KR102540186B1 - 멀티-층 세라믹 제조 기법들을 사용한 라이트업 방지 - Google Patents

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Abstract

이 개시물에 따르면, 냉각 또는 가열 가스를 위한 경로를 규정한 래버린스 구조체를 형성하는 컷아웃들을 가진 복수의 층들을 포함한 정전 척 장치를 포함한 몇몇의 발명들이 제공된다. 구조체는 입자들이 가스 플로우 경로에서 원치 않은 라이트업을 형성하도록 입자들이 가속화되는 것을 방지한다.

Description

멀티-층 세라믹 제조 기법들을 사용한 라이트업 방지{LIGHTUP PREVENTION USING MULTI-LAYER CERAMIC FABRICATION TECHNIQUES}
본 발명은 프로세싱 동작 또는 세정 동작 동안 웨이퍼의 후면을 피딩하는 (feeding) 정전 척 ("ESC") 의 홀들 내의 라이트업 (lightup) 을 방지하는 것에 관한 것이다.
반도체 재료 프로세싱 설비들에서, 플라즈마 프로세싱 챔버들은 에칭 및 디포지션과 같은 동작들을 위해 종종 사용된다. 보통, 반도체 웨이퍼는 반도체 웨이퍼가 프로세싱 동안 홀딩되는 ESC 상에 배치된다. ESC는 웨이퍼의 냉각 또는 가열을 용이하게 하도록, 또는 ESC 표면의 플라즈마 세정 동안 ESC 내의 홀 피처들을 퍼지하도록 웨이퍼의 클램핑된 측면으로 가스들을 들어오게 하기 위한 홀들을 가질 수도 있다.
저압 가스들이 ESC 홀들 내에 존재하는 경우, 그리고 전압 구배들이 존재하는 경우에, 글로우 방전 (glow discharge), 또는 아크 (arcing) 의 형성이 발생할 수도 있고, 이는 프로세스에 유해할 수도 있다. 미국 특허 제 6,033,585 호는 분배된 가스들에 우회 경로를 제공함으로써 ESC 내의 가스 분배 홀들의 라이트업 방지를 논의하고, 여기서 라이트업은 방지된다. 미국 특허 제 8,503,151 호는 아크 및 라이트업을 방지하기 위한 유전체 피뢰기 (arrestor) 삽입부의 사용을 논의한다.
정전 척들 내의 가스 홀들에 적용된 바와 같이, 미국 특허 제 6,108,189 호는 유전체 재료로 정전 척 내의 홀들의 내부를 코팅함으로써 아크 및 라이트업의 이슈를 처리한다고 주장한다. 그러나, 이것은 홀들 내의 가스 분자들의 경로 길이를 감소시키지 않는다. 또한 웨이퍼와 대면하는 정전 척 내의 홀들의 개구에서 유전체 층을 사용하는 것을 논의한다. 상단 유전체 층을 통하는 단일의 채널을 사용하는 것의 문제는, 설계에 따라, 이 상단 층이, 상단 유전체 층을 통한 단일의 채널이 라이트업을 발생시킬 수도 있도록 충분히 두꺼울 수도 있다는 것이다.
특허 제 6,108,189 호는, 가스가 정전 척 내의 홀을 통해 구불구불한 경로를 취하도록, 정전 척의 상단 층 내에서 유전체 재료의 다공성 플러그를 사용하는 또 다른 해결책을 기술한다. 그러나, 많은 이러한 구성들은 라이트업을 야기할 잠재성을 가진 갭들을 남길 수 있다. 또한, 이러한 다공성 플러그들은 제작하고 정렬하기가 어렵고 복잡할 수도 있다.
효과적이고, 입자들이 가속화될 수도 있는 개방된 공간의 긴 스트레치들을 제거하고, 그리고 정전 척들에 대한 현 설계들을 고려하여 제작하기가 용이한, 정전 척 내의 라이트업을 방지하기 위한 보다 양호한 시스템 및 방법이 필요하다.
몇몇의 발명의 실시예들이 본 명세서에 기술된다. 일 실시예에서, 플라즈마 프로세싱 챔버 내의 사용을 위한 정전 척은 가스 유입부가 통과하는 베이스를 포함할 수도 있다. 이 예에서 정전 척의 상단 표면을 구성하는, 베이스 위에, 플라즈마 프로세싱을 위해 웨이퍼 밑에 배치된 웨이퍼 세라믹이 있을 수도 있다. 이 웨이퍼 세라믹은 복수의 세라믹 층들을 포함할 수도 있고, 세라믹 층 각각은 층 각각을 부분적으로 또는 전체적으로 통할 수도 있는 하나 이상의 컷아웃들 (cutouts) 을 포함할 수도 있고, 컷아웃들은 가스 유입부와 직접적으로 또는 간접적으로 유체로 연통하는 래버린스 (labyrinth) 를 형성한다. 래버린스 내의 임의의 위치에서, 웨이퍼 세라믹 층 내에서 표면에 대한 가시선 (line of sight) 은 모든 방향에서 약 4 ㎜ 미만일 수도 있다. 예를 들어, 상기 세라믹 층 내에서 상기 가시선은 모든 방향에서 약 2 ㎜ 미만일 수도 있다. 예를 들어, 상기 세라믹 층 내에서 상기 가시선은 모든 방향에서 약 1 ㎜ 미만일 수도 있다. 예를 들어, 상기 세라믹 층 내에서 상기 가시선은 모든 방향에서 약 0.5 ㎜ 미만일 수도 있다.
또 다른 실시예에서, 상술된 정전 척은 가스 개구로부터 래버린스로의 통로를 구성할 수도 있는 플러그 개구, 및 플러그 개구 내의 다공성 세라믹 플러그를 더 포함할 수도 있다.
또 다른 실시예에서, 정전 척은, 가스 유입부가 통과하는 베이스를 제공하는 단계; 복수의 세라믹 층들을 제공하는 단계; 세라믹 층들 각각 내에 컷아웃들을 형성하는 단계; 및 세라믹 층들이 예를 들어, 공-소결 (co-sintering), 유리 프릿을 사용한 본딩, 접착제의 사용, 또는 다른 수단에 의해, 웨이퍼 세라믹을 형성하도록, 세라믹 층들을 접합하는 (join) 단계를 포함하는 단계들에 의해 형성될 수도 있다.
본 명세서에 기술된 또 다른 실시예는 플라즈마 프로세싱 챔버 내의 정전 척을 위한 삽입부이다. 이 삽입부는 복수의 세라믹 층들을 포함할 수도 있고, 세라믹 층 각각은 하나 이상의 컷아웃들을 포함하고, 컷아웃들은 가스 유입부와 직접적으로 또는 간접적으로 유체로 연통하는 래버린스를 형성한다. 래버린스 내의 임의의 위치에서, 웨이퍼 세라믹 층 내에서 표면에 대한 가시선은 모든 방향에서 약 4 ㎜ 미만일 수도 있다. 상단 세라믹 층 내의 컷아웃은 삽입부에 대한 상단 개구를 형성할 수도 있고, 하단 세라믹 층 내의 컷아웃은 삽입부에 대한 하단 개구를 형성할 수도 있다. 또한, 삽입부는, 하단 개구 아래의 정전 척 내의 가스 유입부로부터, 이어서 하단 개구를 통해, 이어서 래버린스를 통해, 그리고 이어서 상단 개구를 통해 유체 경로를 제공하도록, 정전 척 내의 삽입부 개구 내에 단단히 피팅되도록 사이징되고 구성될 수도 있다. 일 실시예에서, 코팅이 상단 개구 또는 하단 개구를 막지 않도록, 상기 삽입부는 전기적으로 절연성 재료로 하나 이상의 측면들 상에 코팅될 수도 있다.
본 명세서에 기술된 또 다른 실시예는 정전 척 내에 상기 삽입부를 배치하는 방법이다. 이 방법은 상단 표면 내에 위치된 삽입부 개구를 가진 정전 척을 제공하는 단계, 및 하단 개구가 정전 척의 가스 유입부와 정렬하도록, 삽입부를 삽입부 개구 내로 삽입하는 단계를 포함할 수도 있다. 일 예에서, 삽입부는 본딩 재료를 사용하여 삽입부 개구에 본딩될 수도 있다.
본 발명의 이들 및 다른 특징들은 다음의 도면들과 함께 그리고 상세한 기술에서 이하에 더 자세히 기술될 것이다.
개시된 발명들은 유사한 참조 번호들이 유사한 엘리먼트들을 참조하는, 첨부된 도면들에 의해, 제한이 아닌, 예로서 예시된다.
도 1은 정전 척의 부분의 개략적인 단면도이다.
도 2는 웨이퍼 세라믹 내의 래버린스형 채널들의 예시적인 세트의 사시도이다.
도 3a는 래버린스형 채널들의 예시적인 세트의 평면도이고, 도 3b는 축 A-A를 따른 단면도이다.
도 4는 래버린스형 채널들의 예시적인 세트의 층들 1 내지 5의 평면도이다.
도 5a는 삽입부 내의 래버린스형 채널들의 예시적인 세트의 평면도이고, 도 5b는 축 A-A를 따른 단면도이다.
도 6은 웨이퍼 세라믹의 2개의 층들 내의 래버린스형 채널들의 예시적인 세트의 사시도이고, 컷아웃들 중 일부는 층들을 통해 부분적으로만 뚫린다 (excavated).
본 발명은 이제 첨부된 도면들에 예시된 바와 같이, 본 발명의 몇몇 실시예들을 참조하여 상세히 기술될 것이다. 이하의 기술에서, 본 발명의 전체적인 이해를 제공하기 위해 구체적인 상세들이 언급된다. 그러나, 본 발명은 이들 구체적인 상세들 일부 또는 전부가 없이도 실시될 수도 있고, 본 개시는 이 기술의 분야 내에서 일반적으로 이용 가능한 지식에 따라 행해질 수도 있는 수정들을 포함한다. 공지의 프로세스 단계들 및/또는 구조들은 본 개시를 불필요하게 모호하게 하지 않도록 상세히 기술되지 않았다.
정전 척 내의 라이트업을 방지하기 위한 장치들 및 방법들이 본 명세서에 기술된다. 일 실시예가 정전 척의 부분의 개략적인 단면도인, 도 1에 도시된다. 정전 척은 플라즈마가 형성될 수도 있는 개방된 챔버 영역 (100) 을 포함한 플라즈마 프로세싱 챔버의 부분일 수도 있다. 정전 척은 베이스 플레이트 (101) 를 포함할 수도 있다. 베이스 플레이트는 접착제 (105) 에 의해 웨이퍼 세라믹 (104) 에 연결될 수도 있다. 일 실시예에서 접착제는 실리콘계 접착제일 수도 있다. 일 실시예에서, 웨이퍼 세라믹은 1 내지 6 ㎜의 두께, 또는 보다 바람직하게 3 내지 5 ㎜의 두께일 수도 있다. 웨이퍼 세라믹 상에 프로세싱을 위해 웨이퍼 (102) 가 배치될 수도 있다.
웨이퍼가 척 상에 배치될 때, 웨이퍼 세라믹과 웨이퍼 사이에 작은 갭 (103) 이 있을 수도 있다. 일 예에서, 갭은 약 1 내지 13 ㎛ 너비일 수도 있지만, 다양한 설계들은 상이한 갭 폭들을 가질 수도 있다. 웨이퍼의 후면의 가스 냉각이 사용될 때, 이 갭은 주위의 챔버 영역 (100) 보다 보다 고압으로 유지될 수도 있다. 웨이퍼에 하측으로 가해지는 정전력은, 이 경우에 이 갭 내의 가스 압력에 기인하여 상측 힘과 밸런싱되거나 상측 힘을 초과할 수도 있고, 따라서 척 상에 웨이퍼를 유지하고 그리고 웨이퍼를 프로세싱 동안 평평하게 유지하고, 웨이퍼의 온도 제어를 용이하게 한다.
일부 종래 기술의 설계들에서, 작은 (약 0.5 ㎜) 튜브가 헬륨과 같은 가스를 웨이퍼의 후면 아래의 갭 (103) 으로 운반하도록 사용되었다. 그러나, 이러한 튜브가 보다 길어짐에 따라, 튜브는 전압 구배들을 가속화하고 라이트업 또는 아크를 유발하도록, 분자들 및 이온들을 위한 긴 경로를 제공한다. 갭은 부분적으로 확장될 수 있고 다공성 플러그로 충진될 수 있지만, 이러한 플러그는, 플러그를 정렬하는 것 및 플러그 주위에 원치 않은 채널들이 없다는 것을 보장하는 것을 포함하여, 정전 척의 상단 층들을 어셈블링하는 것의 어려움 때문에 최적 미만일 수도 있다.
새로운 설계의 일 실시예에서, 웨이퍼 세라믹 (104) 은 얇은 세라믹 층들을 적층함으로써 형성될 수도 있다. 이 예에서, 5개의 층들이 있지만, 보다 많거나 보다 적을 수도 있고, 예를 들어, 3개의 층들, 10개의 층들, 14개의 층들, 또는 그 이상의 층들이 있을 수도 있다. 일 실시예에서 이들 층들은 단일의 세라믹 피스를 형성하도록 공-소결될 (co-sintered) 수도 있거나, 그렇지 않으면 접합되거나 본딩되고; 예를 들어, 본딩 재료로서 유리 프릿을 사용하여, 또는 접착제를 사용하여 접합될 수도 있다. 이들 얇은 층들은 컷아웃들 (107) 을 가질 수도 있다. 일 실시예에서, 세라믹 빌드 (build) 의 정상이 채널을 통해, 하지만 라이트업이 발생하는 것을 감소시키거나 방지하는 미로 같은 방식으로 가스를 보낼 중공형, 채널 피처를 발생시키도록, 컷아웃들이 층 각각 내에 스태거링되기 (staggered) 위해 이들 컷아웃들이 배치될 수도 있다. 컷아웃은 전체 층을 통한 피처 컷일 수도 있거나, 대안적으로 층의 부분만을 통한 피처 컷일 수도 있다. 래버린스형 채널들은 입자들이 라이트업을 유발하는 지점으로 가속화될 수도 있는, 단일의 직선 경로가 없다는 것을 특징으로 해야 하고, 다양한 턴들 (turns) 은 입자들을 채널 벽들과 충돌하게 할 수도 있고, 따라서 라이트업을 방지한다. 그 영역에 걸쳐, 웨이퍼 세라믹은 웨이퍼의 밑면에 임의의 수의 이러한 래버린스형 통로 시스템들을 가질 수도 있다. 도 1은 단지 통로들의 하나의 이러한 시스템을 도시하지만, 동일한 척 상의 다른 시스템들이 유사한 구성의 시스템일 수도 있다. 컷아웃들 (107) 은 레이저 컷팅, 그라인딩, 드릴링, 또는 층들의 부가적인 제작에 의한 것들을 포함하는 많은 방식들로 형성될 수도 있다.
일 실시예에서, 래버린스형 채널들은 아래로부터, 헬륨과 같은 가스 소스에 결국 연결된 튜브 (106) 에 의해 피딩될 (fed) 수도 있다. 선택 가능하게, 이 튜브는 튜브 내에 다른 라이트업 방지 조치들을 가질 수도 있다. 채널이 척의 벌크 내로 보다 깊숙히 들어갈수록, 라이트업이 가진 문제가 대부분 보다 적어질 것이다. 예를 들어, 척을 통한 웨이퍼 세라믹으로의 경로는 다공성 플러그 (108) 에 대한 하나 이상의 컷아웃들을 가질 수도 있다. 일 실시예에서, 플러그는 다공성 소결된 알루미나로 형성될 수도 있다. 플러그 (108) 가 컷아웃 내에 설정되는 방식에 따라, 다공성 플러그, 또는 다공성 플러그 위의 일부 볼륨 (109) 주위에 채널들 (110) 이 있을 수도 있다. 일부 실시예들에서 이들 채널들 및 개방된 공간들은 또 다른 재료로 충진될 수도 있거나, 또 다른 실시예에서 볼륨 (109) 이 최소화되도록 플러그가 베이스 플레이트 (101) 위로 상승될 수도 있다. 일부 실시예들에서, 다공성 플러그 (108) 는 알루미나 또는 일부 다른 세라믹, 또는 폴리머와 같은 절연 재료로 측면들 상에 코팅될 수도 있고, 바람직하게 상단 표면 및 하단 표면을 코팅되지 않은 상태로 남긴다. 이것은 아크를 유발할 수도 있는 플러그의 영역들을 절연하는 역할을 할 수 있다.
도 2는 웨이퍼 세라믹 내의 래버린스형 채널들의 예시적인 세트의 사시도이다. 개방된 채널들은 개방된 채널들이 고체인 것처럼 본 명세서에 도시되지만, 웨이퍼 세라믹 내에서, 개방된 채널들은 고체 재료에 의해 둘러싸인 개방된 채널들일 것이다. 이 특정한 예에서, 채널들은 6개의 층들 201 내지 206 각각 내에 형성된다. 층 각각은 커브된 경로를 형성한다. 바람직하게, 임의의 입자가 이들 커브된 경로들 각각 내에서 이동할 수 있는 최대 직선, 즉, 가시선은, 약 0.5 ㎜ 미만일 것이지만; 2 ㎜, 4 ㎜, 또는 6 ㎜와 같은 보다 긴 경로들이 사용될 수도 있다. 이 예에서, 가스 입자들은 층 (206) 을 통해 웨이퍼 세라믹에 진입할 수도 있고, 층 (205) 내의 채널까지 이동할 수도 있고, 이어서 각각의 연속적인 층 (204, 203, 202), 이어서 마지막으로 가스가 웨이퍼 아래의 가스 갭을 나갈 수도 있는 201에 진입할 수도 있다.
도 3a는 래버린스형 채널들의 또 다른 예시적인 세트의 평면도이고, 도 3b는 축 A-A를 따른 단면도이다. 이 실시예에서, 채널들은 5개의 층들을 통해 반원 패턴들을 형성한다. 가스는 아래의 입구 홀 (301) 로부터 층 (5) 에 진입할 수도 있고, 이어서 층들을 통해 래버린스형 경로를 따라 출구 홀 (302) 로 층 (1) 로부터 나아간다. 이들 층들 각각은 도 4에 보다 상세히 도시된다. 이 예에서, 층들 (2 및 4) 은 반원 채널들을 포함하고, 반면에 층들 (1, 3, 및 5) 은 상측 방향으로 층을 통한 통로를 허용하도록 홀들을 포함한다.
또 다른 실시예에서, 정전 척의 상단의 웨이퍼 세라믹 내의 개구들에 의해 형성된 미로 같은 가스 경로 대신에, 래버린스형 경로는 정전 척 내의 개구 내로의 삽입부로서 사용되도록 개별 피스 내에 형성될 수도 있고, 이 예는 도 5a (평면도) 및 도 5b (섹션 A-A를 따른 단면도) 에 예시된다. 예를 들어, 이러한 삽입부는 다공성 플러그에 대한 교체품일 수 있고 유사한 역할을 수행할 수 있다. 개별 층들의 공-소결 또는 유리 프릿 또는 접착제에 의한 본딩에 의해서와 같이, 상술된 바와 같이 레이어링된 (layered) 웨이퍼 세라믹에 유사한 프로세스가 행해질 수도 있다. 층 각각은 래버린스 경로를 규정하도록 (전체 층을 통하거나 또는 층의 부분을 통한) 컷아웃들을 가질 수도 있다. 일 실시예에서 채널을 포함하기에 충분한 고체 재료를 포함한, 채널 섹션 각각은 보다 큰 세라믹 피스로부터 컷팅될 수도 있거나, 층들은 층들의 최종 사이즈로 제조될 수도 있고, 그리고 함께 본딩될 수도 있다. 일 실시예에서, 이러한 삽입부는 전기-절연 재료 (501) 에 의해 코팅될 수도 있다. 일 실시예에서 이 코팅은 하단 및 상단 개구들 (502 및 503) 을 막지 않도록 상단 및 하단을 배제하고, 삽입부의 측면들 상에 배치될 수도 있다.
일 실시예에서 컷아웃 피스는 코어 드릴, 또는 세라믹 제조의 당업자들에게 알려진 다른 세라믹 제조 기법들을 사용하여 만들어질 수도 있다. 컷아웃 피스는 가스를 운반하는 세라믹 또는 베이스 플레이트 내의 메이팅 홀 피처 내에 본딩될 수도 있다.
또 다른 실시예에서, 삽입부의 층 각각은 요구된 순 (net) 사이즈와 근사하게 제조될 수도 있다. 층들 각각은 파이어링될 (fired) 수도 있거나 그렇지 않으면 함께 본딩될 수도 있고, 이어서 최종 그라인드 (grind) 는 삽입부를 요구된 사이즈로 감소시키도록 실시될 수도 있다.
일 실시예에서, 도 6에 도시된 바와 같이, 래버린스형 패턴은 층 각각을 통해 완전히 연장되기보다는, 층의 일부만을 통해 연장하는 컷아웃들을 사용하여 형성될 수도 있다. 예를 들어, 단일의 층은, 보어 (601) 및 채널 (602) 이 연결되도록, 일 측면 상에서 뚫린 채널 (602) 및 보어 (601) 를 포함할 수도 있다. 이 예에서, 가스는 보어 (601) 에 진입할 수도 있고, 채널 (602) 을 통해 이어서 채널 (603) 로 이동할 수도 있고, 그리고 보어 (604) 로부터 나갈 수도 있다. 또 다른 예에서, 층의 일 측면은 일 방향의 채널을 포함할 수도 있고, 반면에 이 층의 반대되는 측면은 또 다른 방향의 채널을 포함할 수도 있고, 여기서 2개의 채널들은 어떤 지점에서 만나고, 따라서 2개의 채널들 사이에 연결부를 형성한다.
본 발명들이 몇몇의 바람직한 실시예들로 기술되었지만, 본 발명의 범위 내에 포함되는 대안들, 치환들, 및 다양한 대용 등가물들이 있다. 본 명세서에 개시된 방법들 및 장치들을 구현하는 많은 대안적인 방식들이 있다. 따라서 다음의 첨부된 청구항들이 본 발명의 진정한 정신 및 범위 내에 있는 모든 이러한 대안들, 치환들, 및 다양한 대용 등가물들을 포함하는 것으로 해석되도록 의도된다.

Claims (20)

  1. 플라즈마 프로세싱 챔버 내의 사용을 위한 정전 척에 있어서,
    가스 유입부가 통과하는 베이스; 및
    정전 척의 상단 표면을 구성하는 상기 베이스 위에, 복수의 세라믹 층들을 포함한, 플라즈마 프로세싱을 위해 웨이퍼 밑에 배치된 웨이퍼 세라믹을 포함하고,
    상기 세라믹 층 각각은 하나 이상의 컷아웃들 (cutouts) 을 포함하고, 상기 컷아웃들은 상기 가스 유입부와 직접적으로 또는 간접적으로 유체로 연통하는 래버린스 (labyrinth) 를 형성하고, 상기 래버린스는 복수의 턴들 (turns) 및 굽힘각 (bend angle) 을 갖는 플로우 경로를 포함하고,
    상기 플로우 경로 내의 임의의 위치에서, 상기 세라믹 층 내에서 가시선은 모든 방향에서 4 ㎜ 미만이고, 상기 가시선은 임의의 입자가 이동할 수 있는 최대 직선인, 플라즈마 프로세싱 챔버 내의 사용을 위한 정전 척.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 세라믹 층들의 수는 적어도 3인, 플라즈마 프로세싱 챔버 내의 사용을 위한 정전 척.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 세라믹 층들의 수는 적어도 10인, 플라즈마 프로세싱 챔버 내의 사용을 위한 정전 척.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 세라믹 층들의 수는 적어도 14인, 플라즈마 프로세싱 챔버 내의 사용을 위한 정전 척.
  5. 삭제
  6. 제 4 항에 있어서,
    상기 세라믹 층 내에서 상기 가시선은 모든 방향에서 2 ㎜ 미만인, 플라즈마 프로세싱 챔버 내의 사용을 위한 정전 척.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 세라믹 층 내에서 상기 가시선은 모든 방향에서 1 ㎜ 미만인, 플라즈마 프로세싱 챔버 내의 사용을 위한 정전 척.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 세라믹 층 내에서 상기 가시선은 모든 방향에서 0.5 ㎜ 미만인, 플라즈마 프로세싱 챔버 내의 사용을 위한 정전 척.
  9. 제 1 항에 있어서,
    상기 세라믹 층들 각각에 대한 상기 컷아웃들은 반원형 채널과 보어로 구성된 그룹으로부터 선택되고, 일 층 내의 상기 보어 각각은 인접한 층 내의 반원형 채널의 단부와 정렬하고, 따라서 상기 보어와 원형 층 사이를 교번하는 가스 경로를 형성하는, 플라즈마 프로세싱 챔버 내의 사용을 위한 정전 척.
  10. 제 1 항에 있어서,
    가스 개구로부터 상기 래버린스로의 통로를 구성하는 플러그 개구; 및
    상기 플러그 개구 내의 다공성 세라믹 플러그를 더 포함하는, 플라즈마 프로세싱 챔버 내의 사용을 위한 정전 척.
  11. 제 1 항에 있어서,
    상기 하나 이상의 컷아웃들 중 적어도 하나는, 상기 컷아웃의 적어도 일부에 대해 상기 층을 부분적으로만 통과하는 층의 구멍 (excavation) 인, 플라즈마 프로세싱 챔버 내의 사용을 위한 정전 척.
  12. 제 1 항에 기재된 정전 척을 형성하기 위한 방법에 있어서,
    상기 가스 유입부가 통과하는 상기 베이스를 제공하는 단계;
    상기 복수의 세라믹 층들을 제공하는 단계;
    상기 세라믹 층들 각각 내에 상기 컷아웃들을 형성하는 단계; 및
    상기 세라믹 층들이 상기 웨이퍼 세라믹을 형성하도록 상기 세라믹 층들을 접합하는 (join) 단계를 포함하는, 정전 척을 형성하기 위한 방법.
  13. 제 12 항에 있어서,
    상기 세라믹 층들은 공-소결함으로써 (co-sintering) 접합되는, 정전 척을 형성하기 위한 방법.
  14. 제 12 항에 있어서,
    상기 세라믹 층들은 유리 프릿으로 본딩함으로써 접합되는, 정전 척을 형성하기 위한 방법.
  15. 제 12 항에 있어서,
    상기 세라믹 층들은 접착제에 의해 접합되는, 정전 척을 형성하기 위한 방법.
  16. 플라즈마 프로세싱 챔버 내의 정전 척을 위한 삽입부에 있어서,
    복수의 세라믹 층들로서, 상기 세라믹 층 각각은 하나 이상의 컷아웃들을 포함하고, 상기 컷아웃들은 가스 유입부와 직접적으로 또는 간접적으로 유체로 연통하는 래버린스를 형성하는, 상기 복수의 세라믹 층들을 포함하고,
    상단 세라믹 층 내의 컷아웃은 상기 삽입부에 대한 상단 개구를 형성하고;
    하단 세라믹 층 내의 컷아웃은 상기 삽입부에 대한 하단 개구를 형성하고; 그리고
    상기 삽입부는, 상기 하단 개구 아래의 상기 정전 척 내의 가스 유입부로부터, 이어서 상기 하단 개구를 통해, 이어서 상기 래버린스를 통해, 그리고 이어서 상기 상단 개구를 통해 유체 경로를 제공하도록, 상기 정전 척 내의 삽입부 개구 내에 단단히 피팅되도록 사이징되고 구성되는, 플라즈마 프로세싱 챔버 내의 정전 척을 위한 삽입부.
  17. 제 16 항에 있어서,
    상기 래버린스 내의 임의의 위치에서, 웨이퍼 세라믹 층 내에서 임의의 입자가 이동할 수 있는 최대 직선인 가시선은 모든 방향에서 4 ㎜ 미만인, 플라즈마 프로세싱 챔버 내의 정전 척을 위한 삽입부.
  18. 제 16 항에 있어서,
    코팅이 상기 상단 개구 또는 상기 하단 개구를 막지 않도록, 상기 삽입부는 전기적으로 절연성 재료로 하나 이상의 측면들 상에 코팅되는, 플라즈마 프로세싱 챔버 내의 정전 척을 위한 삽입부.
  19. 제 16 항 내지 제 18 항 중 어느 한 항에 기재된 삽입부를 정전 척 내에 배치하는 방법에 있어서,
    상단 표면 내에 위치된 상기 삽입부 개구를 가진 정전 척을 제공하는 단계; 및
    상기 하단 개구가 상기 정전 척의 상기 가스 유입부와 정렬하도록, 상기 삽입부를 상기 삽입부 개구 내로 삽입하는 단계를 포함하는, 삽입부를 배치하는 방법.
  20. 제 19 항에 있어서,
    본딩 재료를 사용하여 상기 삽입부 개구에 상기 삽입부를 본딩하는 단계를 더 포함하는, 삽입부를 배치하는 방법.
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