KR102566989B1 - 표시 장치 - Google Patents

표시 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR102566989B1
KR102566989B1 KR1020180058718A KR20180058718A KR102566989B1 KR 102566989 B1 KR102566989 B1 KR 102566989B1 KR 1020180058718 A KR1020180058718 A KR 1020180058718A KR 20180058718 A KR20180058718 A KR 20180058718A KR 102566989 B1 KR102566989 B1 KR 102566989B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
pixel
color filter
disposed
sub
pixel electrode
Prior art date
Application number
KR1020180058718A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20190134939A (ko
Inventor
하진주
바슈르 베이더스
배양호
태창일
Original Assignee
삼성디스플레이 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성디스플레이 주식회사 filed Critical 삼성디스플레이 주식회사
Priority to KR1020180058718A priority Critical patent/KR102566989B1/ko
Priority to US16/396,340 priority patent/US10998350B2/en
Publication of KR20190134939A publication Critical patent/KR20190134939A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102566989B1 publication Critical patent/KR102566989B1/ko

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/1248Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition or shape of the interlayer dielectric specially adapted to the circuit arrangement
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362Active matrix addressed cells
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1335Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
    • G02F1/133509Filters, e.g. light shielding masks
    • G02F1/133514Colour filters
    • G02F1/133519Overcoatings
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1343Electrodes
    • G02F1/134309Electrodes characterised by their geometrical arrangement
    • G02F1/134345Subdivided pixels, e.g. for grey scale or redundancy
    • G02F1/134354Subdivided pixels, e.g. for grey scale or redundancy the sub-pixels being capacitively coupled
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362Active matrix addressed cells
    • G02F1/136222Colour filters incorporated in the active matrix substrate
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362Active matrix addressed cells
    • G02F1/136227Through-hole connection of the pixel electrode to the active element through an insulation layer
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362Active matrix addressed cells
    • G02F1/1368Active matrix addressed cells in which the switching element is a three-electrode device

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)
  • Geometry (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)

Abstract

표시 장치는 제1 서브 화소 및 제2 서브 화소를 포함하는 화소, 및 캡핑층을 갖는 표시 패널을 포함하고, 상기 제1 서브 화소는 제1 화소 회로 영역에 배치된 제1 화소 트랜지스터, 제1 화소 전극 영역에 배치된 제1 화소 전극, 상기 제1 화소 트랜지스터를 커버하며, 상기 제1 화소 회로 영역에 배치된 제1 컬러 필터, 및 상기 제1 화소 전극 영역 및 상기 제1 화소 회로 영역에 배치되는 제2 컬러 필터를 포함하고, 상기 캡핑층은 상기 제1 컬러 필터 및 상기 제2 컬러 필터를 커버하고, 평면 상에서 상기 제2 컬러 필터와 중첩하는 상기 캡핑층의 일 영역에는 제1 개구부가 제공된다.

Description

표시 장치{DISPLAY DEVICE}
본 발명은 신뢰성이 향상된 표시 장치에 관한 것이다.
액정 표시 장치는 서로 마주하는 두 개의 기판들 및 두 개의 기판들 사이에 배치된 액정층을 포함하는 액정 표시 패널을 포함한다. 액정 표시 장치는 전기장 생성 전극(예를 들어, 화소 전극, 공통 전극)에 전압을 인가하여 액정층에 전기장을 생성한다. 이에 따라 액정층의 액정 분자들의 배향 방향이 결정되고, 입사광의 편광을 제어함으로써 영상을 표시한다.
액정 표시 패널을 구성하는 층들 중 일부에서는 가스가 발생할 수 있다. 발생된 가스가 제조 공정 중 제대로 방출되지 않으면, 제품 제조 후 가스가 방출될 수 있고, 그 결과, 방출된 가스에 의해 액티브 영역에 액정이 채워지지 않는 불량이 발생할 수 있다.
본 발명은 신뢰성이 향상된 표시 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치는 제1 서브 화소 및 제2 서브 화소를 포함하는 화소, 및 캡핑층을 갖는 표시 패널을 포함하고, 상기 제1 서브 화소는 제1 화소 회로 영역에 배치된 제1 화소 트랜지스터, 제1 화소 전극 영역에 배치된 제1 화소 전극, 상기 제1 화소 트랜지스터를 커버하며, 상기 제1 화소 회로 영역에 배치된 제1 컬러 필터, 및 상기 제1 화소 전극 영역 및 상기 제1 화소 회로 영역에 배치되며, 상기 제1 컬러 필터와 상이한 제2 컬러 필터를 포함하고, 상기 캡핑층은 상기 제1 컬러 필터 및 상기 제2 컬러 필터를 커버하고, 평면 상에서 상기 제2 컬러 필터와 중첩하는 상기 캡핑층의 일 영역에는 제1 개구부가 제공될 수 있다.
상기 제2 서브 화소는 제2 화소 회로 영역에 배치된 제2 화소 트랜지스터, 제2 화소 전극 영역에 배치된 제2 화소 전극, 상기 제2 화소 트랜지스터를 커버하며, 상기 제2 화소 회로 영역 및 상기 제2 화소 전극 영역에 배치된 제3 컬러 필터를 포함할 수 있다.
상기 제1 컬러 필터와 상기 제3 컬러 필터는 동일할 수 있다.
상기 제1 컬러 필터 및 상기 제3 컬러 필터는 적색 컬러 필터일 수 있다.
상기 제1 화소 회로 영역에서, 상기 제2 컬러 필터는 상기 제1 컬러 필터 주변에 배치되고, 평면 상에서 상기 제2 컬러 필터는 상기 제1 화소 트랜지스터와 비중첩할 수 있다.
상기 제1 화소 전극 영역 및 상기 제1 화소 트랜지스터 각각은 복수로 제공되고, 상기 제1 화소 전극 영역들 사이에 상기 제1 화소 회로 영역이 배치되고, 상기 제2 컬러 필터는 화소 컬러 필터들 및 상기 화소 컬러 필터들을 연결하는 적어도 하나 이상의 연결 컬러 필터를 포함하고, 상기 화소 컬러 필터들은 상기 제1 화소 전극 영역들에 배치되고, 상기 연결 컬러 필터는 상기 제1 화소 회로 영역에 배치될 수 있다.
상기 제1 개구부는 상기 화소 컬러 필터들 중 하나의 화소 컬러 필터와 중첩할 수 있다.
상기 제1 개구부는 복수로 제공되고, 상기 제1 개구부들은 상기 화소 컬러 필터들과 중첩할 수 있다.
상기 제1 개구부는 상기 연결 컬러 필터와 중첩할 수 있다.
상기 연결 컬러 필터는 복수로 제공되고, 평면 상에서 상기 연결 컬러 필터들 사이에 상기 제1 화소 트랜지스터가 배치될 수 있다.
상기 표시 패널은 상기 제1 개구부를 커버하는 커버 패턴을 더 포함할 수 있다.
상기 제2 컬러 필터는 녹색 컬러 필터일 수 있다.
상기 화소는 제3 서브 화소를 더 포함하고, 상기 제3 서브 화소는 제3 화소 회로 영역에 배치된 제3 화소 트랜지스터, 제3 화소 전극 영역에 배치된 제3 화소 전극, 상기 제3 화소 트랜지스터를 커버하며, 상기 제3 화소 회로 영역에 배치된 상기 제1 컬러 필터, 및 상기 제3 화소 전극 영역 및 상기 제3 화소 회로 영역에 배치된 제4 컬러 필터를 포함하고, 상기 캡핑층은 상기 제1 컬러 필터 및 상기 제4 컬러 필터를 커버하며, 평면 상에서 상기 제4 컬러 필터와 중첩하는 상기 캡핑층의 일 영역에는 제2 개구부가 제공될 수 있다.
상기 제4 컬러 필터는 청색 컬러 필터일 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치는 적색 서브 화소, 청색 서브 화소 및 녹색 서브 화소를 포함하는 화소, 및 상기 화소를 커버하는 캡핑층을 갖는 표시 패널을 포함하고, 상기 적색, 청색 및 녹색 서브 화소 각각은 화소 회로 영역에 배치된 화소 트랜지스터, 화소 전극 영역에 배치된 화소 전극을 포함하고, 상기 화소 트랜지스터는 적색 컬러 필터에 의해 커버되고, 상기 청색 서브 화소의 상기 화소 회로 영역에서 상기 화소 트랜지스터의 제1 주변부 및 상기 청색 서브 화소의 상기 화소 전극 영역에는 청색 컬러 필터가 배치되고, 상기 녹색 서브 화소의 상기 화소 회로 영역에서 상기 화소 트랜지스터의 제2 주변부 및 상기 녹색 서브 화소의 상기 화소 전극 영역에는 녹색 컬러 필터가 배치되고, 상기 캡핑층에는 개구부들이 제공되고, 상기 개구부들 각각은 상기 적색 컬러 필터, 상기 녹색 컬러 필터 및 상기 청색 컬러 필터와 중첩할 수 있다.
상기 개구부들 중 적어도 하나는 상기 제1 주변부와 평면 상에서 중첩하고, 상기 개구부들 중 적어도 하나는 상기 제2 주변부와 평면 상에서 중첩할 수 있다.
상기 개구부들 중 적어도 하나는 상기 적색 서브 화소의 상기 화소 회로 영역에서 상기 화소 트랜지스터의 제3 주변부와 중첩할 수 있다.
상기 개구부들 중 적어도 하나는 상기 적색 컬러 필터, 상기 청색 컬러 필터 및 상기 녹색 컬러 필터 중 서로 인접한 두 개의 컬러 필터들과 중첩하는 표시 장치.
상기 적색 서브 화소, 상기 청색 서브 화소 및 상기 녹색 서브 화소들 각각의 화소 전극 영역은 복수로 제공되고, 상기 화소 회로 영역은 화소 전극 영역들 사이에 배치되고, 상기 청색 컬러 필터는 상기 청색 서브 화소의 상기 화소 전극 영역들에 배치된 청색 화소 컬러 필터들 및 상기 제1 주변부에 배치된 청색 연결 컬러 필터를 포함하고, 상기 녹색 컬러 필터는 상기 녹색 서브 화소의 상기 화소 전극 영역들에 배치된 녹색 화소 컬러 필터들 및 상기 제2 주변부에 배치된 녹색 연결 컬러 필터를 포함하고, 상기 청색 화소 컬러 필터들은 상기 청색 연결 컬러 필터에 의해 연결되고, 상기 녹색 화소 컬러 필터들은 상기 녹색 연결 컬러 필터에 의해 연결될 수 있다.
상기 녹색 연결 컬러 필터는 복수로 제공되고, 상기 녹색 화소 컬러 필터들은 복수의 녹색 컬러 필터들에 의해 연결될 수 있다.
본 발명에 따르면, 적색, 청색 및 녹색 서브 화소들 각각의 화소 트랜지스터들은 적색 컬러 필터에 의해 커버된다. 적색 컬러 필터에 의해 청색 광이 화소 트랜지스터들로 입사되는 것이 차단 될 수 있다. 그에 따라, 청색 광에 의해 화소 트랜지스터의 특성이 열화 되는 것이 방지될 수 있다. 또한, 청색 또는 녹색 서브 화소의 화소 트랜지스터들의 주변부 에는 청색 또는 녹색 컬러 필터가 배치되고, 상기 청색 또는 녹색 컬러 필터를 커버하는 캡핑층에는 개구부가 제공될 수 있다. 따라서, 청색 또는 녹색 컬러 필터로부터 발생하는 가스는 상기 개구부를 통해 방출될 수 있다. 그 결과, 청색 및 녹색 서브 화소들과 대응하는 영역에 액정이 채워지지 않는 불량이 방지될 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 개략적인 사시도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 제1 서브 화소를 확대하여 도시한 평면도이다.
도 3a는 도 2에 도시된 I-I`을 따라 절단한 단면도이다.
도 3b는 도 2에 도시된 I-I`에 대응하는 영역을 도시한 단면도이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 컬러 필터 및 캡핑층을 도시한 평면도이다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 컬러 필터 및 캡핑층을 도시한 평면도이다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 컬러 필터 및 캡핑층을 도시한 평면도이다.
도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 컬러 필터 및 캡핑층을 도시한 평면도이다.
도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 컬러 필터 및 캡핑층을 도시한 평면도이다.
도 9는 본 발명의 일 실시예에 따른 컬러 필터 및 캡핑층을 도시한 평면도이다.
도 10은 본 발명의 일 실시예에 따른 컬러 필터 및 캡핑층을 도시한 평면도이다.
이하, 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 설명한다. 본 명세서에서, 어떤 구성요소(또는 영역, 층, 부분 등)가 다른 구성요소 "상에 있다", "연결 된다", 또는 "결합 된다"고 언급되는 경우에 그것은 다른 구성요소 상에 직접 연결/결합될 수 있거나 또는 그들 사이에 제3의 구성요소가 배치될 수도 있다는 것을 의미한다.
동일한 도면부호는 동일한 구성요소를 지칭한다. 또한, 도면들에 있어서, 구성요소들의 두께, 비율, 및 치수는 기술적 내용의 효과적인 설명을 위해 과장된 것이다. "및/또는"은 연관된 구성들이 정의할 수 있는 하나 이상의 조합을 모두 포함한다.
제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다. 예를 들어, 본 발명의 권리 범위를 벗어나지 않으면서 제1 구성요소는 제2 구성요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제2 구성요소도 제1 구성요소로 명명될 수 있다.
단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다.
"아래에", "하측에", "위에", "상측에" 등의 용어는 도면에 도시된 구성들의 연관관계를 설명하기 위해 사용된다. 상기 용어들은 상대적인 개념으로, 도면에 표시된 방향을 기준으로 설명된다.
"포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서 상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 개략적인 사시도이다.
도 1을 참조하면, 표시 장치(DD)는 텔레비전, 모니터, 또는 외부 광고판과 같은 대형 전자장치를 비롯하여, 퍼스널 컴퓨터, 노트북 컴퓨터, 개인 디지털 단말기, 자동차 네비게이션 유닛, 게임기, 휴대용 전자 기기, 및 카메라와 같은 중소형 전자 장치 등에 사용될 수도 있다. 또한, 이것들은 단지 실시예로서 제시된 것들로서, 본 발명의 개념에서 벗어나지 않은 이상 다른 전자 기기에도 채용될 수 있음은 물론이다.
표시 장치(DD)는 표시 패널(DP) 및 백라이트 유닛(BLU)을 포함할 수 있다.
본 실시예에 따른 표시 패널(DP)은 수광형 표시 패널일 수 있다. 표시 패널(DP)은 제공받은 광을 투과 또는 차단하여 이미지를 제공할 수 있다. 예를 들어, 표시 패널(DP)은 액정 표시 패널일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
표시 패널(DP)은 제1 방향(DR1) 및 제2 방향(DR2)이 정의하는 평면을 가진 플레이트 형상일 수 있다. 예를 들어, 표시 장치(DD)의 표시 영역(DA)은 직사각형 형상을 갖고, 비표시 영역(NDA)은 표시 영역(DA)을 둘러쌓을 수 있다. 하지만, 실시예가 이에 한정되는 것은 아니며 표시 영역(DA)의 형상과 비표시 영역(NDA)의 형상은 상대적으로 디자인될 수 있다.
표시 패널(DP)은 입력된 영상 데이터에 대응하는 이미지를 생성하며, 전면으로 생성된 이미지를 제공할 수 있다. 예를 들어, 표시 패널(DP)은 생성된 이미지를 제3 방향(DR3) 측으로 제공할 수 있다.
한편, 도 1에서는 표시 장치(DD)가 플랫한 형상을 갖는 것으로 도시되었으나, 실시예가 이에 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 다른 일 실시예에서 표시 장치(DD)는 커브드 표시 장치일 수 있다. 예를 들어, 표시 장치(DD)는 사용자가 액정 표시 장치(DD)를 바라볼 때, 전체적으로 오목하게 휘어지거나, 또는 볼록하게 휘어진 커브드 표시 장치일 수 있다. 또한, 표시 장치(DD)는 일 부분만 벤딩(bending)된 표시 장치일 수 있다.
표시 패널(DP)은 화소(PX)를 포함할 수 있다. 화소(PX)는 복수의 서브 화소들(SPX1, SPX2, SPX3)을 포함할 수 있다. 화소(PX)는 제1 서브 화소(SPX1), 제2 서브 화소(SPX2) 및 제3 서브 화소(SPX3)를 포함할 수 있다. 예를 들어, 제1 서브 화소(SPX1)는 녹색 서브 화소이고, 제2 서브 화소(SPX2)는 적색 서브 화소이고, 제3 서브 화소(SPX3)는 청색 서브 화소 일 수 있다. 본 발명의 다른 일 실시예에서, 화소(PX)는 2 개의 서브 화소들을 포함할 수도 있고, 4 개 이상의 서브 화소들을 포함할 수도 있다.
도 1에서 제2 서브 화소(SPX2), 제1 서브 화소(SPX1) 및 제3 서브 화소(SPX3)가 제2 방향(DR2)으로 순차적으로 배열된 것을 예로 들어 도시하였으나, 본 발명이 이에 제한되는 것은 아니다. 예를 들어, 제1 내지 제3 서브 화소들(SPX1, SPX2, SPX3)의 배열 순서는 다양하게 변경될 수 있다.
백라이트 유닛(BLU)은 표시 패널(DP) 아래에 배치될 수 있다. 백라이트 유닛(BLU)은 표시 패널(DP)로 광을 제공할 수 있다. 표시 패널(DP)은 백라이트 유닛으로부터 생성된 광의 투과량을 제어하여 이미지를 표시할 수 있다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 제1 서브 화소를 확대하여 도시한 평면도이고, 도 3a는 도 2에 도시된 I-I`을 따라 절단한 단면도이다.
도 2 및 도 3a를 참조하면, 표시 패널(DP)은 단면상에서 제1 기판(100), 제2 기판(200), 및 액정층(300)을 포함할 수 있다.
제1 기판(100)은 복수의 화소 전극 영역들 및 복수의 화소 회로 영역들을 포함할 수 있다. 도 2에서는 제1 서브 화소(SPX1)가 배치된 제1 화소 전극 영역들(PEA1a, PEA1b) 및 제1 화소 회로 영역(PCA1)에 대해 도시하였다.
제1 화소 회로 영역(PCA1)은 두 개의 제1 화소 전극 영역들(PEA1a, PEA1b) 사이에 배치될 수 있다. 설명의 편의를 위해, 제1 화소 전극 영역들(PEA1a, PEA1b) 중 평면 상에서 제1 화소 회로 영역(PCA1) 위에 배치된 제1 화소 전극 영역(PEA1a)을 제1 하이 화소 전극 영역(PEA1a), 평면 상에서 제1 화소 회로 영역(PCA1) 아래에 배치된 제1 화소 전극 영역(PEA1b)을 제1 로우 화소 전극 영역(PEA1b)으로 명칭 한다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 제1 서브 화소(SPX1)는 제1 화소 트랜지스터(TR1), 제2 화소 트랜지스터(TR2), 제1 화소 전극들(PE1a, PE1b), 제1 컬러 필터(CF1) 및 제2 컬러 필터(CF2)를 포함할 수 있다. 제1 서브 화소(SPX1)의 구조는 도 2에 제한되지 않는다. 예를 들어, 본 발명의 다른 일 실시예에서 제1 서브 화소(SPX1)는 하나의 화소 트랜지스터, 하나의 화소 전극, 제1 컬러 필터(CF1) 및 제2 컬러 필터(CF2)를 포함할 수도 있다.
제1 화소 트랜지스터(TR1) 및 제2 화소 트랜지스터(TR2)는 제1 화소 회로 영역(PCA1)에 배치될 수 있다. 제1 화소 전극(PE1a)은 제1 하이 화소 전극 영역(PEA1a)에 배치되고, 제1 화소 전극(PE1b)은 제1 로우 화소 전극 영역(PEA1b)에 배치될 수 있다. 제1 하이 화소 전극 영역(PEA1a)에 배치된 제1 화소 전극(PE1a)은 제1 하이 화소 전극(PE1a), 제1 로우 화소 전극 영역(PEA1b)에 배치된 제1 화소 전극(PE1b)은 제1 로우 화소 전극(PE1b)으로 명칭 한다.
제1 화소 트랜지스터(TR1)는 제1 제어 전극(GE1), 제1 입력 전극(SE1), 제1 출력 전극(DE1), 및 제1 반도체 패턴(AP1)을 포함할 수 있다. 제2 화소 트랜지스터(TR2)는 제2 제어 전극(GE2), 제2 입력 전극(SE2), 제2 출력 전극(DE2), 및 제2 반도체 패턴(미도시)을 포함할 수 있다.
제1 화소 트랜지스터(TR1)는 제1 하이 화소 전극(PE1a), 게이트 라인(GL), 및 제1 데이터 라인(DL1)과 전기적으로 연결되고, 제2 화소 트랜지스터(TR2)는 제1 로우 화소 전극(PE1b), 게이트 라인(GL), 및 제2 데이터 라인(DL2)과 전기적으로 연결될 수 있다.
제1 제어 전극(GE1)은 게이트 라인(GL)과 연결되고, 제1 입력 전극(SE1)은 제1 데이터 라인(DL1)에 연결되고, 제1 출력 전극(DE1)은 제1 하이 화소 전극(PE1a)에 연결된다. 제2 제어 전극(GE2)은 게이트 라인(GL)과 연결되고, 제2 입력 전극(SE2)은 제2 데이터 라인(DL2)에 연결되고, 제2 출력 전극(DE2)은 제1 로우 화소 전극(PE1b)에 연결된다.
본 실시예에서, 제1 화소 트랜지스터(TR1) 및 제2 화소 트랜지스터(TR2)는 동일한 게이트 라인(GL)에 연결되고, 상이한 데이터 라인들(DL1, DL2)에 연결될 수 있다. 따라서, 제1 서브 화소(SPX1)는 하나의 게이트 라인(GL)과 두 개의 데이터 라인들(DL1, DL2)에 의해 구동될 수 있다. 다만, 이는 일 예로 도시한 것이고, 제1 서브 화소(SPX1)는 두 개의 게이트 라인들과 하나의 데이터 라인들에 의해 구동될 수도 있고, 두 개의 게이트 라인들과 두 개의 데이터 라인들에 의해 구동될 수도 있고, 하나의 게이트 라인과 하나의 데이터 라인에 의해 구동될 수도 있다.
도 3a에서는 제1 기판(100)의 제1 베이스 기판(S1), 제1 화소 트랜지스터(TR1), 제1 및 제2 절연층들(L1, L2), 제1 컬러 필터(CF1), 제2 컬러 필터(CF2), 캡핑층(CL), 및 제1 하이 화소 전극(PE1a)이 도시되었다.
제1 베이스 기판(S1)은 절연 물질을 포함할 수 있다. 제1 베이스 기판(S1)은 광학적으로 투명할 수 있다. 제1 베이스 기판(S1)의 하 측에 배치되는 백라이트 유닛(BLU, 도 1 참조)으로부터 생성된 광이 제1 베이스 기판(S1)을 투과하여 액정층(300)에 용이하게 도달할 수 있다. 예를 들어, 제1 베이스 기판(S1)은 유리 기판, 또는 플라스틱 기판을 포함할 수 있다.
제1 베이스 기판(S1) 위에는 제1 제어 전극(GE1)이 배치될 수 있다. 제1 제어 전극(GE1) 및 제2 제어 전극(GE2) 위에는 제1 절연층(L1)이 배치된다. 제1 절연층(L1)은 제1 및 제2 제어 전극들(GE1, GE2)을 커버할 수 있다. 제1 절연층(L1) 위에는 제1 반도체 패턴(AP1)이 배치될 수 있다. 제1 반도체 패턴(AP1)은 제1 제어 전극(GE1)으로부터 단면상에서 이격되어 배치될 수 있다.
제1 반도체 패턴(AP1)은 반도체 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 반도체 물질은 비정질 실리콘, 다결정 실리콘, 단결정 실리콘, 산화물 반도체, 및 화합물 반도체 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다.
제1 반도체 패턴(AP1) 위에는 제1 입력 전극(SE1) 및 제1 출력 전극(DE1)이 배치될 수 있다. 도 3a에서 도시되지 않았으나, 제2 화소 트랜지스터(TR2)는 제1 화소 트랜지스터(TR1)와 동일한 적층 구조를 가질 수 있다.
제1 입력 전극(SE1) 및 제1 출력 전극(DE1) 위에는 제2 절연층(L2)이 배치될 수 있다. 제2 절연층(L2)은 제1 입력 전극(SE1) 및 제1 출력 전극(DE1)을 커버할 수 있다.
제2 절연층(L2) 위에는 제1 컬러 필터(CF1) 및 제2 컬러 필터(CF2)가 배치될 수 있다. 제1 컬러 필터(CF1)는 적색 컬러 필터이고, 제2 컬러 필터(CF2)는 녹색 컬러 필터일 수 있다.
제1 컬러 필터(CF1)는 제1 화소 회로 영역(PCA1)에 배치될 수 있다. 예를 들어, 제1 컬러 필터(CF1)는 제1 화소 트랜지스터(TR1), 및 제2 화소 트랜지스터(TR2) 위에 배치될 수 있다. 제2 컬러 필터(CF2)는 제1 화소 회로 영역(PCA1), 제1 하이 화소 전극 영역(PEA1a), 및 제1 로우 화소 전극 영역(PEA1b)에 배치될 수 있다.
제2 컬러 필터(CF2)는 화소 컬러 필터들(PCF2) 및 연결 컬러 필터(CCF2)를 포함할 수 있다. 화소 컬러 필터들(PCF2) 중 하나는 제1 하이 화소 전극 영역(PEA1a)에 배치되고, 예를 들어, 제1 하이 화소 전극(PE1a) 아래에 배치될 수 있다. 화소 컬러 필터들(PCF2) 중 다른 하나는 제1 로우 화소 전극 영역(PEA1b)에 배치되고, 예를 들어, 제1 로우 화소 전극(PE1b) 아래에 배치될 수 있다. 화소 컬러 필터들(PCF2)은 녹색 컬러 필터이고, 따라서, 녹색의 광이 제1 서브 화소(SPX1)를 통해 제공될 수 있다.
연결 컬러 필터(CCF2)는 화소 컬러 필터들(PCF2)을 연결할 수 있다. 연결 컬러 필터(CCF2)는 제1 화소 회로 영역(PCA1)에 배치될 수 있다. 연결 컬러 필터(CCF2)는 제1 및 제2 화소 트랜지스터들(TR1, TR2)의 주변부에 배치될 수 있다.
제1 및 제2 화소 트랜지스터들(TR1, TR2) 각각에 청색 파장 영역의 광이 입사되는 경우, 청색 파장 영역의 광에 의해 제1 및 제2 화소 트랜지스터들(TR1, TR2) 각각에 누설 전류가 발생하고, 문턱 전압이 쉬프트 될 수 있다. 제1 및 제2 화소 트랜지스터들(TR1, TR2)의 누설 전류의 발생, 및 문턱 전압의 쉬프트되는 현상에 의해 표시 장치(DD, 도 1 참조)의 화질이 저하될 수 있다.
본 발명의 실시예에 따르면, 제1 컬러 필터(CF1)는 적색 컬러 필터일 수 있다. 따라서, 제1 컬러 필터(CF1)는 적색 파장 영역의 광을 투과시키고, 다른 파장 영역의 광은 차단시킬 수 있다. 예를 들어, 제1 컬러 필터(CF1)는 청색 파장 영역의 광을 차단시킬 수 있다. 따라서, 표시 장치(DD, 도 1 참조)의 외부로부터 입사되는 광 중 청색 파장 영역의 광 및, 각 층 별 굴절률 차이에 의해 반사되어 돌아오는 광 중 청색 파장 영역의 광은 제1 컬러 필터(CF1)에 의해 차단될 수 있다. 따라서, 제1 및 제2 화소 트랜지스터들(TR1, TR2) 각각이 청색 파장 영역의 광에 의해 누설 전류가 발생되거나, 문턱 전압이 쉬프트되는 현상이 방지될 수 있고, 그 결과, 표시 장치(DD, 도 1 참조)의 화질 저하가 방지될 수 있다.
제1 컬러 필터(CF1) 및 제2 컬러 필터(CF2) 위에는 캡핑층(CL)이 배치될 수 있다. 캡핑층(CL)은 무기물을 포함할 수 있다. 예를 들어, 캡핑층(CL)은 실리콘 질화물 또는 실리콘 산화물을 포함할 수 있다.
캡핑층(CL)에는 제1 개구부(OP1)가 제공된다. 제1 개구부(OP1)는 캡핑층(CL) 아래에 배치된 구성을 노출시킬 수 있다. 평면 상에서 제1 개구부(OP1)는 제2 컬러 필터(CF2)와 중첩할 수 있다. 예를 들어, 제1 개구부(OP1)는 제1 화소 회로 영역(PCA1)에 배치될 수 있고, 연결 컬러 필터(CCF2)와 중첩할 수 있다.
표시 패널(DP)의 제조 공정 중에 제2 컬러 필터(CF2)에서 가스가 발생될 수 있다. 액정을 채우기 전에 제2 컬러 필터(CF2)에서 발생된 가스가 충분히 배출되지 않은 경우, 액정을 채운 후 제2 컬러 필터(CF2)에서 가스가 배출되어 액티브 영역, 예를 들어, 제1 하이 화소 전극 영역(PEA1a) 또는 제1 로우 화소 전극 영역(PEA1b)에 액정이 완전하게 채워지지 않는 불량이 발생될 수 있다.
본 발명의 실시예에 따르면, 제2 컬러 필터(CF2)는 연결 컬러 필터(CCF2)를 포함하고, 제2 컬러 필터(CF2)와 중첩하는 캡핑층(CL)의 일 영역에 제1 개구부(OP1)가 제공된다. 따라서, 제2 컬러 필터(CF2)에서 발생되는 가스는 제1 개구부(OP1)를 통해 배출될 수 있다. 그 결과, 제1 하이 화소 전극 영역(PEA1a) 또는 제1 로우 화소 전극 영역(PEA1b)에 액정이 완전하게 채워지지 않는 불량이 발생되는 것이 방지될 수 있다. 따라서, 표시 장치(DD, 도 1 참조)의 제품 신뢰성이 향상될 수 있다.
캡핑층(CL) 위에는 제1 하이 화소 전극(PE1a) 및 제1 로우 화소 전극(PE1b)이 배치될 수 있다. 제1 하이 화소 전극(PE1a)은 제1 화소 트랜지스터(TR1)의 제1 출력 전극(DE1)과 전기적으로 연결되고, 제1 로우 화소 전극(PE1b)은 제2 화소 트랜지스터(TR2)의 제2 출력 전극(DE2)와 전기적으로 연결될 수 있다.
도 2에서는 제1 하이 화소 전극(PE1a) 및 제1 로우 화소 전극(PE1b)이 동일한 크기를 갖는 것으로 도시하였으나, 이에 제한되는 것은 아니다. 예를 들어, 제1 하이 화소 전극(PE1a)의 크기는 제1 로우 화소 전극(PE1b)의 크기보다 작을 수도 있다.
제1 하이 화소 전극(PE1a) 및 제1 로우 화소 전극(PE1b) 각각은 수직 전극(VP), 수평 전극(HP), 제1 가지 전극들(B1), 제2 가지 전극들(B2), 제3 가지 전극들(B3) 및 제4 가지 전극들(B4)을 포함할 수 있다. 수직 전극(VP), 수평 전극(HP), 제1 가지 전극들(B1), 제2 가지 전극들(B2), 제3 가지 전극들(B3) 및 제4 가지 전극들(B4)은 서로 연결되어 하나의 화소 전극을 구성할 수 있다.
수직 전극(VP)은 제1 방향(DR1)을 따라 연장되고, 수평 전극(HP)은 제2 방향(DR2)을 따라 연장된다. 제1 가지 전극들(B1), 제2 가지 전극들(B2), 제3 가지 전극들(B3) 및 제4 가지 전극들(B4) 각각은 수직 전극(VP) 또는 수평 전극(HP)으로부터 연장된다. 제1 가지 전극들(B1)은 제4 방향(DR4)을 따라 연장되고, 제2 가지 전극들(B2)은 제5 방향(DR5)을 따라 연장되고, 제3 가지 전극들(B3)은 제6 방향(DR6)을 따라 연장되고, 제4 가지 전극들(B4)은 제7 방향(DR7)을 따라 연장된다.
제2 서브 화소(SPX2, 도 1 참조) 및 제3 서브 화소(SPX3, 도 1 참조)는 제1 서브 화소(SPX1)와 유사한 구조를 가질 수 있다. 예를 들어, 제2 서브 화소(SPX2) 및 제3 서브 화소(SPX3)는 제1 서브 화소(SPX1)의 제1 컬러 필터(CF1) 및 제2 컬러 필터(CF2) 구성을 제외하고 실질적으로 동일한 구조를 가질 수 있다. 따라서, 제2 서브 화소(SPX2) 및 제3 서브 화소(SPX3)의 구체적인 구조에 대한 설명은 생략되고, 제2 서브 화소(SPX2) 및 제3 서브 화소(SPX3)의 컬러 필터에 대한 설명은 도 4에서 설명된다.
제2 기판(200)은 제2 베이스 기판(S2), 및 공통 전극(CE)을 포함할 수 있다. 제2 베이스 기판(S2)은 광학적으로 투명한 절연 기판일 수 있다.
액정층(300)은 제1 기판(100)과 제2 기판(200) 사이에 배치된다. 액정층(300)은 액정 분자들을 포함할 수 있다. 액정 분자들은 공통 전극(CE)과 제1 화소 전극(PE1a, PE1b)에 의해 형성된 전계에 의해 배향이 제어되는 물질을 포함할 수 있다.
도 3b는 도 2에 도시된 I-I`에 대응하는 영역을 도시한 단면도이다. 도 3b를 설명함에 있어서, 앞서 도 3a에서 설명된 구성요소와 동일한 구성 요소에 대해서는 동일한 도면 부호를 병기하고, 중복되는 구성 요소에 대한 설명은 생략된다.
도 3b를 참조하면, 표시 패널(DPa)은 제1 개구부(OP1)를 커버하는 커버 패턴(CP)을 더 포함한다. 커버 패턴(CP)은 제2 컬러 필터(CF2)가 액정층(300)과 접촉하는 것을 방지할 수 있다.
커버 패턴(CP)은 유기물 또는 무기물을 포함할 수 있다. 본 발명의 일 실시예에서, 커버 패턴(CP)은 제1 하이 화소 전극(PE1a)과 동일한 물질을 포함할 수 있다. 커버 패턴(CP)은 제1 하이 화소 전극(PE1a)이 형성될 때 동시에 형성될 수도 있다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 컬러 필터 및 캡핑층을 도시한 평면도이다.
도 1 및 도 4를 참조하면, 제1 서브 화소(SPX1)의 제1 화소 전극 영역들(PEA1a, PEA1b) 및 제1 화소 회로 영역(PCA1)이 도시되고, 제2 서브 화소(SPX2)의 제2 화소 전극 영역들(PEA2a, PEA2b) 및 제2 화소 회로 영역(PCA2)이 도시되고, 제3 서브 화소(SPX3)의 제3 화소 전극 영역들(PEA3a, PEA3b) 및 제3 화소 회로 영역(PCA3)이 도시된다.
제1 서브 화소(SPX1)는 녹색 서브 화소이고, 제2 서브 화소(SPX2)는 적색 서브 화소이고, 제3 서브 화소(SPX3)는 청색 서브 화소일 수 있다.
도시되지 않았으나, 제2 화소 전극 영역들(PEA2a, PEA2b)에는 제2 화소 전극이 배치되고, 제2 화소 회로 영역(PCA2)에는 제2 화소 전극과 연결된 화소 트랜지스터들이 배치되고, 제3 화소 전극 영역들(PEA3a, PEA3b)에는 제3 화소 전극이 배치되고, 제3 화소 회로 영역(PCA3)에는 제3 화소 전극과 연결된 화소 트랜지스터들이 배치될 수 있다. 제2 및 제3 화소 전극들 및 화소 트랜지스터들의 배치 관계는 도 2 및 도 3a에 도시된 도면을 통해 이해될 수 있을 것이다.
제2 서브 화소(SPX2)는 제1 컬러 필터(CF1)를 포함할 수 있다. 제1 컬러 필터(CF1)는 적색 컬러 필터일 수 있다. 제1 컬러 필터(CF1)는 제2 화소 전극 영역들(PEA2a, PEA2b) 및 제2 화소 회로 영역(PCA2)에 모두 배치될 수 있다. 제2 화소 회로 영역(PCA2)에 배치된 제1 컬러 필터(CF1)는 제2 서브 화소(SPX2)의 화소 트랜지스터들을 커버할 수 있다. 제2 화소 전극 영역들(PEA2a, PEA2b)에 배치된 제1 컬러 필터(CF1)는 제2 화소 전극 밑에 배치될 수 있다.
제2 서브 화소(SPX2)의 제1 컬러 필터(CF1)에는 두 개의 개구부들(CF_OP2)이 제공될 수 있다. 두 개의 개구부들(CF_OP2)은 제2 화소 전극들을 화소 트랜지스터들에 연결하기 위해 제공되는 것이다.
제2 서브 화소(SPX2)의 제1 컬러 필터(CF1) 위에 배치된 캡핑층(CL)에는 제2 개구부(OP2)가 제공될 수 있다. 평면 상에서 제2 개구부(OP2)는 두 개의 개구부들(CF_OP2) 사이에 제공될 수 있다. 제2 서브 화소(SPX2)의 제1 컬러 필터(CF1)에 서 발생된 가스는 제2 개구부(OP2)를 통해 방출될 수 있다.
제1 서브 화소(SPX1)는 제2 서브 화소(SPX2)와 인접하여 배치될 수 있다. 제1 서브 화소(SPX1)는 제1 컬러 필터(CF1) 및 제2 컬러 필터(CF2)를 포함할 수 있다. 제2 컬러 필터(CF2)는 녹색 컬러 필터일 수 있다.
제1 컬러 필터(CF1)는 제1 화소 트랜지스터(TR1, 도 2 참조) 및 제2 화소 트랜지스터(TR2, 도 2 참조) 위에 배치될 수 있다. 제1 서브 화소(SPX1)의 제1 컬러 필터(CF1)는 제2 서브 화소(SPX2)의 제1 컬러 필터(CF1)와 연결되어 제공될 수 있다. 따라서, 제1 서브 화소(SPX1)의 제1 컬러 필터(CF1)가 공정 중에 탈락되는 현상이 방지될 수 있다.
제2 컬러 필터(CF2)는 제1 화소 전극 영역들(PEA1a, PEA1b) 및 제1 화소 회로 영역(PCA1)에 배치될 수 있다. 제2 컬러 필터(CF2)는 제1 화소 전극 영역들(PEA1a, PEA1b)에 배치된 화소 컬러 필터들(PCF2) 및 제1 화소 회로 영역(PCA1)에 배치된 연결 컬러 필터(CCF2)를 포함할 수 있다. 연결 컬러 필터(CCF2)는 서로 이격된 화소 컬러 필터들(PCF2)을 서로 연결시킬 수 있다. 연결 컬러 필터(CCF2)는 제1 화소 트랜지스터(TR1) 및 제2 화소 트랜지스터(TR2)의 주변부에 배치될 수 있다.
제1 서브 화소(SPX1)의 제1 화소 전극들(PE1a, PE1b, 도 2 참조)을 제1 화소 트랜지스터(TR1) 및 제2 화소 트랜지스터(TR2)에 연결하기 위해 컬러 필터들이 배치되지 않은 개구부(CF_OP1)가 정의될 수 있다. 개구부(CF_OP1)는 제1 컬러 필터(CF1) 및 제2 컬러 필터(CF2)가 제공되지 않은 영역에 대응될 수 있다.
제3 서브 화소(SPX3)는 제1 서브 화소(SPX1)와 인접하여 배치될 수 있다. 제3 서브 화소(SPX3)는 제1 컬러 필터(CF1) 및 제3 컬러 필터(CF3)를 포함할 수 있다. 제1 컬러 필터(CF1)는 적색 컬러 필터이고, 제3 컬러 필터(CF3)는 청색 컬러 필터일 수 있다.
제1 컬러 필터(CF1)는 제3 서브 화소(SPX3)의 화소 트랜지스터들을 커버할 수 있다. 제3 컬러 필터(CF3)는 제3 화소 전극 영역들(PEA3a, PEA3b) 및 제3 화소 회로 영역(PCA3)에 배치될 수 있다.
제3 컬러 필터(CF3)는 는 제3 화소 전극 영역들(PEA3a, PEA3b)에 배치된 화소 컬러 필터들(PCF3) 및 제3 화소 회로 영역(PCA3)에 배치된 연결 컬러 필터(CCF3)를 포함할 수 있다. 연결 컬러 필터(CCF3)는 서로 이격된 화소 컬러 필터들(PCF3)을 서로 연결시킬 수 있다. 연결 컬러 필터(CCF3)는 제3 서브 화소(SPX3)의 화소 트랜지스터들의 주변부에 배치될 수 있다. 제3 서브 화소(SPX3)의 제1 컬러 필터(CF1)는 서로 인접한 서브 화소의 제1 컬러 필터(CF1)와 연결되어 제공될 수 있다.
제3 서브 화소(SPX3)의 화소 전극들을 화소 트랜지스터들에 연결시키기 위해 컬러 필터들이 배치되지 않은 개구부(CF_OP3)가 정의될 수 있다. 개구부(CF_OP3)는 제1 컬러 필터(CF1) 및 제2 컬러 필터(CF3)가 제공되지 않은 영역에 대응될 수 있다.
제3 서브 화소(SPX3)의 제3 컬러 필터(CF3) 위에 배치된 캡핑층(CL)에는 제3 개구부(OP3)가 제공될 수 있다. 평면 상에서 제3 개구부(OP3)는 제3 컬러 필터(CF3)와 중첩할 수 있다. 예를 들어, 제3 개구부(OP3)는 제3 화소 회로 영역(PCA3)에 배치될 수 있고, 연결 컬러 필터(CCF3)와 중첩할 수 있다.
본 발명의 실시예에 따르면, 제1 내지 제3 서브 화소들(SPX1, SPX2, SPX3) 각각의 화소 트랜지스터들은 제1 컬러 필터(CF1)에 의해 커버된다. 따라서, 화소 트랜지스터들로 향하는 청색 파장 영역의 광은 제1 컬러 필터(CF1)에 의해 차단될 수 있다. 따라서, 화소 트랜지스터들이 청색 파장 영역의 광에 의해 누설 전류가 발생되거나, 문턱 전압이 쉬프트되는 현상이 방지될 수 있고, 그 결과, 표시 장치(DD)의 화질 저하가 방지될 수 있다.
또한, 제1 및 제3 서브 화소들(SPX1, SPX3) 각각의 화소 회로 영역들에는 화소 전극 영역들에 배치된 컬러 필터들을 연결하는 연결 컬러 필터가 제공되고, 연결 컬러 필터를 커버하는 캡핑층(CL)에는 제1 및 제3 개구부들(OP1, OP3)이 제공된다. 제1 및 제3 서브 화소들(SPX1, SPX3)의 화소 전극 영역들에 배치된 컬러 필터들로부터 발생된 가스는 제1 및 제3 개구부들(OP1, OP3)을 통해 방출될 수 있다. 따라서, 제1 및 제3 서브 화소들(SPX1, SPX3)의 화소 전극 영역들과 대응하는 영역에 액정이 완전하게 채워지지 않는 불량이 발생되는 것이 방지될 수 있고, 그 결과, 표시 장치(DD)의 제품 신뢰성이 향상될 수 있다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 컬러 필터 및 캡핑층을 도시한 평면도이다. 도 5를 설명함에 있어서, 도 4에 설명된 구성 요소와 동일한 구성에 대해서는 동일한 도면 부호를 병기하고 이에 대한 설명은 생략된다.
도 1 및 도 5를 참조하면, 제1 서브 화소(SPX1)는 제1 컬러 필터(CF1) 및 제2 컬러 필터(CF2a)를 포함한다.
제2 컬러 필터(CF2a)는 제1 화소 전극 영역들(PEA1a, PEA1b)에 배치된 화소 컬러 필터들(PCF2) 및 제1 화소 회로 영역(PCA1)에 배치된 연결 컬러 필터들(CCF2a, CCF2b)를 포함할 수 있다. 연결 컬러 필터들(CCF2a, CCF2b)은 서로 이격 되어 배치될 수 있다. 연결 컬러 필터들(CCF2a, CCF2b) 사이에는 화소 트랜지스터를 커버하는 제1 컬러 필터(CF1)가 배치될 수 있다. 즉, 평면 상에서 연결 컬러 필터들(CCF2a, CCF2b) 사이에 제2 화소 트랜지스터(TR2, 도 2 참조)가 배치될 수 있다.
캡핑층(CL)은 제1 컬러 필터(CF1) 및 제2 컬러 필터(CF2a)를 커버한다. 캡핑층(CL)의 연결 컬러 필터들(CCF2a, CCF2b)과 중첩하는 영역에는 제1 개구부들(OP1, OP1a)이 제공될 수 있다. 연결 컬러 필터(CCF2a) 위에는 제1 개구부(OP1)가 배치되고, 연결 컬러 필터(CCF2b) 위에는 제1 개구부(OP1b)가 배치될 수 있다.
특정 서브 화소에는 연결 컬러 필터가 복수로 제공될 수 있다. 예를 들어, 컬러 필터들 각각의 가스 발생량을 측정한 후, 그에 따라 연결 컬러 필터의 개수가 결정될 수 있다.
예를 들어, 제2 컬러 필터(CF2a)와 제3 컬러 필터(CF3)의 가스 발생량을 분석한다. 제2 컬러 필터(CF2a)의 가스 발생량은 제3 컬러 필터(CF3)의 가스 발생량보다 많을 수 있다. 따라서, 가스 방출량이 더 많은 컬러 필터의 가스를 보다 용이하게 방출시키기 위해, 연결 컬러 필터를 더 추가할 수 있고, 그 위에 제1 개구부(OP1b)를 추가할 수 있다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 컬러 필터 및 캡핑층을 도시한 평면도이다. 도 6을 설명함에 있어서, 도 4에 설명된 구성 요소와 동일한 구성에 대해서는 동일한 도면 부호를 병기하고 이에 대한 설명은 생략된다.
도 1 및 도 6을 참조하면, 제2 서브 화소(SPX2)는 적색의 광을 방출하여, 적색의 이미지를 제공할 수 있다.
제2 서브 화소(SPX2)는 제1 컬러 필터(CF1) 만을 포함할 수 있다. 제2 서브 화소(SPX2)의 제1 컬러 필터(CF1)는 제2 화소 전극 영역들(PEA2a, PEA2b) 및 제2 화소 회로 영역(PCA2) 모두에 배치될 수 있다.
제1 컬러 필터(CF1)를 커버하는 캡핑층(CL)에는 제1 컬러 필터(CF1)와 중첩하는 제2 개구부(OP2a)가 제공될 수 있다. 제2 화소 회로 영역(PCA2)에 제1 컬러 필터(CF1) 만이 배치되기 때문에, 제2 개구부(OP2a)의 위치나 형상에 대한 설계 자유도가 증가할 수 있다. 예를 들어, 도 4에 도시된 것과 같이 제2 개구부(OP2, 도 4 참조)는 제1 개구부(OP1, 도 4 참조)와 동일한 위치에 형성될 수도 있고, 도 5에 도시된 것과 같이, 개구부(CF_OP2) 아래에 배치될 수도 있다.
도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 컬러 필터 및 캡핑층을 도시한 평면도이다. 도 7을 설명함에 있어서, 도 4에 설명된 구성 요소와 동일한 구성에 대해서는 동일한 도면 부호를 병기하고 이에 대한 설명은 생략된다.
도 1 및 도 7을 참조하면, 캡핑층(CL)에 제1 개구부(OP1), 제2 개구부(OP2b), 제3 개구부(OP3), 제1 경계 개구부들(OPBa), 및 제2 경계 개구부들(OPBb)이 제공될 수 있다.
제1 개구부(OP1)는 제1 서브 화소(SPX1)의 연결 컬러 필터(CCF2)와 중첩하는 영역에 제공되고, 제2 개구부(OP2b)는 제2 서브 화소(SPX2)의 제2 화소 회로 영역(PCA2)에 제공되고, 제3 개구부(OP3)는 제3 서브 화소(SPX3)의 연결 컬러 필터(CCF3)와 중첩하는 영역에 제공될 수 있다.
제1 경계 개구부들(OPBa) 및 제2 경계 개구부들(OPBb)은 두 개의 컬러 필터들 사이의 경계부에 제공될 수 있다.
제1 경계 개구부들(OPBa)은 하이 화소 전극 영역들에 배치된 두 개의 컬러 필터들 사이의 경계부와 중첩하여 제공될 수 있고, 제2 경계 개구부들(OPBb)은 로우 화소 전극 영역들에 배치된 두 개의 컬러 필터들 사이의 경계부와 중첩하여 제공될 수 있다.
본 발명의 실시예에 따르면, 하나의 제1 경계 개구부(OPBa) 또는 하나의 제2 경계 개구부(OPBb)를 통해 서로 인접하여 배치된 컬러 필터들에서 발생된 가스가 배출될 수 있다.
예를 들어, 제1 하이 화소 전극 영역(PEA1a)과 제2 화소 전극 영역(PEA2a) 사이의 영역과 중첩하여 제공된 제1 경계 개구부(OPBa)를 통해, 제1 컬러 필터(CF1) 및 제2 컬러 필터(CF2)에서 발생된 가스가 배출될 수 있다. 또한, 제1 하이 화소 전극 영역(PEA1a)과 제3 화소 전극 영역(PEA3a) 사이의 영역과 중첩하여 제공된 제1 경계 개구부(OPBa)를 통해, 제2 컬러 필터(CF2) 및 제3 컬러 필터(CF3)에서 발생된 가스가 배출될 수 있다.
본 발명의 실시예에 따르면, 도 4와 비교하였을 때, 제1 경계 개구부들(OPBa), 제2 경계 개구부들(OPBb)이 더 제공된다. 따라서, 제1 내지 제3 컬러 필터들(CF1, CF2, CF3)에서 발생된 가스의 배출이 보다 원활하게 이루어질 수 있다.
제1 경계 개구부들(OPBa), 제2 경계 개구부들(OPBb)이 추가로 제공됨에 따라, 제1 개구부(OP1), 제2 개구부(OP2b) 및 제3 개구부(OP3)의 크기에 대한 설계 자유도가 증가될 수 있다. 예를 들어, 제1 개구부(OP1), 제2 개구부(OP2b) 및 제3 개구부(OP3)의 크기를 더 축소시킬 수도 있고, 제1 개구부(OP1), 제2 개구부(OP2b) 및 제3 개구부(OP3)가 생략될 수도 있다.
도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 컬러 필터 및 캡핑층을 도시한 평면도이다.
도 8을 참조하면, 캡핑층(CL)에는 제1 개구부(OP1a), 제2 개구부(OP2b), 제3 개구부(OP3), 제1 경계 개구부들(OPBa), 제2 경계 개구부들(OPBb)이 제공될 수 있다.
도 5와 비교하였을 때, 제1 경계 개구부들(OPBa), 제2 경계 개구부들(OPBb)이 더 제공된다. 따라서, 제1 내지 제3 컬러 필터들(CF1, CF2, CF3)에서 발생된 가스의 배출이 보다 원활하게 이루어질 수 있다. 따라서, 제1 개구부(OP1a)는 두 개의 연결 컬러 필터들(CCF2a, CCF2b) 중 적어도 어느 하나와 중첩하는 영역에만 제공될 수 있다. 도 8에서는 제1 개구부(OP1a)가 제1 서브 화소(SPX1)의 연결 컬러 필터(CCF2b)와 중첩하는 영역에 제공되는 것을 예로 들어 도시하였다. 하지만, 이에 제한되는 것은 아니다. 예를 들어, 제1 개구부(OP1a)는 연결 컬러 필터(CCF2a)와 중첩하는 영역에 제공될 수도 있다.
도 9는 본 발명의 일 실시예에 따른 컬러 필터 및 캡핑층을 도시한 평면도이다.
도 9를 참조하면, 캡핑층(CL)에는 제2 개구부(OP2b), 및 경계 개구부들(OPB1)이 제공될 수 있다.
경계 개구부들(OPB1)은 하이 화소 전극 영역들에 배치된 두 개의 컬러 필터들 사이의 경계부와 중첩하여 제공될 수 있다. 다만, 이는 예시적인 것으로, 경계 개구부들(OPB1)은 로우 화소 전극 영역들에 배치된 두 개의 컬러 필터들 사이의 경계부와 중첩하여 제공될 수 있다.
도 9는 도 7과 비교하였을 때, 경계 개구부들(OPB1)이 하이 화소 전극 영역들과 로우 화소 전극 영역들 중 하나의 경계에만 중첩하여 배치된다. 또한, 경계 개구부들(OPB1) 각각의 길이는 도 7에 도시된 제1 경계 개구부들(OPBa) 각각의 길이보다 길 수 있다.
도 9에 도시된 실시예에서, 연결 컬러 필터들(CCF2, CCF3)과 중첩하는 개구부들이 생략될 수 있다. 로우 화소 영역들, 예를 들어, 제1 로우 화소 전극 영역(PEA1b) 및 제3 화소 전극 영역(PEA3b)에 배치된 컬러 필터들에서 가스가 발생되는 경우, 상기 가스는 연결 컬러 필터들(CCF2, CCF3)을 통해 이동하여, 경계 개구부들(OPB1)로 배출될 수 있다.
또한, 본 발명의 다른 일 실시예에서, 제2 개구부(OP2b) 역시 생략될 수 있다. 또한, 본 발명의 다른 일 실시예에서, 연결 컬러 필터들(CCF2, CCF3)과 중첩하는 개구부들이 캡핑층(CL)에 제공될 수도 있다.
도 10은 본 발명의 일 실시예에 따른 컬러 필터 및 캡핑층을 도시한 평면도이다.
도 10은 도 9와 비교하였을 때, 캡핑층(CL)에 제1 개구부(OP1a)가 더 제공된 것에 차이가 있다. 컬러 필터들 각각의 가스 발생량은 차이가 있을 수 있다. 따라서, 이를 고려하여, 가스 발생량이 더 많은 컬러 필터에 개구부를 추가로 형성할 수 있다.
이상에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자 또는 해당 기술 분야에 통상의 지식을 갖는 자라면, 후술될 특허청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 기술 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다. 따라서, 본 발명의 기술적 범위는 명세서의 상세한 설명에 기재된 내용으로 한정되는 것이 아니라 특허청구범위에 의해 정하여져야만 할 것이다.
DD: 표시 장치 DP: 표시 패널
PX: 화소 SPX1: 제1 서브 화소
SPX2: 제2 서브 화소 SPX3: 제3 서브 화소
CF1: 제1 컬러 필터 CF2: 제2 컬러 필터
CF3: 제3 컬러 필터

Claims (20)

  1. 제1 서브 화소 및 제2 서브 화소를 포함하는 화소, 및 캡핑층을 갖는 표시 패널을 포함하고,
    상기 제1 서브 화소는,
    제1 화소 회로 영역에 배치된 제1 화소 트랜지스터;
    제1 화소 전극 영역에 배치된 제1 화소 전극;
    상기 제1 화소 트랜지스터를 커버하며, 상기 제1 화소 회로 영역에 배치된 제1 컬러 필터; 및
    상기 제1 화소 전극 영역 및 상기 제1 화소 회로 영역에 배치되며, 상기 제1 컬러 필터와 상이한 제2 컬러 필터를 포함하고,
    상기 제2 서브 화소는,
    제2 화소 회로 영역에 배치된 제2 화소 트랜지스터;
    제2 화소 전극 영역에 배치된 제2 화소 전극; 및
    상기 제2 화소 트랜지스터를 커버하며, 상기 제2 화소 회로 영역 및 상기 제2 화소 전극 영역에 배치되고, 상기 제1 컬러 필터와 일체로 연결된 제3 컬러 필터를 포함하고,
    상기 캡핑층은 상기 제1 컬러 필터 및 상기 제2 컬러 필터를 커버하고, 평면 상에서 상기 제2 컬러 필터와 중첩하는 상기 캡핑층의 일 영역에는 제1 개구부가 제공되는 표시 장치.
  2. 삭제
  3. 제1 항에 있어서,
    상기 제1 컬러 필터와 상기 제3 컬러 필터는 동일한 표시 장치.
  4. 제1 항에 있어서,
    상기 제1 컬러 필터 및 상기 제3 컬러 필터는 적색 컬러 필터인 표시 장치.
  5. 제1 항에 있어서,
    상기 제1 화소 회로 영역에서, 상기 제2 컬러 필터는 상기 제1 컬러 필터 주변에 배치되고, 평면 상에서 상기 제2 컬러 필터는 상기 제1 화소 트랜지스터와 비중첩하는 표시 장치.
  6. 제1 항에 있어서,
    상기 제1 화소 전극 영역 및 상기 제1 화소 트랜지스터 각각은 복수로 제공되고, 상기 제1 화소 전극 영역들 사이에 상기 제1 화소 회로 영역이 배치되고,
    상기 제2 컬러 필터는 화소 컬러 필터들 및 상기 화소 컬러 필터들을 연결하는 적어도 하나 이상의 연결 컬러 필터를 포함하고,
    상기 화소 컬러 필터들은 상기 제1 화소 전극 영역들에 배치되고, 상기 연결 컬러 필터는 상기 제1 화소 회로 영역에 배치되는 표시 장치.
  7. 제6 항에 있어서,
    상기 제1 개구부는 상기 화소 컬러 필터들 중 하나의 화소 컬러 필터와 중첩하는 표시 장치.
  8. 제6 항에 있어서,
    상기 제1 개구부는 복수로 제공되고, 상기 제1 개구부들은 상기 화소 컬러 필터들과 중첩하는 표시 장치.
  9. 제6 항에 있어서,
    상기 제1 개구부는 상기 연결 컬러 필터와 중첩하는 표시 장치.
  10. 제6 항에 있어서,
    상기 연결 컬러 필터는 복수로 제공되고, 평면 상에서 상기 연결 컬러 필터들 사이에 상기 제1 화소 트랜지스터가 배치되는 표시 장치.
  11. 제1 항에 있어서,
    상기 표시 패널은 상기 제1 개구부를 커버하는 커버 패턴을 더 포함하는 표시 장치.
  12. 제1 항에 있어서,
    상기 제2 컬러 필터는 녹색 컬러 필터인 표시 장치.
  13. 제1 항에 있어서,
    상기 화소는 제3 서브 화소를 더 포함하고,
    상기 제3 서브 화소는,
    제3 화소 회로 영역에 배치된 제3 화소 트랜지스터;
    제3 화소 전극 영역에 배치된 제3 화소 전극;
    상기 제3 화소 트랜지스터를 커버하며, 상기 제3 화소 회로 영역에 배치된 상기 제1 컬러 필터; 및
    상기 제3 화소 전극 영역 및 상기 제3 화소 회로 영역에 배치된 제4 컬러 필터를 포함하고,
    상기 캡핑층은 상기 제1 컬러 필터 및 상기 제4 컬러 필터를 커버하며, 평면 상에서 상기 제4 컬러 필터와 중첩하는 상기 캡핑층의 일 영역에는 제2 개구부가 제공되는 표시 장치.
  14. 제13 항에 있어서,
    상기 제4 컬러 필터는 청색 컬러 필터인 표시 장치.
  15. 적색 서브 화소, 청색 서브 화소 및 녹색 서브 화소를 포함하는 화소, 및 상기 화소를 커버하는 캡핑층을 갖는 표시 패널을 포함하고,
    상기 적색, 청색 및 녹색 서브 화소 각각은 화소 회로 영역에 배치된 화소 트랜지스터, 화소 전극 영역에 배치된 화소 전극을 포함하고,
    상기 적색 서브 화소의 상기 화소 회로 영역 및 상기 화소 전극 영역에는 제1 적색 컬러 필터가 배치되고, 상기 청색 서브 화소의 상기 화소 회로 영역에서 상기 화소 트랜지스터의 제1 주변부 및 상기 청색 서브 화소의 상기 화소 전극 영역에는 청색 컬러 필터가 배치되고, 상기 청색 서브 화소의 상기 화소 트랜지스터에는 제2 적색 컬러 필터가 배치되고, 상기 녹색 서브 화소의 상기 화소 회로 영역에서 상기 화소 트랜지스터의 제2 주변부 및 상기 녹색 서브 화소의 상기 화소 전극 영역에는 녹색 컬러 필터가 배치되고, 상기 녹색 서브 화소의 상기 화소 트랜지스터에는 제3 적색 컬러 필터가 배치되고,
    상기 제2 적색 컬러 필터 및 상기 제3 적색 컬러 필터 중 적어도 하나는 상기 제1 적색 컬러 필터와 연결되고,
    상기 캡핑층에는 개구부들이 제공되고, 상기 개구부들 각각은 상기 제1 적색 컬러 필터, 상기 녹색 컬러 필터 및 상기 청색 컬러 필터와 중첩하는 표시 장치.
  16. 제15 항에 있어서,
    상기 개구부들 중 적어도 하나는 상기 제1 주변부와 평면 상에서 중첩하고, 상기 개구부들 중 적어도 하나는 상기 제2 주변부와 평면 상에서 중첩하는 표시 장치.
  17. 제15 항에 있어서,
    상기 개구부들 중 적어도 하나는 상기 적색 서브 화소의 상기 화소 회로 영역에서 상기 화소 트랜지스터의 제3 주변부와 중첩하는 표시 장치.
  18. 제15 항에 있어서,
    상기 개구부들 중 적어도 하나는 상기 제1 적색 컬러 필터, 상기 청색 컬러 필터 및 상기 녹색 컬러 필터 중 서로 인접한 두 개의 컬러 필터들과 중첩하는 표시 장치.
  19. 제15 항에 있어서,
    상기 적색 서브 화소, 상기 청색 서브 화소 및 상기 녹색 서브 화소들 각각의 화소 전극 영역은 복수로 제공되고, 상기 화소 회로 영역은 화소 전극 영역들 사이에 배치되고,
    상기 청색 컬러 필터는 상기 청색 서브 화소의 상기 화소 전극 영역들에 배치된 청색 화소 컬러 필터들 및 상기 제1 주변부에 배치된 청색 연결 컬러 필터를 포함하고,
    상기 녹색 컬러 필터는 상기 녹색 서브 화소의 상기 화소 전극 영역들에 배치된 녹색 화소 컬러 필터들 및 상기 제2 주변부에 배치된 녹색 연결 컬러 필터를 포함하고,
    상기 청색 화소 컬러 필터들은 상기 청색 연결 컬러 필터에 의해 연결되고, 상기 녹색 화소 컬러 필터들은 상기 녹색 연결 컬러 필터에 의해 연결되는 표시 장치.
  20. 제19 항에 있어서,
    상기 녹색 연결 컬러 필터는 복수로 제공되고, 상기 녹색 화소 컬러 필터들은 복수의 녹색 연결 컬러 필터들에 의해 연결되는 표시 장치.
KR1020180058718A 2018-05-24 2018-05-24 표시 장치 KR102566989B1 (ko)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020180058718A KR102566989B1 (ko) 2018-05-24 2018-05-24 표시 장치
US16/396,340 US10998350B2 (en) 2018-05-24 2019-04-26 Display device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020180058718A KR102566989B1 (ko) 2018-05-24 2018-05-24 표시 장치

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20190134939A KR20190134939A (ko) 2019-12-05
KR102566989B1 true KR102566989B1 (ko) 2023-08-16

Family

ID=68613767

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020180058718A KR102566989B1 (ko) 2018-05-24 2018-05-24 표시 장치

Country Status (2)

Country Link
US (1) US10998350B2 (ko)
KR (1) KR102566989B1 (ko)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111880342B (zh) * 2020-07-29 2022-09-27 北海惠科光电技术有限公司 一种显示面板、显示面板的制作方法和显示装置

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101194855B1 (ko) 2005-12-02 2012-10-26 엘지디스플레이 주식회사 배향막 잉크젯의 도포량 측정 장치 및 이를 이용한 배향막형성방법
JP5216204B2 (ja) * 2006-10-31 2013-06-19 株式会社半導体エネルギー研究所 液晶表示装置及びその作製方法
KR101542394B1 (ko) * 2008-10-28 2015-08-07 삼성디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터 표시판 및 그를 포함하는 액정 표시 장치
KR101503122B1 (ko) 2012-09-26 2015-03-18 엘지디스플레이 주식회사 유기전계발광표시장치와 이의 제조방법
KR20120043850A (ko) 2010-10-27 2012-05-07 삼성전자주식회사 레이저 광학계 및 이를 가지는 리페어 장치 및 방법
KR101739384B1 (ko) 2010-12-24 2017-05-25 엘지디스플레이 주식회사 화이트 유기발광다이오드 표시소자 및 그 제조방법
KR102084615B1 (ko) 2013-06-14 2020-03-05 삼성디스플레이 주식회사 표시 패널 및 이의 제조 방법
KR102184723B1 (ko) 2014-02-10 2020-12-01 삼성디스플레이 주식회사 표시 기판 및 이의 제조 방법
KR20160053196A (ko) * 2014-10-31 2016-05-13 삼성디스플레이 주식회사 액정 표시 장치의 제조 방법

Also Published As

Publication number Publication date
US20190363110A1 (en) 2019-11-28
KR20190134939A (ko) 2019-12-05
US10998350B2 (en) 2021-05-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN113130597B (zh) 发光显示设备和包括该发光显示设备的多屏显示设备
CN103383512B (zh) 液晶显示装置及其制造方法
US9081234B2 (en) Liquid crystal panel
JPWO2014013945A1 (ja) 表示装置
CN112799256B (zh) 透明显示面板以及包括透明显示面板的透明显示装置
WO2017022620A1 (ja) アクティブマトリクス基板及び表示パネル
JP2017037179A (ja) 表示装置及びその駆動方法
US20160004110A1 (en) Display panel and method of producing display panel
JP6427403B2 (ja) 表示装置
KR20210059323A (ko) 투명 표시 패널 및 이를 포함하는 투명 표시 장치
CN112530343A (zh) 显示面板和显示装置
JP2018072676A (ja) 表示装置
JP5431993B2 (ja) 表示装置
US11048133B2 (en) Liquid crystal display panel and liquid crystal display device including the same
KR102566989B1 (ko) 표시 장치
JP6885440B2 (ja) 電気光学装置の製造方法、電気光学装置および電子機器
JP2007094025A (ja) 電気光学装置及び電子機器
TW202036128A (zh) 元件基板及拼接電子裝置
JP5662815B2 (ja) カラーフィルター基板及び表示装置
EP4322723A1 (en) Display device
US20240237465A9 (en) Display device including a color filter disposed on a bank structure
CN219555560U (zh) 显示装置和包括显示装置的电子装置
CN110737139B (zh) 显示设备
US20240276785A1 (en) Display device
JP2007093668A (ja) 液晶装置および電子機器

Legal Events

Date Code Title Description
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant