KR102561938B1 - 탄성파 필터 장치 - Google Patents

탄성파 필터 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR102561938B1
KR102561938B1 KR1020200139880A KR20200139880A KR102561938B1 KR 102561938 B1 KR102561938 B1 KR 102561938B1 KR 1020200139880 A KR1020200139880 A KR 1020200139880A KR 20200139880 A KR20200139880 A KR 20200139880A KR 102561938 B1 KR102561938 B1 KR 102561938B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
wave filter
elastic wave
connection
filter chip
filter device
Prior art date
Application number
KR1020200139880A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20220055612A (ko
Inventor
정경문
정영민
박성환
Original Assignee
삼성전기주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성전기주식회사 filed Critical 삼성전기주식회사
Priority to KR1020200139880A priority Critical patent/KR102561938B1/ko
Publication of KR20220055612A publication Critical patent/KR20220055612A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102561938B1 publication Critical patent/KR102561938B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/25—Constructional features of resonators using surface acoustic waves
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02—Details
    • H03H9/02535—Details of surface acoustic wave devices
    • H03H9/02543—Characteristics of substrate, e.g. cutting angles
    • H03H9/02574—Characteristics of substrate, e.g. cutting angles of combined substrates, multilayered substrates, piezoelectrical layers on not-piezoelectrical substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/15—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material
    • H03H9/17—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material having a single resonator
    • H03H9/171—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material having a single resonator implemented with thin-film techniques, i.e. of the film bulk acoustic resonator [FBAR] type
    • H03H9/172—Means for mounting on a substrate, i.e. means constituting the material interface confining the waves to a volume

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Acoustics & Sound (AREA)
  • Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)

Abstract

상면에 복수개의 접속패드가 구비되는 제1 기판과, 상기 접속패드에 연결되는 탄성파 필터 칩 및 상기 접속패드와 상기 탄성파 필터 칩 사이에 배치되는 복수개의 연결부재를 포함하며, 상기 복수개의 접속패드 중 적어도 상기 탄성파 필터 칩의 모서리 측에 배치되는 접속패드에는 돌출부가 구비되는 탄성파 필터 장치가 개시된다.

Description

탄성파 필터 장치{Bulk-Acoustic wave filter device}
본 발명은 탄성파 필터 장치에 관한 것이다.
최근 MEMS(Micro Electro Mechanical Systems) 기술은 향후 모바일 및 IT관련 분야를 중심으로 다양한 기술 분야를 주도할 혁신적인 시스템 소형화 분야로 시장이 확대되고 있다. 특히 무선통신 기지국 및 스마트폰 등의 무선 통신 시스템 분야에서 소형화, 다기능화 및 고성능화를 실현시키기 위해 BAW (Bulk Acoustic Wave) Filter 소자는 필수적인 부품으로 매우 중요한 역할을 하고 있다.
한편, 탄성파 필터 장치는 기판을 포함한 패키지 형태로 제작이 되며, 최근 범프(Bump)를 이용한 플립칩(Flip-Chip) 방식에 의한 패키지 구조를 채용하고 있다.
하지만, 플립칩(Flip-Chip) 방식에 의한 패키지 구조를 구현하는 경우, 열 사이클(Thermal Cycle)에 대한 신뢰성 시험 시 기판과 탄성파 필터 칩의 열팽창계수 차이로 인한 열응력이 범프에 집중되는 문제가 있다.
연결부재에 가해지는 열응력을 감소시킬 수 있는 탄성파 필터 장치가 제공된다.
본 발명의 일 실시예에 따른 탄성파 필터 장치는 상면에 복수개의 접속패드가 구비되는 제1 기판과, 상기 접속패드에 연결되는 탄성파 필터 칩 및 상기 접속패드와 상기 탄성파 필터 칩 사이에 배치되는 복수개의 연결부재를 포함하며, 상기 복수개의 접속패드 중 적어도 상기 탄성파 필터 칩의 모서리 측에 배치되는 접속패드에는 돌출부가 구비될 수 있다.
연결부재에 가해지는 열응력을 감소시킬 수 있는 효과가 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 탄성파 필터 장치를 나타내는 정면도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 탄성파 필터 장치를 나타내는 평면도이다.
도 3은 도 2의 A부를 나타내는 확대도이다.
도 4는 종래 기술에 따른 탄성파 필터 장치에서 연결부재에 가해지는 열응력을 설명하는 설명도이다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 탄성파 필터 장치 연결부재에 가해지는 열응력을 설명하는 설명도이다.
도 6은 도 4 및 도 5에 도시된 연결부재에 가해지는 열응력을 나타내는 그래프이다.
도 7은 본 발명의 다른 실시예에 따른 탄성파 필터 장치를 나타내는 평면도이다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시 형태들을 설명한다. 그러나, 본 발명의 실시형태는 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 이하 설명하는 실시 형태로 한정되는 것은 아니다. 또한, 본 발명의 실시형태는 당해 기술분야에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해서 제공되는 것이다. 도면에서 요소들의 형상 및 크기 등은 보다 명확한 설명을 위해 과장될 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 탄성파 필터 장치를 나타내는 정면도이고, 도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 탄성파 필터 장치를 나타내는 평면도이고, 도 3은 도 2의 A부를 나타내는 확대도이다.
도 1 내지 도 3을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 탄성파 필터 장치(100)는 일예로서, 제1 기판(120), 탄성파 필터 칩(140) 및 연결부재(160)를 포함하여 구성될 수 있다.
제1 기판(120)은 상면에 복수개의 접속패드(122)가 구비될 수 있다. 그리고, 복수개의 접속패드(122)는 상호 이격 배치될 수 있다. 한편, 복수개의 접속패드(122)에는 탄성파 필터 칩(140)이 연결될 수 있으며, 이를 위해 복수개의 접속패드(122)의 내측 단부는 탄성파 필터 칩(140)의 하부에 배치될 수 있다. 일예로서, 접속패드(122)는 구리(Cu) 재질로 이루어질 수 있다. 다만, 이에 한정되지 않으며, 접속패드(122)의 재질은 전기 전도성을 가지는 어떠한 재질로도 변경 가능할 것이다.
또한, 접속패드(122)의 형상 및 개수도 도면에 도시된 형상 및 개수로 한정되지 않으며 다양하게 변경 가능할 것이다.
한편, 접속패드(122)에는 탄성파 필터 칩(140)의 저면 가장자리에 배치되는 돌출부(122a)가 구비될 수 있다. 돌출부(122a)의 상면에는 연결부재(160)가 배치되며, 연결부재(160)에 의해 탄성파 필터 칩(140)이 접속패드(122)에 실장된다.
일예로서, 접속패드(122)의 돌출부(122a)는 탄성파 필터 칩(140)의 중심부 방향을 향하여 돌출 형성될 수 있다. 즉, 탄성파 필터 칩(140)의 중심부를 제1 기판(120)에 투영한 영역, 예를 들어 제1 기판(120)의 투영점(C)을 향하여 돌출부(122a)가 돌출되도록 형성되는 것이다. 이에 따라, 연결부재(160)에 가해지는 열응력이 감소되어 열에 대한 연결부재(160)의 신뢰성이 향상될 수 있다. 이에 대한 자세한 설명은 후술하기로 한다.
한편, 기판(120)은 접속패드(122)와 패턴층(미도시)을 제외하고 세라믹 재질로 이루어질 수 있다.
탄성파 필터 칩(140)은 제1 기판(120)의 접속패드(122)에 연결부재(160)를 매개로 하여 실장된다. 일예로서, 탄성파 필터 칩(140)에는 복수개의 공진기(미도시)가 구비되며, 탄성파 필터 칩(140)의 저면에 연결패드(미도시)가 구비될 수 있다. 탄성파 필터 칩(140)은 대략 직육면체 형상을 가질 수 있으며, 연결패드는 탄성파 필터 칩(140)의 저면 가장자리에 배치될 수 있다.
연결부재(160)는 접속패드(122)와 탄성파 필터 칩(140)의 사이에 배치되며, 탄성파 필터 칩(140)과 제1 기판(120)을 전기적, 기계적으로 연결하는 역할을 수행한다. 일예로서, 연결부재(160)는 범프(Bump)일 수 있다. 또한, 연결부재(160)는 일예로서, 금(Au) 재질로 이루어질 수 있다. 다만, 이에 한정되지 않으며 연결부재(160)의 재질은 주석(Sn) 등의 재질로 변경 가능할 것이다. 한편, 복수개의 연결부재(160) 전부가 접속패드(122)의 돌출부(122a)에 배치될 수 있다. 이에 따라, 연결부재(160)에 가해지는 열응력이 감소되어 열에 대한 연결부재(160)의 신뢰성이 향상될 수 있다.
이에 대하여 보다 자세하게 살펴보면, 도 4에 도시된 바와 같이, 종래에는 연결부재(60)가 접속패드(22)에 배치되며 접속패드(22)에는 돌출부가 구비되지 않는다. 이러한 경우, 도 4에 도시된 바와 같이, 탄성파 필터 칩(미도시)과 제1 기판(20)의 열팽창계수의 차이에 따라 연결부재(60)에 열응력이 가해지며, 이러한 열응력은 탄성파 필터 칩의 중심을 향하는 방향으로 가해진다. 그리고, 접속패드(22)의 수축에 의해 연결부재(60)에 열응력이 가해지며, 이러한 열응력은 접속패드(22)의 외부로부터 접속패드(22) 측을 향하도록 가해진다.
이러한 경우, 연결부재(60)가 기울어지거나 틀어지는 경우가 발생된다.
하지만, 도 5에 도시된 바와 같이, 연결부재(160)가 접속패드(122)의 돌출부(122a)에 배치되므로, 탄성파 필터 칩(140)과 제1 기판(120)의 열팽창계수의 차이에 따라 연결부재(160)에 가해지는 열응력이 방향과 접속패드(22)의 수축에 의해 연결부재(60)에 가해지는 열응력의 방향이 서로 상쇄되면서 연결부재(160)에 가해지는 열응력이 감소될 수 있는 것이다.
그리고, 도 6의 그래프에 도시된 바와 같이, 종래기술과 비교하여 최고 30% 열응력이 감소됨을 알 수 있다.
이에 따라, 열에 대한 연결부재(160)의 신뢰성이 향상될 수 있는 것이다.
상기한 바와 같이, 연결부재(160)가 접속패드(122)의 돌출부(122a)에 배치됨으로써 연결부재(160)에 가해지는 열응력이 감소될 수 있다.
도 7은 본 발명의 다른 실시예에 따른 탄성파 필터 장치를 나타내는 평면도이다.
도 7을 참조하면, 탄성파 필터 장치(200)는 기판(220), 탄성파 필터 칩(140) 및 연결부재(160)를 포함하여 구성될 수 있다.
한편, 탄성파 필터 칩(140)과 연결부재(160)는 상기에서 설명한 구성요소와 동일한 구성요소로서 여기서는 자세한 설명을 생략하고 상기한 설명에 갈음하기로 한다.
기판(220)은 상면에 복수개의 접속패드(222)가 구비될 수 있다. 그리고, 복수개의 접속패드(222)는 상호 이격 배치될 수 있다. 한편, 복수개의 접속패드(222)에는 탄성파 필터 칩(140, 도 1 참조)이 연결될 수 있으며, 이를 위해 복수개의 접속패드(222)의 내측 단부는 탄성파 필터 칩(140)의 하부에 배치될 수 있다. 일예로서, 접속패드(222)는 구리(Cu) 재질로 이루어질 수 있다. 다만, 이에 한정되지 않으며, 접속패드(222)의 재질은 전기 전도성을 가지는 어떠한 재질로도 변경 가능할 것이다.
또한, 접속패드(222)의 형상 및 개수도 도면에 도시된 형상 및 개수로 한정되지 않으며 다양하게 변경 가능할 것이다.
한편, 접속패드(222)에는 탄성파 필터 칩(140)의 저면 가장자리에 배치되는 돌출부(222a)가 구비될 수 있다. 돌출부(222a)의 상면에는 연결부재(160)가 배치되며, 연결부재(160)에 의해 탄성파 필터 칩(140)이 접속패드(222)에 실장된다. 일예로서, 돌출부(222a)는 탄성파 필터 칩(140)의 모서리에 배치되는 영역에만 배치될 수 있다. 즉, 상기한 실시예에서는 복수개의 연결부재(160) 전부가 돌출부(122a)에 배치되나, 본 실시예에서는 복수개의 연결부재(160) 중 일부만이 돌출부(222a)에 배치될 수 있다.
일예로서, 접속패드(222)의 돌출부(222a)는 탄성파 필터 칩(140)의 중심부 방향을 향하여 돌출 형성될 수 있다. 즉, 탄성파 필터 칩(140)의 중심부를 제1 기판(220)에 투영한 영역, 예를 들어 제1 기판(220)의 투영점(C)을 향하여 돌출부(222a)가 돌출되도록 형성되는 것이다. 이에 따라, 연결부재(160)에 가해지는 열응력이 감소되어 열에 대한 연결부재(160)의 신뢰성이 향상될 수 있다.
한편, 기판(220)은 접속패드(222)와 패턴층(미도시)을 제외하고 세라믹 재질로 이루어질 수 있다.
상기한 바와 같이, 연결부재(160)가 접속패드(222)의 돌출부(222a)에 배치됨으로써 연결부재(160)에 가해지는 열응력이 감소될 수 있다.
이상에서 본 발명의 실시예에 대하여 상세하게 설명하였지만 본 발명의 권리범위는 이에 한정되는 것은 아니고, 청구범위에 기재된 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 다양한 수정 및 변형이 가능하다는 것은 당 기술분야의 통상의 지식을 가진 자에게는 자명할 것이다.
100, 200 : 탄성파 필터 장치
120, 220 : 기판
140 : 탄성파 필터 칩
160 : 연결부재

Claims (7)

  1. 상면에 복수개의 접속패드를 구비하는 제1 기판;
    상기 접속패드에 연결되는 탄성파 필터 칩; 및
    상기 접속패드와 상기 탄성파 필터 칩 사이에 배치되는 복수개의 연결부재;
    를 포함하며,
    상기 복수개의 접속패드 중 적어도 상기 탄성파 필터 칩의 모서리 측에 배치되는 접속패드에는 돌출부가 구비되며,
    상기 돌출부는 상기 탄성파 필터 칩의 중심부를 향하는 방향으로 돌출 형성되고,
    상기 복수개의 연결부재 전부가 상기 돌출부 상에 배치되는 탄성파 필터 장치.
  2. 삭제
  3. 삭제
  4. 삭제
  5. 제1항에 있어서,
    상기 연결부재는 범프(Bump)로 이루어지며, 금(Au) 재질로 이루어지는 탄성파 필터 장치.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 접속패드는 구리(Cu) 재질로 이루어지는 탄성파 필터 장치.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 탄성파 필터 칩과 상기 제1 기판은 열팽창계수가 서로 다른 탄성파 필터 장치.
KR1020200139880A 2020-10-27 2020-10-27 탄성파 필터 장치 KR102561938B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020200139880A KR102561938B1 (ko) 2020-10-27 2020-10-27 탄성파 필터 장치

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020200139880A KR102561938B1 (ko) 2020-10-27 2020-10-27 탄성파 필터 장치

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20220055612A KR20220055612A (ko) 2022-05-04
KR102561938B1 true KR102561938B1 (ko) 2023-08-01

Family

ID=81583827

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020200139880A KR102561938B1 (ko) 2020-10-27 2020-10-27 탄성파 필터 장치

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR102561938B1 (ko)

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100431182B1 (ko) * 2001-12-07 2004-05-12 삼성전기주식회사 표면 탄성파 필터 칩 패키지 및 그 제조방법
JP4091043B2 (ja) * 2004-12-22 2008-05-28 富士通メディアデバイス株式会社 分波器
KR100691160B1 (ko) * 2005-05-06 2007-03-09 삼성전기주식회사 적층형 표면탄성파 패키지 및 그 제조방법
KR20060116894A (ko) * 2005-05-11 2006-11-16 삼성전기주식회사 표면 탄성파 디바이스 패키지 및 그 제조 방법
JP5073355B2 (ja) * 2007-04-20 2012-11-14 太陽誘電株式会社 アンテナ分波器

Also Published As

Publication number Publication date
KR20220055612A (ko) 2022-05-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3967133B2 (ja) 半導体装置及び電子機器の製造方法
US7336017B2 (en) Stack type surface acoustic wave package, and method for manufacturing the same
US7446398B2 (en) Bump pattern design for flip chip semiconductor package
US20050019988A1 (en) Method and apparatus for attaching microelectronic substrates and support members
KR101828386B1 (ko) 스택 패키지 및 그의 제조 방법
WO1999034436A1 (fr) Dispositif semi-conducteur
US6448635B1 (en) Surface acoustical wave flip chip
JP2003100803A (ja) 半導体装置及びその製造方法
US20180062611A1 (en) Rf module including saw device, method of manufacturing the rf module, the saw device, and method of manufacturing the saw device
KR20130022821A (ko) 스택 패키지 및 그의 제조 방법
JP6284717B2 (ja) 電子部品、及び電子部品の製造方法
KR102561938B1 (ko) 탄성파 필터 장치
JP4556671B2 (ja) 半導体パッケージ及びフレキシブルサーキット基板
JP4557757B2 (ja) 半導体装置
US9543277B1 (en) Wafer level packages with mechanically decoupled fan-in and fan-out areas
JP4033811B2 (ja) フリップチップ実装体
JP2005340393A (ja) 小型実装モジュール及びその製造方法
CN108074824B (zh) 一种半导体器件的制作方法
KR20090036948A (ko) Ｂｇａ 패키지 및 그의 제조 방법
JP2007221133A (ja) 集積回路パッケージ
KR20080020137A (ko) 역피라미드 형상의 적층 반도체 패키지
KR100581778B1 (ko) 3-ｄ 구조물 보호 장치
TWM556019U (zh) 晶片封裝體及電子總成
JPH11195681A (ja) 半導体装置およびその製造方法
JP2002270762A (ja) 半導体装置

Legal Events

Date Code Title Description
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant