KR102295524B1 - 메모리 소자 - Google Patents

메모리 소자 Download PDF

Info

Publication number
KR102295524B1
KR102295524B1 KR1020170038666A KR20170038666A KR102295524B1 KR 102295524 B1 KR102295524 B1 KR 102295524B1 KR 1020170038666 A KR1020170038666 A KR 1020170038666A KR 20170038666 A KR20170038666 A KR 20170038666A KR 102295524 B1 KR102295524 B1 KR 102295524B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
layer
range
memory device
electrode
electrode lines
Prior art date
Application number
KR1020170038666A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20180109287A (ko
Inventor
안동호
오철
박순오
히데키 호리이
Original Assignee
삼성전자 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성전자 주식회사 filed Critical 삼성전자 주식회사
Priority to KR1020170038666A priority Critical patent/KR102295524B1/ko
Priority to US15/832,958 priority patent/US10403681B2/en
Priority to JP2018059450A priority patent/JP2018164085A/ja
Priority to CN201810257802.9A priority patent/CN108666417B/zh
Publication of KR20180109287A publication Critical patent/KR20180109287A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102295524B1 publication Critical patent/KR102295524B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
    • H10B63/00—Resistance change memory devices, e.g. resistive RAM [ReRAM] devices
    • H10B63/20—Resistance change memory devices, e.g. resistive RAM [ReRAM] devices comprising selection components having two electrodes, e.g. diodes
    • H10B63/24—Resistance change memory devices, e.g. resistive RAM [ReRAM] devices comprising selection components having two electrodes, e.g. diodes of the Ovonic threshold switching type
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N70/00—Solid-state devices having no potential barriers, and specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching
    • H10N70/801—Constructional details of multistable switching devices
    • H10N70/881—Switching materials
    • H01L45/14—
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N70/00—Solid-state devices having no potential barriers, and specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching
    • H10N70/20—Multistable switching devices, e.g. memristors
    • H10N70/24—Multistable switching devices, e.g. memristors based on migration or redistribution of ionic species, e.g. anions, vacancies
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
    • G11C11/02—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements
    • G11C11/16—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements using elements in which the storage effect is based on magnetic spin effect
    • G11C11/161—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements using elements in which the storage effect is based on magnetic spin effect details concerning the memory cell structure, e.g. the layers of the ferromagnetic memory cell
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C13/00—Digital stores characterised by the use of storage elements not covered by groups G11C11/00, G11C23/00, or G11C25/00
    • G11C13/0002—Digital stores characterised by the use of storage elements not covered by groups G11C11/00, G11C23/00, or G11C25/00 using resistive RAM [RRAM] elements
    • G11C13/0004—Digital stores characterised by the use of storage elements not covered by groups G11C11/00, G11C23/00, or G11C25/00 using resistive RAM [RRAM] elements comprising amorphous/crystalline phase transition cells
    • H01L45/1253—
    • H01L45/143—
    • H01L45/144—
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
    • H10B63/00—Resistance change memory devices, e.g. resistive RAM [ReRAM] devices
    • H10B63/30—Resistance change memory devices, e.g. resistive RAM [ReRAM] devices comprising selection components having three or more electrodes, e.g. transistors
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
    • H10B63/00—Resistance change memory devices, e.g. resistive RAM [ReRAM] devices
    • H10B63/80—Arrangements comprising multiple bistable or multi-stable switching components of the same type on a plane parallel to the substrate, e.g. cross-point arrays
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
    • H10B63/00—Resistance change memory devices, e.g. resistive RAM [ReRAM] devices
    • H10B63/80—Arrangements comprising multiple bistable or multi-stable switching components of the same type on a plane parallel to the substrate, e.g. cross-point arrays
    • H10B63/84—Arrangements comprising multiple bistable or multi-stable switching components of the same type on a plane parallel to the substrate, e.g. cross-point arrays arranged in a direction perpendicular to the substrate, e.g. 3D cell arrays
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N70/00—Solid-state devices having no potential barriers, and specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching
    • H10N70/20—Multistable switching devices, e.g. memristors
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N70/00—Solid-state devices having no potential barriers, and specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching
    • H10N70/20—Multistable switching devices, e.g. memristors
    • H10N70/231—Multistable switching devices, e.g. memristors based on solid-state phase change, e.g. between amorphous and crystalline phases, Ovshinsky effect
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N70/00—Solid-state devices having no potential barriers, and specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching
    • H10N70/20—Multistable switching devices, e.g. memristors
    • H10N70/231—Multistable switching devices, e.g. memristors based on solid-state phase change, e.g. between amorphous and crystalline phases, Ovshinsky effect
    • H10N70/235—Multistable switching devices, e.g. memristors based on solid-state phase change, e.g. between amorphous and crystalline phases, Ovshinsky effect between different crystalline phases, e.g. cubic and hexagonal
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N70/00—Solid-state devices having no potential barriers, and specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching
    • H10N70/801—Constructional details of multistable switching devices
    • H10N70/821—Device geometry
    • H10N70/826—Device geometry adapted for essentially vertical current flow, e.g. sandwich or pillar type devices
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N70/00—Solid-state devices having no potential barriers, and specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching
    • H10N70/801—Constructional details of multistable switching devices
    • H10N70/821—Device geometry
    • H10N70/828—Current flow limiting means within the switching material region, e.g. constrictions
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N70/00—Solid-state devices having no potential barriers, and specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching
    • H10N70/801—Constructional details of multistable switching devices
    • H10N70/841—Electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N70/00—Solid-state devices having no potential barriers, and specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching
    • H10N70/801—Constructional details of multistable switching devices
    • H10N70/841—Electrodes
    • H10N70/8413—Electrodes adapted for resistive heating
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N70/00—Solid-state devices having no potential barriers, and specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching
    • H10N70/801—Constructional details of multistable switching devices
    • H10N70/881—Switching materials
    • H10N70/882—Compounds of sulfur, selenium or tellurium, e.g. chalcogenides
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N70/00—Solid-state devices having no potential barriers, and specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching
    • H10N70/801—Constructional details of multistable switching devices
    • H10N70/881—Switching materials
    • H10N70/882—Compounds of sulfur, selenium or tellurium, e.g. chalcogenides
    • H10N70/8825—Selenides, e.g. GeSe
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N70/00—Solid-state devices having no potential barriers, and specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching
    • H10N70/801—Constructional details of multistable switching devices
    • H10N70/881—Switching materials
    • H10N70/882—Compounds of sulfur, selenium or tellurium, e.g. chalcogenides
    • H10N70/8828—Tellurides, e.g. GeSbTe
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N70/00—Solid-state devices having no potential barriers, and specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching
    • H10N70/801—Constructional details of multistable switching devices
    • H10N70/881—Switching materials
    • H10N70/883—Oxides or nitrides
    • H10N70/8833—Binary metal oxides, e.g. TaOx
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
    • H10B61/00—Magnetic memory devices, e.g. magnetoresistive RAM [MRAM] devices
    • H10B61/10—Magnetic memory devices, e.g. magnetoresistive RAM [MRAM] devices comprising components having two electrodes, e.g. diodes or MIM elements
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N70/00—Solid-state devices having no potential barriers, and specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching
    • H10N70/011—Manufacture or treatment of multistable switching devices
    • H10N70/061—Shaping switching materials
    • H10N70/066—Shaping switching materials by filling of openings, e.g. damascene method

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Semiconductor Memories (AREA)

Abstract

메모리 소자가 개시된다. 메모리 소자는 가변 저항층, 및 상기 가변 저항층과 전기적으로 연결되도록 위치하며, 하기의 화학식 1에 따른 조성을 갖는 칼코게나이드 스위칭 물질을 포함하는 선택 소자층을 포함한다.
<화학식 1>
[GeA SeB TeC](1-U) [X]U
(여기에서, 0.20 ≤ A ≤ 0.40이고, 0.40 ≤ B ≤ 0.70이고, 0.05 ≤ C ≤ 0.25고, A + B + C = 1이고, 0.0 ≤ U ≤ 0.20이고 X는 보론(B), 카본(C), 질소(N), 산소(O), 인(P), 및 황(S)으로 구성된 군으로부터 선택되는 적어도 하나의 종이다)

Description

메모리 소자{Memory device}
본 발명의 기술적 사상은 메모리 소자에 관한 것으로, 더욱 상세하게는, 가변 저항 물질층을 포함하는 메모리 소자에 관한 것이다.
전자 제품의 경박 단소화 경향에 따라 반도체 소자의 고집적화에 대한 요구가 증가하고 있다. 또한 가변 저항 물질층과 선택 소자층을 포함하며, 크로스 포인트 구조를 갖는 3차원 메모리 소자가 제안되고 있다. 3차원 메모리 소자를 위한 선택 소자층으로서, 오보닉 문턱 스위칭 특성을 나타내는 칼코게나이드 물질을 사용한 메모리 소자가 제안되었다.
본 발명의 기술적 사상이 이루고자 하는 기술적 과제는 낮은 오프 전류 및 우수한 신뢰성을 갖는 메모리 소자를 제공하는 것이다.
상기 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명의 기술적 사상에 따른 메모리 소자는, 가변 저항층, 및 상기 가변 저항층과 전기적으로 연결되도록 위치하며, 하기의 화학식 1에 따른 조성을 갖는 칼코게나이드 스위칭 물질을 포함하는 선택 소자층을 포함한다,
<화학식 1>
[GeA SeB TeC](1-U) [X]U
(여기에서, 0.20 ≤ A ≤ 0.40이고, 0.40 ≤ B ≤ 0.70이고, 0.05 ≤ C ≤ 0.25고, A + B + C = 1이고, 0.0 ≤ U ≤ 0.20이고 X는 보론(B), 카본(C), 질소(N), 산소(O), 인(P), 및 황(S)으로 구성된 군으로부터 선택되는 적어도 하나의 종이다.).
상기 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명의 기술적 사상에 따른 메모리 소자는, 기판 상에 형성되며, 상기 기판의 상면에 평행한 제1 방향으로 연장되는 복수의 제1 전극 라인, 상기 복수의 제1 전극 라인 상에 형성되며, 상기 기판의 상면에 평행하고 상기 제1 방향과 다른 제2 방향으로 연장되는 복수의 제2 전극 라인, 상기 복수의 제2 전극 라인 상에 형성되며, 상기 제1 방향으로 연장되는 복수의 제3 전극 라인, 및 상기 복수의 제1 전극 라인과 상기 복수의 제2 전극 라인의 교차 지점 및 상기 복수의 제2 전극 라인과 상기 복수의 제3 전극 라인의 교차 지점에 각각 형성되는 복수의 메모리 셀을 포함하고, 상기 복수의 메모리 셀 각각은 선택 소자층 및 가변 저항층을 포함하고, 상기 선택 소자층은 상기의 화학식 1에 따른 조성을 갖는 칼코게나이드 스위칭 물질을 포함한다.
상기 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명의 기술적 사상에 따른 메모리 소자는, 칼코게나이드 메모리 물질을 포함하는 가변 저항층 및 상기 가변 저항층과 전기적으로 연결되도록 위치하며, 상기의 화학식 1 또는 하기의 화학식 2에 따른 조성을 갖는 칼코게나이드 스위칭 물질을 포함하는 선택 소자층을 포함한다,
<화학식 2>
[GeA SeB TeC AsD](1-U) [X]U
(여기에서, 0.20 ≤ A ≤ 0.35이고, 0.45 ≤ B ≤ 0.65이고, 0.04 ≤ C ≤ 0.18이고, 0.0 < D ≤ 0.18이고, A + B + C + D = 1이고, 0.0 ≤ U ≤ 0.20이고 X는 보론(B), 카본(C), 질소(N), 산소(O), 인(P), 및 황(S)으로 구성된 군으로부터 선택되는 적어도 하나의 종이다.).
본 발명의 기술적 사상에 의한 메모리 소자는 칼코게나이드 스위칭 물질을 포함하는 선택 소자층을 구비하며, 상기 칼코게나이드 스위칭 물질은 저머늄(Ge)을 약 20 내지 40 at%, 셀레늄(Se)을 약 40 내지 70 at%, 및 텔루륨(Te)을 약 5 내지 25 at% 포함할 수 있다. 또한 상기 칼코게나이드 스위칭 물질은 실리콘(Si)을 포함하지 않을 수 있고 우수한 품질의 막으로 형성될 수 있다. 따라서 상기 메모리 소자는 현저히 낮은 오프 전류, 우수한 열적 안정성 및 우수한 신뢰성을 나타낼 수 있다.
도 1은 예시적인 실시예들에 따른 메모리 소자에 대한 등가 회로도이다.
도 2는 예시적인 실시예들에 따른 메모리 소자에 대한 사시도이고, 도 3은 도 2의 1X-1X' 및 1Y-1Y' 부분을 절단하여 보여주는 단면도이다.
도 4는 오보닉 문턱 스위칭 특성을 갖는 선택 소자층의 전압-전류 곡선을 개략적으로 나타낸 그래프이다.
도 5는 예시적인 실시예들에 따른 칼코게나이드 스위칭 물질의 조성 범위를 나타내는 3원계 상태도(ternary phase diagram)이다.
도 6a 내지 도 6c는 예시적인 실시예들에 따른 칼코게나이드 스위칭 물질을 포함하는 메모리 소자들의 특성들을 나타내는 그래프들이다.
도 7 내지 도 10은 예시적인 실시예들에 따른 메모리 소자에 대한 단면도들이다.
도 11은 예시적인 실시예들에 따른 메모리 소자에 대한 사시도이고, 도 12는 도 11의 2X-2X' 및 2Y-2Y' 부분을 절단하여 보여주는 단면도이다.
도 13은 예시적인 실시예들에 따른 메모리 소자에 대한 사시도이고, 도 14는 도 13의 3X-3X' 및 3Y-3Y' 부분을 절단하여 보여주는 단면도이다.
도 15는 예시적인 실시예들에 따른 메모리 소자에 대한 사시도이고, 도 16은 도 15의 4X-4X' 부분을 절단하여 보여주는 단면도이다.
도 17 내지 도 19는 예시적인 실시예들에 따른 도 2의 메모리 소자의 제조 과정을 보여주는 단면도들이다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 기술적 사상의 바람직한 실시예를 상세히 설명하기로 한다.
도 1은 예시적인 실시예들에 따른 메모리 소자(100)에 대한 등가 회로도이다.
도 1을 참조하면, 메모리 소자(100)는 제1 방향(X 방향)을 따라 연장되고 제1 방향에 수직한 제2 방향(Y 방향)으로 이격된 워드 라인(WL1, WL2)을 포함할 수 있다. 또한, 메모리 소자(100)는 워드 라인(WL1, WL2)과 제3 방향(Z 방향)으로 이격되어, 제2 방향을 따라 연장되는 비트 라인(BL1, BL2, BL3, BL4)을 포함할 수 있다.
메모리 셀(MC)은 비트 라인(BL1, BL2, BL3, BL4)과 워드 라인(WL1, WL2)과의 사이에 각각 배치될 수 있다. 구체적으로, 메모리 셀(MC)은 비트 라인(BL1, BL2, BL3, BL4)과 워드 라인(WL1, WL2)의 교차점에 배치될 수 있고, 정보 저장을 위한 가변 저항층(ME)과 메모리 셀을 선택하기 위한 선택 소자층(SW)을 포함할 수 있다. 한편, 선택 소자층(SW)은 스위칭 소자층 또는 억세스 소자층으로 명명될 수도 있다.
메모리 셀(MC)은 제3 방향을 따라 동일한 구조로 배치될 수 있다. 예컨대, 워드 라인(WL1)과 비트 라인(BL1) 사이에 배치되는 메모리 셀(MC)에서, 선택 소자층(SW)은 워드 라인(WL1)에 전기적으로 연결되고, 가변 저항층(ME)은 비트 라인(BL1)에 전기적으로 연결되며, 가변 저항층(ME)과 선택 소자층(SW)은 직렬로 연결될 수 있다.
그러나 본 발명의 기술적 사상이 이에 한정되는 것은 아니다. 예컨대, 도 1에 도시된 것과는 달리, 메모리 셀(MC)에서 선택 소자층(SW)과 가변 저항층(ME)의 위치가 바뀔 수 있다. 예컨대, 메모리 셀(MC)에서 가변 저항층(ME)이 워드 라인(WL1)에 연결되고 선택 소자층(SW)이 비트 라인(BL1)과 연결될 수도 있다.
이하에서는 메모리 소자(100)의 구동 방법에 대하여 간단히 설명한다. 워드 라인(WL1, WL2)과 비트 라인(BL1, BL2, BL3, BL4)을 통해 메모리 셀(MC)의 가변 저항층(ME)에 전압이 인가되어, 가변 저항층(ME)에 전류가 흐를 수 있다. 예컨대, 가변 저항층(ME)은 제1 상태와 제2 상태 간에 가역적으로 천이할 수 있는 상변화 물질층을 포함할 수 있다. 그러나 가변 저항층(ME)은 이에 한정되는 것은 아니며, 인가된 전압에 따라 저항값이 달라지는 가변 저항체라면 어떠한 것도 포함할 수 있다. 예컨대, 선택된 메모리 셀(MC)은 가변 저항층(ME)에 인가되는 전압에 따라 가변 저항층(ME)의 저항이 제1 상태와 제2 상태 간에 가역적으로 천이할 수 있다.
가변 저항층(ME)의 저항 변화에 따라, 메모리 셀(MC)은 '0' 또는 '1'과 같은 디지털 정보를 기억할 수 있고, 또한 메모리 셀(MC)로부터 디지털 정보를 소거할 수도 있다. 예컨대, 메모리 셀(MC)에서 고저항 상태 '0'과 저저항 상태 '1'로 데이터를 기입할 수 있다. 여기서, 고저항 상태 '0'에서 저저항 상태 '1'로의 기입을 '셋(set) 동작'이라 칭할 수 있고, 저저항 상태 '1'에서 고저항 상태 '0'으로의 기입을 '리셋(reset) 동작'이라 칭할 수 있다. 그러나 본 발명의 실시예들에 따른 메모리 셀(MC)은 상기 예시된 고저항 상태 '0' 및 저저항 상태 '1'의 디지털 정보에만 한정되는 것은 아니며, 다양한 저항 상태들을 저장할 수 있다.
워드 라인(WL1, WL2) 및 비트 라인(BL1, BL2, BL3, BL4)의 선택에 의해 임의의 메모리 셀(MC)이 어드레스 될 수 있고, 워드 라인(WL1, WL2) 및 비트 라인(BL1, BL2, BL3, BL4) 사이에 소정의 신호를 인가하여, 메모리 셀(MC)을 프로그래밍할 수 있다. 또한, 비트 라인(BL1, BL2, BL3, BL4)을 통하여 전류 값을 측정함으로써, 해당 메모리 셀(MC)의 가변 저항층의 저항값에 따른 정보, 즉 프로그래밍된 정보를 판독할 수 있다.
도 2는 예시적인 실시예들에 따른 메모리 소자에 대한 사시도이고, 도 3은 도 2의 1X-1X' 및 1Y-1Y' 부분을 절단하여 보여주는 단면도이다.
도 2 및 도 3을 참조하면, 메모리 소자(100)는 기판(101) 상에 제1 전극 라인층(110L), 제2 전극 라인층(120L) 및 메모리 셀층(MCL)을 포함할 수 있다.
도시된 바와 같이, 기판(101) 상에는 층간 절연층(105)이 배치될 수 있다. 층간 절연층(105)은 실리콘산화물 또는 실리콘질화물로 형성될 수 있고, 제1 전극 라인층(110L)을 기판(101)으로부터 전기적으로 분리하는 역할을 할 수 있다. 본 실시예의 메모리 소자(100)에서, 기판(101) 상에 층간 절연층(105)이 배치되고 있지만, 이는 하나의 예시에 불과하다. 예컨대, 본 실시예의 메모리 소자(100)에서, 기판(101) 상에 집적 회로층이 배치될 수도 있고, 그러한 집적 회로층 상에 메모리 셀들이 배치될 수 있다. 집적 회로층은 예컨대, 메모리 셀들의 동작을 위한 주변 회로 및/또는 연산 등을 위한 코어 회로를 포함할 수 있다. 참고로, 기판 상에 주변 회로 및/또는 코어 회로 등을 포함하는 집적 회로층이 배치되고, 집적 회로층 상부에 메모리 셀들이 배치되는 구조를 COP(Cell Over Peri) 구조라고 한다.
제1 전극 라인층(110L)은 제1 방향(X 방향)으로 상호 평행하게 연장하는 복수의 제1 전극 라인들(110)을 포함할 수 있다. 제2 전극 라인층(120L)은 제1 방향과 교차하는 제2 방향(Y 방향)으로 상호 평행하게 연장하는 복수의 제2 전극 라인들(120)을 포함할 수 있다. 제1 방향과 제2 방향은 서로 수직으로 교차할 수 있다.
메모리 소자의 구동 측면에서, 제1 전극 라인들(110)은 워드 라인(도 1에서 WL)에 해당할 수 있고, 제2 전극 라인들(120)은 비트 라인(도 1에서 BL)에 해당할 수 있다. 또한, 반대로 제1 전극 라인들(110)이 비트 라인에 해당하고, 제2 전극 라인들(120)이 워드 라인에 해당할 수도 있다.
제1 전극 라인들(110) 및 제2 전극 라인들(120)은 각각 금속, 도전성 금속 질화물, 도전성 금속 산화물, 또는 이들의 조합으로 이루어질 수 있다. 예컨대, 제1 전극 라인들(110) 및 제2 전극 라인들(120)은 각각 W, WN, Au, Ag, Cu, Al, TiAlN, Ir, Pt, Pd, Ru, Zr, Rh, Ni, Co, Cr, Sn, Zn, ITO, 이들의 합금, 또는 이들의 조합으로 이루어질 수 있다. 또한, 제1 전극 라인들(110) 및 제2 전극 라인들(120)은 각각 금속막과, 상기 금속막의 적어도 일부를 덮는 도전성 장벽층을 포함할 수 있다. 상기 도전성 장벽층은 예컨대, Ti, TiN, Ta, TaN, 또는 이들의 조합으로 이루어질 수 있다.
메모리 셀층(MCL)은 제1 방향 및 제2 방향으로 서로 이격된 복수의 메모리 셀들(140, 도 1에서 MC)을 포함할 수 있다. 도시된 바와 같이 제1 전극 라인들(110)과 제2 전극 라인들(120)은 서로 교차할 수 있다. 메모리 셀들(140)은 제1 전극 라인층(110L)과 제2 전극 라인층(120L) 사이의 제1 전극 라인들(110)과 제2 전극 라인들(120)이 교차하는 부분들에 배치될 수 있다.
메모리 셀들(140)은 사각기둥 형태의 필라(pillar) 구조로 형성될 수 있다. 물론, 메모리 셀들(140)의 구조가 사각기둥 형태에 한하는 것은 아니다. 예컨대, 메모리 셀들(140)은 원기둥, 타원기둥, 다각기둥 등의 다양한 기둥 형태를 가질 수 있다. 또한, 형성 방법에 따라 메모리 셀들(140)은 하부가 상부보다 넓은 구조, 또는 상부가 하부보다 넓은 구조를 가질 수 있다. 예컨대, 메모리 셀들(140)이 양각 식각 공정을 통해 형성되는 경우, 하부가 상부보다 넓은 구조를 가질 수 있다. 또한, 메모리 셀들(140)이 다마신(damascene) 공정으로 형성되는 경우에는 상부가 하부보다 넓은 구조를 가질 수 있다. 물론, 양각 식각 공정 또는 다마신 공정에서, 식각을 정밀하게 제어하여 측면이 거의 수직이 되도록 물질층들을 식각함으로써, 상부와 하부의 넓이 차이가 거의 없도록 할 수도 있다. 도 2 및 3을 포함하여 이하의 모든 도면들에서 메모리 셀들(140)이 측면이 수직인 형태로 도시되고 있지만, 이는 도시의 편의를 위한 것으로서, 메모리 셀들(140)은 하부가 상부보다 넓거나, 또는 상부가 하부보다 넓은 구조를 가질 수 있다.
메모리 셀들(140)은 각각 하부 전극층(141), 선택 소자층(143), 중간 전극층(145), 가열(heating) 전극층(147), 가변 저항층(149) 및 상부 전극층(148)을 포함할 수 있다. 위치 관계를 고려하지 않는 경우, 하부 전극층(141)은 제1 전극층, 중간 전극층(145) 및 가열 전극층(147)은 제2 전극층, 상부 전극층(148)은 제3 전극층으로 지칭될 수 있다.
일부 실시예들에서, 가변 저항층(149, 도 1에서 ME)은 가열 시간에 따라 비정질(amorphous) 상태와 결정질(crystalline) 상태 사이에서 가역적으로 변화하는 상변화 물질을 포함할 수 있다. 예컨대, 가변 저항층(149)은 가변 저항층(149)의 양단에 인가되는 전압에 의해 발생하는 줄 열(Joule heat)에 의해 상(phase)이 가역적으로 변화될 수 있고, 이러한 상변화에 의해 저항이 변화될 수 있는 물질을 포함할 수 있다. 구체적으로, 상기 상변화 물질은 비정질 상에서 고저항 상태가 되고, 결정질 상에서 저저항 상태가 될 수 있다. 고저항 상태를 '0'으로, 저저항 상태 '1'로 정의함으로써, 가변 저항층(149)에 데이터가 저장될 수 있다.
일부 실시예들에서, 가변 저항층(149)은 상변화 물질로서 칼코게나이드 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 가변 저항층(149)은 Ge-Sb-Te(GST)를 포함할 수 있다. 여기서 사용되는 하이픈(-) 표시된 화학적 조성 표기는 특정 혼합물 또는 화합물에 포함된 원소를 표시하고, 표시된 원소를 포함하는 모든 화학식 구조를 나타낼 수 있다. 예를 들어, Ge-Sb-Te는 Ge2Sb2Te5, Ge2Sb2Te7, Ge1Sb2Te4, 또는 Ge1Sb4Te7 등의 물질일 수 있다.
가변 저항층(149)은 전술한 Ge-Sb-Te(GST) 외에도 다양한 칼코게나이드 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 가변 저항층(149)은 칼코게나이드 물질로서, 실리콘(Si), 저머늄(Ge), 안티몬(Sb), 텔루륨(Te), 비스무스(Bi), 인듐(In), 주석(Sn) 및 셀레늄(Se) 중에서 선택된 적어도 두 개 또는 그 조합을 포함할 수 있다.
가변 저항층(149)을 이루는 각 원소는 다양한 화학적 조성비 (stoichiometry)를 가질 수 있다. 각 원소의 화학적 조성비에 따라 가변 저항층(149)의 결정화 온도, 용융점, 결정화 에너지에 따른 상변화 속도, 및 정보 보유력(retention)이 조절될 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 가변 저항층(149)을 구성하는 칼코게나이드 물질의 용융점은 약 500℃ 내지 약 800℃일 수 있다.
또한, 가변 저항층(149)은 보론(B), 탄소(C), 질소(N), 산소(O), 인(P) 및 황(S) 중에서 선택된 적어도 하나의 불순물을 더 포함할 수 있다. 상기 불순물에 의해 메모리 소자(100)의 구동 전류가 변화될 수 있다. 또한, 가변 저항층(149)은 금속을 더 포함할 수 있다. 예를 들어, 가변 저항층(149)은 알루미늄(Al), 갈륨(Ga), 아연(Zn), 티타늄(Ti), 크롬(Cr), 망간(Mn), 철(Fe), 코발트(Co), 니켈(Ni), 몰리브덴(Mo), 루테늄(Ru), 팔라듐(Pd), 하프늄(Hf), 탄탈륨(Ta), 이리듐(Ir), 백금(Pt), 지르코늄(Zr), 탈륨(Tl), 및 폴로늄(Po) 중에서 선택된 적어도 하나를 포함할 수 있다. 이러한 금속 물질들은 가변 저항층(149)의 전기 전도성 및 열전도성을 증가시킬 수 있고, 이에 따라 결정화 속도를 증가시켜 셋 속도를 증가시킬 수 있다. 또한, 상기 금속 물질들은 가변 저항층(149)의 정보 보유력 특성을 향상시킬 수 있다.
가변 저항층(149)은 서로 다른 물성을 가지는 두 개 이상의 층들이 적층된 다층 구조를 가질 수 있다. 복수의 층들의 수 또는 두께는 자유롭게 선택될 수 있다. 복수의 층들 사이에는 배리어층이 더 형성될 수 있다. 상기 배리어층은 복수의 층들간에 물질 확산을 방지하는 역할을 할 수 있다. 즉, 배리어층은 복수의 층들 중 후속층을 형성할 때 선행층의 확산을 감소시킬 수 있다.
또한, 가변 저항층(149)은 서로 다른 물질을 포함하는 복수의 층들이 교대로 적층되는 초격자(Super-Lattice) 구조를 가질 수 있다. 예를 들어, 가변 저항층(149)은 Ge-Te으로 이루어지는 제1 층과 Sb-Te으로 이루어지는 제2 층이 교대로 적층되는 구조를 포함할 수 있다. 다만, 상기 제1 층 및 제2 층의 물질이 상기 Ge-Te 및 Sb-Te에 한정되는 것은 아니며, 전술한 다양한 물질들을 각각 포함할 수 있다.
이상 가변 저항층(149)으로서 상변화 물질을 예시하였으나, 본 발명의 기술적 사상이 이에 한정되는 것은 아니다. 메모리 소자(100)의 가변 저항층(149)은 저항 변화 특성을 가지는 다양한 물질을 포함할 수 있다.
일부 실시예들에서, 가변 저항층(149)이 전이 금속 산화물(transition metal oxide)을 포함하는 경우, 메모리 소자(100)는 ReRAM(Resistive RAM)이 될 수 있다. 전이 금속 산화물을 포함하는 가변 저항층(149)은 프로그램 동작에 의하여 적어도 하나의 전기적 통로가 가변 저항층(149) 내에 생성되거나 소멸될 수 있다. 상기 전기적 통로가 생성된 경우에 가변 저항층(149)은 낮은 저항값을 가질 수 있으며, 상기 전기적 통로가 소멸된 경우에 가변 저항층(149)은 높은 저항값을 가질 수 있다. 이러한 가변 저항층(149)의 저항값 차이를 이용하여 메모리 소자(100)는 데이터를 저장할 수 있다.
가변 저항층(149)이 전이 금속 산화물로 이루어지는 경우, 상기 전이 금속 산화물은 Ta, Zr, Ti, Hf, Mn, Y, Ni, Co, Zn, Nb, Cu, Fe, 또는 Cr 중에서 선택되는 적어도 하나의 금속을 포함할 수 있다. 예를 들면, 상기 전이 금속 산화물은 Ta2O5-x, ZrO2 -x, TiO2 -x, HfO2 -x, MnO2 -x, Y2O3 -x, NiO1 -y, Nb2O5 -x, CuO1 -y, 또는 Fe2O3 -x 중에서 선택되는 적어도 하나의 물질로 이루어지는 단일층 또는 다중층으로 이루어질 수 있다. 상기 예시된 물질들에서, x 및 y는 각각 0≤x≤1.5 및 0≤y≤0.5의 범위 내에서 선택될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
예시적인 실시예들에서, 가변 저항층(149)이 자성체로 이루어지는 2개의 전극과, 이들 2개의 자성체 전극 사이에 개재되는 유전체를 포함하는 MTJ(Magnetic Tunnel Junction) 구조를 가지는 경우, 메모리 소자(100)는 MRAM(Magnetic RAM)이 될 수 있다.
상기 2개의 전극은 각각 자화 고정층 및 자화 자유층일 수 있으며, 이들 사이에 개재된 상기 유전체는 터널 배리어층일 수 있다. 상기 자화 고정층은 일 방향으로 고정된 자화 방향을 갖고, 상기 자화 자유층은 상기 자화 고정층의 자화 방향에 평행 또는 반 평행하도록 변경 가능한 자화 방향을 가질 수 있다. 상기 자화 고정층 및 상기 자화 자유층의 자화 방향들은 상기 터널 배리어층의 일면에 평행할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 상기 자화 고정층 및 상기 자화 자유층의 자화 방향들은 상기 터널 배리어층의 일면에 수직할 수 있다.
상기 자화 자유층의 자화 방향이 상기 자화 고정층의 자화 방향과 평행한 경우, 가변 저항층(149)이 제1 저항값을 가질 수 있다. 한편, 상기 자화 자유층의 자화 방향이 상기 자화 고정층의 자화 방향에 반 평행한 경우, 가변 저항층(149)은 제2 저항값을 가질 수 있다. 이러한 저항값의 차이를 이용하여 메모리 소자(100)는 데이터를 저장할 수 있다. 상기 자화 자유층의 자화 방향은 프로그램 전류 내 전자들의 스핀 토크(spin torque)에 의하여 변경될 수 있다.
상기 자화 고정층 및 상기 자화 자유층은 자성 물질을 포함할 수 있다. 이때, 상기 자화 고정층은 상기 자화 고정층 내 강자성 물질의 자화 방향을 고정시키는 반강자성 물질을 더 포함할 수 있다. 상기 터널 배리어층은 Mg, Ti, Al, MgZn, 및 MgB 중에서 선택되는 어느 하나의 산화물로 이루어질 수 있으나, 상기 예시된 바에 한정되는 것은 아니다.
선택 소자층(143, 도 1에서 SW)은 전류의 흐름을 제어할 수 있는 전류 조정 층일 수 있다. 선택 소자층(143)은 선택 소자층(143) 양단에 걸린 전압의 크기에 따라 저항이 변화할 수 있는 물질층을 포함할 수 있다. 예컨대, 선택 소자층(143)은 오보닉 문턱 스위칭(Ovonic Threshold Switching, OTS) 물질을 포함할 수 있다. OTS 물질을 기반으로 하는 선택 소자층(143)의 기능을 간단히 설명하면, 선택 소자층(143)에 문턱 전압(VT)보다 작은 전압이 인가될 때 선택 소자층(143)은 전류가 거의 흐르지 않은 고저항 상태를 유지하고, 선택 소자층(143)에 문턱 전압(VT)보다 큰 전압이 인가될 때, 저저항 상태가 되어 전류가 흐르기 시작한다. 또한, 선택 소자층(143)을 통해 흐르는 전류가 유지 전류(holding current)보다 작아질 때, 선택 소자층(143)은 고저항 상태로 변화될 수 있다. 한편, 선택 소자층(143)의 오보닉 문턱 스위칭 특성은 이후에 도 4를 참조로 상세히 설명하도록 한다.
선택 소자층(143)은 OTS 물질로서 칼코게나이드 스위칭 물질을 포함할 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 선택 소자층(143)은 저머늄(Ge), 셀레늄(Se) 및 텔루륨(Te)을 포함하는 3원계(ternary) 칼코게나이드 스위칭 물질을 포함할 수 있고, 선택적으로 상기 3원계 칼코게나이드 스위칭 물질에 첨가 원소(X)가 더 포함될 수 있다. 예를 들어, 선택 소자층(143)은 아래의 화학식 1에 따른 조성을 갖는 칼코게나이드 스위칭 물질을 포함할 수 있다.
[화학식 1]
[GeA SeB TeC](1-U) [X]U
(여기에서, 0.20 ≤ A ≤ 0.40이고, 0.40 ≤ B ≤ 0.70이고, 0.05 ≤ C ≤ 0.25이고, A + B + C = 1이고, 0.0 ≤ U ≤ 0.20이고 X는 보론(B), 카본(C), 질소(N), 산소(O), 인(P), 및 황(S)으로 구성된 군으로부터 선택되는 적어도 하나의 종이다.)
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 3원계 칼코게나이드 스위칭 물질은 약 20 내지 약 40 원자 퍼센트(at%)의 저머늄(Ge)을 포함할 수 있다(예를 들어, 상기 화학식 1에서 A는 약 0.20 내지 약 0.40일 수 있다). 여기서는 GeA SeB TeC 의 조성을 갖는 칼코게나이드 스위칭 물질을 3원계 칼코게나이드 스위칭 물질이라고 지칭하도록 한다. 예를 들어, 화학식 1에 따른 조성을 갖는 칼코게나이드 스위칭 물질은 상기 3원계 칼코게나이드 스위칭 물질에 첨가 원소(X)가 더 포함된 조성을 가질 수 있다. 일부 예시들에서, 상기 3원계 칼코게나이드 스위칭 물질은 약 25 내지 약 35 at%의 저머늄(Ge)을 포함할 수 있다(예를 들어, 상기 화학식 1에서 A는 약 0.25 내지 약 0.35일 수 있다).
저머늄(Ge)이 상기 칼코게나이드 스위칭 물질 내에 포함될 때 상기 칼코게나이드 스위칭 물질의 열적 안정성이 향상되는 한편, 안정적인 스위칭 특성이 구현될 수 있는 것으로 이해된다. 상기 3원계 칼코게나이드 스위칭 물질이 저머늄(Ge)을 약 20 at%보다 작게 포함할 때, 상기 칼코게나이드 스위칭 물질의 열적 안정성이 우수하지 못할 수 있다. 예를 들어 저머늄(Ge)의 함량이 약 20 at%보다 작을 때 상기 3원계 칼코게나이드 스위칭 물질은 약 150℃ 이하의 낮은 휘발 온도를 가질 수 있고, 따라서 크로스포인트 구조를 갖는 메모리 소자에 사용될 정도로 충분히 우수한 열적 안정성을 갖지 못할 수 있다. 반면, 상기 3원계 칼코게나이드 스위칭 물질이 저머늄(Ge)을 약 40 at%보다 많이 포함할 때, 상기 칼코게나이드 스위칭 물질은 안정적인 스위칭 특성을 나타내지 못할 수 있다. 예를 들어, 저머늄(Ge)의 함량이 약 40 at%보다 클 때 상기 칼코게나이드 스위칭 물질의 결정화 온도가 낮아지므로, 상기 칼코게나이드 스위칭 물질의 누설 전류가 증가하거나 스위치가 오프되지 않을 수 있고, 이에 따라 안정적인 스위칭 특성을 나타내지 못할 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 3원계 칼코게나이드 스위칭 물질은 약 40 내지 약 70 at%의 셀레늄(Se)을 포함할 수 있다(예를 들어, 상기 화학식 1에서 B는 약 0.40 내지 약 0.70일 수 있다). 일부 예시들에서, 상기 3원계 칼코게나이드 스위칭 물질은 약 45 내지 약 65 at%의 셀레늄(Se)을 포함할 수 있다(예를 들어, 상기 화학식 1에서 B는 약 0.45 내지 약 0.65일 수 있다). 셀레늄(Se)이 상기 칼코게나이드 스위칭 물질 내에 소정의 함량으로 포함될 때 상기 칼코게나이드 스위칭 물질의 누설 전류(또는 오프 전류)를 감소시킬 수 있는 것으로 이해된다. 예를 들어, 상기 3원계 칼코게나이드 스위칭 물질이 셀레늄(Se)을 약 40 at%보다 크게 포함할 때, 상기 칼코게나이드 스위칭 물질의 오프 전류가 감소될 수 있다. 상기 3원계 칼코게나이드 스위칭 물질이 셀레늄(Se)을 약 70 at% 초과하여 포함하는 경우, 안정적인 스위칭 특성을 구현하기 위하여 상기 3원계 칼코게나이드 스위칭 물질 내에 포함될 수 있는 저머늄(Ge)의 함량이 감소될 수 있고, 이에 따라 상기 칼코게나이드 스위칭 물질의 열적 안정성이 감소될 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 3원계 칼코게나이드 스위칭 물질은 약 5 내지 약 25 at%의 텔루륨(Te)을 포함할 수 있다(예를 들어, 상기 화학식 1에서 C는 약 0.05 내지 약 0.25일 수 있다). 일부 예시들에서, 상기 3원계 칼코게나이드 스위칭 물질은 약 10 내지 약 20 at%의 텔루륨(Te)을 포함할 수 있다(예를 들어, 상기 화학식 1에서 C는 약 0.10 내지 약 0.20일 수 있다). 텔루륨(Te)이 상기 칼코게나이드 스위칭 물질 내에 소정의 함량으로 포함될 때 상기 칼코게나이드 스위칭 물질의 내구성이 향상되는 한편, 안정적인 스위칭 특성이 구현될 수 있는 것으로 이해된다. 예를 들어, 상기 3원계 칼코게나이드 스위칭 물질이 텔루륨(Te)을 약 5 at%보다 크게 포함할 때, 상기 칼코게나이드 스위칭 물질의 내구성이 향상될 수 있다. 상기 3원계 칼코게나이드 스위칭 물질이 텔루륨(Te)을 약 25 at% 초과하여 포함하는 경우, 상기 칼코게나이드 스위칭 물질의 누설 전류가 증가하거나 스위치가 오프되지 않을 수 있고, 이에 따라 안정적인 스위칭 특성을 나타내지 못할 수 있다.
예시적인 실시예들에 따른 상기 3원계 칼코게나이드 스위칭 물질은 실리콘(Si)을 포함하지 않을 수 있다. 칼코게나이드 스위칭 물질이 실리콘을 포함하는 경우, 우수한 막 품질의 선택 소자층(143)을 형성하기 어려울 수 있다. 예를 들어, 선택 소자층(143)을 형성하기 위하여 칼코게나이드 스위칭 물질을 소결(sintering)하여 타겟을 형성하고, 예를 들어 물리 기상 증착(Physical Vapor Deposition, PVD) 공정을 사용하여 아르곤 가스의 충돌에 의하여 상기 타겟으로부터 칼코게나이드 스위칭 물질의 막을 기판 상에 형성할 수 있다. 그러나 상기 칼코게나이드 스위칭 물질에 실리콘이 포함되는 경우, 상기 타겟 형성 과정에서 상기 타겟 내에서 실리콘 입자들이 뭉쳐 분리되거나 포어(pore)가 발생하기 쉽고, 이에 따라 선택 소자층(143) 내에 실리콘 입자들이 뭉쳐 분리되어 존재할 수 있다. 따라서 선택 소자층(143)이 불균일한 조성 분포, 및/또는 불균일한 두께를 가질 수 있고 선택 소자층(143)의 막 품질이 나빠질 수 있다. 그러나 예시적인 실시예들에 따른 상기 3원계 칼코게나이드 스위칭 물질은 실리콘(Si)을 포함하지 않으며, 이에 따라 우수한 품질의 타겟이 형성될 수 있고 상기 타겟을 이용하여 형성된 선택 소자층(143)은 우수한 막 품질을 가질 수 있다.
예시적인 실시예들에 따른 상기 3원계 칼코게나이드 스위칭 물질은 안티몬(Sb)을 포함하지 않을 수 있다. 칼코게나이드 스위칭 물질이 안티몬(Sb)을 포함하는 경우, 상기 칼코게나이드 스위칭 물질의 결정화 온도가 감소될 수 있다. 따라서 상기 칼코게나이드 스위칭 물질의 열적 안정성이 저하될 수 있고, 상기 칼코게나이드 스위칭 물질을 사용하여 크로스 포인트 구조의 메모리 소자를 제조하기 위한 공정에서 상기 칼코게나이드 스위칭 물질이 손상 또는 열화될 수 있다. 그러나 예시적인 실시예들에 따른 상기 3원계 칼코게나이드 스위칭 물질은 안티몬(Sb)을 포함하지 않으며, 상기 칼코게나이드 스위칭 물질은 열적 안정성이 우수할 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 전술한 화학식 1에서와 같이 상기 칼코게나이드 스위칭 물질은 약 0 내지 약 20 at%의 첨가 원소(X)를 더 포함할 수 있다(예를 들어, 상기 화학식 1에서 U는 약 0.00 내지 약 0.2일 수 있다). 일부 예시들에서, 상기 칼코게나이드 스위칭 물질은 첨가 원소(X)로서 약 0.1 내지 약 20 at%의 보론(B)을 더 포함하거나, 약 0.1 내지 약 10 at%의 카본(C)을 더 포함하거나, 약 8 내지 20 at%의 질소(N)를 더 포함하거나, 약 0.1 내지 약 8 at%의 인(P)을 더 포함하거나, 약 0.1 내지 약 8 at%의 황(S)을 더 포함할 수 있다. 상기 칼코게나이드 스위칭 물질이 첨가 원소(X)를 포함함에 따라, 상기 칼코게나이드 스위칭 물질 내에 함유된 저머늄(Ge), 셀레늄(Se) 및 텔루륨(Te) 각각의 함량들이 첨가 원소(X) 함량에 따라 감소될 수 있다.
다른 예시적인 실시예들에 있어서, 선택 소자층(143)은 저머늄(Ge), 셀레늄(Se) 및 텔루륨(Te)을 포함하며, 비소(As)를 더 포함하는 칼코게나이드 스위칭 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 선택 소자층(143)은 아래의 화학식 2에 따른 조성을 갖는 칼코게나이드 스위칭 물질을 포함할 수 있다.
[화학식 2]
[GeA SeB TeC AsD](1-U) [X]U
(여기에서, 0.20 ≤ A ≤ 0.35이고, 0.45 ≤ B ≤ 0.65이고, 0.04 ≤ C ≤ 0.18이고, 0.0 < D ≤ 0.18이고, A + B + C + D = 1이고, 0.0 ≤ U ≤ 0.20이고 X는 보론(B), 카본(C), 질소(N), 산소(O), 인(P), 및 황(S)으로 구성된 군으로부터 선택되는 적어도 하나의 종이다.)
예시적인 실시예들에 있어서, 전술한 화학식 2에서와 같이 상기 칼코게나이드 스위칭 물질은 약 0 내지 약 18 at%의 비소(As)를 포함할 수 있다(예를 들어, 상기 화학식 2에서 D는 약 0.0 내지 약 0.18일 수 있다). 일부 예시들에서, 상기 칼코게나이드 스위칭 물질은 약 20 내지 약 30 at%의 저머늄(Ge), 약 45 내지 약 60 at%의 셀레늄(Se), 약 4 내지 약 18 at%의 텔루륨(Te) 및 약 4 내지 18 at%의 비소(As)를 포함할 수 있다(예를 들어, 상기 화학식 2에서 A는 약 0.20 내지 약 0.30의 범위이며, B는 약 0.45 내지 약 0.60의 범위이며, C는 약 0.04 내지 약 0.18의 범위이며, D는 약 0.04 내지 약 0.18의 범위일 수 있다).
상기 칼코게나이드 스위칭 물질에 포함된 비소(As)는 상기 칼코게나이드 스위칭 물질의 열적 안정성을 향상시키는 것으로 이해된다. 예를 들어, 비소(As)는 상기 칼코게나이드 스위칭 물질의 휘발 온도 및/또는 결정화 온도를 증가시킬 수 있고, 이에 따라 칼코게나이드 스위칭 물질을 포함하는 선택 소자층(143)의 열적 안정성이 향상될 수 있다. 예를 들어, 상기 칼코게나이드 스위칭 물질은 상대적으로 높은 휘발 온도 및 결정화 온도를 가질 수 있고, 상기 칼코게나이드 스위칭 물질을 사용하여 크로스 포인트 구조의 메모리 소자를 제조하기 위한 공정에서 상기 칼코게나이드 스위칭 물질의 손상 또는 열화 등이 방지될 수 있다. 한편, 예시적인 실시예들에 따른 상기 칼코게나이드 스위칭 물질의 누설 전류 특성 및 열적 안정성은 아래에서 도 6a 내지 도 6c를 참조로 다시 설명하도록 한다.
전술한 바와 같이, 선택 소자층(143)은 화학식 1 또는 화학식 2에 따른 조성을 갖는 칼코게나이드 스위칭 물질을 포함할 수 있다. 상기 칼코게나이드 스위칭 물질은 실리콘을 포함하지 않음에 따라 우수한 막 품질을 가질 수 있다. 또한, 상기 칼코게나이드 스위칭 물질은 안정적인 스위칭 특성, 낮은 오프 전류, 우수한 열적 안정성 및 우수한 내구성을 나타낼 수 있다.
가열 전극층(147)은 중간 전극층(145)과 가변 저항층(149) 사이에, 가변 저항층(149)과 콘택하도록 배치될 수 있다. 가열 전극층(147)은 셋 또는 리셋 동작에서 가변 저항층(149)을 가열하는 기능을 할 수 있다. 이러한 가열 전극층(147)은 가변 저항층(149)과 반응하지 않으면서, 가변 저항층(149)을 상변화시키기에 충분한 열을 발생시킬 수 있는 도전 물질을 포함할 수 있다. 가열 전극층(147)은 탄소 계열의 도전 물질을 포함할 수 있다. 일부 실시예들에서, 가열 전극층(147)은 TiN, TiSiN, TiAlN, TaSiN, TaAlN, TaN, WSi, WN, TiW, MoN, NbN, TiBN, ZrSiN, WSiN, WBN, ZrAlN, MoAlN, TiAl, TiON, TiAlON, WON, TaON, 탄소(C), 실리콘카바이드(SiC), 실리콘카본질화물(SiCN), 카본질화물(CN), 티타늄카본질화물(TiCN), 탄탈륨카본질화물(TaCN) 혹은 이들의 조합인 고융점 금속 또는 이들의 질화물로 이루어질 수 있다. 가열 전극층(147)의 재질이 상기 물질들에 한정되는 것은 아니다.
하부 전극층(141), 중간 전극층(145) 및 상부 전극층(148)은 전류 통로의 기능을 하는 층으로서 도전성 물질로 형성될 수 있다. 예컨대, 하부 전극층(141), 중간 전극층(145) 및 상부 전극층(148)은 각각 금속, 도전성 금속 질화물, 도전성 금속 산화물, 또는 이들의 조합으로 이루어질 수 있다. 예컨대, 하부 전극층(141), 중간 전극층(145), 및 상부 전극층(148)은 각각, 탄소(C), 티타늄질화물(TiN), 티타늄실리콘질화물(TiSiN), 티타늄카본질화물(TiCN), 티타늄카본실리콘질화물(TiCSiN), 티타늄알루미늄질화물(TiAlN), 탄탈륨(Ta), 탄탈륨질화물(TaN), 텅스텐(W) 및 텅스텐질화물(WN) 중에서 선택된 적어도 하나를 포함할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
하부 전극층(141)과 상부 전극층(148)은 선택적으로 형성될 수 있다. 다시 말해서, 하부 전극층(141)과 상부 전극층(148)은 생략될 수도 있다. 다만, 선택 소자층(143) 및 가변 저항층(149)이 제1 및 제2 전극 라인들(110, 120)과 직접 콘택함에 따라 발생할 수 있는 오염이나 접촉 불량 등을 방지하기 위하여, 하부 전극층(141) 및 상부 전극층(148)은 제1 및 제2 전극 라인들(110, 120)과 선택 소자층(143) 및 가변 저항층(149) 사이에 배치될 수 있다.
한편, 중간 전극층(145)은 가열 전극층(147)으로부터 열이 선택 소자층(143)으로 전달되는 것을 방지하기 위하여 구비되어야 한다. 일반적으로, 선택 소자층(143)은 비정질 상태의 칼코게나이드 스위칭 물질을 포함할 수 있다. 그러나 메모리 소자(100)의 다운 스케일링 경향에 따라 가변 저항층(149), 선택 소자층(143), 가열 전극층(147), 중간 전극층(145)의 두께, 폭 및 이들 사이의 거리가 감소할 수 있다. 따라서, 메모리 소자(100)의 구동 과정에서, 가열 전극층(147)이 발열하여 가변 저항층(149)을 상변화 시킬 때 이에 인접하게 배치되는 선택 소자층(143)에도 상기 발열에 의한 영향이 가해질 수 있다. 예컨대, 인접한 가열 전극층(147)으로부터의 열에 의해 선택 소자층(143)이 부분적으로 결정화되는 등의 선택 소자층(143)의 열화 및 손상이 발생할 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 가열 전극층(147)의 열이 선택 소자층(143)에 전달되지 않도록 중간 전극층(145)이 두껍게 형성될 수 있다. 도 2 및 도 3에서 중간 전극층(145)이 하부 전극층(141)이나 상부 전극층(148)과 유사한 두께로 형성되고 있지만, 상기 열 차단 기능을 위해 중간 전극층(145)은 하부 전극층(141)이나 상부 전극층(148)보다 두껍게 형성될 수 있다. 예컨대, 중간 전극층(145)은 약 10㎚ 내지 약 100㎚ 정도의 두께를 가질 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
예시적인 실시예들에 있어서, 중간 전극층(145)은 열 차단 기능을 위해 적어도 하나의 열적 장벽(thermal barrier)층을 포함할 수 있다. 중간 전극층(145)이 2개 이상의 열적 장벽층을 포함하는 경우에, 중간 전극층(145)은 열적 장벽층과 전극 물질층이 번갈아 적층되는 구조를 가질 수 있다.
제1 전극 라인들(110) 사이에는 제1 절연층(160a)이 배치되고, 메모리 셀층(MCL)의 메모리 셀들(140) 사이에는 제2 절연층(160b)이 배치될 수 있다. 또한, 제2 전극 라인들(120) 사이에는 제3 절연층(160c)이 배치될 수 있다. 제1 내지 제3 절연층(160a 내지 160c)은 동일 물질의 절연층으로 형성되거나 적어도 하나는 다른 물질의 절연층으로 형성될 수 있다. 이러한 제1 내지 제3 절연층(160a 내지 160c)은 예컨대, 산화물 또는 질화물의 유전체 물질로 형성되며, 각층의 소자들을 서로 전기적으로 분리하는 기능을 할 수 있다. 한편, 제2 절연층(160b)을 대신하여 에어갭(미도시)이 형성될 수도 있다. 에어갭이 형성되는 경우, 상기 에어갭과 메모리 셀들(140) 사이에 소정의 두께를 갖는 절연 라이너(미도시)가 형성될 수도 있다.
일반적으로, 칼코게나이드 물질을 선택 소자로 사용하는 메모리 소자에서는 상기 칼코게나이드 물질의 결정화 온도가 낮아, 일반적인 메모리 소자 제조 공정을 활용할 수 없고 3차원 크로스 포인트 적층 구조의 메모리 소자의 제조가 어려운 문제점이 있다. 또한, 상기 칼코게나이드 물질이 비교적 큰 오프 전류를 가짐에 따라, 한번에 동작시킬 수 있는 메모리 셀의 개수가 작고, 내구성이 우수하지 못한 문제점이 있다. 그러나, 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 메모리 소자(100)는 화학식 1 또는 화학식 2에 따른 조성을 갖는 칼코게나이드 스위칭 물질을 포함하는 선택 소자층(143)을 포함할 수 있고, 상기 칼코게나이드 스위칭 물질은 안정적인 스위칭 특성, 낮은 오프 전류, 우수한 열적 안정성 및 우수한 내구성을 나타낼 수 있다. 따라서, 메모리 소자(100)는 우수한 신뢰성을 갖는 3차원 크로스 포인트 적층 구조를 가질 수 있다.
도 4는 오보닉 문턱 스위칭 특성을 갖는 선택 소자층의 전압-전류 곡선을 개략적으로 나타낸 그래프이다.
도 4를 참조하면, 제1 곡선(61)은 선택 소자층(143, 도 3 참조)에 전류가 흐르지 않는 상태의 전압-전류 관계를 나타낸다. 여기서, 선택 소자층(143)은 제1 전압 레벨(63)의 문턱 전압(VT)을 갖는 스위칭 소자로 작용할 수 있다. 전압과 전류가 0인 상태에서 전압이 서서히 증가할 때, 전압이 문턱 전압(VT)(즉, 제1 전압 레벨(63))에 도달할 때까지 선택 소자층(143)에는 거의 전류가 흐르지 않을 수 있다. 그러나 전압이 문턱 전압(VT)을 초과하자마자, 선택 소자층(143)에 흐르는 전류가 급격히 증가할 수 있고, 선택 소자층(143)에 인가되는 전압은 포화 전압(VS)(즉, 제2 전압 레벨(64))까지 감소하게 된다.
제2 곡선(62)은 선택 소자층(143)에 전류가 흐르는 상태에서의 전압-전류 관계를 나타낸다. 선택 소자층(143)에 흐르는 전류가 제1 전류 레벨(66)보다 커짐에 따라 선택 소자층(143)에 인가되는 전압은 제2 전압 레벨(64)보다 약간 증가할 수 있다. 예를 들어, 선택 소자층(143)에 흐르는 전류가 제1 전류 레벨(66)로부터 제2 전류 레벨(67)까지 상당히 증가하는 동안 선택 소자층(143)에 인가되는 전압은 제2 전압 레벨(64)로부터 미미하게 증가할 수 있다. 즉, 선택 소자층(143)을 통해 전류가 일단 흐르게 되면, 선택 소자층(143)에 인가되는 전압은 포화 전압(VS)으로 거의 유지될 수 있다. 만약, 전류가 유지 전류 레벨(즉, 제1 전류 레벨(66)) 이하로 감소하게 되면, 선택 소자층(143)은 다시 저항 상태로 전환되어, 전압이 문턱 전압(VT)으로 증가할 때까지 전류를 효과적으로 블로킹할 수 있다.
도 4에 도시된 것과 같이, 메모리 소자가 오프 상태일 때(예를 들어, 문턱 전압(VT)보다 낮은 소정의 전압이 인가되는 상태)에서도 작은 양의 전류가 흐를 수 있다. 이러한 오프 상태의 누설 전류가 클수록 한번에 동작시킬 수 있는 메모리 셀의 개수가 작고 안정적인 스위칭 특성을 나타내지 못하여, 3차원 크로스 포인트 구조의 메모리 소자를 구현하기 어려운 문제점이 있을 수 있다. 그러나, 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 선택 소자층(143)은 화학식 1 또는 화학식 2에 따른 조성을 갖는 칼코게나이드 스위칭 물질을 포함한다. 따라서, 선택 소자층(143)은 안정적인 스위칭 특성, 낮은 오프 전류를 가질 수 있고, 메모리 소자(100)는 우수한 신뢰성을 갖는 3차원 크로스 포인트 적층 구조를 가질 수 있다.
아래에서는 도 5 및 도 6a 내지 도 6c를 참조로 하여 예시적인 실시예들에 따른 칼코게나이드 스위칭 물질을 포함하는 메모리 소자들의 특성들에 대하여 상세히 논의하도록 한다.
도 5는 예시적인 실시예들에 따른 칼코게나이드 스위칭 물질의 조성 범위를 나타내는 3원계 상태도(ternary phase diagram)이다.
도 5를 참조하면, 예시적인 실시예들에 따른 칼코게나이드 스위칭 물질은 상기 화학식 1에 따른 제1 조성 범위(R1) 및 제2 조성 범위(R2)를 가질 수 있다. 예를 들어, 제1 조성 범위(R1)는 약 20 내지 40 at%의 저머늄(Ge), 약 40 내지 70 at%의 셀레늄(Se), 및 약 5 내지 약 25 at%의 텔루륨(Te)을 포함하는 3원계 칼코게나이드 스위칭 물질의 조성에 대응될 수 있고, 제2 조성 범위(R2)는 약 25 내지 35 at%의 저머늄(Ge), 약 45 내지 65 at%의 셀레늄(Se), 및 약 10 내지 약 20 at%의 텔루륨(Te)을 포함하는 3원계 칼코게나이드 스위칭 물질의 조성에 대응될 수 있다.
도 6a 내지 도 6c는 예시적인 실시예들에 따른 칼코게나이드 스위칭 물질을 포함하는 메모리 소자들의 특성들을 나타내는 그래프들이다.
도 6a 내지 도 6c에는 제2 조성 범위(R2)의 3원계 칼코게나이드 스위칭 물질의 오프 전류(6A_R2), 휘발 온도(6B_R2), 및 내구성(6C_R2)을 각각 도시하였다. 도 6a 내지 도 6c에서 오프 전류(6A_R2), 휘발 온도(6B_R2), 및 내구성(6C_R2) 각각의 수치들은 임의의 단위로서 기재되었다.
도 6a를 참조하면, 제2 조성 범위(R2)의 3원계 칼코게나이드 스위칭 물질은 그 조성 범위의 실질적으로 전체 면적에 걸쳐 현저히 낮은 오프 전류를 나타낸다. 예를 들어, 제2 조성 범위(R2)의 3원계 칼코게나이드 스위칭 물질은 수십 pA 오더의 오프 전류를 가질 수 있고, 이는 종래의 오보닉 문턱 스위칭(OTS) 특성을 갖는 칼코게나이드 물질을 통해 얻을 수 있는 오프 전류에 비하여 현저히 낮은 레벨에 해당될 수 있다. 또한 이는 종래의 다이오드 타입의 스위칭 소자에서 얻을 수 있는 현저히 낮은 레벨에 해당될 수 있다.
도 6b 및 도 6c를 참조하면, 제2 조성 범위(R2)의 3원계 칼코게나이드 스위칭 물질은 우수한 열적 안정성 및 내구성을 나타냄을 확인할 수 있다. 특히, 도 6b를 참조하면, 저머늄(Ge)의 함량이 약 20 at%로부터 약 40 at%까지 증가할수록 상기 3원계 칼코게나이드 스위칭 물질의 휘발 온도가 증가함을 확인할 수 있다.
또한 도 6c를 참조하면, 텔루륨(Te)의 함량이 약 5 at%로부터 약 25 at%까지 증가할수록, 및/또는 저머늄(Ge)의 함량이 약 20 at%로부터 약 40 at%까지 증가할수록 상기 3원계 칼코게나이드 스위칭 물질의 내구성이 향상됨을 확인할 수 있다
앞서 설명한 바와 같이, 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 칼코게나이드 스위칭 물질은 저머늄(Ge)을 약 20 내지 40 at%, 셀레늄(Se)을 약 40 내지 70 at%, 및 텔루륨(Te)을 약 5 내지 25 at% 포함할 수 있다. 상기 칼코게나이드 스위칭 물질은 저머늄(Ge)을 약 20 내지 40 at% 포함함에 따라 우수한 열적 안정성 및 낮은 오프 전류를 가질 수 있고, 셀레늄(Se)을 약 40 내지 70 at% 포함함에 따라 오프 전류가 감소될 수 있으며, 텔루륨(Te)을 약 5 내지 25 at% 포함함에 따라 향상된 내구성을 가질 수 있다. 또한 상기 칼코게나이드 스위칭 물질은 실리콘을 포함하지 않으며, 이에 따라 우수한 막 품질의 선택 소자층(143)이 형성될 수 있다. 따라서 상기 메모리 소자는 현저히 낮은 오프 전류, 우수한 열적 안정성 및 우수한 신뢰성을 나타낼 수 있다.
도 7 내지 도 10은 예시적인 실시예들에 따른 메모리 소자에 대한 단면도들로서, 도 3의 단면도에 대응한다. 도 2 및 도 3에서 이미 설명한 내용은 간단히 설명하거나 생략한다.
도 7을 참조하면, 본 실시예의 메모리 소자(100a)는, 하부 전극층(141) 및 선택 소자층(143)이 다마신 구조로 형성된다는 점에서, 도 3의 메모리 소자(100)와 다를 수 있다. 구체적으로 본 실시예의 메모리 소자(100a)에서는, 하부 전극층(141) 및 선택 소자층(143)은 다마신 공정으로 형성되고, 중간 전극층(145), 가열 전극층(147), 가변 저항층(149) 및 상부 전극층(148)은 양각 식각 공정을 통해 형성될 수 있다. 그에 따라, 하부 전극층(141) 및 선택 소자층(143)은 하부로 갈수록 폭이 좁아지는 구조를 가질 수 있다.
또한, 본 실시예의 메모리 소자(100a)는 하부 전극층(141) 및 선택 소자층(143)의 측면에 하부 스페이서(152)가 형성될 수 있다. 본 실시예의 메모리 소자(100a)에서, 하부 전극층(141) 및 선택 소자층(143)이 다마신 공정으로 형성될 때, 트렌치 내 측벽에 미리 하부 스페이서(152)가 형성되고 그 후에 하부 전극층(141) 및 선택 소자층(143)이 형성될 수 있다. 그에 따라, 본 실시예의 메모리 소자(100a)는 하부 전극층(141) 및 선택 소자층(143)의 측면에 하부 스페이서(152)를 포함할 수 있다. 하부 스페이서(152)가 생략될 수 있음은 물론이다.
도 8을 참조하면, 본 실시예의 메모리 소자(100b)는, 가변 저항층(149)이 다마신 구조로 형성된다는 점에서, 도 3의 메모리 소자(100)와 다를 수 있다. 구체적으로, 본 실시예의 메모리 소자(100b)에서, 하부 전극층(141), 선택 소자층(143), 중간 전극층(145), 가열 전극층(147) 및 상부 전극층(148)은 양각 식각으로 형성되고, 가변 저항층(149)은 다마신 공정으로 형성될 수 있다. 또한, 본 실시예의 메모리 소자(100b)에서, 가변 저항층(149)의 측면에 상부 스페이서(155)가 형성될 수 있다. 이러한 상부 스페이서(155)는 앞서 도 7의 메모리 소자(100a)의 하부 스페이서(152)를 형성하는 방법과 동일한 방법으로 형성될 수 있다. 예컨대, 절연층(미도시) 상에 트렌치를 형성하고, 트렌치 내 측벽에 상부 스페이서(155)를 형성한 후, 남은 트렌치를 가변 저항층(149) 물질로 채움으로써 형성할 수 있다. 상부 스페이서(155)가 생략될 수 있음은 물론이다.
도 9를 참조하면, 본 실시예의 메모리 소자(100c)는, 가변 저항층(149)이 다마신 구조로 형성되되 'L'형 구조로 형성된다는 점에서, 도 8의 메모리 소자(100b)와 다를 수 있다. 구체적으로, 본 실시예의 메모리 소자(100c)에서, 하부 전극층(141), 선택 소자층(143), 중간 전극층(145), 가열 전극층(147) 및 상부 전극층(148)은 양각 식각으로 형성되고, 가변 저항층(149)은 다마신 공정으로 형성될 수 있다.
한편, 본 실시예의 메모리 소자(100c) 역시, 가변 저항층(149)의 측면에 상부 스페이서(155)가 형성될 수 있다. 다만, 가변 저항층(149)이 'L'형 구조로 형성됨에 따라, 상부 스페이서(155)는 비대칭 구조로 형성될 수 있다. 가변 저항층(149)을 다마신 공정으로 'L'형 구조로 형성하는 방법을 간단히 설명하면, 먼저, 가열 전극층(147) 상에 상부 스페이서 형성용 절연층을 형성하고, 상기 절연층에 트렌치를 형성한다. 상기 트렌치는 인접하는 메모리 셀들(140)에 함께 오버랩되도록 넓게 형성한다. 다음, 트렌치 내부 및 절연층 상에 가변 저항층을 구성할 제1 물질층으로 얇게 형성한 후, 상기 제1 물질층 상에 상부 스페이서를 구성할 제2 물질층을 형성한다. 이후 상기 절연층의 상면이 노출되도록 화학적 기계적 연마(Chemical Mechanical Polishing, CMP) 공정 등을 통해 평탄화한다. 평탄화 후, 메모리 셀들(140)에 정렬되는 마스크 패턴을 형성하고, 상기 마스크 패턴을 이용하여 제1 물질층과 제2 물질층을 식각함으로써, 'L'형 구조의 가변 저항층(149) 및 상부 스페이서(155)를 형성할 수 있다.
도 10을 참조하면, 본 실시예의 메모리 소자(100d)는, 가변 저항층(149)이 대쉬(dash) 구조로 형성된다는 점에서, 도 9의 메모리 소자(100c)와 다를 수 있다. 대쉬 구조의 가변 저항층(149)은 'L'형 구조로 형성하는 방법과 유사한 방법으로 형성될 수 있다. 예컨대, 상기 트렌치 내부 및 절연층 상에 가변 저항층(149)을 구성할 제1 물질층을 얇게 형성한 후, 이방성 식각을 통해 트렌치 측벽으로만 상기 제1 물질층을 남긴다. 이후, 남은 상기 제1 물질층을 덮도록 제2 물질층을 형성한다. 이후 상기 절연층의 상면이 노출되도록 CMP 공정 등을 통해 평탄화한다. 평탄화 후, 메모리 셀들(140)에 정렬되는 마스크 패턴을 형성하고, 상기 마스크 패턴을 이용하여 상기 제2 물질층을 식각함으로써, 대쉬 구조의 가변 저항층(149) 및 상부 스페이서(155)를 형성할 수 있다.
도 11은 예시적인 실시예들에 따른 메모리 소자에 대한 사시도이고, 도 12는 도 11의 2X-2X' 및 2Y-2Y' 부분을 절단하여 보여주는 단면도이다. 도 2 및 도 3에서 이미 설명한 내용은 간단히 설명하거나 생략한다.
도 11 및 도 12를 참조하면, 메모리 소자(200)는 기판(101) 상에 제1 전극 라인층(110L), 제2 전극 라인층(120L), 제3 전극 라인층(130L), 제1 메모리 셀층(MCL1), 및 제2 메모리 셀층(MCL2)을 포함할 수 있다.
도시된 바와 같이, 기판(101) 상에는 층간 절연층(105)이 배치될 수 있다. 제1 전극 라인층(110L)은 제1 방향(X 방향)으로 상호 평행하게 연장하는 복수의 제1 전극 라인들(110)을 포함할 수 있다. 제2 전극 라인층(120L)은 제1 방향에 수직하는 제2 방향(Y 방향)으로 상호 평행하게 연장하는 복수의 제2 전극 라인들(120)을 포함할 수 있다. 또한, 제3 전극 라인층(130L)은 제1 방향(X 방향)으로 상호 평행하게 연장하는 복수의 제3 전극 라인들(130)을 포함할 수 있다. 한편, 제3 전극 라인들(130)은 제3 방향(Z 방향)의 위치만 다를 뿐, 연장 방향이나 배치 구조에서 제1 전극 라인들(110)과 실질적으로 동일할 수 있다. 따라서, 제3 전극 라인들(130)은 제3 전극 라인층(130L)의 제1 전극 라인들로 언급될 수도 있다.
메모리 소자(200)의 구동 측면에서, 제1 전극 라인들(110)과 제3 전극 라인들(130)은 워드 라인에 해당할 수 있고, 제2 전극 라인들(120)은 비트 라인에 해당할 수 있다. 또한, 반대로 제1 전극 라인들(110)과 제3 전극 라인들(130)이 비트 라인에 해당하고, 제2 전극 라인들(120)이 워드 라인에 해당할 수도 있다. 제1 전극 라인들(110)과 제3 전극 라인들(130)이 워드 라인에 해당하는 경우에, 제1 전극 라인들(110)은 하부 워드 라인에 해당하고, 제3 전극 라인들(130)은 상부 워드 라인에 해당하며, 제2 전극 라인들(120)은 하부 워드 라인과 상부 워드 라인에 공유되므로 공통 비트 라인에 해당할 수 있다.
제1 전극 라인들(110), 제2 전극 라인들(120) 및 제3 전극 라인들(130)은 각각 금속, 도전성 금속 질화물, 도전성 금속 산화물, 또는 이들의 조합으로 이루어질 수 있다. 또한, 제1 전극 라인들(110), 제2 전극 라인들(120) 및 제3 전극 라인들(130)은 각각 금속막과, 상기 금속막의 적어도 일부를 덮는 도전성 장벽층을 포함할 수 있다.
제1 메모리 셀층(MCL1)은 제1 방향 및 제2 방향으로 서로 이격된 복수의 제1 메모리 셀들(140-1)을 포함할 수 있다. 제2 메모리 셀층(MCL2)은 제1 방향 및 제2 방향으로 서로 이격된 복수의 제2 메모리 셀들(140-2)을 포함할 수 있다. 도시된 바와 같이, 제1 전극 라인들(110)과 제2 전극 라인들(120)은 서로 교차하며, 제2 전극 라인들(120)과 제3 전극 라인들(130)은 서로 교차할 수 있다. 제1 메모리 셀들(140-1)은 제1 전극 라인층(110L)과 제2 전극 라인층(120L) 사이의 제1 전극 라인들(110)과 제2 전극 라인들(120)이 교차하는 부분들에 배치될 수 있다. 제2 메모리 셀들(140-2)은 제2 전극 라인층(120L)과 제3 전극 라인층(130L) 사이의 제2 전극 라인들(120)과 제3 전극 라인들(130)이 교차하는 부분들에 배치될 수 있다.
제1 메모리 셀들(140-1) 및 제2 메모리 셀들(140-2)은 각각 하부 전극층(141-1, 141-2), 선택 소자층(143-1, 143-2), 중간 전극층(145-1, 145-2), 가열 전극층(147-1, 147-2), 가변 저항층(149-1, 149-2) 및 상부 전극층(148-1, 148-2)을 포함할 수 있다. 제1 메모리 셀들(140-1)과 제2 메모리 셀들(140-2)의 구조는 실질적으로 동일할 수 있다.
제1 전극 라인들(110) 사이에는 제1 절연층(160a)이 배치되고, 제1 메모리 셀층(MCL1)의 제1 메모리 셀들(140-1) 사이에는 제2 절연층(160b)이 배치될 수 있다. 또한, 제2 전극 라인들(120) 사이에는 제3 절연층(160c)이 배치되고, 제2 메모리 셀층(MCL2)의 제2 메모리 셀들(140-2) 사이에는 제4 절연층(160d)이 배치되며, 제3 전극 라인들(130) 사이에는 제5 절연층(160e)이 배치될 수 있다. 제1 내지 제5 절연층(160a 내지 160e)은 동일 물질의 절연층으로 형성되거나 적어도 하나는 다른 물질의 절연층으로 형성될 수 있다. 이러한 제1 내지 제5 절연층(160a 내지 160e)은 예컨대, 산화물 또는 질화물의 유전체 물질로 형성되며, 각층의 소자들을 서로 전기적으로 분리하는 기능을 할 수 있다. 한편, 제2 절연층(160b) 및 제4 절연층(160d) 중 적어도 하나를 대신하여 에어갭들(미도시)이 형성될 수도 있다. 에어갭들이 형성되는 경우, 상기 에어갭들과 제1 메모리 셀들(140-1) 사이, 및/또는 상기 에어갭들과 제2 메모리 셀들(140-2) 사이에 소정의 두께를 갖는 절연 라이너(미도시)가 형성될 수 있다.
본 실시예의 메모리 소자(200)는 기본적으로 도 2 및 도 3의 구조의 메모리 소자(100)를 반복하여 적층한 구조를 가질 수 있다. 그러나 본 실시예의 메모리 소자(200)의 구조가 그에 한정되는 것은 아니다. 예컨대, 본 실시예의 메모리 소자(200)는 도 7 내지 도 10에 예시된 다양한 구조의 메모리 소자(100a 내지 100d)가 적층된 구조를 가질 수도 있다.
도 13은 예시적인 실시예들에 따른 메모리 소자에 대한 사시도이고, 도 14는 도 13의 3X-3X' 및 3Y-3Y' 부분을 절단하여 보여주는 단면도이다. 도 2, 도 3, 도 11 및 도 12에서 이미 설명한 내용은 간단히 설명하거나 생략한다.
도 13 및 도 14를 참조하면, 본 실시예의 메모리 소자(300)는 적층된 4개의 메모리 셀층(MCL1, MCL2, MCL3, MCL4)을 포함하는 4층 구조를 가질 수 있다. 구체적으로 제1 전극 라인층(110L)과 제2 전극 라인층(120L) 사이에 제1 메모리 셀층(MCL1)이 배치되고, 제2 전극 라인층(120L)과 제3 전극 라인층(130L) 사이에 제2 메모리 셀층(MCL2)이 배치될 수 있다. 제3 전극 라인층(130L) 상에 제2 층간 절연층(170)이 형성되고, 제2 층간 절연층(170) 상에 제1 상부 전극 라인층(210L), 제2 상부 전극 라인층(220L), 제3 상부 전극 라인층(230L)이 배치될 수 있다. 제1 상부 전극 라인층(210L)은 제1 전극 라인들(110)과 동일한 구조의 제1 상부 전극 라인들(210)을 포함하고, 제2 상부 전극 라인층(220L)은 제2 전극 라인들(120)과 동일한 구조의 제2 상부 전극 라인들(220)을 포함하며, 제3 상부 전극 라인층(230L)은 제3 전극 라인들(130) 또는 제1 전극 라인들(110)과 동일한 구조의 제3 상부 전극 라인들(230)을 포함할 수 있다. 제1 상부 전극 라인층(210L)과 제2 상부 전극 라인층(220L) 사이에 제1 상부 메모리 셀층(MCL3)이 배치되고, 제2 상부 전극 라인층(220L)과 제3 상부 전극 라인층(230L) 사이에 제2 상부 메모리 셀층(MCL4)이 배치될 수 있다.
제1 전극 라인층(110L) 내지 제3 전극 라인층(130L), 제1 메모리 셀층(MCL1) 및 제2 메모리 셀층(MCL2)은, 도 2, 도 3, 도 11 및 도 12에서 설명한 바와 같다. 또한, 제1 상부 전극 라인층(210L) 내지 제3 상부 전극 라인층(230L), 제1 상부 메모리 셀층(MCL3) 및 제2 상부 메모리 셀층(MCL4) 역시, 제1 층간 절연층(105) 대신 제2 층간 절연층(170) 상에 배치된다는 점을 제외하고, 제1 전극 라인층(110L) 내지 제3 전극 라인층(130L), 제1 메모리 셀층(MCL1) 및 제2 메모리 셀층(MCL2)과 실질적으로 동일할 수 있다.
본 실시예의 메모리 소자(300)는 기본적으로 도 2 및 도 3의 구조의 메모리 소자(100)를 반복하여 적층한 구조를 가질 수 있다. 그러나 본 실시예의 메모리 소자(300)의 구조가 그에 한정되는 것은 아니다. 예컨대, 본 실시예의 메모리 소자(300)는 도 7 내지 도 10에 예시된 다양한 구조의 메모리 소자(100a 내지 100d)가 적층된 구조를 가질 수도 있다.
도 15는 예시적인 실시예들에 따른 메모리 소자에 대한 사시도이고, 도 16은 도 15의 4X-4X' 부분을 절단하여 보여주는 단면도이다. 도 2, 도 3, 도 11 및 도 12에서 이미 설명한 내용은 간단히 설명하거나 생략한다.
도 15 및 도 16을 참조하면, 메모리 소자(400)는 기판(101) 상의 제1 레벨에 형성된 구동 회로 영역(410)과, 기판(101) 상의 제2 레벨에 형성된 제1 메모리 셀층(MCL1) 및 제2 메모리 셀층(MCL2)을 포함할 수 있다.
여기서, 용어 "레벨"은 기판(101)으로부터 수직 방향(도 15 및 도 16에서 Z 방향)을 따르는 높이를 의미한다. 기판(101) 상에서 상기 제1 레벨은 상기 제2 레벨보다 기판(101)에 더 가깝다.
구동 회로 영역(410)은 제1 메모리 셀층(MCL1) 및 제2 메모리 셀층(MCL2)의 메모리 셀들을 구동하기 위한 주변 회로들 또는 구동 회로들이 배치되는 영역들일 수 있다. 예를 들어, 구동 회로 영역(410)에 배치되는 주변 회로들은 제1 메모리 셀층(MCL1) 및 제2 메모리 셀층(MCL2)으로 입력/출력되는 데이터를 고속으로 처리할 수 있는 회로들일 수 있다. 예를 들어 상기 주변 회로들은 페이지 버퍼(page buffer), 래치 회로(latch circuit), 캐시 회로(cache circuit), 칼럼 디코더(column decoder), 감지 증폭기(sense amplifier), 데이터 인/아웃 회로(data in/out circuit) 또는 로우 디코더(row decoder) 등일 수 있다.
기판(101)에는 소자 분리막(104)에 의해 구동 회로용 활성 영역(AC)이 정의될 수 있다. 기판(101)의 활성 영역(AC) 위에는 구동 회로 영역(410)을 구성하는 복수의 트랜지스터(TR)가 형성될 수 있다. 복수의 트랜지스터(TR)는 각각 게이트(G), 게이트 절연막(GD), 및 소스/드레인 영역(SD)을 포함할 수 있다. 게이트(G)의 양 측벽은 절연 스페이서(106)로 덮일 수 있고, 게이트(G) 및 절연 스페이서(106) 위에 식각 정지막(108)이 형성될 수 있다. 식각 정지막(108)은 실리콘 질화물, 실리콘 산질화물 등의 절연 물질을 포함할 수 있다.
식각 정지막(108) 상에 복수의 층간 절연막(412A, 412B, 412C)이 순차적으로 적층될 수 있다. 복수의 층간 절연막(412A, 412B, 412C)은 실리콘 산화물, 실리콘 산질화물, 실리콘 산질화물 등을 포함할 수 있다.
구동 회로 영역(410)은 복수의 트랜지스터(TR)에 전기적으로 연결되는 다층 배선 구조(414)를 포함한다. 다층 배선 구조(414)는 복수의 층간 절연막(412A, 412B, 412C)에 의해 상호 절연될 수 있다.
다층 배선 구조(414)는 기판(101) 상에 차례로 순차적으로 적층되고 상호 전기적으로 연결되는 제1 콘택(416A), 제1 배선층(418A), 제2 콘택(416B), 및 제2 배선층(418B)을 포함할 수 있다. 예시적인 실시예들에서, 제1 배선층(418A) 및 제2 배선층(418B)은 금속, 도전성 금속 질화물, 금속 실리사이드, 또는 이들의 조합으로 이루어질 수 있다. 예를 들면, 제1 배선층(418A) 및 제2 배선층(418B)은 텅스텐, 몰리브덴, 티타늄, 코발트, 탄탈륨, 니켈, 텅스텐 실리사이드, 티타늄 실리사이드, 코발트 실리사이드, 탄탈륨 실리사이드, 니켈 실리사이드 등과 같은 도전 물질을 포함할 수 있다.
도 16에서, 다층 배선 구조(414)가 제1 배선층(418A) 및 제2 배선층(418B)을 포함하는 2층의 배선 구조를 가지는 것으로 예시되었으나, 본 발명의 기술적 사상은 도 16에 예시된 바에 한정되는 것은 아니다. 예를 들면, 구동 회로 영역(410)의 레이아웃, 게이트(G)의 종류 및 배열에 따라 다층 배선 구조(414)가 3층 또는 그 이상의 다층 배선 구조를 가질 수도 있다.
복수의 층간 절연막(412A, 412B, 412C) 상에는 층간 절연층(105)이 형성될 수 있다. 제1 메모리 셀층(MCL1) 및 제2 메모리 셀층(MCL2)은 층간 절연층(105) 상에 배치될 수 있다.
도시되지는 않았지만, 제1 메모리 셀층(MCL1) 및 제2 메모리 셀층(MCL2)과 구동 회로 영역(410)과의 사이에 연결되는 배선 구조물(미도시)이 층간 절연층(105)을 관통하여 배치될 수 있다.
예시적인 실시예들에 따른 메모리 소자(400)에 따르면, 구동 회로 영역(410) 상부에 제1 메모리 셀층(MCL1) 및 제2 메모리 셀층(MCL2)이 배치됨에 따라, 메모리 소자(400)의 집적도가 더욱 높아질 수 있다.
도 17 내지 도 19는 예시적인 실시예들에 따른 도 2의 메모리 소자의 제조 과정을 보여주는 단면도들이다.
도 17을 참조하면, 먼저, 기판(101) 상에 층간 절연층(105)을 형성한다. 층간 절연층(105)은 예컨대, 실리콘산화물 또는 실리콘질화물로 형성할 수 있다. 물론, 층간 절연층(105)의 재질이 상기 물질들에 한정되는 것은 아니다. 층간 절연층(105) 상에 제1 방향(X 방향)으로 연장하고 서로 이격된 복수의 제1 전극 라인들(110)을 구비한 제1 전극 라인층(110L)을 형성한다. 제1 전극 라인들(110)은 양각 식각 공정 또는 다마신 공정으로 형성할 수 있다. 제1 전극 라인들(110)의 재질에 대해서는 도 2 및 도 3의 설명 부분에서 설명한 바와 같다. 제1 전극 라인들(110) 사이에는 제1 방향으로 연장하는 제1 절연층(160a)이 배치될 수 있다.
제1 전극 라인층(110L) 및 제1 절연층(160a) 상에 하부 전극용 물질층(141k), 선택 소자용 물질층(143k), 중간 전극용 물질층(145k), 가열 전극용 물질층(147k), 가변 저항용 물질층(149k) 및 상부 전극용 물질층(148k)을 순차적으로 적층하여 적층 구조체(140k)를 형성한다. 적층 구조체(140k)를 구성하는 각 물질층의 재질이나 기능 등은 도 2 및 3의 설명 부분에서 설명한 바와 같다.
상기 선택 소자용 물질층(143k)은 저머늄(Ge), 셀레늄(Se), 및 텔루륨(Te)을 포함하고, 보론(B), 카본(C), 질소(N), 산소(O), 인(P), 및 황(S)으로 구성된 군으로부터 선택되는 적어도 하나의 종을 선택적으로 첨가 원소(X)로서 포함하는 칼코게나이드 스위칭 물질(예를 들어, 도 2를 참조로 설명한 화학식 1에 따른 칼코게나이드 스위칭 물질)을 포함하는 타겟을 이용하여 물리 기상 증착(PVD) 공정으로 형성할 수 있다. 또는, 상기 선택 소자용 물질층(143k)은 저머늄(Ge), 셀레늄(Se), 텔루륨(Te) 및 비소(As)를 포함하고, 보론(B), 카본(C), 질소(N), 산소(O), 인(P), 및 황(S)으로 구성된 군으로부터 선택되는 적어도 하나의 종을 선택적으로 첨가 원소(X)로서 포함하는 칼코게나이드 스위칭 물질(예를 들어, 도 2를 참조로 설명한 화학식 2에 따른 칼코게나이드 스위칭 물질)을 포함하는 타겟을 이용하여 PVD 공정으로 형성할 수 있다. 다른 실시예들에 있어서, 상기 선택 소자용 물질층(143k)은 상기 화학식 1 또는 상기 화학식 2에 따른 칼코게나이드 스위칭 물질을 포함하는 소스를 이용하여 화학 기상 증착 공정(Chemcal Vapor Deposition, CVD) 공정 또는 원자층 증착(Atomic Layer Deposition, ALD) 공정으로 형성할 수 있다.
상기 화학식 1 및 화학식 2에 따른 칼코게나이드 스위칭 물질은 실리콘을 포함하지 않을 수 있다. 만약 상기 칼코게나이드 스위칭 물질에 실리콘이 포함되는 경우 상기 타겟 형성 과정에서 상기 타겟 내에서 실리콘 입자들이 뭉쳐 분리되거나 포어가 발생하기 쉽고, 이에 따라 선택 소자용 물질층(143k) 내에 실리콘 입자들이 뭉쳐 분리되어 존재하거나 포어가 형성되고 선택 소자용 물질층(143k)의 막 품질이 우수하지 못할 수 있다. 그러나, 상기 화학식 1 및 화학식 2에 따른 칼코게나이드 스위칭 물질이 실리콘을 포함하지 않으므로, 상기 PVD 공정에 의해 형성된 선택 소자용 물질층(143k)은 우수한 막 품질을 갖도록 형성될 수 있다.
도 18을 참조하면, 적층 구조체(140k, 도 17 참조) 형성 후, 적층 구조체(140k) 상에 제1 방향(X 방향) 및 제2 방향(Y 방향)으로 서로 이격된 마스크 패턴(미도시)을 형성한다. 이후, 상기 마스크 패턴을 이용하여 제1 절연층(160a)과 제1 전극 라인들(110)의 상면 일부가 노출되도록 적층 구조체(140k)를 식각하여, 복수의 메모리 셀들(140)을 형성한다.
메모리 셀들(140)은 상기 마스크 패턴의 구조에 따라, 제1 방향 및 제2 방향으로 서로 이격되고, 하부의 제1 전극 라인들(110)에 전기적으로 연결될 수 있다. 또한, 메모리 셀들(140)은 각각 하부 전극층(141), 선택 소자층(143), 중간 전극층(145), 가열 전극층(147), 가변 저항층(149) 및 상부 전극층(148)을 포함할 수 있다. 메모리 셀들(140) 형성 후, 남은 마스크 패턴은 애싱(ashing) 및 스트립(strip) 공정을 통해 제거한다.
전술한 메모리 셀들(140)의 형성 방법은 양각 식각 공정에 의한 것일 수 있다. 그러나 메모리 셀들(140)의 형성 방법이 양각 식각 공정에 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 실시예에서, 메모리 셀들(140)은 다마신 공정으로도 형성될 수 있다. 예를 들어, 메모리 셀들(140) 중 가변 저항층(149)을 다마신 공정으로 형성하는 경우, 절연 물질층을 먼저 형성한 후, 상기 절연 물질층을 식각하여 가열 전극층(147)의 상면을 노출하는 트렌치를 형성한다. 이후, 트렌치에 상변화 물질을 채우고, CMP 공정 등을 이용하여 평탄화함으로써, 가변 저항층(149)을 형성한다.
도 19를 참조하면, 메모리 셀들(140) 사이를 채우는 제2 절연층(160b)을 형성한다. 제2 절연층(160b)은 제1 절연층(160a)과 동일 또는 다른 산화물 또는 질화물로 형성될 수 있다. 메모리 셀들(140) 사이를 완전히 채우도록 절연 물질층을 충분한 두께로 형성하고, CMP 공정 등을 통해 평탄화하여 상부 전극층(148)의 상면이 노출되도록 함으로써, 제2 절연층(160b)을 형성할 수 있다.
이후, 제2 전극 라인층을 위한 도전층을 형성하고 식각을 통해 패터닝함으로써, 제2 전극 라인들(120)을 형성할 수 있다. 제2 전극 라인들(120)은 제2 방향(Y방향)으로 연장하고 서로 이격될 수 있다. 제2 전극 라인들(120) 사이에는 제2 방향으로 연장하는 제3 절연층(160c)이 배치될 수 있다. 전술한 제2 전극 라인들(120)의 형성 방법은 양각 식각 공정에 의한 것일 수 있다. 그러나 제2 전극 라인들(120)의 형성 방법이 양각 식각 공정에 한정되는 것은 아니다. 예컨대, 제2 전극 라인들(120)은 다마신 공정으로도 형성될 수 있다. 제2 전극 라인들(120)을 다마신 공정으로 형성하는 경우, 메모리 셀들(140) 및 제2 절연층(160b) 상에 절연 물질층을 형성한 후, 상기 절연 물질층을 식각하여 제2 방향으로 연장하고 가변 저항층(149)의 상면을 노출하는 트렌치를 형성한다. 이후, 트렌치에 도전 물질을 채우고 평탄화함으로써, 제2 전극 라인들(120)을 형성한다. 경우에 따라, 메모리 셀들(140) 사이를 채우는 절연 물질층을 두껍게 형성하고 평탄화한 후, 상기 절연 물질층에 트렌치를 형성하여 제2 전극 라인들(120)을 형성할 수도 있다. 이러한 경우, 제2 절연층과 제3 절연층은 동일 물질로 일체형(one-body type)으로 형성될 수 있다.
이상에서와 같이 도면과 명세서에서 예시적인 실시예들이 개시되었다. 본 명세서에서 특정한 용어를 사용하여 실시예들을 설명되었으나, 이는 단지 본 개시의 기술적 사상을 설명하기 위한 목적에서 사용된 것이지 의미 한정이나 특허청구범위에 기재된 본 개시의 범위를 제한하기 위하여 사용된 것은 아니다. 그러므로 본 기술분야의 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서, 본 개시의 진정한 기술적 보호범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의해 정해져야 할 것이다.
100, 200, 300, 400: 메모리 소자, 140: 메모리 셀
141: 하부 전극층, 143: 선택 소자층, 145: 중간 전극층
147: 가열 전극층, 148: 상부 전극층, 149: 가변 저항층

Claims (20)

  1. 가변 저항층; 및
    상기 가변 저항층과 전기적으로 연결되도록 위치하며, 하기의 화학식 1에 따른 조성을 갖는 칼코게나이드 스위칭 물질을 포함하는 선택 소자층;을 포함하는 메모리 소자,
    <화학식 1>
    [GeA SeB TeC](1-U) [X]U
    (여기에서, 0.20 ≤ A ≤ 0.40이고, 0.40 ≤ B ≤ 0.70이고, 0.05 ≤ C ≤ 0.25고, A + B + C = 1이고, 0.0 ≤ U ≤ 0.20이고 X는 보론(B), 카본(C), 질소(N), 산소(O), 인(P), 및 황(S)으로 구성된 군으로부터 선택되는 적어도 하나의 종이다.).
  2. 제1항에 있어서, 상기 화학식 1에서 A는 0.25 내지 0.35의 범위이며, B는 0.45 내지 0.65의 범위이며, C는 0.10 내지 0.20의 범위인 것을 특징으로 하는 메모리 소자.
  3. 제1항에 있어서, 상기 화학식 1에서 X가 보론(B)일 때 U는 0.001 내지 0.20의 범위이고, X가 카본(C)일 때 U는 0.001 내지 0.10의 범위이고, X가 질소(N)일 때 U는 0.08 내지 0.20의 범위이고, X가 인(P)일 때 U는 0.001 내지 0.08의 범위이고, X가 황(S)일 때 U는 0.001 내지 0.08의 범위인 것을 특징으로 하는 메모리 소자.
  4. 제1항에 있어서, 상기 칼코게나이드 스위칭 물질은 상기 화학식 1에서 비소(As)가 더 포함된 하기의 화학식 2의 조성을 갖는 것을 특징으로 하는 메모리 소자,
    <화학식 2>
    [GeA SeB TeC AsD](1-U) [X]U
    (여기에서, 0.20 ≤ A ≤ 0.35이고, 0.45 ≤ B ≤ 0.65이고, 0.04 ≤ C ≤ 0.18이고, 0.0 < D ≤ 0.18이고, A + B + C + D = 1이고, 0.0 ≤ U ≤ 0.20이고 X는 보론(B), 카본(C), 질소(N), 산소(O), 인(P), 및 황(S)으로 구성된 군으로부터 선택되는 적어도 하나의 종이다.).
  5. 제4항에 있어서, 상기 화학식 2에서 A는 0.20 내지 0.30의 범위이며, B는 0.45 내지 0.60의 범위이며, C는 0.04 내지 0.18의 범위이며, D는 0.04 내지 0.18의 범위인 것을 특징으로 하는 메모리 소자.
  6. 제1항에 있어서, 상기 칼코게나이드 스위칭 물질은 실리콘(Si)을 포함하지 않는 것을 특징으로 하는 메모리 소자.
  7. 제1항에 있어서, 상기 칼코게나이드 스위칭 물질은 안티몬(Sb)을 포함하지 않는 것을 특징으로 하는 메모리 소자.
  8. 제1항에 있어서, 상기 칼코게나이드 스위칭 물질은 오보닉 문턱 스위칭(ovonic threshold switching) 특성을 나타내도록 구성되는 것을 특징으로 하는 메모리 소자.
  9. 제1항에 있어서, 상기 가변 저항층은 상기 칼코게나이드 스위칭 물질과는 다른 조성을 갖는 칼코게나이드 메모리 물질을 포함하고, 상기 칼코게나이드 메모리 물질은 실리콘(Si), 저머늄(Ge), 안티몬(Sb), 텔루륨(Te), 비스무트(Bi), 인듐(In), 주석(Sn) 및 셀레늄(Se)으로 구성된 군으로부터 선택되는 적어도 2개의 종들을 포함하는 것을 특징으로 하는 메모리 소자.
  10. 제9항에 있어서, 상기 칼코게나이드 메모리 물질은 보론(B), 카본(C), 질소(N), 및 산소(O)로 구성된 군으로부터 선택되는 적어도 하나의 종을 더 포함하며, 상기 칼코게나이드 메모리 물질의 용융점은 800℃보다 낮은 것을 특징으로 하는 메모리 소자.
  11. 기판 상에 형성되며, 상기 기판의 상면에 평행한 제1 방향으로 연장되는 복수의 제1 전극 라인;
    상기 복수의 제1 전극 라인 상에 형성되며, 상기 기판의 상면에 평행하고 상기 제1 방향과 다른 제2 방향으로 연장되는 복수의 제2 전극 라인;
    상기 복수의 제2 전극 라인 상에 형성되며, 상기 제1 방향으로 연장되는 복수의 제3 전극 라인; 및
    상기 복수의 제1 전극 라인과 상기 복수의 제2 전극 라인 사이의 상기 복수의 제1 전극 라인과 상기 복수의 제2 전극 라인이 교차하는 부분들 및 상기 복수의 제2 전극 라인과 상기 복수의 제3 전극 라인 사이의 상기 복수의 제2 전극 라인과 상기 복수의 제3 전극 라인이 교차하는 부분들에 각각 형성되는 복수의 메모리 셀을 포함하고,
    상기 복수의 메모리 셀 각각은 선택 소자층 및 가변 저항층을 포함하고,
    상기 선택 소자층은 하기의 화학식 1에 따른 조성을 갖는 칼코게나이드 스위칭 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 메모리 소자,
    <화학식 1>
    [GeA SeB TeC](1-U) [X]U
    (여기에서, 0.20 ≤ A ≤ 0.40이고, 0.40 ≤ B ≤ 0.70이고, 0.05 ≤ C ≤ 0.25고, A + B + C = 1이고, 0.0 ≤ U ≤ 0.20이고 X는 보론(B), 카본(C), 질소(N), 산소(O), 인(P), 및 황(S)으로 구성된 군으로부터 선택되는 적어도 하나의 종이다.).
  12. 제11항에 있어서, 상기 화학식 1에서 A는 0.25 내지 0.35의 범위이며, B는 0.45 내지 0.65의 범위이며, C는 0.10 내지 0.20의 범위인 것을 특징으로 하는 메모리 소자.
  13. 제11항에 있어서, 상기 화학식 1에서 X가 보론(B)일 때 U는 0.001 내지 0.20의 범위이고, X가 카본(C)일 때 U는 0.001 내지 0.10의 범위이고, X가 질소(N)일 때 U는 0.08 내지 0.20의 범위이고, X가 인(P)일 때 U는 0.001 내지 0.08의 범위이고, X가 황(S)일 때 U는 0.001 내지 0.08의 범위인 것을 특징으로 하는 메모리 소자.
  14. 제11항에 있어서, 상기 칼코게나이드 스위칭 물질은 상기 화학식 1에서 비소(As)가 더 포함된 하기의 화학식 2의 조성을 갖는 것을 특징으로 하는 메모리 소자,
    <화학식 2>
    [GeA SeB TeC AsD](1-U) [X]U
    (여기에서, 0.20 ≤ A ≤ 0.35이고, 0.45 ≤ B ≤ 0.65이고, 0.04 ≤ C ≤ 0.18이고, 0.0 < D ≤ 0.18이고, A + B + C + D = 1이고, 0.0 ≤ U ≤ 0.20이고 X는 보론(B), 카본(C), 질소(N), 산소(O), 인(P), 및 황(S)으로 구성된 군으로부터 선택되는 적어도 하나의 종이다.).
  15. 제14항에 있어서, 상기 화학식 2에서 A는 0.20 내지 0.30의 범위이며, B는 0.45 내지 0.60의 범위이며, C는 0.04 내지 0.18의 범위이며, D는 0.04 내지 0.18의 범위인 것을 특징으로 하는 메모리 소자.
  16. 제11항에 있어서, 상기 칼코게나이드 스위칭 물질은 실리콘(Si)을 포함하지 않는 것을 특징으로 하는 메모리 소자.
  17. 제11항에 있어서, 상기 칼코게나이드 스위칭 물질은 안티몬(Sb)을 포함하지 않는 것을 특징으로 하는 메모리 소자.
  18. 제11항에 있어서, 상기 가변 저항층은 기둥 구조, 뿔 구조, L형 구조 및 대쉬(dash) 구조 중 어느 하나의 구조를 가지는 것을 특징으로 하는 메모리 소자.
  19. 제11항에 있어서, 상기 복수의 메모리 셀 각각은 제1 전극층, 제2 전극층 및 제3 전극층을 더 포함하고,
    상기 제1 전극층 및 상기 제2 전극층 사이에 상기 선택 소자층이 배치되고, 상기 제2 전극층 및 상기 제3 전극층 사이에 상기 가변 저항층이 배치되는 것을 특징으로 하는 메모리 소자.
  20. 제11항에 있어서, 상기 복수의 제1 전극 라인의 하부에 배치되고 상기 복수의 메모리 셀을 구동하기 위한 주변 회로들 또는 구동 회로들을 포함하는 구동 회로 영역을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 메모리 소자.
KR1020170038666A 2017-03-27 2017-03-27 메모리 소자 KR102295524B1 (ko)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020170038666A KR102295524B1 (ko) 2017-03-27 2017-03-27 메모리 소자
US15/832,958 US10403681B2 (en) 2017-03-27 2017-12-06 Memory device including a variable resistance material layer
JP2018059450A JP2018164085A (ja) 2017-03-27 2018-03-27 可変抵抗物質層を含むメモリ素子
CN201810257802.9A CN108666417B (zh) 2017-03-27 2018-03-27 包括可变电阻材料层的存储器件

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020170038666A KR102295524B1 (ko) 2017-03-27 2017-03-27 메모리 소자

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20180109287A KR20180109287A (ko) 2018-10-08
KR102295524B1 true KR102295524B1 (ko) 2021-08-30

Family

ID=63581179

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020170038666A KR102295524B1 (ko) 2017-03-27 2017-03-27 메모리 소자

Country Status (4)

Country Link
US (1) US10403681B2 (ko)
JP (1) JP2018164085A (ko)
KR (1) KR102295524B1 (ko)
CN (1) CN108666417B (ko)

Families Citing this family (32)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10727405B2 (en) 2017-03-22 2020-07-28 Micron Technology, Inc. Chalcogenide memory device components and composition
US10163977B1 (en) 2017-03-22 2018-12-25 Micron Technology, Inc. Chalcogenide memory device components and composition
US10374009B1 (en) * 2018-07-17 2019-08-06 Macronix International Co., Ltd. Te-free AsSeGe chalcogenides for selector devices and memory devices using same
US11264506B2 (en) 2018-10-31 2022-03-01 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
CN111223507B (zh) * 2018-11-27 2023-11-14 美光科技公司 硫族化物存储器装置组件和组合物
EP3660932A1 (en) * 2018-11-30 2020-06-03 Micron Technology, INC. Chalcogenide memory device selector component and composition
KR102188583B1 (ko) * 2018-12-03 2020-12-09 마이크론 테크놀로지, 인크 칼코게나이드 메모리 디바이스 컴포넌트들 및 조성물
CN109638153A (zh) * 2018-12-06 2019-04-16 华中科技大学 一种选通管材料、选通管器件及其制备方法
JP2020145364A (ja) 2019-03-08 2020-09-10 キオクシア株式会社 記憶装置
JP2020155560A (ja) 2019-03-19 2020-09-24 キオクシア株式会社 記憶装置
JP2020176297A (ja) * 2019-04-17 2020-10-29 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 スパッタリングターゲット及びその製造方法、メモリ装置の製造方法
JP2021048258A (ja) 2019-09-18 2021-03-25 キオクシア株式会社 抵抗変化素子
US11289540B2 (en) 2019-10-15 2022-03-29 Macronix International Co., Ltd. Semiconductor device and memory cell
CN110760805B (zh) * 2019-11-29 2022-02-08 成都先锋材料有限公司 一种薄膜、镀层、化合物靶材及其制作方法、应用
FR3104813A1 (fr) * 2019-12-16 2021-06-18 Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Energies Alternatives Cellule elementaire comportant une memoire resistive et un dispositif destine a former un selecteur, matrice de cellules, procedes de fabrication et d’initialisation associes
US11404480B2 (en) 2019-12-26 2022-08-02 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Memory arrays including continuous line-shaped random access memory strips and method forming same
JP6908738B1 (ja) * 2020-01-06 2021-07-28 ウィンボンド エレクトロニクス コーポレーション 抵抗変化型記憶装置
JP6985431B2 (ja) * 2020-01-06 2021-12-22 ウィンボンド エレクトロニクス コーポレーション 抵抗変化型記憶装置
JP2021150390A (ja) 2020-03-17 2021-09-27 キオクシア株式会社 記憶装置
JP2021150522A (ja) 2020-03-19 2021-09-27 キオクシア株式会社 記憶装置
US11362276B2 (en) 2020-03-27 2022-06-14 Macronix International Co., Ltd. High thermal stability SiOx doped GeSbTe materials suitable for embedded PCM application
US11355552B2 (en) * 2020-08-06 2022-06-07 Macronix International Co., Ltd. Memory material, and memory device applying the same
US11805661B2 (en) * 2020-08-27 2023-10-31 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
JP2022049883A (ja) 2020-09-17 2022-03-30 キオクシア株式会社 磁気記憶装置
US20220123209A1 (en) * 2020-10-16 2022-04-21 Macronix International Co., Ltd. SELECTOR DEVICES INCLUDING S-DOPED AsSeGeSi CHALCOGENIDES
KR20220063573A (ko) * 2020-11-10 2022-05-17 삼성전자주식회사 칼코겐 화합물 및 이를 포함하는 반도체 소자
US11737289B2 (en) * 2020-12-09 2023-08-22 International Business Machines Corporation High density ReRAM integration with interconnect
WO2022151184A1 (en) * 2021-01-14 2022-07-21 Yangtze Advanced Memory Industrial Innovation Center Co., Ltd Phase-change memory cell structure and method for fabricating the same
US11348640B1 (en) * 2021-04-05 2022-05-31 Micron Technology, Inc. Charge screening structure for spike current suppression in a memory array
CN113795924A (zh) * 2021-07-28 2021-12-14 长江先进存储产业创新中心有限责任公司 具有包含缺陷减少材料的选择器的相变存储器装置及其形成方法
KR20230077877A (ko) * 2021-11-26 2023-06-02 연세대학교 산학협력단 저항층을 포함하는 다중 레벨의 선택 소자
JP2023127739A (ja) * 2022-03-02 2023-09-14 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 スパッタリングターゲット、カルコゲナイド膜の成膜方法及びメモリ装置

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3348045A (en) 1965-04-22 1967-10-17 Texas Instruments Inc Ge-se-te glass and infrared detection system

Family Cites Families (28)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6967344B2 (en) * 2003-03-10 2005-11-22 Energy Conversion Devices, Inc. Multi-terminal chalcogenide switching devices
US6990017B1 (en) 2004-06-30 2006-01-24 Intel Corporation Accessing phase change memories
US20060056251A1 (en) 2004-09-10 2006-03-16 Parkinson Ward D Using a phase change memory as a replacement for a dynamic random access memory
EP1677371A1 (en) 2004-12-30 2006-07-05 STMicroelectronics S.r.l. Dual resistance heater for phase change devices and manufacturing method thereof
EP1677372B1 (en) 2004-12-30 2008-05-14 STMicroelectronics S.r.l. Phase change memory and manufacturing method thereof
KR100668333B1 (ko) * 2005-02-25 2007-01-12 삼성전자주식회사 Ｐｒａｍ 소자 및 그 제조방법
US7277313B2 (en) 2005-08-31 2007-10-02 Micron Technology, Inc. Resistance variable memory element with threshold device and method of forming the same
US7626190B2 (en) * 2006-06-02 2009-12-01 Infineon Technologies Ag Memory device, in particular phase change random access memory device with transistor, and method for fabricating a memory device
US20070279975A1 (en) * 2006-06-06 2007-12-06 Hudgens Stephen J Refreshing a phase change memory
KR20080105979A (ko) * 2007-05-30 2008-12-04 삼성전자주식회사 저항성 메모리 소자
US8455855B2 (en) 2009-01-12 2013-06-04 Micron Technology, Inc. Memory cell having dielectric memory element
WO2011064801A1 (en) * 2009-11-30 2011-06-03 Andrea Redaelli Memory including a low thermal budget selector switch on a variable resistance memory cell
US8385100B2 (en) * 2009-12-08 2013-02-26 Intel Corporation Energy-efficient set write of phase change memory with switch
US8847186B2 (en) * 2009-12-31 2014-09-30 Micron Technology, Inc. Self-selecting PCM device not requiring a dedicated selector transistor
KR20110135285A (ko) 2010-06-10 2011-12-16 삼성전자주식회사 상변화 메모리 소자의 제조방법
US9054295B2 (en) 2011-08-23 2015-06-09 Micron Technology, Inc. Phase change memory cells including nitrogenated carbon materials, methods of forming the same, and phase change memory devices including nitrogenated carbon materials
CN102361034B (zh) * 2011-09-29 2013-03-06 清华大学 一种垂直选择管以及由其形成的存储单元
JP2014033041A (ja) * 2012-08-02 2014-02-20 Tokyo Electron Ltd スイッチ素子およびそれを用いたクロスバー型メモリアレイ
KR101431656B1 (ko) 2013-04-05 2014-08-21 한국과학기술연구원 저머늄 및 셀레늄을 이용한 칼코지나이드 스위칭 소자 및 그 제조방법
US9153777B2 (en) * 2013-06-03 2015-10-06 Micron Technology, Inc. Thermally optimized phase change memory cells and methods of fabricating the same
US9312005B2 (en) 2013-09-10 2016-04-12 Micron Technology, Inc. Accessing memory cells in parallel in a cross-point array
US10084017B2 (en) * 2014-01-17 2018-09-25 Sony Semiconductor Solutions Corporation Switch device and storage unit having a switch layer between first and second electrodes
US9589635B2 (en) 2014-12-11 2017-03-07 International Business Machines Corporation Semiconductor device with a stoichiometric gradient
KR20160075176A (ko) * 2014-12-19 2016-06-29 에스케이하이닉스 주식회사 전자 장치
CN105293451B (zh) * 2015-11-06 2018-02-06 成都先锋材料有限公司 非平衡态硫族化合物、薄膜及其制备方法
US10062843B2 (en) * 2015-12-11 2018-08-28 Samsung Electronics Co., Ltd. Variable resistive memory device and method of manufacturing the same
KR102465966B1 (ko) * 2016-01-27 2022-11-10 삼성전자주식회사 메모리 소자, 및 그 메모리 소자를 포함한 전자 장치
KR102495000B1 (ko) * 2016-03-18 2023-02-02 삼성전자주식회사 반도체 소자 및 이의 제조방법

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3348045A (en) 1965-04-22 1967-10-17 Texas Instruments Inc Ge-se-te glass and infrared detection system

Also Published As

Publication number Publication date
CN108666417A (zh) 2018-10-16
JP2018164085A (ja) 2018-10-18
US20180277601A1 (en) 2018-09-27
CN108666417B (zh) 2022-05-31
US10403681B2 (en) 2019-09-03
KR20180109287A (ko) 2018-10-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102295524B1 (ko) 메모리 소자
US10804466B2 (en) Memory device and method of manufacturing the same
KR102532201B1 (ko) 메모리 소자
US10734450B2 (en) Memory device and electronic apparatus including the same
KR102530067B1 (ko) 가변 저항 메모리 소자 및 그 제조 방법
US10644069B2 (en) Memory devices having crosspoint memory arrays therein with multi-level word line and bit line structures
US20170244026A1 (en) Variable resistance memory device and method of manufacturing the same
US9741764B1 (en) Memory device including ovonic threshold switch adjusting threshold voltage thereof
US10720470B2 (en) Variable resistance memory devices
US11818899B2 (en) Semiconductor device including layers with different chalcogen compounds and semiconductor apparatus including the same
US20220149114A1 (en) Chalcogen compound and semiconductor device including the same
KR20220059879A (ko) 칼코겐 화합물층을 포함하는 반도체 소자 및 이를 포함한 반도체 장치
US20230088249A1 (en) Semiconductor device and semiconductor apparatus including the same
US11651995B2 (en) Memory devices

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant