KR20140118670A - 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치 - Google Patents

지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR20140118670A
KR20140118670A KR1020130104066A KR20130104066A KR20140118670A KR 20140118670 A KR20140118670 A KR 20140118670A KR 1020130104066 A KR1020130104066 A KR 1020130104066A KR 20130104066 A KR20130104066 A KR 20130104066A KR 20140118670 A KR20140118670 A KR 20140118670A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
groove
heat transfer
transfer gas
gas supply
supply line
Prior art date
Application number
KR1020130104066A
Other languages
English (en)
Inventor
이원행
Original Assignee
세메스 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 세메스 주식회사 filed Critical 세메스 주식회사
Priority to CN201410122654.1A priority Critical patent/CN104078387A/zh
Publication of KR20140118670A publication Critical patent/KR20140118670A/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32715—Workpiece holder
    • H01J37/32724—Temperature
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
    • H01L21/67069—Apparatus for fluid treatment for etching for drying etching
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68785—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by the mechanical construction of the susceptor, stage or support

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Abstract

본 발명은 기판 처리 장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 플라즈마를 이용한 기판 처리 장치에 관한 것이다.
본 발명의 일 실시예에 따른 지지 유닛은, 기판을 지지하는 지지 유닛에 있어서, 상면에 돌출부에 의해 서로 분리된 복수의 홈들이 형성된 몸체와 상기 몸체 내에 형성되며 각각의 상기 홈에 가스를 공급하는 가스 공급 라인을 구비하되, 상기 복수의 홈들 중 일부는 그 깊이가 서로 상이하게 제공된다.

Description

지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치{SUPPORTING UNIT AND SUBSTRATE TREATING APPARATUS INCLUDING THE SAME}
본 발명은 기판 처리 장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 플라즈마를 이용한 기판 처리 장치에 관한 것이다.
반도체소자를 제조하기 위해서, 기판을 포토리소그라피, 식각, 애싱, 이온주입, 박막증착, 그리고 세정 등 다양한 공정을 수행하여 기판 상에 원하는 패턴을 형성한다. 이 중 식각 공정은 기판 상에 형성된 막 중 선택된 영역을 제거하는 공정으로 습식식각과 건식식각이 사용된다.
이 중 건식식각을 위해 플라즈마를 이용한 식각 장치가 사용된다. 일반적으로 플라즈마를 형성하기 위해서는 챔버의 내부공간에 전자기장을 형성하고, 전자기장은 챔버 내에 제공된 공정가스를 플라즈마 상태로 여기시킨다.
플라즈마는 이온이나 전자, 라디칼 등으로 이루어진 이온화된 가스 상태를 말한다. 플라즈마는 매우 높은 온도나, 강한 전계 혹은 고주파 전자계(RF Electromagnetic Fields)에 의해 생성된다. 반도체 소자 제조 공정은 플라즈마를 사용하여 식각 공정을 수행한다. 식각 공정은 플라즈마에 함유된 이온 입자들이 기판과 충돌함으로써 수행된다.
플라즈마를 이용한 기판 처리 공정에서 기판은 지지 유닛의 상면에 지지된다. 기판은 기판 처리 공정 중에 온도를 조절하기 위하여 지지 유닛과 상호간에 열이 이동되면서 기판의 온도가 조절된다. 지지 유닛의 상면은 하나 또는 복수개의 홈이 제공된다. 지지 유닛 상면의 홈에는 열전달 가스가 제공된다. 기판은 지지 유닛과 기판이 접촉된 부분과 지지 유닛 상면의 홈에 제공되는 열전달 가스를 통하여 열이 이동되면서 온도가 조절된다.
본 발명은 플라즈마를 이용한 기판 처리 공정에서 기판의 각 영역 온도를 조절할 수 있는 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치를 제공하는 것을 일 목적으로 한다.
본 발명이 해결하고자 하는 과제가 상술한 과제들로 한정되는 것은 아니며, 언급되지 아니한 과제들은 본 명세서 및 첨부된 도면으로부터 본 발명의 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
본 발명은 기판 처리 장치를 제공한다.
본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치는, 내부에 처리 공간을 가지는 챔버, 상기 챔버 내에 위치하고, 기판을 지지하는 지지 유닛, 상기 처리 공간으로 공정 가스를 공급하는 가스 공급 유닛 및 상기 공정 가스로부터 플라즈마를 발생시키는 플라즈마 소스를 포함하되, 상기 지지 유닛은 그 상면에 링 형상의 돌기가 형성되고, 상기 돌기 내측에 위치하는 내측 홈, 상기 돌기 외측에 위치하는 외측 홈, 그리고 상기 내측 홈과 상기 외측 홈에 열전달 가스를 제공하는 열전달 가스 공급 라인을 포함하고, 상기 내측 홈과 상기 외측 홈은 서로 그 깊이가 상이하게 제공된다.
상기 내측 홈은 중앙 영역에 위치하고, 원형의 형상으로 제공되고, 상기 외측 홈은 환형의 링 형상으로 제공될 수 있다.
상기 내측 홈과 상기 외측 홈은 각각 그 내부에 복수의 돌출부를 포함할 수 있다.
상기 돌기의 상단과 상기 돌출부의 상단은 동일한 높이에 제공될 수 있다.
상기 내측 홈의 면적은 상부에서 바라볼 때 상기 외측 홈의 면적보다 넓게 제공될 수 있다.
상기 외측 홈의 깊이는 상기 내측 홈의 깊이보다 깊게 제공될 수 있다.
상기 외측 홈의 체적은 상기 내측 홈의 체적보다 크게 제공될 수 있다.
상기 외측 홈의 체적은 상기 내측 홈의 체적과 동일하게 제공될 수 있다.
상기 열전달 가스 공급 라인은 상기 내측 홈에 연결되는 제1 열전달 가스 공급 라인과 상기 외측 홈에 연결되는 제2 열전달 가스 공급 라인을 포함할 수 있다.
상기 지지 유닛은 정전 척을 포함할 수 있다.
상기 열전달 가스는 헬륨을 포함할 수 있다.
본 발명의 다른 실시예에 따른 기판 처리 장치는, 내부에 처리 공간을 가지는 챔버. 상기 챔버 내에 위치하고, 기판을 지지하는 지지 유닛, 상기 처리 공간으로 공정 가스를 공급하는 가스 공급 유닛 및 상기 공정 가스로부터 플라즈마를 발생시키는 플라즈마 소스를 포함하되, 상기 지지 유닛은 그 상면에 열전달 기체가 공급되는 서로 구획된 복수의 홈들이 제공되고, 상기 홈들과 연결되고, 상기 홈들에 열전달 가스를 공급하는 열전달 가스 공급 라인을 포함하되, 상기 복수의 홈들 중 일부는 그 깊이가 상이하게 제공된다.
상기 복수의 홈들은 각각 그 내부에 복수의 돌출부를 포함할 수 있다.
상기 복수의 홈들 중 일부는 그 체적이 상이하게 제공될 수 있다.
상기 복수의 홈들 중 일부는 상부에서 바라볼 때 그 면적이 상이하게 제공될 수 있다.
상기 열전달 가스 공급 라인은 상기 복수의 홈들과 동일한 개수로 제공되고, 상기 열전달 가스 공급 라인은 상기 복수개의 홈들과 각각 연결되어 제공될 수 있다.
또한, 본 발명은 지지 유닛을 제공한다.
본 발명의 일 실시예에 따른 지지 유닛은, 기판 처리 공정이 수행되는 챔버 내부에서 기판을 지지하는 지지 유닛에 있어서, 상기 지지 유닛은 그 상면에 링 형상의 돌기가 형성되고, 상기 돌기 내측에 위치하는 내측 홈과 상기 돌기 외측에 위치하는 외측 홈, 그리고 상기 내측 홈과 상기 외측 홈에 열전달 가스를 제공하는 열전달 가스 공급 라인을 포함하고, 상기 내측 홈과 상기 외측 홈은 서로 그 깊이가 상이하게 제공된다
상기 내측 홈은 중앙 영역에 위치하고, 원형의 형상으로 제공되고, 상기 외측 홈은 환형의 링 형상으로 제공될 수 있다.
상기 내측 홈과 상기 외측 홈은 각각 그 내부에 복수의 돌출부를 포함할 수 있다.
상기 돌기의 상단과 상기 돌출부의 상단은 동일한 높이에 제공될 수 있다.
상부에서 바라볼 때 상기 내측 홈의 면적은 상기 외측 홈의 면적보다 넓게 제공될 수 있다.
상기 외측 홈의 깊이는 상기 내측 홈의 깊이보다 깊게 제공될 수 있다.
상기 외측 홈의 제2 체적은 상기 내측 홈의 제1 체적보다 크게 제공될 수 있다.
상기 외측 홈의 제2 체적은 상기 내측 홈의 제1 체적보다 동일하게 제공될 수 있다.
상기 열전달 가스 공급 라인은 상기 내측 홈에 연결되는 제1 열전달 가스 공급 라인과 상기 외측 홈에 연결되는 제2 열전달 가스 공급 라인을 포함할 수 있다.
상기 지지 유닛은 정전 척을 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 의하면 플라즈마를 이용한 기판 처리 공정에서 기판의 각 영역별로 온도를 조절할 수 있다.
본 발명의 효과가 상술한 효과들로 한정되는 것은 아니며, 언급되지 아니한 효과들은 본 명세서 및 첨부된 도면으로부터 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확히 이해될 수 있을 것이다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치를 나타내는 단면도이다.
도 2는 도 1의 지지 유닛의 유전판의 일 실시예를 보여주는 평면도이다.
도 3은 도 2의 선 X-X' 에서 바라본 지지 유닛의 유전판을 보여주는 단면도이다.
도 4는 도 2의 지지 유닛의 유전판의 제1 변형예를 보여주는 평면도이다.
도 5는 도 4의 선 Y-Y' 에서 바라본 지지 유닛의 유전판을 보여주는 단면도이다.
도 6은 도 2의 지지 유닛의 유전판의 제2 변형예를 보여주는 평면도이다.
도 7은 도 6의 선 Z-Z' 에서 바라본 지지 유닛의 유전판을 보여주는 단면도이다.
도 8은 도 2의 지지 유닛의 유전판의 제3 변형예를 보여주는 평면도이다.
이하, 본 발명의 실시예를 첨부된 도면들을 참조하여 더욱 상세하게 설명한다. 본 발명의 실시예는 여러 가지 형태로 변형할 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래의 실시예들로 한정되는 것으로 해석되어서는 안 된다. 본 실시예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 요소의 형상은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해 과장되었다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치를 보여주는 단면도이다.
도 1을 참조하면, 기판 처리 장치(10)는 플라즈마를 이용하여 기판(W)을 처리한다. 예를 들어, 기판 처리 장치(10)는 플라즈마를 이용하여 기판(W)을 식각, 세정, 애싱 등의 공정을 수행할 수 있다. 기판 처리 장치(10)는 챔버(100), 지지 유닛(200), 플라즈마 소스(300), 가스 공급 유닛(400), 그리고 배플 유닛(500)을 포함한다.
챔버(100)는 내부에 기판 처리 공정이 수행되는 처리 공간을 제공한다. 챔버(100)는 내부의 처리 공간을 가지고, 밀폐된 형상으로 제공된다. 챔버(100)는 금속 재질로 제공된다. 챔버(100)는 알루미늄 재질로 제공될 수 있다. 챔버(100)는 접지될 수 있다. 챔버(100)의 바닥면에는 배기홀(102)이 형성된다. 배기홀(102)은 배기 라인(151)과 연결된다. 공정 과정에서 발생한 반응 부산물 및 챔버의 내부 공간에 머무르는 가스는 배기 라인(151)을 통해 외부로 배출될 수 있다. 배기 과정에 의해 챔버(100)의 내부는 소정 압력으로 감압된다.
일 예에 의하면, 챔버(100) 내부에는 라이너(130)가 제공될 수 있다. 라이너(130)는 상면 및 하면이 개방된 원통 형상을 가진다. 라이너(130)는 챔버(100)의 내측면과 접촉하도록 제공될 수 있다. 라이너(130)는 챔버(100)의 내측벽을 보호하여 챔버(100)의 내측벽이 아크 방전으로 손상되는 것을 방지한다. 또한, 기판 처리 공정 중에 발생한 불순물이 챔버(100)의 내측벽에 증착되는 것을 방지한다. 선택적으로, 라이너(130)는 제공되지 않을 수도 있다.
챔버(100)의 내부에는 지지 유닛(200)이 위치한다. 지지 유닛(200)은 기판(W)을 지지한다. 지지 유닛(200)은 정전기력을 이용하여 기판(W)을 흡착하는 정전 척(210)을 포함할 수 있다. 이와 달리, 지지 유닛(200)은 기계적 클램핑과 같은 다양한 방식으로 기판(W)을 지지할 수도 있다. 이하에서는 정전 척(210)을 포함하는 지지 유닛(200)에 대하여 설명한다.
지지 유닛(200)은 정전 척(210), 하부 커버(250) 그리고 플레이트(270)를 포함한다. 지지 유닛(200)은 챔버(100) 내부에서 챔버(100)의 바닥면에서 상부로 이격되어 위치할 수 있다.
정전 척(210)은 유전판(220), 몸체(230) 그리고 포커스 링(240)을 포함한다. 정전 척(210)은 기판(W)을 지지한다.
유전판(220)은 정전 척(210)의 상단에 위치한다. 유전판(220)은 원판 형상의 유전체(dielectric substance)로 제공된다. 유전판(220)의 상면에는 기판(W)이 놓인다. 유전판(220)의 상면은 기판(W)보다 작은 반경을 갖는다. 때문에, 기판(W) 가장자리 영역은 유전판(220)의 외측에 위치한다.
도 2는 도 1의 지지 유닛의 유전판의 일 실시예를 보여주는 평면도이고, 도 3은 도 2의 선 X-X' 에서 바라본 지지 유닛의 유전판을 보여주는 단면도이다.
도 2 및 도 3을 참조하면, 유전판(220)은 내측 홈(221), 외측 홈(222), 돌기(224), 돌출부(226), 그리고 열전달 가스 공급 라인(229)을 포함할 수 있다. 내측 홈(221)은 유전판(220)의 상면 중앙부에 위치할 수 있다. 내측 홈(221)은 상부에서 바라볼 때 원형의 형상으로 제공될 수 있다. 내측 홈(221)은 제1 깊이(d1)를 가지도록 제공될 수 있다.
또한, 내측 홈(221)은 상부에서 바라볼 때 제1 면적(A1)을 가지도록 제공될 수 있다. 내측 홈(221)은 제1 체적(V1)으로 제공될 수 있다. 이때 제1 체적(V1)은 내측 홈(221)에 열전달 가스가 위치할 수 있는 체적을 의미한다. 따라서 제1 체적(V1)은 내측 홈(221)의 체적에서 내측 홈(221)에 위치하는 돌출부(226)의 체적을 제외한 체적을 의미한다.
외측 홈(222)은 상부에서 바라볼 때 환형의 링 형상으로 제공될 수 있다. 외측 홈(222)은 내측 홈(221)을 둘러싸는 형상으로 제공될 수 있다. 외측 홈(222)은 제2 깊이(d2)를 가지도록 제공될 수 있다. 이때 외측 홈(222)의 제2 깊이(d2)는 내측 홈(221)의 제1 깊이(d1)와 상이한 깊이로 제공될 수 있다. 이와 달리, 외측 홈(222)의 제2 깊이(d2)는 내측 홈(221)의 제1 깊이(d1)와 동일한 깊이로 제공될 수도 있다.
외측 홈(222)은 상부에서 바라볼 때 제2 면적(A2)을 가지도록 제공될 수 있다. 외측 홈(222)의 제2 면적(A2)은 내측 홈(221)의 제1 면적(A1)보다 넓은 면적으로 제공될 수 있다. 이와 달리, 외측 홈(222)의 제2 면적(A2)은 내측 홈(221)의 제1 면적(A1)과 동일한 면적으로 제공될 수 있다. 외측 홈(222)은 제2 체적(V2)으로 제공될 수 있다. 이때 제2 체적(V2)은 외측 홈(222)에 열전달 가스가 위치할 수 있는 체적을 의미한다. 따라서 제2 체적(V2)은 외측 홈(222)의 체적에서 외측 홈(222)에 위치하는 돌출부(226)의 체적을 제외한 체적을 의미한다. 일 예에 의하면, 외측 홈(222)의 제2 체적(V2)은 내측 홈(221)의 제1 체적(V1)보다 넓은 체적으로 제공될 수 있다. 이와 달리, 외측 홈(222)의 제2 체적(V2)은 내측 홈(221)의 제1 체적(V1)과 동일한 체적으로 제공될 수 있다.
돌기(224)는 내측 홈(221)과 외측 홈(222) 사이에 제공될 수 있다. 돌기(224)는 내측 홈(221)과 외측 홈(222)을 구분하는 경계로서 제공될 수 있다. 돌기(224)는 그 상단이 유전판(220)과 돌출부(226)의 상단의 높이와 동일하게 제공될 수 있다.
돌출부(226)는 내측 홈(221)과 외측 홈(222) 내부에 제공된다. 돌출부(226)는 복수개 제공될 수 있다. 돌출부(226)는 제1 돌출부(226a)와 제2 돌출부(226b)를 포함할 수 있다. 제1 돌출부(226a)는 내측 홈(221)의 내부에 위치할 수 있다. 제1 돌출부(226a)는 복수개 제공될 수 있다. 복수개의 제1 돌출부(226a)는 서로간에 일정한 간격을 가지도록 위치할 수 있다. 제1 돌출부(226a)는 내측 홈(221)의 제1 깊이(d1)와 동일한 깊이를 가질 수 있다. 제1 돌출부(226a)는 그 상단이 돌기(224)의 상단과 동일한 높이에 제공될 수 있다.
제2 돌출부(226b)는 외측 홈(222)의 내부에 위치할 수 있다. 제2 돌출부(226b)는 복수개 제공될 수 있다. 복수개의 제2 돌출부(226b)는 서로간에 일정한 간격을 가지도록 위치할 수 있다. 제2 돌출부(226b)는 외측 홈(222)의 제2 깊이(d2)와 동일한 깊이를 가질 수 있다. 제2 돌출부(226b)는 그 상단이 돌기(224)의 상단과 동일한 높이에 제공될 수 있다.
열전달 가스 공급 라인(229)은 기판(W)의 저면에 열전달 가스를 공급한다. 열전달 가스 공급 라인(229)은 내측 홈(221)과 외측 홈(222)에 각각 열전달 가스를 공급할 수 있다. 열전달 가스 공급 라인(229)은 내측 홈(221)과 외측 홈(222)에 각각 연결될 수 있다. 일 예에 의하면, 열전달 가스 공급 라인(229)은 제1 열전달 가스 공급 라인(229a)과 제2 열전달 가스 공급 라인(229b)을 포함할 수 있다. 제1 열전달 가스 공급 라인(229a)은 내측 홈(221)과 연결되어 내측 홈(221)으로 열전달 가스를 전달할 수 있다. 제2 열전달 가스 공급 라인(229b)은 외측 홈(222)과 연결되어 외측 홈(222)으로 열전달 가스를 전달할 수 있다.
열전달 가스는 기판(W)과 지지 유닛(200) 상호간에 열전달의 매개체로서 역할을 한다. 열전달 가스는 열전도도가 큰 유체를 제공하여 기판(W)과 지지 유닛(200) 상호간에 열전달이 용이하게 될 수 있도록 할 수 있다. 이에 지지 유닛(200) 상면에 제공되는 열전달 가스의 양을 조절하여 기판(W)의 온도를 조절할 수 있다. 상술한 바와 같이, 지지 유닛(200) 상면에 복수개의 홈을 제공하여 각각의 홈의 깊이, 넓이, 그리고 부피를 상이하게 하여 기판(W)과 지지 유닛(200) 사이에 위치하는 열전달 가스의 양을 조절할 수 있다. 이로 인하여 기판(W)의 영역에 따른 온도 조절을 용이하게 할 수 있다. 일 예에 의하면, 열전달 가스는 헬륨(He)을 포함할 수 있다.
도 4는 도 2의 지지 유닛의 유전판의 제1 변형예를 보여주는 평면도이고, 도 5는 도 4의 선 Y-Y' 에서 바라본 지지 유닛의 유전판을 보여주는 단면도이다.
도 4 및 도 5를 참조하면, 지지 유닛의 유전판(2100)은 도 2의 유전판(220)과 비교할 때, 유전판(2100)의 상면의 형상이 차이가 있다. 구체적으로, 유전판(2100)은 열전달 가스가 제공되는 3개의 홈을 포함하는 점에서 차이가 있다. 이하에서는 도 2의 유전판(220)과 차이점을 중심으로 유전판(2100)을 설명한다.
일 예에 의하면, 유전판(2100)은 제1 홈(2111), 제2 홈(2112), 제3 홈(2113), 제1 돌기(2121), 제2 돌기(2122), 돌출부(2150), 그리고 열전달 가스 공급 라인(2190)을 포함할 수 있다.
제1 홈(2111)은 유전판(220)의 상면 중앙 영역에 위치할 수 있다. 제1 홈(2111)은 상부에서 바라볼 때 원형의 형상으로 제공될 수 있다. 제1 홈(2111)은 제1 깊이(d11)를 가지도록 제공될 수 있다. 제1 홈(2111)은 상부에서 바라볼 때 제1 면적(A11)을 가지도록 제공될 수 있다. 제1 홈(2111)은 제1 체적(V11)을 가지도록 제공될 수 있다.
제2 홈(2112)은 제1 홈(2111)을 둘러싸는 형상으로 제공될 수 있다. 제2 홈(2112)은 상부에서 바라볼 때 환형의 링 형상으로 제공될 수 있다. 제2 홈(2112)은 제2 깊이(d12)를 가지도록 제공될 수 있다. 제2 홈(2112)은 상부에서 바라볼 때 제2 면적(A12)을 가지도록 제공될 수 있다. 제2 홈(2112)은 제2 체적(V12)을 가지도록 제공될 수 있다.
제3 홈(2113)은 유전판(220)의 상면 엣지 영역에 제3 홈(2113)은 제2 홈(2112)을 둘러싸는 형상으로 제공될 수 있다. 제3 홈(2113)은 상부에서 바라볼 때 환형의 링 형상으로 제공될 수 있다. 제3 홈(2113)은 제3 깊이(d13)를 가지도록 제공될 수 있다. 제3 홈(2113)은 상부에서 바라볼 때 제3 면적(A13)을 가지도록 제공될 수 있다. 제3 홈(2113)은 제3 체적(V13)을 가지도록 제공될 수 있다.
유전판(2100)은 제1 깊이(d11), 제2 깊이(d12), 그리고 제3 깊이(d13) 중 일부 또는 전부가 상이한 깊이로 제공될 수 있다. 제2 깊이(d12)는 제1 깊이(d11)보다 깊게 제공될 수 있고, 제3 깊이(d13)는 제2 깊이(d12)보다 깊게 제공될 수 있다. 이와 달리, 제1 깊이(d11), 제2 깊이(d12), 그리고 제3 깊이(d13)는 서로 동일한 깊이로 제공될 수도 있다.
또한, 유전판(2100)은 제1 면적(A11), 제2 면적(A12), 그리고 제3 면적(A13) 중 일부 또는 전부가 상이한 면적으로 제공될 수 있다. 이와 달리, 제1 면적(A11), 제2 면적(A12), 그리고 제3 면적(A13)이 동일한 면적으로 제공될 수도 있다.
또한, 유전판(2100)은 제1 체적(V11), 제2 체적(V12), 그리고 제3 체적(V13) 중 일부 또는 전부가 상이한 체적으로 제공될 수 있다. 이와 달리, 제1 체적(V11), 제2 체적(V12), 그리고 제3 체적(V13)이 동일한 체적으로 제공될 수도 있다.
제1 돌기(2121)는 유전판(2100)의 상면에서 제1 홈(2111)과 제2 홈(2112) 사이에 제공될 수 있다. 제1 돌기(2121)는 제1 홈(2111)과 제2 홈(2112)을 구분하는 경계로서 제공될 수 있다. 제1 돌기(2121)는 그 상단이 유전판(2100)과 돌출부(2150)의 상단의 높이와 동일하게 제공될 수 있다.
제2 돌기(2122)는 유전판(2100)의 상면에서 제2 홈(2112)과 제3 홈(2113) 사이에 제공될 수 있다. 제2 돌기(2122)는 제2 홈(2112)과 제3 홈(2113)을 구분하는 경계로서 제공될 수 있다. 제2 돌기(2122)는 그 상단이 유전판(2100)과 돌출부(2150)의 상단의 높이와 동일하게 제공될 수 있다.
돌출부(2150)는 제1 홈(2111), 제2 홈(2112), 그리고 제3 홈(2113) 내부에 제공된다. 돌출부(2150)는 복수개 제공될 수 있다. 제1 홈(2111)의 내부에 위치하는 복수개의 돌출부(2151)는 제1 홈(2111)의 깊이(d11)와 동일한 높이로 제공될 수 있다. 제2 홈(2112)의 내부에 위치하는 복수개의 돌출부(2152)는 제2 홈(2112)의 깊이(d12)와 동일한 높이로 제공될 수 있다. 제3 홈(2113)의 내부에 위치하는 복수개의 돌출부(2153)는 제3 홈(2113)의 깊이(d13)와 동일한 높이로 제공될 수 있다.
열전달 가스 공급 라인(2190)은 제1 홈(2111), 제2 홈(2112), 그리고 제3 홈(2113)에 열전달 가스를 공급한다. 열전달 가스 공급 라인(2190)은 제1 홈(2111), 제2 홈(2112), 그리고 제3 홈(2113)과 각각 별도로 연결된다. 열전달 가스 공급 라인(2191, 2192, 2193)은 복수개가 제공되어 서로간에 일정한 간격으로 제공될 수 있다.
도 6은 도 2의 지지 유닛의 유전판의 제2 변형예를 보여주는 평면도이고, 도 7은 도 6의 선 Z-Z' 에서 바라본 지지 유닛의 유전판을 보여주는 단면도이다.
도 6 및 도 7를 참조하면, 지지 유닛의 유전판(2200)은 도 2의 유전판(220)과 비교할 때, 유전판(2100)의 상면의 형상이 차이가 있다. 구체적으로, 유전판(2200)은 열전달 가스가 제공되는 3개의 홈을 포함하는 점에서 차이가 있다. 이하에서는 도 2의 유전판(220)과 차이점을 중심으로 유전판(2200)을 설명한다.
유전판(2200)은 상면에 서로 구획된 복수의 홈(2210)들이 제공된다. 복수의 홈(2210)들은 제1 홈(2211), 제2 홈(2212), 제3 홈(2213), 그리고 제4 홈(2214)을 포함할 수 있다.
제1 홈(2211)은 유전판(2200)의 상면 중앙 영역에 위치한다. 제1 홈(2211)은 원형 형상으로 제공될 수 있다. 제2 홈(2212), 제3 홈(2213), 그리고 제4 홈(2214)은 유전판(2200)의 상면 엣지 영역에 위치할 수 있다. 제2 홈(2212), 제3 홈(2213), 그리고 제4 홈(2214)은 제1 홈(2211)을 둘러싸는 환형의 링 형상으로 제공될 수 있다. 제2 홈(2212), 제3 홈(2213), 그리고 제4 홈(2214)은 유전판(2200)의 상면 엣지 영역에서 각각 동일한 면적을 가지도록 구획되어 제공될 수 있다. 유전판(2200)은 상면에 돌기(2221, 2222, 2223, 2224)가 제공된다. 돌기(2221, 2222, 2223, 2224)는 유전판(2200) 상면에서 제1 홈(2211), 제2 홈(2212), 제3 홈(2213), 그리고 제4 홈(2214)을 구획한다. 제1 홈(2211), 제2 홈(2212), 제3 홈(2213), 그리고 제4 홈(2214)에는 각각 복수개의 돌출부가 제공될 수 있다.
제1 홈(2211), 제2 홈(2212), 제3 홈(2213), 그리고 제4 홈(2214)은 그 중 일부가 상이한 깊이로 제공될 수 있다. 제1 홈(2211), 제2 홈(2212), 제3 홈(2213), 그리고 제4 홈(2214)은 모두 상이한 깊이로 제공될 수 있다. 이와 달리, 제1 홈(2211), 제2 홈(2212), 제3 홈(2213), 그리고 제4 홈(2214)은 모두 동일한 깊이로 제공될 수도 있다.
제1 홈(2211), 제2 홈(2212), 제3 홈(2213), 그리고 제4 홈(2214)은 그 중 일부가 상이한 면적으로 제공될 수 있다. 제1 홈(2211), 제2 홈(2212), 제3 홈(2213), 그리고 제4 홈(2214)은 모두 상이한 면적으로 제공될 수 있다. 이와 달리, 제1 홈(2211), 제2 홈(2212), 제3 홈(2213), 그리고 제4 홈(2214)은 모두 동일한 면적으로 제공될 수도 있다.
제1 홈(2211), 제2 홈(2212), 제3 홈(2213), 그리고 제4 홈(2214)은 그 중 일부가 상이한 체적으로 제공될 수 있다. 제1 홈(2211), 제2 홈(2212), 제3 홈(2213), 그리고 제4 홈(2214)은 모두 상이한 체적으로 제공될 수 있다. 이와 달리, 제1 홈(2211), 제2 홈(2212), 제3 홈(2213), 그리고 제4 홈(2214)은 모두 동일한 체적으로 제공될 수도 있다.
도 8은 도 2의 지지 유닛의 유전판의 제3 변형예를 보여주는 평면도이다.
도 8을 참조하면, 유전판(2300)은 도 2의 유전판(220)과 비교할 때, 유전판(2300)의 상면의 형상이 차이가 있다. 또한, 유전판(2300)은 도 6의 유전판(2200)과 비교할 때, 유전판(2300) 상면 엣지 영역에 4개의 홈(2312, 2313, 2314, 2315)을 포함하는 것이 차이가 있다. 이와 같이, 유전판(2300)의 상면에 구획되는 홈(2310)은 기판 처리 공정에 따라 상이한 개수로 제공될 수 있다. 또한, 유전판(2300)의 상면에 구획되는 홈(2310)은 기판 처리 공정에 따라 상이한 위치에 제공될 수도 있다. 또한, 유전판(2300)의 상면에 구획되는 홈(2310)은 기판 처리 공정에 따라 상이한 홈(2310)의 깊이, 높이, 그리고 체적으로 제공될 수 있다.
다시 도 1을 참조하면, 유전판(220)은 내부에 제1 전극(223)과 히터(225)를 더 포함한다.
제1 전극(223)은 제1 전원(223a)과 전기적으로 연결된다. 제1 전원(223a)은 직류 전원을 포함한다. 제1 전극(223)과 제1 전원(223a) 사이에는 스위치(223b)가 설치된다. 제1 전극(223)은 스위치(223b)의 온/오프(ON/OFF)에 의해 제1 전원(223a)과 전기적으로 연결될 수 있다. 스위치(223b)가 온(ON) 되면, 제1 전극(223)에는 직류 전류가 인가된다. 제1 전극(223)에 인가된 전류에 의해 제1 전극(223)과 기판(W) 사이에는 정전기력이 작용하며, 정전기력에 의해 기판(W)은 유전판(220)에 흡착된다.
히터(225)는 제1 전극(223)의 하부에 위치한다. 히터(225)는 제2 전원(225a)과 전기적으로 연결된다. 히터(225)는 제2 전원(225a)에서 인가된 전류에 저항함으로써 열을 발생시킨다. 발생된 열은 유전판(220)을 통해 기판(W)으로 전달된다. 히터(225)에서 발생된 열에 의해 기판(W)은 소정 온도로 유지된다. 히터(225)는 나선 형상의 코일을 포함한다.
유전판(220)의 하부에는 몸체(230)가 위치한다. 몸체(230)는 알루미늄 재질로 제공될 수 있다. 몸체(230)의 상면은 중심 영역이 가장자리 영역보다 높게 위치되도록 단차질 수 있다. 몸체(230)의 상면 중심 영역은 유전판(220)의 저면에 상응하는 면적을 가지며, 유전판(220)의 저면과 접착된다. 몸체(230)는 내부에 제1 순환 유로(231), 제2 순환 유로(232) 그리고 제2 공급 유로(233)가 형성된다.
제1 순환 유로(231)는 열전달 매체가 순환하는 통로로 제공된다. 제1 순환 유로(231)는 몸체(230) 내부에 나선 형상으로 형성될 수 있다. 또는, 제1 순환 유로(231)는 서로 상이한 반경을 갖는 링 형상의 유로들이 동일한 중심을 갖도록 배치될 수 있다. 각각의 제1 순환 유로(231)들은 서로 연통될 수 있다. 제1 순환 유로(231)들은 동일한 높이에 형성된다.
제2 순환 유로(232)는 냉각 유체가 순환하는 통로로 제공된다. 제2 순환 유로(232)는 몸체(230) 내부에 나선 형상으로 형성될 수 있다. 또는, 제2 순환 유로(232)는 서로 상이한 반경을 갖는 링 형상의 유로들이 동일한 중심을 갖도록 배치될 수 있다. 각각의 제2 순환 유로(232)들은 서로 연통될 수 있다. 제2 순환 유로(232)는 제1 순환 유로(231)보다 큰 단면적을 가질 수 있다. 제2 순환 유로(232)들은 동일한 높이에 형성된다. 제2 순환 유로(232)는 제1 순환 유로(231)의 하부에 위치될 수 있다.
제2 공급 유로(233)는 제1 순환 유로(231)부터 상부로 연장되며, 몸체(230)의 상면으로 제공된다. 제2 공급 유로(243)는 제1 공급 유로(221)에 대응하는 개수로 제공되며, 제1 순환 유로(231)와 제1 공급 유로(221)를 연결한다.
제1 순환 유로(231)는 열전달 가스 공급라인(231b)을 통해 열전달 가스 저장부(231a)와 연결된다. 열전달 가스 저장부(231a)에는 열전달 가스가 저장된다. 열전달 가스는 불활성 가스를 포함한다. 실시예에 의하면, 열전달 가스는 헬륨(He) 가스를 포함한다. 헬륨 가스는 공급 라인(231b)을 통해 제1 순환 유로(231)에 공급되며, 제2 공급 유로(233)와 열전달 가스 공급 유로(229)를 순차적으로 거쳐 기판(W) 저면으로 공급된다. 헬륨 가스는 플라즈마에서 기판(W)으로 전달된 열이 정전 척(210)으로 전달되는 매개체 역할을 한다.
제2 순환 유로(232)는 냉각 유체 공급 라인(232c)을 통해 냉각 유체 저장부(232a)와 연결된다. 냉각 유체 저장부(232a)에는 냉각 유체가 저장된다. 냉각 유체 저장부(232a) 내에는 냉각기(232b)가 제공될 수 있다. 냉각기(232b)는 냉각 유체를 소정 온도로 냉각시킨다. 이와 달리, 냉각기(232b)는 냉각 유체 공급 라인(232c) 상에 설치될 수 있다. 냉각 유체 공급 라인(232c)을 통해 제2 순환 유로(232)에 공급된 냉각 유체는 제2 순환 유로(232)를 따라 순환하며 몸체(230)를 냉각한다. 몸체(230)는 냉각되면서 유전판(220)과 기판(W)을 함께 냉각시켜 기판(W)을 소정 온도로 유지시킨다.
몸체(230)는 금속판을 포함할 수 있다. 일 예에 의하면, 몸체(230) 전체가 금속판으로 제공될 수 있다. 몸체(230)는 제3 전원(235a)과 전기적으로 연결될 수 있다. 제3 전원(235a)은 고주파 전력을 발생시키는 고주파 전원으로 제공될 수 있다. 고주파 전원은 RF 전원으로 제공될 수 있다. 몸체(230)는 제3 전원(235a)으로부터 고주파 전력을 인가 받는다. 이로 인하여 몸체(230)는 전극으로서 기능할 수 있다.
포커스 링(240)은 정전 척(210)의 가장자리 영역에 배치된다. 포커스 링(240)은 링 형상을 가지며, 유전판(220)의 둘레를 따라 배치된다. 포커스 링(240)의 상면은 외측부(240a)가 내측부(240b)보다 높도록 단차질 수 있다. 포커스 링(240)의 상면 내측부(240b)는 유전판(220)의 상면과 동일 높이에 위치된다. 포커스 링(240)의 상면 내측부(240b)는 유전판(220)의 외측에 위치된 기판(W)의 가장자리 영역을 지지한다. 포커스 링(240)의 외측부(240a)는 기판(W) 가장자리 영역을 둘러싸도록 제공된다. 포커스 링(240)은 기판(W)의 전체 영역에서 플라즈마의 밀도가 균일하게 분포하도록 전자기장을 제어한다. 이에 의해, 기판(W)의 전체 영역에 걸쳐 플라즈마가 균일하게 형성되어 기판(W)의 각 영역이 균일하게 식각될 수 있다.
하부 커버(250)는 지지 유닛(200)의 하단부에 위치한다. 하부 커버(250)는 챔버(100)의 바닥면에서 상부로 이격되어 위치한다. 하부 커버(250)는 상면이 개방된 공간이 내부에 형성된다. 하부 커버(250)의 외부 반경은 몸체(230)의 외부 반경과 동일한 길이로 제공될 수 있다. 하부 커버(250)의 내부 공간에는 반송되는 기판(W)을 외부의 반송 부재로부터 정전 척(210)으로 이동시키는 리프트 핀 모듈(미도시) 등이 위치할 수 있다. 하부 커버(250)의 저면은 금속 재질로 제공될 수 있다.
하부 커버(250)는 연결 부재(253)를 갖는다. 연결 부재(253)는 하부 커버(250)의 외측면과 챔버(100)의 내측벽을 연결한다. 연결 부재(253)는 하부 커버(250)의 외측면에 일정한 간격으로 복수개 제공될 수 있다. 연결 부재(253)는 지지 유닛(200)을 챔버(100) 내부에서 지지한다. 또한, 연결 부재(253)는 챔버(100)의 내측벽과 연결됨으로써 하부 커버(250)가 전기적으로 접지(grounding)되도록 한다. 제1 전원(223a)과 연결되는 제1 전원라인(223c), 제2 전원(225a)과 연결되는 제2 전원라인(225c), 제3 전원(235a)과 연결되는 제3 전원라인(235c), 열전달 매체 저장부(231a)와 연결된 열전달 매체 공급라인(231b) 그리고 냉각 유체 저장부(232a)와 연결된 냉각 유체 공급 라인(232c)등은 연결 부재(253)의 내부 공간을 통해 하부 커버(250) 내부로 연장된다.
정전 척(210)과 하부 커버(250)의 사이에는 플레이트(270)가 위치한다. 플레이트(270)는 하부 커버(250)의 상면을 덮는다. 플레이트(270)는 몸체(230)에 상응하는 단면적으로 제공된다. 플레이트(270)는 절연체를 포함할 수 있다. 플레이트(270)는 몸체(230)와 하부 커버(250)를 전기적으로 절연시킨다.
플라즈마 소스는 공정 가스로부터 플라즈마를 발생시킨다. 플라즈마 소스는 용량 결합형 플라즈마(CCP: capacitively coupled plasma) 또는 유도결합형 플라즈마(ICP: inductively coupled plasma)가 제공될 수 있다.
이하에서는 본 발명의 일 실시예에 의한 기판 처리 장치(10)는 플라즈마 소스가 용량 결합형 플라즈마(CCP: capacitively coupled plasma)로 제공되는 것으로 설명한다. 이에 플라즈마 소스는 샤워 헤드(300)를 포함한다. 이와 달리, 플라즈마 소스는 유도결합형 플라즈마(ICP: inductively coupled plasma)로 제공될 수도 있다.
샤워 헤드(300)는 챔버(100) 내부에서 지지 유닛(200)의 상부에 위치한다. 샤워 헤드(300)는 지지 유닛(200)과 대향하도록 위치한다.
샤워 헤드(300)는 가스 분산판(310)과 지지부(330)를 포함한다. 가스 분산판(310)은 챔버(100)의 상면에서 하부로 일정거리 이격되어 위치한다. 가스 분산판(310)과 챔버(100)의 상면은 그 사이에 일정한 공간이 형성된다. 가스 분산판(310)은 두께가 일정한 판 형상으로 제공될 수 있다. 가스 분산판(310)의 저면은 플라즈마에 의한 아크 발생을 방지하기 위하여 그 표면이 양극화 처리될 수 있다. 가스 분산판(310)의 단면은 지지 유닛(200)과 동일한 형상과 단면적을 가지도록 제공될 수 있다. 가스 분산판(310)은 복수개의 분사홀(311)을 포함한다. 분사홀(311)은 가스 분산판(310)의 상면과 하면을 수직 방향으로 관통한다. 가스 분산판(310)은 금속 재질을 포함한다. 가스 분산판(310)은 제4 전원(351)과 전기적으로 연결될 수 있다. 제4 전원(351)은 고주파 전원으로 제공될 수 있다. 이와 달리, 가스 분산판(310)은 전기적으로 접지될 수도 있다. 가스 분산판(310)은 제4 전원(351)과 전기적으로 연결되거나, 접지되어 전극으로서 기능할 수 있다.
지지부(330)는 가스 분산판(310)의 측부를 지지한다. 지지부(330)는 상단은 챔버(100)의 상면과 연결되고, 하단은 가스 분산판(310)의 측부와 연결된다. 지지부(330)는 비금속 재질을 포함할 수 있다.
샤워 헤드(300)는 전력이 제공되어 전극의 역할을 한다. 샤워 헤드(300)와 지지 유닛(200)의 몸체(230)는 각각 상부 전극과 하부 전극으로 제공될 수 있다. 상부 전극 및 하부 전극은 챔버(100)의 내부에서 서로 평행하게 상하로 배치될 수 있다. 양 전극 중 어느 하나의 전극은 고주파 전력을 인가하고, 다른 전극은 접지될 수 있다. 양 전극 간의 공간에는 전자기장이 형성되고, 이 공간에 공급되는 공정 가스는 플라즈마 상태로 여기될 수 있다. 이 플라즈마를 이용하여 기판 처리 공정이 수행된다.
일 예에 의하면, 하부 전극에는 고주파 전력이 인가되고, 상부 전극은 접지될 수 있다. 이와 달리, 상부 전극과 하부 전극에 모두 고주파 전력이 인가될 수 있다. 이로 인하여 상부 전극과 하부 전극 사이에 전자기장이 발생된다. 발생된 전자기장은 챔버(100) 내부로 제공된 공정 가스를 플라즈마 상태로 여기시킨다.
가스 공급 유닛(400)은 챔버(100) 내부에 공정 가스를 공급한다. 가스 공급 유닛(400)은 가스 공급 노즐(410), 가스 공급 라인(420), 그리고 가스 저장부(430)를 포함한다. 가스 공급 노즐(410)은 챔버(100)의 상면 중앙부에 설치된다. 가스 공급 노즐(410)의 저면에는 분사구가 형성된다. 분사구는 챔버(100) 내부로 공정 가스를 공급한다. 가스 공급 라인(420)은 가스 공급 노즐(410)과 가스 저장부(430)를 연결한다. 가스 공급 라인(420)은 가스 저장부(430)에 저장된 공정 가스를 가스 공급 노즐(410)에 공급한다. 가스 공급 라인(420)에는 밸브(421)가 설치된다. 밸브(421)는 가스 공급 라인(420)을 개폐하며, 가스 공급 라인(420)을 통해 공급되는 공정 가스의 유량을 조절한다.
배플 유닛(500)은 챔버(100)의 내측벽과 지지 유닛(200)의 사이에 위치된다. 배플(510)은 환형의 링 형상으로 제공된다. 배플(510)에는 복수의 관통홀(511)들이 형성된다. 챔버(100) 내에 제공된 공정 가스는 배플(510)의 관통홀(511)들을 통과하여 배기홀(102)로 배기된다. 배플(510)의 형상 및 관통홀(511)들의 형상에 따라 공정 가스의 흐름이 제어될 수 있다.
이상의 상세한 설명은 본 발명을 예시하는 것이다. 또한 전술한 내용은 본 발명의 바람직한 실시 형태를 나타내어 설명하는 것이며, 본 발명은 다양한 다른 조합, 변경 및 환경에서 사용할 수 있다. 즉 본 명세서에 개시된 발명의 개념의 범위, 저술한 개시 내용과 균등한 범위 및/또는 당업계의 기술 또는 지식의 범위내에서 변경 또는 수정이 가능하다. 저술한 실시예는 본 발명의 기술적 사상을 구현하기 위한 최선의 상태를 설명하는 것이며, 본 발명의 구체적인 적용 분야 및 용도에서 요구되는 다양한 변경도 가능하다. 따라서 이상의 발명의 상세한 설명은 개시된 실시 상태로 본 발명을 제한하려는 의도가 아니다. 또한 첨부된 청구범위는 다른 실시 상태도 포함하는 것으로 해석되어야 한다.
10: 기판 처리 장치 100: 챔버
200: 지지 유닛 210: 정전 척
2100: 홈 2150: 돌출부
2170: 지지핀 2300: 가스 공급 라인
230: 몸체 300: 샤워 헤드
400: 가스 공급 유닛 500: 배플 유닛

Claims (26)

  1. 내부에 처리 공간을 가지는 챔버;
    상기 챔버 내에 위치하고, 기판을 지지하는 지지 유닛;
    상기 처리 공간으로 공정 가스를 공급하는 가스 공급 유닛; 및
    상기 공정 가스로부터 플라즈마를 발생시키는 플라즈마 소스;를 포함하되,
    상기 지지 유닛은
    그 상면에 링 형상의 돌기가 형성되고,
    상기 돌기 내측에 위치하는 내측 홈, 상기 돌기 외측에 위치하는 외측 홈, 그리고 상기 내측 홈과 상기 외측 홈에 열전달 가스를 제공하는 열전달 가스 공급 라인을 포함하고,
    상기 내측 홈과 상기 외측 홈은 서로 그 깊이가 상이하게 제공되는 기판 처리 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 내측 홈은 중앙 영역에 위치하고, 원형의 형상으로 제공되고,
    상기 외측 홈은 환형의 링 형상으로 제공되는 기판 처리 장치.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 내측 홈과 상기 외측 홈은 각각 그 내부에 복수의 돌출부를 포함하는 기판 처리 장치.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 돌기의 상단과 상기 돌출부의 상단은 동일한 높이에 제공되는 기판 처리 장치.
  5. 제3항에 있어서,
    상기 내측 홈의 면적은 상부에서 바라볼 때 상기 외측 홈의 면적보다 넓게 제공되는 기판 처리 장치.
  6. 제3항에 있어서,
    상기 외측 홈의 깊이는 상기 내측 홈의 깊이보다 깊게 제공되는 기판 처리 장치.
  7. 제3항에 있어서,
    상기 외측 홈의 체적은 상기 내측 홈의 체적보다 크게 제공되는 기판 처리 장치.
  8. 제3항에 있어서,
    상기 외측 홈의 체적은 상기 내측 홈의 체적과 동일하게 제공되는 기판 처리 장치.
  9. 제1항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 열전달 가스 공급 라인은 상기 내측 홈에 연결되는 제1 열전달 가스 공급 라인과 상기 외측 홈에 연결되는 제2 열전달 가스 공급 라인을 포함하는 기판 처리 장치.
  10. 제1항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 지지 유닛은 정전 척을 포함하는 기판 처리 장치.
  11. 제1항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 열전달 가스는 헬륨을 포함하는 기판 처리 장치.
  12. 기판 처리 공정이 수행되는 챔버 내부에서 기판을 지지하는 지지 유닛에 있어서,
    상기 지지 유닛은
    그 상면에 링 형상의 돌기가 형성되고,
    상기 돌기 내측에 위치하는 내측 홈과 상기 돌기 외측에 위치하는 외측 홈, 그리고 상기 내측 홈과 상기 외측 홈에 열전달 가스를 제공하는 열전달 가스 공급 라인을 포함하고,
    상기 내측 홈과 상기 외측 홈은 서로 그 깊이가 상이하게 제공되는 지지 유닛.
  13. 제12항에 있어서,
    상기 내측 홈은 중앙 영역에 위치하고, 원형의 형상으로 제공되고,
    상기 외측 홈은 환형의 링 형상으로 제공되는 지지 유닛.
  14. 제13항에 있어서,
    상기 내측 홈과 상기 외측 홈은 각각 그 내부에 복수의 돌출부를 포함하는 지지 유닛.
  15. 제14항에 있어서,
    상기 돌기의 상단과 상기 돌출부의 상단은 동일한 높이에 제공되는 지지 유닛.
  16. 제14항에 있어서,
    상부에서 바라볼 때 상기 내측 홈의 면적은 상기 외측 홈의 면적보다 넓게 제공되는 지지 유닛.
  17. 제14항에 있어서,
    상기 외측 홈의 깊이는 상기 내측 홈의 깊이보다 깊게 제공되는 지지 유닛.
  18. 제14항에 있어서,
    상기 외측 홈의 제2 체적은 상기 내측 홈의 제1 체적보다 크게 제공되는 지지 유닛.
  19. 제14항에 있어서,
    상기 외측 홈의 제2 체적은 상기 내측 홈의 제1 체적보다 동일하게 제공되는 지지 유닛.
  20. 제12항 내지 제19항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 열전달 가스 공급 라인은 상기 내측 홈에 연결되는 제1 열전달 가스 공급 라인과 상기 외측 홈에 연결되는 제2 열전달 가스 공급 라인을 포함하는 지지 유닛.
  21. 제12항 내지 제19항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 지지 유닛은 정전 척을 포함하는 지지 유닛.
  22. 내부에 처리 공간을 가지는 챔버;
    상기 챔버 내에 위치하고, 기판을 지지하는 지지 유닛;
    상기 처리 공간으로 공정 가스를 공급하는 가스 공급 유닛; 및
    상기 공정 가스로부터 플라즈마를 발생시키는 플라즈마 소스;를 포함하되,
    상기 지지 유닛은
    그 상면에 열전달 기체가 공급되는 서로 구획된 복수의 홈들이 제공되고,
    상기 홈들과 연결되고, 상기 홈들에 열전달 가스를 공급하는 열전달 가스 공급 라인을 포함하되,
    상기 복수의 홈들 중 일부는 그 깊이가 상이하게 제공되는 기판 처리 장치.
  23. 제22항에 있어서,
    상기 복수의 홈들은 각각 그 내부에 복수의 돌출부를 포함하는 기판 처리 장치.
  24. 제23항에 있어서,
    상기 복수의 홈들 중 일부는 그 체적이 상이하게 제공되는 기판 처리 장치.
  25. 제23항에 있어서,
    상기 복수의 홈들 중 일부는 상부에서 바라볼 때 그 면적이 상이하게 제공되는 기판 처리 장치.
  26. 제22항 내지 제25항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 열전달 가스 공급 라인은 상기 복수의 홈들과 동일한 개수로 제공되고,
    상기 열전달 가스 공급 라인은 상기 복수개의 홈들과 각각 연결되어 제공되는 기판 처리 장치.
KR1020130104066A 2013-03-29 2013-08-30 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치 KR20140118670A (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201410122654.1A CN104078387A (zh) 2013-03-29 2014-03-28 支撑单元及包括该单元的基板处理装置

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020130034703 2013-03-29
KR20130034703 2013-03-29

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20140118670A true KR20140118670A (ko) 2014-10-08

Family

ID=51991469

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020130104066A KR20140118670A (ko) 2013-03-29 2013-08-30 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR20140118670A (ko)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20200042114A (ko) * 2018-10-15 2020-04-23 세메스 주식회사 기판 처리 장치, 기판 지지 유닛 및 기판 처리 방법
JP2020102614A (ja) * 2018-12-21 2020-07-02 Toto株式会社 静電チャック
CN112289670A (zh) * 2019-07-24 2021-01-29 东京毅力科创株式会社 温度调整装置
KR20220142491A (ko) * 2020-05-25 2022-10-21 엔지케이 인슐레이터 엘티디 정전 척

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20200042114A (ko) * 2018-10-15 2020-04-23 세메스 주식회사 기판 처리 장치, 기판 지지 유닛 및 기판 처리 방법
CN111223737A (zh) * 2018-10-15 2020-06-02 细美事有限公司 基板处理设备、基板支撑单元和基板处理方法
US11056320B2 (en) 2018-10-15 2021-07-06 Semes Co., Ltd. Substrate treating apparatus, substrate support unit, and substrate treating method
CN111223737B (zh) * 2018-10-15 2023-02-17 细美事有限公司 基板处理设备、基板支撑单元和基板处理方法
JP2020102614A (ja) * 2018-12-21 2020-07-02 Toto株式会社 静電チャック
CN112289670A (zh) * 2019-07-24 2021-01-29 东京毅力科创株式会社 温度调整装置
KR20220142491A (ko) * 2020-05-25 2022-10-21 엔지케이 인슐레이터 엘티디 정전 척

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101909479B1 (ko) 기판 지지 유닛, 그를 포함하는 기판 처리 장치, 그리고 그 제어 방법
KR101980203B1 (ko) 지지 유닛 및 그를 포함하는 기판 처리 장치
KR20140118670A (ko) 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
KR101817210B1 (ko) 플라즈마 발생 장치, 그를 포함하는 기판 처리 장치, 및 그 제어 방법
KR102323320B1 (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR101664840B1 (ko) 기판 처리 장치
KR101569904B1 (ko) 전극 어셈블리, 그리고 기판 처리 장치 및 방법
KR20200072933A (ko) 기판처리장치
KR102344525B1 (ko) 기판 처리 장치 및 방법
CN104078387A (zh) 支撑单元及包括该单元的基板处理装置
KR102281888B1 (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR101430745B1 (ko) 정전 척 및 기판 처리 장치
KR102323078B1 (ko) 기판 처리 장치
KR20160145865A (ko) 정전 척 및 기판 처리 장치
KR101569886B1 (ko) 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
KR102262107B1 (ko) 기판 처리 장치
KR101927937B1 (ko) 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
KR101408790B1 (ko) 기판 처리 장치
KR101464205B1 (ko) 기판 지지 어셈블리 및 기판 처리 장치
KR101502853B1 (ko) 지지 유닛 및 기판 처리 장치
KR101605722B1 (ko) 피더 및 기판 처리 장치
KR101842122B1 (ko) 전기장 발생 장치, 및 그를 포함하는 기판 처리 장치
KR20180125062A (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR101966793B1 (ko) 기판 지지 유닛 및 그를 포함하는 기판 처리 장치
KR20220135927A (ko) 기판 처리 장치 및 지지 유닛

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
AMND Amendment
E601 Decision to refuse application
AMND Amendment
REEX Re-examination
J201 Request for trial against refusal decision
J301 Trial decision

Free format text: TRIAL DECISION FOR APPEAL AGAINST DECISION TO DECLINE REFUSAL REQUESTED 20150623

Effective date: 20160520