KR102528848B1 - 실리콘 에피택셜 웨이퍼의 제조방법 및 평가방법 - Google Patents

실리콘 에피택셜 웨이퍼의 제조방법 및 평가방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은, 실리콘의 경면 웨이퍼 상에 에피택셜층을 성장시킨 실리콘 에피택셜 웨이퍼의 제조방법으로서, 경면 웨이퍼의 포토루미네선스(PL)스펙트럼을 PL측정장치로 측정하고 TO선의 발광강도가 30000~50000카운트가 되도록 PL측정장치를 조정하는 공정과, 실리콘 에피택셜 웨이퍼에 전자선을 조사하는 공정과, 전자선 조사영역으로부터의 PL스펙트럼을 조정된 PL측정장치로 측정하는 공정과, PL스펙트럼의 CiCs결함에 기인하는 발광강도가 TO선의 발광강도의 0.83% 이하, CiOi결함에 기인하는 발광강도가 TO선의 발광강도의 6.5% 이하가 되는 실리콘 에피택셜 웨이퍼를 선별하여 합격으로 하는 공정을 갖는 것을 특징으로 하는 실리콘 에피택셜 웨이퍼의 제조방법을 제공한다. 이에 따라, 실리콘 에피택셜 웨이퍼를 이용하여 촬상소자를 제조하는 경우에, 백결함 불량이 문제가 되지 않는 레벨의 실리콘 에피택셜 웨이퍼를 선별할 수 있는 실리콘 에피택셜 웨이퍼의 제조방법이 제공된다.

Description

실리콘 에피택셜 웨이퍼의 제조방법 및 평가방법
본 발명은, 실리콘 에피택셜 웨이퍼의 제조방법, 그 제조방법에 의해 제조된 실리콘 에피택셜 웨이퍼를 이용하여 제조된 촬상소자, 및 실리콘 에피택셜 웨이퍼의 평가방법에 관한 것이다.
반도체 집적회로를 제작하기 위한 기판으로서, 주로 CZ(Czochralski)법에 의해 제작된 실리콘 웨이퍼가 이용되고 있다. 최근의 최첨단 촬상소자(CCD, CMOS 이미지 센서 등)에서는, 백결함(white defect, 白キズ)이라 불리는 암전류 불량이 발생하고 있다. 백결함 발생의 원인은, 깊은 준위를 형성하는 어떠한 결함이 존재하기 때문이라 전해지고 있다. 구체적으로는 금속불순물을 들 수 있다. 금속불순물이 디바이스 활성영역에 존재함으로써 백결함 불량을 일으키는 것이 잘 알려져 있다.
그 밖에 깊은 준위를 형성하는 결함으로서 알려져 있는 것으로서, CiCs결함이나 CiOi결함을 들 수 있다. CiCs결함은 격자간 탄소와 격자위치 탄소의 복합체, CiOi결함은 격자간 탄소와 격자간 산소의 복합체로, 깊은 준위를 형성하기 때문에 백결함 불량의 원인이 된다.
일본특허공개 H4-104042호 공보
깊은 준위를 형성하는 결함이 비교적 적은 기판으로서, 고감도 촬상소자에는 에피택셜 웨이퍼가 이용되는 경우가 많다. 이때 발생하는 백결함 불량의 원인으로서, 에피택셜층 중의 금속불순물을 들 수 있다. 그 밖에 깊은 준위를 형성하는 결함으로서, CiCs결함이나 CiOi결함이 있다. 이들 CiCs결함이나 CiOi결함의 형성에는, 산소 또는 탄소의 존재가 필요하며, 산소 및 탄소가 존재하지 않으면 결함은 발생하지 않는다.
지금까지, 에피택셜 웨이퍼에 있어서의 에피택셜층에는, 디바이스 공정 중에 기판으로부터 에피택셜층으로 확산되어 오는 산소 또는 탄소 이외에는, 산소나 탄소는 존재하지 않는다고 여겨졌었다.
그러나, 실리콘 기판 상에 에피택셜층을 성장시킨 직후에 전자선을 조사하여, 저온 포토루미네선스법(Photoluminescence법; 이하에서는 PL법이라 하는 경우가 있음)으로 측정하면, CiCs결함이나 CiOi결함이 검출된다. 이때의 측정파장은 532nm에서 실리콘에 대한 침입길이는 약 1μm이고, 그 침입길이보다 충분히 두꺼운 에피택셜층의 에피택셜 웨이퍼를 이용하여도 CiCs결함이나 CiOi결함이 검출되므로, 에피택셜층 성장 직후에 존재하는 산소나 탄소는 기판으로부터 확산되어 온 것은 아니라고 할 수 있다.
따라서, 실제로는 에피택셜 성장 직후여도, 에피택셜층 중에 산소나 탄소가 극히 미량으로 존재하는 것을 알 수 있다. 따라서, 수율 좋게 촬상소자용 기판을 제조하기 위해서는, 에피택셜층에 포함되는 산소 및 탄소를 더 줄이면 좋다.
그러나, 최첨단 촬상소자의 백결함 불량에 영향을 주는 레벨의 극히 저농도의 산소나 탄소를 직접 정확하게 측정하기는 어렵다. 실리콘 중의 산소농도를 정도(精度) 좋게 구하는 방법으로서, 특허문헌 1에서는, 실리콘 시료에 탄소이온을 주입하여, 산소와 탄소의 복합결함을 생성시키고, 그 실리콘 시료로부터의 포토루미네선스를 측정하여 산소농도를 구하는 방법이 개시되어 있다. 그러나, 탄소를 주입하고 있으며, 실리콘 시료 중에 원래부터 존재한 탄소의 농도를 구할 수는 없다.
나아가, 특허문헌 1에는 촬상소자의 백결함 불량에 대해서는 어떠한 기재도 되어 있지 않아, 에피택셜 웨이퍼를 이용하여 제조된 촬상소자의 백결함 불량과 에피택셜 웨이퍼의 산소에 관련된 포토루미네선스와의 관계는 불명확하다.
본 발명은, 상기 문제점을 감안하여 이루어진 것으로, 실리콘 에피택셜 웨이퍼를 이용하여 촬상소자를 제조하는 경우에, 촬상소자의 백결함 불량이 문제가 되지 않는 레벨의 실리콘 에피택셜 웨이퍼를, 선별하여 합격으로 할 수 있는 실리콘 에피택셜 웨이퍼의 제조방법을 제공하는 것을 목적으로 한다. 또한, 본 발명은, 그 실리콘 에피택셜 웨이퍼의 제조방법에 의해 제조된 실리콘 에피택셜 웨이퍼를 이용하여 제조된 촬상소자를 제공하는 것을 목적으로 한다. 나아가, 본 발명은, 실리콘 에피택셜 웨이퍼를 이용하여 촬상소자를 제조하는 경우에, 촬상소자의 백결함 불량이 문제가 되지 않는 레벨인지의 여부를 판단할 수 있는 실리콘 에피택셜 웨이퍼의 평가방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
한편, 여기서, 「문제가 되지 않는 레벨」이란, 촬상소자의 백결함 불량의 수가 충분히 적고, 그 촬상소자를 이용한, 예를 들어 디지털 카메라 등의 제품에 있어서 문제가 발생하지 않을 정도인 것을 의미한다.
상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명은, 실리콘의 경면 웨이퍼 상에 에피택셜층을 성장시킨 실리콘 에피택셜 웨이퍼의 제조방법으로서,
상기 경면 웨이퍼에 광을 조사하여, 발생하는 포토루미네선스의 스펙트럼을 포토루미네선스 측정장치로 측정하고, 이 스펙트럼의 TO선의 발광의 강도가 30000~50000카운트가 되도록 상기 포토루미네선스 측정장치를 조정하는 공정과,
상기 실리콘 에피택셜 웨이퍼에 전자선을 조사하는 공정과,
상기 실리콘 에피택셜 웨이퍼의 전자선 조사영역에 광을 조사하고, 발생하는 포토루미네선스의 스펙트럼을 상기 조정된 포토루미네선스 측정장치로 측정하는 공정과,
상기 실리콘 에피택셜 웨이퍼로부터의 포토루미네선스의 스펙트럼의 CiCs결함에 기인하는 발광의 강도가 TO선의 발광의 강도의 0.83% 이하, CiOi결함에 기인하는 발광의 강도가 TO선의 발광의 강도의 6.5% 이하가 되는 실리콘 에피택셜 웨이퍼를 선별하여 합격으로 하는 공정을 갖는 것을 특징으로 하는 실리콘 에피택셜 웨이퍼의 제조방법을 제공한다.
이와 같이, 에피택셜층을 성장시켜 제작한 실리콘 에피택셜 웨이퍼에 대하여, TO선의 발광의 강도를 30000~50000카운트가 되도록 포토루미네선스 측정장치를 조정하고, 포토루미네선스의 스펙트럼의 CiCs결함에 기인하는 발광의 강도가 TO선의 발광의 강도의 0.83% 이하, CiOi결함에 기인하는 발광의 강도가 TO선의 발광의 강도의 6.5% 이하가 되는 실리콘 에피택셜 웨이퍼를 선별하여 촬상소자를 제조함으로써, 확실하게 촬상소자의 백결함 불량을 문제가 없는 레벨까지 저감할 수 있다.
한편, 30000~50000카운트는, 30000카운트 이상 50000카운트 이하를 의미한다.
또한, 본 발명은, 상기 서술한 실리콘 에피택셜 웨이퍼의 제조방법에 의해 제조된 실리콘 에피택셜 웨이퍼를 이용하여 제조된 촬상소자를 제공한다.
이러한 촬상소자이면, 백결함 불량이 문제가 없는 레벨까지 저감되어 있는 것이 된다.
나아가, 상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명은, 실리콘의 경면 웨이퍼 상에 에피택셜층을 성장시킨 실리콘 에피택셜 웨이퍼의 평가방법으로서,
상기 경면 웨이퍼에 광을 조사하여, 발생하는 포토루미네선스의 스펙트럼을 포토루미네선스 측정장치로 측정하고, 이 스펙트럼의 TO선의 발광의 강도가 30000~50000카운트가 되도록 상기 포토루미네선스 측정장치를 조정하는 공정과,
상기 실리콘 에피택셜 웨이퍼에 전자선을 조사하는 공정과,
상기 실리콘 에피택셜 웨이퍼의 전자선 조사영역에 광을 조사하고, 발생하는 포토루미네선스의 스펙트럼을 상기 조정된 포토루미네선스 측정장치로 측정하는 공정과,
상기 실리콘 에피택셜 웨이퍼로부터의 포토루미네선스의 스펙트럼의 CiCs결함에 기인하는 발광의 강도를 구하고, 이 발광의 강도가 TO선의 발광의 강도의 0.83% 이하인지의 여부를 판단하는 공정과,
상기 실리콘 에피택셜 웨이퍼로부터의 포토루미네선스의 스펙트럼의 CiOi결함에 기인하는 발광의 강도를 구하고, 이 발광의 강도가 TO선의 발광의 강도의 6.5% 이하인지의 여부를 판단하는 공정을 갖는 것을 특징으로 하는 실리콘 에피택셜 웨이퍼의 평가방법을 제공한다.
이와 같이, 에피택셜층을 성장시켜 제작한 실리콘 에피택셜 웨이퍼에 대하여, TO선의 발광의 강도를 30000~50000카운트가 되도록 포토루미네선스 측정장치를 조정하고, 포토루미네선스의 스펙트럼의 CiCs결함에 기인하는 발광의 강도가 TO선의 발광의 강도의 0.83% 이하인지의 여부, CiOi결함에 기인하는 발광의 강도가 TO선의 발광의 강도의 6.5% 이하인지의 여부를 판단함으로써, 실제로 촬상소자를 제조하지 않아도, 촬상소자의 백결함 불량이 문제가 없는 레벨의 실리콘 에피택셜 웨이퍼인지의 여부를 판단할 수 있다.
이상과 같이, 본 발명의 실리콘 에피택셜 웨이퍼의 제조방법에 따르면, 실리콘 에피택셜 웨이퍼를 선별하여 촬상소자를 제조함으로써, 촬상소자의 백결함 불량을 문제가 없는 레벨까지 저감하여, 고성능, 고품질의 촬상소자를 제조할 수 있다. 또한, 본 발명의 실리콘 에피택셜 웨이퍼의 평가방법에 따르면, 실제로 촬상소자를 제조하지 않아도, 촬상소자의 백결함 불량이 문제가 없는 레벨의 실리콘 에피택셜 웨이퍼인지의 여부를 판단할 수 있다.
[도 1] 실리콘 에피택셜 웨이퍼의 포토루미네선스의 측정결과를 나타내는 도면이다.
[도 2a] TO선의 발광의 강도에 대한 CiCs결함에 기인하는 발광강도의 비율과 백결함의 관계를 나타내는 그래프이다.
[도 2b] TO선의 발광의 강도에 대한 CiOi결함에 기인하는 발광강도의 비율과 백결함의 관계를 나타내는 그래프이다.
[도 3] 본 발명의 실리콘 에피택셜 웨이퍼의 제조방법의 공정 플로우를 나타내는 도면이다.
[도 4] 본 발명의 실리콘 에피택셜 웨이퍼의 평가방법의 공정 플로우를 나타내는 도면이다.
이하, 본 발명을 보다 상세하게 설명한다.
상기와 같이, 최첨단 촬상소자용의 실리콘 에피택셜 웨이퍼에 있어서, 백결함 불량이 문제가 되지 않는 레벨의 실리콘 에피택셜 웨이퍼를 제공하는 방법이 요구되고 있다.
본 발명자는, 상기 목적을 달성하기 위하여 예의 검토를 행한 결과, 실리콘의 경면 웨이퍼 상에 에피택셜층을 성장시킨 실리콘 에피택셜 웨이퍼의 제조방법으로서,
상기 경면 웨이퍼에 광을 조사하여, 발생하는 포토루미네선스의 스펙트럼을 포토루미네선스 측정장치로 측정하고, 이 스펙트럼의 TO선의 발광의 강도가 30000~50000카운트가 되도록 상기 포토루미네선스 측정장치를 조정하는 공정과,
상기 실리콘 에피택셜 웨이퍼에 전자선을 조사하는 공정과,
상기 실리콘 에피택셜 웨이퍼의 전자선 조사영역에 광을 조사하고, 발생하는 포토루미네선스의 스펙트럼을 상기 조정된 포토루미네선스 측정장치로 측정하는 공정과,
상기 실리콘 에피택셜 웨이퍼로부터의 포토루미네선스의 스펙트럼의 CiCs결함에 기인하는 발광의 강도가 TO선의 발광의 강도의 0.83% 이하, CiOi결함에 기인하는 발광의 강도가 TO선의 발광의 강도의 6.5% 이하가 되는 실리콘 에피택셜 웨이퍼를 선별하여 합격으로 하는 공정을 갖는 것을 특징으로 하는 실리콘 에피택셜 웨이퍼의 제조방법이, 상기 과제를 해결할 수 있는 것을 발견하여, 본 발명을 완성시켰다.
이하, 본 발명에 대하여, 실시태양의 일 예로서, 도면을 참조하면서 상세하게 설명하나, 본 발명은 이것으로 한정되는 것은 아니다.
제일 먼저, 실리콘 에피택셜 웨이퍼의 CiCs결함 및 CiOi결함에 기인한 PL의 발광강도와, 그 실리콘 에피택셜 웨이퍼와 동일한 조건으로 제조한 실리콘 에피택셜 웨이퍼를 이용하여 제조한 촬상소자의 백결함의 관계를 조사하였다.
우선, 촬상소자용의 직경 300mm의 실리콘 에피택셜 웨이퍼를 제조하기 위하여, 저항률 10Ω·cm의 n형의 실리콘의 경면 웨이퍼 상에, 저항률 10Ω·cm, 두께 10μm의 에피택셜막(층)을 형성한 샘플을 준비하였다. 이때의 에피택셜층 성장조건을 5수준(수준 1, 2, 3, 4, 5)으로 하였다. 이들 5수준은 에피택셜 성장 중에 취입되는 산소농도에 차이가 난다고 생각되는 제조조건에 따른 것이다. 이들 샘플로 실제로 촬상소자를 제조하여 암전류(백결함) 특성을 조사하였다.
다음에, 상기 5수준과 동일한 성장조건으로 실리콘 에피택셜 웨이퍼를 제조한 후에 전자선을 조사하여, 전자선 조사영역의 PL스펙트럼의 측정을 행하였다. 측정결과의 스펙트럼(수준 1, 3, 5)을 도 1에 나타내었다. 또한, 전자선을 조사하기 전의 실리콘 에피택셜 웨이퍼로부터의 PL스펙트럼도 측정하여 도 1에 나타내었다. 전자선 조사 전의 PL스펙트럼은 수준 1로부터의 것을 나타내었으나, 다른 수준의 PL스펙트럼도 거의 동일한 스펙트럼이었다.
도 1에 있어서, 파장 1130nm 부근의 가장 강도가 강한 발광이 TO선(TO-line)이고, TO(Transverse Optical) 포논(이 관계한 밴드간 천이 발광에 의한 것이다. 또한, 파장 1278nm 부근의 발광이 G선(G-line)이고, CiCs결함에서 유래하는 발광이다. 나아가, 파장 1571nm 부근의 발광이 C선(C-line)이고, CiOi결함에서 유래하는 발광이다. 전자선 조사 전의 PL스펙트럼과 비교할 때, 수준 1-5의 PL스펙트럼에서는 모두 G선 및 C선의 발광이 강했고, CiOi결함 및 CiCs결함에 의한 준위가 검출되었다.
도 1의 G선에 있어서, 발광강도는 수준 5가 가장 컸고, 수준 1이 가장 작았으며, 수준 1~5의 순으로 커졌다. 또한, C선에 있어서도 G선과 마찬가지로, 발광강도는 수준 5가 가장 컸고, 수준 1이 가장 작았으며, 수준 1~5의 순으로 커졌다.
여기서, 레퍼런스로 하는 경면 웨이퍼의 TO선의 발광의 강도가 30000~50000카운트가 되도록 PL측정장치를 조정하여, 이후에서 이용하는 G선 및 C선의 발광강도를 각 수준의 웨이퍼에 대하여 구하였다. TO선의 발광의 강도가 30000카운트 미만이면 G선 및 C선의 발광강도가 작아져서 정도가 높은 백결함의 평가를 할 수 없다. 또한, TO선의 발광의 강도가 50000카운트를 초과하면 G선 및 C선의 발광강도가 너무 커져서 백결함과의 상관을 얻을 수 없게 된다.
그리고, 이미 조사한 촬상소자의 백결함과 CiCs결함에 기인하는 발광(G선)의 강도의 관계를 도 2a에, 촬상소자의 백결함과 CiOi결함에 기인하는 발광(C선)의 강도와의 관계를 도 2b에 나타낸다. 도 2a 및 도 2b에 있어서, 가로축은 백결함의 갯수, 세로축은 TO선의 발광의 강도에 대한 CiCs결함, CiOi결함에 기인하는 발광강도의 비율을 나타내고 있다. 한편, 촬상소자의 백결함의 개수는 촬상면의 면적 등에도 의존하므로, 도 2a 및 도 2b 중의 백결함의 개수는 규격화된 것이다.
도 2a에 있어서, 가장 백결함이 적은 것이 수준 1, 가장 많은 것이 수준 5이고, 수준 1~5의 순으로 백결함이 많아졌다. 도 2b에 있어서도 마찬가지로, 백결함은 수준 1이 가장 적고, 수준 5이 가장 많았다. 이러한 점으로부터, CiCs결함에 기인하는 G선의 발광강도 또는 CiOi결함에 기인하는 C선의 발광강도가 높아짐에 따라서, 백결함 특성이 악화되는 것을 알 수 있다.
여기서, G선에 대해서는, 발광강도가 TO선의 발광강도에 대하여 0.83%를 초과하면 급격하게 백결함 특성이 악화되었다. 한편, C선에 대해서는, 발광강도가 TO선의 발광강도에 대하여 6.5%를 초과한 경우에, 급격하게 백결함 특성이 악화되었다. G선에서 발광강도가 TO선의 발광강도에 대하여 0.83%인 경우에는 백결함의 수는 어림잡아 18개이고, C선에서 발광강도가 TO선의 발광강도에 대하여 6.5%인 경우에는 백결함의 수는 어림잡아 18개이다. 이들은 모두 최첨단 촬상소자에 있어서도, 실용상 문제가 되지 않는 레벨이다. 따라서, G선의 발광강도가 TO선의 발광강도에 대하여 0.83% 이하, C선의 발광강도가 TO선의 발광강도에 대하여 6.5% 이하인 실리콘 에피택셜 웨이퍼를 이용하여 촬상소자를 제조하면, 백결함 불량을 문제가 되지 않는 레벨로 할 수 있다.
또한, G선의 발광강도의 TO선의 발광강도에 대한 비율 및 C선의 발광강도의 TO선의 발광강도에 대한 비율은, 모두, 0% 이상이면 된다.
다음에, 본 발명의 실리콘 에피택셜 웨이퍼의 제조방법에 대하여 도 3을 참조하여 설명한다.
도 3은, 본 발명의 실리콘 에피택셜 웨이퍼의 제조방법의 공정 플로우를 나타내는 도면이다. 우선, 본 발명에서는, 레퍼런스가 되는 실리콘의 경면 웨이퍼에 광을 조사하여, 발생하는 PL스펙트럼을 PL측정장치로 측정한다. 경면 웨이퍼에 조사하는 광은 특별히 한정되지 않으나, 예를 들어 파장 532nm의 고체 레이저로 할 수 있다. 그 밖에도, Ar이온 레이저나 He-Cd 레이저 등을 이용할 수도 있다. 그리고, 얻어진 PL스펙트럼의 TO선의 발광강도가 30000~50000카운트가 되도록, PL측정장치를 조정한다(A공정).
이때, 레퍼런스로 하는 실리콘의 경면 웨이퍼는 특별히 한정되지 않으나, 장기간에 걸쳐 항상 같은 경면 웨이퍼를 이용함으로써, 측정의 시기에 의한 발광강도 계측값의 불균일이 발생하지 않도록 하는 것이 바람직하다. 또한, 레퍼런스의 경면 웨이퍼는, 에피택셜 웨이퍼의 사양별로 정할 수도 있다. 이 경우여도, 사양별로 같은 경면 웨이퍼를 장기간에 걸쳐 사용하는 것이 바람직하다.
다음에, 선별대상인 실리콘 에피택셜 웨이퍼에 전자선을 조사하고(B공정), 에피택셜층 중에 CiCs결함이나 CiOi결함을 생성시킨다. 전자선을 조사하는 장치는 특별히 한정되지 않으나, 예를 들어 주사형 전자현미경과 같은 장치를 이용할 수 있다. 전자선은 선별대상인 모든 에피택셜 웨이퍼에 조사할 수도 있는데, 예를 들어 동일한 에피택셜 성장장치에서 연속적으로 성장시킨 20매의 에피택셜 웨이퍼간에, G선 및 C선의 발광강도에 변화가 없는 것이 사전에 추정되는 경우에는, 이 20매 중 1매에만 전자선을 조사할 수도 있다.
계속해서, 실리콘 에피택셜 웨이퍼의 전자선 조사영역에 광을 조사하고, 발생하는 PL스펙트럼을 상기 서술한 조정된 PL측정장치로 측정하여(C공정), G선 및 C선의 발광강도를 구한다.
그리고, CiCs결함에 기인하는 G선의 발광강도가 TO선의 발광강도의 0.83% 이하, CiOi결함에 기인하는 C선의 발광강도가 TO선의 발광강도의 6.5% 이하인 경우에는, 그 실리콘 에피택셜 웨이퍼를 합격으로 한다(D공정). 또한, 상기 서술한 바와 같이, 예를 들어 그 실리콘 에피택셜 웨이퍼를 포함하는 20매의 웨이퍼간에 G선 및 C선의 발광강도에 변화가 없는 것을 알고 있다면, 나머지 19매의 실리콘 에피택셜 웨이퍼도 합격으로 할 수 있다.
이렇게 하여 선별되고, 합격으로 된 실리콘 에피택셜 웨이퍼를 이용하여 촬상소자를 제조한다. 그러면, 그 촬상소자는 백결함 불량이 극히 적어져, 실용상 문제가 없는 레벨의 것으로 할 수 있다.
나아가, 본 발명의 실리콘 에피택셜 웨이퍼의 평가방법에 대하여 도 4를 참조하여 설명한다.
본 발명의 실리콘 에피택셜 웨이퍼의 평가방법은, 실리콘의 경면 웨이퍼를 이용하여 PL스펙트럼을 측정하고 TO선의 발광강도가 30000~50000카운트가 되도록 PL측정장치를 조정하는 공정(A공정), 평가대상인 에피택셜 웨이퍼에 전자선을 조사하는 공정(B공정), 그 전자선 조사영역의 PL스펙트럼을 측정하는 공정(C공정)을 가지고 있으며, 지금까지는 이미 설명한 실리콘 에피택셜 웨이퍼를 선별하여 합격으로 하는 실리콘 에피택셜 웨이퍼의 제조방법과 동일하다.
본 발명의 실리콘 에피택셜 웨이퍼의 평가방법은, 추가로, 평가대상인 실리콘 에피택셜 웨이퍼로부터의 PL스펙트럼의 CiCs결함에 기인하는 G선의 발광강도가 TO선의 발광강도의 0.83% 이하인지의 여부를 판단하는 공정과, CiOi결함에 기인하는 C선의 발광강도가 TO선의 발광강도의 6.5% 이하인지의 여부를 판단하는 공정을 가지고 있다.
본 발명의 실리콘 에피택셜 웨이퍼의 평가방법에 따르면, 제조한 실리콘 에피택셜 웨이퍼가 촬상소자용의 웨이퍼로서 적합한 것인지의 여부를 평가할 수 있다. 구체적으로는, 예를 들어 본 발명의 실리콘 에피택셜 웨이퍼의 평가방법을 이용하여, 촬상소자용으로서 호적한 실리콘 에피택셜 웨이퍼를 제조하기 위한 에피택셜층의 성장조건의 범위를 상세하게 구할 수 있다.
실시예
이하, 실시예를 들어 본 발명을 보다 구체적으로 설명하나, 본 발명은 이것들로 한정되는 것은 아니다.
(실시예 1)
촬상소자용의 직경 300mm의 실리콘 에피택셜 웨이퍼를 제조하기 위하여, 저항률 10Ω·cm의 n형의 실리콘의 경면 웨이퍼 상에, 저항률 10Ω·cm, 두께 10μm의 에피택셜층을 형성한 웨이퍼를 5매 준비하였다. 이 5매의 웨이퍼는, 동일한 에피택셜 성장장치를 이용하여 연속적으로, 동일한 성장조건으로 에피택셜층을 성장시킨 것이고, 5매의 웨이퍼의 에피택셜층은 균질한 것이다.
다음에, 실리콘의 경면 웨이퍼를 이용하여, TO선의 발광강도가 40000카운트가 되도록, PL측정장치를 조정하였다.
다시, 준비한 실리콘 에피택셜 웨이퍼 중 1매에 전자선을 조사하였다. 계속해서, 이 웨이퍼의 전자선 조사영역의 PL스펙트럼을 조정된 PL측정장치로 측정하였다. 이때의 G선의 발광강도는 TO선의 발광강도의 0.63%, C선의 발광강도는 TO선의 발광강도의 5.2%로, 선별조건을 만족하였다.
한편, 나머지 4매의 실리콘 에피택셜 웨이퍼에서, 촬상소자를 제조하여 백결함 불량의 평가를 행하였다. 제조된 촬상소자의 백결함의 갯수는 평균값 4개로, 극히 백결함 불량이 적은 촬상소자를 제조할 수 있었다.
(실시예 2)
실시예 1과 마찬가지로, 직경 300mm, 저항률 10Ω·cm의 n형의 실리콘의 경면 웨이퍼 상에, 저항률 10Ω·cm, 두께 10μm의 에피택셜층을 형성한 웨이퍼를 5매 준비하였다. 단, 에피택셜 성장에 사용한 에피택셜 성장장치는, 실시예 1과는 다른 장치로 하였다. 그리고, 실리콘의 경면 웨이퍼를 이용하여, TO선의 발광강도가 40000카운트가 되도록, PL측정장치를 조정하였다.
다시, 준비한 실리콘 에피택셜 웨이퍼 중 1매에 전자선을 조사하고, 이 웨이퍼의 전자선 조사영역의 PL스펙트럼을 조정된 PL측정장치로 측정하였다. 이때의 G선의 발광강도는 TO선의 발광강도의 0.94%, C선의 발광강도는 TO선의 발광강도의 8.3%로, 선별(평가)조건을 만족하지 못했다.
그리고, 나머지 4매의 실리콘 에피택셜 웨이퍼에서, 촬상소자를 제조하여 백결함 불량의 평가를 행하였다. G선 및 C선의 발광강도의 평가로부터 백결함이 많을 것으로 예측되었는데, 실제로 제조된 촬상소자의 백결함의 갯수는 평균값 102개로 많았다. 이는, 최첨단 촬상소자로서 부적당한 레벨이었다.
한편, 본 발명은, 상기 실시형태로 한정되는 것은 아니다. 상기 실시형태는, 예시이며, 본 발명의 특허청구의 범위에 기재된 기술적 사상과 실질적으로 동일한 구성을 가지며, 동일한 작용효과를 나타내는 것은, 어떠한 것이어도 본 발명의 기술적 범위에 포함된다.

Claims (3)

  1. 실리콘의 경면 웨이퍼 상에 에피택셜층을 성장시킨 실리콘 에피택셜 웨이퍼의 제조방법으로서,
    상기 경면 웨이퍼에 광을 조사하여, 발생하는 포토루미네선스의 스펙트럼을 포토루미네선스 측정장치로 측정하고, 이 스펙트럼의 TO선의 발광의 강도가 30000~50000카운트가 되도록 상기 포토루미네선스 측정장치를 조정하는 공정과,
    상기 실리콘 에피택셜 웨이퍼에 전자선을 조사하는 공정과,
    상기 실리콘 에피택셜 웨이퍼의 전자선 조사영역에 광을 조사하고, 발생하는 포토루미네선스의 스펙트럼을 상기 조정된 포토루미네선스 측정장치로 측정하는 공정과,
    상기 실리콘 에피택셜 웨이퍼로부터의 포토루미네선스의 스펙트럼의 CiCs결함에 기인하는 발광의 강도가 TO선의 발광의 강도의 0.83% 이하, CiOi결함에 기인하는 발광의 강도가 TO선의 발광의 강도의 6.5% 이하가 되는 실리콘 에피택셜 웨이퍼를 선별하여 합격으로 하는 공정을 갖는 것을 특징으로 하는 실리콘 에피택셜 웨이퍼의 제조방법.
  2. 삭제
  3. 실리콘의 경면 웨이퍼 상에 에피택셜층을 성장시킨 실리콘 에피택셜 웨이퍼의 평가방법으로서,
    상기 경면 웨이퍼에 광을 조사하여, 발생하는 포토루미네선스의 스펙트럼을 포토루미네선스 측정장치로 측정하고, 이 스펙트럼의 TO선의 발광의 강도가 30000~50000카운트가 되도록 상기 포토루미네선스 측정장치를 조정하는 공정과,
    상기 실리콘 에피택셜 웨이퍼에 전자선을 조사하는 공정과,
    상기 실리콘 에피택셜 웨이퍼의 전자선 조사영역에 광을 조사하고, 발생하는 포토루미네선스의 스펙트럼을 상기 조정된 포토루미네선스 측정장치로 측정하는 공정과,
    상기 실리콘 에피택셜 웨이퍼로부터의 포토루미네선스의 스펙트럼의 CiCs결함에 기인하는 발광의 강도를 구하고, 이 발광의 강도가 TO선의 발광의 강도의 0.83% 이하인지의 여부를 판단하는 공정과,
    상기 실리콘 에피택셜 웨이퍼로부터의 포토루미네선스의 스펙트럼의 CiOi결함에 기인하는 발광의 강도를 구하고, 이 발광의 강도가 TO선의 발광의 강도의 6.5% 이하인지의 여부를 판단하는 공정을 갖는 것을 특징으로 하는 실리콘 에피택셜 웨이퍼의 평가방법.
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Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6296001B2 (ja) * 2015-05-20 2018-03-20 信越半導体株式会社 シリコンエピタキシャルウェーハの製造方法及び評価方法
JP6531729B2 (ja) * 2016-07-19 2019-06-19 株式会社Sumco シリコン試料の炭素濃度評価方法、シリコンウェーハ製造工程の評価方法、シリコンウェーハの製造方法およびシリコン単結晶インゴットの製造方法
JP6805015B2 (ja) * 2017-02-10 2020-12-23 グローバルウェーハズ・ジャパン株式会社 検量線の作成方法、炭素濃度測定方法及びシリコンウェハの製造方法
CN108956550A (zh) * 2018-06-12 2018-12-07 华灿光电（浙江）有限公司 一种光致发光光谱处理的方法和装置
JP6585799B1 (ja) * 2018-10-15 2019-10-02 昭和電工株式会社 ＳｉＣ基板の評価方法及びＳｉＣエピタキシャルウェハの製造方法
JP6933201B2 (ja) * 2018-11-29 2021-09-08 信越半導体株式会社 炭素濃度測定方法
JP6973361B2 (ja) * 2018-11-29 2021-11-24 信越半導体株式会社 酸素濃度測定方法

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2004008119A1 (en) 2002-07-17 2004-01-22 Aoti Operating Company, Inc. Detection method and apparatus
JP2010287778A (ja) 2009-06-12 2010-12-24 Shin Etsu Handotai Co Ltd シリコン基板の評価方法及び半導体デバイスの製造方法
JP2013152977A (ja) 2012-01-24 2013-08-08 Mitsubishi Electric Corp 不純物濃度測定方法および不純物濃度測定装置
WO2014210195A1 (en) 2013-06-26 2014-12-31 Kla-Tencor Corporation System and method for defect detection and photoluminescence measurement of a sample

Family Cites Families (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5006717A (en) * 1988-12-26 1991-04-09 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Method of evaluating a semiconductor device and an apparatus for performing the same
JPH04104042A (ja) 1990-08-24 1992-04-06 Hitachi Ltd シリコン中の酸素濃度測定方法
JPH104042A (ja) * 1996-06-17 1998-01-06 Sony Corp 半導体製造工程管理システム
US6366861B1 (en) * 1997-04-25 2002-04-02 Applied Materials, Inc. Method of determining a wafer characteristic using a film thickness monitor
US6534774B2 (en) * 2000-09-08 2003-03-18 Mitsubishi Materials Silicon Corporation Method and apparatus for evaluating the quality of a semiconductor substrate
JP4566478B2 (ja) * 2001-08-09 2010-10-20 シルトロニック・ジャパン株式会社 シリコン半導体基板およびその製造方法
US20050073678A1 (en) * 2003-09-26 2005-04-07 Jamil Tahir-Kheli Detection and reduction of dielectric breakdown in semiconductor devices
US9909986B2 (en) * 2003-10-15 2018-03-06 Applied Research And Photonics, Inc. Thickness determination and layer characterization using terahertz scanning reflectometry
US7158221B2 (en) * 2003-12-23 2007-01-02 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for performing limited area spectral analysis
US7481879B2 (en) * 2004-01-16 2009-01-27 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Diamond single crystal substrate manufacturing method and diamond single crystal substrate
TWI439684B (zh) * 2005-07-06 2014-06-01 Nanometrics Inc 具自晶圓或其他工件特定材料層所發射光致發光信號優先偵測之光致發光成像
CN101447447B (zh) * 2007-11-27 2010-05-26 上海华虹Nec电子有限公司 用于沟槽隔离的本征吸杂的方法
JP5063325B2 (ja) * 2007-12-14 2012-10-31 独立行政法人理化学研究所 キャリア濃度測定装置およびキャリア濃度測定方法
EP2272101A4 (en) * 2008-03-31 2012-06-27 Bt Imaging Pty Ltd METHOD AND APPARATUS FOR IMAGING AND WAFER PROCESSING
WO2011009159A1 (en) * 2009-07-20 2011-01-27 Bt Imaging Pty Ltd Separation of doping density and minority carrier lifetime in photoluminescence measurements on semiconductor materials
SG185546A1 (en) * 2010-06-04 2012-12-28 Hemlock Semiconductor Corp A method for measuring bulk impurities of semiconductor materials using edge - on photoluminescence
CN103460349B (zh) * 2011-05-18 2016-11-23 住友电气工业株式会社 化合物半导体衬底
CN103091326B (zh) * 2011-10-31 2015-04-22 无锡华润上华科技有限公司 识别缺陷类型的方法
US9410890B2 (en) * 2012-03-19 2016-08-09 Kla-Tencor Corporation Methods and apparatus for spectral luminescence measurement
US9553034B1 (en) * 2012-03-27 2017-01-24 Kla-Tencor Corporation Combined semiconductor metrology system
DE102012214085B4 (de) * 2012-08-08 2016-07-07 Siltronic Ag Halbleiterscheibe aus einkristallinem Silizium und Verfahren zu deren Herstellung
EP2779220B1 (en) * 2013-03-12 2017-10-25 GLobalWafers Japan Co., Ltd. Saturation voltage estimation method and silicon epitaxial wafer manufaturing method
CN103794473B (zh) * 2014-01-28 2016-04-06 北京大学 一种室温下吸除硅晶片或硅器件中过渡金属杂质的方法
JP6268039B2 (ja) * 2014-05-23 2018-01-24 グローバルウェーハズ・ジャパン株式会社 検量線の作成方法、不純物濃度の測定方法、及び半導体ウェハの製造方法
US10018565B2 (en) * 2015-05-04 2018-07-10 Semilab Semiconductor Physics Laboratory Co., Ltd. Micro photoluminescence imaging with optical filtering
JP6296001B2 (ja) * 2015-05-20 2018-03-20 信越半導体株式会社 シリコンエピタキシャルウェーハの製造方法及び評価方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2004008119A1 (en) 2002-07-17 2004-01-22 Aoti Operating Company, Inc. Detection method and apparatus
JP2010287778A (ja) 2009-06-12 2010-12-24 Shin Etsu Handotai Co Ltd シリコン基板の評価方法及び半導体デバイスの製造方法
JP2013152977A (ja) 2012-01-24 2013-08-08 Mitsubishi Electric Corp 不純物濃度測定方法および不純物濃度測定装置
WO2014210195A1 (en) 2013-06-26 2014-12-31 Kla-Tencor Corporation System and method for defect detection and photoluminescence measurement of a sample

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US11205599B2 (en) 2021-12-21

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