KR101768517B1 - 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치 - Google Patents

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Abstract

기판을 지지하는 지지 유닛을 제조하는 방법이 개시된다. 본 발명의 일 실시예에 따른 지지 유닛 제조 방법은 비도전성 재질로 이루어진, 그리고 기판을 지지하는 지지판을 제공하고, 상기 지지판의 아래에 배치되고, 도전성 물질을 포함하는 재질로 이루어진 베이스판을 제공하고, 상기 베이스판의 상면에 제1금속막을 형성한 후 브레이징 처리를 통해 상기 지지판과 상기 베이스판을 접합한다.

Description

지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치{SUPPORTING UNIT AND SUBSTRATE TREATING APPARATUS INCLUDING THE SAME}
본 발명은 기판 처리 장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 플라즈마를 이용한 기판 처리 장치에 관한 것이다.
반도체소자를 제조하기 위해서, 기판을 포토리소그라피, 식각, 애싱, 이온주입, 박막증착, 그리고 세정 등 다양한 공정을 수행하여 기판 상에 원하는 패턴을 형성한다. 이 중 식각 공정은 기판 상에 형성된 막 중 선택된 영역을 제거하는 공정으로 습식식각과 건식식각이 사용된다.
이 중 건식식각을 위해 플라즈마를 이용한 식각 장치가 사용된다. 일반적으로 플라즈마를 형성하기 위해서는 챔버의 내부공간에 전자기장을 형성하고, 전자기장은 챔버 내에 제공된 공정가스를 플라즈마 상태로 여기시킨다.
플라즈마는 이온이나 전자, 라디칼 등으로 이루어진 이온화된 가스 상태를 말한다. 플라즈마는 매우 높은 온도나, 강한 전계 혹은 고주파 전자계(RF Electromagnetic Fields)에 의해 생성된다. 반도체 소자 제조 공정은 플라즈마를 사용하여 식각 공정을 수행한다. 식각 공정은 플라즈마에 함유된 이온 입자들이 기판과 충돌함으로써 수행된다.
일반적으로 정전 척은 지지판과 금속 재질의 몸체를 포함한다. 지지판과 몸체는 실리콘이나 아크릴과 같은 유기 본더(bonder)에 의해 서로 접합된다. 그러나, 실리콘은 내열성은 우수하나 열저항이 낮다. 따라서 기판 처리 공정 중에 발생하는 열에도 손상되지 않지만 몸체와 지지판 사이에서 열의 이동을 효과적으로 차단하지 못하는 문제점이 있다. 아크릴은 열저항은 우수하나 내열성이 문제된다. 아크릴은 지지판과 몸체 사이에서 열손실을 방지할 수 있지만, 기판 처리 공정 중에 발생하는 열에 의하여 손상되는 문제점이 있다.
이처럼, 현재 사용되는 유기 본더는 열적 내구성 저하에 의한 정전 척 온도 불균일 발생으로 인한 수명 저하 및 공정 온도 상승에 한계가 있고, 고온 공정을 수행중에 유기 본더가 녹아버리는 문제점이 발생된다.
본 발명은 기판 처리 공정에 사용되는 정전 척의 내부에서 열적 내구성이 우수한 지지 유닛과 그 제조 방법 그리고 이를 포함하는 기판 처리 장치를 제공하는 것을 일 목적으로 한다.
본 발명은 기판 처리 공정에 사용되는 정전 척에서 비도전성 재질의 지지판과 도전성 복합 재질의 베이스판 간의 브레이징시 접합계면의 안전성을 확보할 수있는 지지 유닛과 그 제조 방법 그리고 이를 포함하는 기판 처리 장치를 제공하는 것을 일 목적으로 한다.
기판 처리 공정에 사용되는 정전 척에서 비도전성 재질의 지지판과 도전성 복합 재질의 베이스판 간의 브레이징시 베이스판의 도전성 물질의 함량 부족에 의한 브레이징 불량을 방지할 수 있는 지지 유닛과 그 제조 방법 그리고 이를 포함하는 기판 처리 장치를 제공하는 것을 일 목적으로 한다.
본 발명이 해결하고자 하는 과제가 상술한 과제들로 한정되는 것은 아니며, 언급되지 아니한 과제들은 본 명세서 및 첨부된 도면으로부터 본 발명의 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
본 발명의 일 측면에 따르면, 비도전성 재질로 이루어진, 그리고 기판을 지지하는 지지판을 제공하고, 상기 지지판의 아래에 배치되고, 도전성 물질을 포함하는 재질로 이루어진 베이스판을 제공하고, 상기 지지판의 저면에 금속막을 형성한 후 브레이징 처리를 통해 상기 지지판과 상기 베이스판을 접합하는 지지 유닛 제조 방법을 제공하고자 한다.
본 발명의 일 측면에 따르면, 비도전성 재질로 이루어진, 그리고 기판을 지지하는 지지판을 제공하고, 상기 지지판의 아래에 배치되고, 도전성 물질을 포함하는 재질로 이루어진 베이스판을 제공하고, 상기 베이스판의 상면에 제1금속막을 형성한 후 브레이징 처리를 통해 상기 지지판과 상기 베이스판을 접합하는 지지 유닛 제조 방법을 제공하고자 한다.
또한, 상기 브레이징 처리 전에 상기 지지판의 저면에 상기 제1금속막과 동일한 물질의 제2금속막을 증착한 후 브레이징을 진행한다.
또한, 상기 지지판과 상기 베이스판 사이에 열팽창 완충을 위한 금속 재질의 금속판을 제공하여 상기 금속판을 매개로 하여 결합할 수 있다.
또한, 상기 금속판은 AL(알루미늄)을 포함할 수 있고, 메쉬 형태일 수 있다.
또한, 상기 지지판과 상기 베이스판 사이에 금속 재질의 필러를 제공하여 상기 필러를 매개로 하여 결합할 수 있다.
또한, 상기 필러는 AL(알루미늄)을 포함할 수 있다.
또한, 상기 제1금속막과 상기 제2금속막은 AL(알루미늄)일 수 있다.
또한, 상기 제2금속막은 상기 지지판의 저면에 증착된 제3금속막 상에 증착될 수 있다.
또한, 상기 제3금속막은 Ti(티타늄)일 수 있다.
또한, 상기 베이스판은 상기 지지판과의 열팽창율 차이에 의한 열응력을 최소화하기 위해, 상기 도전성 물질에 첨가 물질을 혼합한 도전성 복합 재질로 제공되되; 상기 도전성 물질은 AL(알루미늄)을 포함하고, 상기 첨가 물질은 Sic(탄화규소), AL2O3(산화알루미늄), Si(실리콘), Graphite(그라파이터), 유리섬유 중 어느 하나를 포함할 수 있다.
또한, 상기 도전성 복합 재질은 상기 도전성 물질인 AL(알루미늄)이 10% ~ 40% 포함될 수 있다.
본 발명의 일 측면에 따르면, 정전기력으로 기판을 흡착시키는 전극을 포함하는 비전도성 재질의 지지판; 및 상기 지지판의 하부에 위치하고, 고주파 전원이 연결되며, 상면에는 제1금속막이 증착되어 브레이징에 의해 상기 지지판과 결합되는 베이스판을 포함하는 기판 지지 유닛을 제공하고자 한다.
또한, 상기 지지판은 저면에 상기 제1금속막과 동일 소재의 제2금속막이 증착될 수 있다.
또한, 상기 제2금속막은 상기 지지판의 저면에 증착된 제3금속막 상에 증착되며, 상기 제3금속막은 Ti(티타늄)일 수 있다.
또한, 상기 베이스판은 상기 지지판과의 열팽창율 차이에 의한 열응력을 최소화하기 위해, 도전성 물질인 AL(알루미늄)에 Sic(탄화규소), AL2O3(산화알루미늄), Si(실리콘), Graphite(그라파이터), 유리섬유 중 어느 하나가 첨가된 도전성 복합 재질로 제공되되; 상기 도전성 복합 재질은 상기 도전성 물질이 10% ~ 40% 포함될 수 있다.
또한, 상기 금속막과 상기 베이스판 사이에 위치되고, 금속판을 매개로 하여 상기 금속막과 상기 베이스판이 고정되는 접합부를 더 포함할 수 있다.
또한, 상기 접합부는 금속망이 삽입된 필러로 이루어질 수 있다.
본 발명의 일 측면에 따르면, 내부에 처리 공간을 가지는 챔버; 상기 챔버 내에 위치하고, 기판을 지지하는 지지 유닛; 상기 처리 공간으로 공정 가스를 공급하는 가스 공급 유닛; 및 상기 공정 가스로부터 플라즈마를 발생시키는 플라즈마 소스;를 포함하되, 상기 지지 유닛은 고주파 전원이 연결되며, 상면에는 제1금속막이 증착된 베이스판; 및 상기 베이스판의 상부에 위치하고, 정전기력으로 기판을 흡착시키는 전극을 포함하며, 저면에는 상기 제1금속막과 동일 물질의 제2금속막이 증착되어 브레이징에 의해 상기 베이스판과 접합되는 비전도성 재질의 지지판을 포함하는 기판 처리 장치를 제공하고자 한다.
또한, 상기 베이스판은 상기 지지판과의 열팽창율 차이에 의한 열응력을 최소화하기 위해, 도전성 물질에 Sic(탄화규소), AL2O3(산화알루미늄), Si(실리콘), Graphite(그라파이터), 유리섬유 중 어느 하나가 첨가된 도전성 복합 재질로 제공되되; 상기 도전성 복합 재질은 상기 도전성 물질이 10% ~ 40% 포함될 수 있다.
또한, 상기 베이스판과 상기 지지판 사이에 위치하고, 브레이징에 의해 상기 지지판과 상기 베이스판을 접합하는 금속 재질의 금속판을 더 포함할 수 있다.
또한, 상기 베이스판과 상기 지지판 사이에 위치하고, 브레이징에 의해 상기 지지판과 상기 베이스판을 접합하는 금속 재질의 필러를 더 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 의하면 열적 내구성이 강한 지지 유닛을 제공할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 의하면 지지판과 베이스판 간의 열팽창율 차이에 의한 열응력을 최소화하여 지지판의 깨짐 현상, 밴딩(bending) 현상 등을 방지할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 의하면 지지판과 베이스판 간의 열팽창율에 의한 밴딩 현상을 최소화하기 위해 도전성 물질의 함량을 50% 미만으로 줄인 베이스판에서 발생되는 브레이징 불안전성을 제1금속막을 통해 방지할 수 있는 각별한 효과를 갖는다.
본 발명의 효과가 상술한 효과들로 한정되는 것은 아니며, 언급되지 아니한 효과들은 본 명세서 및 첨부된 도면으로부터 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확히 이해될 수 있을 것이다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치를 나타내는 단면도이다.
도 2는 도 1의 지지 유닛의 지지판의 일 실시예를 보여주는 평면도이다.
도 3은 도 2의 선 X-X' 에서 바라본 지지 유닛의 지지판을 보여주는 단면도이다.
도 4는 도 1의 지지 유닛의 구성요소를 개략적으로 보여주는 분리도이다.
도 5는 지지 유닛 제조 방법을 보여주는 순서도이다.
도 6은 도 5에 도시된 제조 방법에 의해 접합된 지지판과 베이스판의 접합부의 미세조직을 보여주는 사진이다.
도 7은 정전 척의 변형예를 보여주는 도면이다.
이하, 본 발명의 실시예를 첨부된 도면들을 참조하여 더욱 상세하게 설명한다. 본 발명의 실시예는 여러 가지 형태로 변형할 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래의 실시예들로 한정되는 것으로 해석되어서는 안 된다. 본 실시예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 요소의 형상은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해 과장되었다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치를 보여주는 단면도이다.
도 1을 참조하면, 기판 처리 장치(10)는 플라즈마를 이용하여 기판(W)을 처리한다. 예를 들어, 기판 처리 장치(10)는 플라즈마를 이용하여 기판(W)을 식각, 세정, 애싱 등의 공정을 수행할 수 있다. 기판 처리 장치(10)는 챔버(100), 지지 유닛(200), 플라즈마 소스(300), 가스 공급 유닛(400), 그리고 배플 유닛(500)을 포함한다.
챔버(100)는 내부에 기판 처리 공정이 수행되는 처리 공간을 제공한다. 챔버(100)는 내부의 처리 공간을 가지고, 밀폐된 형상으로 제공된다. 챔버(100)는 금속 재질로 제공된다. 챔버(100)는 알루미늄 재질로 제공될 수 있다. 챔버(100)는 접지될 수 있다. 챔버(100)의 바닥면에는 배기홀(102)이 형성된다. 배기홀(102)은 배기 라인(151)과 연결된다. 공정 과정에서 발생한 반응 부산물 및 챔버의 내부 공간에 머무르는 가스는 배기 라인(151)을 통해 외부로 배출될 수 있다. 배기 과정에 의해 챔버(100)의 내부는 소정 압력으로 감압된다.
일 예에 의하면, 챔버(100) 내부에는 라이너(130)가 제공될 수 있다. 라이너(130)는 상면 및 하면이 개방된 원통 형상을 가진다. 라이너(130)는 챔버(100)의 내측면과 접촉하도록 제공될 수 있다. 라이너(130)는 챔버(100)의 내측벽을 보호하여 챔버(100)의 내측벽이 아크 방전으로 손상되는 것을 방지한다. 또한, 기판 처리 공정 중에 발생한 불순물이 챔버(100)의 내측벽에 증착되는 것을 방지한다. 선택적으로, 라이너(130)는 제공되지 않을 수도 있다.
챔버(100)의 내부에는 지지 유닛(200)이 위치한다. 지지 유닛(200)은 기판(W)을 지지한다. 지지 유닛(200)은 정전기력을 이용하여 기판(W)을 흡착하는 정전 척(210)을 포함할 수 있다. 이와 달리, 지지 유닛(200)은 기계적 클램핑과 같은 다양한 방식으로 기판(W)을 지지할 수도 있다. 이하에서는 정전 척(210)을 포함하는 지지 유닛(200)에 대하여 설명한다.
지지 유닛(200)은 정전 척(210), 하부 커버(250) 그리고 플레이트(270)를 포함한다. 지지 유닛(200)은 챔버(100) 내부에서 챔버(100)의 바닥면에서 상부로 이격되어 위치할 수 있다.
정전 척(210)은 지지판(220), 베이스판(230)을 포함한다.
지지판(220)은 정전 척(210)의 상단부로 제공된다.
지지판(220)은 비도전성 재질로 이루어진다. 지지판(220)의 저면에는 금속막(226)이 증착된다. 이와 달리, 지지판(220)은 베이스판(230)의 재질에 포함된 도전성 재질과 첨가 물질을 혼합한 혼합 물질로 제공될 수 있다. 일 예에 의하면, 지지판(220)은 원판 형상의 유전체(dielectric substance)를 포함할 수 있다. 지지판(220)의 상면에는 기판(W)이 놓인다. 지지판(220)의 상면은 기판(W)보다 작은 반경을 갖는다. 때문에, 기판(W) 가장자리 가열 영역은 지지판(220)의 외측에 위치한다.
도 2는 지지판의 일 실시예를 보여주는 평면도이고, 도 3은 도 2의 선 X-X' 에서 바라본 지지 유닛의 지지판을 보여주는 단면도이다.
도 2 및 도 3을 참조하면, 지지판(220)은 내측 홈(221), 외측 홈(222), 돌기(224), 돌출부(227), 그리고 제2공급 유로(233)을 포함할 수 있다. 내측 홈(221)은 지지판(220)의 상면 중앙부에 위치할 수 있다. 내측 홈(221)은 상부에서 바라볼 때 원형의 형상으로 제공될 수 있다. 내측 홈(221)은 제1 깊이(d1)를 가지도록 제공될 수 있다.
또한, 내측 홈(221)은 상부에서 바라볼 때 제1 면적(A1)을 가지도록 제공될 수 있다. 내측 홈(221)은 제1 체적(V1)으로 제공될 수 있다. 이때 제1 체적(V1)은 내측 홈(221)에 열전달 가스가 위치할 수 있는 체적을 의미한다. 따라서 제1 체적(V1)은 내측 홈(221)의 체적에서 내측 홈(221)에 위치하는 돌출부(227)의 체적을 제외한 체적을 의미한다.
외측 홈(222)은 상부에서 바라볼 때 환형의 링 형상으로 제공될 수 있다. 외측 홈(222)은 내측 홈(221)을 둘러싸는 형상으로 제공될 수 있다. 외측 홈(222)은 제2 깊이(d2)를 가지도록 제공될 수 있다. 이때 외측 홈(222)의 제2 깊이(d2)는 내측 홈(221)의 제1 깊이(d1)와 상이한 깊이로 제공될 수 있다. 이와 달리, 외측 홈(222)의 제2 깊이(d2)는 내측 홈(221)의 제1 깊이(d1)와 동일한 깊이로 제공될 수도 있다.
외측 홈(222)은 상부에서 바라볼 때 제2 면적(A2)을 가지도록 제공될 수 있다. 외측 홈(222)의 제2 면적(A2)은 내측 홈(221)의 제1 면적(A1)보다 넓은 면적으로 제공될 수 있다. 이와 달리, 외측 홈(222)의 제2 면적(A2)은 내측 홈(221)의 제1 면적(A1)과 동일한 면적으로 제공될 수 있다. 외측 홈(222)은 제2 체적(V2)으로 제공될 수 있다. 이때 제2 체적(V2)은 외측 홈(222)에 열전달 가스가 위치할 수 있는 체적을 의미한다. 따라서 제2 체적(V2)은 외측 홈(222)의 체적에서 외측 홈(222)에 위치하는 돌출부(227)의 체적을 제외한 체적을 의미한다. 일 예에 의하면, 외측 홈(222)의 제2 체적(V2)은 내측 홈(221)의 제1 체적(V1)보다 넓은 체적으로 제공될 수 있다. 이와 달리, 외측 홈(222)의 제2 체적(V2)은 내측 홈(221)의 제1 체적(V1)과 동일한 체적으로 제공될 수 있다.
돌기(224)는 내측 홈(221)과 외측 홈(222) 사이에 제공될 수 있다. 돌기(224)는 내측 홈(221)과 외측 홈(222)을 구분하는 경계로서 제공될 수 있다. 돌기(224)는 그 상단이 지지판(220)과 돌출부(227)의 상단의 높이와 동일하게 제공될 수 있다.
돌출부(227)는 내측 홈(221)과 외측 홈(222) 내부에 제공된다. 돌출부(227)는 복수개 제공될 수 있다. 돌출부(227)는 제1 돌출부(227a)와 제2 돌출부(227b)를 포함할 수 있다. 제1 돌출부(227a)는 내측 홈(221)의 내부에 위치할 수 있다. 제1 돌출부(227a)는 복수개 제공될 수 있다. 복수개의 제1 돌출부(227a)는 서로간에 일정한 간격을 가지도록 위치할 수 있다. 제1 돌출부(227a)는 내측 홈(221)의 제1 깊이(d1)와 동일한 깊이를 가질 수 있다. 제1 돌출부(227a)는 그 상단이 돌기(224)의 상단과 동일한 높이에 제공될 수 있다.
제2 돌출부(227b)는 외측 홈(222)의 내부에 위치할 수 있다. 제2 돌출부(227b)는 복수개 제공될 수 있다. 복수개의 제2 돌출부(227b)는 서로간에 일정한 간격을 가지도록 위치할 수 있다. 제2 돌출부(227b)는 외측 홈(222)의 제2 깊이(d2)와 동일한 깊이를 가질 수 있다. 제2 돌출부(227b)는 그 상단이 돌기(224)의 상단과 동일한 높이에 제공될 수 있다.
제2공급 유로(233)는 기판(W)의 저면에 열전달 가스를 공급한다. 제2공급 유로(233)는 내측 홈(221)과 외측 홈(222)에 각각 열전달 가스를 공급할 수 있다. 제2공급 유로(233)는 내측 홈(221)과 외측 홈(222)에 각각 연결될 수 있다. 일 예에 의하면, 제2공급 유로(233)는 내측 제2공급 유로(233a)와 외측 제2공급 유로(233b)를 포함할 수 있다. 내측 제2공급 유로(233a)는 내측 홈(221)과 연결되어 내측 홈(221)으로 열전달 가스를 전달할 수 있다. 외측 제2공급 유로(233b)는 외측 홈(222)과 연결되어 외측 홈(222)으로 열전달 가스를 전달할 수 있다.
열전달 가스는 기판(W)과 지지 유닛(200) 상호간에 열전달의 매개체로서 역할을 한다. 열전달 가스는 열전도도가 큰 유체를 제공하여 기판(W)과 지지 유닛(200) 상호간에 열전달이 용이하게 될 수 있도록 할 수 있다. 이에 지지 유닛(200) 상면에 제공되는 열전달 가스의 양을 조절하여 기판(W)의 온도를 조절할 수 있다. 상술한 바와 같이, 지지 유닛(200) 상면에 복수개의 홈을 제공하여 각각의 홈의 깊이, 넓이, 그리고 부피를 상이하게 하여 기판(W)과 지지 유닛(200) 사이에 위치하는 열전달 가스의 양을 조절할 수 있다. 이로 인하여 기판(W)의 영역에 따른 온도 조절을 용이하게 할 수 있다. 일 예에 의하면, 열전달 가스는 헬륨(He)을 포함할 수 있다.
다시 도 1을 참조하면, 지지판(220)은 내부에 매설되는 제1 전극(223)과 히터(225)를 더 포함한다.
제1 전극(223)은 제1 전원(223a)과 전기적으로 연결된다. 제1 전원(223a)은 직류 전원을 포함한다. 제1 전극(223)과 제1 전원(223a) 사이에는 스위치(223b)가 설치된다. 제1 전극(223)은 스위치(223b)의 온/오프(ON/OFF)에 의해 제1 전원(223a)과 전기적으로 연결될 수 있다. 스위치(223b)가 온(ON) 되면, 제1 전극(223)에는 직류 전류가 인가된다. 제1 전극(223)에 인가된 전류에 의해 제1 전극(223)과 기판(W) 사이에는 정전기력이 작용하며, 정전기력에 의해 기판(W)은 지지판(220)에 흡착된다.
히터(225)는 제1 전극(223)의 하부에 위치한다. 히터(225)는 제2 전원(225a)과 전기적으로 연결된다. 히터(225)는 제2 전원(225a)에서 인가된 전류에 저항함으로써 열을 발생시킨다. 발생된 열은 지지판(220)을 통해 기판(W)으로 전달된다. 히터(225)에서 발생된 열에 의해 기판(W)은 소정 온도로 유지된다. 히터(225)는 나선 형상의 코일을 포함한다.
지지판(220)의 하부에는 베이스판(230)이 위치한다. 지지판(220)의 저면과 베이스판(230)의 상면은 필러(235)를 매개로 하여 브레이징에 의해 접착될 수 있다. 베이스판(230)은 도전성 물질을 포함할 수 있다. 일 예로, 베이스판(230)은 알루미늄 재질로 제공될 수 있다. 베이스판(230)은 전극을 포함할 수 있다. 베이스판(230)의 상면은 중심 가열 영역이 가장자리 가열 영역보다 높게 위치되도록 단차질 수 있다. 베이스판(230)의 상면 중심 가열 영역은 지지판(220)의 저면에 상응하는 면적을 가지며, 지지판(220)의 저면과 접착된다. 베이스판(230)에는 순환 유로(231), 냉각 부재(232), 그리고 제2 공급 유로(233)가 형성된다.
순환 유로(231)는 열전달 매체가 순환하는 통로로 제공된다. 순환 유로(231)는 베이스판(230) 내부에 나선 형상으로 형성될 수 있다. 또는, 순환 유로(231)는 서로 상이한 반경을 갖는 링 형상의 유로들이 동일한 중심을 갖도록 배치될 수 있다. 각각의 순환 유로(231)들은 서로 연통될 수 있다. 순환 유로(231)들은 동일한 높이에 형성된다.
냉각 부재(232)는 바디를 냉각시킨다. 냉각 부재(232)는 냉각 유체가 순환하는 통로로 제공된다. 냉각 부재(232)는 베이스판(230) 내부에 나선 형상으로 형성될 수 있다. 또한, 냉각 부재(232)는 서로 상이한 반경을 갖는 링 형상의 유로들이 동일한 중심을 갖도록 배치될 수 있다. 각각의 냉각 부재(232)들은 서로 연통될 수 있다. 냉각 부재(232)는 순환 유로(231)보다 큰 단면적을 가질 수 있다. 냉각 부재(232)들은 동일한 높이에 형성된다. 냉각 부재(232)는 순환 유로(231)의 하부에 위치될 수 있다.
제2 공급 유로(233)는 순환 유로(231)부터 상부로 연장되며, 베이스판(230)의 상면으로 제공된다. 제2 공급 유로(233)는 순환 유로(231)에 대응하는 개수로 제공될 수 있다.
순환 유로(231)는 열전달 매체 공급라인(231b)을 통해 열전달 매체 저장부(231a)와 연결된다. 열전달 매체 저장부(231a)에는 열전달 매체가 저장된다. 열전달 매체는 불활성 가스를 포함한다. 실시예에 의하면, 열전달 매체는 헬륨(He) 가스를 포함한다. 헬륨 가스는 공급 라인(231b)을 통해 순환 유로(231)에 공급되며, 제2 공급 유로(233)와 내측홈(221) 및 외측홈(222)을 거쳐 기판(W) 저면으로 공급된다. 헬륨 가스는 플라즈마에서 기판(W)으로 전달된 열이 정전 척(210)으로 전달되는 매개체 역할을 한다.
냉각 부재(232)는 냉각 유체 공급 라인(232c)을 통해 냉각 유체 저장부(232a)와 연결된다. 냉각 유체 저장부(232a)에는 냉각 유체가 저장된다. 냉각 유체 저장부(232a) 내에는 냉각기(232b)가 제공될 수 있다. 냉각기(232b)는 냉각 유체를 소정 온도로 냉각시킨다. 이와 달리, 냉각기(232b)는 냉각 유체 공급 라인(232c) 상에 설치될 수 있다. 냉각 유체 공급 라인(232c)을 통해 냉각 부재(232)에 공급된 냉각 유체는 냉각 부재(232)를 따라 순환하며 베이스판(230)을 냉각한다. 베이스판(230)은 냉각되면서 지지판(220)와 기판(W)을 함께 냉각시켜 기판(W)을 소정 온도로 유지시킨다.
베이스판(230)는 금속판을 포함할 수 있다. 일 예에 의하면, 베이스판(230) 전체가 금속판으로 제공될 수 있다. 베이스판(230)는 제3 전원(235a)과 전기적으로 연결될 수 있다. 제3 전원(235a)은 고주파 전력을 발생시키는 고주파 전원으로 제공될 수 있다. 고주파 전원은 RF 전원으로 제공될 수 있다. 베이스판(230)는 제3 전원(235a)으로부터 고주파 전력을 인가 받는다. 이로 인하여 베이스판(230)는 전극으로서 기능할 수 있다.
포커스 링(240)은 정전 척(210)의 가장자리 영역에 배치된다. 포커스 링(240)은 링 형상을 가지며, 지지판(220)의 둘레를 따라 배치된다. 포커스 링(240)의 상면은 외측부(240a)가 내측부(240b)보다 높도록 단차질 수 있다. 포커스 링(240)의 상면 내측부(240b)는 지지판(220)의 상면과 동일 높이에 위치된다. 포커스 링(240)의 상면 내측부(240b)는 지지판(220)의 외측에 위치된 기판(W)의 가장자리 영역을 지지한다. 포커스 링(240)의 외측부(240a)는 기판(W) 가장자리 영역을 둘러싸도록 제공된다. 포커스 링(240)은 기판(W)의 전체 영역에서 플라즈마의 밀도가 균일하게 분포하도록 전자기장을 제어한다. 이에 의해, 기판(W)의 전체 영역에 걸쳐 플라즈마가 균일하게 형성되어 기판(W)의 각 영역이 균일하게 식각될 수 있다.
하부 커버(250)는 지지 유닛(200)의 하단부에 위치한다. 하부 커버(250)는 챔버(100)의 바닥면에서 상부로 이격되어 위치한다. 하부 커버(250)는 상면이 개방된 공간이 내부에 형성된다. 하부 커버(250)의 외부 반경은 베이스판(230)의 외부 반경과 동일한 길이로 제공될 수 있다. 하부 커버(250)의 내부 공간에는 반송되는 기판(W)을 외부의 반송 부재로부터 정전 척(210)으로 이동시키는 리프트 핀 모듈(미도시) 등이 위치할 수 있다. 하부 커버(250)의 저면은 금속 재질로 제공될 수 있다.
하부 커버(250)는 연결 부재(253)를 갖는다. 연결 부재(253)는 하부 커버(250)의 외측면과 챔버(100)의 내측벽을 연결한다. 연결 부재(253)는 하부 커버(250)의 외측면에 일정한 간격으로 복수개 제공될 수 있다. 연결 부재(253)는 지지 유닛(200)을 챔버(100) 내부에서 지지한다. 또한, 연결 부재(253)는 챔버(100)의 내측벽과 연결됨으로써 하부 커버(250)가 전기적으로 접지(grounding)되도록 한다. 제1 전원(223a)과 연결되는 제1 전원라인(223c), 제2 전원(225a)과 연결되는 제2 전원라인(225c), 제3 전원(235a)과 연결되는 제3 전원라인(235c), 열전달 매체 저장부(231a)와 연결된 열전달 매체 공급라인(231b) 그리고 냉각 유체 저장부(232a)와 연결된 냉각 유체 공급 라인(232c)등은 연결 부재(253)의 내부 공간을 통해 하부 커버(250) 내부로 연장된다.
정전 척(210)과 하부 커버(250)의 사이에는 플레이트(270)가 위치한다. 플레이트(270)는 하부 커버(250)의 상면을 덮는다. 플레이트(270)는 베이스판(230)에 상응하는 단면적으로 제공된다. 플레이트(270)는 절연체를 포함할 수 있다. 플레이트(270)는 베이스판(230)와 하부 커버(250)를 전기적으로 절연시킨다.
플라즈마 소스는 공정 가스로부터 플라즈마를 발생시킨다. 플라즈마 소스는 용량 결합형 플라즈마(CCP: capacitively coupled plasma) 또는 유도결합형 플라즈마(ICP: inductively coupled plasma)가 제공될 수 있다.
이하에서는 본 발명의 일 실시예에 의한 기판 처리 장치(10)는 플라즈마 소스가 용량 결합형 플라즈마(CCP: capacitively coupled plasma)로 제공되는 것으로 설명한다. 이에 플라즈마 소스는 샤워 헤드(300)를 포함한다. 이와 달리, 플라즈마 소스는 유도결합형 플라즈마(ICP: inductively coupled plasma)로 제공될 수도 있다.
샤워 헤드(300)는 챔버(100) 내부에서 지지 유닛(200)의 상부에 위치한다. 샤워 헤드(300)는 지지 유닛(200)과 대향하도록 위치한다.
샤워 헤드(300)는 가스 분산판(310)과 지지부(330)를 포함한다. 가스 분산판(310)은 챔버(100)의 상면에서 하부로 일정거리 이격되어 위치한다. 가스 분산판(310)과 챔버(100)의 상면은 그 사이에 일정한 공간이 형성된다. 가스 분산판(310)은 두께가 일정한 판 형상으로 제공될 수 있다. 가스 분산판(310)의 저면은 플라즈마에 의한 아크 발생을 방지하기 위하여 그 표면이 양극화 처리될 수 있다. 가스 분산판(310)의 단면은 지지 유닛(200)과 동일한 형상과 단면적을 가지도록 제공될 수 있다. 가스 분산판(310)은 복수개의 분사홀(311)을 포함한다. 분사홀(311)은 가스 분산판(310)의 상면과 하면을 수직 방향으로 관통한다. 가스 분산판(310)은 금속 재질을 포함한다. 가스 분산판(310)은 제4 전원(351)과 전기적으로 연결될 수 있다. 제4 전원(351)은 고주파 전원으로 제공될 수 있다. 이와 달리, 가스 분산판(310)은 전기적으로 접지될 수도 있다. 가스 분산판(310)은 제4 전원(351)과 전기적으로 연결되거나, 접지되어 전극으로서 기능할 수 있다.
지지부(330)는 가스 분산판(310)의 측부를 지지한다. 지지부(330)는 상단은 챔버(100)의 상면과 연결되고, 하단은 가스 분산판(310)의 측부와 연결된다. 지지부(330)는 비금속 재질을 포함할 수 있다.
샤워 헤드(300)는 전력이 제공되어 전극의 역할을 한다. 샤워 헤드(300)와 지지 유닛(200)의 베이스판(230)는 각각 상부 전극과 하부 전극으로 제공될 수 있다. 상부 전극 및 하부 전극은 챔버(100)의 내부에서 서로 평행하게 상하로 배치될 수 있다. 양 전극 중 어느 하나의 전극은 고주파 전력을 인가하고, 다른 전극은 접지될 수 있다. 양 전극 간의 공간에는 전자기장이 형성되고, 이 공간에 공급되는 공정 가스는 플라즈마 상태로 여기될 수 있다. 이 플라즈마를 이용하여 기판 처리 공정이 수행된다.
일 예에 의하면, 하부 전극에는 고주파 전력이 인가되고, 상부 전극은 접지될 수 있다. 이와 달리, 상부 전극과 하부 전극에 모두 고주파 전력이 인가될 수 있다. 이로 인하여 상부 전극과 하부 전극 사이에 전자기장이 발생된다. 발생된 전자기장은 챔버(100) 내부로 제공된 공정 가스를 플라즈마 상태로 여기시킨다.
가스 공급 유닛(400)은 챔버(100) 내부에 공정 가스를 공급한다. 가스 공급 유닛(400)은 가스 공급 노즐(410), 가스 공급 라인(420), 그리고 가스 저장부(430)를 포함한다. 가스 공급 노즐(410)은 챔버(100)의 상면 중앙부에 설치된다. 가스 공급 노즐(410)의 저면에는 분사구가 형성된다. 분사구는 챔버(100) 내부로 공정 가스를 공급한다. 가스 공급 라인(420)은 가스 공급 노즐(410)과 가스 저장부(430)를 연결한다. 가스 공급 라인(420)은 가스 저장부(430)에 저장된 공정 가스를 가스 공급 노즐(410)에 공급한다. 가스 공급 라인(420)에는 밸브(421)가 설치된다. 밸브(421)는 가스 공급 라인(420)을 개폐하며, 가스 공급 라인(420)을 통해 공급되는 공정 가스의 유량을 조절한다.
배플 유닛(500)은 챔버(100)의 내측벽과 지지 유닛(200)의 사이에 위치된다. 배플(510)은 환형의 링 형상으로 제공된다. 배플(510)에는 복수의 관통홀(511)들이 형성된다. 챔버(100) 내에 제공된 공정 가스는 배플(510)의 관통홀(511)들을 통과하여 배기홀(102)로 배기된다. 배플(510)의 형상 및 관통홀(511)들의 형상에 따라 공정 가스의 흐름이 제어될 수 있다.
이하, 상술한 도 1의 지지 유닛을 제조하는 방법을 설명한다.
도 4는 도 1의 지지 유닛의 구성요소를 개략적으로 보여주는 분리도이다. 도 5는 지지 유닛 제조 방법을 보여주는 순서도이다.
도면 편의상, 지지판(220) 상부의 홈, 돌기, 돌출부, 공급 유로들 등은 생략하였다. 또한, 도면 편의상, 제1금속막과 제2금속막이 금속망(290)보다 두꺼운 것으로 도시하였으나, 실제로는 도 6에서와 같이 금속망의 두께가 제1,2금속막보다 두껍게 제공된다.
지지 유닛의 정전 척(210)은 지지판(220)과 베이스판(230) 그리고 접합부를 포함한다. 여기서, 접합부는 제1금속막(282)과 제2금속막(284) 그리고 그 사이에 금속망(290)을 매개로 하여 브레이징(Brazing)에 의해 접착되는 접합층이다. 본 실시예에서 접합부는 금속망(290)을 포함하는 것으로 도시하고 설명하였으나, 접합부는 금속망이 아닌 플레이트 형상의 금속판으로도 제공될 수 있다.
베이스판(230)은 지지판(220)과의 열팽창율 차이에 의한 열응력을 최소화하기 위해, 도전성 물질에 첨가 물질을 혼합한 도전성 복합 재질로 제공될 수 있다. 첨가 물질은 열팽창율이 도전성 물질과 지지판의 재질 간의 열팽창율의 차이보다 작게 되는 물질일 수 있다. 일 예로, 도전성 물질은 티타늄(Ti) 또는 AL(알루미늄)을 포함할 수 있으나, 바람직하게는 AL(알루미늄)일 수 있다. 첨가 물질은 Sic(탄화규소), AL2O3(산화알루미늄), Si(실리콘), Graphite(그라파이터), 유리섬유 중 어느 하나를 포함할 수 있다. 도전성 복합 물질은 도전성 물질인 AL(알루미늄)의 함량이 50% 이상일 경우 300mm 정전척 제작시 열팽창율 차이로 인한 밴딩현상으로 정전척 제작이 불가하고, 도전성 물질인 AL(알루미늄)의 함량이 50% 미만(바람직하게는 40%~10%)의 경우 브레이징의 모재인 AL(알루미늄)의 함량 부족으로 안정적인 브레이징 형성이 어렵다. 이러한 문제를 해소하기 위해 본 발명의 베이스판(230)은 상면에 AL(알루미늄)으로 제1금속막(282)을 형성하여 브레이징을 진행함으로써 안정적인 브레이징 계면을 형성할 수 있다(S10).
상기와 같이, AL(알루미늄)의 함량이 10-40% 미만으로 포함된 도전성 복합 재질로 베이스판(230)을 제작하고, 그 상면에 제1금속막(282)을 형성함으로써, 브레이징에 의해 지지판(220)과 베이스판(230)을 결합시킬 때, 지지판(220)과 베이스판(230)의 열팽창률 차이에 의한 열응력을 줄일 수 있고, 제1금속막(282)에 의해 안정적인 브레이징 계면을 제공할 수 있다. 이처럼, 열팽창률 차이에 의한 열응력을 줄임으로써, 열 팽창차이에 따른 지지판(220)의 깨짐 현상, 밴딩(banding) 현상 등을 방지할 수 있다.
한편, 베이스판(230)은 냉각 유체가 순환하는 통로인 냉각부재(232)를 제공하기 위해 상부 베이스판(230-1)과 하부 베이스판(230-2)으로 각각 제작된 후 브레이징에 의해 접착된다. 여기서, 상부 베이스판(230-1)과 하부 베이스판(230-2)의 브레이징 온도는 베이스판(230)과 지지판(220) 간의 브레이징 온도보다 높다.
비도전성 재질로 이루어진 지지판(220)은 저면에 제2금속막(284)을 증착시킨다(S10). 제2금속막(284)은 제1금속막(282)과 동일한 재질인 AL(알루미늄)으로 제공될 수 있다. 지지판(220)은 저면과 제2금속막(284) 사이에 제3금속막(286)이 제공될 수 있다. 제2금속막(284)을 증착하기 전에 제3금속막(286)은 진공 증착 또는 도금에 의해 지지판 저면에 증착될 수 있다. 제3금속막(286)은 Ti(티타늄)일 수 있으나, 이외에도 Ni(니켈), Ag(은)을 적용할 수도 있다.
한편, 지지판(220)과 도전성 재질로 이루어진 베이스판(230) 사이에 금속망(290)을 제공한다(S20). 일 예로, 금속망(236)은 20~80%의 기공율을 가질 수 있다. 금속망(290)은 금속 재질로 제공될 수 있다. 일 예로, 금속망(290)은 AL(알루미늄)을 포함할 수 있다. 금속망(290)을 매개로 하여, 브레이징(Brazing) 공정을 수행한다(S30).
브레이징 공정을 간단히 설명하면, 접합될 지지판(220)과 베이스판(230) 사이에 금속망(290)를 삽입한 후, 금속망(290) 금속을 용융하기 충분한 온도로 가열한 후, 융융된 금속망(290)를 냉각함에 따라 도 6에서와 같은 강한 접합부가 형성된다. 지지판(220)과 베이스판(230)은 상기와 같은 브레이징에 의해 결합된다(S40). 이에 의해 지지판(220)과 베이스판(230)이 결합됨에 따라, 정전척(210)은 고온 공정시에 큰 내열성을 가질 수 있다.
상술한 예에서는 지지판(220)과 베이스판(230)이 브레이징에 의해서 결합되는 것으로 설명하였다. 이와 달리, 지지판(220)과 베이스판(230)은 다른 다양한 방식으로 결합될 수 있다. 일 예로, 지지판(220)과 베이스판(230) 사이에는 접착층이 제공될 수 있다.
또 다른 예로, 앞서 언급한 접합부와 베이스판(230)의 제1금속막을 생략하고, 지지판(220)의 저면에 제2금속막(284)을 증착시킨 상태에서 브레이징 처리를 통해 베이스판(230)과 지지판(220)을 접합할 수 있다.
도 7 정전 척의 변형예를 보여주는 도면이다.
도 7에 도시된 정전 척(210a)은 지지판(220)과 베이스판(230) 그리고 접합부를 포함한다. 여기서, 접합부는 필러(235)를 매개로 하여 브레이징에 의해 접착되는 접합층으로, 앞의 정전 척과 다른 점은 금속망(290)이 필러(235)에 삽입된다는데 있다.
본 실시예에서는 필러(235) 내부에 금속망(236)이 삽입된 형태로 접합부가 제공될 수 있으나, 또 다른 예로, 정전척은 필러(235)라는 매개체를 생략하고, 베이스판(230)의 제1금속막(282)과 지지판(220)의 제2금속막(284) 사이에 완충 금속층을 같은 물질(알루미늄)으로 하여 특별한 필러 없이 고상 확산 브레이징을 통하여 접합할 수 있다.
이상의 상세한 설명은 본 발명을 예시하는 것이다. 또한 전술한 내용은 본 발명의 바람직한 실시 형태를 나타내어 설명하는 것이며, 본 발명은 다양한 다른 조합, 변경 및 환경에서 사용할 수 있다. 즉 본 명세서에 개시된 발명의 개념의 범위, 저술한 개시 내용과 균등한 범위 및/또는 당업계의 기술 또는 지식의 범위내에서 변경 또는 수정이 가능하다. 저술한 실시예는 본 발명의 기술적 사상을 구현하기 위한 최선의 상태를 설명하는 것이며, 본 발명의 구체적인 적용 분야 및 용도에서 요구되는 다양한 변경도 가능하다. 따라서 이상의 발명의 상세한 설명은 개시된 실시 상태로 본 발명을 제한하려는 의도가 아니다. 또한 첨부된 청구범위는 다른 실시 상태도 포함하는 것으로 해석되어야 한다.
10: 기판 처리 장치 100: 챔버
200: 지지 유닛 210: 정전 척
300 : 플라즈마 소스 227: 돌출부
400 : 가스 공급 유닛 500 : 배플 유닛

Claims (23)

  1. 기판을 지지하는 지지 유닛을 제조하는 방법에 있어서:
    비도전성 재질로 이루어진, 그리고 기판을 지지하는 지지판을 제공하고,
    상기 지지판의 아래에 배치되고, 도전성 물질을 포함하는 재질로 이루어진 베이스판을 제공하고,
    상기 베이스판의 상면에 AL(알루미늄)으로 이루어지는 제1금속막을 형성하고, 상기 지지판의 저면에 상기 제1금속막과 동일한 물질을 포함하는 제2금속막을 증착한 후 브레이징 처리를 통해 상기 지지판과 상기 베이스판을 접합하되;
    상기 지지판과 상기 베이스판 사이에 열팽창 완충을 위해 AL(알루미늄)이 포함된 금속 재질의 필러와 상기 필러에 삽입되는 금속망을 제공하여 상기 금속망을 포함하는 상기 필러를 매개로 하여 상기 제1금속막과 상기 제2금속막이 결합하는 지지 유닛 제조 방법.
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  8. 제1항에 있어서,
    상기 제2금속막은 상기 지지판의 저면에 증착된 제3금속막 상에 증착되는 지지 유닛 제조 방법.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 제3금속막은 Ti(티타늄)인 지지 유닛 제조 방법.
  10. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 베이스판은
    상기 지지판과의 열팽창율 차이에 의한 열응력을 최소화하기 위해, 상기 도전성 물질에 첨가 물질을 혼합한 도전성 복합 재질로 제공되되;
    상기 도전성 물질은 AL(알루미늄)을 포함하고,
    상기 첨가 물질은
    Sic(탄화규소), AL2O3(산화알루미늄), Si(실리콘), Graphite(그라파이터), 유리섬유 중 어느 하나를 포함하는 지지 유닛 제조 방법.
  11. 제10에 있어서,
    상기 도전성 복합 재질은 상기 도전성 물질인 AL(알루미늄)이 10% ~ 40% 포함되는 지지 유닛 제조 방법.
  12. 제10에 있어서,
    상기 베이스판은
    상부 베이스와 하부 베이스를 포함하고, 상기 상부 베이스와 상기 하부 베이스는 브레이징 처리를 통해 접합되며,
    상기 상부 베이스와 상기 하부 베이스의 브레이징 처리 온도는 상기 베이스판과 상기 지지판의 브레이징 처리 온도보다 높은 온도에서 이루어지는 지지 유닛 제조 방법.
  13. 삭제
  14. 지지 유닛에 있어서:
    정전기력으로 기판을 흡착시키는 전극을 포함하는 비전도성 재질의 지지판; 및
    상기 지지판의 하부에 위치하고, 고주파 전원이 연결되며, 상면에는 AL(알루미늄)로 이루어지는 제1금속막이 증착되어 브레이징에 의해 상기 지지판과 결합되는 베이스판을 포함하되;
    상기 지지판은
    저면에 상기 제1금속막과 동일 소재의 제2금속막이 증착되고,
    상기 제1금속막과 상기 제2금속막 사이에 위치되어, 상기 제1금속막 및 상기 제2금속막과 동일 소재의 금속을 함유하고 있는 금속 재질의 필러를 매개로 하여 상기 제1금속막과 상기 제2금속막이 고정되는 접합부를 포함하며;
    상기 필러는 내부에 금속망이 삽입된 형태로 이루어지는 기판 지지 유닛.
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  16. 제15항에 있어서,
    상기 제2금속막은 상기 지지판의 저면에 증착된 제3금속막 상에 증착되며,
    상기 제3금속막은 Ti(티타늄)인 기판 지지 유닛.
  17. 제14항에 있어서,
    상기 베이스판은
    상기 지지판과의 열팽창율 차이에 의한 열응력을 최소화하기 위해, 도전성 물질인 AL(알루미늄)에 Sic(탄화규소), AL2O3(산화알루미늄), Si(실리콘), Graphite(그라파이터), 유리섬유 중 어느 하나가 첨가된 도전성 복합 재질로 제공되되;
    상기 도전성 복합 재질은 상기 도전성 물질이 10% ~ 40% 포함되는 기판 지지 유닛.
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  20. 내부에 처리 공간을 가지는 챔버;
    상기 챔버 내에 위치하고, 기판을 지지하는 지지 유닛;
    상기 처리 공간으로 공정 가스를 공급하는 가스 공급 유닛; 및
    상기 공정 가스로부터 플라즈마를 발생시키는 플라즈마 소스;를 포함하되,
    상기 지지 유닛은
    고주파 전원이 연결되며, 상면에는 제1금속막이 증착된 베이스판;
    상기 베이스판의 상부에 위치하고, 정전기력으로 기판을 흡착시키는 전극을 포함하며, 저면에는 상기 제1금속막과 동일 물질의 제2금속막이 증착되어 브레이징에 의해 상기 베이스판과 접합되는 비전도성 재질의 지지판; 및
    상기 베이스판과 상기 지지판 사이에 위치하고, 브레이징에 의해 상기 지지판과 상기 베이스판을 접합하는 필러를 포함하고, 상기 필러는 상기 제1금속막 및 상기 제2금속막과 동일 소재의 금속이 포함되고, 상기 필러에 금속망이 삽입된 기판 처리 장치.
  21. 제20항에 있어서,
    상기 베이스판은
    상기 지지판과의 열팽창율 차이에 의한 열응력을 최소화하기 위해, 도전성 물질에 Sic(탄화규소), AL2O3(산화알루미늄), Si(실리콘), Graphite(그라파이터), 유리섬유 중 어느 하나가 첨가된 도전성 복합 재질로 제공되되;
    상기 도전성 복합 재질은 상기 도전성 물질이 10% ~ 40% 포함되는 기판 처리 장치.
  22. 제20항 또는 제21항에 있어서,
    상기 베이스판과 상기 지지판 사이에 위치하고, 브레이징에 의해 상기 지지판과 상기 베이스판을 접합하는 금속 재질의 금속판을 더 포함하는 기판 처리 장치.
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