KR102487301B9 - 산화 세륨 입자, 이를 포함하는 화학적 기계적 연마 슬러리 조성물 및 반도체 소자의 제조 방법 - Google Patents

산화 세륨 입자, 이를 포함하는 화학적 기계적 연마 슬러리 조성물 및 반도체 소자의 제조 방법

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Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114933301B (zh) * 2022-05-18 2024-04-09 广东东岛新能源股份有限公司 一种储能用长寿命人造石墨负极材料及其制备方法与应用
WO2024080833A1 (ko) * 2022-10-13 2024-04-18 솔브레인 주식회사 화학적 기계적 연마용 슬러리 조성물 및 그 제조방법
KR20240062237A (ko) * 2022-10-28 2024-05-09 솔브레인 주식회사 화학적 기계적 연마 슬러리 조성물 및 반도체 소자의 제조 방법
KR20240062238A (ko) * 2022-10-28 2024-05-09 솔브레인 주식회사 화학적 기계적 연마 슬러리 조성물 및 반도체 소자의 제조 방법
KR20240062241A (ko) * 2022-10-28 2024-05-09 솔브레인 주식회사 화학적 기계적 연마 슬러리 조성물 및 반도체 소자의 제조 방법

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5962343A (en) * 1996-07-30 1999-10-05 Nissan Chemical Industries, Ltd. Process for producing crystalline ceric oxide particles and abrasive
KR100599327B1 (ko) * 2004-03-12 2006-07-19 주식회사 케이씨텍 Ｃｍｐ용 슬러리 및 그의 제조법
JP4951218B2 (ja) 2004-07-15 2012-06-13 三星電子株式会社 酸化セリウム研磨粒子及び該研磨粒子を含む組成物
KR101050136B1 (ko) * 2006-11-20 2011-07-19 주식회사 엘지화학 유기용매를 이용한 산화세륨 분말의 제조방법 및 상기분말을 포함하는ｃｍｐ슬러리
CN101652324B (zh) 2007-05-03 2012-05-30 株式会社Lg化学 用作磨料的氧化铈粉末和含有该粉末的cmp浆料
CN101550318B (zh) * 2008-04-03 2012-11-14 北京有色金属研究总院 一种含Ce3+的稀土抛光粉及其制备方法
KR100873945B1 (ko) 2008-07-16 2008-12-12 (주) 뉴웰 미세 산화세륨 분말 그 제조 방법 및 이를 포함하는 씨엠피슬러리
KR101184734B1 (ko) * 2009-09-17 2012-09-20 주식회사 엘지화학 산화세륨 나노분말의 제조방법
CN107474799B (zh) * 2010-03-12 2020-12-29 昭和电工材料株式会社 悬浮液、研磨液套剂、研磨液以及使用它们的基板的研磨方法
KR101512359B1 (ko) * 2012-04-16 2015-04-15 (주)디오 콜로이드 산화세륨 제조방법
US10047262B2 (en) 2013-06-27 2018-08-14 Konica Minolta, Inc. Cerium oxide abrasive, method for producing cerium oxide abrasive, and polishing method
US9281210B2 (en) * 2013-10-10 2016-03-08 Cabot Microelectronics Corporation Wet-process ceria compositions for polishing substrates, and methods related thereto
KR101773543B1 (ko) * 2015-06-30 2017-09-01 유비머트리얼즈주식회사 연마 입자, 연마 슬러리 및 연마 입자의 제조 방법
KR101761792B1 (ko) * 2015-07-02 2017-07-26 주식회사 케이씨텍 Sti 연마용 슬러리 조성물
US11046869B2 (en) * 2015-09-09 2021-06-29 Showa Denko Materials Co., Ltd. Polishing liquid, polishing liquid set, and substrate polishing method
WO2018179061A1 (ja) * 2017-03-27 2018-10-04 日立化成株式会社 研磨液、研磨液セット及び研磨方法
WO2019182061A1 (ja) * 2018-03-22 2019-09-26 日立化成株式会社 研磨液、研磨液セット及び研磨方法

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