어도 일 영역의 접촉을 통해 캐리어의 이동 경로를 제공할 수 있다.
일 실시예에 따른 수직 구조 발광 트랜지스터의 제조 방법은 기판 상에 제1 전극층을 형성하는 단계; 상기 제1 전극층 상에 절연층을 형성하는 단계; 상기 절연층 상에 제2 전극층을 형성하는 단계; 상기 제2 전극층 상에 발광층을 형성하는 단계; 및 상기 발광층 상에 제3 전극층을 형성하는 단계를 포함하고, 상기 제2 전극층을 형성하는 단계는, 상기 절연층 및 상기 발광층의 적어도 일 영역의 접촉을 통해 캐리어의 이동 경로를 제공하며, 투과 전극의 두께 및 증착 속도 제어에 의해 형상이 변화하는 핀홀을 형성하는 단계를 포함할 수 있다.
여기서, 상기 절연층을 표면 처리하여 상기 절연층 및 상기 제2 전극층 사이에 배치되는 계면층을 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다.
여기서, 상기 계면층을 형성하는 단계는, 상기 절연층의 표면에 대한 광 반응 또는 화학 반응을 통해 계면 에너지를 조절하거나, 상기 절연층의 표면에 계면 에너지 조절 소재를 도포하는 단계일 수 있다.
여기서, 상기 계면층을 형성하는 단계는, UV O3 또는 O2 플라즈마 처리를 이용한 자외선 및 플라즈마를 조사하여 광 반응을 일으키는 단계, 또는 카르보닐기, 카르복실기, 하이드록실기, 시안기 화합물을 이용한 표면 처리, 불소 화합물을 이용한 표면 처리 또는 HMDS(Hexamethyldisilazane) 처리에 의해 화학 반응을 일으키는 단계를 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따르면 투과 소스 전극을 이용한 수직 구조의 발광 트랜지스터가 제공될 수 있다.
도 1은 일 실시예에 따른 수직 구조의 발광 트랜지스터의 단면도이다.
도 2는 다른 일 실시예에 따른 수직 구조의 발광 트랜지스터의 단면도이다.
도 3은 일 실시예에 따른 전극층의 단면도이다.
도 4는 또 다른 일 실시예에 따른 수직 구조의 발광 트랜지스터의 단면도이다.
도 5는 일 실시예에 따른 수직 구조의 발광 트랜지스터의 제조 방법을 설명하기 위한 도면이다.
도 6은 다른 일 실시예에 따른 수직 구조의 발광 트랜지스터의 제조 방법을 설명하기 위한 도면이다.
도 7 및 도 8은 일 실시예에 따른 핀홀의 형상을 제어한 실험 결과를 설명하기 위한 도면이다.
도 9 및 도 10은 투과 전극의 두께가 15(nm) 및 50(nm)일 때 핀홀의 크기 및 면적 변화를 TEM(Transmission Electron Microscope)으로 촬영한 결과를 나타낸다.
도 2는 다른 일 실시예에 따른 수직 구조의 발광 트랜지스터의 단면도이다.
도 3은 일 실시예에 따른 전극층의 단면도이다.
도 4는 또 다른 일 실시예에 따른 수직 구조의 발광 트랜지스터의 단면도이다.
도 5는 일 실시예에 따른 수직 구조의 발광 트랜지스터의 제조 방법을 설명하기 위한 도면이다.
도 6은 다른 일 실시예에 따른 수직 구조의 발광 트랜지스터의 제조 방법을 설명하기 위한 도면이다.
도 7 및 도 8은 일 실시예에 따른 핀홀의 형상을 제어한 실험 결과를 설명하기 위한 도면이다.
도 9 및 도 10은 투과 전극의 두께가 15(nm) 및 50(nm)일 때 핀홀의 크기 및 면적 변화를 TEM(Transmission Electron Microscope)으로 촬영한 결과를 나타낸다.
본 명세서에 기재된 실시예는 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 본 발명의 사상을 명확히 설명하기 위한 것이므로, 본 발명이 본 명세서에 기재된 실시예에 한정되는 것은 아니며, 본 발명의 범위는 본 발명의 사상을 벗어나지 아니하는 수정예 또는 변형예를 포함하는 것으로 해석되어야 한다.
본 명세서에서 사용되는 용어는 본 발명에서의 기능을 고려하여 가능한 현재 널리 사용되고 있는 일반적인 용어를 선택하였으나 이는 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자의 의도, 판례 또는 새로운 기술의 출현 등에 따라 달라질 수 있다. 다만, 이와 달리 특정한 용어를 임의의 의미로 정의하여 사용하는 경우에는 그 용어의 의미에 관하여 별도로 기재할 것이다. 따라서 본 명세서에서 사용되는 용어는 단순한 용어의 명칭이 아닌 그 용어가 가진 실질적인 의미와 본 명세서의 전반에 걸친 내용을 토대로 해석되어야 한다.
본 명세서에 첨부된 도면은 본 발명을 용이하게 설명하기 위한 것으로 도면에 도시된 형상은 본 발명의 이해를 돕기 위하여 필요에 따라 과장되어 표시된 것일 수 있으므로 본 발명이 도면에 의해 한정되는 것은 아니다.
본 명세서에서 본 발명에 관련된 공지의 구성 또는 기능에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에 이에 관한 자세한 설명은 필요에 따라 생략하기로 한다.
도 1은 일 실시예에 따른 수직 구조의 발광 트랜지스터의 단면도이다.
도 1을 참조하면, 일 실시예에 따른 수직 구조의 발광 트랜지스터(100)는 기판(110), 제1 전극층(120), 절연층(130), 제2 전극층(140), 발광층(150) 및 제3 전극층(160)을 포함할 수 있다.
기판(110)은 수직 구조의 발광 트랜지스터(100)의 전체 구조를 지지하는 부재일 수 있다. 예를 들어, 기판(110)은 유리, 수정(quartz), 고분자 수지(예를 들어, 플라스틱 등), 실리콘(silicon) 등을 소재로 구성될 수 있다. 본원 발명의 수직 구조 발광 트랜지스터는 수직 구조 유기 발광 트랜지스터로도 명칭될 수 있다.
제1 전극층(120)은 기판(110) 상에 배치될 수 있다. 구체적으로, 제1 전극층(120)은 기판(110)의 상부에 수직 구조로 배치될 수 있다. 제1 전극층(120)은 게이트 전극일 수 있다.
예를 들어, 제1 전극층(120)은 금(Au), 구리(Cu), 알루미늄(Al), 알루미늄 합금(Al-alloy), 몰리브덴(Mo), 크롬(Cr), 인듐틴옥사이드(ITO), 티탄(Ti), 네오디뮴(Nd) 및 은(Ag) 중 적어도 하나 이상을 포함할 수 있다. 또한 예를 들어, 발광층(150)으로부터 방출된 빛이 하부로 방출될 수 있도록 제1 전극층(120)은 투명하게 형성될 수 있으나, 이에 한정되지 않는다.
절연층(130)은 제1 전극층(120) 상에 배치될 수 있다. 구체적으로, 절연층(130)은 제1 전극층(120)의 상부에 수직 구조로 배치될 수 있다. 절연층(130)은 절연 성질이 우수하고 패턴 형성이 가능한 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 절연층(130)은 SiO2, PMMA, PVN, PVP, PVA, PAN, Al2O3 및 HfO2 중 적어도 하나 이상을 포함할 수 있으나, 이에 한정되지 않는다.
제2 전극층(140)은 절연층(130) 상에 배치될 수 있다. 구체적으로, 제2 전극층(140)은 절연층(130)의 상부에 수직 구조로 배치될 수 있다. 제2 전극층(140)은 투과 소스 전극일 수 있다. 제2 전극층(140)은 열 증착 과정을 통해 형성되는 투과 전극 및 투과 전극 사이에 존재하는 핀홀을 포함할 수 있다.
핀홀은 투과 전극의 증착 두께 및 증착 속도에 의해 형상이 변화될 수 있다. 구체적으로, 투과 전극의 두께가 일정 수치(예, 25nm 이하) 이하에서는 클러스터가 퍼지는 힘보다 뭉치려는 힘이 강하기 때문에, 아일랜드 성장이 일어나 낮은 표면 덮임률(surface coverage)을 갖게 되어 핀홀이 생성된다. 그러나, 투과 전극의 두께가 일정 수치 이상이 될 경우, 금속 입자가 핀홀 사이를 채우게 되어, 핀홀의 크기 및 면적이 줄어들게 된다. 이와 같이, 투과 전극의 증착 두께에 따라 핀홀의 형상이 제어될 수 있다.
또한, 투과 전극의 증착 속도에 따라 핀홀의 형성이 제어될 수 있다. 구체적으로, 투과 전극의 증착 속도에 따라, 투과 전극을 구성하는 금속의 그레인 사이즈(grain size)가 조절될 수 있다. 투과 전극의 증착 속도는 0.1Å/S 내지 5.0Å/S 범위 내에서 다양하게 변화될 수 있다.
투과 전극의 증착 속도가 일정 수치 이하일 경우, 박막 형성에 표면 확산의 영향이 적어 일정한 크기의 구형(spherical) 또는 타원형(oval) 모양의 작은 그레인이 형성될 수 있다. 투과 전극의 그레인 사이즈가 작아짐에 따라, 핀홀의 크기 및 면적은 줄어들 수 있다.
또한, 투과 전극의 증착 속도가 일정 수치를 초과할 경우, 작은 언덕(hillock) 모양의 큰 그레인이 형성되고, 낮은 거칠기(roughness)를 갖게 된다. 투과 전극의 그레인 사이즈가 커짐에 따라, 핀홀의 크기 및 면적은 커질 수 있다.
투과 전극 및 핀홀을 포함하는 제2 전극층(140)에 대해서는 도 3을 참조하여 자세히 후술한다.
발광층(150)은 제2 전극층(140) 상에 배치될 수 있다. 구체적으로, 발광층(150)은 제2 전극층(140)의 상부에 수직 구조로 배치될 수 있다. 예를 들어, 발광층(150)은 유기물, 양자점(Quantum dots), 2차원 전이금속 및 페로브스카이트 중 적어도 하나 이상을 포함할 수 있으나, 이에 한정되지 않는다.
발광층(150)은 양극에서 유입된 정공과 음극에서 유입된 전자가 결합하여 엑시톤을 형성하고, 엑시톤이 기저상태로 전이함에 따라 광을 방출할 수 있다. 구체적으로, 하부의 게이트 전극인 제1 전극층(120)에서 소스 전극인 제2 전극층(140)에 전하를 유도한다. 제2 전극층(140)과 드레인 전극인 제3 전극층(160) 간의 전압 인가를 통해 축적된 전하를 이동시킴으로써, 전류의 양과 발광 정도가 조절될 수 있다. 전하의 이동은 핀홀에 의해 제공되는 제2 전극층(140)에서 발광층(150)으로의 캐리어의 이동 경로를 통해 이루어질 수 있다.
구체적으로, 제2 전극층(140)에 포함된 핀홀을 통해, 발광층(150)의 적어도 일 영역은 절연층(130)의 적어도 일 영역과 접촉할 수 있다. 발광층(150) 및 절연층(130)의 접촉을 통해, 캐리어가 축적될 수 있다. 캐리어가 축적되면 투과 소스 전극의 인젝션 배리어(injection barrier)가 낮아지고, 채널이 형성되어 캐리어가 쉽게 이동할 수 있게 된다. 채널을 통해 전류가 흘러 소자에는 온/오프 특성을 가지는 스위칭 효과가 나타날 수 있다. 투과 전극 및 핀홀을 통해 발광층(150)의 광 방출이 구현될 수 있다.
제3 전극층(160)은 발광층(150) 상에 배치될 수 있다. 구체적으로, 제3 전극층(160)은 발광층(150) 상에 수직 구조로 배치될 수 있다. 제3 전극층(160)은 드레인 전극일 수 있다. 예를 들어, 제3 전극층(160)은 금(Au), 구리(Cu), 알루미늄(Al), 알루미늄 합금(Al-alloy), 몰리브덴(Mo), 크롬(Cr), 인듐틴옥사이드(ITO), 티탄(Ti), 네오디뮴 (Nd) 및 은(Ag) 중 적어도 하나 이상을 포함할 수 있으나, 이에 한정되지 않는다.
전술한 수직 구조의 발광 트랜지스터는 발광층(150)으로부터 방출된 빛이 투명한 제1 전극층(120)으로 향하는 바텀 이미팅(bottom-emitting) 소자를 예시로 하여 설명하였으나, 이에 한정되지 않고, 수직 구조의 발광 트랜지스터는 제3 전극층(160)이 투명한 소자로 구현되어 발광층(150)으로부터 방출된 빛이 투명한 제3 전극층(160)으로 향하는 탑 이미팅(top-emitting) 소자로도 구현이 가능할 수 있다.
도 2는 다른 일 실시예에 따른 수직 구조의 발광 트랜지스터의 단면도이다.
도 2를 참조하면, 다른 일 실시예에 따른 수직 구조의 발광 트랜지스터(101)는 기판(111), 제1 전극층(121), 절연층(131), 계면층(145), 제2 전극층(141), 발광층(151) 및 제3 전극층(161)을 포함할 수 있다.
도 2의 트랜지스터는 도 1의 트랜지스터의 절연층(130) 및 제2 전극층(140) 사이에 계면층(145)이 추가된 구조를 가지고 있다. 이에, 기판(111), 제1 전극층(121), 절연층(131), 제2 전극층(141), 발광층(151) 및 제3 전극층(161)에 대한 내용은 도 1의 기판(110), 제1 전극층(120), 절연층(130), 제2 전극층(140), 발광층(150) 및 제3 전극층(160)에 대한 내용과 중복되므로, 자세한 설명은 생략한다.
계면층(145)은 절연층(131)의 상부에 배치될 수 있다. 구체적으로, 계면층(145)은 절연층(130)에 대한 광 반응 또는 화학 반응 중 적어도 하나를 이용한 표면 처리 또는 절연층(130)의 표면의 계면 에너지의 변화에 의해 형성될 수 있다. 이때, 광 반응을 이용한 표면처리는 UV 또는 O3 플라즈마 처리를 이용한 자외선 및 플라즈마 조사를 포함할 수 있다. 예를 들어, 광 반응을 이용한 표면처리는 약 28mW 이상의 강도를 가진 자외선(UV treatment)를 약 1분 내지 60분, 예를 들어 1분, 2분, 5분, 10분, 15분씩 조사 또는 RF O3 플라즈마를 1W 내지 300W의 강도로 10초 내지 300초 동안 조사하여 상기 표면처리를 실시할 수 있다.
또한 이때, 화학 반응을 이용한 표면 처리는 카르보닐기, 카르복실기, 하이드록실기, 시안기 화합물을 이용한 표면 처리, 불소 화합물(HF, THF, CF, PVDF, -CF3, -CF2, -F, -F2, -F3, -F4)을 이용한 표면 처리 또는 HMDS(Hexamethyldisilazane) 처리를 포함할 수 있다. 예를 들어, 계면층(145)은 플루오린 솔벤트(fluorine solvent)로 절연층(131)에 표면 처리를 함으로써 형성될 수 있으나, 이에 한정되지 않는다.
또한, 계면층(145)은 계면 에너지 조절 소재 또는 자기 조립 단층막(Self Assembled Monolayer) 중 적어도 하나를 이용한 표면 처리를 통해 절연층(130)의 상부의 계면 에너지를 변환시켜 형성될 수 있다.
이때, 계면 에너지 조절 소재를 이용한 표면 처리는 폴리에테르이미드(PEI), 폴리에텔에텔케톤(PEEK), 폴리페닐렌설파이드(PPS), 폴리에테르설폰(PES), 폴리메틸메타크릴레이트(PMMA), 폴리염화비닐(PVC), 폴리스타이렌(PS), 폴리프로필렌(PP), 폴리비닐리덴플루오라이드(PVDF), 폴리디메틸실록산(PDMS), 폴리테트라플루오로에틸렌(PTFR), 폴리에텔렌이민(PEIE), 폴리플루오렌(PFE) 중 어느 하나를 도포하여 표면 처리 하는 것을 포함할 수 있으나, 이에 한정되지 않는다.
이때, 자기 조립 단층막을 이용한 표면 처리는 알킬(Alkyl), 알카인(Alkyne), 다이아세틸렌(Diacetylene), 아릴(Aryl), 에스터(Ester), 파이렌(Pyrene), 아조벤젠(Azobenzene), 에폭사이드(Epoxide), 알켄(Alkene) 중 어느 하나의 치환기를 가지는 자기 조립 단층막을 도포하여 표면 처리 하는 것을 포함할 수 있으나, 이에 한정되지 않는다.
제2 전극층(141)에 포함된 핀홀의 형상은 도 1에서 설명한 바와 같이 투과 전극의 두께 또는 증착 속도 뿐만 아니라, 계면층(145)과 투과 전극 사이의 계면 에너지 차이에 의해서도 달라질 수 있다. 구체적으로, 계면층(145)과 투과 전극 사이의 계면 에너지 차이가 커지면, 투과 전극의 그레인 사이즈가 커지고, 이에 따라 핀홀의 크기 및 면적은 커질 수 있다. 반대로, 계면층(145)과 투과 전극 사이의 계면 에너지 차이가 감소되면, 투과 전극의 그레인 사이즈가 작아지고, 이에 따라 핀홀의 크기 및 면적도 작아질 수 있다.
도 3은 일 실시예에 따른 전극층의 단면도이다. 구체적으로, 도 3은 도 1의 제2 전극층(140) 또는 도 2의 제2 전극층(141)의 단면도이다.
도 3을 참조하면, 제2 전극층(140)은 투과 전극(10) 및 핀홀(20)을 포함할 수 있다. 투과 전극(10)은 절연층(130) 상에 증착된 금속을 의미하고, 핀홀(20)은 증착된 금속들 사이의 빈 공간을 의미할 수 있다. 구체적으로, 제2 전극층(140)은 적어도 하나 이상의 투과 전극(10) 및 핀홀(20)을 포함할 수 있으나, 설명의 편의상 하나의 투과 전극(10) 및 핀홀(20)에 대해 설명한다.
투과 전극(10)은 예를 들어 메탈류들, 그래핀, 실버 나노 와이어, 다공성 전도성 고분자, 메탈옥사이드(ITO, FTO) 등을 소재로 형성될 수 있다. 투과 전극은 열 증착, 포토 리소그래피, 레이저 식각, 메탈 프린팅, PS를 이용한 핀홀 형성, E-beam 등의 공정을 이용하여 형성될 수 있다. 투과 전극은 단면 상에서 수 나노 미터의 길이(L_B)를 가질 수 있다.
핀홀(20)은 절연층(130) 상에 투과 전극이 증착 되지 않은 부분으로서, 수 나노 미터의 크기를 가질 수 있으며, 전하의 이동 경로 또는 캐리어의 이동 경로를 제공할 수 있다. 핀홀(20)은 단면에서의 크기 또는 길이(L_pin) 및 평면 상에서 면적을 가질 수 있다. 핀홀(20)의 크기 또는 면적은 투과 전극(10)의 증착 두께(T_B) 또는 증착 속도에 따라 제어될 수 있다. 또한, 핀홀(20)의 크기 또는 면적은 도 2의 계면층(145)과 투과 전극 사이의 계면 에너지 차이에 의해서 제어될 수 있다.
도 4는 또 다른 일 실시예에 따른 수직 구조의 발광 트랜지스터의 단면도이다. 구체적으로, 도 4는 도 1의 트랜지스터의 역구조에 대한 단면도일 수 있다.
도 4를 참조하면, 또 다른 일 실시예에 따른 수직 구조의 발광 트랜지스터(200)는 기판(210), 제1 전극층(220), 발광층(230), 제2 전극층(240), 절연층(250) 및 제3 전극층(260)을 포함할 수 있다.
기판(210)에 대한 내용은 도 1의 기판(110)에 대한 내용과 중복되므로, 자세한 설명은 생략한다.
제1 전극층(220)은 도 1의 제3 전극층(160)과 동일할 수 있다. 도 1에서 드레인 역할의 제3 전극층(160)이 도 4의 역구조에서는 기판(210) 상에 바로 배치될 수 있다. 발광층(230)은 도 1의 발광층(150)과 동일할 수 있다. 도 1에서의 발광층이 도 4의 역구조에서는 제1 전극층(220) 상에 배치되는 것을 알 수 있다.
제2 전극층(240)은 도 1의 제2 전극층(140)과 동일할 수 있다. 도 1에서와 마찬가지로 도 2의 제2 전극층(240)은 소스 전극으로서 기판을 제외한 레이어 중 가운데에 배치될 수 있다. 절연층(250)은 도 1의 절연층(130)과 동일할 수 있다. 도 1과 달리, 절연층(250)은 제2 전극층(140)의 상부에 배치되는 것을 알 수 있다.
제3 전극층(260)은 도 1의 제1 전극층(120)과 동일할 수 있다. 도 1에서 게이트 역할의 제1 전극층(120)이 도 4의 역구조에서는 마지막에 형성되어 가장 상부에 배치될 수 있다. 이와 같이, 수직 구조의 발광 트랜지스터는 도 1의 정구조 및 도 4의 역구조 모두 구현 가능함을 알 수 있다.
도 5는 일 실시예에 따른 수직 구조의 발광 트랜지스터의 제조 방법을 설명하기 위한 도면이다. 구체적으로, 도 5는 도 1의 트랜지스터를 제조하는 방법을 설명하기 위한 도면이다.
도 5(a)를 참조하면, 기판(110)을 배치하고, 기판(110) 상에 제1 전극층(120)을 형성할 수 있다. 예를 들어, 제1 전극층(120)은 기판(110)의 상부에 진공 증착에 의해 형성될 수 있으나, 이에 한정되지 않는다.
도 5(b)를 참조하면, 제1 전극층(120)의 상부에 절연층(130)이 형성될 수 있다. 이어서 도 5(c)를 참조하면, 절연층(130) 상에 제2 전극층(140)이 형성될 수 있다. 예를 들어, 제2 전극층(140)은 열 증착, 포토 리소그래피, 레이저 식각, 메탈 프린팅, PS를 이용한 핀홀 형성, E-beam 등의 공정을 이용하여 투과 전극을 증착함으로써 형성될 수 있다. 이때, 투과 전극의 증착 두께 및 증착 속도를 제어함으로써 핀홀의 형상이 제어될 수 있다.
도 5(d)를 참조하면, 제2 전극층(140)의 상부에 발광층(150)이 형성될 수 있다. 발광층(150)은 유기물, 양자점(Quantum dots), 2차원 전이금속 및 페로브스카이트 중 적어도 하나를 증착함으로써 형성될 수 있으나, 이에 한정되지 않는다. 도 5(e)를 참조하면, 발광층(150) 상에 제3 전극층(160)이 형성될 수 있다. 제3 전극층(160)은 금(Au), 구리(Cu), 알루미늄(Al), 알루미늄 합금(Al-alloy), 몰리브덴(Mo), 크롬(Cr), 인듐틴옥사이드(ITO), 티탄(Ti), 네오디뮴(Nd) 및 은(Ag) 중 적어도 하나 이상을 증착함으로써 형성될 수 있으나, 이에 한정되지 않는다.
도 6은 다른 일 실시예에 따른 수직 구조의 발광 트랜지스터의 제조 방법을 설명하기 위한 도면이다. 구체적으로, 도 6은 도 2의 트랜지스터를 제조하는 방법을 설명하기 위한 도면이다.
도 6(a)를 참조하면, 기판(111)을 배치하고, 기판(111) 상에 제1 전극층(121)을 형성할 수 있다. 도 6(b)를 참조하면, 제1 전극층(121)의 상부에 절연층(130)이 형성될 수 있다. 도 6(c)를 참조하면, 절연층(130)에 표면 처리(135)를 수행할 수 있다. 이때, 표면 처리는 광 반응 또는 화학 반응 처리를 하거나, 표면에 계면 에너지 조절 소재 또는 자기 조립 단층막을 이용하여 표면 처리하는 것을 포함할 수 있다. 도 6(d)를 참조하면, 절연층(130)에 표면 처리(135)를 함으로써 계면층(145)이 형성될 수 있다.
도 6(e)를 참조하면, 계면층(145) 상에 제2 전극층(141)이 형성될 수 있다. 도 6(f)를 참조하면, 제2 전극층(141) 상에 발광층(151)이 형성될 수 있다. 도 6(g)를 참조하면, 발광층(151) 상에 제3 전극층(161)이 형성될 수 있다. 즉, 도 5의 제조 방법에 도 6(c)의 절연층(131) 표면 처리 단계가 추가됨으로써 계면층(145)이 형성되어 도 2의 트랜지스터가 제조될 수 있다.
도 7 및 도 8은 일 실시예에 따른 핀홀의 형상을 제어한 실험 결과를 설명하기 위한 도면이다.
도 7은 제2 전극층(140)의 하부 층에 표면 처리를 하지 않고, 증착 공정에 의해 투과 전극이 형성된 실험 결과이고, 도 8은 제2 전극층(140)의 하부 층에 표면 처리(예를 들어, UV 또는 O3 플라즈마를 포함하는 광반응 표면 처리)를 한 이후 증착 공정에 의해 투과 전극이 증착된 실험 결과이다.
도 7 및 도 8의 검은색(또는 짙은 회색) 점 또는 형상은 핀홀을 나타내며, 흰색(또는 빨간색) 점 또는 형상은 투과 전극을 나타낸다.
도 7을 참조하면, 흰색(또는 빨간색) 점 또는 형상(투과 전극)의 면적은 흰색(또는 빨간색) 점 또는 형상을 포함하는 전체 면적의 1.95%를 차지하는 것을 알 수 있다. 구체적으로, 전체 면적은 2,054,924.2944nm2이고, 핀홀의 면적은 40,071.0237nm2이다.
도 8을 참조하면, 흰색(또는 빨간색) 점 또는 형상(투과 전극)의 면적은 전체 면적의 8.85%를 차지하는 것을 알 수 있다. 구체적으로, 전체 면적은 2,054,924.2944nm2이고, 핀홀의 면적은 181,860.8001nm2이다.
위 결과를 참조하면, 제2 전극층(140)의 하부 층에 표면 처리를 한 경우와 하지 않은 경우의 핀홀의 형상은 변화될 수 있다. 구체적으로, 제2 전극층(140)의 하부층에 표면 처리를 하지 않은 경우에 비해 제2 전극층(140)의 하부층에 표면 처리를 하여 계면층(145)을 형성한 경우가 핀홀의 면적이 더욱 크게 형성되며, 투과 전극의 면적은 더욱 작게 형성되는 것을 알 수 있다.
즉, 본원 발명의 수직 구조의 발광 트랜지스터의 제조 방법은 표면 처리를 통해 트랜지스터의 구동에 적합한 핀홀의 형상을 형성할 수 있으며, 이를 통해 향상된 전류 구동 효율을 얻을 수 있다.
도 9 및 도 10은 투과 전극의 두께가 15(nm) 및 50(nm)일 때 핀홀의 크기 및 면적 변화를 TEM(Transmission Electron Microscope)으로 촬영한 결과를 나타낸다.
도 9를 참조하면, 제1 트랜지스터(310)에서 투과 전극(310)의 두께가 15(nm)일 때(즉, 상대적으로 얇게 형성되었을 때), 청색으로 표시된 투과 전극(310)이 횡 방향을 따라 불연속적으로 형성된 것을 확인할 수 있다. 이에 따라, 흑색으로 표시된 투과 전극(310)의 상부층 및 하부층이 일부 접합하는 것을 확인할 수 있다. 투과 전극(310)의 상부층 및 하부층의 일 영역이 접함으로써 핀홀이 형성되는 것을 확인할 수 있다.
반면, 도 10을 참조하면, 제2 트랜지스터(320)에서 투과 전극(410)의 두께가 50(nm)일 때(즉, 상대적으로 두껍게 형성되었을 때), 청색으로 표시된 투과 전극(410)이 횡 방향을 따라 연속적으로 형성된 것을 확인할 수 있다. 이에 따라, 흑색으로 표시된 투과 전극(410)의 상부층 및 하부층이 서로 접합하지 못하는 것을 확인할 수 있다. 투과 전극(410)의 상부층 및 하부층이 접합되지 못함으로써 도 9와 달리 핀홀이 형성되지 않는 것을 확인할 수 있다.
이상과 같이 실시예들이 비록 한정된 실시예와 도면에 의해 설명되었으나, 해당 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 상기의 기재로부터 다양한 수정 및 변형이 가능하다. 예를 들어, 설명된 기술들이 설명된 방법과 다른 순서로 수행되거나, 및/또는 설명된 시스템, 구조, 장치, 회로 등의 구성요소들이 설명된 방법과 다른 형태로 결합 또는 조합되거나, 다른 구성요소 또는 균등물에 의하여 대치되거나 치환되더라도 적절한 결과가 달성될 수 있다.
그러므로, 다른 구현들, 다른 실시예들 및 특허청구범위와 균등한 것들도 후술하는 특허청구범위의 범위에 속한다.
Claims (14)
- 기판 상에 배치되는 제1 전극층;
상기 제1 전극층 상에 배치되는 절연층;
상기 절연층 상에 배치되고, 투과 전극 및 핀홀을 포함하는 제2 전극층;
상기 제2 전극층 상에 배치되는 발광층; 및
상기 발광층 상에 배치되는 제3 전극층을 포함하고,
상기 핀홀은 상기 투과 전극의 두께 및 증착 속도 제어에 의해 형상이 변화되고, 상기 절연층 및 상기 발광층의 적어도 일 영역의 접촉을 통해 캐리어의 이동 경로를 제공하는
수직 구조 발광 트랜지스터.
- 제1항에 있어서,
상기 핀홀의 크기 및 면적은 상기 투과 전극의 두께가 두꺼울수록 작아지는
수직 구조 발광 트랜지스터.
- 제1항에 있어서,
상기 절연층을 표면 처리하여 형성되며 상기 절연층 및 상기 제2 전극층 사이에 배치되는 계면층을 더 포함하는
수직 구조 발광 트랜지스터.
- 제3항에 있어서,
상기 계면층은,
상기 절연층의 표면에 대한 광 반응 또는 화학 반응을 통해 계면 에너지를 조절함으로써 형성되거나, 상기 절연층의 표면에 계면 에너지 조절 소재를 도포함으로써 형성되는
수직 구조 발광 트랜지스터.
- 제4항에 있어서,
상기 핀홀의 크기 및 면적은 상기 계면층과 상기 제2 전극층의 계면 에너지 차이에 의해 변화하는
수직 구조 발광 트랜지스터.
- 제4항에 있어서,
상기 광 반응을 이용한 표면 처리는 UV O3 또는 O2 플라즈마 처리를 이용한 자외선 및 플라즈마 조사를 포함하며, 상기 화학 반응을 이용한 표면 처리는 카르보닐기, 카르복실기, 하이드록실기, 시안기 화합물을 이용한 표면 처리, 불소 화합물을 이용한 표면 처리 또는 HMDS(Hexamethyldisilazane) 처리를 포함하는
수직 구조 발광 트랜지스터.
- 제4항에 있어서,
상기 계면 에너지 조절 소재는 상기 절연층의 표면 장력을 변화시키는 고분자 소재 또는 SAM(Self-Assembled Monolayer) 소재를 포함하는
수직 구조 발광 트랜지스터.
- 제1항에 있어서,
상기 핀홀의 형상은 상기 투과 전극의 1nm 내지 25nm의 두께와, 0.1Å/s 내지 5.0Å/s의 증착 속도에 의해 제어되는
수직 구조 발광 트랜지스터.
- 제1항에 있어서,
상기 투과 전극은 Al, Ag, Ti, Mg, Cu, Ni, Si, Cr, Hf, Sn, Y 및 Zn 중 적어도 하나를 포함하는
수직 구조 발광 트랜지스터.
- 기판 상에 배치되는 제1 전극층;
상기 제1 전극층 상에 배치되는 발광층;
상기 발광층 상에 배치되고, 투과 전극 및 핀홀을 포함하는 제2 전극층;
상기 제2 전극층 상에 배치되는 절연층; 및
상기 절연층 상에 배치되는 제3 전극층을 포함하고,
상기 핀홀은 상기 투과 전극의 두께 및 증착 속도 제어에 의해 형상이 변화되고, 상기 절연층 및 상기 발광층의 적어도 일 영역의 접촉을 통해 캐리어의 이동 경로를 제공하는
수직 구조 발광 트랜지스터.
- 기판 상에 제1 전극층을 형성하는 단계;
상기 제1 전극층 상에 절연층을 형성하는 단계;
상기 절연층 상에 제2 전극층을 형성하는 단계;
상기 제2 전극층 상에 발광층을 형성하는 단계; 및
상기 발광층 상에 제3 전극층을 형성하는 단계를 포함하고,
상기 제2 전극층을 형성하는 단계는,
상기 절연층 및 상기 발광층의 적어도 일 영역의 접촉을 통해 캐리어의 이동 경로를 제공하며, 투과 전극의 두께 및 증착 속도 제어에 의해 형상이 변화하는 핀홀을 형성하는 단계를 포함하는
수직 구조 발광 트랜지스터의 제조 방법.
- 제11항에 있어서,
상기 절연층을 표면 처리하여 상기 절연층 및 상기 제2 전극층 사이에 배치되는 계면층을 형성하는 단계를 더 포함하는
수직 구조 발광 트랜지스터의 제조 방법.
- 제12항에 있어서,
상기 계면층을 형성하는 단계는,
상기 절연층의 표면에 대한 광 반응 또는 화학 반응을 통해 계면 에너지를 조절하거나, 상기 절연층의 표면에 계면 에너지 조절 소재를 도포하는 단계인
수직 구조 발광 트랜지스터의 제조 방법.
- 제13항에 있어서,
상기 계면층을 형성하는 단계는,
UV O3 또는 O2 플라즈마 처리를 이용한 자외선 및 플라즈마를 조사하여 광 반응을 일으키는 단계, 또는
카르보닐기, 카르복실기, 하이드록실기, 시안기 화합물을 이용한 표면 처리, 불소 화합물을 이용한 표면 처리 또는 HMDS(Hexamethyldisilazane) 처리에 의해 화학 반응을 일으키는 단계를 포함하는
수직 구조 발광 트랜지스터의 제조 방법.
Priority Applications (1)
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| KR1020230028907A KR102568561B1 (ko) | 2023-03-06 | 2023-03-06 | 수직 구조 발광 트랜지스터 및 이의 제조 방법 |
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-
2023
- 2023-03-06 KR KR1020230028907A patent/KR102568561B1/ko active IP Right Grant
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