KR102530067B1 - 가변 저항 메모리 소자 및 그 제조 방법 - Google Patents

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본 발명의 기술적 사상에 의한 가변 저항 메모리 소자는, 제1 전극층, 제1 전극층 상에 배치되고 저머늄(Ge), 셀레늄(Se) 및 안티몬(Sb)으로 구성되며 원자량을 기준으로 저머늄의 함량이 셀레늄의 함량보다 작은 칼코게나이드 스위칭 물질을 포함하는 선택 소자층, 선택 소자층 상에 배치되는 제2 전극층, 제2 전극층 상에 배치되고 칼코게나이드 물질을 포함하는 가변 저항층, 및 가변 저항층 상에 배치되는 제3 전극층을 포함한다.

Description

가변 저항 메모리 소자 및 그 제조 방법{VARIABLE RESISTANCE MEMORY DEVICES AND METHODS OF MANUFACTURING THE SAME}
본 발명의 기술적 사상은 가변 저항 메모리 소자 및 그 제조 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 저머늄(Ge), 셀레늄(Se) 및 안티몬(Sb)으로 구성되는 칼코게나이드 물질을 포함하는 선택 소자를 갖는 가변 저항 메모리 소자 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
칼코게나이드 물질을 이용한 선택 소자를 포함하는 가변 저항 메모리 소자가 개발되고 있다. 칼코게나이드 물질을 이용한 선택 소자는 일반적으로 비결정질 상태에서 전압을 인가하면 전자 구조가 변하여 부도체에서 전도체로 전기적 특성이 변하고, 전압을 제거하면 다시 원래의 부도체 상태로 돌아오는 특성이 있다. 이러한 특성을 가지는 선택 소자에서 이용되는 칼코게나이드 물질은 일반적으로 비소(As)를 포함하나, 비소(As)는 친환경적인 물질이 아니므로 비소(As)를 대체할 새로운 물질이 요구된다.
본 발명의 기술적 사상이 해결하고자 하는 과제는 저머늄(Ge), 셀레늄(Se) 및 안티몬(Sb)으로 구성되는 칼코게나이드 물질을 포함하는 선택 소자를 갖는 가변 저항 메모리 소자를 제공하는 것이다.
본 발명의 기술적 사상이 해결하고자 하는 과제는 저머늄(Ge), 셀레늄(Se) 및 안티몬(Sb)으로 구성되는 칼코게나이드 물질을 포함하는 선택 소자를 갖는 가변 저항 메모리 소자의 제조 방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 기술적 사상이 해결하고자 하는 과제는 이상에서 언급한 과제에 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
본 발명의 기술적 사상에 의한 일 실시예에 따른 가변 저항 메모리 소자는, 제1 전극층; 상기 제1 전극층 상에 배치되고 저머늄(Ge), 셀레늄(Se) 및 안티몬(Sb)으로 구성되며 원자량을 기준으로 상기 저머늄의 함량이 상기 셀레늄의 함량보다 작은 칼코게나이드 스위칭 물질을 포함하는 선택 소자층; 상기 선택 소자층 상에 배치되는 제2 전극층; 상기 제2 전극층 상에 배치되고 칼코게나이드 물질을 포함하는 가변 저항층; 및 상기 가변 저항층 상에 배치되는 제3 전극층을 포함한다.
본 발명의 기술적 사상에 의한 일 실시예에 따른 가변 저항 메모리 소자는, 제1 방향으로 연장하고 서로 이격 배치된 복수의 제1 전극 라인들을 포함하는 제1 전극 라인층; 상기 제1 전극 라인층의 상부에 배치되고 상기 제1 방향과 다른 제2 방향으로 연장하고 서로 이격 배치된 복수의 제2 전극 라인들을 포함하는 제2 전극 라인층; 상기 제2 전극 라인층의 상부에 배치되고 상기 복수의 제1 전극 라인들을 포함하는 제3 전극 라인층; 상기 제1 전극 라인층과 상기 제2 전극 라인층 사이의 상기 제1 전극 라인들과 상기 제2 전극 라인들이 교차하는 부분들에 배치된 복수의 메모리 셀들을 포함하는 제1 메모리 셀층; 및 상기 제2 전극 라인층과 상기 제3 전극 라인층 사이의 상기 제2 전극 라인들과 상기 제1 전극 라인들이 교차하는 부분들에 배치된 상기 복수의 메모리 셀들을 포함하는 제2 메모리 셀층을 포함하고, 상기 복수의 메모리 셀들은 각각, 선택 소자층, 전극층 및 가변 저항층을 포함하고, 상기 선택 소자층은 (GexSe1 -x)ySb1 -y로 구성되며, x는 0.2 이상 0.5 미만이고 y는 0.85 내지 0.95인 칼코게나이드 스위칭 물질을 포함한다.
본 발명의 기술적 사상에 따르면, 비소(As)를 포함하지 않고, 저머늄(Ge), 셀레늄(Se) 및 안티몬(Sb)으로 구성되는 칼코게나이드 물질을 포함하는 선택 소자를 갖는 가변 저항 메모리 소자를 제공하는 것이다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 가변 저항 메모리 소자에 대한 등가 회로도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 가변 저항 메모리 소자에 대한 사시도이다.
도 3은 도 2의 1X-1X' 및 1Y-1Y' 부분을 절단하여 보여주는 단면도이다.
도 4a 내지 도 4c는 선택 소자층의 저머늄(Ge) 및 셀레늄(Se)의 원자 함량비에 따른 전압-전류 곡선을 보여주는 그래프이다.
도 5a 내지 도 5d는 선택 소자층의 저머늄(Ge), 셀레늄(Se) 및 안티몬(Sb)의 원자 함량비에 따른 전압-전류 곡선을 보여주는 그래프이다.
도 6a 및 6b는 본 발명의 일 실시예에 따른 가변 저항 메모리 소자의 선택 소자층의 물성을 보여주는 그래프이다.
도 7 내지 도 10은 본 발명의 실시예들에 따른 가변 저항 메모리 소자에 대한 단면도들로서, 도 3의 단면도에 대응한다.
도 11은 본 발명의 일 실시예에 따른 가변 저항 메모리 소자에 대한 사시도이다.
도 12는 도 11의 2X-2X' 및 2Y-2Y' 부분을 절단하여 보여주는 단면도이다.
도 13은 본 발명의 일 실시예에 따른 가변 저항 메모리 소자에 대한 사시도이다.
도 14는 도 13의 3X-3X' 및 3Y-3Y' 부분을 절단하여 보여주는 단면도이다.
도 15는 본 발명의 일 실시예에 따른 가변 저항 메모리 소자에 대한 사시도이다.
도 16은 도 15의 4X-4X' 부분을 절단하여 보여주는 단면도이다.
도 17 내지 도 19는 본 발명의 일 실시예에 따른 도 2의 가변 저항 메모리 소자의 제조 과정을 보여주는 단면도들이다.
이하, 첨부한 도면들을 참조하여 본 발명의 기술적 사상의 실시예에 대해 상세히 설명하기로 한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 가변 저항 메모리 소자에 대한 등가 회로도이다.
도 1을 참조하면, 가변 저항 메모리 소자(100)는 제1 방향(X 방향)을 따라 연장되고 제1 방향에 수직한 제2 방향(Y 방향)으로 이격된 워드 라인(WL1, WL2)을 포함할 수 있다. 또한, 가변 저항 메모리 소자(100)는 워드 라인(WL1, WL2)과 제3 방향(Z 방향)으로 이격되어, 제2 방향을 따라 연장되는 비트 라인(BL1, BL2, BL3, BL4)을 포함할 수 있다.
메모리 셀(MC)은 비트 라인(BL1, BL2, BL3, BL4)과 워드 라인(WL1, WL2)과의 사이에 각각 배치될 수 있다. 구체적으로, 메모리 셀(MC)은 비트 라인(BL1, BL2, BL3, BL4)과 워드 라인(WL1, WL2)의 교차점에 배치될 수 있고, 정보 저장을 위한 가변 저항층(ME)과 메모리 셀을 선택하기 위한 선택 소자층(SW)을 포함할 수 있다. 한편, 선택 소자층(SW)은 스위칭 소자층 또는 억세스 소자층으로 명명될 수도 있다.
메모리 셀(MC)은 제3 방향을 따라 동일한 구조로 배치될 수 있다. 예컨대, 워드 라인(WL1)과 비트 라인(BL1) 사이에 배치되는 메모리 셀(MC)에서, 선택 소자층(SW)은 워드 라인(WL1)에 전기적으로 연결되고, 가변 저항층(ME)은 비트 라인(BL1)에 전기적으로 연결되며, 가변 저항층(ME)과 선택 소자층(SW)은 직렬로 연결될 수 있다. 그러나 본 발명의 기술적 사상이 이에 한정되는 것은 아니다. 예컨대, 도 1에 도시된 것과는 달리, 메모리 셀(MC)에서 선택 소자층(SW)과 가변 저항층(ME)의 위치가 바뀔 수 있다. 예컨대, 메모리 셀(MC)에서 가변 저항층(ME)이 워드 라인(WL1)에 연결되고 선택 소자층(SW)이 비트 라인(BL1)과 연결될 수도 있다.
가변 저항 메모리 소자(100)의 구동 방법에 대하여 간단히 설명한다. 워드 라인(WL1, WL2)과 비트 라인(BL1, BL2, BL3, BL4)을 통해 메모리 셀(MC)의 가변 저항층(ME)에 전압이 인가되어, 가변 저항층(ME)에 전류가 흐를 수 있다. 예컨대, 가변 저항층(ME)은 제1 상태와 제2 상태 간에 가역적으로 천이할 수 있는 상변화 물질층을 포함할 수 있다. 그러나 가변 저항층(ME)은 이에 한정되는 것은 아니며, 인가된 전압에 따라 저항값이 달라지는 가변 저항체라면 어떠한 것도 포함할 수 있다. 예컨대, 선택된 메모리 셀(MC)은 가변 저항층(ME)에 인가되는 전압에 따라 가변 저항층(ME)의 저항이 제1 상태와 제2 상태 간에 가역적으로 천이할 수 있다.
가변 저항층(ME)의 저항 변화에 따라, 메모리 셀(MC)은 '0' 또는 '1'과 같은 디지털 정보를 기억할 수 있고, 또한 메모리 셀(MC)로부터 디지털 정보를 소거할 수도 있다. 예컨대, 메모리 셀(MC)에서 고저항 상태 '0'과 저저항 상태 '1'로 데이터를 기입할 수 있다. 여기서, 고저항 상태 '0'에서 저저항 상태 '1'로의 기입을 '셋(set) 동작'이라 칭할 수 있고, 저저항 상태 '1'에서 고저항 상태 '0'으로의 기입을 '리셋(reset) 동작'이라 칭할 수 있다. 그러나 본 발명의 실시예들에 따른 메모리 셀(MC)은 상기 예시된 고저항 상태 '0' 및 저저항 상태 '1'의 디지털 정보에만 한정되는 것은 아니며, 다양한 저항 상태들을 저장할 수 있다.
워드 라인(WL1, WL2) 및 비트 라인(BL1, BL2, BL3, BL4)의 선택에 의해 임의의 메모리 셀(MC)이 어드레스 될 수 있고, 워드 라인(WL1, WL2) 및 비트 라인(BL1, BL2, BL3, BL4) 사이에 소정의 신호를 인가하여, 메모리 셀(MC)을 프로그래밍할 수 있다. 또한, 비트 라인(BL1, BL2, BL3, BL4)을 통하여 전류 값을 측정함으로써, 해당 메모리 셀(MC)의 가변 저항층의 저항값에 따른 정보, 즉 프로그래밍 된 정보를 판독할 수 있다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 가변 저항 메모리 소자에 대한 사시도이고, 도 3은 도 2의 1X-1X' 및 1Y-1Y' 부분을 절단하여 보여주는 단면도이다.
도 2 및 도 3을 참조하면, 가변 저항 메모리 소자(100)는 기판(101) 상에 제1 전극 라인층(110L), 제2 전극 라인층(120L) 및 메모리 셀층(MCL)을 포함할 수 있다.
기판(101) 상에는 층간 절연층(105)이 배치될 수 있다. 층간 절연층(105)은 실리콘옥사이드와 같은 산화물 또는 실리콘나이트라이드와 같은 질화물로 형성될 수 있고, 제1 전극 라인층(110L)을 기판(101)으로부터 전기적으로 분리하는 역할을 할 수 있다. 본 실시예의 가변 저항 메모리 소자(100)에서, 기판(101) 상에 층간 절연층(105)이 배치되고 있지만, 이는 하나의 예시에 불과하다. 예컨대, 본 실시예의 가변 저항 메모리 소자(100)에서, 기판(101) 상에 집적 회로층이 배치될 수도 있고, 그러한 집적 회로층 상에 메모리 셀들이 배치될 수 있다. 집적 회로층은 예컨대, 메모리 셀들의 동작을 위한 주변 회로 및/또는 연산 등을 위한 코어 회로를 포함할 수 있다. 참고로, 기판 상에 주변 회로 및/또는 코어 회로 등을 포함하는 집적 회로층이 배치되고, 집적 회로층 상부에 메모리 셀들이 배치되는 구조를 COP(Cell On Peri) 구조라고 한다.
제1 전극 라인층(110L)은 제1 방향(X 방향)으로 상호 평행하게 연장하는 복수의 제1 전극 라인들(110)을 포함할 수 있다. 제2 전극 라인층(120L)은 제1 방향과 교차하는 제2 방향(Y 방향)으로 상호 평행하게 연장하는 복수의 제2 전극 라인들(120)을 포함할 수 있다. 제1 방향과 제2 방향은 서로 수직으로 교차할 수 있다.
가변 저항 메모리 소자의 구동 측면에서, 제1 전극 라인들(110)은 워드 라인(도 1에서 WL)에 해당할 수 있고, 제2 전극 라인들(120)은 비트 라인(도 1에서 BL)에 해당할 수 있다. 또한, 반대로 제1 전극 라인들(110)이 비트 라인에 해당하고, 제2 전극 라인들(120)이 워드 라인에 해당할 수도 있다.
제1 전극 라인들(110) 및 제2 전극 라인들(120)은 각각 금속, 도전성 금속 질화물, 도전성 금속 산화물, 또는 이들의 조합으로 이루어질 수 있다. 예컨대, 제1 전극 라인들(110) 및 제2 전극 라인들(120)은 각각 W, WN, Au, Ag, Cu, Al, TiAlN, Ir, Pt, Pd, Ru, Zr, Rh, Ni, Co, Cr, Sn, Zn, ITO, 이들의 합금, 또는 이들의 조합으로 이루어질 수 있다. 또한, 제1 전극 라인들(110) 및 제2 전극 라인들(120)은 각각 금속막과, 상기 금속막의 적어도 일부를 덮는 도전성 장벽층을 포함할 수 있다. 상기 도전성 장벽층은 예컨대, Ti, TiN, Ta, TaN, 또는 이들의 조합으로 이루어질 수 있다.
메모리 셀층(MCL)은 제1 방향 및 제2 방향으로 서로 이격된 복수의 메모리 셀들(140, 도 1에서 MC)을 포함할 수 있다. 도시된 바와 같이 제1 전극 라인들(110)과 제2 전극 라인들(120)은 서로 교차할 수 있다. 메모리 셀들(140)은 제1 전극 라인층(110L)과 제2 전극 라인층(120L) 사이의 제1 전극 라인들(110)과 제2 전극 라인들(120)이 교차하는 부분들에 배치될 수 있다.
메모리 셀들(140)은 사각기둥 형태의 필라(pillar) 구조로 형성될 수 있다. 물론, 메모리 셀들(140)의 구조가 사각기둥 형태에 한하는 것은 아니다. 예컨대, 메모리 셀들(140)은 원기둥, 타원기둥, 다각기둥 등의 다양한 기둥 형태를 가질 수 있다. 또한, 형성 방법에 따라 메모리 셀들(140)은 하부가 상부보다 넓은 구조, 또는 상부가 하부보다 넓은 구조를 가질 수 있다. 예컨대, 메모리 셀들(140)이 양각 식각 공정을 통해 형성되는 경우, 하부가 상부보다 넓은 구조를 가질 수 있다. 또한, 메모리 셀들(140)이 다마신(damascene) 공정으로 형성되는 경우에는 상부가 하부보다 넓은 구조를 가질 수 있다. 물론, 양각 식각 공정 또는 다마신 공정에서, 식각을 정밀하게 제어하여 측면이 거의 수직이 되도록 물질층들을 식각함으로써, 상부와 하부의 넓이 차이가 거의 없도록 할 수도 있다. 도 2 및 3을 포함하여 이하의 모든 도면들에서 메모리 셀들(140)이 측면이 수직인 형태로 도시되고 있지만, 이는 도시의 편의를 위한 것으로서, 메모리 셀들(140)은 하부가 상부보다 넓거나, 또는 상부가 하부보다 넓은 구조를 가질 수 있다.
메모리 셀들(140)은 각각 하부 전극층(141), 선택 소자층(143), 중간 전극층(145), 가열(heating) 전극층(147), 가변 저항층(149) 및 상부 전극층(148)을 포함할 수 있다. 위치 관계를 고려하지 않는 경우, 하부 전극층(141)은 제1 전극층, 중간 전극층(145) 및 가열 전극층(147)은 제2 전극층, 상부 전극층(148)은 제3 전극층으로 지칭될 수 있다.
일부 실시예들에서, 가변 저항층(149, 도 1에서 ME)은 가열 시간에 따라 비정질(amorphous) 상태와 결정질(crystalline) 상태 사이에서 가역적으로 변화하는 상변화 물질을 포함할 수 있다. 예컨대, 가변 저항층(149)은 가변 저항층(149)의 양단에 인가되는 전압에 의해 발생하는 줄 열(Joule heat)에 의해 상(phase)이 가역적으로 변화될 수 있고, 이러한 상변화에 의해 저항이 변화될 수 있는 물질을 포함할 수 있다. 구체적으로, 상기 상변화 물질은 비정질 상에서 고저항 상태가 되고, 결정질 상에서 저저항 상태가 될 수 있다. 고저항 상태를 '0'으로, 저저항 상태 '1'로 정의함으로써, 가변 저항층(149)에 데이터가 저장될 수 있다.
일부 실시예들에서, 가변 저항층(149)은 상변화 물질로서 칼코게나이드 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 가변 저항층(149)은 Ge-Sb-Te(GST)를 포함할 수 있다. 여기서 사용되는 하이픈(-) 표시된 화학적 조성 표기는 특정 혼합물 또는 화합물에 포함된 원소를 표시하고, 표시된 원소를 포함하는 모든 화학식 구조를 나타낼 수 있다. 예를 들어, Ge-Sb-Te는 Ge2Sb2Te5, Ge2Sb2Te7, Ge1Sb2Te4, 또는 Ge1Sb4Te7 등의 물질일 수 있다.
가변 저항층(149)은 전술한 Ge-Sb-Te(GST) 외에도 다양한 칼코게나이드 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 가변 저항층(149)은 칼코게나이드 물질로서, 실리콘(Si), 저머늄(Ge), 안티몬(Sb), 텔레륨(Te), 비스무스(Bi), 인듐(In), 주석(Sn) 및 셀레늄(Se) 중에서 선택된 적어도 두 개 또는 그 조합을 포함할 수 있다.
가변 저항층(149)을 이루는 각 원소는 다양한 화학적 조성비 (stoichiometry)를 가질 수 있다. 각 원소의 화학적 조성비에 따라 가변 저항층(149)의 결정화 온도, 용융점, 결정화 에너지에 따른 상변화 속도, 및 정보 보유력(retention)이 조절될 수 있다.
또한, 가변 저항층(149)은 붕소(B), 탄소(C), 질소(N), 산소(O), 인(P) 및 황(S) 중에서 선택된 적어도 하나의 불순물을 더 포함할 수 있다. 상기 불순물에 의해 가변 저항 메모리 소자(100)의 구동 전류가 변화될 수 있다. 또한, 가변 저항층(149)은 금속을 더 포함할 수 있다. 예를 들어, 가변 저항층(149)은 알루미늄(Al), 갈륨(Ga), 아연(Zn), 티타늄(Ti), 크롬(Cr), 망간(Mn), 철(Fe), 코발트(Co), 니켈(Ni), 몰리브덴(Mo), 루테늄(Ru), 팔라듐(Pd), 하프늄(Hf), 탄탈륨(Ta), 이리듐(Ir), 백금(Pt), 지르코늄(Zr), 탈륨(Tl), 팔라듐(Pd) 및 폴로늄(Po) 중에서 선택된 적어도 하나를 포함할 수 있다. 이러한 금속 물질들은 가변 저항층(149)의 전기 전도성 및 열전도성을 증가시킬 수 있고, 이에 따라 결정화 속도를 증가시켜 셋 속도를 증가시킬 수 있다. 또한, 상기 금속 물질들은 가변 저항층(149)의 정보 보유력 특성을 향상시킬 수 있다.
가변 저항층(149)은 서로 다른 물성을 가지는 두 개 이상의 층들이 적층된 다층 구조를 가질 수 있다. 복수의 층들의 수 또는 두께는 자유롭게 선택될 수 있다. 복수의 층들 사이에는 배리어층이 더 형성될 수 있다. 상기 배리어층은 복수의 층들간에 물질 확산을 방지하는 역할을 할 수 있다. 즉, 배리어층은 복수의 층들 중 후속층을 형성할 때 선행층의 확산을 감소시킬 수 있다.
또한, 가변 저항층(149)은 서로 다른 물질을 포함하는 복수의 층들이 교대로 적층되는 초격자(super lattice) 구조를 가질 수 있다. 예를 들어, 가변 저항층(149)은 Ge-Te으로 이루어지는 제1 층과 Sb-Te으로 이루어지는 제2 층이 교대로 적층되는 구조를 포함할 수 있다. 다만, 상기 제1 층 및 제2 층의 물질이 상기 Ge-Te 및 Sb-Te에 한정되는 것은 아니며, 전술한 다양한 물질들을 각각 포함할 수 있다.
이상 가변 저항층(149)으로서 상변화 물질을 예시하였으나, 본 발명의 기술적 사상이 이에 한정되는 것은 아니다. 가변 저항 메모리 소자(100)의 가변 저항층(149)은 저항 변화 특성을 가지는 다양한 물질을 포함할 수 있다.
일부 실시예들에서, 가변 저항층(149)이 전이 금속 산화물(transition metal oxide)을 포함하는 경우, 가변 저항 메모리 소자(100)는 ReRAM(Resistive RAM)이 될 수 있다. 전이 금속 산화물을 포함하는 가변 저항층(149)은 프로그램 동작에 의하여 적어도 하나의 전기적 통로가 가변 저항층(149) 내에 생성되거나 소멸될 수 있다. 상기 전기적 통로가 생성된 경우에 가변 저항층(149)은 낮은 저항값을 가질 수 있으며, 상기 전기적 통로가 소멸된 경우에 가변 저항층(149)은 높은 저항값을 가질 수 있다. 이러한 가변 저항층(149)의 저항값 차이를 이용하여 가변 저항 메모리 소자(100)는 데이터를 저장할 수 있다.
가변 저항층(149)이 전이 금속 산화물로 이루어지는 경우, 상기 전이 금속 산화물은 Ta, Zr, Ti, Hf, Mn, Y, Ni, Co, Zn, Nb, Cu, Fe, 또는 Cr 중에서 선택되는 적어도 하나의 금속을 포함할 수 있다. 예를 들면, 상기 전이 금속 산화물은 Ta2O5-x, ZrO2 -x, TiO2 -x, HfO2 -x, MnO2 -x, Y2O3 -x, NiO1 -y, Nb2O5 -x, CuO1 -y, 또는 Fe2O3 -x 중에서 선택되는 적어도 하나의 물질로 이루어지는 단일층 또는 다중층으로 이루어질 수 있다. 상기 예시된 물질들에서, x 및 y는 각각 0≤x≤1.5 및 0≤y≤0.5의 범위 내에서 선택될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
예시적인 실시예들에서, 가변 저항층(149)이 자성체로 이루어지는 2개의 전극과, 이들 2개의 전극 사이에 개재되는 유전체를 포함하는 MTJ(Magnetic Tunnel Junction) 구조를 가지는 경우, 가변 저항 메모리 소자(100)는 MRAM(Magnetic RAM)이 될 수 있다.
상기 2개의 전극은 각각 자화 고정층 및 자화 자유층일 수 있으며, 이들 사이에 개재된 상기 유전체는 터널 배리어층일 수 있다. 상기 자화 고정층은 일 방향으로 고정된 자화 방향을 갖고, 상기 자화 자유층은 상기 자화 고정층의 자화 방향에 평행 또는 반 평행하도록 변경 가능한 자화 방향을 가질 수 있다. 상기 자화 고정층 및 상기 자화 자유층의 자화 방향들은 상기 터널 배리어층의 일면에 평행할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 상기 자화 고정층 및 상기 자화 자유층의 자화 방향들은 상기 터널 배리어층의 일면에 수직할 수 있다.
상기 자화 자유층의 자화 방향이 상기 자화 고정층의 자화 방향과 평행한 경우, 가변 저항층(149)이 제1 저항값을 가질 수 있다. 한편, 상기 자화 자유층의 자화 방향이 상기 자화 고정층의 자화 방향에 반 평행한 경우, 가변 저항층(149)은 제2 저항값을 가질 수 있다. 이러한 저항값의 차이를 이용하여 가변 저항 메모리 소자(100)는 데이터를 저장할 수 있다. 상기 자화 자유층의 자화 방향은 프로그램 전류 내 전자들의 스핀 토크(spin torque)에 의하여 변경될 수 있다.
상기 자화 고정층 및 상기 자화 자유층은 자성 물질을 포함할 수 있다. 이때, 상기 자화 고정층은 상기 자화 고정층 내 강자성 물질의 자화 방향을 고정시키는 반강자성 물질을 더 포함할 수 있다. 상기 터널 배리어층은 Mg, Ti, Al, MgZn, 및 MgB 중에서 선택되는 어느 하나의 산화물로 이루어질 수 있으나, 상기 예시된 바에 한정되는 것은 아니다.
선택 소자층(143, 도 1에서 SW)은 전류의 흐름을 제어할 수 있는 전류 조정 층일 수 있다. 선택 소자층(143)은 선택 소자층(143) 양단에 걸린 전압의 크기에 따라 저항이 변화할 수 있는 물질층을 포함할 수 있다. 예컨대, 선택 소자층(143)은 오보닉 문턱 스위칭(Ovonic Threshold Switching, OTS) 물질을 포함할 수 있다. OTS 물질을 기반으로 하는 선택 소자층(143)의 기능을 간단히 설명하면, 선택 소자층(143)에 문턱 전압(threshold voltage, Vth)보다 작은 전압이 인가될 때 선택 소자층(143)은 전류가 거의 흐르지 않은 고저항 상태를 유지하고, 선택 소자층(143)에 문턱 전압(Vth)보다 큰 전압이 인가될 때, 저저항 상태가 되어 전류가 흐르기 시작한다. 또한, 선택 소자층(143)을 통해 흐르는 전류가 유지 전류(holding current)보다 작아질 때, 선택 소자층(143)은 고저항 상태로 변화될 수 있다.
선택 소자층(143)은 OTS 물질로서 칼코게나이드 스위칭 물질을 포함할 수 있다. 본 발명의 실시예에서, 칼코게나이드 스위칭 물질은 비소(As)를 포함하지 않고, 저머늄(Ge), 셀레늄(Se) 및 안티몬(Sb)으로 구성될 수 있다. 또한, 상기 선택 소자층(143)은 상기 칼코게나이드 스위칭 물질에 탄소(C) 및 질소(N) 중에서 선택된 적어도 하나가 더 도핑될 수 있다.
일반적으로, 칼코겐 원소들은 2가 결합(divalent bonding) 및 고립 전자쌍(lone pair electron)의 존재를 특징으로 한다. 2가 결합은 칼코게나이드 물질을 형성하기 위하여 칼코겐 원소들을 결합시켜 사슬 및 고리 구조의 형성을 이끌고, 고립 전자쌍은 전도성 필라멘트를 형성하기 위한 전자 소스를 제공한다. 예컨대, 알루미늄(Al), 갈륨(Ga), 인듐(In), 저머늄(Ge), 주석(Sn), 실리콘(Si), 인(P), 및 안티몬(Sb)과 같은 3가 및 4가 개질제들은 칼코겐 원소의 사슬 및 고리 구조에 들어가 칼코게나이드 물질의 구조적 강성을 결정하고, 결정화 또는 다른 구조적 재배열을 할 수 있는 능력에 따라 칼코게나이드 물질을 스위칭 물질과 상변화 물질로 분류한다.
가열 전극층(147)은 중간 전극층(145)과 가변 저항층(149) 사이에, 가변 저항층(149)과 콘택하도록 배치될 수 있다. 가열 전극층(147)은 셋 또는 리셋 동작에서 가변 저항층(149)을 가열하는 기능을 할 수 있다. 이러한 가열 전극층(147)은 가변 저항층(149)과 반응하지 않으면서, 가변 저항층(149)을 상변화시키기에 충분한 열을 발생시킬 수 있는 도전 물질을 포함할 수 있다. 가열 전극층(147)은 탄소 계열의 도전 물질을 포함할 수 있다. 일부 실시예들에서, 가열 전극층(147)은 TiN, TiSiN, TiAlN, TaSiN, TaAlN, TaN, WSi, WN, TiW, MoN, NbN, TiBN, ZrSiN, WSiN, WBN, ZrAlN, MoAlN, TiAl, TiON, TiAlON, WON, TaON, 탄소(C), 실리콘카바이드(SiC), 실리콘카본나이트라이드(SiCN), 카본나이트라이드(CN), 티타늄카본나이트라이드(TiCN), 탄탈륨카본나이트라이드(TaCN) 혹은 이들의 조합인 고융점 금속 또는 이들의 질화물로 이루어질 수 있다. 가열 전극층(147)의 재질이 상기 물질들에 한정되는 것은 아니다.
하부 전극층(141), 중간 전극층(145) 및 상부 전극층(148)은 전류 통로의 기능을 하는 층으로서 도전성 물질로 형성될 수 있다. 예컨대, 하부 전극층(141), 중간 전극층(145) 및 상부 전극층(148)은 각각 금속, 도전성 금속 질화물, 도전성 금속 산화물, 또는 이들의 조합으로 이루어질 수 있다. 예컨대, 하부 전극층(141), 중간 전극층(145), 및 상부 전극층(148)은 각각, 탄소(C), 티타늄나이트라이드(TiN), 티타늄실리콘나이트라이드(TiSiN), 티타늄카본나이트라이드(TiCN), 티타늄카본실리콘나이트라이드(TiCSiN), 티타늄알루미늄나이트라이드(TiAlN), 탄탈륨(Ta), 탄탈륨나이트라이드(TaN), 텅스텐(W) 및 텅스텐나이트라이드(WN) 중에서 선택된 적어도 하나를 포함할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
하부 전극층(141)과 상부 전극층(148)은 선택적으로 형성될 수 있다. 다시 말해서, 하부 전극층(141)과 상부 전극층(148)은 생략될 수도 있다. 다만, 선택 소자층(143) 및 가변 저항층(149)이 제1 및 제2 전극 라인들(110, 120)과 직접 콘택함에 따라 발생할 수 있는 오염이나 접촉 불량 등을 방지하기 위하여, 하부 전극층(141) 및 상부 전극층(148)은 제1 및 제2 전극 라인들(110, 120)과 선택 소자층(143) 및 가변 저항층(149) 사이에 배치될 수 있다.
한편, 중간 전극층(145)은 가열 전극층(147)으로부터 열이 선택 소자층(143)으로 전달되는 것을 방지하기 위하여 구비되어야 한다. 일반적으로, 선택 소자층(143)은 비정질 상태의 칼코게나이드 스위칭 물질을 포함할 수 있다. 그러나 가변 저항 메모리 소자(100)의 다운 스케일링 경향에 따라 가변 저항층(149), 선택 소자층(143), 가열 전극층(147), 중간 전극층(145)의 두께, 폭 및 이들 사이의 거리가 감소할 수 있다. 따라서, 가변 저항 메모리 소자(100)의 구동 과정에서, 가열 전극층(147)이 발열하여 가변 저항층(149)을 상변화 시킬 때 이에 인접하게 배치되는 선택 소자층(143)에도 상기 발열에 의한 영향이 가해질 수 있다. 예컨대, 인접한 가열 전극층(147)으로부터의 열에 의해 선택 소자층(143)이 부분적으로 결정화되는 등의 선택 소자층(143)의 열화 및 손상이 발생할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 가변 저항 메모리 소자(100)에서, 가열 전극층(147)의 열이 선택 소자층(143)에 전달되지 않도록 중간 전극층(145)이 두껍게 형성될 수 있다. 도 2 및 도 3에서 중간 전극층(145)이 하부 전극층(141)이나 상부 전극층(148)과 유사한 두께로 형성되고 있지만, 상기 열 차단 기능을 위해 중간 전극층(145)은 하부 전극층(141)이나 상부 전극층(148)보다 두껍게 형성될 수 있다. 예컨대, 중간 전극층(145)은 약 10㎚ 내지 약 100㎚ 정도의 두께를 가질 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 또한, 중간 전극층(145)은 열 차단 기능을 위해 적어도 하나의 열적 장벽(thermal barrier)층을 포함할 수 있다. 중간 전극층(145)이 2개 이상의 열적 장벽층을 포함하는 경우에, 중간 전극층(145)은 열적 장벽층과 전극 물질층이 번갈아 적층되는 구조를 가질 수 있다.
제1 전극 라인들(110) 사이에는 제1 절연층(160a)이 배치되고, 메모리 셀층(MCL)의 메모리 셀들(140) 사이에는 제2 절연층(160b)이 배치될 수 있다. 또한, 제2 전극 라인들(120) 사이에는 제3 절연층(160c)이 배치될 수 있다. 제1 내지 제3 절연층(160a 내지 160c)은 동일 물질의 절연층으로 형성되거나 적어도 하나는 다른 물질의 절연층으로 형성될 수 있다. 이러한 제1 내지 제3 절연층(160a 내지 160c)은 예컨대, 산화물 또는 질화물의 유전체 물질로 형성되며, 각층의 소자들을 서로 전기적으로 분리하는 기능을 할 수 있다. 한편, 제2 절연층(160b)을 대신하여 에어갭(미도시)이 형성될 수도 있다. 에어갭이 형성되는 경우, 상기 에어갭과 메모리 셀들(140) 사이에 소정의 두께를 갖는 절연 라이너(미도시)가 형성될 수도 있다.
도 4a 내지 도 4c는 선택 소자층의 저머늄(Ge) 및 셀레늄(Se)의 원자 함량비에 따른 전압-전류 곡선을 보여주는 그래프이다.
도 4a 내지 도 4c를 참조하면, 저머늄(Ge) 및 셀레늄(Se)으로 구성되는 2원계 칼코게나이드 스위칭 물질에 있어서, 원자 함량비의 변화에 따라 서로 다른 조성비를 갖는 칼코게나이드 스위칭 물질에 직류 전압 인가(DC voltage sweep)를 실행한 결과이다.
직류 전압 인가란 선택 소자층(143, 도 3 참조)에 전압을 변화시키면서 그에 따른 전류의 변화를 측정하는 것이다. 여기서는 선택 소자층(143)에 전압을 0V에서 5V까지 증가시키면서 이에 따른 전류의 변화를 그래프로 나타내고 있다. 상기 직류 전압 인가를 각각의 서로 다른 저머늄(Ge) 및 셀레늄(Se)의 원자 함량비를 갖는 칼코게나이드 스위칭 물질에 3회씩 실시하였으며, 이 중에서 3번째 사이클을 기준으로 하여 선택 소자로서의 동작 여부를 확인하였다.
저머늄(Ge) 및 셀레늄(Se)으로 구성되는 2원계 칼코게나이드 스위칭 물질은, 예를 들면, 원하는 조성비를 갖는 타겟을 사용하여 스퍼터링 방식으로 형성될 수 있다. 또한, 저머늄(Ge) 및 셀레늄(Se)으로 구성되는 2원계 칼코게나이드 스위칭 물질에서 저머늄(Ge) 및 셀레늄(Se)의 원자 함량비는 형광 X-선 분석법(X-Ray Fluorescence Analysis, XRF) 및/또는 러더포드 후광산란 분광법(Rutherford Backscattering Spectrometry, RBS)을 통해서 분석될 수 있다.
도 4a 내지 도 4c에서는 저머늄(Ge) 및 셀레늄(Se)의 원자 함량비를 변화시켜가며 전압-전류 특성을 측정한 그래프를 도시하였다. 도 4a는 Ge4Se6의 조성비를 가진 칼코게나이드 스위칭 물질의 전압-전류 곡선을 보여주는 그래프이고, 도 4b는 Ge5Se5의 조성비를 가진 칼코게나이드 스위칭 물질의 전압-전류 곡선을 보여주는 그래프이고, 도 4c는 Ge6Se4의 조성비를 가진 칼코게나이드 스위칭 물질의 전압-전류 곡선을 보여주는 그래프이다.
즉, 도 4a에서는 저머늄(Ge)의 원자 함량비가 셀레늄(Se)의 원자 함량비보다 작은 경우에 대하여, 도 4b에서는 저머늄(Ge)의 원자 함량비가 셀레늄(Se)의 원자 함량비와 동일한 경우에 대하여, 도 4c에서는 저머늄(Ge)의 원자 함량비가 셀레늄(Se)의 원자 함량비보다 큰 경우에 대하여 선택 소자로서의 동작 여부를 확인하였다.
도 4a의 Ge4Se6의 조성비를 가진 칼코게나이드 스위칭 물질, 즉, 저머늄(Ge)의 원자 함량비가 셀레늄(Se)의 원자 함량비보다 작은 경우에서는 선택 소자로서의 스위칭 특성이 관찰되었다. 선택 소자로서의 특성을 위한 중요 원소가 셀레늄(Se)이므로, 상기 저머늄(Ge)의 함량이 상기 셀레늄(Se)의 함량보다 작은 조성비를 갖는 칼코게나이드 스위칭 물질은 선택 소자로서 사용될 수 있음을 알 수 있다. 도 4a의 Ge4Se6의 조성비를 가진 칼코게나이드 스위칭 물질의 경우, 문턱 전압(Vth)은 약 2.4V로 나타나고 있다.
이와 달리, 도 4b의 Ge5Se5 및 도 4c의 Ge6Se4의 조성비를 가진 칼코게나이드 스위칭 물질의 전압-전류 곡선에서는 선택 소자로서의 특성이 관찰되지 않았다. 즉, 저머늄(Ge)의 원자 함량비가 셀레늄(Se)의 원자 함량비와 동일하거나 큰 경우에는 3번째 사이클을 기준으로 하여, 일정 전압에서의 온-오프 특성이 관찰되지 않았다.
상기 직류 전압 인가를 통하여, 저머늄(Ge) 및 셀레늄(Se)으로 구성되는 2원계 칼코게나이드 스위칭 물질에서 선택 소자로서의 특성을 위한 중요 원소가 셀레늄(Se)이라는 것을 확인할 수 있었다. 따라서, 저머늄(Ge)의 함량이 셀레늄(Se)의 함량보다 작은 원자 함량비를 갖는 경우, 선택 소자로서 사용될 수 있음을 확인할 수 있었다.
그러나 상기 저머늄(Ge) 및 셀레늄(Se)으로 구성되는 2원계 칼코게나이드 스위칭 물질만으로는 원하는 선택 소자층(143)의 물성, 예를 들면, 열적 안정성, 문턱 전압(Vth), 누설 전류(off-state leakage current, Ioff) 및 내구성(endurance) 중 적어도 어느 하나를 만족시키기 어려울 수 있으므로, 이에 다른 물질을 첨가하여 선택 소자로서의 성능 향상을 꾀할 수 있다.
도 5a 내지 도 5d는 선택 소자층의 저머늄(Ge), 셀레늄(Se) 및 안티몬(Sb)의 원자 함량비에 따른 전압-전류 곡선을 보여주는 그래프이다.
도 5a 내지 도 5d를 참조하면, 저머늄(Ge), 셀레늄(Se) 및 안티몬(Sb)으로 구성되는 3원계 칼코게나이드 스위칭 물질에 있어서, 원자 함량비의 변화에 따라 서로 다른 조성비를 갖는 칼코게나이드 스위칭 물질에 직류 전압 인가를 실행한 결과이다. 상기 직류 전압 인가를 실행한 방식은 앞서 설명한 것과 실질적으로 동일하므로 여기서는 자세한 설명을 생략한다.
또한, 저머늄(Ge), 셀레늄(Se) 및 안티몬(Sb)으로 구성되는 3원계 칼코게나이드 스위칭 물질은 앞서 설명한 것과 실질적으로 동일한 방식으로 형성되고, 원자 함량비가 분석될 수 있으므로 여기서는 자세한 설명을 생략한다.
도 5a 내지 도 5d에서는 저머늄(Ge), 셀레늄(Se) 및 안티몬(Sb)의 원자 함량비를 변화시켜가며 전압-전류 특성을 측정한 그래프를 도시하였다. 도 5a는 Ge38Se57Sb5의 조성비를 가진 칼코게나이드 스위칭 물질의 전압-전류 곡선을 보여주는 그래프이고, 도 5b는 Ge36Se54Sb10의 조성비를 가진 칼코게나이드 스위칭 물질의 전압-전류 곡선을 보여주는 그래프이고, 도 5c는 Ge34Se51Sb15의 조성비를 가진 칼코게나이드 스위칭 물질의 전압-전류 곡선을 보여주는 그래프이고, 도 5d는 Ge30Se45Sb25의 조성비를 가진 칼코게나이드 스위칭 물질의 전압-전류 곡선을 보여주는 그래프이다.
즉, 선택 소자로서의 스위칭 특성이 나타나도록 저머늄(Ge)의 함량이 셀레늄(Se)의 함량보다 작은 원자 함량비를 갖는 칼코게나이드 스위칭 물질에 안티몬(Sb)의 첨가량을 증가시켜가면서 선택 소자로서의 동작 여부를 확인하였다.
도 5a의 Ge38Se57Sb5, 도 5b의 Ge36Se54Sb10 및 도 5c의 Ge34Se51Sb15의 조성비를 가진 칼코게나이드 스위칭 물질에서는 선택 소자로서의 특성이 관찰되었다. 저머늄(Ge)의 함량이 셀레늄(Se)의 함량보다 작은 원자 함량비를 갖는 경우, 선택 소자로서의 특성을 위한 중요 원소가 안티몬(Sb)이므로 상기 안티몬(Sb)의 함량이 일정량보다 작은 경우, 칼코게나이드 스위칭 물질로 사용될 수 있음을 알 수 있다. 도 5a의 Ge38Se57Sb5, 도 5b의 Ge36Se54Sb10 및 도 5c의 Ge34Se51Sb15의 조성비를 가진 칼코게나이드 스위칭 물질의 경우, 문턱 전압(Vth)은 약 2.4V 내지 약 2.8V로 나타나고 있다.
이와 달리, 도 5d의 Ge30Se45Sb25의 조성비를 가진 칼코게나이드 스위칭 물질의 전압-전류 곡선에서는 선택 소자로서의 특성이 관찰되지 않았다. 즉, 3번째 사이클을 기준으로 하여, 일정 전압에서의 온-오프 특성이 관찰되지 않았다.
본 발명의 일 실시예에 따른 저머늄(Ge), 셀레늄(Se) 및 안티몬(Sb)으로 구성되는 3원계 칼코게나이드 스위칭 물질은 저머늄(Ge), 셀레늄(Se) 및 안티몬(Sb)의 원자 함량비에 따라 스위칭 특성이 달라짐을 확인할 수 있었다. 즉, 안티몬(Sb)의 원자 함량비가 약 15%를 초과하는 경우, 선택 소자로서의 스위칭 특성이 관찰되지 않았다.
결론적으로, 본 발명의 일 실시예에 따른 저머늄(Ge), 셀레늄(Se) 및 안티몬(Sb)으로 구성되는 3원계 칼코게나이드 스위칭 물질은 (GexSe1 -x)ySb1 -y로 구성되며, x는 약 0.2 이상 약 0.5 미만이고 y는 약 0.85 내지 약 0.95인 것을 만족하는 조성비를 가지는 경우, 선택 소자층(143, 도 3 참조)에서 이용되는 칼코게나이드 스위칭 물질로 사용될 수 있음을 알 수 있다.
이와 같은 본 발명의 일 실시예에 따른 저머늄(Ge), 셀레늄(Se) 및 안티몬(Sb)으로 구성되는 3원계 칼코게나이드 스위칭 물질은 유독성 물질인 비소(As)를 포함하지 않으므로, 가변 저항 메모리 소자의 제조 과정 및 후처리 과정에서 친환경적이면서도 경제적으로 생산성 및 품질을 모두 향상시킬 수 있다.
또한, 칼코게나이드 스위칭 물질을 이용한 선택 소자층(143)이 다이오드를 대체하여 3차원 크로스 포인트 적층 구조에 활용되기 위해서는, 칼코게나이드 스위칭 물질의 결정화 온도 증가, 내구성 향상 및 누설 전류(Ioff) 감소 등의 특성이 요구될 수 있다. 이러한 특성을 만족시키기 위하여, 칼코게나이드 스위칭 물질에 경원소를 도핑할 수 있다. 본 발명의 실시예에서, 칼코게나이드 스위칭 물질에 탄소(C) 및/또는 질소(N)를 도핑하면, 칼코게나이드 스위칭 물질 내부의 캐리어 호핑 사이트(carrier hopping site)가 감소할 수 있다. 이로 인해, 탄소(C) 및/또는 질소(N)가 도핑된 칼코게나이드 스위칭 물질로 형성된 선택 소자층(143)의 비저항이 증가하고, 누설 전류(Ioff)가 감소할 뿐만 아니라, 선택 소자층(143)의 밀도가 증가하게 되고, 전기장에 의한 원자 이동이 억제되어 내구성이 향상될 수 있다.
나아가, 칼코게나이드 스위칭 물질에 탄소(C) 및/또는 질소(N)를 도핑하면, 칼코게나이드 스위칭 물질 내부의 핵 생성 및 핵 성장을 억제하여 결정화 온도가 높아지고, 이로 인해, 일반적인 메모리 소자 제조 공정을 그대로 활용하여 3차원 크로스 포인트 적층 구조의 가변 저항 메모리 소자의 제조가 가능하므로, 제조 공정 비용의 절감을 가져올 수 있다.
본 발명의 일 실시예에서, 선택 소자층(143)에 탄소(C) 및/또는 질소(N)의 함량이 원자 함량비를 기준으로 상기 안티몬(Sb)의 함량보다 작도록 포함할 수 있다. 탄소(C) 및/또는 질소(N)의 도핑 농도가 높아지면, 선택 소자층(143)의 스위칭 특성이 저하될 수 있기 때문이다.
도 6a 및 6b는 본 발명의 일 실시예에 따른 가변 저항 메모리 소자의 선택 소자층의 물성을 보여주는 그래프이다.
도 6a를 참조하면, 시차 주사 열량법(Differential Scanning Calorimetry, DSC)에 따른 열 이동(heat flow)을 Ge38Se57Sb5 및 Ge34Se51Sb15의 조성비를 가진 칼코게나이드 스위칭 물질별로 나타낸 그래프이다. 도면에서 각각의 피크(peak)는 해당 칼코게나이드 스위칭 물질의 결정화 온도를 나타낸다.
Ge38Se57Sb5 및 Ge34Se51Sb15의 조성비를 가진 칼코게나이드 스위칭 물질의 결정화 온도는 약 350℃ 내지 약 450℃일 수 있다. 두 조성비를 가진 칼코게나이드 스위칭 물질의 열 이동을 계측한 결과 약 380℃에서 결정화 온도의 피크를 확인하였으며, 이와 동일 또는 유사한 조성비를 가진 칼코게나이드 스위칭 물질에서는 결정화 온도가 큰 차이가 없을 것으로 판단된다.
도 6b를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 선택 소자층(143, 도 3 참조)의 칼코게나이드 스위칭 물질에 있어서, 안티몬(Sb)의 함량 변화에 따른 문턱 전압(Vth) 및 누설 전류(Ioff)의 변화를 나타내는 그래프이다.
먼저, 문턱 전압(Vth)을 살펴보면 다음과 같다. 안티몬(Sb)의 함량의 변화에 따라 문턱 전압(Vth)의 변화가 발생할 수 있다. 안티몬(Sb)의 원자 함량비를 약 5% 내지 15%의 조성비로 포함 시, 문턱 전압(Vth)은 약 2V 내지 약 3V의 범위에서 변화함을 알 수 있다. 결과적으로 안티몬(Sb)의 함량에 따라 약 2V 내지 약 3V의 범위에서 원하는 수치의 문턱 전압(Vth)을 조절할 수 있다. 문턱 전압(Vth)은 이외에도 선택 소자층(143)의 두께 등의 변수에 대하여도 영향을 받는다.
다음으로, 누설 전류(Ioff)를 살펴보면 다음과 같다. 안티몬(Sb)의 함량의 변화에 따라, 누설 전류(Ioff)의 변화가 발생할 수 있다. 안티몬(Sb)의 원자 함량비를 약 5% 내지 15%의 조성비로 포함 시, 안티몬(Sb)을 포함하지 않는 경우와 대비하여 누설 전류(Ioff)가 약 3% 내지 약 6% 감소함을 알 수 있다. 따라서, 저머늄(Ge), 셀레늄(Se) 및 안티몬(Sb)으로 구성되는 3원계 칼코게나이드 스위칭 물질은 저머늄(Ge) 및 셀레늄(Se)으로 구성되는 2원계 칼코게나이드 스위칭 물질과 대비하여 누설 전류(Ioff)가 일부 감소되는 특성을 보임을 알 수 있다.
여기에, 앞서 살핀 탄소(C) 및/또는 질소(N)를 일정량 도핑하면, 문턱 전압(Vth)을 일정하게 유지하면서도 누설 전류(Ioff)를 더욱 유의미하게 낮출 수 있을 것으로 기대할 수 있다.
또한, 도시되지는 않았지만, 본 발명의 일 실시예에 따른 선택 소자층(143)의 칼코게나이드 스위칭 물질에 있어서, 상승 및 하강 시간이 10㎱이고 너비(width)가 40㎱인 펄스에서도 스위칭 특성을 보임을 확인하였고, 상승 및 하강 시간이 10㎱이고 너비가 100㎱인 펄스를 이용하여 108회까지 동작함을 확인하였다. 즉, 본 발명의 일 실시예에 따른 조성비를 갖는 저머늄(Ge), 셀레늄(Se) 및 안티몬(Sb)의 3원계 칼코게나이드 스위칭 물질은 선택 소자로서 내구성에 문제가 없음을 알 수 있다.
결과적으로, 본 발명의 일 실시예에 따른 선택 소자층(143)의 칼코게나이드 스위칭 물질은 선택 소자가 요구하는 중요 특성인 열적 안정성, 문턱 전압(Vth), 누설 전류(Ioff) 및 내구성(endurance) 등의 물성을 모두 만족함을 알 수 있다.
도 7 내지 도 10은 본 발명의 실시예들에 따른 가변 저항 메모리 소자에 대한 단면도들로서, 도 3의 단면도에 대응한다.
도 7은 예시적인 실시예들에 따른 가변 저항 메모리 소자(100a)를 나타내는 단면도이다. 도 2 및 도 3에서 이미 설명한 내용은 간단히 설명하거나 생략한다.
도 7을 참조하면, 본 실시예의 가변 저항 메모리 소자(100a)는, 하부 전극층(141) 및 선택 소자층(143)이 다마신 구조로 형성된다는 점에서, 도 3의 가변 저항 메모리 소자(100)와 다를 수 있다. 구체적으로 본 실시예의 가변 저항 메모리 소자(100a)에서는, 하부 전극층(141) 및 선택 소자층(143)은 다마신 공정으로 형성되고, 중간 전극층(145), 가열 전극층(147), 가변 저항층(149) 및 상부 전극층(148)은 양각 식각 공정을 통해 형성될 수 있다. 그에 따라, 하부 전극층(141) 및 선택 소자층(143)은 하부로 갈수록 폭이 좁아지는 구조를 가질 수 있다.
또한, 본 실시예의 가변 저항 메모리 소자(100a)는 하부 전극층(141) 및 선택 소자층(143)의 측면에 하부 스페이서(152)가 형성될 수 있다. 본 실시예의 가변 저항 메모리 소자(100a)에서, 하부 전극층(141) 및 선택 소자층(143)이 다마신 공정으로 형성될 때, 트렌치 내 측벽에 미리 하부 스페이서(152)가 형성되고 그 후에 하부 전극층(141) 및 선택 소자층(143)이 형성될 수 있다. 그에 따라, 본 실시예의 가변 저항 메모리 소자(100a)는 하부 전극층(141) 및 선택 소자층(143)의 측면에 하부 스페이서(152)를 포함할 수 있다. 하부 스페이서(152)가 생략될 수 있음은 물론이다.
본 발명의 실시예에서, 선택 소자층(143)은 저머늄(Ge), 셀레늄(Se) 및 안티몬(Sb)으로 구성되는 칼코게나이드 스위칭 물질을 포함할 수 있다.
도 8은 예시적인 실시예들에 따른 가변 저항 메모리 소자(100b)를 나타내는 단면도이다. 도 2 및 도 3에서 이미 설명한 내용은 간단히 설명하거나 생략한다.
도 8을 참조하면, 본 실시예의 가변 저항 메모리 소자(100b)는, 가변 저항층(149)이 다마신 구조로 형성된다는 점에서, 도 3의 가변 저항 메모리 소자(100)와 다를 수 있다. 구체적으로, 본 실시예의 가변 저항 메모리 소자(100b)에서, 하부 전극층(141), 선택 소자층(143), 중간 전극층(145), 가열 전극층(147) 및 상부 전극층(148)은 양각 식각으로 형성되고, 가변 저항층(149)은 다마신 공정으로 형성될 수 있다. 또한, 본 실시예의 가변 저항 메모리 소자(100b)에서, 가변 저항층(149)의 측면에 상부 스페이서(155)가 형성될 수 있다. 이러한 상부 스페이서(155)는 앞서 도 7의 가변 저항 메모리 소자(100a)의 하부 스페이서(152)를 형성하는 방법과 동일한 방법으로 형성될 수 있다. 예컨대, 절연층(미도시) 상에 트렌치를 형성하고, 트렌치 내 측벽에 상부 스페이서(155)를 형성한 후, 남은 트렌치를 가변 저항층(149) 물질로 채움으로써 형성할 수 있다. 상부 스페이서(155)가 생략될 수 있음은 물론이다.
본 발명의 실시예에서, 선택 소자층(143)은 저머늄(Ge), 셀레늄(Se) 및 안티몬(Sb)으로 구성되는 칼코게나이드 스위칭 물질을 포함할 수 있다.
도 9는 예시적인 실시예들에 따른 가변 저항 메모리 소자(100c)를 나타내는 단면도이다. 도 2 및 도 3에서 이미 설명한 내용은 간단히 설명하거나 생략한다.
도 9를 참조하면, 본 실시예의 가변 저항 메모리 소자(100c)는, 가변 저항층(149)이 다마신 구조로 형성되되 'L'형 구조로 형성된다는 점에서, 도 8의 가변 저항 메모리 소자(100b)와 다를 수 있다. 구체적으로, 본 실시예의 가변 저항 메모리 소자(100c)에서, 하부 전극층(141), 선택 소자층(143), 중간 전극층(145), 가열 전극층(147) 및 상부 전극층(148)은 양각 식각으로 형성되고, 가변 저항층(149)은 다마신 공정으로 형성될 수 있다.
한편, 본 실시예의 가변 저항 메모리 소자(100c) 역시, 가변 저항층(149)의 측면에 상부 스페이서(155)가 형성될 수 있다. 다만, 가변 저항층(149)이 'L'형 구조로 형성됨에 따라, 상부 스페이서(155)는 비대칭 구조로 형성될 수 있다. 가변 저항층(149)을 다마신 공정으로 'L'형 구조로 형성하는 방법을 간단히 설명하면, 먼저, 가열 전극층(147) 상에 절연층을 형성하고, 상기 절연층에 트렌치를 형성한다. 상기 트렌치는 인접하는 메모리 셀들(140)에 함께 오버랩되도록 넓게 형성한다. 다음, 트렌치 내부 및 절연층 상에 가변 저항층을 구성할 제1 물질층으로 얇게 형성한 후, 상기 제1 물질층 상에 상부 스페이서를 구성할 제2 물질층을 형성한다. 이후 상기 절연층의 상면이 노출되도록 화학적 기계적 연마(Chemical Mechanical Polishing, CMP) 공정 등을 통해 평탄화한다. 평탄화 후, 메모리 셀들(140)에 정렬되는 마스크 패턴을 형성하고, 상기 마스크 패턴을 이용하여 제1 물질층과 제2 물질층을 식각함으로써, 'L'형 구조의 가변 저항층(149) 및 상부 스페이서(155)를 형성할 수 있다.
본 발명의 실시예에서, 선택 소자층(143)은 저머늄(Ge), 셀레늄(Se) 및 안티몬(Sb)으로 구성되는 칼코게나이드 스위칭 물질을 포함할 수 있다.
도 10은 예시적인 실시예들에 따른 가변 저항 메모리 소자(100d)를 나타내는 단면도이다. 도 2 및 도 3에서 이미 설명한 내용은 간단히 설명하거나 생략한다.
도 10을 참조하면, 본 실시예의 가변 저항 메모리 소자(100d)는, 가변 저항층(149)이 대쉬(dash) 구조로 형성된다는 점에서, 도 9의 가변 저항 메모리 소자(100c)와 다를 수 있다. 대쉬 구조의 가변 저항층(149)은 'L'형 구조로 형성하는 방법과 유사한 방법으로 형성될 수 있다. 예컨대, 상기 트렌치 내부 및 절연층 상에 가변 저항층(149)을 구성할 제1 물질층을 얇게 형성한 후, 이방성 식각을 통해 트렌치 측벽으로만 상기 제1 물질층을 남긴다. 이후, 남은 상기 제1 물질층을 덮도록 제2 물질층을 형성한다. 이후 상기 절연층의 상면이 노출되도록 CMP 공정 등을 통해 평탄화한다. 평탄화 후, 메모리 셀들(140)에 정렬되는 마스크 패턴을 형성하고, 상기 마스크 패턴을 이용하여 상기 제2 물질층을 식각함으로써, 대쉬 구조의 가변 저항층(149) 및 상부 스페이서(155)를 형성할 수 있다.
본 발명의 실시예에서, 선택 소자층(143)은 저머늄(Ge), 셀레늄(Se) 및 안티몬(Sb)으로 구성되는 칼코게나이드 스위칭 물질을 포함할 수 있다.
도 11은 본 발명의 일 실시예에 따른 가변 저항 메모리 소자에 대한 사시도이고, 도 12는 도 11의 2X-2X' 및 2Y-2Y' 부분을 절단하여 보여주는 단면도이다. 도 2 및 도 3에서 이미 설명한 내용은 간단히 설명하거나 생략한다.
도 11 및 도 12를 참조하면, 가변 저항 메모리 소자(200)는 기판(101) 상에 제1 전극 라인층(110L), 제2 전극 라인층(120L), 제3 전극 라인층(130L), 제1 메모리 셀층(MCL1), 및 제2 메모리 셀층(MCL2)을 포함할 수 있다.
도시된 바와 같이, 기판(101) 상에는 층간 절연층(105)이 배치될 수 있다. 제1 전극 라인층(110L)은 제1 방향(X 방향)으로 상호 평행하게 연장하는 복수의 제1 전극 라인들(110)을 포함할 수 있다. 제2 전극 라인층(120L)은 제1 방향에 수직하는 제2 방향(Y 방향)으로 상호 평행하게 연장하는 복수의 제2 전극 라인들(120)을 포함할 수 있다. 또한, 제3 전극 라인층(130L)은 제1 방향(X 방향)으로 상호 평행하게 연장하는 복수의 제3 전극 라인들(130)을 포함할 수 있다. 한편, 제3 전극 라인들(130)은 제3 방향(Z 방향)의 위치만 다를 뿐, 연장 방향이나 배치 구조에서 제1 전극 라인들(110)과 실질적으로 동일할 수 있다. 따라서, 제3 전극 라인들(130)은 제3 전극 라인층(130L)의 제1 전극 라인들로 언급될 수도 있다.
가변 저항 메모리 소자(200)의 구동 측면에서, 제1 전극 라인들(110)과 제3 전극 라인들(130)은 워드 라인에 해당할 수 있고, 제2 전극 라인들(120)은 비트 라인에 해당할 수 있다. 또한, 반대로 제1 전극 라인들(110)과 제3 전극 라인들(130)이 비트 라인에 해당하고, 제2 전극 라인들(120)이 워드 라인에 해당할 수도 있다. 제1 전극 라인들(110)과 제3 전극 라인들(130)이 워드 라인에 해당하는 경우에, 제1 전극 라인들(110)은 하부 워드 라인에 해당하고, 제3 전극 라인들(130)은 상부 워드 라인에 해당하며, 제2 전극 라인들(120)은 하부 워드 라인과 상부 워드 라인에 공유되므로 공통 비트 라인에 해당할 수 있다.
제1 전극 라인들(110), 제2 전극 라인들(120) 및 제3 전극 라인들(130)은 각각 금속, 도전성 금속 질화물, 도전성 금속 산화물, 또는 이들의 조합으로 이루어질 수 있다. 또한, 제1 전극 라인들(110), 제2 전극 라인들(120) 및 제3 전극 라인들(130)은 각각 금속막과, 상기 금속막의 적어도 일부를 덮는 도전성 장벽층을 포함할 수 있다.
제1 메모리 셀층(MCL1)은 제1 방향 및 제2 방향으로 서로 이격된 복수의 제1 메모리 셀들(140-1)을 포함할 수 있다. 제2 메모리 셀층(MCL2)은 제1 방향 및 제2 방향으로 서로 이격된 복수의 제2 메모리 셀들(140-2)을 포함할 수 있다. 도시된 바와 같이, 제1 전극 라인들(110)과 제2 전극 라인들(120)은 서로 교차하며, 제2 전극 라인들(120)과 제3 전극 라인들(130)은 서로 교차할 수 있다. 제1 메모리 셀들(140-1)은 제1 전극 라인층(110L)과 제2 전극 라인층(120L) 사이의 제1 전극 라인들(110)과 제2 전극 라인들(120)이 교차하는 부분들에 배치될 수 있다. 제2 메모리 셀들(140-2)은 제2 전극 라인층(120L)과 제3 전극 라인층(130L) 사이의 제2 전극 라인들(120)과 제3 전극 라인들(130)이 교차하는 부분들에 배치될 수 있다.
제1 메모리 셀들(140-1) 및 제2 메모리 셀들(140-2)은 각각 하부 전극층(141-1, 141-2), 선택 소자층(143-1, 143-2), 중간 전극층(145-1, 145-2), 가열 전극층(147-1, 147-2), 가변 저항층(149-1, 149-2) 및 상부 전극층(148-1, 148-2)을 포함할 수 있다. 제1 메모리 셀들(140-1)과 제2 메모리 셀들(140-2)의 구조는 실질적으로 동일할 수 있다.
제1 전극 라인들(110) 사이에는 제1 절연층(160a)이 배치되고, 제1 메모리 셀층(MCL1)의 제1 메모리 셀들(140-1) 사이에는 제2 절연층(160b)이 배치될 수 있다. 또한, 제2 전극 라인들(120) 사이에는 제3 절연층(160c)이 배치되고, 제2 메모리 셀층(MCL2)의 제2 메모리 셀들(140-2) 사이에는 제4 절연층(160d)이 배치되며, 제3 전극 라인들(130) 사이에는 제5 절연층(160e)이 배치될 수 있다. 제1 내지 제5 절연층(160a 내지 160e)은 동일 물질의 절연층으로 형성되거나 적어도 하나는 다른 물질의 절연층으로 형성될 수 있다. 이러한 제1 내지 제5 절연층(160a 내지 160e)은 예컨대, 산화물 또는 질화물의 유전체 물질로 형성되며, 각층의 소자들을 서로 전기적으로 분리하는 기능을 할 수 있다. 한편, 제2 절연층(160b) 및 제4 절연층(160d) 중 적어도 하나를 대신하여 에어갭들(미도시)이 형성될 수도 있다. 에어갭들이 형성되는 경우, 상기 에어갭들과 제1 메모리 셀들(140-1) 사이, 및/또는 상기 에어갭들과 제2 메모리 셀들(140-2) 사이에 소정의 두께를 갖는 절연 라이너(미도시)가 형성될 수 있다.
본 실시예의 가변 저항 메모리 소자(200)는 기본적으로 도 2 및 도 3의 구조의 가변 저항 메모리 소자(100)를 반복하여 적층한 구조를 가질 수 있다. 그러나 본 실시예의 가변 저항 메모리 소자(200)의 구조가 그에 한정되는 것은 아니다. 예컨대, 본 실시예의 가변 저항 메모리 소자(200)는 도 7 내지 도 10에 예시된 다양한 구조의 가변 저항 메모리 소자(100a 내지 100d)가 적층된 구조를 가질 수도 있다.
본 발명의 실시예에서, 제1 메모리 셀들(140-1)과 제2 메모리 셀들(140-2)의 선택 소자층(143-1, 143-2)은 각각, 저머늄(Ge), 셀레늄(Se) 및 안티몬(Sb)으로 구성되는 칼코게나이드 스위칭 물질을 포함할 수 있다.
도 13은 본 발명의 일 실시예에 따른 가변 저항 메모리 소자에 대한 사시도이고, 도 14는 도 13의 3X-3X' 및 3Y-3Y' 부분을 절단하여 보여주는 단면도이다. 도 2, 도 3, 도 11 및 도 12에서 이미 설명한 내용은 간단히 설명하거나 생략한다.
도 13 및 도 14를 참조하면, 본 실시예의 가변 저항 메모리 소자(300)는 적층된 4개의 메모리 셀층(MCL1, MCL2, MCL3, MCL4)을 포함하는 4층 구조를 가질 수 있다. 구체적으로 제1 전극 라인층(110L)과 제2 전극 라인층(120L) 사이에 제1 메모리 셀층(MCL1)이 배치되고, 제2 전극 라인층(120L)과 제3 전극 라인층(130L) 사이에 제2 메모리 셀층(MCL2)이 배치될 수 있다. 제3 전극 라인층(130L) 상에 제2 층간 절연층(170)이 형성되고, 제2 층간 절연층(170) 상에 제1 상부 전극 라인층(210L), 제2 상부 전극 라인층(220L), 제3 상부 전극 라인층(230L)이 배치될 수 있다. 제1 상부 전극 라인층(210L)은 제1 전극 라인들(110)과 동일한 구조의 제1 상부 전극 라인들(210)을 포함하고, 제2 상부 전극 라인층(220L)은 제2 전극 라인들(120)과 동일한 구조의 제2 상부 전극 라인들(220)을 포함하며, 제3 상부 전극 라인층(230L)은 제3 전극 라인들(130) 또는 제1 전극 라인들(110)과 동일한 구조의 제3 상부 전극 라인들(230)을 포함할 수 있다. 제1 상부 전극 라인층(210L)과 제2 상부 전극 라인층(220L) 사이에 제1 상부 메모리 셀층(MCL3)이 배치되고, 제2 상부 전극 라인층(220L)과 제3 상부 전극 라인층(230L) 사이에 제2 상부 메모리 셀층(MCL4)이 배치될 수 있다.
제1 전극 라인층(110L) 내지 제3 전극 라인층(130L), 제1 메모리 셀층(MCL1) 및 제2 메모리 셀층(MCL2)은, 도 2, 도 3, 도 11 및 도 12에서 설명한 바와 같다. 또한, 제1 상부 전극 라인층(210L) 내지 제3 상부 전극 라인층(230L), 제1 상부 메모리 셀층(MCL3) 및 제2 상부 메모리 셀층(MCL4) 역시, 제1 층간 절연층(105) 대신 제2 층간 절연층(170) 상에 배치된다는 점을 제외하고, 제1 전극 라인층(110L) 내지 제3 전극 라인층(130L), 제1 메모리 셀층(MCL1) 및 제2 메모리 셀층(MCL2)과 실질적으로 동일할 수 있다.
본 발명의 실시예에서, 제1 메모리 셀들(140-1), 제2 메모리 셀들(140-2), 제1 상부 메모리 셀들(240-1) 및 제2 상부 메모리 셀들(240-2)의 선택 소자층(143-1, 143-2, 243-1, 243-2)은 각각, 저머늄(Ge), 셀레늄(Se) 및 안티몬(Sb)으로 구성되는 칼코게나이드 스위칭 물질을 포함할 수 있다.
본 실시예의 가변 저항 메모리 소자(300)는 기본적으로 도 2 및 도 3의 구조의 가변 저항 메모리 소자(100)를 반복하여 적층한 구조를 가질 수 있다. 그러나 본 실시예의 가변 저항 메모리 소자(300)의 구조가 그에 한정되는 것은 아니다. 예컨대, 본 실시예의 가변 저항 메모리 소자(300)는 도 7 내지 도 10에 예시된 다양한 구조의 가변 저항 메모리 소자(100a 내지 100d)가 적층된 구조를 가질 수도 있다.
도 15는 본 발명의 일 실시예에 따른 가변 저항 메모리 소자에 대한 사시도이고, 도 16은 도 15의 4X-4X' 부분을 절단하여 보여주는 단면도이다. 도 2, 도 3, 도 11 및 도 12에서 이미 설명한 내용은 간단히 설명하거나 생략한다.
도 15 및 도 16을 참조하면, 가변 저항 메모리 소자(400)는 기판(101) 상의 제1 레벨에 형성된 구동 회로 영역(410)과, 기판(101) 상의 제2 레벨에 형성된 제1 메모리 셀층(MCL1) 및 제2 메모리 셀층(MCL2)을 포함할 수 있다.
여기서, 용어 "레벨"은 기판(101)으로부터 수직 방향(도 15 및 도 16에서 Z 방향)을 따르는 높이를 의미한다. 기판(101) 상에서 상기 제1 레벨은 상기 제2 레벨보다 기판(101)에 더 가깝다.
구동 회로 영역(410)은 제1 메모리 셀층(MCL1) 및 제2 메모리 셀층(MCL2)의 메모리 셀들을 구동하기 위한 주변 회로들 또는 구동 회로들이 배치되는 영역들일 수 있다. 예를 들어, 구동 회로 영역(410)에 배치되는 주변 회로들은 제1 메모리 셀층(MCL1) 및 제2 메모리 셀층(MCL2)으로 입력/출력되는 데이터를 고속으로 처리할 수 있는 회로들일 수 있다. 예를 들어 상기 주변 회로들은 페이지 버퍼(page buffer), 래치 회로(latch circuit), 캐시 회로(cache circuit), 칼럼 디코더(column decoder), 감지 증폭기(sense amplifier), 데이터 인/아웃 회로(data in/out circuit) 또는 로우 디코더(row decoder) 등일 수 있다.
기판(101)에는 소자 분리막(104)에 의해 구동 회로용 활성 영역(AC)이 정의될 수 있다. 기판(101)의 활성 영역(AC) 위에는 구동 회로 영역(410)을 구성하는 복수의 트랜지스터(TR)가 형성될 수 있다. 복수의 트랜지스터(TR)는 각각 게이트(G), 게이트 절연막(GD), 및 소스/드레인 영역(SD)을 포함할 수 있다. 게이트(G)의 양 측벽은 절연 스페이서(106)로 덮일 수 있고, 게이트(G) 및 절연 스페이서(106) 위에 식각 정지막(108)이 형성될 수 있다. 식각 정지막(108)은 실리콘 질화물, 실리콘 산질화물 등의 절연 물질을 포함할 수 있다.
식각 정지막(108) 상에 복수의 층간 절연막(412A, 412B, 412C)이 순차적으로 적층될 수 있다. 복수의 층간 절연막(412A, 412B, 412C)은 실리콘 산화물, 실리콘 산질화물, 실리콘 산질화물 등을 포함할 수 있다.
구동 회로 영역(410)은 복수의 트랜지스터(TR)에 전기적으로 연결되는 다층 배선 구조(414)를 포함한다. 다층 배선 구조(414)는 복수의 층간 절연막(412A, 412B, 412C)에 의해 상호 절연될 수 있다.
다층 배선 구조(414)는 기판(101) 상에 차례로 순차적으로 적층되고 상호 전기적으로 연결되는 제1 콘택(416A), 제1 배선층(418A), 제2 콘택(416B), 및 제2 배선층(418B)을 포함할 수 있다. 예시적인 실시예들에서, 제1 배선층(418A) 및 제2 배선층(418B)은 금속, 도전성 금속 질화물, 금속 실리사이드, 또는 이들의 조합으로 이루어질 수 있다. 예를 들면, 제1 배선층(418A) 및 제2 배선층(418B)은 텅스텐, 몰리브덴, 티타늄, 코발트, 탄탈륨, 니켈, 텅스텐 실리사이드, 티타늄 실리사이드, 코발트 실리사이드, 탄탈륨 실리사이드, 니켈 실리사이드 등과 같은 도전 물질을 포함할 수 있다.
도 16에서, 다층 배선 구조(414)가 제1 배선층(418A) 및 제2 배선층(418B)을 포함하는 2층의 배선 구조를 가지는 것으로 예시되었으나, 본 발명의 기술적 사상은 도 16에 예시된 바에 한정되는 것은 아니다. 예를 들면, 구동 회로 영역(410)의 레이아웃, 게이트(G)의 종류 및 배열에 따라 다층 배선 구조(414)가 3층 또는 그 이상의 다층 배선 구조를 가질 수도 있다.
복수의 층간 절연막(412A, 412B, 412C) 상에는 층간 절연층(105)이 형성될 수 있다. 제1 메모리 셀층(MCL1) 및 제2 메모리 셀층(MCL2)은 층간 절연층(105) 상에 배치될 수 있다.
도시되지는 않았지만, 제1 메모리 셀층(MCL1) 및 제2 메모리 셀층(MCL2)과 구동 회로 영역(410)과의 사이에 연결되는 배선 구조물(미도시)이 층간 절연층(105)을 관통하여 배치될 수 있다.
예시적인 실시예들에 따른 가변 저항 메모리 소자(400)에 따르면, 구동 회로 영역(410) 상부에 제1 메모리 셀층(MCL1) 및 제2 메모리 셀층(MCL2)이 배치됨에 따라, 가변 저항 메모리 소자(400)의 집적도가 더욱 높아질 수 있다.
본 발명의 실시예에서, 제1 메모리 셀들(140-1)과 제2 메모리 셀들(140-2)의 선택 소자층(143-1, 143-2)은 각각, 저머늄(Ge), 셀레늄(Se) 및 안티몬(Sb)으로 구성되는 칼코게나이드 스위칭 물질을 포함할 수 있다.
도 17 내지 도 19는 본 발명의 일 실시예에 따른 도 2의 가변 저항 메모리 소자의 제조 과정을 보여주는 단면도들이다.
도 17을 참조하면, 먼저, 기판(101) 상에 층간 절연층(105)을 형성한다. 층간 절연층(105)은 예컨대, 실리콘옥사이드 또는 실리콘나이트라이드로 형성할 수 있다. 물론, 층간 절연층(105)의 재질이 상기 물질들에 한정되는 것은 아니다. 층간 절연층(105) 상에 제1 방향(X 방향)으로 연장하고 서로 이격된 복수의 제1 전극 라인들(110)을 구비한 제1 전극 라인층(110L)을 형성한다. 제1 전극 라인들(110)은 양각 식각 공정 또는 다마신 공정으로 형성할 수 있다. 제1 전극 라인들(110)의 재질에 대해서는 도 2 및 도 3의 설명 부분에서 설명한 바와 같다. 제1 전극 라인들(110) 사이에는 제1 방향으로 연장하는 제1 절연층(160a)이 배치될 수 있다.
제1 전극 라인층(110L) 및 제1 절연층(160a) 상에 하부 전극용 물질층(141k), 선택 소자용 물질층(143k), 중간 전극용 물질층(145k), 가열 전극용 물질층(147k), 가변 저항용 물질층(149k) 및 상부 전극용 물질층(148k)을 순차적으로 적층하여 적층 구조체(140k)를 형성한다. 적층 구조체(140k)를 구성하는 각 물질층의 재질이나 기능 등은 도 2 및 3의 설명 부분에서 설명한 바와 같다.
상기 선택 소자용 물질층(143k)은 저머늄(Ge), 셀레늄(Se) 및 안티몬(Sb)으로 구성되는 칼코게나이드 스위칭 물질을 포함하는 타겟을 이용하여 물리 기상 증착(Physical Vapor Deposition, PVD) 공정으로 형성할 수 있다. 또는, 상기 선택 소자용 물질층(143k)은 저머늄(Ge), 셀레늄(Se) 및 안티몬(Sb)으로 구성되는 칼코게나이드 스위칭 물질을 포함하는 소스를 이용하여 화학 기상 증착 공정(Chemcal Vapor Deposition, CVD) 공정 또는 원자층 증착(Atomic Layer Deposition, ALD) 공정으로 형성할 수 있다.
본 발명의 실시예에서, 상기 선택 소자용 물질층(143k)은 셀레늄(Se) 및 안티몬(Sb)으로 구성되는 칼코게나이드 스위칭 물질을 포함할 수 있다. 또한, 상기 타겟 또는 상기 소스에 포함되는 도핑 원소의 함량을 조절하여 원하는 도핑 농도를 맞출 수 있다.
도 18을 참조하면, 적층 구조체(140k, 도 17 참조) 형성 후, 적층 구조체(140k) 상에 제1 방향(X 방향) 및 제2 방향(Y 방향)으로 서로 이격된 마스크 패턴(미도시)을 형성한다. 이후, 상기 마스크 패턴을 이용하여 제1 절연층(160a)과 제1 전극 라인들(110)의 상면 일부가 노출되도록 적층 구조체(140k)를 식각하여, 복수의 메모리 셀들(140)을 형성한다.
메모리 셀들(140)은 상기 마스크 패턴의 구조에 따라, 제1 방향 및 제2 방향으로 서로 이격되고, 하부의 제1 전극 라인들(110)에 전기적으로 연결될 수 있다. 또한, 메모리 셀들(140)은 각각 하부 전극층(141), 선택 소자층(143), 중간 전극층(145), 가열 전극층(147), 가변 저항층(149) 및 상부 전극층(148)을 포함할 수 있다. 메모리 셀들(140) 형성 후, 남은 마스크 패턴은 애싱(ashing) 및 스트립(strip) 공정을 통해 제거한다.
전술한 메모리 셀들(140)의 형성 방법은 양각 식각 공정에 의한 것일 수 있다. 그러나 메모리 셀들(140)의 형성 방법이 양각 식각 공정에 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 실시예에서, 메모리 셀들(140)은 다마신 공정으로도 형성될 수 있다. 예를 들어, 메모리 셀들(140) 중 가변 저항층(149)을 다마신 공정으로 형성하는 경우, 절연 물질층을 먼저 형성한 후, 상기 절연 물질층을 식각하여 가열 전극층(147)의 상면을 노출하는 트렌치를 형성한다. 이후, 트렌치에 상변화 물질을 채우고, CMP 공정 등을 이용하여 평탄화함으로써, 가변 저항층(149)을 형성한다.
도 19를 참조하면, 메모리 셀들(140) 사이를 채우는 제2 절연층(160b)을 형성한다. 제2 절연층(160b)은 제1 절연층(160a)과 동일 또는 다른 산화물 또는 질화물로 형성될 수 있다. 메모리 셀들(140) 사이를 완전히 채우도록 절연 물질층을 충분한 두께로 형성하고, CMP 공정 등을 통해 평탄화하여 상부 전극층(148)의 상면이 노출되도록 함으로써, 제2 절연층(160b)을 형성할 수 있다.
이후, 제2 전극 라인층을 위한 도전층을 형성하고 식각을 통해 패터닝함으로써, 제2 전극 라인들(120)을 형성할 수 있다. 제2 전극 라인들(120)은 제2 방향(Y방향)으로 연장하고 서로 이격될 수 있다. 제2 전극 라인들(120) 사이에는 제2 방향으로 연장하는 제3 절연층(160c)이 배치될 수 있다. 전술한 제2 전극 라인들(120)의 형성 방법은 양각 식각 공정에 의한 것일 수 있다. 그러나 제2 전극 라인들(120)의 형성 방법이 양각 식각 공정에 한정되는 것은 아니다. 예컨대, 제2 전극 라인들(120)은 다마신 공정으로도 형성될 수 있다. 제2 전극 라인들(120)을 다마신 공정으로 형성하는 경우, 메모리 셀들(140) 및 제2 절연층(160b) 상에 절연 물질층을 형성한 후, 상기 절연 물질층을 식각하여 제2 방향으로 연장하고 가변 저항층(149)의 상면을 노출하는 트렌치를 형성한다. 이후, 트렌치에 도전 물질을 채우고 평탄화함으로써, 제2 전극 라인들(120)을 형성한다. 경우에 따라, 메모리 셀들(140) 사이를 채우는 절연 물질층을 두껍게 형성하고 평탄화한 후, 상기 절연 물질층에 트렌치를 형성하여 제2 전극 라인들(120)을 형성할 수도 있다. 이러한 경우, 제2 절연층과 제3 절연층은 동일 물질로 일체형(one-body type)으로 형성될 수 있다.
이상, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시 예를 설명하였지만, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시 예에는 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다.
100, 200, 300, 400: 가변 저항 메모리 소자
140: 메모리 셀
141: 하부 전극층, 143: 선택 소자층
145: 중간 전극층, 147: 가열 전극층
148: 상부 전극층, 149: 가변 저항층

Claims (10)

  1. 제1 전극층;
    상기 제1 전극층 상에 배치되고 저머늄(Ge), 셀레늄(Se) 및 안티몬(Sb)으로 구성되며 원자량을 기준으로 상기 저머늄의 함량이 상기 셀레늄의 함량보다 작은 칼코게나이드 스위칭 물질을 포함하는 선택 소자층;
    상기 선택 소자층 상에 배치되는 제2 전극층;
    상기 제2 전극층 상에 배치되고 칼코게나이드 물질을 포함하는 가변 저항층; 및
    상기 가변 저항층 상에 배치되는 제3 전극층을 포함하는 가변 저항 메모리 소자.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 칼코게나이드 스위칭 물질은 (GexSe1 -x)ySb1 -y로 구성되며, x는 0.2 이상 0.5 미만이고 y는 0.85 내지 0.95인 것을 특징으로 하는 가변 저항 메모리 소자.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 선택 소자층은 비소(As)를 포함하지 않는 것을 특징으로 하는 가변 저항 메모리 소자.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 선택 소자층은 상기 칼코게나이드 스위칭 물질에 탄소(C) 및 질소(N) 중에서 선택된 적어도 하나가 더 도핑된 것을 특징으로 하는 가변 저항 메모리 소자.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 가변 저항층은 GeSbTe, InSbTe 및 BiSbTe 중 적어도 하나를 포함하거나, GeTe 및 SbTe이 반복하여 적층된 초격자(super lattice) 구조를 포함하며,
    상기 가변 저항층을 구성하는 물질은 상기 선택 소자층을 구성하는 물질과 서로 다른 것을 특징으로 하는 가변 저항 메모리 소자.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 제1 전극층, 상기 제2 전극층 및 상기 제3 전극층은 각각, 탄소(C), 티타늄나이트라이드(TiN), 티타늄실리콘나이트라이드(TiSiN), 티타늄카본나이트라이드(TiCN), 티타늄카본실리콘나이트라이드(TiCSiN), 티타늄알루미늄나이트라이드(TiAlN), 탄탈륨(Ta), 탄탈륨나이트라이드(TaN), 텅스텐(W) 및 텅스텐나이트라이드(WN) 중에서 선택된 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 가변 저항 메모리 소자.
  7. 제1 방향으로 연장하고 서로 이격 배치된 복수의 제1 전극 라인들을 포함하는 제1 전극 라인층;
    상기 제1 전극 라인층의 상부에 배치되고 상기 제1 방향과 다른 제2 방향으로 연장하고 서로 이격 배치된 복수의 제2 전극 라인들을 포함하는 제2 전극 라인층;
    상기 제2 전극 라인층의 상부에 배치되고 상기 제1 방향으로 연장하고 서로 이격 배치된 복수의 제3 전극 라인들을 포함하는 제3 전극 라인층;
    상기 제1 전극 라인층과 상기 제2 전극 라인층 사이의 상기 제1 전극 라인들과 상기 제2 전극 라인들이 교차하는 부분들에 배치된 복수의 메모리 셀들을 포함하는 제1 메모리 셀층; 및
    상기 제2 전극 라인층과 상기 제3 전극 라인층 사이의 상기 제2 전극 라인들과 상기 제3 전극 라인들이 교차하는 부분들에 배치된 상기 복수의 메모리 셀들을 포함하는 제2 메모리 셀층을 포함하고,
    상기 복수의 메모리 셀들은 각각, 선택 소자층, 전극층 및 가변 저항층을 포함하고,
    상기 선택 소자층은 (GexSe1-x)ySb1-y로 구성되며, x는 0.2 이상 0.5 미만이고 y는 0.85 내지 0.95인 칼코게나이드 스위칭 물질을 포함하는 가변 저항 메모리 소자.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 선택 소자층은 상기 칼코게나이드 스위칭 물질에 탄소(C) 및 질소(N) 중에서 적어도 하나가 더 도핑된 것을 특징으로 하는 가변 저항 메모리 소자.
  9. 제7항에 있어서,
    상기 선택 소자층은 오보닉 문턱 스위칭(Ovonic Threshold Switching) 특성을 나타내는 것을 특징으로 하는 가변 저항 메모리 소자.
  10. 제7항에 있어서,
    상기 제1 전극 라인층의 하부에 배치되고 상기 복수의 메모리 셀들을 구동하기 위한 주변 회로들 또는 구동 회로들을 포함하는 구동 회로 영역을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 가변 저항 메모리 소자.
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Families Citing this family (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPWO2018203459A1 (ja) * 2017-05-01 2020-05-14 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 選択素子および記憶装置
WO2018221114A1 (ja) * 2017-05-31 2018-12-06 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 メモリ装置およびメモリ装置の製造方法
US10593875B2 (en) * 2018-06-15 2020-03-17 Macronix International Co., Ltd. Self-aligned 3D memory with confined cell
US10937832B2 (en) * 2018-06-21 2021-03-02 Macronix International Co., Ltd. 3D memory with confined cell
KR102636534B1 (ko) * 2018-08-20 2024-02-15 에스케이하이닉스 주식회사 칼코게나이드 재료 및 이를 포함하는 전자 장치
KR102635268B1 (ko) * 2018-08-20 2024-02-13 에스케이하이닉스 주식회사 칼코게나이드 재료 및 이를 포함하는 전자 장치
FR3086452B1 (fr) 2018-09-21 2021-05-21 St Microelectronics Rousset Cellule a memoire resistive
KR102630031B1 (ko) * 2018-10-05 2024-01-30 삼성전자주식회사 가변 저항 메모리 장치
KR20200041031A (ko) * 2018-10-11 2020-04-21 삼성전자주식회사 가변 저항 메모리 소자
US11386953B2 (en) * 2018-10-23 2022-07-12 Cyberswarm, Inc. Multiple memory states device and method of making same
US11380369B2 (en) 2018-11-30 2022-07-05 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Semiconductor device including memory cells and method for manufacturing thereof
CN109638153A (zh) * 2018-12-06 2019-04-16 华中科技大学 一种选通管材料、选通管器件及其制备方法
KR102030341B1 (ko) * 2018-12-19 2019-10-10 한양대학교 산학협력단 선택 소자 및 이를 이용한 메모리 소자
CN112018232A (zh) * 2019-05-31 2020-12-01 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 一种选通管材料及包含选通管材料的选通管单元
US10943952B2 (en) 2019-06-10 2021-03-09 Sandisk Technologies Llc Threshold switch for memory
KR102617960B1 (ko) * 2019-08-12 2023-12-26 삼성전자주식회사 2-스텝 갭-필 공정을 이용하여 반도체 소자를 형성하는 방법
CN110752293A (zh) * 2019-09-27 2020-02-04 北京大学 一种双向阈值开关选择器件及其制备方法
KR20210040627A (ko) * 2019-10-04 2021-04-14 에스케이하이닉스 주식회사 전자 장치 및 전자 장치의 동작 방법
JP2021103749A (ja) * 2019-12-25 2021-07-15 キオクシア株式会社 抵抗変化素子
US11444125B2 (en) * 2020-06-17 2022-09-13 Globalfoundries Singapore Pte. Ltd. Memory devices and methods of forming memory devices
KR20220063573A (ko) 2020-11-10 2022-05-17 삼성전자주식회사 칼코겐 화합물 및 이를 포함하는 반도체 소자
CN112840460A (zh) * 2021-01-14 2021-05-25 长江先进存储产业创新中心有限责任公司 相变存储单元及其制造方法
CN115811933A (zh) * 2021-09-13 2023-03-17 华为技术有限公司 一种相变存储单元及相变存储器
CN114319071B (zh) * 2022-02-25 2024-06-21 鸿海精密工业股份有限公司 浮桥结构及红外线感测装置

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010232214A (ja) 2009-03-25 2010-10-14 Toshiba Corp 不揮発性記憶装置および不揮発性記憶装置の製造方法
US20130336042A1 (en) 2012-06-19 2013-12-19 SK Hynix Inc. Resistive memory device and memory apparatus and data processing system having the same
CN103515533A (zh) 2012-06-25 2014-01-15 三星电子株式会社 开关元件和器件、存储器件、及其制造方法
US20170244026A1 (en) 2016-02-23 2017-08-24 Samsung Electronics Co., Ltd. Variable resistance memory device and method of manufacturing the same
US20170271581A1 (en) 2016-03-18 2017-09-21 Dong-Jun Seong Semiconductor memory devices

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6849868B2 (en) * 2002-03-14 2005-02-01 Micron Technology, Inc. Methods and apparatus for resistance variable material cells
US7105408B2 (en) * 2004-09-24 2006-09-12 Intel Corporation Phase change memory with a select device having a breakdown layer
EP1677372B1 (en) * 2004-12-30 2008-05-14 STMicroelectronics S.r.l. Phase change memory and manufacturing method thereof
US20060172067A1 (en) 2005-01-28 2006-08-03 Energy Conversion Devices, Inc Chemical vapor deposition of chalcogenide materials
WO2007057972A1 (ja) * 2005-11-21 2007-05-24 Renesas Technology Corp. 半導体装置
WO2008088599A2 (en) 2006-10-19 2008-07-24 Boise State University Forced ion migration for chalcogenide phase change memory device
KR101535462B1 (ko) 2009-08-27 2015-07-09 삼성전자주식회사 상변화 물질을 포함하는 비휘발성 메모리 소자
KR20110058031A (ko) * 2009-11-25 2011-06-01 삼성전자주식회사 가변저항 메모리 장치의 제조 방법
US9012876B2 (en) 2010-03-26 2015-04-21 Entegris, Inc. Germanium antimony telluride materials and devices incorporating same
KR20130068143A (ko) * 2011-12-15 2013-06-25 에스케이하이닉스 주식회사 버티칼 게이트 셀을 구비한 반도체 메모리 소자 및 그 제조방법
KR101897280B1 (ko) * 2012-01-04 2018-09-11 에스케이하이닉스 주식회사 저항성 메모리 장치, 이를 포함하는 시스템 및 메모리 장치의 제조 방법
KR101957897B1 (ko) * 2012-04-26 2019-03-13 에스케이하이닉스 주식회사 가변 저항 메모리 장치 및 그 제조 방법
KR20140054975A (ko) * 2012-10-30 2014-05-09 에스케이하이닉스 주식회사 가변 저항 메모리 장치
KR101431656B1 (ko) 2013-04-05 2014-08-21 한국과학기술연구원 저머늄 및 셀레늄을 이용한 칼코지나이드 스위칭 소자 및 그 제조방법
CN104575581B (zh) * 2013-10-21 2017-10-10 华为技术有限公司 一种存储单元、存储器及存储单元控制方法
JP6151650B2 (ja) * 2014-01-17 2017-06-21 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 記憶装置
JP6273184B2 (ja) * 2014-09-03 2018-01-31 東芝メモリ株式会社 抵抗変化型記憶装置及びその製造方法
KR101603505B1 (ko) 2015-03-02 2016-03-16 연세대학교 산학협력단 상변화 물질 및 상기 상변화 물질 층을 포함하는 상변화 메모리
US9842882B1 (en) * 2016-05-18 2017-12-12 SK Hynix Inc. Electronic device

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010232214A (ja) 2009-03-25 2010-10-14 Toshiba Corp 不揮発性記憶装置および不揮発性記憶装置の製造方法
US20130336042A1 (en) 2012-06-19 2013-12-19 SK Hynix Inc. Resistive memory device and memory apparatus and data processing system having the same
CN103515533A (zh) 2012-06-25 2014-01-15 三星电子株式会社 开关元件和器件、存储器件、及其制造方法
US20170244026A1 (en) 2016-02-23 2017-08-24 Samsung Electronics Co., Ltd. Variable resistance memory device and method of manufacturing the same
US20170271581A1 (en) 2016-03-18 2017-09-21 Dong-Jun Seong Semiconductor memory devices

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