KR20160053196A - 액정 표시 장치의 제조 방법 - Google Patents

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류수혜
이명진
이윤호
허철
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Abstract

액정 표시 장치의 제조 방법은 제1 베이스 기판 상에 배치된 게이트 도전체, 선형 반도체, 데이터 도전체, 컬러 필터, 덮개층 및 화소 전극을 포함하는 제1 기판을 제조하는 단계; 상기 제1 기판에 마주하고, 공통 전극을 구비하는 제2 기판을 제조하는 단계; 상기 제1 기판 및 상기 제2 기판 사이에 액정층을 배치하는 단계; 및 상기 제1 기판 및 상기 제2 기판을 합착하는 단계를 포함한다. 상기 제1 기판을 제조하는 단계는 제1 내지 제3 게이트 전극 및 게이트 라인을 포함하는 게이트 도전체를 상기 제1 베이스 기판 상에 형성하는 단계; 상기 게이트 도전체를 커버하는 게이트 절연막 상에 제1 내지 제3 반도체를 포함하는 선형 반도체를 형성하는 단계; 상기 반도체 상에 배치되고, 제1 내지 제3 소스 전극, 제1 내지 제3 드레인 전극 및 데이터 라인을 포함하는 데이터 도전체를 형성하는 단계; 상기 데이터 도전체를 커버하는 하부 보호막 상에 컬러 필터를 형성하는 단계; 상기 컬러 필터 상에 상기 컬러 필터의 일부를 노출시키는 개구부를 구비하는 덮개층을 형성하는 단계; 상기 개구부를 통하여 상기 컬러 필터에서 가스를 배출시키는 단계; 및 상기 덮개층 상에 화소 전극을 형성하는 단계를 포함한다.

Description

액정 표시 장치의 제조 방법{METHODE FOR FABRICATING LIQUID CRYSTAL DISPLAY}
본 발명은 액정 표시 장치의 제조 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 시간의 경과에 따른 표시 품질을 균일하게 유지할 수 있는 액정 표시 장치의 제조 방법에 관한 것이다.
액정 표시 장치로, 박막 트랜지스터와 같은 스위칭 소자를 적용하여 각 화소를 독립적으로 제어하는 능동형(active matrix) 액정 표시 장치가 주로 사용되고 있다.
최근에는 상기 박막 트랜지스터 및 컬러 필터를 동일한 기판 상에 배치하는 구조인 COA( color filter on array) 구조가 적용되고 있다. 상기 COA 구조는 통생의 컬러 필터 상에 덮개층(capping layer)을 배치한다. 상기 덮개층은 상기 컬러 필터가 들뜨는 현상을 방지하고, 상기 컬러 필터로부터 아웃개싱(outgasing)의 유발을 방지하여, 상기 액정 표시 장치의 화면 구동시 잔상과 같은 불량을 방지한다.
일반적으로 상기 컬러 필터는 유기 물질을 포함하며, 상기 덮개층은 무기물질을 포함한다. 따라서, 상기 덮개층은 상기 컬러 필터에 비하여 탄성 및 압축성이 낮다. 따라서, 상기 컬러 필터 상에 상기 덮개층이 배치되는 공정에서, 상기 덮개층에 많은 스트레스(stress)가 발생한다. 상기 스트레스는 상기 덮개층이 상기 컬러 필터에서 들뜨는 원인이 될 수 있다.
한편, 상기 덮개층 및 상기 컬러 필터 사이에 존재하는 H2, N2 등의 가스가 상기 덮개층에 의해 외부로 배출되지 못하고 포집될 수 있다. 액정을 충진한 이후, 외부로부터 열 또는 충격이 가해지면, 상기 박막 트랜지스터 및 화소 전극을 연결하는 콘택 홀 주변에 크랙(crack)이 발생할 수 있다. 상기 크랙은 상기 포집된 가스의 유출 통로가 될 수 있다. 따라서, 상기 포집된 가스는 상기 크랙을 통하여 액정층으로 유출되어 버블(bubble)로 성장할 수 있다. 상기 버블은 크기가 증가할 수록 AUA(active unfilled area) 불량을 유발하게 된다. 따라서, 상기 표시 장치는 시간의 경과에 따라 표시 품질이 저하된다.
본 발명의 일 목적은 시간의 경과에 따른 표시 품질을 균일하게 유지할 수 있는 액정 표시 장치의 제조 방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 일 목적을 달성하기 위한 액정 표시 장치의 제조 방법은 제1 베이스 기판 상에 배치된 게이트 도전체, 선형 반도체, 데이터 도전체, 컬러 필터, 덮개층 및 화소 전극을 포함하는 제1 기판을 제조하는 단계; 상기 제1 기판에 마주하고, 공통 전극을 구비하는 제2 기판을 제조하는 단계; 상기 제1 기판 및 상기 제2 기판 사이에 액정층을 배치하는 단계; 및 상기 제1 기판 및 상기 제2 기판을 합착하는 단계를 포함한다. 상기 제1 기판을 제조하는 단계는 제1 내지 제3 게이트 전극 및 게이트 라인을 포함하는 게이트 도전체를 상기 제1 베이스 기판 상에 형성하는 단계; 상기 게이트 도전체를 커버하는 게이트 절연막 상에 제1 내지 제3 반도체를 포함하는 선형 반도체를 형성하는 단계; 상기 반도체 상에 배치되고, 제1 내지 제3 소스 전극, 제1 내지 제3 드레인 전극 및 데이터 라인을 포함하는 데이터 도전체를 형성하는 단계; 상기 데이터 도전체를 커버하는 하부 보호막 상에 컬러 필터를 형성하는 단계; 상기 컬러 필터 상에 상기 컬러 필터의 일부를 노출시키는 개구부를 구비하는 덮개층을 형성하는 단계; 상기 개구부를 통하여 상기 컬러 필터에서 가스를 배출시키는 단계; 및 상기 덮개층 상에 화소 전극을 형성하는 단계를 포함한다.
상기 가스를 배출시키는 단계는 상기 컬러 필터에 UV를 조사하여 진행될 수 있다. 상기 개구부의 깊이는 상기 덮개층의 두께 이상일 수 있다.
상기 선형 반도체 및 상기 데이터 도전체 사이에 저항성 접촉 부재를 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다.
또한, 액정 표시 장치의 제조 방법은 제1 베이스 기판 상에 배치된 게이트 도전체, 선형 반도체, 데이터 도전체, 컬러 필터, 덮개층 및 화소 전극을 포함하고, 상기 덮개층은 상기 컬러 필터를 노출시키는 개구부를 구비하는 제1 기판을 제조하는 단계; 제2 베이스 기판 상에 배치된 차광 부재 및 공통 전극을 포함하고, 상기 차광 부재는 상기 개구부에 대응하는 오픈부를 구비하는 제2 기판을 제조하는 단계; 상기 제1 기판 및 상기 제2 기판 사이에 액정층을 배치하는 단계; UV를 조사하여 상기 액정층의 액정 분자들을 프리틸트시킴과 동시에 상기 개구부를 통하여 상기 컬러 필터에서 가스를 배출시키는 단계; 상기 액정층에 광을 조사하여 상기 액정층의 액정 분자들을 프리틸트시키는 단계; 및 상기 제1 기판 및 상기 제2 기판을 합착하는 단계를 포함한다.
상기 액정 분자들을 프리틸트 시킨 후, 상기 차광 부재를 리페어하여 상기 오픈부를 제거하는 단계를 더 포함할 수 있다.
상기 오픈부를 제거하는 단계는, 상기 차광 부재의 상기 오픈부에 인접한 영역에 레이저를 조사하여 상기 차광 부재를 국부적으로 용융시켜, 용융된 상기 차광 부재가 상기 오픈부를 채울 수 있다.
상술한 바와 같은 액정 표시 장치의 제조 방법은 빛샘 현상이 발생하는 AUA(Active Unfilled Area)를 방지할 수 있다. 따라서, 상기 액정 표시 장치의 제조 방법에 의해 제조되는 액정 표시 장치는 표시 품질이 향상될 수 있다. 또한, 시간이 경과되더라도 상기 액정 표시 장치는 표시 품질의 변화가 적을 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 액정 표시 장치의 일 화소를 설명하기 위한 평면도이다.
도 2는 도 1의 II-II' 라인에 따른 단면도이다.
도 3 및 4는 도 1 및 도 2에 도시된 액정 표시 장치의 제조 방법을 설명하기 위한 공정 단면도이다.
도 5 내지 도 7은 본 발명의 다른 실시예에 따른 액정 표시 장치의 제조 방법을 설명하기 위한 공정 단면도이다.
본 발명은 다양한 변경을 가할 수 있고 여러 가지 형태를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 본문에 상세하게 설명하고자 한다. 그러나, 이는 본 발명을 특정한 개시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다.
각 도면을 설명하면서 유사한 참조부호를 유사한 구성요소에 대해 사용하였다. 첨부된 도면에 있어서, 구조물들의 치수는 본 발명의 명확성을 위하여 실제보다 확대하여 도시한 것이다. 제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다. 예를 들어, 본 발명의 권리 범위를 벗어나지 않으면서 제1 구성요소는 제2 구성요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제2 구성요소도 제1 구성요소로 명명될 수 있다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다.
본 출원에서, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서 상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다. 또한, 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 "위에" 있다고 할 경우, 이는 다른 부분 "바로 위에" 있는 경우뿐만 아니라 그 중간에 또 다른 부분이 있는 경우도 포함한다. 반대로 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 "아래에" 있다고 할 경우, 이는 다른 부분 "바로 아래에" 있는 경우뿐만 아니라 그 중간에 또 다른 부분이 있는 경우도 포함한다.
이하, 첨부한 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 보다 상세하게 설명한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 액정 표시 장치의 일 화소를 설명하기 위한 평면도이며, 도 2는 도 1의 II-II' 라인에 따른 단면도이다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 액정 표시 장치는 제1 기판(100), 상기 제1 기판(100)에 마주하는 제2 기판(200), 및 상기 제1 기판(100)과 상기 제2 기판(200) 사이에 배치되는 액정층(300)을 포함한다. 상기 제1 기판(100) 및 상기 제2 기판(200)의 외부면에는 편광판(미도시)이 배치될 수 있다.
상기 제1 기판(110)은 복수의 화소 영역들을 가지는 제1 베이스 기판(110)을 포함한다. 상기 제1 베이스 기판(110)은 리지드 타입(Rigid type)의 베이스 기판일 수 있으며, 플렉서블 타입(Flexible type)의 베이스 기판일 수도 있다. 상기 리지드 타입의 베이스 기판은 유리 베이스 기판, 석영 베이스 기판, 유리 세라믹 베이스 기판 및 결정질 유리 베이스 기판 중 하나일 수 있다. 상기 플렉서블 타입의 베이스 기판은 고분자 유기물을 포함하는 필름 베이스 기판 및 플라스틱 베이스 기판 중 하나일 수 있다. 상기 제1 베이스 기판(110)에 적용되는 물질은 제조 공정시 높은 처리 온도에 대해 저항성(또는 내열성)을 갖는 것이 바람직하다.
상기 제1 베이스 기판(110) 상에는 복수의 게이트 라인(121), 복수의 강압 게이트 라인(123), 및 복수의 유지 전극 라인(125)을 포함하는 복수의 게이트 도전체가 배치될 수 있다.
상기 게이트 라인(121) 및 상기 강압 게이트 라인(123)은 제1 방향, 예를 들면, 가로 방향으로 연장되어 있으며, 게이트 신호를 전달한다. 상기 게이트 라인(121)은 제1 방향과 교차하는 제2 방향, 예를 들면, 세로 방향으로 돌출된 제1 게이트 전극(124h), 및 제2 게이트 전극(124l)을 포함할 수 있다. 상기 강압 게이트 라인(123)은 상기 제2 방향으로 돌출된 제3 게이트 전극(124c)을 포함할 수 있다. 상기 제1 게이트 전극(124h) 및 상기 제2 게이트 전극(124l)은 서로 연결되어 하나의 돌출부를 형성할 수 있다.
상기 유지 전극 라인(125)은 상기 제1 방향으로 연장될 수 있으며, 공통 전압(Vcom)을 전달할 수 있다. 상기 유지 전극 라인(125)은 상기 제2 방향의 상하로 돌출된 유지 전극(129), 상기 게이트 라인(121)과 수직하게 연장된 한 쌍의 세로부(128), 및 상기 한 쌍의 세로부(128)의 말단을 연결하는 가로부(127)를 포함할 수 있다. 상기 가로부(127)는 아래로 확장된 유지 확장부(126)를 포함할 수 있다.
상기 게이트 도전체 상에는 상기 게이트 도전체를 커버하는 게이트 절연막(140)이 배치될 수 있다.
상기 게이트 절연막(140) 상에는 복수의 선형 반도체(151)가 배치될 수 있다. 상기 선형 반도체(151)는 비정질 실리콘, 결정질 실리콘, 및 산화물 반도체 물질 중 하나를 포함할 수 있다. 상기 선형 반도체(151)는 주로 상기 제2 방향으로 연장될 수 있으며, 상기 제1 내지 제3 게이트 전극(124h, 124l, 124c)에 대응하는 위치에 형성되어 있는 가지를 포함할 수 있다. 즉, 상기 선형 반도체(151)는 상기 제1 및 제2 게이트 전극(124h, 124l)을 향하여 연장되고, 상기 제1 및 제2 게이트(124h, 124l)에 대응하는 위치에 배치되어 있는 제1 및 제2 반도체(154h, 125l)를 포함할 수 있다. 또한, 상기 선형 반도체(151)는 상기 제2 반도체(154l)에서 연장되어, 상기 제3 게이트 전극(124c)에 대응하는 위치에 배치된 제3 반도체(154c)를 포함할 수 있다.
상기 선형 반도체(151) 상에는 복수의 선형 저항성 접촉 부재(ohmic contact)(161)가 배치될 수 있다. 상기 선형 저항성 접속 부재(161)는 상기 제1 내지 제3 게이트 전극(124h, 124l, 124c)에 대응하는 위치에서 상기 선형 반도체(151)를 일부 노출시킬 수 있다. 즉, 상기 제1 반도체(154h) 상에는 제1 저항성 접촉 부재(163h, 165h)가 배치되고, 상기 제1 저항성 접촉 부재(163h, 165h) 사이의 상기 선형 반도체(151)가 노출될 수 있다.
상기 제2 반도체(154l) 및 상기 제3 반도체(154c) 상에는 각각 제2 저항성 접촉 부재(163l, 165l), 및 제3 저항성 접촉 부재(163c, 165c)가 배치될 수 있다.
상기 제2 저항성 접촉 부재(163l, 165l), 및 상기 제3 저항성 접촉 부재(163c, 165c)는 각각 상기 선형 반도체(151)의 일부를 노출시킬 수 있다.
상기 저항성 접촉 부재(161) 상에는 복수의 데이터 라인(171), 복수의 제1 드레인 전극(175h), 복수의 제2 드레인 전극(175l), 및 복수의 제3 드레인 전극(175c)을 포함하는 데이터 도전체가 배치될 수 있다.
상기 데이터 라인(171)은 데이터 신호를 전달하며, 상기 제2 방향으로 연장되어, 상기 게이트 라인(121), 상기 강압 게이트 라인(123), 및 상기 유지 전극 라인(125)과 교차할 수 있다. 상기 데이터 라인(171)은 상기 제1 게이트 전극(124h) 및 상기 제2 게이트 전극(124l)을 향하여 돌출될 수 있다. 상기 데이터 라인(171)은 'U'자 형태를 가지는 제1 소스 전극(173h) 및 제2 소스 전극(173l)을 포함할 수 있다. 상기 제1 소스 전극(173h) 및 상기 제2 소스 전극(173l)은 서로 반전된 형상일 수 있다. 또한, 상기 제1 소스 전극(173h) 및 상기 제2 소스 전극(173l)은 일측변을 서로 공유하여 전기적으로 연결될 수 있다.
상기 제1 드레인 전극(175h)은 넓은 한쪽 말단 부분 및 꺽인 막대 형상의 선형 부분을 구비할 수 있다. 상기 선형 부분의 끝은 상기 제1 소스 전극(173h)으로부터 둘러싸여 있으며, 넓은 한쪽 말단 부분은 폭이 넓게 형성되어 상부층과 접촉할 수 있는 공간을 제공한다. 상기 제2 드레인 전극(175l)은 꺾인 막대 형상의 선형 부분, U자 형태의 한쪽 말단 부분 및 폭이 확대되어 넓은 부분을 포함할 수 있다. 선형 부분의 끝은 제2 소스 전극(173l)에 의하여 둘러싸여 있으며, U자 형태의 한쪽 말단 부분은 제3 소스 전극(173c)일 수 있다. 또한, 폭이 확대된 넓은 부분은 상부층과 접촉할 수 있는 공간을 제공할 수 있다. 한편, 상기 제3 드레인 전극(175c)은 직선 막대 형상의 선형 부분 및 넓은 한쪽 말단 부분(177c)을 포함할 수 있다. 선형 부분의 끝은 제3 소스 전극(175c)에 의하여 둘러싸여 있으며, 넓은 한쪽 끝 부분(177c)은 유지 확장부(126)와 중첩하여 강압 축전기(Cstd)일 수 있다.
상기 제1 내지 제3 게이트 전극(124h, 124l, 124c), 제1 내지 제3 소스 전극(173h, 173l, 173c), 및 상기 제1 내지 제3 드레인 전극(175h, 175l, 175c)은 상기 제1 내지 제3 반도체(154h, 154l, 154c)와 함께 각각 하나의 제1, 제2 및 제3 박막 트랜지스터(thin film transistor, TFT)를 구성할 수 있다. 여기서, 박막 트랜지스터의 채널(channel)은 각 소스 전극(173h, 173l, 173c)과 각 드레인 전극(175h, 175l, 175c) 사이의 각 반도체(154h, 154l, 154c)에 형성된다. 각 채널은 각 반도체(154h, 154l, 154c) 중에서 저항성 접촉 부재(163h, 165h, 163l, 165l, 163c, 165c)로 가려지지 않고 노출된 영역에 형성될 수 있다.
또한, 상기 제1 내지 제3 반도체(154h, 154l, 154c)를 포함하는 상기 선형 반도체(151)는 상기 소스 전극(173h, 173l, 173c)과 상기 드레인 전극(175h, 175l, 175c) 사이의 채널 영역을 제외하고는 데이터 도전체 및 그 하부의 저항성 접촉 부재(161, 165h)와 실질적으로 동일한 평면 형상을 가질 수 있다. 즉, 상기 제1 내지 제3 반도체(154h, 154l, 154c)를 포함하는 상기 선형 반도체(151)에는 상기 소스 전극(173h, 173l, 173c)과 상기 드레인 전극(175h, 175l, 175c) 사이를 비롯하여 상기 데이터 도전체(171, 175h, 175l, 175c)에 의해 가리지 않고 노출된 부분이 존재할 수 있다.
상기 데이터 도전체(171, 175h, 175l, 175c) 및 노출된 상기 제1 내지 제3 반도체(154h, 154l, 154c) 상에는 실리콘 질화물 및 실리콘 산화물 중 하나를 포함하는 하부 보호막(180p)이 배치될 수 있다.
상기 하부 보호막(180p) 상에는 컬러 필터(180q)가 배치될 수 있다. 상기 컬러 필터(180q)는 적색, 녹색, 청색, 시안, 마젠타 및 황색 중 어느 하나의 색상을 가질 수 있다.
상기 컬러 필터(180q) 상에는 덮개층(230)이 배치될 수 있다. 상기 덮개층(230)은 실리콘 질화물 및 실리콘 산화물 중 하나를 포함할 수 있다. 상기 덮개층(230)은 상기 컬러 필터(180q)의 일부를 노출시키는 개구부(185c)를 구비한다. 상기 개구부(185c)는 광이 투과하지 않는 영역에 배치될 수 있다. 또한, 상기 개구부(185c)의 깊이는 상기 컬러 필터(180q)의 상기 덮개층(230)의 두께 이상일 수 있다. 예를 들면, 상기 개구부(185c)는 상기 덮개층(230)을 관통하여 상기 컬러 필터(180q)의 일부까지 침투할 수 있다.
상기 개구부(185c)는 상기 덮개층(230)에 발생하는 스트레스를 해소할 수 있다. 또한, 상기 개구부(185c)는 상기 컬러 필터(180q)에서 발생하는 아웃가스(outgas)의 배출 통로일 수 있다.
상기 덮개층(230) 상에는 제1 부화소 전극(191h) 및 제2 부화소 전극(191l)을 포함하는 화소 전극이 배치될 수 있다.
상기 화소 전극은 투명 도전성 산화물을 포함할 수 있다. 상기 투명 도전성 산화물은 ITO(Indium Tin Oxide), IZO(Indium Zinc Oxide), AZO(Aluminum Zinc Oxide), GZO(gallium doped zinc oxide), ZTO(zinc tin oxide), GTO(Gallium tin oxide) 및 FTO(fluorine doped tin oxide) 중 하나일 수 있다.
상기 제1 부화소 전극(191h) 및 상기 제2 부화소 전극(191l)은 상기 제2 방향에서 상하로 배치될 수 있다.
상기 제1 부화소 전극(191h)의 전체적인 모양은 사각형일 수 있다. 상기 제1 부화소 전극(191h)은 가로 줄기부 및 세로 줄기부를 포함하는 십(十)자 줄기부(195h), 외곽을 둘러싸는 외곽 줄기부(196h), 그리고 제1 접촉 구멍(185h)을 통하여 제1 드레인 전극(175h), 전기적으로 연결되기 위하여 외곽 줄기부(196h)의 하단으로부터 아래로 돌출한 돌출부(192h)를 포함할 수 있다. 또한, 상기 제1 부화소 전극(191h)은 상기 십자 줄기부(195h) 및 상기 외곽 줄기부(186h)에 각각 일측 단이 연결되어 있으며, 사선 방향으로 형성되어 있는 제1 미세 가지 전극(91h)을 포함할 수 있다.
상기 제2 부화소 전극(191l)의 전체적인 모양도 사각형일 수 있다. 상기 제2 부화소 전극(191l)은 가로 줄기부 및 세로 줄기부를 포함하는 십(十)자 줄기부(195l), 상단 가로부(196la) 및 하단 가로부(196lb), 제2 접촉 구멍(185l)을 통하여 제2 드레인 전극(175l)와 전기적으로 연결되도록 상단 가로부(196la)의 상단으로부터 위로 돌출되어 있는 돌출부(192l)를 포함할 수 있다. 또한, 상기 제2 부화소 전극(191l)은 십자 줄기부(195l)에 각각 일측 단이 연결되어 있으며, 사선 방향으로 형성되어 있는 제2 미세 가지 전극(91l)을 포함할 수 있다.
상기 제1 부화소 전극(191h) 및 상기 제2 부화소 전극(191l)은 십자 줄기부(195h, 195l)에 의해 네 개의 부영역으로 구분될 수 있다. 각 부영역은 상기 십자 줄기부(195h, 195l)로부터 바깥쪽으로 비스듬하게 뻗는 복수의 상기 미세 가지 전극(91h, 91l)을 포함한다. 상기 부영역 내의 상기 미세 가지 전극(91h, 91l)은 미세 슬릿 패턴을 형성하며, 상기 미세 가지 전극(91h, 91l)이 상기 게이트선(121)과 이루는 각은 대략 45도 또는 135도일 수 있다. 이웃하는 두 부영역의 상기 미세 가지 전극 (91h, 91l)은 서로 직교할 수 있다. 상기 제1 부화소 전극(191h)의 돌출부(192h)는 제1 접촉 구멍(185h)을 통해 상기 제1 드레인 전극(175h)으로부터 데이터 전압을 인가받을 수 있다. 상기 제2 부화소 전극(191l)의 돌출부(192l)는 제2 접촉 구멍(185l)을 통해 상기 제2 드레인 전극(175l)으로부터 데이터 전압을 인가받을 수 있다. 여기서, 상기 제2 부화소 전극(191l)이 인가받는 데이터 전압은 상기 제1 부화소 전극(191h)이 인가받는 데이터 전압보다 작을 수 있다.
상기 제2 기판(200)은 제2 베이스 기판(210), 차광 부재(220), 오버코트층(240), 및 공통 전극(270)을 포함할 수 있다.
상기 제2 베이스 기판(210)은 상기 제1 베이스 기판(110)과 동일할 수 있다.
상기 차광 부재(220)는 상기 제1 베이스 기판(110)에 마주하는 상기 제2 베이스 기판(210)의 면 상에 배치될 수 있다. 상기 차광 부재(220)는 상기 액정 표시 장치의 광이 투과하지 않는 영역에 대응하여 배치될 수 있다. 예를 들면, 상기 차광 부재(220)는 상기 화소 영역에서, 상기 박막 트랜지스터들이 배치되는 영역, 및 상기 데이터 라인(171)이 배치되는 영역에 대응하여 배치될 수 있다. 상기 차광 부재(220)는 금속, 예를 들면, 크롬을 포함할 수 있다.
상기 오버코트층(240)은 상기 차광 부재(220)를 커버하고, 상기 제2 베이스 기판(210)의 표면을 평탄화할 수 있다.
상기 공통 전극(270)은 상기 오버코트층(240) 상에 배치될 수 있다. 상기 공통 전극(270)은 상기 화소 전극과 동일한 물질을 포함할 수 있다.
이하에서는 도 1 및 도 2에 도시된 따른 액정 표시 장치의 제조 방법을 설명한다.
도 3 및 4는 도 1 및 도 2에 도시된 액정 표시 장치의 제조 방법을 설명하기 위한 공정 단면도이다.
도 3 및 도 4를 참조하면, 액정 표시 장치의 제조 방법은 제1 기판을 제조하는 단계, 제2 기판을 제조하는 단계, 제1 기판 및 제2 기판 사이에 액정층을 배치하는 단계, 및 제1 기판 및 제2 기판을 합착하는 단계를 포함할 수 있다.
상기 제1 기판을 제조하는 단계는 도 3에 도시된 바와 같이, 제1 베이스 기판(110) 상에 게이트 도전체, 반도체, 데이터 도전체, 컬러 필터(180q), 덮개층(230), 및 화소 전극을 형성한다.
이를 보다 상세히 설명하면, 우선, 제1 베이스 기판(110) 상에 게이트 도전체를 형성한다. 상기 게이트 도전체는 복수의 게이트 라인(121), 복수의 강압 게이트 라인(123), 및 복수의 유지 전극 라인(125)을 포함할 수 있다. 상기 게이트 라인(121)은 제1 방향과 교차하는 제2 방향, 예를 들면, 세로 방향으로 돌출된 제1 게이트 전극(124h), 및 제2 게이트 전극(124l)을 포함할 수 있다. 상기 강압 게이트 라인(123)은 상기 제2 방향으로 돌출된 제3 게이트 전극(124c)을 포함할 수 있다.
상기 게이트 도전체를 형성한 후, 상기 게이트 도전체 상에 게이트 절연막(140)을 형성한다. 상기 게이트 절연막(140)은 상기 게이트 도전체를 커버할 수 있다. 상기 게이트 절연막(140)은 실리콘 질화물 및 실리콘 산화물 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
상기 게이트 절연막(140)을 형성한 후, 상기 게이트 절연막(140) 상에 복수의 선형 반도체(151)를 형성한다. 상기 선형 반도체는 비정질 실리콘, 결정질 실리콘, 및 산화물 반도체 물질 중 하나를 포함할 수 있다. 상기 선형 반도체(151)는 제1 내지 제3 반도체(154h, 125l, 154c)를 포함할 수 있다.
상기 선형 반도체(151)를 형성한 후, 상기 선형 반도체(151) 상에 선형 저항성 접촉 부재(161)를 형성한다. 상기 선형 저항성 접속 부재(161)는 상기 제1 반도체(154h) 상에 배치되는 제1 저항성 접촉 부재(163h, 165h), 상기 제2 반도체(154l) 및 상기 제3 반도체(154c) 상에 각각 배치되는 제2 저항성 접촉 부재(163l, 165l), 및 제3 저항성 접촉 부재(163c, 165c)를 포함할 수 있다.
상기 저항성 접촉 부재(161)를 형성한 후, 데이터 도전체를 형성한다. 상기데이터 도전체는 상기 저항성 접촉 부재(161) 상에 배치되는 복수의 데이터 라인(171), 복수의 제1 드레인 전극(175h), 복수의 제2 드레인 전극(175l), 및 복수의 제3 드레인 전극(175c)을 포함할 수 있다. 상기 데이터 라인(171)은 'U'자 형태를 가지는 제1 소스 전극(173h) 및 제2 소스 전극(173l)을 포함할 수 있다. 상기 제1 소스 전극(173h) 및 상기 제2 소스 전극(173l)은 서로 반전된 형상일 수 있다. 상기 제2 드레인 전극(175l)의 일부는 제3 소스 전극(173c)일 수 있다.
상기 데이터 도전체를 형성한 후, 상기 하부 보호막(180p)을 형성한다. 상기 하부 보호막(180p)은 실리콘 질화물 및 실리콘 산화물 중 하나를 포함할 수 있다. 또한, 상기 하부 보호막(180p)은 상기 데이터 도전체를 커버할 수 있다.
상기 하부 보호막(180p)을 형성한 후, 상기 하부 보호막(180p) 상에 컬러 필터(180q)를 형성한다. 상기 컬러 필터(180q)는 적색, 녹색, 청색, 시안, 마젠타 및 황색 중 어느 하나의 색상을 가질 수 있다.
상기 컬러 필터(180q)를 형성한 후, 상기 컬러 필터(180q) 상에 덮개층(230)을 형성한다. 상기 덮개층(230)은 상기 컬러 필터(180q)의 보호막일 수 있다. 상기 덮개층(230)은 실리콘 질화물 및 실리콘 산화물 중 하나를 포함할 수 있다.
상기 덮개층(230)을 형성한 후, 상기 덮개층(230)을 패터닝하여, 상기 컬러 필터(180q)의 일부를 노출시키는 개구부(185c)를 형성한다. 상기 개구부(185c)는 광이 투과하지 않는 영역에 배치될 수 있다. 또한, 상기 개구부(185c)의 깊이는 상기 덮개층(230)의 두께 이상일 수 있다. 예를 들면, 상기 개구부(185c)는 상기 덮개층(230)을 관통하여 상기 컬러 필터(180q)의 일부까지 침투할 수 있다.
상기 개구부(185c)를 형성한 후, 상기 컬러 필터(180q)에 UV를 조사한다. 상기 UV 조사에 의하여 상기 컬러 필터(180q)는 경화될 수 있다. 상기 컬러 필터(180q)의 경화에 의해 상기 덮개층(230) 및 상기 컬러 필터(180q) 사이에서 스트레스가 발생할 수 있다. 그러나, 상기 스트레스는 상기 개구부(185c)에 의해 해소될 수 있다.
또한, 상기 UV 조사에 의하여 상기 덮개층(230) 및 상기 컬러 필터(180q) 사이에 존재하는 잔류 가스가 배출될 수 있다.
상기 UV를 조사하여 잔류 가스를 배출한 후, 상기 덮개층(230) 상에 화소 전극을 형성한다. 상기 화소 전극은 제1 부화소 전극(191h) 및 제2 부화소 전극(191l)을 포함을 포함할 수 있다.
상기 제1 부화소 전극(191h)의 전체적인 모양은 사각형일 수 있다. 상기 제1 부화소 전극(191h)은 가로 줄기부 및 세로 줄기부를 포함하는 십(十)자 줄기부(195h), 외곽을 둘러싸는 외곽 줄기부(196h), 그리고 제1 접촉 구멍(185h)을 통하여 제1 드레인 전극(175h), 전기적으로 연결되기 위하여 외곽 줄기부(196h)의 하단으로부터 아래로 돌출한 돌출부(192h)를 포함할 수 있다. 또한, 상기 제1 부화소 전극(191h)은 상기 십자 줄기부(195h) 및 상기 외곽 줄기부(186h)에 각각 일측 단이 연결되어 있으며, 사선 방향으로 형성되어 있는 제1 미세 가지 전극(91h)을 포함할 수 있다.
상기 제2 부화소 전극(191l)의 전체적인 모양도 사각형일 수 있다. 상기 제2 부화소 전극(191l)은 가로 줄기부 및 세로 줄기부를 포함하는 십(十)자 줄기부(195l), 상단 가로부(196la) 및 하단 가로부(196lb), 제2 접촉 구멍(185l)을 통하여 제2 드레인 전극(175l)와 전기적으로 연결되도록 상단 가로부(196la)의 상단으로부터 위로 돌출되어 있는 돌출부(192l)를 포함할 수 있다. 또한, 상기 제2 부화소 전극(191l)은 십자 줄기부(195l)에 각각 일측 단이 연결되어 있으며, 사선 방향으로 형성되어 있는 제2 미세 가지 전극(91l)을 포함할 수 있다.
상기 제2 기판(200)을 제조하는 단계는 도 4에 도시된 바와 같이, 제2 베이스 기판(210) 상에 차광 부재(220), 오버코트층(240), 및 공통 전극(270)을 형성한다.
이를 보다 상세히 설명하면, 우선, 상기 제1 베이스 기판(110)에 마주하는 상기 제2 베이스 기판(210)의 면 상에 상기 차광 부재(220)를 형성한다. 상기 차광 부재(220)는 상기 액정 표시 장치의 광이 투과하지 않는 영역에 대응하여 배치될 수 있다. 예를 들면, 상기 차광 부재(220)는 상기 화소 영역에서, 상기 박막 트랜지스터들이 배치되는 영역, 및 상기 데이터 라인(171)이 배치되는 영역에 대응하여 배치될 수 있다.
상기 차광 부재(220)를 형성한 후, 상기 차광 부재(220)를 커버하고, 상기 제2 베이스 기판(210)의 표면을 평탄화시킬 수 있는 오버코트층(240)을 형성한다.
상기 오버코트층(240)을 형성한 후, 상기 오버코트층(240) 상에 공통 전극(270)을 형성한다.
상기 제1 기판(100) 및 제2 기판(200) 사이에 액정층(300)을 배치하는 단계는 상기 제1 기판(100) 상에 복수의 액정 분자들을 포함하는 액정층(300)을 배치하고, 상기 액정층(300) 상에 상기 제2 기판(200)을 배치한다. 여기서, 상기 제2 기판(200)의 상기 공통 전극(270)은 상기 제1 기판(100)의 상기 화소 전극에 마주할 수 있다.
상기 액정층(300)을 배치한 후, 상기 화소 전극 및 상기 공통 전극(270)에 전압을 인가하여, 상기 화소 전극 및 상기 공통 전극(270) 사이에 전계를 형성한다. 그런 다음, 상기 액정층(300)에 UV를 조사하면, 상기 액정층(300)의 액정 분자들이 초기 배향 방향인 프리틸트(pre-tilt)될 수 있다.
상기 제1 기판(100) 및 제2 기판(200)을 합착하는 단계는 상기 제1 기판(100) 및 상기 제2 기판(200)을 실런트 등의 봉지재를 이용하여 합착하여, 상기 액정층(300)이 누설되는 것을 방지한다.
상기 액정 표시 장치의 제조 방법은 2회의 UV를 조사한다. 1차 UV 조사는 상기 컬러 필터(180q) 상에 상기 덮개층(230)을 형성하고, 상기 개구부(185c)를 형성한 후에 실시된다. 상기 1차 UV 조사에 의해 상기 컬러 필터(180q)에 잔류하는 가스가 상기 개구부(185c)를 통하여 외부로 배출될 수 있다. 또한, 상기 덮개층(230) 및 상기 컬러 필터(180q) 사이에 포집된 H2, N2 등의 가스도 상기 개구부(185c)를 통하여 외부로 배출될 수 있다.
2차 UV 조사는 상기 액정층(300)의 상기 액정 분자들을 프리틸트시키기 위하여 실시된다.
1차 UV 조사에 의해 상기 개구부(185c)를 통하여 아웃 개싱이 충분히 이루어지므로, 2차 UV를 조사하더라도, 상기 컬러 필터(180q)에서 가스의 배출이 이루어지지 않는다. 따라서, 가스 배출에 의한 상기 액정층(300)의 버블을 방지할 수 있다. 따라서, 상기 액정 표시 장치의 제조 방법에 따라 제조된 액정 표시 장치는 빛샘 현상이 발생하는 AUA(active unfilled area) 불량을 방지할 수 있다. 따라서, 액정 표시 장치의 표시 품질은 시간의 경과에 따라 변화가 적을 수 있다.
이하, 도 5 내지 도 7을 통하여 본 발명의 다른 실시예를 설명한다. 도 5 내지 도 7에 있어서, 도 1 내지 도 4에 도시된 구성 요소와 동일한 구성 요소는 동일한 참조번호를 부여하고, 그에 대한 구체적인 설명은 생략한다. 또한, 도 5 내지 도 7에서는 중복된 설명을 피하기 위하여 도 1 내지 도 4와 다른 점을 위주로 설명한다.
도 5 내지 도 7은 본 발명의 다른 실시예에 따른 액정 표시 장치의 제조 방법을 설명하기 위한 공정 단면도이다.
도 5를 참조하면, 액정 표시 장치의 제조 방법은 제1 기판을 제조하는 단계, 제2 기판을 제조하는 단계, 제1 기판 및 제2 기판 사이에 액정층을 배치하는 단계, 및 제1 기판 및 제2 기판을 합착하는 단계를 포함할 수 있다.
상기 제1 기판을 제조하는 단계는 도 3에 도시된 바와 같이, 제1 베이스 기판(110) 상에 게이트 도전체, 반도체, 데이터 도전체, 컬러 필터(180q), 덮개층(230), 및 화소 전극을 형성한다.
이를 보다 상세히 설명하면, 상기 제1 베이스 기판(110) 상에 상기 게이트 도전체를 형성하고, 상기 게이트 도전체 상에 게이트 절연막(140)을 형성한다.
상기 게이트 절연막(140)을 형성한 후, 상기 게이트 절연막(140) 상에 복수의 선형 반도체(151)를 형성하고, 상기 선형 반도체(151) 상에 선형 저항성 접촉 부재(161)를 형성한다.
상기 저항성 접촉 부재(161)를 형성한 후, 데이터 도전체를 형성하고, 상기 데이터 도전체를 커버하는 상기 하부 보호막(180p)을 형성한다.
상기 하부 보호막(180p)을 형성한 후, 상기 하부 보호막(180p) 상에 컬러 필터(180q)를 형성하고, 상기 컬러 필터(180q) 상에 덮개층(230)을 형성한다.
상기 덮개층(230)을 형성한 후, 상기 덮개층(230)을 패터닝하여, 상기 컬러 필터(180q)의 일부를 노출시키는 개구부(185c)를 형성한다. 상기 개구부(185c)는 광이 투과하지 않는 영역에 배치될 수 있다. 또한, 상기 개구부(185c)의 깊이는 상기 컬러 필터(180q)의 상기 덮개층(230)의 두께 이상일 수 있다. 예를 들면, 상기 개구부(185c)는 상기 덮개층(230)을 관통하여 상기 컬러 필터(180q)의 일부까지 침투할 수 있다.
상기 개구부(185c)를 형성한 후, 상기 덮개층(230) 상에 화소 전극을 형성한다. 상기 화소 전극은 제1 부화소 전극(191h) 및 제2 부화소 전극(191l)을 포함을 포함할 수 있다.
상기 제2 기판(200)을 제조하는 단계는 제2 베이스 기판(210) 상에 차광 부재(220), 오버코트층(240), 및 공통 전극(270)을 형성한다.
이를 보다 상세히 설명하면, 우선, 상기 제1 베이스 기판(110)에 마주하는 상기 제2 베이스 기판(210)의 면 상에 상기 차광 부재(220)를 형성한다. 상기 차광 부재(220)는 상기 액정 표시 장치의 광이 투과하지 않는 영역에 대응하여 배치될 수 있다. 또한, 상기 차광 부재(220)는 상기 개구부(185c)에 대응하는 오픈부(220c)를 구비할 수 있다. 여기서, 상기 오픈부(220c)의 면적은 상기 개구부(185c)의 면적보다 클 수 있다.
상기 차광 부재(220)를 형성한 후, 상기 차광 부재(220)를 커버하고, 상기 제2 베이스 기판(210)의 표면을 평탄화시킬 수 있는 오버코트층(240)을 형성한다.
상기 오버코트층(240)을 형성한 후, 상기 오버코트층(240) 상에 공통 전극(270)을 형성한다.
상기 제1 기판(100) 및 제2 기판(200) 사이에 액정층(300)을 배치하는 단계는 상기 제1 기판(100) 상에 복수의 액정 분자들을 포함하는 액정층(300)을 배치하고, 상기 액정층(300) 상에 상기 제2 기판(200)을 배치한다. 여기서, 상기 제2 기판(200)의 상기 공통 전극(270)은 상기 제1 기판(100)의 상기 화소 전극에 마주할 수 있다.
상기 액정층(300)을 배치한 후, 상기 화소 전극 및 상기 공통 전극(270)에 전압을 인가하여, 상기 화소 전극 및 상기 공통 전극(270) 사이에 전계를 형성한다. 그런 다음, 상기 액정층(300)에 UV를 조사하면, 상기 액정층(300)의 액정 분자들이 초기 배향 방향인 프리틸트(pre-tilt)될 수 있다.
또한, 상기 액정 표시 장치의 광이 투과하지 않는 영역에서, 상기 차광 부재(220)의 오픈부(220c)를 통하여, 상기 컬러 필터(180q)로 상기 UV가 조사될 수 있다. 상기 UV에 의하여, 상기 컬러 필터(180q)에 잔류하는 가스가 상기 개구부(185c)를 통하여 외부로 배출될 수 있다. 또한, 상기 덮개층(230) 및 상기 컬러 필터(180q) 사이에 포집된 H2, N2 등의 가스도 상기 개구부(185c)를 통하여 외부로 배출될 수 있다.
상기 UV를 조사한 후, 상기 차광 부재(220)의 상기 오픈부(220c)에 인접한 영역에 레이저를 조사한다. 상기 레이저에 의하여 상기 차광 부재(220)의 상기 오픈부(220c)에 인접한 영역은 국부적으로 용융될 수 있으며, 용융된 상기 차광 부재(220)는 상기 오픈부(220c)를 채우게 된다. 따라서, 상기 레이저에 의하여 상기 차광 부재(220)의 상기 오픈부(220c)는 제거될 수 있다.
상기 제1 기판(100) 및 제2 기판(200)을 합착하는 단계는 상기 제1 기판(100) 및 상기 제2 기판(200)을 실런트 등의 봉지재를 이용하여 합착하여, 상기 액정층(300)이 누설되는 것을 방지한다.
상기 액정 표시 장치의 제조 방법은 UV를 조사하여 상기 액정 분자들을 프리틸트시킴과 동시에, 상기 컬러 필터(180q)의 잔류 가스를 배출시킨다. 상기 컬러 필터(180q)의 잔류 가스의 배출은 상기 차광 부재(220)의 오픈부(220c)를 통하여 조사된 UV에 의해 발생한다. 또한, 상기 차광 부재(220)는 레이저에 의해 리페어(repair)되어 상기 오픈부(220c)가 제거될 수 있다.
상기 액정 표시 장치의 제조 방법에 따라 제조된 액정 표시 장치는 상기 UV에 의하여 미리 잔류 가스가 배출될 수 있다. 따라서, 배출된 가스가 상기 액정층(300)에 버블을 형성하더라도, 상기 액정 표시 장치의 사용 중에는 더 이상의 버블이 생성되지 않는다. 따라서, 상기 액정 표시 장치는 시간이 경과하더라도 표시 품질의 변화가 발생하지 않을 수 있다.
이상의 상세한 설명은 본 발명을 예시하고 설명하는 것이다. 또한, 전술한 내용은 본 발명의 바람직한 실시 형태를 나타내고 설명하는 것에 불과하며, 전술한 바와 같이 본 발명은 다양한 다른 조합, 변경 및 환경에서 사용할 수 있으며, 본 명세서에 개시된 발명의 개념의 범위, 저술한 개시 내용과 균등한 범위 및/또는 당업계의 기술 또는 지식의 범위 내에서 변경 또는 수정이 가능하다. 따라서, 이상의 발명의 상세한 설명은 개시된 실시 상태로 본 발명을 제한하려는 의도가 아니다. 또한, 첨부된 청구범위는 다른 실시 상태도 포함하는 것으로 해석되어야 한다.
100: 제1 기판 110, 210: 베이스 기판
121: 게이트선 123: 강압 게이트선
125: 유지 전극선 140: 게이트 절연막
151, 154, 154h, 154l, 154c: 반도체
161, 163, 165, 163h, 165h: 저항성 접촉 부재
171: 데이터선 173, 173h, 173l, 173c: 소스 전극
175, 175h, 175l, 175c: 드레인 전극
180p: 보호막 185h, 185l: 접촉 구멍
185c; 개구부 191, 191h, 191l: 화소 전극
200: 제2 기판 220: 차광 부재
220c; 오픈부 230: 색필터
270: 공통 전극 300: 액정층

Claims (8)

  1. 제1 베이스 기판 상에 배치된 게이트 도전체, 선형 반도체, 데이터 도전체, 컬러 필터, 덮개층 및 화소 전극을 포함하는 제1 기판을 제조하는 단계;
    상기 제1 기판에 마주하고, 공통 전극을 구비하는 제2 기판을 제조하는 단계;
    상기 제1 기판 및 상기 제2 기판 사이에 액정층을 배치하는 단계; 및
    상기 제1 기판 및 상기 제2 기판을 합착하는 단계를 포함하며,
    상기 제1 기판을 제조하는 단계는
    제1 내지 제3 게이트 전극 및 게이트 라인을 포함하는 게이트 도전체를 상기 제1 베이스 기판 상에 형성하는 단계;
    상기 게이트 도전체를 커버하는 게이트 절연막 상에 제1 내지 제3 반도체를 포함하는 선형 반도체를 형성하는 단계;
    상기 반도체 상에 배치되고, 제1 내지 제3 소스 전극, 제1 내지 제3 드레인 전극 및 데이터 라인을 포함하는 데이터 도전체를 형성하는 단계;
    상기 데이터 도전체를 커버하는 하부 보호막 상에 컬러 필터를 형성하는 단계;
    상기 컬러 필터 상에 상기 컬러 필터의 일부를 노출시키는 개구부를 구비하는 덮개층을 형성하는 단계;
    상기 개구부를 통하여 상기 컬러 필터에서 가스를 배출시키는 단계; 및
    상기 덮개층 상에 화소 전극을 형성하는 단계를 포함하는 액정 표시 장치의 제조 방법.
  2. 제1 항에 있어서,
    상기 가스를 배출시키는 단계는 상기 컬러 필터에 UV를 조사하는 액정 표시 장치의 제조 방법.
  3. 제2 항에 있어서,
    상기 개구부의 깊이는 상기 덮개층의 두께 이상인 액정 표시 장치의 제조 방법.
  4. 제3 항에 있어서,
    상기 선형 반도체 및 상기 데이터 도전체 사이에 저항성 접촉 부재를 형성하는 단계를 더 포함하는 액정 표시 장치의 제조 방법.
  5. 제1 베이스 기판 상에 배치된 게이트 도전체, 선형 반도체, 데이터 도전체, 컬러 필터, 덮개층 및 화소 전극을 포함하고, 상기 덮개층은 상기 컬러 필터를 노출시키는 개구부를 구비하는 제1 기판을 제조하는 단계;
    제2 베이스 기판 상에 배치된 차광 부재 및 공통 전극을 포함하고, 상기 차광 부재는 상기 개구부에 대응하는 오픈부를 구비하는 제2 기판을 제조하는 단계;
    상기 제1 기판 및 상기 제2 기판 사이에 액정층을 배치하는 단계;
    UV를 조사하여 상기 액정층의 액정 분자들을 프리틸트시킴과 동시에 상기 개구부를 통하여 상기 컬러 필터에서 가스를 배출시키는 단계;
    상기 액정층에 광을 조사하여 상기 액정층의 액정 분자들을 프리틸트시키는 단계; 및
    상기 제1 기판 및 상기 제2 기판을 합착하는 단계를 포함하는 액정 표시 장치의 제조 방법.
  6. 제5 항에 있어서,
    상기 액정 분자들을 프리틸트 시킨 후, 상기 차광 부재를 리페어하여 상기 오픈부를 제거하는 단계를 더 포함하는 액정 표시 장치의 제조 방법.
  7. 제6 항에 있어서,
    상기 오픈부를 제거하는 단계는, 상기 차광 부재의 상기 오픈부에 인접한 영역에 레이저를 조사하여 상기 차광 부재를 국부적으로 용융시켜, 용융된 상기 차광 부재가 상기 오픈부를 채우는 액정 표시 장치의 제조 방법.
  8. 제 6항에 있어서,
    상기 오픈부의 면적은 상기 개구부의 면적보다 큰 액정 표시 장치의 제조 방법.
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